CN110178203B - 切割膜基材及切割膜 - Google Patents

切割膜基材及切割膜 Download PDF

Info

Publication number
CN110178203B
CN110178203B CN201780080673.4A CN201780080673A CN110178203B CN 110178203 B CN110178203 B CN 110178203B CN 201780080673 A CN201780080673 A CN 201780080673A CN 110178203 B CN110178203 B CN 110178203B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin
mass
ethylene
unsaturated carboxylic
carboxylic acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780080673.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110178203A (zh
Inventor
中野重则
佐久间雅巳
福山佳那
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Mitsui Polychemicals Co Ltd
Original Assignee
Du Pont Mitsui Polychemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Du Pont Mitsui Polychemicals Co Ltd filed Critical Du Pont Mitsui Polychemicals Co Ltd
Publication of CN110178203A publication Critical patent/CN110178203A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110178203B publication Critical patent/CN110178203B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/40—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyurethanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2270/00—Resin or rubber layer containing a blend of at least two different polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/30—Properties of the layers or laminate having particular thermal properties
    • B32B2307/306—Resistant to heat
    • B32B2307/3065—Flame resistant or retardant, fire resistant or retardant

Abstract

本发明提供耐热性优异、并且芯片分切性与扩张性的均衡性优异的切割膜基材。切割膜基材，其包含第1树脂层和第2树脂层，所述第1树脂层由树脂组合物形成，所述树脂组合物含有：30质量份以上且95质量份以下的树脂(A)，其为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物及上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组中的至少一种；5质量份以上且小于40质量份的树脂(B)，其为选自由聚酰胺及聚氨酯组成的组中的至少一种；和0质量份以上且30质量份以下的除上述聚酰胺以外的抗静电剂(C)(其中，将树脂(A)、树脂(B)及抗静电剂(C)的合计设为100质量份)，所述第2树脂层包含树脂(D)，所述树脂(D)为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物及上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组中的至少一种。

