TW202302747A - 切割膜基材用樹脂組成物、切割膜基材及切割膜 - Google Patents

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Abstract

本發明課題在於提供：能實現常溫與低溫的伸展性優異、且常溫與低溫的模數強度亦優異之切割膜基材的切割膜基材用樹脂組成物。解決上述課題的切割膜基材用樹脂組成物，係含有乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)、聚醯胺(B)、以及苯乙烯系樹脂(C)。

Description

切割膜基材用樹脂組成物、切割膜基材及切割膜
本發明係關於切割膜基材用樹脂組成物、切割膜基材及切割膜。
在IC(積體電路)等半導體裝置的製造過程，一般採取將已形成電路圖案的半導體晶圓施行薄膜化後，再將半導體晶圓切斷為晶片單位的切割步驟。切割步驟係在半導體晶圓的背面黏貼具伸縮性晶圓加工用薄膜(本說明書中亦稱「切割膜」)，再利用切割刀、雷射光等將半導體晶圓切斷為晶片單位。然後，利用擴張步驟，將切割膜擴張而擴大晶片間的間隔，將晶片小片化。該擴張步驟係例如將配置於切割膜下方的擴張台上推，而擴張切割膜，將晶片予以分割。
然後，在拾取步驟中，從切割膜僅拾取所需的晶片並使用於所需用途。該拾取步驟一般係從切割膜端利用微細銷僅將所需晶片上舉，再拾取。
此處，構成切割膜的材料已知有如將乙烯・(甲基)丙烯酸共聚合體利用金屬離子進行交聯的離子聚合物。例如專利文獻1所記載的放射線硬化型晶圓加工用黏貼帶，係含有：含聚醚成分之抗靜電樹脂、與上述離子聚合物。專利文獻2所記載的切割膜基材用樹脂組成物，係含有：上述離子聚合物、乙烯、(甲基)丙烯酸、以及(甲基)丙烯酸烷基酯的共聚合體。
再者，專利文獻3所記載的離子聚合物/聚醯胺配合物，係作為成形零件等所使用的樹脂組成物，其包含有：乙烯與α,β-乙烯性不飽和羧酸的共聚合體之離子聚合物、以及聚醯胺。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-210887號公報 [專利文獻2]日本專利特開2012-89732號公報 [專利文獻3]日本專利特表2000-516984號公報
(發明所欲解決之問題)
此處，上述拾取步驟中，為能適當地僅拾取所需的晶片，將晶片周圍的切割膜充分伸展(以下亦稱「常溫伸展性」)一事便屬重要。若在切割膜未充分伸展情況下，便利用微細銷將複數晶片上舉，將發生非拾取對象的晶片從切割膜上剝離之現象。又，若切割膜的常溫伸展性偏低，則在拾取步驟中，亦有對晶片施加應力、導致晶片內出現破損的情形。若發生該等問題，則有製品良率降低、或製品不良增加的情形。
然而，專利文獻1並未著眼於晶圓加工用黏貼帶的伸展性。又，專利文獻2雖有評價切割膜的耐熱性(例如120℃伸展性)，但卻未著眼於常溫下的伸展性。又，專利文獻3的離子聚合物/聚醯胺配合物，因為大量含有聚醯胺，因而頗難將其成形為薄膜狀。
再者，對切割膜基材用樹脂組成物係除了要求上述常溫伸展性之外，尚要求常溫與低溫下的切割膜之模數強度，亦要求低溫下的伸展性。具體而言，於切割・黏晶一體型薄膜的情況，有在低溫下施行晶片與黏晶膜之切斷與擴張(延伸)的步驟，要求切斷時所必要的模數強度、與延伸時所必要的薄膜伸展性。又，要求於常溫時，用於將切斷後的晶片間隙維持一定的模數強度、與如上述在拾取步驟時所必要的薄膜伸展性。然而，習知並未嘗試兼顧常溫與低溫下的模數強度、及常溫與低溫下的伸展性。
本發明係有鑑於上述課題而完成。目的在於提供：能實現常溫與低溫的伸展性優異、且常溫與低溫的模數強度亦優異之切割膜基材的切割膜基材用樹脂組成物、切割膜基材、及切割膜。 (解決問題之技術手段)
即，本發明係提供以下的切割膜基材用樹脂組成物。 [1]一種切割膜基材用樹脂組成物，係含有：乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)、聚醯胺(B)、以及苯乙烯系樹脂(C)。
[2]如[1]所記載的切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)係乙烯・不飽和羧酸・不飽和羧酸酯共聚合體的離子聚合物。
[3]如[1]或[2]所記載的切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)中源自不飽和羧酸的構成單元的量，係相對於上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)之總構成單元量，為1質量%以上且30質量%以下。
[4]如[1]~[3]中任一項所記載的切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)之中和度，係10%以上且90%以下。 [5]如[1]~[4]中任一項所記載的切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述苯乙烯系樹脂(C)係苯乙烯系彈性體。
[6]如[1]~[5]中任一項所記載的切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述苯乙烯系樹脂(C)的含量係1質量%以上且40質量%以下。 [7]如[1]~[6]中任一項所記載的切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)之含量，係上述聚醯胺(B)含量與上述苯乙烯系樹脂(C)含量的合計量以上。 [8]如[1]~[7]中任一項所記載的切割膜基材用樹脂組成物，其中，根據JIS K 7210：1999，依230℃、荷重2160g所測定的熔體流動速率，係0.1g/10分以上且30g/10分以下。
本發明係提供以下的切割膜基材與切割膜。 [9]一種切割膜基材，係含有至少一層之下述層：含上述[1]~[8]中任一項所記載的切割膜基材用樹脂組成物之層。 [10]如[9]所記載的切割膜基材，其中，含上述切割膜基材用樹脂組成物的層，根據JIS K 7127：1999，依23℃所測定MD方向的25%模數、及TD方向的25%模數之平均值，係7MPa以上且13MPa以下。 [11]如[9]或[10]所記載的切割膜基材，其中，含上述切割膜基材用樹脂組成物之層，根據JIS K 7127：1999，依-15℃所測定MD方向的10%模數、及TD方向的10%模數之平均值，係15MPa以上且30MPa以下。 [12]一種切割膜，係設有：上述[11]所記載的切割膜基材、與積層於上述切割膜基材之至少其中一面的黏著層。 (對照先前技術之功效)
根據本發明的切割膜基材用樹脂組成物，可實現常溫與低溫下的伸展性優異、且常溫與低溫下的模數強度亦優異之切割膜基材。