Description

切割膜基材及切割膜
技术领域
本发明涉及切割膜基材及切割膜(dicing film)。
背景技术
在IC等半导体器件的制造过程中，通常，在将形成有电路图案的半导体晶片进行薄膜化之后，进行用于将半导体晶片分切成芯片单元的切割工序。切割工序中，在半导体晶片的背面粘贴具有伸缩性的晶片加工用膜(称为切割膜或切割带)，一边使用冷却水及洗涤水，一边使用切割刀将半导体晶片分切成芯片单元。然后，在接下来的扩张工序中，通过对与经分切的晶片对应的切割带进行扩张，从而使芯片小片化。此时，用切割膜将半导体晶片固定，防止芯片的飞散。
由于切割膜有时在加热条件下粘贴于半导体晶片，因此对切割膜要求耐热性。切割膜的耐热性低时，存在下述情况：其因热而发生软化等，变得难以剥离；或者，紧贴于工作台(模具)上。此外，若因热而在切割膜中产生应变、翘曲等变形，则经薄壁化的半导体晶片也可能变形。因此，对于切割膜，要求用于作为切割膜来将半导体晶片固定的扩张性以及耐热性。
另外，在隐形切割工序中，为了通过激光在半导体晶片内部形成龟裂层、并进行半导体晶片的完全裁断，要求利用对晶片进行保持的切割膜的应力来将半导体晶片裁断。因此，就切割膜而言，芯片分切性与扩张性的均衡性是重要的。
作为用于形成切割膜的材料，使用了通过金属离子将乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物交联而得到的离聚物。例如，可举出：放射线固化型晶片加工用粘合胶带(专利文献1)，其由包含离聚物和抗静电树脂(其含有聚醚成分)的树脂组合物形成；切割膜基材用树脂组合物(专利文献2)，其含有离聚物、和以乙烯、(甲基)丙烯酸、及(甲基)丙烯酸烷基酯作为构成成分的聚合物；等等。
另外，作为上述那样的含有离聚物的树脂组合物，包含聚酰胺及下述共聚物的离聚物的离聚物/聚酰胺配合物(专利文献3)也是已知的，所述共聚物含有乙烯及α，β-烯键式不饱和羧酸。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-210887号公报
专利文献2：日本特开2012-89732号公报
专利文献3：日本特表2000-516984号公报
发明内容
发明要解决的课题
就专利文献1中记载的晶片加工用粘合胶带(其组合了离聚物和抗静电树脂)而言，虽然抗静电性优异，但并没有关于耐热性的记载。另外，关于专利文献2的切割膜基材用树脂组合物(其组合了离聚物、和以乙烯、(甲基)丙烯酸、及(甲基)丙烯酸烷基酯作为构成成分的聚合物)，虽然记载了耐热性得到提高，但实施例中的耐热性试验的结果为包括比较例在内的所有样品均是○(未被拉断)，不能认为确认到其耐热性相对于现有技术有显著提高。此外，关于专利文献3中记载的离聚物配合物，其用于制造成型部件等，没有关于切割膜等与半导体相关的用途的记载。另外，该配合物包含大量(40～60质量％)的聚酰胺，因此虽然能够进行颗粒化，但无法进行膜成型。
本发明是鉴于上述现有技术所具有的问题点而作出的，其课题在于提供耐热性优异、并且取得了芯片分切性与扩张性的均衡性的切割膜基材及切割膜。
用于解决课题的手段
即，根据本发明，提供下述的切割膜基材及切割膜。
[1]切割膜基材，其包含第1树脂层和第2树脂层，
所述第1树脂层由树脂组合物形成，
所述树脂组合物含有：
30质量份以上且95质量份以下的树脂(A)，所述树脂(A)为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物及所述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组中的至少一种；
5质量份以上且小于40质量份的树脂(B)，所述树脂(B)为选自由聚酰胺及聚氨酯组成的组中的至少一种；和
0质量份以上且30质量份以下的除上述聚酰胺以外的抗静电剂(C)(其中，将成分(A)、成分(B)及成分(C)的合计设为100质量份)，
所述第2树脂层包含树脂(D)，所述树脂(D)为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物及所述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组中的至少一种。
[2]如[1]所述的切割膜基材，其中，上述抗静电剂(C)的含量为0质量份。
[3]如[1]所述的切割膜基材，其中，上述抗静电剂(C)的含量为5质量份以上且30质量份以下。
[4]如[1]～[3]中任一项所述的切割膜基材，其中，上述聚氨酯为热塑性聚氨酯弹性体。
[5]切割膜，其特征在于，具有：
[1]～[4]中任一项所述的切割膜基材；和
层叠于上述切割膜基材的至少一面上的粘合层。
发明的效果
本发明提供具有优异的耐热性、并且显示出取得了适合作为切割膜的均衡性的芯片分切性和扩张性的切割膜基材及切割膜。
附图说明
[图1]为示出本发明的切割膜基材的一个实施方式的截面图。
[图2]为示出本发明的切割膜的一个实施方式的截面图。
具体实施方式
以下，对本发明的切割膜基材详细地进行说明，并且对切割膜也进行详细陈述。
需要说明的是，本说明书中，表示数值范围的“～”的表述是指包括数值范围的下限值和上限值的值。
另外，“(甲基)丙烯酸”为包括“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者而使用的表述，“(甲基)丙烯酸酯”为包括“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”这两者而使用的表述。
1.切割膜基材
本发明的第1方式为切割膜基材。图1为示出本发明的切割膜基材的一个实施方式的截面图。如图1所示，本实施方式的切割膜基材10具有第1树脂层1与第2树脂层2层叠而成的结构。接下来，对各层进行说明。
1-1.第1树脂层
第1树脂层是由树脂组合物形成的层，所述树脂组合物含有：30质量份以上且95质量份以下的树脂(A)，其为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物及上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组中的至少一种；5质量份以上且小于40质量份的树脂(B)，其为选自由聚酰胺及聚氨酯组成的组中的至少一种；和0质量份以上且30质量份以下的除上述聚酰胺以外的抗静电剂(C)(其中，将成分(A)、成分(B)及成分(C)的合计设为100质量份)。这样的树脂组合物层的耐热性优异，并且芯片分切性与扩张性的均衡性优异。
<树脂(A)>
本发明中的树脂(A)为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物(以下，也简称为“共聚物(A)”)及上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物(以下，也简称为“离聚物(A)”)组成的组中的至少一种。本发明中，用作树脂(A)的乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物是上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的羧基的一部分或全部被金属(离子)中和而得到的。本发明中，将乙烯·不饱和羧酸系共聚物的酸基的至少一部分被金属(离子)中和而得到的物质记为“离聚物”，将乙烯·不饱和羧酸系共聚物的酸基未被金属(离子)中和的物质记为“共聚物”。
上述共聚物(A)、或者构成其离聚物(A)的乙烯·不饱和羧酸系共聚物为乙烯与不饱和羧酸共聚而成的至少二元的共聚物，也可以为进一步共聚有第3共聚成分的三元以上的多元共聚物。需要说明的是，乙烯·不饱和羧酸系共聚物可以单独使用一种，也可以并用两种以上的乙烯·不饱和羧酸系共聚物。
作为构成乙烯·不饱和羧酸二元共聚物的不饱和羧酸，例如，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、衣康酸、衣康酸酐、富马酸、巴豆酸、马来酸、马来酸酐等碳原子数4～8的不饱和羧酸等。尤其优选丙烯酸或甲基丙烯酸。
乙烯·不饱和羧酸系共聚物(A)为三元以上的多元共聚物时，可以包含形成多元共聚物的单体(第3共聚成分)。作为第3共聚成分，可举出不饱和羧酸酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸异丁酯、马来酸二甲酯、马来酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯)、不饱和烃(例如，丙烯、丁烯、1，3-丁二烯、戊烯、1，3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯酯(例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、硫酸乙烯酯、硝酸乙烯酯等氧化物、卤素化合物(例如，氯乙烯、氟乙烯等)、含有乙烯基的伯胺、仲胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等，作为这些共聚成分，优选不饱和羧酸酯。
例如，乙烯·不饱和羧酸系共聚物(A)为三元共聚物时，可优选举出乙烯、不饱和羧酸与不饱和羧酸酯的三元共聚物、乙烯、不饱和羧酸与不饱和烃的三元共聚物等。
作为不饱和羧酸酯，优选不饱和羧酸烷基酯，烷基酯的烷基部位的碳原子数优选为1～12，更优选为1～8，进一步优选为1～4。作为烷基部位的例子，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、2-乙基己基、异辛基等。
作为不饱和羧酸酯的具体例，可举出烷基部位的碳原子数为1～12的不饱和羧酸烷基酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯等丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸异丁酯等甲基丙烯酸烷基酯、马来酸二甲酯、马来酸二乙酯等马来酸烷基酯)等。
不饱和羧酸烷基酯中，更优选烷基部位的碳原子数为1～4的(甲基)丙烯酸烷基酯。
就共聚物的形态而言，可以为嵌段共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任意，可以为二元共聚物、三元共聚物中的任意。其中，从工业上可获得的方面考虑，优选二元无规共聚物、三元无规共聚物、二元无规共聚物的接枝共聚物或三元无规共聚物的接枝共聚物，更优选二元无规共聚物或三元无规共聚物。
作为乙烯·不饱和羧酸系共聚物的具体例，可举出乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等二元共聚物、乙烯·甲基丙烯酸·丙烯酸异丁酯共聚物等三元共聚物。另外，可以使用已作为乙烯·不饱和羧酸系共聚物上市的市售品，例如，可以使用DuPont-Mitsui Polychemicals Co.，Ltd.制的Nucrel系列(注册商标)等。
乙烯·不饱和羧酸系共聚物中的、不饱和羧酸的共聚比(质量比)优选为4质量％～20质量％，更优选为5质量％～15质量％。乙烯·不饱和羧酸系共聚物中的、不饱和羧酸酯的共聚比(质量比)优选为1质量％～20质量％，更优选为5质量％～15质量％。从扩张性的观点考虑，来自不饱和羧酸酯的结构单元的含有比率为1质量％以上、优选5质量％以上是合适的。另外，从防止粘连(blocking)及熔接的观点考虑，来自不饱和羧酸酯的结构单元的含有比率优选为20质量％以下，更优选为15质量％以下。
本发明中，用作树脂(A)的离聚物(A)优选是通过金属离子将上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物中包含的羧基以任意的比例交联(中和)而成的。作为酸基的中和所使用的金属离子，可举出锂离子、钠离子、钾离子、铷离子、铯离子、锌离子、镁离子、锰离子等金属离子。这些金属离子中，从工业化制品的获得容易性方面考虑，优选镁离子、钠离子及锌离子，更优选钠离子及锌离子。
离聚物(A)中的乙烯·不饱和羧酸系共聚物的中和度优选为10％～85％，进一步优选为15％～82％。中和度为10％以上时，能够进一步提高芯片分切性，通过为85％以下，加工性、成型性优异。
需要说明的是，中和度是指相对于乙烯·不饱和羧酸系共聚物所具有的酸基、尤其是羧基的摩尔数而言的、金属离子的配合比率(摩尔％)。
乙烯·不饱和羧酸系共聚物及其离聚物的熔体流动速率(MFR)优选在0.2g/10分钟～20.0g/10分钟的范围内，更优选为0.5g/10分钟～20.0g/10分钟，进一步优选为0.5g/10分钟～18.0g/10分钟。熔体流动速率在上述范围内时，对于成型时有利。
需要说明的是，MFR为利用遵照JIS K7210-1999的方法、在190℃、载荷为2160g的条件下测得的值。
构成第1树脂层的树脂组合物中的树脂(A)的含量相对于树脂(A)、后述的树脂(B)及后述的抗静电剂(C)的总量而言为30质量份以上且95质量份以下，优选为40质量份以上且90质量份以下，更优选为50质量份以上且90质量份以下。
树脂(A)的含量在上述范围内时，膜加工性优异。
<树脂(B)>
本发明中的树脂(B)为选自由聚酰胺及聚氨酯组成的组中的至少一种。通常而言，用作树脂(A)的乙烯·不饱和羧酸系共聚物、其离聚物的熔点低、为100℃以下，向其中混合熔点更高的树脂而得到的树脂组合物的耐热性会稍微上升这一情况是在推断范围内的。然而，在熔点较高的树脂中，通过将聚酰胺及/或聚氨酯、与乙烯·不饱和羧酸系共聚物或其离聚物(树脂(A))进行组合，可得到具有比根据聚酰胺、聚氨酯的熔点所预想的耐热性更高的耐热性的树脂组合物。进而，使用这样的树脂组合物而制作的膜不仅具有优异的耐热性，而且具有取得了适合作为切割膜的均衡性的芯片分切性和扩张性。
作为聚酰胺，例如，可举出草酸、己二酸、癸二酸、十二烷酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸、1，4-环己烷二甲酸等羧酸与乙二胺、四亚甲基二胺、五亚甲基二胺、六亚甲基二胺、十亚甲基二胺、1，4-环己二胺、间苯二甲胺等二胺的缩聚物、ε-己内酰胺、ω-十二内酰胺等环状内酰胺开环聚合物、6-氨基己酸、9-氨基壬酸、11-氨基十一烷酸、12-氨基十二烷酸等氨基羧酸的缩聚物、或者上述环状内酰胺与二羧酸与二胺的共聚物等。
聚酰胺可以为市售的产品。具体而言，可举出尼龙4、尼龙6、尼龙46、尼龙66、尼龙610、尼龙612、尼龙6T、尼龙11、尼龙12、共聚物尼龙(例如，尼龙6/66、尼龙6/12、尼龙6/610、尼龙66/12、尼龙6/66/610等)、尼龙MXD6、尼龙46等。
这些聚酰胺中，优选尼龙6、尼龙6/12。
作为聚氨酯，优选使用热塑性聚氨酯弹性体。作为热塑性聚氨酯弹性体，可举出通过多异氰酸酯(例如，脂肪族、脂环族或芳香族的二异氰酸酯)、高分子多元醇(例如，聚醚多元醇、聚碳酸酯多元醇、丙烯酸多元醇)及扩链剂(例如，乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇、1，4-丁二醇、1，6-己二醇、二乙二醇、三乙二醇、双酚A、对苯二甲醇等二醇类)的共聚而得到的物质。
构成第1树脂层的树脂组合物中的树脂(B)的含量相对于树脂(A)、树脂(B)及后述的抗静电剂(C)的总量而言为5质量份以上且小于40质量份，优选为5质量份以上且35质量份以下，更优选为5质量份以上且30质量份以下。
树脂(B)的含量小于5质量份时，无法发挥由树脂(B)带来的耐热性改善效果。另外，树脂(B)的含量为40质量份以上时，难以制造包含第1树脂层和第2树脂层的切割膜基材。具体而言，树脂(B)的含量为40质量份以上且小于60质量份时，虽然能够进行膜成型，但第1层的挤出变得不稳定，成为第1树脂层的膜的厚度精度容易变得不充分。此外，树脂(B)的含量为60质量份以上时，虽然膜的厚度精度充分，但是存在与第2树脂层的层间粘接性降低的倾向。
<抗静电剂(C)>
构成第1树脂层的树脂组合物优选除包含树脂(A)和树脂(B)外还包含抗静电剂(C)。抗静电剂(C)不仅对树脂组合物赋予抗静电性，而且通过与树脂(A)及树脂(B)的相互作用而使树脂组合物的耐热性进一步提高。
作为抗静电剂(C)，可举出高分子型抗静电剂、表面活性剂等低分子型抗静电剂等。这些抗静电剂中，从抑制由渗出导致的表面污染的方面考虑，优选高分子型抗静电剂。
高分子型抗静电剂是指：包含导电性部位(例如，来自聚醚的结构部位、季铵盐基部位等)和非导电性部位(例如，来自聚酰胺的结构部位、来自聚乙烯等聚烯烃的结构部位、来自丙烯酸酯的结构部位、来自甲基丙烯酸酯的结构部位、来自苯乙烯的结构部位等)、并且分子量为300以上(优选1000～10000)的共聚物。分子量为利用GPC测定的以聚苯乙烯换算计的重均分子量。
需要说明的是，导电性是指：基于ASTM D257测定的表面电阻率为1010Ω/□以下。
作为高分子型抗静电剂，例如，可举出聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚乙二醇、聚醚酯酰胺、聚醚酯、聚醚聚烯烃、环氧乙烷·表氯醇系共聚物等非离子性高分子型抗静电剂、聚苯乙烯磺酸等阴离子性高分子型抗静电剂、含有季铵盐的丙烯酸酯聚合物、含有季铵盐的苯乙烯聚合物、含有季铵盐的聚乙二醇甲基丙烯酸酯聚合物等阳离子系高分子型抗静电剂等。
更具体而言，例如，可举出：日本特开平1-163234号公报中记载的聚醚酯酰胺；日本特开2001-278985号公报中记载的具有聚烯烃的嵌段与亲水性聚合物的嵌段重复交替地键合而成的结构的嵌段共聚物；具有由烯烃系单体聚合而成的烯烃系嵌段与由亲水性单体聚合而成的亲水系嵌段重复交替地键合而成的结构的共聚物。
这些抗静电剂中，从与树脂(A)及树脂(B)的相容性、耐热性和抗静电性的观点考虑，优选聚醚酯酰胺。聚醚酯酰胺是指：具有来自聚酰胺的结构部位和来自聚醚的结构部位、并且这些结构部位以酯键键合而成的共聚物。
作为形成聚醚酯酰胺中的来自聚酰胺的结构部位的聚酰胺，例如为通过二羧酸(例如：草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸、1，4-环己烷二甲酸等)与二胺(例：乙二胺、四亚甲基二胺、五亚甲基二胺、六亚甲基二胺、十亚甲基二胺、2，2，4-三甲基六亚甲基二胺、2，4，4-三甲基六亚甲基二胺、1，3-双(氨基甲基)环己烷、1，4-双(氨基甲基)环己烷、亚甲基双(4-氨基环己烷)、间苯二甲胺、对苯二甲胺等)的缩聚、ε-己内酰胺、ω-十二内酰胺等内酰胺的开环聚合、6-氨基己酸、9-氨基壬酸、11-氨基十一烷酸、12-氨基十二烷酸等氨基羧酸的缩聚、或者上述内酰胺与二羧酸与二胺的共聚等而得到的物质。这样的聚酰胺链段为尼龙4、尼龙6、尼龙46、尼龙66、尼龙610、尼龙612、尼龙6T、尼龙11、尼龙12、尼龙6/66、尼龙6/12、尼龙6/610、尼龙66/12、尼龙6/66/610等，尤其优选尼龙11、尼龙12等。聚酰胺嵌段的分子量为例如400～5000左右。
需要说明的是，作为树脂(B)使用聚酰胺时，使抗静电剂(C)为除用作树脂(B)的聚酰胺以外的化合物。
另外，作为聚醚嵌段，可示例聚氧乙二醇、聚氧丙二醇、聚氧四亚甲基二醇、聚氧乙二醇·聚氧丙二醇等聚氧亚烷基二醇或者它们的混合物等。它们的分子量为例如400～6000左右，进一步优选为600～5000左右。