本說明書中，使用「~」表示的數值範圍係指包含以「~」前後所記載數值為下限值與上限值得範圍。又，「(甲基)丙烯酸」係指包含「丙烯酸」與「甲基丙烯酸」雙方的涵義，「(甲基)丙烯酸酯」係指包含「丙烯酸酯」與「甲基丙烯酸酯」雙方的涵義。
1.關於切割膜基材用樹脂組成物 本發明的切割膜基材用樹脂組成物(以下亦簡稱「樹脂組成物」)，主要係使用於切割膜的基材，惟，該樹脂組成物的用途並不僅侷限於切割膜的基材。
如前述，對切割膜用的基材不僅要求常溫與低溫下的模數強度，且亦要求常溫與低溫下的伸展性。然而，習知並未嘗試兼顧該等。
相對於此，本案發明人等經深入鑽研，結果得知根據含有乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)、聚醯胺(B)、以及苯乙烯系樹脂(C)的樹脂組成物，便可獲得能兼顧常溫與低溫下的模數強度、與常溫與低溫下的伸展性之切割膜基材。其理由可認為如下。即，習知含有異種材料的樹脂組成物，係各材料在該樹脂組成物內的均勻性偏低。所以，當形成為薄膜的情況，特別係TD方向的物性有因配向影響而降低的傾向。相對於此，含有離子聚合物(A)、聚醯胺(B)以及苯乙烯系樹脂(C)的樹脂組成物係相溶性佳，不致使均勻性降低，可維持各材料所具有的特性。以下，針對樹脂組成物所含的各成分進行說明，然後再針對樹脂組成物的物性進行說明。
＜乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)＞ 乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)(以下亦簡稱「離子聚合物(A)」」，係乙烯・不飽和羧酸共聚合體所具有之酸其中一部分或全部被金屬離子中和者，具有由複數乙烯・不飽和羧酸共聚合體進行交聯的結構。樹脂組成物係可僅含一種該離子聚合物(A)、亦可含有二種以上。
成為離子聚合物(A)主骨架的乙烯・不飽和羧酸系共聚合體，係只要屬於乙烯、與不飽和羧酸的共聚合體便可，可為例如乙烯與不飽和羧酸的共聚合體(二元共聚合體)，亦可為例如由乙烯、不飽和羧酸、以及該等以外其他單體進行共聚合的共聚合體(多元共聚合體)。
上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體係可為嵌段共聚合體、亦可為無規共聚合體。又，乙烯・不飽和羧酸系共聚合體亦可為在無規聚合體或嵌段聚合體上，更進一步接枝聚合了公知化合物的接枝共聚合體等。
上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體較佳係二元無規共聚合體、三元無規共聚合體、二元無規共聚合體的接枝共聚合體、或三元無規共聚合體的接枝共聚合體，更佳係二元無規共聚合體或三元無規共聚合體，特佳係三元無規共聚合體。
成為上述乙烯・不飽和羧酸共聚合體原料的不飽和羧酸之例，係可舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、伊康酸、伊康酸酐、反丁烯二酸、巴豆酸、順丁烯二酸、順丁烯二酸酐等碳數4~8之不飽和羧酸，該等之中，從反應性、取得容易性等觀點而言，較佳係丙烯酸或甲基丙烯酸。
再者，成為上述乙烯・不飽和羧酸共聚合體之原料的其他單體例，係可舉例如：(甲基)丙烯酸烷基酯等不飽和羧酸酯；丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等不飽和烴；源自醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等的乙烯酯；乙烯硫酸、乙烯硝酸等的酸化物；氯乙烯、氟乙烯等鹵化合物；含乙烯基的一級胺化合物；含乙烯基的二級胺化合物；一氧化碳；二氧化硫等。該等之中，從反應性、取得容易性等觀點而言，較佳係不飽和羧酸酯或不飽和烴，更佳係不飽和羧酸酯。即，成為本發明離子聚合物(A)主骨架的乙烯・不飽和羧酸系共聚合體，特佳係乙烯・不飽和羧酸・不飽和羧酸酯共聚合體。
不飽和羧酸酯例係可舉例如：於酯部位具有碳數1~12之烷基的不飽和羧酸烷基酯。烷基碳數更佳係1~8、特佳係1~4。烷基例係可舉例如：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、2-乙基己基、異辛基等。
上述不飽和羧酸烷基酯的具體例係可舉例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯等。
其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體具體例係可舉例如：乙烯・丙烯酸共聚合體、乙烯・甲基丙烯酸共聚合體等二元共聚合體；乙烯・甲基丙烯酸・丙烯酸正丁酯共聚合體、乙烯・甲基丙烯酸・丙烯酸異丁酯共聚合體等三元共聚合體等。
本發明的離子聚合物(A)係由上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體所含的羧基，利用金屬離子依任意比例經交聯(中和)者。
離子聚合物(A)中源自不飽和羧酸之構成單元量(即相對於乙烯・不飽和羧酸系共聚合體之總構成單元，源自不飽和羧酸的構成單元量)，較佳係1質量%以上且30質量%以下、更佳係4質量%以上且25質量%以下、特佳係5質量以上且20質量%以下、進而更佳係6質量%以上且15質量%以下。若離子聚合物(A)中源自不飽和羧酸的構成單元量達4質量%以上，便可輕易使模數強度、伸展性更良好。另一方面，若源自不飽和羧酸的構成單元量在25質量%以下，則不易沾黏、且亦不易發生熔接等，可輕易使處置容易。
再者，當離子聚合物(A)係含有源自其他單體(例如不飽和羧酸酯)的構成單元時，離子聚合物(A)中之源自其他單體的構成單元量(即，相對於乙烯・不飽和羧酸系共聚合體之總構成單元，源自其他單體的構成單元量)，較佳係1質量%以上且20質量%以下、更佳係5質量%以上且15質量%以下。若源自其他單體的構成單元量達1質量%以上，當將樹脂組成物使用為切割膜的基材時，容易使伸展呈良好。另一方面，若源自其他單體的構成單元量在20質量%以下，當將樹脂組成物使用為切割膜的基材時，該基材不易沾黏，且亦不易發生熔接等。
再者，離子聚合物(A)中，將上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的酸進行中和之金屬離子，並無特別的限制，可舉例如：鋰離子、鈉離子、鉀離子、銣離子、銫離子、鋅離子、鎂離子、錳離子等。該等之中，從取得容易性等觀點而言，較佳係鎂離子、鈉離子、或鋅離子，更佳係鈉離子或鋅離子，特佳係鋅離子。