作为聚醚酯酰胺，来自聚氧亚烷基二醇(优选聚乙二醇或聚丙二醇)的结构部位相对于聚醚酯酰胺的总质量而言优选以5质量％～80质量％(更优选为15质量％～70质量％)的量被包含。此外，熔点低于190℃的聚醚酯酰胺在190℃、2160g载荷的条件下测得的熔体流动速率(MFR)优选为0.1～1000g/10分钟(更优选为1～100g/10分钟)，熔点为190℃以上的聚醚酯酰胺在230℃、2160g载荷的条件下测得的熔体流动速率优选为0.1～1000g/10分钟(更优选为1～100g/10分钟)。另外，聚醚酯酰胺的由差示扫描量热仪(DSC)测得的熔点(显示最大吸热量的温度)优选为130℃～175℃。这样的聚醚酯酰胺可以通过使分子量为600～5000的聚酰胺与聚氧亚烷基二醇与根据需要加入的羧酸反应而得到。
作为低分子型抗静电剂，例如，可举出具有季铵盐、吡啶鎓盐、伯～叔氨基等阳离子性基团的阳离子性抗静电剂、具有磺酸盐基、硫酸酯盐基、磷酸酯盐基等阴离子性基团的阴离子性抗静电剂、氨基酸抗静电剂、氨基硫酸酯抗静电剂等两性抗静电剂、氨基醇抗静电剂、丙三醇抗静电剂、聚乙二醇抗静电剂等非离子性抗静电剂等。
抗静电剂可以使用市售品，作为具体例，可举出三洋化成工业公司制的PELESTAT230、PELESTAT HC250、PELESTAT 300、PELESTAT 2450、PELECTRON PVL、BASF JAPAN公司制的IRGASTAT P-16、IRGASTAT P-18FCA、IRGASTAT P-20、IRGASTAT P-22等。
另外，从使提高树脂组合物的耐热性的效果提高的观点考虑，抗静电剂的熔点优选为100℃以上且200℃以下，更优选为120℃以上且200℃以下。需要说明的是，熔点可以使用按照JIS-K7121(1987年)、并由差示扫描量热仪(DSC)测得的熔融温度。
构成第1树脂层的树脂组合物中的抗静电剂(C)的含量相对于树脂(A)、树脂(B)及抗静电剂(C)的总量而言为0质量份以上且30质量份以下，优选为5质量份以上且小于30质量份，更优选为5质量份以上且小于25质量份。抗静电剂(C)的含量小于5质量份时，难以发挥由抗静电剂带来的耐热性改善效果，超过30质量份时，存在膜的扩张性变差的情况。第1树脂层中的树脂(A)、树脂(B)及抗静电剂(C)的总含量优选为80质量％以上且100质量％以下，更优选为90质量％以上且100质量％以下。
<其他聚合物及添加剂>
构成第1树脂层的树脂组合物中，可以在不损害本发明的效果的范围内，根据需要添加其他聚合物、各种添加剂。作为上述其他聚合物的例子，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯·α-烯烃共聚物(作为α-烯烃，可举出丙烯、丁烯、辛烯等)等聚烯烃。这样的其他聚合物可以以相对于上述(A)、(B)及(C)的合计100质量份而言为例如20质量份以下的比例配合。作为上述添加剂的一例，可举出抗氧化剂、热稳定剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、颜料、染料、润滑剂、抗粘连剂、抗静电剂、防霉剂、杀菌剂、阻燃剂、阻燃助剂、交联剂、交联助剂、发泡剂、发泡助剂、无机填充剂、纤维增强材料等。从防止热熔接的观点考虑，可以少量添加上述添加剂。作为紫外线吸收剂的具体例，可举出二苯甲酮系、苯甲酸酯系、苯并三唑系、氰基丙烯酸酯系、受阻胺系等；作为填充剂的具体例，可举出二氧化硅、粘土、碳酸钙、硫酸钡、玻璃珠、滑石等。
<树脂组合物的制造方法>
构成第1树脂层的树脂组合物可以通过将树脂(A)、树脂(B)及期望的抗静电剂(C)、以及根据需要加入的其他聚合物、添加剂混合而得到。树脂组合物的制造方法没有特别限定，例如，可以通过将所有成分干混后进行熔融混炼而得到。
构成第1树脂层的树脂组合物在230℃、2160g载荷的条件下测得的熔体流动速率(MFR)优选为1g/10分钟～50g/10分钟。尤其是在使用乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物或离聚物(A)作为树脂(A)的情况下，230℃时的MFR优选为20g/10分钟以下。230℃时的MFR为20g/10分钟以下时，可得到140℃时的耐热性与扩张性的均衡性优异的膜。
1-2.第2树脂层
第2树脂层为包含树脂(D)的层，树脂(D)为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物及上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组中的至少一种树脂。树脂(D)为与构成第1树脂层的树脂组合物的粘接性高的材料。因此，通过与第1树脂层层叠，能够在不产生层间剥离的问题的情况下提高切割膜基材的强度，并且能够维持切割膜所需的芯片分切性与扩张性的均衡性。
<树脂D>
本发明中的树脂(D)为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物(以下，也简称为“共聚物(D)”)及上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物(以下，也简称为“离聚物(D)”)组成的组中的至少一种。本发明中，用作树脂(D)的乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物是上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的羧基的一部分或全部被金属(离子)中和而得到的。本发明中，将乙烯·不饱和羧酸系共聚物的酸基的至少一部分被金属(离子)中和而得到的物质记为“离聚物”，将乙烯·不饱和羧酸系共聚物的酸基未被金属(离子)中和的物质记为“共聚物”。
需要说明的是，如下文中详细说明的那样，树脂(D)为与构成第1树脂层的树脂组合物中包含的树脂(A)相同的树脂。
上述共聚物(D)、或者构成其离聚物(D)的乙烯·不饱和羧酸系共聚物为乙烯与不饱和羧酸共聚而成的至少二元的共聚物，也可以为进一步共聚有第3共聚成分的三元以上的多元共聚物。需要说明的是，乙烯·不饱和羧酸系共聚物可以单独使用一种，也可以并用两种以上的乙烯·不饱和羧酸系共聚物。
作为构成乙烯·不饱和羧酸二元共聚物的不饱和羧酸，例如，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、衣康酸、衣康酸酐、富马酸、巴豆酸、马来酸、马来酸酐等碳原子数4～8的不饱和羧酸等。尤其优选丙烯酸或甲基丙烯酸。
乙烯·不饱和羧酸系共聚物(D)为三元以上的多元共聚物时，可以包含形成多元共聚物的单体(第3共聚成分)。作为第3共聚成分，可举出不饱和羧酸酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸异丁酯、马来酸二甲酯、马来酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯)、不饱和烃(例如，丙烯、丁烯、1，3-丁二烯、戊烯、1，3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯酯(例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、硫酸乙烯酯、硝酸乙烯酯等氧化物、卤素化合物(例如，氯乙烯、氟乙烯等)、含有乙烯基的伯胺、仲胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等，作为这些共聚成分，优选不饱和羧酸酯。
例如，乙烯·不饱和羧酸系共聚物(D)为三元共聚物时，可优选举出乙烯、不饱和羧酸与不饱和羧酸酯的三元共聚物、乙烯、不饱和羧酸与不饱和烃的三元共聚物等。
作为不饱和羧酸酯，优选不饱和羧酸烷基酯，烷基酯的烷基部位的碳原子数优选为1～12，更优选为1～8，进一步优选为1～4。作为烷基部位的例子，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、2-乙基己基、异辛基等。
作为不饱和羧酸酯的具体例，可举出烷基部位的碳原子数为1～12的不饱和羧酸烷基酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯等丙烯酸烷基酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸异丁酯等甲基丙烯酸烷基酯、马来酸二甲酯、马来酸二乙酯等马来酸烷基酯)等。
不饱和羧酸烷基酯中，更优选烷基部位的碳原子数为1～4的(甲基)丙烯酸烷基酯。
就共聚物的形态而言，可以为嵌段共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任意，可以为二元共聚物、三元共聚物中的任意。其中，从工业上可获得的方面考虑，优选二元无规共聚物、三元无规共聚物、二元无规共聚物的接枝共聚物或三元无规共聚物的接枝共聚物，更优选为二元无规共聚物或三元无规共聚物。
作为乙烯·不饱和羧酸系共聚物的具体例，可举出乙烯·丙烯酸共聚物、乙烯·甲基丙烯酸共聚物等二元共聚物、乙烯·甲基丙烯酸·丙烯酸异丁酯共聚物等三元共聚物。另外，可以使用已作为乙烯·不饱和羧酸系共聚物上市的市售品，例如，可以使用DuPont-Mitsui Polychemicals Co.，Ltd.制的Nucrel系列(注册商标)等。
乙烯·不饱和羧酸系共聚物中的、不饱和羧酸的共聚比(质量比)优选为4质量％～20质量％，更优选为5质量％～15质量％。乙烯·不饱和羧酸系共聚物中的、不饱和羧酸酯的共聚比(质量比)优选为1质量％～20质量％，更优选为5质量％～15质量％。从扩张性的观点考虑，来自不饱和羧酸酯的结构单元的含有比率为1质量％以上、优选5质量％以上是合适的。另外，从防止粘连及熔接的观点考虑，来自不饱和羧酸酯的结构单元的含有比率优选为20质量％以下，更优选为15质量％以下。
本发明中，用作树脂(D)的离聚物(D)优选是通过金属离子将上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物中包含的羧基以任意的比例交联(中和)而成的。作为酸基的中和所使用的金属离子，可举出锂离子、钠离子、钾离子、铷离子、铯离子、锌离子、镁离子、锰离子等金属离子。这些金属离子中，从工业化制品的获得容易性方面考虑，优选镁离子、钠离子及锌离子，更优选钠离子及锌离子。
离聚物(D)中的乙烯·不饱和羧酸系共聚物的中和度优选为10％～85％，进一步优选为15％～82％。中和度为10％以上时，能够进一步提高芯片分切性，通过为85％以下，加工性、成型性优异。
需要说明的是，中和度是指相对于乙烯·不饱和羧酸系共聚物所具有的酸基、尤其是羧基的摩尔数而言的、金属离子的配合比率(摩尔％)。
乙烯·不饱和羧酸系共聚物及其离聚物的熔体流动速率(MFR)优选在0.2g/10分钟～20.0g/10分钟的范围内，更优选为0.5g/10分钟～20.0g/10分钟，进一步优选为0.5g/10分钟～18.0g/10分钟。熔体流动速率在上述范围内时，对于成型时有利。
需要说明的是，MFR为利用遵照JIS K7210-1999的方法、在190℃、载荷为2160g的条件下测得的值。
第2树脂层中的树脂(D)的含量优选为80质量％以上且100质量％以下，更优选为90质量％以上且100质量％以下。
<添加剂>
构成第2树脂层的树脂(D)中，可以在不损害本发明的效果的范围内，根据需要添加各种添加剂、其它树脂。作为上述添加剂的一例，可举出抗氧化剂、热稳定剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、颜料、染料、润滑剂、抗粘连剂、抗静电剂、防霉剂、杀菌剂、阻燃剂、阻燃助剂、交联剂、交联助剂、发泡剂、发泡助剂、无机填充剂、纤维增强材料等。从防止热熔接的观点考虑，可以少量添加上述添加剂。作为紫外线吸收剂的具体例，可举出二苯甲酮系、苯甲酸酯系、苯并三唑系、氰基丙烯酸酯系、受阻胺系等；作为填充剂的具体例，可举出二氧化硅、粘土、碳酸钙、硫酸钡、玻璃珠、滑石等。作为其它树脂，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯·α-烯烃共聚物等。
1-3.层构成
本发明的切割膜基材为包含上述第1树脂层及上述第2树脂层的切割膜基材(参见图1)。切割膜基材只要包含上述2层，则其层构成没有特别限定，从防止层间剥离的观点考虑，第1树脂层与第2树脂层优选直接层叠。
构成第1树脂层的树脂组合物中包含的树脂(A)、与构成第2树脂层的树脂(D)可以为相同的树脂，也可以不同。作为第1树脂层与第2树脂层的优选组合，从芯片分切性、扩张性的观点考虑，优选乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物与乙烯·不饱和羧酸共聚物的离聚物的组合。
切割膜基材可以为3层以上的多层构成。例如，可以为将多张使用构成第1树脂层的树脂组合物而成型的片材层叠后、设置第2树脂层的构成，也可以为用两个第1树脂层夹持第2树脂层的构成。另外，也可以为除第1树脂层和第2树脂层外还层叠有其他树脂层的构成。
就构成本发明的切割膜基材中层叠的其他树脂层的树脂而言，可举出选自直链状低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯-α烯烃共聚物、聚丙烯、及乙烯·乙烯酯共聚物中的单体或由任意的多种形成的共混物作为代表例。
另外，层叠的其他树脂层可以为功能性层(例如，粘合片等)，也可以为聚烯烃膜(或片)、聚氯乙烯膜(或片)等基材。上述基材可以具有单层或多层中的任意结构。本发明中，包括这些基材在内，称为“切割膜基材”。
为了提高切割膜基材表面的粘接力，可以对切割膜基材表面实施例如电晕放电处理等已知的表面处理。
另外，从耐热性提高的观点考虑，可以根据需要对第1树脂层、第2树脂层、其他树脂层、或切割膜基材进行电子射线照射。
1-4.制造方法
作为本发明的切割膜基材的制造方法，可举出下述方法：利用已知的方法，将构成第1树脂层的树脂组合物及构成第2树脂层的树脂(D)各自加工成膜状，并进行层叠。将树脂组合物或树脂加工成膜状的方法没有特别限定，例如，可以利用以往已知的T型模浇铸成型法、T型模挤压成型法、吹胀成型法、挤出层压法、压延成型法等各种成型方法来制造膜。
另外，本发明的切割膜基材可以通过将构成第1树脂层的树脂组合物、和构成第2树脂层的树脂(D)赋予至例如共挤出层压而制造。
例如，当使用T型模膜成型机、或挤出涂布成型机等将构成第1树脂层的树脂组合物层叠于成为第2树脂层的树脂(D)的膜表面上时，为了提高与第2树脂层的粘接性，可以利用共挤出涂布成型机隔着粘接性树脂层而形成。作为这样的粘接性树脂，可举出选自前述的各种乙烯共聚物或它们的不饱和羧酸接枝物中的单体或者由任意的多种形成的共混物作为代表例。
另外，作为本发明的切割膜基材的成型例，可举出下述方法：使用T型模膜成型机、或挤出涂布成型机，使构成第1树脂层的树脂组合物热粘接于成为第2树脂层的树脂(D)的膜表面，由此形成多层体。
需要说明的是，针对在成为第2树脂层的树脂(D)的膜上形成由成为第1树脂层的树脂组合物构成的层的方法进行了记载，但与此相反，利用在成为第1树脂层的树脂组合物的膜上形成由成为第2树脂层的树脂(D)构成的层、或者在其他树脂层上设置第1树脂、第2树脂层的方法也能够制造本发明的切割膜基材。
切割膜基材的厚度没有特别限定，若考虑到作为切割膜的构成部件使用，从切割时的框架保持的观点考虑，优选为65μm以上，从扩张性的观点考虑，优选为200μm以下。另外，就构成切割膜基材的各树脂层的厚度而言，只要它们的合计不超过切割膜基材的上述厚度即可，没有特别限定，第1树脂层、第2树脂层均优选为30μm以上且100μm以下，第1树脂层与第2树脂层的厚度之比优选为30/70～70/30。
2.切割膜
本发明的第2方式为具备上述的本发明的切割膜基材、和层叠于其至少一面上的粘合层的切割膜。图2为示出本发明的切割膜20的一个实施方式的截面图。如图2所示，本发明的切割膜20具有包含第1树脂层1及第2树脂层2的切割膜基材10、和设置于其表面的粘合层11。
从耐热性的观点考虑，切割膜优选以第1树脂层成为最外表层的方式构成，更优选为进一步在其最外表层形成有粘合层的构成。粘合层配置于切割膜基材的表面。能够介由该粘合层将切割膜粘贴于半导体晶片上、并进行半导体晶片的切割。
如前所述，本发明的切割膜基材具有优异的耐热性，因此本发明的切割膜也同样地具有优异的耐热性，并且为芯片分切性与扩张性的均衡性优异的膜。因此，使用本发明的切割膜时，能够有效且高精度地加工半导体晶片。
<粘合层>
本发明的切割膜具备本发明的切割膜基材、和设置于切割膜基材的一面上的粘合层，在粘合层上粘贴固定作为切割加工的对象的半导体晶片。粘合层的厚度取决于粘合剂的种类，优选为3～100μm，进一步优选为3～50μm。
作为构成粘合层的粘合剂，可以使用以往已知的粘合剂。粘合剂的例子中，包括橡胶系、丙烯酸系、有机硅系、聚乙烯醚系粘合剂；放射线固化型粘合剂；加热发泡型粘合剂等。其中，考虑到切割膜自半导体晶片的剥离性等时，粘合层优选包含紫外线固化型粘合剂。
可构成粘合层的丙烯酸系粘合剂的例子包括(甲基)丙烯酸酯的均聚物、及(甲基)丙烯酸酯与共聚性单体的共聚物。(甲基)丙烯酸酯的具体例中，包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯等(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丁酯、(甲基)丙烯酸羟基己酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
与(甲基)丙烯酸酯的共聚性单体的具体例包括(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸酐、(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸N-羟甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲基氨基乙基酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等)、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。
可构成粘合层的紫外线固化型粘合剂没有特别限定，含有上述丙烯酸系粘合剂、紫外线固化成分(可将碳-碳双键加成于丙烯酸系粘合剂的聚合物侧链的成分)、和光聚合引发剂。此外，可根据需要在紫外线固化型粘接剂中添加交联剂、粘合赋予剂、填充剂、抗老化剂、着色剂等添加剂等。
紫外线固化型粘合剂中包含的紫外线固化成分是指例如在分子中具有碳-碳双键、可通过自由基聚合而固化的单体、低聚物、或聚合物。紫外线固化成分的具体例中，包括三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸与多元醇的酯、或其低聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基氰尿酸酯、2-羟基乙基双(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯等异氰脲酸酯等。
紫外线固化型粘合剂中包含的光聚合引发剂的具体例包括苯偶姻甲基醚、苯偶姻异丙基醚、苯偶姻异丁基醚等苯偶姻烷基醚类、α-羟基环己基苯基酮等芳香族酮类、苄基二甲基缩酮等芳香族缩酮类、聚乙烯基二苯甲酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮等噻吨酮类等。
紫外线固化型粘合剂中包含的交联剂的例子包括多异氰酸酯化合物、三聚氰胺树脂、尿素树脂、多胺、含有羧基的聚合物等。
本发明的切割膜的粘合层的表面优选粘贴隔膜。通过粘贴隔膜，从而能够将粘合层的表面保持平滑。另外，半导体制造用膜的操作、搬运变得容易，并且也能够在隔膜上进行标签加工。