離子聚合物(A)中，乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的中和度較佳係10%以上且90%以下、更佳係10%以上且85%以下、特佳係15%以上且82%以下。若乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的中和度達10%以上，當將樹脂組成物作為切割膜的基材時，可提高基材表面的硬度。另一方面，若中和度在90%以下，則樹脂組成物的加工性與成形性呈良好。所謂「中和度」係指相對於乙烯・不飽和羧酸系共聚合體所含有的酸基(例如羧基)莫耳數，金屬離子的莫耳數比例。該中和度係可利用紅外吸收光譜(IR)進行測定。藉由利用紅外吸收光譜，測定樹脂的C=O伸縮吸收尖峰，便可定量未離子化的羧基，藉由測定經鹽酸處理過的樹脂之C=O伸縮吸收尖峰，便可定量全體樹脂的羧基。藉由測定二者而求取中和度，具體係依下式便可計算出。 中和度(%)=(1-P1/P2)×100 P1：乙烯共聚合體樹脂之C=O伸縮吸收尖峰高度 P2：經鹽酸處理過的乙烯共聚合體樹脂之C=O伸縮吸收尖峰高度
再者，離子聚合物(A)的熔體流動速率(MFR)較佳係0.2g/10分以上且20.0g/10分以下、更佳係0.5g/10分以上且20.0g/10分以下、特佳係0.5g/10分以上且18.0g/10分以下。若離子聚合物(A)的熔體流動速率在上述範圍內，便可輕易形成樹脂組成物。另外，離子聚合物(A)的熔體流動速率係根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)，依190℃、荷重2160g測定的值。
此處，樹脂組成物中的離子聚合物(A)含量，係相對於離子聚合物(A)、後述聚醯胺(B)、以及後述苯乙烯系樹脂(C)的合計100質量份，較佳係30質量份以上且95質量份以下、更佳係40質量份以上且90質量份以下、特佳係45質量份以上且90質量份以下。若離子聚合物(A)量達30質量份以上，由該樹脂組成物所獲得基材在常溫下的伸展性與低溫下的伸展性均呈良好。另一方面，若離子聚合物(A)量在95質量份以下，聚醯胺(B)與苯乙烯系樹脂(C)量相對性充分變多，由該樹脂組成物所獲得基材在常溫與低溫下的模數強度、常溫與低溫下的伸展性均呈良好。
再者，樹脂組成物中的離子聚合物(A)量，較佳係達聚醯胺(B)量與苯乙烯系樹脂(C)量的合計以上、更佳係聚醯胺(B)量與苯乙烯系樹脂(C)量合計的1.0倍以上且10倍以下、特佳係1.0倍以上且7倍以下。藉此，由該樹脂組成物所獲得基材在常溫與低溫下的擴張性(延伸性)呈良好。
＜聚醯胺(B)＞ 聚醯胺(B)係只要含有2個以上醯胺基的樹脂便可。一般上述離子聚合物(A)係有熔點低、耐熱性低的傾向，但藉由此種離子聚合物(A)與聚醯胺(B)的組合，便可使樹脂組成物、進而切割膜用基材的耐熱性非常良好。又，若組合上述離子聚合物(A)與聚醯胺(B)，將樹脂組成物作為切割膜的基材時，可獲得良好的模數強度與切斷性。
聚醯胺(B)亦可為二羧酸與二胺的縮聚體。二羧酸例係可舉例如：草酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、對酞酸、異酞酸、1,4-環己烷二羧酸等。二胺例係可舉例如：伸乙二胺、丁二胺、戊二胺、己二胺、癸二胺、1,4-環己基二胺、間苯二甲胺等。
再者，聚醯胺(B)亦可為例如：ε-己內醯胺、ω-十二內醯胺等環狀內醯胺的開環聚合體；6-胺基己酸、9-胺基壬酸、11-胺基十一烷酸、12-胺基十二烷酸等胺基羧酸等縮聚體，亦可為上述環狀內醯胺、二羧酸以及二胺的共聚合等。
聚醯胺(B)的具體例係可舉例如：尼龍4、尼龍6、尼龍46、尼龍66、尼龍610、尼龍612、尼龍6T、尼龍11、尼龍12、尼龍MXD6、尼龍46、或該等的共聚合體(例如尼龍6/66、尼龍6/12、尼龍6/610、尼龍66/12、尼龍6/66/610)等。該等之中，從提升低溫切斷性、以及取得容易性的觀點而言，較佳係尼龍6、尼龍6/12。
聚醯胺(B)的熔點較佳係160℃以上且250℃以下、更佳係170℃以上且240℃以下、特佳係180℃以上且235℃以下。若聚醯胺(B)的熔點達160℃以上，則由樹脂組成物所獲得之切割膜用基材的耐熱性容易呈良好。另一方面，若聚醯胺(B)的熔點在250℃以下，則樹脂組成物的加工性良好。聚醯胺(B)的熔點係例如利用微分掃描熱量儀(DSC)等便可測定。
聚醯胺(B)的密度較佳係1060kg/m 3以上且1220kg/m 3以下、更佳係1080kg/m 3以上且1200kg/m 3以下、特佳係1100kg/m 3以上且1180kg/m 3以下。聚醯胺(B)的密度係根據ISO 1183-3進行測定。
上述聚醯胺(B)的含量，係相對於上述離子聚合物(A)、聚醯胺(B)、及後述苯乙烯系樹脂(C)的合計100質量份，較佳係5質量份以上且未滿40質量份、更佳係5質量份以上且35質量份以下、特佳係5質量份以上且30質量份以下。若聚醯胺(B)量達5質量份以上，則由該樹脂組成物所獲得基材的耐熱性與低溫模數強度良好。另一方面，若聚醯胺(B)量未滿40質量份，則樹脂組成物的成形性良好。
＜苯乙烯系樹脂(C)＞ 苯乙烯系樹脂(C)係只要至少具有以苯乙烯為構成單元的樹脂便可，可為苯乙烯的單聚物，亦可為苯乙烯與其他單體的聚合體。苯乙烯系樹脂(C) 之例係可舉例如：苯乙烯系彈性體、丙烯腈與苯乙烯共聚合體的ABS系樹脂、聚苯乙烯等。該等之中，較佳係苯乙烯系彈性體。所謂「苯乙烯系彈性體」係指室溫下呈橡膠彈性體的苯乙烯系聚合體。
上述苯乙烯系彈性體的例子係可舉例如：含有由苯乙烯嵌段(苯乙烯聚合體)所構成之硬鏈段、與由伸烷基嵌段所構成之軟鏈段的嵌段共聚合體、或其氫化物；苯乙烯與伸烷基的無規共聚合體、或其氫化物；或將該苯乙烯系彈性體施行酸改質的酸改質苯乙烯系彈性體等。
上述嵌段共聚合體中的「苯乙烯嵌段」係只要由2個以上苯乙烯聚合的部位便可，所謂「伸烷基嵌段」係只要由2以上烯烴進行聚合的部位便可。伸烷基嵌段係可為一種烯烴的單聚物、亦可為二種以上烯烴的共聚合體。
上述嵌段共聚合體的例子係可舉例如：苯乙烯-丁二烯嵌段共聚合體(SB)、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SBS)、苯乙烯-異戊二烯嵌段共聚合體(SI)、苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SIS)。
如上述，苯乙烯系彈性體係可為上述嵌段共聚合體的氫化物。該氫化物係可使苯乙烯嵌段與伸烷基嵌段雙方進行氫化，亦可僅使苯乙烯嵌段或伸烷基嵌段其中任一者進行氫化，又亦可僅使苯乙烯嵌段與伸烷基嵌段其中一部分進行氫化。