隔膜可以为纸、或者聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂膜等。另外，为了提高自粘合层的剥离性，可根据需要对隔膜的与粘合层相接触的面实施有机硅处理、氟处理等脱模处理。隔膜的厚度通常为10～200μm，优选为25～100μm左右。
<切割膜的制造方法>
制造本发明的切割膜时，可以使用下述方法：利用已知的方法(例如使用凹版辊涂布机、逆向辊涂布机、吻式辊涂布机、浸渍辊涂布机、棒涂机、刮刀涂布机、喷涂机等)将粘合剂直接涂布于切割膜基材上的方法；或者，在利用上述已知方法将粘合剂涂布于剥离片材上而设置粘合层后，粘贴于切割膜基材的表面层，将粘合层转印的方法；等等。
另外，也可以利用下述方式制造切割膜：通过将构成第1树脂层的树脂组合物、和构成粘合层的材料进行共挤出而得到层叠膜(共挤出成型法)，并在其上设置第2树脂层。
另外，也可以根据需要对粘合剂组合物的层实施加热交联而形成粘合层。
此外，可以在粘合层的表面上粘贴隔膜。
实施例
接着，基于实施例对本发明详细地进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。需要说明的是，只要没有特别说明，则“份”以质量为基准。
1.树脂(A)
作为树脂(A)，准备下述的乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物(以下，称为“离聚物”)及乙烯·不饱和羧酸系共聚物(以下，简称为“共聚物”)。需要说明的是，下述树脂的熔体流动速率(MFR)为按照JIS K7210(1999)、在190℃、2160g载荷的条件下测定的值。
·离聚物1(IO1)
乙烯含量：80质量％，甲基丙烯酸含量：10质量％，丙烯酸丁酯含量：10质量％，中和度：70％锌中和，MFR：1g/10分钟
·离聚物2(IO2)
乙烯含量：85质量％，甲基丙烯酸含量：15质量％，中和度：59％锌中和，MFR：1g/10分钟
·离聚物3(IO3)
乙烯含量：89质量％，甲基丙烯酸含量：11质量％，中和度：65％锌中和，MFR：5g/10分钟
·离聚物4(IO4)
乙烯含量：85质量％，甲基丙烯酸含量：15质量％，中和度：23％锌中和，MFR：5g/10分钟
·离聚物5(IO5)
乙烯含量：90质量％，甲基丙烯酸含量：10质量％，中和度：50％钠中和，MFR：1g/10分钟
·共聚物(EMAA1)
乙烯含量：91质量％，甲基丙烯酸含量：9质量％，MFR：3g/10分钟
·共聚物(EMAA2)
乙烯含量：79质量％，甲基丙烯酸含量：11质量％，丙烯酸丁酯：10质量％，MFR：10g/10分钟
2.树脂(B)
作为树脂(B)，准备下述的树脂。
·聚酰胺1(PA1)：尼龙6(Toray株式会社制的Amilan CM1021XF)
·聚酰胺2(PA2)：尼龙6-12(宇部兴产株式会社制的UBE尼龙7024B)
·聚氨酯(TPU)：热塑性聚氨酯弹性体(Tosoh株式会社制的Miractran P485RSUI)
3.抗静电剂(C)
作为抗静电剂(C)，准备下述的化合物。
·聚醚酯酰胺(PEEA)：三洋化成工业株式会社制的PELESTAT 230
4.树脂(D)
作为树脂(D)，准备下述的树脂。
·离聚物1(IO1)(与作为树脂(A)使用的物质相同)
乙烯含量：80质量％，甲基丙烯酸含量：10质量％，丙烯酸丁酯含量：10质量％，中和度：70％锌中和，MFR：1g/10分钟
·乙烯·不饱和羧酸系共聚物(EMAA1)
乙烯含量：91质量％，甲基丙烯酸含量：9质量％，MFR：3g/10分钟
·其他树脂(LDPE1)
低密度聚乙烯、MFR：1.6g/10分钟，密度：921kg/m3
(实施例1)
将表1所示的比例(质量％)的树脂(A)及树脂(B)干混。接着，将已干混的混合物投入
Figure BDA0002107794720000221
双螺杆挤出机的树脂投入口，于230℃的模温度进行熔融混炼，由此得到用于第1树脂层的树脂组合物。
针对得到的用于第1树脂层的树脂组合物，按照JIS K7210(1999)、在230℃、2160g载荷的条件下测定MFR，记载于表1中。
使用2种2层
Figure BDA0002107794720000222
T型模膜成型机，将得到的用于第1树脂层的树脂组合物和用于第2树脂层的树脂(D)投入各自的挤出机中，在加工温度为240℃的条件下进行成型，制作100μm厚的2种2层T型模膜。
通过上述方式，得到了具有双层结构的100μm厚的层叠膜(第1层与第2层的厚度比＝50/50)。将得到的层叠膜作为切割膜基材，利用下述的方法进行评价。评价结果示于表1中。
(1)160℃耐热性
将切割膜基材分别裁断成MD方向(Machine Direction，纵向)10cm×TD方向(Transverse Direction，横向)3cm，作为评价用膜。在评价用膜的MD方向中央部，沿MD方向标上长度为60mm的标记线。
将各评价用膜在160℃、5g载荷下放置2分钟，然后测定其标记线长度，算出相对于加热试验前的标记线的长度而言的、加热试验后的标记线的长度。
加热试验后的标记线的长度[％]＝(加热试验后的标记线长度/60mm)×100
标记线长度为100时意味着膜不因加热而变化，标记线长度超过100时，意味着膜因加热而伸长，标记线长度小于100时，意味着膜因加热而收缩。
就160℃耐热而言，基于加热试验后的标记线的长度、按照以下的基准进行评价。
◎：加热试验后的标记线的长度为100.0
○：加热试验后的标记线的长度为100.1～110.0、或者90.0～99.9
△：加热试验后的标记线的长度为110.1～115.0、或者86.0～89.9
×：加热试验后的标记线的长度为115.1以上、或者85.9以下
(2)层间粘接性
切割膜基材的第1层与第2层之间的粘接强度以在剥离角度为90°(T剥离)、剥离速度为300mm/min、试验片宽度为15mm的条件下进行剥离时的强度(N/15mm)表示。
进而，基于粘接强度，按照以下的基准评价层间粘接性。
○：第1树脂层与第2树脂层的层间粘接强度为5N/15mm以上
×：第1树脂层与第2树脂层的层间粘接强度小于5N/15mm
(3)表面电阻率
按照JIS K6911，使用三菱化学(株)制的Hiresta-UP，在23℃、50％相对湿度气氛下，使施加电压为500V、测定时间为30秒，测定表面电阻率。
(4)扩张性(扩张率)
从切割膜基材切出MD方向300mm以上×TD方向300mm以上的四边形，使用油性笔等笔记用具，在其中描出141mm见方的正方形(以下记为测定对象)。在8英寸晶片用的晶片扩张装置(Technovision公司制的晶片扩张装置TEX-218G GR-8)上设置测定对象。此时，以晶片扩张装置的台中心与测定对象中所描绘的正方形的中心重合的方式进行设置。接着，将台提起15mm，对切割膜基材进行扩张，然后静置60秒，对测定对象中所描绘的正方形的各边的长度(边长)进行测定。针对得到的MD方向边长的2个点，分别计算伸长率(％)(＝扩张后的边长/扩张前的边长×100)，将其平均值作为扩张率[％]。扩张率为103％以上是优选的。
(5)拉伸试验(模量)
将切割膜基材裁断为10mm宽的长条状，作为测定对象。按照JIS K7127，分别对测定对象的MD方向、TD方向上的25％模量进行测定。需要说明的是，试验速度为500mm/分钟。
从芯片分切性的观点考虑，25％模量为8Mpa以上是优选的。
(实施例2～15、比较例1～5)
将树脂(A)、树脂(B)、抗静电剂(C)及树脂(D)的种类及量、以及第1树脂层及第2树脂层的厚度如表1及表2所示进行变更，除此以外，与实施例1同样地制作包含第1树脂层及第2树脂层的层叠膜。需要说明的是，抗静电剂(C)以表1中记载的量与树脂(A)及树脂(B)一同干混而使用。
将得到的层叠膜作为切割膜基材，利用上述方法进行评价。将评价结果示于表1及表2。
Figure BDA0002107794720000251
[表2]
Figure BDA0002107794720000261
由表1及表2所示的结果可知，就具有由包含树脂(A)和树脂(B)作为必需成分的树脂组合物形成的第1树脂层的实施例1～15的切割膜基材而言，与具有由树脂(A)单独形成的第1树脂层的比较例1相比，160℃耐热性试验后的膜的变化少，显示出更优异的耐热性。
另外，就第2树脂层包含选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物及上述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组中的至少一种树脂(D)的实施例1～15的切割膜基材而言，与具有由其他树脂(低密度聚乙烯)形成的第2树脂层的比较例2的切割膜基材相比，膜层间粘接力高，完全未观察到层间剥离。这样的优异层间粘接性在使用乙烯·不饱和羧酸系共聚物(EMAA)及乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物(IO)中的任一者作为树脂(D)的情况下均可观察到。
此外，在包含过量的抗静电剂(C)的比较例4、及包含过量(其中，为40质量份以上且小于60质量份)的树脂(B)的比较例5中，虽然能够使用树脂组合物成型为膜，但第1树脂层的挤出不稳定，膜的厚度精度不充分，因此无法测定各种物性。但是，在包含进一步过量(60质量份以上)的树脂(B)的比较例3中，虽然能够成型为具有第1树脂层和第2树脂层的层叠膜，但膜的层间粘接力低。
本申请基于2016年12月27日提出申请的日本特愿2016-253244主张优先权。该申请说明书中记载的内容全部援引入本申请说明书中。
产业上的可利用性
本发明的切割膜基材具有优异的耐热性，并且芯片分切性与扩张性的均衡性优异。因此，通过使用本发明的切割膜基材及切割膜，能够顺利地实施半导体制造时的切割工序及接下来的扩张工序，能够制造不残留胶带且无变形的半导体。
附图标记说明
1 第1树脂层
2 第2树脂层
10 切割膜基材
11 粘合层
20 切割膜

Claims (5)

1.切割膜基材，其包含第1树脂层和第2树脂层，
所述第1树脂层由树脂组合物形成，
所述树脂组合物含有：
30质量份以上且95质量份以下的树脂A，所述树脂A为乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物；
5质量份以上且小于40质量份的树脂B，所述树脂B为选自由聚酰胺及聚氨酯组成的组中的至少一种；和
0质量份以上且30质量份以下的除所述聚酰胺以外的抗静电剂C，其中，将树脂A、树脂B及抗静电剂C的合计设为100质量份，
所述第2树脂层包含树脂D，所述树脂D为选自由乙烯·不饱和羧酸系共聚物及所述乙烯·不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组中的至少一种。
2.如权利要求1所述的切割膜基材，其中，所述抗静电剂C的含量为0质量份。
3.如权利要求1所述的切割膜基材，其中，所述抗静电剂C的含量为5质量份以上且30质量份以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的切割膜基材，其中，所述聚氨酯为热塑性聚氨酯弹性体。
5.切割膜，其具有：
权利要求1～3中任一项所述的切割膜基材；和
层叠于所述切割膜基材的至少一面上的粘合层。
CN201780080673.4A 2016-12-27 2017-12-21 切割膜基材及切割膜 Active CN110178203B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016253244 2016-12-27
JP2016-253244 2016-12-27
PCT/JP2017/045918 WO2018123804A1 (ja) 2016-12-27 2017-12-21 ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110178203A CN110178203A (zh) 2019-08-27
CN110178203B true CN110178203B (zh) 2023-05-23