上述嵌段共聚合體的氫化物之具體例，係可舉例如：屬於苯乙烯-丁二烯嵌段共聚合體(SB)之氫化物的苯乙烯-乙烯・丁烯嵌段共聚合體(SEB)、屬於苯乙烯-丁二烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SBS)之氫化物的苯乙烯-乙烯・丁烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SEBS)、屬於苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SIS)之氫化物的苯乙烯-乙烯・丙烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SEPS)等。
如上述，苯乙烯系彈性體的例子係可舉例如：苯乙烯與伸烷基的無規共聚合體。可舉例如：苯乙烯-丁二烯無規共聚合體、苯乙烯-異戊二烯無規共聚合體、苯乙烯-乙烯-丁烯無規共聚合體、苯乙烯-乙烯-丙烯無規共聚合體、苯乙烯-異丁烯無規共聚合體、苯乙烯-乙烯-異戊二烯無規共聚合體等。
如上述，苯乙烯系彈性體係可為上述無規共聚合體的氫化物。可舉例如：苯乙烯-丁二烯無規共聚合體的氫化物(HSBR)等。
後述未被酸改質的苯乙烯系彈性體，從能使由樹脂組成物所獲得之切割膜用基材的低溫伸展性與常溫伸展性良好的觀點而言，上述中亦較佳為氫化物，更佳係苯乙烯-乙烯・丁烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SEBS)、及苯乙烯-乙烯・丙烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SEPS)，特佳係苯乙烯-乙烯・丁烯-苯乙烯嵌段共聚合體(SEBS)。
另一方面，苯乙烯系彈性體係如上述，亦可為使由上述嵌段共聚合體或無規聚合體、或該等的氫化物所構成之彈性體，藉由不飽和羧酸或其衍生物進行接枝改質的酸改質苯乙烯系彈性體。該酸改質苯乙烯系彈性體亦可使上述嵌段共聚合體或無規聚合體、或該等的氫化物，利用一種不飽和羧酸或其衍生物進行接枝改質，亦可利用二種以上不飽和羧酸或其衍生物進行接枝改質。
於上述嵌段共聚合體或無規共聚合體等進行接枝聚合的不飽和羧酸的例子，係可舉例如： (甲基)丙烯酸、2-乙基丙烯酸、巴豆酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、伊康酸等。另一方面，於苯乙烯系彈性體進行接枝聚合的不飽和羧酸衍生物的例子，係可舉例如：順丁烯二酸酐、酞酸酐、伊康酸酐等酸酐；順丁烯二酸單甲酯、順丁烯二酸單乙酯等酸酯；酸醯胺；酸鹵化物；等。該等之中，從與苯乙烯系彈性體間之反應性的觀點等而言，較佳係順丁烯二酸或順丁烯二酸酐。
上述酸改質苯乙烯系彈性體係使上述嵌段共聚合體或無規共聚合體等，在自由基起始劑存在下，使不飽和羧酸或其衍生物接枝聚合便可獲得。自由基起始劑係只要能使用於聚烯烴的接枝反應便可，可使用公知化合物。
上述酸改質苯乙烯系彈性體的酸值較佳係超過0mgCH 3ONa/g、且未滿20mgCH 3ONa/g，更佳係超過0mgCH 3ONa/g、且未滿11mgCH 3ONa/g，特佳係0.5mgCH 3ONa/g以上且11mgCH 3ONa/g以下。若酸改質苯乙烯系彈性體的酸值在該範圍內，則可輕易使低溫、常溫時的伸展性呈良好。
再者，苯乙烯系樹脂(C)之例亦可舉例如：ABS系樹脂。ABS系樹脂係含有源自丙烯腈的構成單元與源自苯乙烯的構成單元之樹脂，可舉例如：利用摻合法、接枝法、或接枝・摻合法等各種製造方法合成的橡膠強化苯乙烯系聚合體。ABS樹脂的具體例係可舉例如：在聚丁二烯、苯乙烯・丁二烯橡膠、乙烯・丙烯・二烯橡膠等橡膠成分，使苯乙烯及丙烯腈、以及視需要的甲基丙烯酸甲酯、α-甲基苯乙烯、乙烯基雙順丁烯二醯亞胺、順丁烯二醯亞胺等其他單體接枝聚合者。
再者，苯乙烯系樹脂(C)之例亦可舉例如主要由苯乙烯進行聚合的聚苯乙烯。聚苯乙烯之例係除了利用懸浮聚合法、連續聚合法等製造方法合成的一般用聚苯乙烯之外，亦包括有對丁二烯橡膠等橡膠成分使苯乙烯接枝聚合而獲得的耐衝擊性聚苯乙烯等。
在苯乙烯系樹脂(C)為任一樹脂的情況，熔體流動速率較佳係0.1g/10分~100g/10分、更佳係0.5g/10分~50g/10分。上述熔體流動速率係根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)，依230℃、2160g荷重測定的值。
在苯乙烯系樹脂(C)為任一樹脂的情況，Tanδ尖峰溫度係從能使所獲得之切割膜用基材的低溫伸展性、常溫伸展性良好的觀點而言，較佳係-60℃以上、更佳係-20℃以上、特佳係-10℃以上、進而更佳係0℃以上。上述Tanδ尖峰溫度係根據JIS K 6394(相當於ISO 4664-1：2005)的動態黏彈性試驗(溫度依存測定10Hz)，表示尖峰值的溫度。
苯乙烯系樹脂(C)之量係相對於上述離子聚合物(A)、上述聚醯胺(B)、及苯乙烯系樹脂(C)的合計100質量份，較佳係1質量份以上且40質量份以下、更佳係2質量份以上且40質量份以下、特佳係3質量份以上且35質量份以下。若苯乙烯系樹脂(C)量達1質量份以上，則由該樹脂組成物所獲得基材的常溫伸展性與低溫伸展性呈良好。另一方面，若苯乙烯系樹脂(C)量在40質量份以下，則樹脂組成物的薄膜成形性呈良好。
本發明的樹脂組成物中，乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)、聚醯胺(B)及苯乙烯系樹脂(C)的合計含有率，係將樹脂組成物的樹脂成分總質量設為100質量%時，較佳係80質量%~100質量%、更佳係85質量%~100質量%、特佳係90質量%~100質量%、進而更佳係超過95質量%且在100質量%以下、進而特佳係98質量%~100質量%、最佳係99質量%~100質量%以下。
＜其他聚合體及添加劑＞ 樹脂組成物係在不致損及本發明效果之範圍內，視需要亦可含有其他聚合體、各種添加劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填充材等。
該其他聚合體之例子係可舉例如：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴。樹脂組成物中的其他聚合體量係相對於離子聚合物(A)、聚醯胺(B)、及苯乙烯系樹脂(C)的合計100質量份，較佳係20質量份以下。
另一方面，添加劑之例係可舉例如：抗氧化劑、熱安定劑、光安定劑、顏料、染料、滑劑、抗黏劑、防黴劑、抗菌劑、難燃劑、難燃助劑、交聯劑、交聯助劑、發泡劑、發泡助劑、纖維強化材等。
再者，抗靜電劑之例係可舉例如：低分子型抗靜電劑、高分子型抗靜電劑，較佳係高分子型抗靜電劑。高分子型抗靜電劑之例係可舉例如：分子內具有磺酸鹽的乙烯基共聚合體、烷基磺酸鹽、烷基苯磺酸鹽、甜菜
Figure 111109147-001
等。又，高分子型抗靜電劑的其他例尚可舉例如：聚醚、聚醯胺彈性體、聚酯彈性體、聚醚醯胺、或聚醚酯醯胺的無機質子酸之鹽等。無機質子酸的鹽係可舉例如：鹼金屬鹽、鹼土族金屬鹽、鋅鹽、或銨鹽。
紫外線吸收劑例係可舉例如：二苯基酮系、苯甲酸酯系、苯并三唑系、氰基丙烯酸酯系、受阻胺系等。
填充材例係可舉例如：二氧化矽、黏土、碳酸鈣、硫酸鋇、玻璃珠、滑石等。
添加劑、抗靜電劑、紫外線吸收劑、填充材的量，係可配合種類再行適當選擇。
＜樹脂組成物之製造法方法、及樹脂組成物之物性＞ 本發明樹脂組成物的製造方法並無特別的限制，在能將離子聚合物(A)、聚醯胺(B)、及苯乙烯系樹脂(C)、以及視需要的其他聚合體或添加劑等進行混合之前提下，其餘並無特別的限制。例如將所有成分進行乾式摻合後再施行溶融混練，亦可先將其中一部分的成分進行混練後，再添加剩餘的成分。
上述混練後的樹脂組成物形狀並無特別的限制，例如可為顆粒狀等，亦可加工為長條狀或單片狀的薄片狀。
上述樹脂組成物之根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)，依230℃、荷重2160g測定的熔體流動速率較佳係0.1g/10分以上且30g/10分以下、更佳係0.2g/10分以上且15g/10分以下、特佳係0.5g/10分以上且10g/10分以下、進而更佳係1.0g/10分以上且7g/10分以下。若樹脂組成物的熔體流動速率在該範圍內，則可輕易使由該樹脂組成物所獲得之基材在常溫與低溫下的模數強度、以及常溫與低溫下的伸展性呈良好。
2.切割膜基材 切割基材係只要具有至少一層之含上述樹脂組成物之層的基材便可。因為該切割膜基材具有含上述樹脂組成物的層，因而在常溫與低溫下能發揮優異的模數強度與伸展性。該切割膜基材可適用為切割膜的基材，惟並不僅侷限於該用途。
該切割膜基材的構成並無特別的限定，可具有僅一層含上述樹脂組成物的層，亦可具有2層以上之含有上述樹脂組成物的層。又，視需要亦可積層其他樹脂層。
切割膜基材之例子係可舉例如：僅由含上述樹脂組成物之層構成的單層結構之積層體；由含上述樹脂組成物之層與其他樹脂層等之雙層構成的雙層結構積層體；由含上述樹脂組成物之層/其他樹脂層/含上述樹脂組成物之層等3層構成的3層結構積層體等。又，切割膜基材係除上述之外，亦可更進一步含有：含黏著劑之層、黏著片等。
此處，含上述樹脂組成物的層係可僅由上述樹脂組成物構成的層，亦可為含有上述樹脂組成物、與在不致損及本發明目的與效果之範圍內含其他成分的層，從切割膜基材之伸展性與模數強度的觀點而言，較佳係實質由上述樹脂組成物構成的層。
含上述樹脂組成物的層厚度並無特別的限制，從使切割膜基材的強度、模數強度、伸展性等呈良好的觀點而言，較佳係50μm以上且200μm以下、更佳係60μm以上且180μm以下。
再者，含樹脂組成物之層依23℃所測定MD方向(Machine Direction，拉伸方向)的25%模數、及TD方向(Transverse Direction，橫向)的25%模數平均值，較佳係7MPa以上且13MPa以下、特佳係8MPa以上且12MPa以下。若23℃的25%模數平均值在該範圍內，便可輕易使常溫下的切割膜基材伸展性良好。上述25%模數係準備與含上述樹脂組成物之層同樣組成、且厚度100μm、TD方向長度10mm、MD方向長度180mm的薄膜，針對該薄膜根據JIS K 7127：1999(相當於ISO 527-3：1995)，利用測定裝置之島津桌上型精密萬能試驗機AG-X進行測定的值。試驗速度係設為300mm/分。
另一方面，含樹脂組成物之層依-15℃所測定MD方向的10%模數及TD方向的10%模數平均值，較佳係15MPa以上且30MPa以下、更佳係17MPa以上且27MPa以下。若-15℃的10%模數平均值在該範圍內，則可輕易使低溫下的切割膜基材切斷性與伸展性良好。上述10%模數係準備與含上述樹脂組成物之層同樣組成、且厚度100μm、TD方向長度10mm、MD方向長度180mm的薄膜，針對該薄膜根據JIS K 7127：1999(相當於ISO 527-3：1995)，利用測定裝置之島津桌上型精密萬能試驗機AG-X進行測定的值。試驗速度係設為500mm/分。
含樹脂組成物之層較佳係23℃下的MD方向300%模數與TD方向300%模數均可測定。若23℃下的MD方向300%模數與23℃下的TD方向300%模數均可測定，在拾取步驟中，不易對晶片施加應力，不易發生晶片內破損。上述300%模數係準備與含上述樹脂組成物之層同樣組成、且厚度100μm、TD方向長度10mm、MD方向長度180mm的薄膜，針對該薄膜根據JIS K 7127：1999(相當於ISO 527-3：1995)，利用測定裝置之島津桌上型精密萬能試驗機AG-X進行測定的值。試驗速度係設為300mm/分。
含樹脂組成物的層最好-15℃下的MD方向200%模數與TD方向200%模數均可測定。若-15℃下的MD方向200%模數與-15℃下的TD方向200%模數均可測定，則在依低溫進行晶片與黏晶膜之切斷與擴張(延伸)的步驟中，可良好地實施切斷與擴張(延伸)。上述200%模數係準備與含上述樹脂組成物之層同樣組成、且厚度100μm、TD方向長度10mm、MD方向長度180mm的薄膜，針對該薄膜根據JIS K 7127：1999(相當於ISO 527-3：1995)，利用測定裝置之島津桌上型精密萬能試驗機AG-X進行測定的值。試驗速度係設為500mm/分。
另一方面，其他樹脂層例係可舉例如含有：直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯・α烯烴共聚合體、聚丙烯、乙烯・不飽和羧酸共聚合體或其離子聚合物、乙烯・不飽和羧酸・不飽和羧酸烷基酯三元共聚合體或其離子聚合物、乙烯・不飽和羧酸烷基酯共聚合體、乙烯・乙烯酯共聚合體、乙烯・不飽和羧酸烷基酯・一氧化碳共聚合體、該等的不飽和羧酸接枝物、聚氯乙烯等的層。其他的樹脂層係可僅含有一種上述樹脂、亦可含有二種以上。
其他樹脂層的厚度並無特別的限制，從不致損及含上述樹脂組成物之層的模數強度與伸展性之觀點而言，較佳係10μm以上且100μm以下、更佳係15μm以上且80μm以下。
此處，切割膜基材全體的厚度，若考慮使用為切割膜的構成構件，從切割時的框架保持性的觀點而言，更佳係50μm以上，又，從擴張性(延伸性)的觀點較佳係200μm以下。
上述切割膜基材表面亦可施行各種處理，例如亦可施行電暈處理等。又，亦可採行電子束照射。
上述切割膜基材的製造方法並無特別的限制，可利用公知成形法進行製造。例如當製造僅由含上述樹脂組成物之層構成的切割膜基材時，只要利用習知公知的T字模澆鑄成形法、T型模唇成形法、充氣成形法、擠出層壓法、軋延成形法等，將上述樹脂組成物等施行成形便可。
另一方面，當切割膜基材係含上述樹脂組成物之層、與其他樹脂層的積層體時，只要將上述樹脂組成物與其他樹脂，利用共擠出層壓法等施行成形便可。又，亦可分開個別製作含上述樹脂組成物之層、與其他樹脂層，再將該等利用接著劑或接著片等進行貼合。接著劑與接著片的材料例係可舉例如：各種乙烯共聚合體、或該等的不飽和羧酸接枝物等。又，當切割膜基材係含上述樹脂組成物之層、與其他樹脂層的積層體時，亦可先形成含上述樹脂組成物之層與其他樹脂層中之任一者，再於該其中一層上，利用T型模頭薄膜成形機、擠出塗佈成形機等形成另一層而積層。
3.切割膜 本發明的切割膜係只要具備上述切割膜基材、與在其至少其中一面上積層的黏著層便可，視需要亦可含有另一構成。另外，當上述切割膜基材係由多層構成的情況，最好由切割膜基材中之含有樹脂組成物的層、與黏著層進行積層。
構成黏著層的黏著劑係可為一般的切割膜之黏著層用黏著劑。黏著劑之例係可舉例如：橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚乙烯醚系黏著劑；放射線硬化型黏著劑；加熱發泡型黏著劑等。其中，若考慮切割膜從半導體晶圓的剝離性，黏著層較佳係含有放射線硬化型黏著劑，更佳係含有紫外線硬化型黏著劑。
紫外線硬化型黏著劑通常係含有可進行自由基聚合的自由基聚合性化合物(單體、寡聚物或聚合物均可)、與光聚合起始劑，且視需要亦可含有交聯劑、賦黏劑、填充劑、抗老化劑、著色劑等添加劑等。
自由基聚合性化合物例係可舉例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯等(甲基)丙烯酸烷基酯的單體或寡聚物；(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯等(甲基)丙烯酸羥烷基酯的單體或寡聚物；上述(甲基)丙烯酸烷基酯及/或(甲基)丙烯酸羥烷基酯、與其他單體[例如(甲基)丙烯酸、伊康酸、順丁烯二酸酐、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯酸-正羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷胺基烷基酯、醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等]的共聚合單體或寡聚物；(甲基)丙烯酸環氧丙酯三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯單體、及其寡聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基三聚氰酸酯、2-羥乙基雙(2-丙烯醯氧乙基)異三聚氰酸酯、異三聚氰酸三(2-甲基丙烯醯氧乙酯)、異三聚氰酸三(2-甲基丙烯醯氧乙酯)等異三聚氰酸酯等。
光聚合起始劑的具體例係可舉例如：苯偶姻甲醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻烷醚類；α-羥環己基苯酮等芳香族酮類；苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類；聚乙烯基二苯基酮、氯化氧硫
Figure 111109147-002
、十二烷基氧硫𠮿
Figure 111109147-002
、二甲基氧硫𠮿
Figure 111109147-002
、二乙基氧硫𠮿
Figure 111109147-002
等氧硫𠮿
Figure 111109147-002
類。
交聯劑例係可舉例如：聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、聚胺、含羧基聚合物等。
上述黏著層的厚度係可配合黏著劑的種類再行適當選擇，較佳係3~100μm、更佳係3~50μm。
再者，切割膜的黏著層亦可利用隔片保護。若黏著層利用隔片保護，便可使黏著層的表面保持平滑。又，可使切割膜的處置與運搬較為容易，且亦可在隔片上施行標籤加工。該隔片係在使用切割膜時被剝離。
隔片係可為例如：紙、或聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等合成樹脂薄膜等。又，於隔片接觸到黏著層之面，為了提高從黏著層的剝離性，視需要亦可施行聚矽氧處理、氟處理等離型處理。隔片的厚度通常係10~200μm、較佳係25~100μm程度。
上述切割膜的製造方法並無特別的限制，例如可在上述切割基材上，依照公知方法塗佈黏著劑而製造。此時，黏著劑的塗佈係可利用例如：凹版輥塗佈機、反向輥式塗佈機、輕觸輥式塗佈機、浸漬輥塗機、棒塗機、刀式塗佈機、噴霧塗佈機等實施。又，亦可在剝離片上塗佈黏著劑形成黏著層，再將該黏著層轉印於切割膜基材上，使切割膜基材與黏著層進行積層。又，亦可將切割膜基材與黏著層施行共擠出等而同時形成。 [實施例]
以下，參照實施例針對本發明進行說明。本發明範圍並不因實施例限定解釋。
[材料之準備] 各成分係使用以下物。 ＜乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)＞ IO：乙烯・甲基丙烯酸・丙烯酸丁酯共聚合體的離子聚合物[源自乙烯的構成單元含量：80質量%、源自甲基丙烯酸的構成單元含量：10質量%、源自丙烯酸丁酯的構成單元含量：10質量%、中和度：70%鋅、根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)、依190℃、2160g荷重所測定的MFR：1g/10分]
＜聚醯胺(B)＞ PA：尼龍6[宇部興產公司製、1022B(商品名)、熔點：215℃~225℃、密度：1140kg/m 3]
＜苯乙烯系樹脂(C)＞ ・苯乙烯系樹脂1：SEBS(苯乙烯-乙烯・丁烯-苯乙烯嵌段共聚合體)[旭化成化學公司製、S.O.E.S1611(商品名)、根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)、依230℃、2160g荷重所測定的MFR：12.0g/10分、Tanδ尖峰溫度：9℃] ・苯乙烯系樹脂2：HSBR(苯乙烯・丁二烯無規共聚合體的氫化物)[JSR公司製、DYJARON 1320P(商品名)、根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)、依230℃、2160g荷重所測定的MFR：3.5g/10分、Tanδ尖峰溫度：-15℃] ・苯乙烯系樹脂3：SEBS(苯乙烯-乙烯・丁烯-苯乙烯嵌段共聚合體)[旭化成化學公司製、TUFTEC H1041(商品名)、根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)、依230℃、2160g荷重所測定的MFR：5.0g/10分、Tanδ尖峰溫度：-45℃] ・苯乙烯系樹脂4：酸改質SEBS(順丁烯二酸酐改質苯乙烯-乙烯・丁烯-苯乙烯嵌段共聚合體)[旭化成化學公司製、TUFTEC M1913(商品名)、酸值：10mgCH 3ONa/g、根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)、依230℃、2160g荷重所測定的MFR：5.0g/10分、Tanδ尖峰溫度：-40℃] ・苯乙烯系樹脂5：SEPS(苯乙烯-乙烯・丙烯-苯乙烯嵌段共聚合體)[KURARAY公司製、SEPTON 2002、根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)、依230℃、2160g荷重所測定的MFR：70.0g/10分]
＜其他＞ ・EMAA：乙烯・甲基丙烯酸系共聚合體(源自乙烯的構成單元含量：91質量%、源自甲基丙烯酸的構成單元含量：9質量%、根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)、依190℃、2160g荷重所測定的MFR：3g/10分) ・TPU：熱可塑性聚胺基甲酸乙酯彈性體[東曹公司製、MIRACTRAN P485RSUI(商品名)]
[實施例1~13及比較例1~7] 依表1所示比例(質量比)，將乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)、聚醯胺(B)、及苯乙烯系樹脂(C)施行乾式摻合。接著，將經乾式摻合過的混合物投入至30mmϕ雙螺桿擠出機的樹脂投入口中，依模具溫度230℃施行溶融混練，獲得切割膜基材用樹脂組成物。針對所獲得切割膜基材用樹脂組成物，根據JIS K 7210：1999(相當於ISO 1133：1997)，依230℃(僅比較例1為190℃)、2160g荷重測定MFR。結果如表1所示。
[評價] 將所獲得切割膜基材用樹脂組成物，使用40mmϕT型模頭薄膜成形機，依加工溫度230℃施行成形，而製作厚100μm的T型模頭薄膜。將所獲得T型模頭薄膜使用為切割膜基材，依下述方法施行評價。結果如表1所示。
(1)常溫模數強度 將上述切割膜基材裁剪為寬10mm×長180mm的細方塊狀。根據JIS K 7127：1999(相當於ISO 527-3：1995)，且測定裝置係使用島津桌上型精密萬能試驗機AG-X，分別針對試料(切割膜基材)的MD方向(Machine Direction)與TD方向(Transverse Direction)，依23℃測定25%模數。夾具間距離設為100mm，試驗速度設為300mm/分。
將由上述試驗所獲得MD方向的25%模數與TD方向的25%模數平均，依照以下基準評價切割膜基材的常溫模數強度。 A(佳)  ：8MPa以上且12MPa以下 B(略佳)  ：7MPa以上且未滿8MPa、或超過12MPa且在13MPa以下 C(不佳)  ：未滿7MPa、或超過13MPa
(2)低溫模數強度 將上述切割膜基材裁剪為寬10mm×長180mm的細方塊狀。根據JIS K 7127：1999(相當於ISO 527-3：1995)，且測定裝置係使用島津桌上型精密萬能試驗機AG-X，分別針對試料(切割膜基材)的MD方向與TD方向，依-15℃測定10%模數。夾具間距離設為100mm，試驗速度設為500mm/分。
將由上述試驗所獲得MD方向的10%模數與TD方向的10%模數平均，依照以下基準評價切割膜基材的低溫模數強度。 A(佳)    ：17MPa以上且28MPa以下 B(略佳) ：15MPa以上且未滿17MPa、或超過28MPa且在30MPa以下 C(不佳) ：未滿15MPa、或超過30MPa
(3)常溫伸展性 將上述切割膜基材裁剪為寬10mm×長180mm的細方塊狀。根據JIS K 7127：1999(相當於ISO 527-3：1995)，且測定裝置係使用島津桌上型精密萬能試驗機AG-X，分別針對測定對象的MD方向與TD方向，依23℃測定300%模數。
針對所獲得測定結果，依照以下基準施行切割膜基材的常溫伸展性評價。 A(佳) ：能依23℃測定300%模數 C(不佳)  ：在測定中出現切割膜基材斷裂，無法依23℃測定300%模數
(4)低溫伸展性 將切割膜基材裁剪為寬10mm×長180mm的細方塊狀。根據JIS K 7127：1999(相當於ISO 527-3：1995)，且測定裝置係使用島津桌上型精密萬能試驗機AG-X，分別針對測定對象的MD方向與TD方向，依-15℃測定200%模數。
針對所獲得測定結果，依照以下基準施行切割膜基材的低溫伸展性評價。 A(佳) ：能依-15℃測定200%模數 C(不佳)   ：在測定中出現切割膜基材斷裂，無法依-15℃測定200%模數
[表1]
實施例 比較例
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 1 2 3 4 5 6 7
離子聚合物(A) IO 85 75 70 70 60 50 85 80 75 70 60 60 60 100 80 60
其他 EMAA 70 70 60 50
聚醯胺(B) PA 10 20 10 20 20 20 10 10 20 20 20 20 20 20 10 20 20 20
苯乙烯系樹脂(C) 1 SEBS 5 5 20 10 20 30 20 10 20 30
2 HSBR 5 10 5 10 20
3 SEBS 20
4 酸改質SEBS 20
5 SEPS 20
其他 TPU 20
MFR(190℃) g/10min 1.0
MFR(230℃) g/10min 3.4 2.4 3.8 2.4 2.6 3.0 3.0 3.1 2.1 2.2 2.3 1.5 4.5 4.3 4.7 7.9 6.5 6.5 6.4
23℃模數 [Mpa] MD方向 25% 11.4 11.6 10.0 12.0 10.0 9.2 10.9 10.0 12.4 11.8 9.7 8.7 10.2 10.5 8.1 10.1 7.5 9.6 8.9 8.2
300% 23.4 25.4 23.4 27.3 22.1 23.1 24.9 23.4 27.8 27.6 23.1 22.4 21.2 斷裂 18.4 21.9 16.1 20.0 19.3 18.6
TD方向 25% 9.8 10.5 8.3 10.1 8.7 7.9 9.1 8.0 10.3 7.7 8.2 7.6 7.9 9.3 6.3 9.1 6.6 8.2 7.3 6.6
300% 17.6 20.0 16.6 19.9 17.3 18.8 16.9 15.6 20.2 15.1 17.9 17.5 16.1 16.7 11.6 斷裂 斷裂 斷裂 斷裂 斷裂
平均值 25% 10.6 11.1 9.2 11.1 9.4 8.6 10.0 9.0 11.4 9.8 9.0 8.2 9.1 9.9 7.2 9.6 7.1 8.9 8.1 7.4
300% 20.5 22.7 20.0 23.6 19.7 21.0 20.9 19.5 24.0 21.4 20.5 20.0 18.7 ND 15.0 ND ND ND ND ND
常溫模數強度 A A A A A A A A A A A A A A B A B A A B
常溫伸展性 A A A A A A A A A A A A A C A C C C C C
-15℃模數 [Mpa] MD方向 10% 23.1 25.3 23.0 26.6 25.5 26.0 21.3 20.4 24.3 23.4 21.5 17.9 20.9 19.8 15.5 20.5 22.6 26.4 26.2 26.9
20% 26.7 29.2 25.9 30.5 28.7 28.7 25.1 23.9 28.4 27.4 24.8 21.1 24.3 23.3 18.3 24.5 22.9 27.0 26.6 27.1
200% 38.8 40.5 38.0 43.5 40.1 39.9 36.5 34.8 38.9 37.8 35.9 36.7 35.0 40.5 30.1 39.5 26.2 30.1 30.6 31.1
TD方向 10% 22.1 24.2 21.5 23.3 23.4 23.8 19.0 17.7 22.0 20.6 18.1 16.1 17.0 19.3 13.2 19.0 21.0 22.7 22.8 22.9
20% 24.8 27.3 23.5 26.3 25.7 25.7 21.7 20.4 25.2 23.7 20.8 18.6 19.6 22.0 15.4 21.5 21.2 23.2 23.2 23.2
200% 33.0 36.5 33.3 36.5 35.8 35.4 29.5 27.1 33.5 31.9 30.8 31.8 30.3 32.5 22.7 斷裂 斷裂 斷裂 斷裂 斷裂
平均值 10% 22.6 24.8 22.3 25.0 24.5 24.9 20.2 19.1 23.2 22.0 19.8 17.0 19.0 19.6 14.4 19.8 21.8 24.6 24.5 24.9
200% 35.9 38.5 35.7 40.0 38.0 37.7 33.0 31.0 36.2 34.9 33.4 34.3 32.7 36.5 26.4 ND ND ND ND ND
低溫模數強度 A A A A A A A A A A A A A A C A A A A A
低溫伸展性 A A A A A A A A A A A A A A A C C C C C
由表1得知，使用含有：乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)、聚醯胺(B)、以及苯乙烯系樹脂(C)的實施例1~13的切割膜基材用樹脂組成物之切割膜基材，係常溫模數強度、低溫模數強度、常溫伸展性、及低溫伸展性均優異。
相對於此，未含有聚醯胺(B)與苯乙烯系樹脂(C)的比較例1，係常溫伸展性較低。又，未含聚醯胺(B)的比較例2係低溫模數強度較低。又，未含苯乙烯系樹脂(C)的比較例3係常溫伸展性與低溫伸展性雙方均較低。又，未含乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)的比較例4~7亦是常溫伸展性與低溫伸展性雙方均較低。
由以上結果可確認到根據本發明的切割膜基材用樹脂組成物，可實現常溫模數強度、低溫模數強度、常溫伸展性、及低溫伸展性均優異的切割膜基材。
本申請案係根據2021年3月18日提出申請的特願2021-44998號為基礎主張優先權。該申請案說明書所記載的內容全部援引融入本案說明書中。 (產業上之可利用性)
根據本發明的切割膜基材用樹脂組成物，可實現常溫與低溫下的伸展性優異、且常溫與低溫下的模數強度亦優異之切割膜基材。所以，非常有效使用於半導體裝置的製造領域。

Claims (12)

  1. 一種切割膜基材用樹脂組成物，係含有： 乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)、 聚醯胺(B)、以及 苯乙烯系樹脂(C)。
  2. 如請求項1之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)係乙烯・不飽和羧酸・不飽和羧酸酯共聚合體的離子聚合物。
  3. 如請求項1或2之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)中源自不飽和羧酸的構成單元量，係相對於上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A) 之總構成單元量，為1質量%以上且30質量%以下。
  4. 如請求項1或2之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)之中和度，係10%以上且90%以下。
  5. 如請求項1或2之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述苯乙烯系樹脂(C)係苯乙烯系彈性體。
  6. 如請求項1或2之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述苯乙烯系樹脂(C)的含量係1質量%以上且40質量%以下。
  7. 如請求項1或2之切割膜基材用樹脂組成物，其中，上述乙烯・不飽和羧酸系共聚合體的離子聚合物(A)之含量，係上述聚醯胺(B)含量與上述苯乙烯系樹脂(C)含量的合計量以上。
  8. 如請求項1或2之切割膜基材用樹脂組成物，其中，根據JIS K 7210：1999，依230℃、荷重2160g所測定的熔體流動速率，係0.1g/10分以上且30g/10分以下。
  9. 一種切割膜基材，係具有至少一層之下述層：含請求項1至8中任一項之切割膜基材用樹脂組成物的層。
  10. 如請求項9之切割膜基材，其中，含上述切割膜基材用樹脂組成物的層中，根據JIS K 7127：1999，依23℃所測定MD方向的25%模數、及TD方向的25%模數之平均值係7MPa以上且13MPa以下。
  11. 如請求項9或10之切割膜基材，其中，含上述切割膜基材用樹脂組成物之層中，根據JIS K 7127：1999，依-15℃所測定MD方向的10%模數、及TD方向的10%模數之平均值係15MPa以上且30MPa以下。
  12. 一種切割膜，係設有： 請求項11之切割膜基材、與 積層於上述切割膜基材之至少其中一面的黏著層。
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