Family

ID=62710436

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780080673.4A Active CN110178203B (zh) 2016-12-27 2017-12-21 切割膜基材及切割膜

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6667671B2 (zh)
KR (1) KR102293749B1 (zh)
CN (1) CN110178203B (zh)
TW (1) TWI736728B (zh)
WO (1) WO2018123804A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112236469B (zh) * 2018-08-08 2023-07-14 三井—陶氏聚合化学株式会社 切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材及切割膜
WO2020031963A1 (ja) * 2018-08-10 2020-02-13 三井・ダウポリケミカル株式会社 熱可塑性ポリウレタンエラストマー組成物および積層体
WO2022196392A1 (ja) * 2021-03-18 2022-09-22 三井・ダウポリケミカル株式会社 ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材、およびダイシングフィルム

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015109435A (ja) * 2013-10-23 2015-06-11 三井・デュポンポリケミカル株式会社 ダイシングテープ基材用樹脂組成物およびダイシングテープ基材

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3014518B2 (ja) * 1991-11-12 2000-02-28 古河電気工業株式会社 半導体ウエハ固定用粘着テープ
US5866658A (en) 1996-08-26 1999-02-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company High performance ionomer blends
JP4578050B2 (ja) * 2001-09-04 2010-11-10 グンゼ株式会社 ウェハダイシングテープ用基材
JP2007084722A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Nitto Denko Corp 粘着シートとその製造方法、及び、製品の加工方法
KR20080062642A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 제일모직주식회사 점착제, 점착제 조성물 및 그로부터 제조되는 다이싱 필름
JP2011210887A (ja) 2010-03-29 2011-10-20 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化型ウエハ加工用粘着テープ
EP2600391A1 (en) * 2010-07-28 2013-06-05 Du Pont-Mitsui Polychemicals Co., Ltd. Laminate film, and film for use in production of semiconductor comprising same
JP5666875B2 (ja) 2010-10-21 2015-02-12 アキレス株式会社 半導体製造工程用テープの基材フィルム
JP2013168258A (ja) * 2012-02-15 2013-08-29 Nitto Denko Corp 導電性を有する伸長性有機基材
CN104011836B (zh) * 2011-12-26 2017-07-25 三井—杜邦聚合化学株式会社 激光切割用膜基材、激光切割用膜以及电子部件的制造方法
JP2013158098A (ja) * 2012-01-27 2013-08-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 発電システム及びその制御方法並びに制御プログラム
US20150348820A1 (en) * 2012-12-28 2015-12-03 Lintec Corporation Dicing sheet base film and dicing sheet
KR20150099768A (ko) * 2012-12-28 2015-09-01 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트용 기재 필름 및 다이싱 시트
CN104885202B (zh) * 2013-03-04 2017-07-11 琳得科株式会社 切割片用基材膜及具备该基材膜的切割片
JP6482818B2 (ja) * 2013-10-23 2019-03-13 リンテック株式会社 ダイシングシート
JP6198948B2 (ja) * 2014-06-18 2017-09-20 リンテック株式会社 ダイシングシート用基材フィルムおよびダイシングシート
JP6554708B2 (ja) * 2015-11-20 2019-08-07 三井・ダウポリケミカル株式会社 ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015109435A (ja) * 2013-10-23 2015-06-11 三井・デュポンポリケミカル株式会社 ダイシングテープ基材用樹脂組成物およびダイシングテープ基材

Also Published As

Publication number Publication date
KR102293749B1 (ko) 2021-08-26
KR20190091297A (ko) 2019-08-05
TW201840434A (zh) 2018-11-16
JPWO2018123804A1 (ja) 2019-10-31
TWI736728B (zh) 2021-08-21
WO2018123804A1 (ja) 2018-07-05
JP6667671B2 (ja) 2020-03-18
CN110178203A (zh) 2019-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6554708B2 (ja) ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材およびダイシングフィルム
JP6247733B2 (ja) レーザーダイシング用フィルム基材、レーザーダイシング用フィルム、及び電子部品の製造方法
JP6617215B2 (ja) ダイシングシート
TWI498215B (zh) A laminated film, and a thin film for manufacturing a semiconductor thereof
CN110178203B (zh) 切割膜基材及切割膜
CN112236469B (zh) 切割膜基材用树脂组合物、切割膜基材及切割膜
KR20100134096A (ko) 점착제 조성물, 표면 보호 필름, 및 플랫 패널 디스플레이용 마더 글래스 표면 보호 필름
JP6472972B2 (ja) ダイシングテープ基材用樹脂組成物およびダイシングテープ基材
WO2022196392A1 (ja) ダイシングフィルム基材用樹脂組成物、ダイシングフィルム基材、およびダイシングフィルム
JP2022093019A (ja) 複層フィルム、粘着フィルム及び半導体製造工程用粘着フィルム
JP2022133959A (ja) 複層フィルム、粘着フィルム及び半導体製造工程用粘着フィルム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant