TW201840434A - 切割膜基材及切割膜 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種耐熱性優異、晶片分斷性與擴張性的平衡優異之切割膜基材。該切割膜基材包括：第1樹脂層，其由樹脂組成物構成，該樹脂組成物含有：選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(A)30質量份以上且95質量份以下、選自由聚醯胺及聚胺酯所構成之群組中之至少1種樹脂(B)5質量份以上且小於40質量份及除了前述聚醯胺以外的抗靜電劑(C)0質量份以上且30質量份以下，其中，將樹脂(A)、樹脂(B)及抗靜電劑(C)的總計設為100質量份；及第2樹脂層，其包括選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(D)。

Description

切割膜基材及切割膜
本發明係關於一種切割膜基材及切割膜。
在製造IC等半導體裝置的過程中，通常，對形成有電路圖案之半導體晶圓進行薄膜化之後，進行用於將半導體晶圓分割成晶片單元之切割步驟。切割步驟中，在半導體晶圓的背面黏貼具有伸縮性之晶圓加工用膜(稱為切割膜或切割帶)，對其一邊使用冷卻水及清洗水，一邊藉由切割刀片將半導體晶圓分割成晶片單元。並且，在下一個擴張步驟中，藉由對與經切割之晶圓對應之切割帶進行擴張，藉此進行晶片的小片化。此時，用切割膜固定半導體晶圓來防止晶片的飛散。
由於切割膜有時在加熱條件下黏貼於半導體晶圓，因此要求其具有耐熱性。若切割膜的耐熱性低，則存在因熱軟化等而難以進行剝離或者固定於工作台(模具)上之情形。進而，若因熱而在切割膜中產生畸變或翹曲等變形，則還存在導致變薄之半導體晶圓變形之可能性。因此，對於切割膜而言，要求作為切割膜具有用於固定半導體晶圓之擴張性以及耐熱性。
又，隱形切割步驟中，為了藉由雷射在半導體晶圓內部形成龜裂層，並進行半導體晶圓的完全裁切，需要利用保持晶圓之切割膜的應力來裁切半導體晶圓。因此，對於切割膜而言，晶片 的分斷性與擴張性的平衡很重要。
作為用於形成切割膜的材料，正在使用將乙烯-甲基丙烯酸共聚物與金屬離子交聯而成之離子聚合物。例如，可舉出：輻射線硬化型晶圓加工用黏著帶(專利文獻1)，其由包含離子聚合物和含有聚醚成分之抗靜電樹脂之樹脂組成物構成；及切割膜基材用樹脂組成物(專利文獻2)，其含有離聚物和以乙烯、甲基丙烯酸及甲基丙烯酸烷基酯作為構成成分之聚合物。
又，作為如上述那樣的包含離子聚合物之樹脂組成物，亦已知有包含聚醯胺及如下共聚物的離子聚合物之離子聚合物/聚醯胺摻合物(專利文獻3)，該共聚物含有乙烯及α,β-乙烯性不飽和羧酸。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-210887號公報
[專利文獻2]日本專利特開2012-89732號公報
[專利文獻3]日本專利特表2000-516984號公報
組合了離子聚合物和抗靜電樹脂而成之專利文獻1中所記載的晶圓加工用黏著帶，雖然抗靜電性優異，但是沒有有關耐熱性之記載。又，關於組合了離子聚合物、以乙烯、(甲基)丙烯酸及(甲基)丙烯酸烷基酯作為構成成分之聚合物之專利文獻2的切割膜基材用樹脂組成物中，雖然記載有耐熱性得到了提高，但是實 施例中的耐熱性試驗結果，包括比較例之所有樣品為○(未拉長)，認為相對於現有技術耐熱性並未顯著提高。進而，關於專利文獻3中所記載的離子聚合物摻合物，其用於成形組件等的製造，但是沒有關於切割膜等的與半導體相關聯之用途之記載。又，由於該摻合物包含多達40~60質量%的聚醯胺，因此能夠進行造粒，但是膜無法成形。
本發明係鑑於該種現有技術所具有之問題點而完成，其課題在於提供一種耐熱性優異並且保持晶片分斷性與擴張性的平衡之切割膜基材及切割膜。
亦即，依本發明，提供一種以下所示之切割膜基材及切割膜。
[1]一種切割膜基材，其包括：第1樹脂層，其由樹脂組成物構成，該樹脂組成物含有：選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(A)30質量份以上且95質量份以下、選自由聚醯胺及聚胺酯所構成之群組中之至少1種樹脂(B)5質量份以上且小於40質量份及除了前述聚醯胺以外的抗靜電劑(C)0質量份以上且30質量份以下(其中，將成分(A)、成分(B)及成分(C)的總計設為100質量份)；及第2樹脂層，其包括選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(D)。
[2]如[1]所述之切割膜基材，其中前述抗靜電劑(C)的含量係0質量份。
[3]如[1]所述之切割膜基材，其中前述抗靜電劑(C)的含量係5質量份以上且30質量份以下。
[4]如[1]至[3]中任一項所述之切割膜基材，其中前述聚胺酯係熱塑性聚胺酯彈性體。
[5]一種切割膜，其特徵在於，具有：如[1]至[4]中任一項所述之切割膜基材；及積層於前述切割膜基材的至少一個面之黏著層。
本發明提供一種具有優異之耐熱性且作為切割膜顯示出保持良好的平衡之晶片分斷性和擴張性之切割膜基材及切割膜。
1‧‧‧第1樹脂層
2‧‧‧第2樹脂層
10‧‧‧切割膜基材
11‧‧‧黏著層
20‧‧‧切割膜
圖1係表示本發明的切割膜基材的一實施形態之剖面圖。
圖2係表示本發明的切割膜的一實施形態之剖面圖。
以下，對本發明的切割膜基材進行詳細的說明，並且亦對切割膜進行詳述。
另外，本說明書中，表示數值範圍之「~」的標記係指包含數值範圍的下限值及上限值。
又，「(甲基)丙烯酸」係包含「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」這兩者而使用之標記，「(甲基)丙烯酸酯」係包含「丙烯酸酯」及「甲基 丙烯酸酯」這兩者而使用之標記。
1.切割膜基材
本發明的第1態樣係切割膜基材。圖1係表示本發明的切割膜基材的一實施形態之剖面圖。如圖1所示，本實施形態的切割膜基材10具有積層有第1樹脂層1及第2樹脂層2之結構。接著，對各層進行說明。
1-1.第1樹脂層
第1樹脂層係由樹脂組成物構成之層，該樹脂組成物含有：選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(A)30質量份以上且95質量份以下、選自由聚醯胺及聚胺酯所構成之群組中之至少1種樹脂(B)5質量份以上且小於40質量份及除了前述聚醯胺以外的抗靜電劑(C)0質量份以上且30質量份以下(其中，將成分(A)、成分(B)及成分(C)的總計設為100質量份)。該種樹脂組成物層的耐熱性優異並且晶片分斷性與擴張性的平衡優異。
<樹脂(A)>
本發明中的樹脂(A)係選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物(以下亦簡稱為「共聚物(A)」)及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物(以下亦簡稱為「離子聚合物(A)」)所構成之群組中之至少1種。本發明中，作為樹脂(A)使用之乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物係上述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的羧基的一部分或全部 被金屬(離子)中和者。本發明中，將乙烯-不飽和羧酸系共聚物的酸基的至少一部分被金屬(離子)中和者設為「離子聚合物」，將乙烯-不飽和羧酸系共聚物的酸基未藉由金屬(離子)中和者設為「共聚物」。
上述共聚物(A)、或構成其離子聚合物(A)之乙烯-不飽和羧酸系共聚物係由乙烯和不飽和羧酸共聚合之至少二元的共聚物，進而，亦可以是由第3共聚合成分所共聚合之三元以上的多元共聚物。另外，乙烯-不飽和羧酸系共聚物可以單獨使用一種，亦可以併用二種以上的乙烯-不飽和羧酸系共聚物。
作為構成乙烯-不飽和羧酸二元共聚物之不飽和羧酸，可舉出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸(Ethacrylic acid)、衣康酸、衣康酸酐、富馬酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐等碳數4~8的不飽和羧酸等。尤其較佳為丙烯酸或甲基丙烯酸。
乙烯-不飽和羧酸系共聚物(A)係三元以上的多元共聚物時，可以包含形成多元共聚物之單體(第3共聚合成分)。作為第3共聚合成分，可舉出不飽和羧酸酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯)、不飽和烴(例如，丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯酯(例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、乙烯基硫酸酯或乙烯基硝酸酯等氧化物、鹵素化合物(例如，氯乙烯、氟乙烯等)、含乙烯基的1級胺化合物、含乙烯基的2級胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等，作為該些共聚合成分，較佳為不飽和羧酸酯。
例如，乙烯-不飽和羧酸系共聚物(A)係三元共聚物之情況下，較佳地可舉出乙烯、不飽和羧酸及不飽和羧酸酯的三元共聚物；乙烯、不飽和羧酸及不飽和烴的三元共聚物等。
作為不飽和羧酸酯，較佳為不飽和羧酸烷基酯，烷基酯的烷基部位的碳數較佳為1~12，更佳為1~8，進一步較佳為1~4。作為烷基部位的例，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、2-乙基己基、異辛基等。
作為不飽和羧酸酯的具體例，可舉出烷基部位的碳數係1~12的不飽和羧酸烷基酯(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯等丙烯酸烷基酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯等甲基丙烯酸烷基酯；馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯等馬來酸烷基酯)等。
在不飽和羧酸烷基酯中，更佳為烷基部位的碳數係1~4的(甲基)丙烯酸烷基酯。
共聚物的形態可以是嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物中的任一種，亦可以是二元共聚物、三元共聚物中的任一種。其中，從工業可用性方面而言，較佳為二元無規共聚物、三元無規共聚物、二元無規共聚物的接枝共聚物或者三元無規共聚物的接枝共聚物，更佳為二元無規共聚物或三元無規共聚物。
作為乙烯-不飽和羧酸系共聚物的具體例，可舉出乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物等二元共聚物；乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸異丁酯共聚物等三元共聚物。又，亦可以使用作為乙烯-不飽和羧酸系共聚物上市之市售品，能夠使用例如由DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO,.LTD.製造的NUCREL系列 (註冊商標)等。
乙烯-不飽和羧酸系共聚物中的不飽和羧酸的共聚合比(質量比)較佳為4質量%~20質量%，更佳為5質量%~15質量%。乙烯-不飽和羧酸系共聚物中的不飽和羧酸酯的共聚合比(質量比)較佳為1質量%~20質量%，更佳為5質量%~15質量%。從擴張性的觀點而言，來自不飽和羧酸酯的構成單元的含有比率較佳為1質量%以上，更佳為5質量%以上。又，從防止黏連及熔接之觀點而言，來自不飽和羧酸酯的構成單元的含有比率較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下。
本發明中用作樹脂(A)之離子聚合物(A)較佳為上述乙烯-不飽和羧酸系共聚物中所含之羧基藉由金屬離子以任意比例被交聯(中和)者。作為用於酸基的中和之金屬離子，可舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、銣離子、銫離子、鋅離子、鎂離子、錳離子等金屬離子。該些金屬離子之中，從容易獲得工業產品方面而言，較佳為鎂離子、鈉離子及鋅離子，更佳為鈉離子及鋅離子。
離子聚合物(A)中的乙烯-不飽和羧酸系共聚物的中和度較佳為10%~85%，進一步較佳為15%~82%。若中和度為10%以上，則能夠更加提高晶片分斷性，藉由為85%以下，加工性和成形性優異。
另外，中和度係指乙烯-不飽和羧酸系共聚物所具有之酸基，尤其係指相對於羧基的莫耳數之金屬離子的摻合比率(莫耳%)。
乙烯-不飽和羧酸系共聚物及其離子聚合物的熔融流動速率(MFR)較佳為0.2g/10分鐘~20.0g/10分鐘的範圍，更佳為0.5g/10分鐘~20.0g/10分鐘，進一步較佳為0.5g/10分鐘~18.0g/10 分鐘。若熔融流動速率在前述範圍內，則成形時有利。
另外，MFR係藉由以JIS K7210-1999為基準之方法，在190℃、荷重2160g下測量之值。
相對於樹脂(A)、後述之樹脂(B)及後述之抗靜電劑(C)的總計量，構成第1樹脂層之樹脂組成物中的樹脂(A)的含量為30質量份以上且95質量份以下，較佳為40質量份以上且90質量份以下，更佳為50質量份以上且90質量份以下。
若樹脂(A)的含量在上述範圍內，則膜加工性優異。
<樹脂(B)>
本發明中的樹脂(B)係指選自由聚醯胺及聚胺酯所構成之群組中之至少1種。通常，作為樹脂(A)而使用之乙烯-不飽和羧酸系共聚物和其離子聚合物的熔點低至100℃以下，對其混合熔點高之樹脂之樹脂組成物的耐熱性在推定範圍內稍微有所上升。然而，在熔點比較高之樹脂之中，將聚醯胺及/或聚胺酯與乙烯-不飽和羧酸系共聚物或其離子聚合物(樹脂(A))進行組合，由此可以獲得具有比聚醯胺或聚胺酯的預想之熔點更高之耐熱性之樹脂組成物。進而，使用該種樹脂組成物來製作之膜，除了具有優異之耐熱性之外，作為切割膜還具有保持較佳的平衡之晶片分斷性和擴張性。
作為聚醯胺，可舉出例如草酸、己二酸、癸二酸、十二烷酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、1,4-環己烷二羧酸等羧酸與乙二胺、四亞甲基二胺、五亞甲基二胺、六亞甲基二胺、十亞甲基二胺、1,4-環己基二胺、間茬二胺等二胺的縮聚物、ε-己內醯胺、ω-十二內醯胺等環狀內醯胺開環聚合物、6-胺基己酸、9-胺基壬酸、 11-胺基十一酸、12-胺基十二酸等胺基羧酸的縮聚物或者上述環狀內醯胺、二羧酸與二胺的共聚合等。
聚醯胺亦可以是市售者。具體而言，可舉出尼龍4、尼龍6、尼龍46、尼龍66、尼龍610、尼龍612、尼龍6T、尼龍11、尼龍12、共聚物尼龍(例如，尼龍6/66、尼龍6/12、尼龍6/610、尼龍66/12、尼龍6/66/610等)、尼龍MXD6等。
該些聚醯胺之中，較佳為尼龍6或尼龍6/12。
作為聚胺酯，較佳地使用熱塑性聚胺酯彈性體。作為熱塑性聚胺酯彈性體，可舉出藉由聚異氰酸酯(例如，脂肪族、脂環族或芳香族的二異氰酸酯)、高分子多元醇(例如，聚醚多元醇、聚碳酸酯多元醇、丙烯酸多元醇)及鏈伸長劑(例如，乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、二乙二醇、三乙二醇、雙酚A、對苯二甲醇等二醇類)共聚合而獲得者。
相對於樹脂(A)、樹脂(B)及後述之抗靜電劑(C)的總計量，構成第1樹脂層之樹脂組成物中的樹脂(B)的含量為5質量份以上且小於40質量份，較佳為5質量份以上且35質量份以下，更佳為5質量份以上且30質量份以下。
樹脂(B)的含量小於5質量份時，無法發揮基於樹脂(B)之耐熱性改善效果。又，樹脂(B)的含量為40質量份以上時，變得難以製造包括第1樹脂層及第2樹脂層之切割膜基材。具體而言，樹脂(B)的含量為40質量份以上且小於60質量份時，雖然能夠進行膜成形，但是第1層的擠壓變得不穩定，容易使得成為第1樹脂層之膜的厚度精度不充分。進而，樹脂(B)的含量為60質量份以上時，雖然膜的厚度精度充分，但是存在與第2樹脂層的層間接 黏性下降之傾向。
<抗靜電劑(C)>
構成第1樹脂層之樹脂組成物較佳為除了包含樹脂(A)和樹脂(B)以外，還包含抗靜電劑(C)。抗靜電劑(C)不僅對樹脂組成物賦予抗靜電性，而且還藉由與樹脂(A)及樹脂(B)的相互作用，進一步提高樹脂組成物的耐熱性。
作為抗靜電劑(C)，可舉出高分子型抗靜電劑或界面活性劑等低分子型抗靜電劑等。該些抗靜電劑之中，從因滲出而引起之表面污染得到抑制方面而言，較佳為高分子型抗靜電劑。
高分子型抗靜電劑係指，包含導電性部位(例如，來自聚醚的結構部位、四級銨鹼部位等)及非導電性部位(例如，來自聚醯胺的結構部位、聚乙烯等來自聚烯烴的結構部位、來自丙烯酸酯的結構部位、來自甲基丙烯酸酯的結構部位、來自苯乙烯的結構部位等)，且分子量為300以上(較佳為1000~10000)的共聚物。分子量係藉由GPC測量之聚苯乙烯換算的重量平均分子量。
另外，導電性係指依據ASTM D257測量之表面電阻率為1010Ω/□以下。
作為高分子型抗靜電劑，可舉出例如聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚乙二醇、聚醚酯醯胺、聚醚酯、聚醚聚烯烴、環氧乙烷-表氯醇系共聚物等非離子性高分子型抗靜電劑、聚苯乙烯磺酸等陰離子性高分子型抗靜電劑、含有四級銨鹽的丙烯酸酯聚合物、含有四級銨鹽的苯乙烯聚合物、含有四級銨鹽的聚乙二醇甲基丙烯酸酯聚合物等陽離子系高分子型抗靜電劑等。
更具體而言，可舉出例如具有日本特開平1-163234號公報中所記載之聚醚酯醯胺或日本特開2001-278985號公報中所記載之聚烯烴的嵌段和親水性聚合物的嵌段重複交替地鍵結之結構之嵌段共聚物、及具有由聚合烯烴系單體而成之烯烴系嵌段和由聚合親水性單體而成之親水系嵌段重複交替地鍵結之結構之共聚物。
該些抗靜電劑之中，從與樹脂(A)及樹脂(B)的相溶性或耐熱性及抗靜電性的觀點而言，較佳為聚醚酯醯胺。聚醚酯醯胺係指具有來自聚醯胺的結構部位及來自聚醚的結構部位，且該些結構部位被酯鍵結之共聚物。
作為形成聚醚酯醯胺中的來自聚醯胺的結構部位之聚醯胺，係藉由例如由二羧酸(例：草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、十二烷二酸、對苯二甲酸、間苯二甲酸、1,4-環己烷二羧酸等)、與二胺(例：乙二胺、四亞甲基二胺、五亞甲基二胺、六亞甲基二胺、十亞甲基二胺、2,2,4-三甲基六亞甲基二胺、2,4,4-三甲基六亞甲基二胺、1,3-雙(胺基甲基)環己烷、1,4-雙(胺基甲基)環己烷、伸甲基雙(4-胺基環己烷)、間茬二胺、對茬二胺等)的縮聚；ε-己內醯胺、ω-十二內醯胺等內醯胺的開環聚合；6-胺基己酸、9-胺基壬酸、11-胺基十一酸、12-胺基十二酸等胺基羧酸的縮聚；或者前述內醯胺、二羧酸與二胺的共聚合等而獲得者。該種聚醯胺段為尼龍4、尼龍6、尼龍46、尼龍66、尼龍610、尼龍612、尼龍6T、尼龍11、尼龍12、尼龍6/66、尼龍6/12、尼龍6/610、尼龍66/12、尼龍6/66/610等，尤其較佳為尼龍11、尼龍12等。聚醯胺嵌段的分子量例如為400~5000左右。
另外，作為樹脂(B)使用聚醯胺之情況下，將抗靜電劑(C)作為除了用作樹脂(B)之聚醯胺以外的化合物。
又，作為聚醚嵌段，可例示聚氧乙二醇、聚氧丙二醇、聚氧四亞甲二醇、聚氧乙烯-聚氧丙烯二醇等聚氧烷二醇或者該些混合物等。該些分子量例如為400~6000左右，進一步較佳為600~5000左右。
作為聚醚酯醯胺，較佳為來自聚氧烷基二醇(較佳為聚乙二醇或聚丙二醇)的結構部位相對於聚醚酯醯胺的總質量包含5質量%~80質量%(更佳為15質量%~70質量%)。進而，熔點小於190℃的聚醚酯醯胺較佳為在190℃、2160g荷重下測量之熔融流動速率(MFR)為0.1~1000g/10分鐘(更佳為1~100g/10分鐘)，熔點為190℃以上的聚醚酯醯胺較佳為在230℃、2160g荷重下測量之熔融流動速率為0.1~1000g/10分鐘(更佳為1~100g/10分鐘)。又，聚醚酯醯胺較佳為由示差掃描熱量計(DSC)測量之熔點(表示最大吸熱量之溫度)為130℃~175℃。該種聚醚酯醯胺能夠藉由使分子量為600~5000的聚醯胺、聚氧烷基二醇依需要與羧酸進行反應而獲得。
作為低分子型抗靜電劑，可舉出例如4級銨鹽、吡啶鎓鹽、1級胺基~3級胺基等具有陽離子性基團之陽離子性抗靜電劑、磺酸鹼、硫酸酯鹼、磷酸酯鹼等具有陰離子性基團之陰離子性抗靜電劑、胺基酸抗靜電劑、胺基硫酸酯抗靜電劑等兩性抗靜電劑、胺基醇抗靜電劑、丙三醇抗靜電劑、聚乙二醇抗靜電劑等非離子性抗靜電劑等。
抗靜電劑亦可以使用市售品，作為具體例，可舉出 Sanyo Chemical Industries,Ltd.製造的PELESTAT 230、PELESTAT HC250、PELESTAT 300、PELESTAT 2450、PELECTRON PVL、BASF JAPAN LTD.製造的IRGASTAT P-16、IRGASTAT P-18FCA、IRGASTAT P-20、IRGASTAT P-22等。
又，從提高樹脂組成物的耐熱性之效果之觀點而言，抗靜電劑的熔點較佳為100℃以上且200℃以下，更佳為120℃以上且200℃以下。另外，熔點能夠使用以JIS-K7121(1987年)為基準並由示差掃描熱量計(DSC)測量之熔融溫度。
相對於樹脂(A)、樹脂(B)及抗靜電劑(C)的總計量，構成第1樹脂層之樹脂組成物中的抗靜電劑(C)的含量為0質量份以上且30質量份以下，較佳為5質量份以上且小於30質量份，更佳為5質量份以上且小於25質量份。抗靜電劑(C)的含量小於5質量份時，難以發揮基於抗靜電劑之耐熱性改善效果，若超過30質量份，則有時膜的擴張性劣化。第1樹脂層中的樹脂(A)、樹脂(B)及抗靜電劑(C)的總計含量較佳為80質量%以上且100質量%以下，更佳為90質量%以上且100質量%以下。
<其他聚合物及添加劑>
構成第1樹脂層之樹脂組成物中，在不損害本發明的效果之範圍內，可以依需要添加其他聚合物或各種添加劑。作為前述其他聚合物的例，能夠舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-α-烯烴共聚物(作為α-烯烴，可舉出丙烯、丁烯、辛烯等)等聚烯烴。相對於前述(A)、(B)及(C)的總計100質量份，該種其他聚合物能夠以例如20質量份以下的比例摻合。作為前述添加劑的一例，能夠舉出抗氧化劑、熱穩 定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、顏料、染料、潤滑劑、抗黏連劑、抗靜電劑、抗真菌劑、抗菌劑、阻燃劑、阻燃助劑、交聯劑、交聯助劑、發泡劑、發泡助劑、無機填充劑、纖維強化材料等。從防熱熔接的觀點而言，亦可以少量添加前述添加劑。作為紫外線吸收劑的具體例，能夠舉出二苯甲酮系、苯甲酸酯系、苯并三唑系、氰基丙烯酸酯系、受阻胺系等；作為填充劑的具體例，能夠舉出二氧化矽、黏土、碳酸鈣、硫酸鋇、玻璃珠、滑石等。
<樹脂組成物之製造方法>
構成第1樹脂層之樹脂組成物能夠藉由樹脂(A)、樹脂(B)及藉由期望混合抗靜電劑(C)、進而依需要混合其他聚合物或添加劑來獲得。樹脂組成物之製造方法無特別限定，但是能夠藉由例如將所有成分乾摻合之後熔融混練而獲得。
構成第1樹脂層之樹脂組成物較佳為在230℃、2160g荷重下測量之熔融流動速率(MFR)為1g/10分鐘~50g/10分鐘。尤其，作為樹脂(A)使用了乙烯-甲基丙烯酸共聚物或離子聚合物(A)之情況下，較佳為230℃下的MFR為20g/10分鐘以下。若230℃下的MFR為20g/10分鐘以下，則可獲得140℃下的耐熱性與擴張性的平衡優異之膜。
1-2.第2樹脂層
第2樹脂層係包括樹脂(D)之層，樹脂(D)係選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂。樹脂(D)係與構成第1樹脂層之樹脂 組成物的接黏性高之材料。因此，藉由積層第1樹脂層不會產生層間剝離的問題，而能夠提高切割膜基材的強度，並且能夠維持切割膜所需的晶片分斷性與擴張性的平衡。
<樹脂(D)>
本發明中的樹脂(D)係選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物(以下亦簡稱為「共聚物(D)」)及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物(以下亦簡稱為「離子聚合物(D)」)所構成之群組中之至少1種。本發明中，用作樹脂(D)之乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物係上述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的羧基的一部分或全部被金屬(離子)中和者。本發明中，將乙烯-不飽和羧酸系共聚物的酸基的至少一部分被金屬(離子)中和者稱為「離子聚合物」，將乙烯-不飽和羧酸系共聚物的酸基藉由金屬(離子)中和者稱為「共聚物」。
另外，如下面的詳細說明，樹脂(D)係與構成第1樹脂層之樹脂組成物中所含之樹脂(A)為相同的樹脂。
上述共聚物(D)、或構成其離子聚合物(D)之乙烯-不飽和羧酸系共聚物係由乙烯和不飽和羧酸共聚合之至少二元的共聚物，進而，亦可以是由第3共聚合成分所共聚合之三元以上的多元共聚物。另外，乙烯-不飽和羧酸系共聚物可以單獨使用一種，亦可以併用二種以上的乙烯-不飽和羧酸系共聚物。
作為構成乙烯-不飽和羧酸二元共聚物之不飽和羧酸，可舉出例如丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、衣康酸、衣康酸酐、富馬酸、巴豆酸、馬來酸、馬來酸酐等碳數係4~8的不飽和羧酸等。尤其較佳為丙烯酸或甲基丙烯酸。
乙烯-不飽和羧酸系共聚物(D)係三元以上的多元共聚物時，亦可以包括形成多元共聚物之單體(第3共聚合成分)。作為第3共聚合成分，可舉出不飽和羧酸酯(例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯等(甲基)丙烯酸烷基酯)、不飽和烴(例如丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯酯(例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、乙烯基硫酸酯或乙烯基硝酸酯等氧化物、鹵素化合物(例如氯乙烯、氟乙烯等)、含乙烯基的1級胺化合物、含乙烯基的2級胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等，作為該些共聚合成分，較佳為不飽和羧酸酯。
例如，乙烯-不飽和羧酸系共聚物(D)係三元共聚物之情況下，較佳地舉出乙烯、不飽和羧酸及不飽和羧酸酯的三元共聚物；乙烯、不飽和羧酸及不飽和烴的三元共聚物等。
作為不飽和羧酸酯，較佳為不飽和羧酸烷基酯，烷基酯的烷基部位的碳數較佳為1~12，更佳為1~8，進一步較佳為1~4。作為烷基部位的例，可舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、2-乙基己基、異辛基等。
作為不飽和羧酸酯的具體例，可舉出烷基部位的碳數係1~12的不飽和羧酸烷基酯(例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異辛酯等丙烯酸烷基酯；甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丁酯等甲基丙烯酸烷基酯；馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯等馬來酸烷基酯)等。
不飽和羧酸烷基酯之中，更佳為烷基部位的碳數係1~4的甲 基丙烯酸烷基酯。
共聚物的形態可以是嵌段共聚物、無規共聚物、接枝共聚物中的任一種，亦可以是二元共聚物、三元共聚物中的任一種。其中，從工業可用性方面而言，較佳為二元無規共聚物、三元無規共聚物、二元無規共聚物的接枝共聚物或者三元無規共聚物的接枝共聚物，更佳為二元無規共聚物或三元無規共聚物。
作為乙烯-不飽和羧酸系共聚物的具體例，可舉出乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物等二元共聚物；乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸異丁酯共聚物等三元共聚物。又，亦可以使用作為乙烯-不飽和羧酸系共聚物上市之市售品，能夠使用例如DU PONT-MITSUI POLYCHEMICALS CO,.LTD.製造的NUCREL系列(註冊商標)等。
乙烯-不飽和羧酸系共聚物中的不飽和羧酸的共聚合比(質量比)較佳為4質量%~20質量%，更佳為5質量%~15質量%。乙烯-不飽和羧酸系共聚物中的不飽和羧酸酯的共聚合比(質量比)較佳為1質量%~20質量%，更佳為5質量%~15質量%。從擴張性的觀點而言，來自不飽和羧酸酯的構成單元的含有比率較佳為1質量%以上，更佳為5質量%以上。又，從防止黏連及熔接之觀點而言，來自不飽和羧酸酯的構成單元的含有比率較佳為20質量%以下，更佳為15質量%以下。
本發明中用作樹脂(D)之離子聚合物(D)較佳為上述乙烯-不飽和羧酸系共聚物中所包含之羧基藉由金屬離子以任意的比例被交聯(中和)者。作為用於酸基的中和之金屬離子，可舉出鋰離子、鈉離子、鉀離子、銣離子、銫離子、鋅離子、鎂離子、錳離 子等金屬離子。從容易取得工業產品的方面而言，該些金屬離子之中，較佳為鎂離子、鈉離子及鋅離子，更佳為鈉離子及鋅離子。
離子聚合物(D)中的乙烯-不飽和羧酸系共聚物的中和度較佳為10%~85%，進一步較佳為15%~82%。若中和度為10%以上，則能夠更加提高晶片分斷性，藉由為85%以下，加工性或成形性優異。
另外，中和度係指乙烯-不飽和羧酸系共聚物所具有之酸基，尤其係指相對於羧基的莫耳數之金屬離子的摻合比率(莫耳%)。
乙烯-不飽和羧酸系共聚物及其離子聚合物的熔融流動速率(MFR)較佳為0.2g/10分鐘~20.0g/10分鐘的範圍，更佳為0.5g/10分鐘~20.0g/10分鐘，進一步較佳為0.5g/10分鐘~18.0g/10分鐘。若熔融流動速率在前述範圍內，則成形時有利。
另外，MFR係藉由以JIS K7210-1999為基準之方法在190℃、荷重2160g下測量之值。
第2樹脂層中的樹脂(D)的含量較佳為80質量%以上且100質量%以下，更佳為90質量%以上且100質量%以下。
<添加劑>
構成第2樹脂層之樹脂(D)中，在不損害本發明的效果之範圍內，依需要可以添加各種添加劑或其他樹脂。作為前述添加劑的一例，能夠舉出抗氧化劑、熱穩定劑、光穩定劑、紫外線吸收劑、顏料、染料、潤滑劑、抗黏連劑、抗靜電劑、抗真菌劑、抗菌劑、阻燃劑、阻燃助劑、交聯劑、交聯助劑、發泡劑、發泡助劑、無機填充劑、纖維強化材料等。從防熱熔接的觀點而言，亦可以少量添加 前述添加劑。作為紫外線吸收劑的具體例，能夠舉出二苯甲酮系、苯甲酸酯系、苯并三唑系、氰基丙烯酸酯系、受阻胺系等；作為填充劑的具體例，能夠舉出二氧化矽、黏土、碳酸鈣、硫酸鋇、玻璃珠、滑石等。作為其他樹脂，可舉出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-α-烯烴共聚物等。
1-3.層結構
本發明的切割膜基材係包括上述第1樹脂層及上述第2樹脂層之切割膜基材(參閱圖1)。切割膜基材只要包括上述2層，其層結構無特別限定，但是從防止層間剝離之觀點而言，較佳為第1樹脂層與第2樹脂層直接積層。
構成第1樹脂層之樹脂組成物中所包含之樹脂(A)、構成第2樹脂層之樹脂(D)可以是相同的樹脂，亦可以不同。作為第1樹脂層與第2樹脂層的較佳之組合，從晶片分斷性、擴張性的觀點而言，較佳為乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物與乙烯-不飽和羧酸共聚物的離子聚合物的組合。
切割膜基材可以是成為3層以上之多層結構。例如，積層如下複數個片材時，可以是設置有第2樹脂層之結構，亦可以是由兩個第1樹脂層挾持第2樹脂層之結構，該複數個片材藉由使用構成第1樹脂層之樹脂組成物而成形。又，亦可以是除了積層第1樹脂層與第2樹脂層以外還積層其他樹脂層之結構。
關於構成積層於本發明的切割膜基材之其他樹脂層之樹脂，作為代表例，能夠舉出包括選自直鏈狀低密度聚乙烯(LLDPE)、低密度聚乙烯(LDPE)、乙烯-α烯烴共聚物、聚丙烯及乙 烯-乙烯酯共聚物中之單體或由任意複數個構成之混合物。
又，積層之其他樹脂層可以是功能性層(例如，黏著片材等)，亦可以是聚烯烴膜(或片材)、聚氯乙烯膜(或片材)等的基材。前述基材亦可以是具有單層或多層的任一結構者。本發明中，包括該些基材在內將其稱為「切割膜基材」。
為了提高切割膜基材表面的接黏力，亦可以在切割膜基材表面實施例如電暈放電處理等習知之表面處理。
又，從提高耐熱性的觀點而言，亦可以依需要對第1樹脂層、第2樹脂層及其他樹脂層、或切割膜基材進行電子束照射。
1-4.製造方法
作為本發明的切割膜基材之製造方法，可舉出分別藉由習知之方法將構成第1樹脂層之樹脂組成物及構成第2樹脂層之樹脂(D)加工成膜狀來進行積層之方法。將樹脂組成物或樹脂加工成膜狀之方法無特別限定，但是能夠藉由例如習知之T字模壓鑄成形法、T字模夾鉗成形法、充氣成形法、擠出層壓法、壓延成形法等各種成形方法來製造膜。
又，本發明的切割膜基材能夠藉由將構成第1樹脂層之樹脂組成物、構成第2樹脂層之樹脂(D)附加到例如共擠出層壓板來進行製造。
例如，藉由T字模具膜成形機、或擠出塗佈成形機等將構成第1樹脂層之樹脂組成物積層於成為第2樹脂層之樹脂(D)的膜表面之情況下，為了提高與第2樹脂層的接黏性，亦可以藉由共擠塗佈成形機經由接黏性樹脂層而形成。作為該種接黏性樹脂， 作為代表例，能夠舉出包括選自前述各種乙烯共聚物、或者該些不飽和羧酸接枝物中之單體或由任意複數個構成之混合物。
又，作為本發明的切割膜基材的成形例，可舉出使用T字模具膜成形機或擠出塗佈成形機，在成為第2樹脂層之樹脂(D)的膜表面熱接黏構成第1樹脂層之樹脂組成物，藉此形成多重層體之方法。
另外，對在成為第2樹脂層之樹脂(D)的膜上形成由成為第1樹脂層之樹脂組成物構成之層之方法進行了記載，但是與此相反地，即使利用在成為第1樹脂層之樹脂組成物的膜上形成由成為第2樹脂層之樹脂(D)構成之層或者在其他樹脂層上設置第1樹脂層或第2樹脂層之方法，亦能夠製造本發明的切割膜基材。
對切割膜基材的厚度無特別限定，但是若考慮用作切割膜的構成構件，則從保持切割時的框架的觀點而言，較佳為65μm以上，從擴張性的觀點而言，較佳為200μm以下。又，構成切割膜基材之各樹脂層的厚度，只要該些總計不超過切割膜基材的上述厚度，則無特別限定，但是較佳為第1樹脂層、第2樹脂層一同為30μm以上且100μm以下，第1樹脂層與第2樹脂層的厚度之比較佳為30/70~70/30。
2.切割膜
本發明的第2態樣係具備上述之本發明的切割膜基材及積層於其至少一個面之黏著層之切割膜。圖2係表示本發明的切割膜20的一實施形態之剖面圖。如圖2所示，本發明的切割膜20具有包括第1樹脂層1及第2樹脂層2之切割膜基材10及設置於其表面 之黏著層11。
從耐熱性的觀點而言，切割膜較佳為以第1樹脂層成為最表層的方式構成，進而，更佳為在其最表層形成有黏著層之結構。黏著層配置於切割膜基材的表面。能夠經由該黏著層將切割膜貼附於半導體晶圓，並進行半導體晶圓的切割。
如前述，本發明的切割膜基材具有優異之耐熱性，因此本發明的切割膜亦相同地係具有優異之耐熱性並且晶片分斷性與擴張性的平衡優異之膜。因此，若使用本發明的切割膜，則能夠有效且以高精度加工半導體晶圓。
<黏著層>
本發明的切割膜係具備本發明的切割膜基材及設置於切割膜基材的單面之黏著層者，在黏著層黏貼固定有成為切割加工的對象之半導體晶圓。黏著層的厚度亦取決於黏著劑的種類，但是較佳為3~100μm，進一步較佳為3~50μm。
作為構成黏著層之黏著劑，能夠使用習知之黏著劑。黏著劑的例中包括橡膠系、丙烯酸系、聚矽氧系、聚乙烯醚系的黏著劑；輻射線硬化型黏著劑；加熱發泡型黏著劑等。其中，若考慮從半導體晶圓的切割膜剝離性等，則黏著層較佳為包括紫外線硬化型黏著劑。
能夠構成黏著層之丙烯酸系黏著劑的例中包括(甲基)丙烯酸酯的單獨聚合物及(甲基)丙烯酸酯與共聚性單體的共聚物。(甲基)丙烯酸酯的具體例中包括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯 酸辛酯、(甲基)丙烯酸異壬酯等(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯等(甲基)丙烯酸羥烷基酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等。
與甲基丙烯酸酯的共聚性單體的具體例中包括(甲基)丙烯酸、衣康酸、馬來酸酐、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯酸N-羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯(例如，甲基丙烯酸二甲胺乙酯、甲基丙烯酸第三丁胺基乙酯等)、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。
能夠構成黏著層之紫外線硬化型黏著劑無特別限定，但是含有上述丙烯酸系黏著劑、紫外線硬化成分(能夠在丙烯酸系黏著劑的聚合物側鏈加成碳-碳雙鍵之成分)及光聚合起始劑。進而，對紫外線硬化型接黏劑依需要亦可以添加交聯劑、黏著賦予劑、填充劑、抗老化劑、著色劑等添加劑等。
紫外線硬化型黏著劑中所含之紫外線硬化成分係例如在分子中具有碳-碳雙鍵且能夠藉由自由基聚合進行硬化之單體、寡聚物或聚合物。紫外線硬化成分的具體例中包括三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己烷二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸與多元醇的酯及其寡聚物；2-丙烯基二-3-丁烯基氰脲酸酯、2-羥乙基雙(2-丙烯醯氧乙基)異氰脲酸酯、三(2-丙烯醯氧乙基)異氰脲酸酯、三(2-甲基丙烯醯氧乙基)異氰脲酸酯等異氰脲酸酯等。
紫外線硬化型黏著劑中所包含之光聚合起始劑的具體例中包括苯偶姻甲醚、苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚等苯偶姻烷 基醚類、α-羥基環己基苯基酮等芳香族酮類、苄基二甲基縮酮等芳香族縮酮類、聚乙烯基二苯甲酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮等噻噸酮類等。
紫外線硬化型黏著劑中所含之交聯劑的例中包括聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、聚胺、含有羧基的聚合物等。
在本發明的切割膜的黏著層的表面較佳為貼附隔離件。能夠藉由貼附隔離件，平滑地保持黏著層的表面。又，易於操作或搬運半導體製造用膜，並且亦能夠在隔離件上處理標籤。
隔離件可以是紙或聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等合成樹脂膜等。又，在與隔離件的黏著層接觸之面上，為了提高自黏著層的剝離性，亦可以依需要實施聚矽氧處理或氟處理等離型處理。隔離件的厚度通常為10~200μm，較佳為25~100μm左右。
<切割膜之製造方法>
製造本發明的切割膜時，能夠使用習知之方法，例如凹版輥塗機、反轉輥塗機、輕觸輥塗機、浸漬輥塗機、棒塗機、刮刀塗佈機、噴塗機等將黏著劑直接塗佈於切割膜基材之方法、或者藉由上述習知之方法在剝離片材上塗佈黏著劑並設置黏著層之後貼附於切割膜基材的表面層並對黏著層進行轉印之方法等。
又，亦能夠藉由對構成第1樹脂層之樹脂組成物及構成黏著層之材料進行共擠而獲得積層膜(共擠成形法)，並在其上設置第2樹脂層來製造切割膜。
又，亦可以依需要對黏著劑組成物的層實施加熱交聯而將其作為黏著層。
進而，亦可以在黏著層的表面上貼附隔離件。
[實施例]
接著，依實施例對本發明進行詳細的說明，但是本發明不限定於該些實施例。另外，只要無特別說明，「份」係質量基準。
1.樹脂(A)
作為樹脂(A)，準備了下述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物(以下，稱為「離子聚合物」)及乙烯-不飽和羧酸系共聚物(以下，簡稱為「共聚物」)。另外，下述樹脂的熔融流動速率(MFR)係以JIS K7210(1999)為基準在190℃、2160g荷重下測量之值。
‧離子聚合物1(IO1)
乙烯含量：80質量%、甲基丙烯酸含量：10質量%、丙烯酸丁酯含量：10質量%、中和度：70%鋅中和、MFR：1g/10分鐘
‧離子聚合物2(IO2)
乙烯含量：85質量%、甲基丙烯酸含量：15質量%、中和度：59%鋅中和、MFR：1g/10分鐘
‧離子聚合物3(IO3)
乙烯含量：89質量%、甲基丙烯酸含量：11質量%、中和度：65%鋅中和、MFR：5g/10分鐘
‧離子聚合物4(IO4)
乙烯含量：85質量%、甲基丙烯酸含量：15質量%、中和度： 23%鋅中和、MFR：5g/10分鐘
‧離子聚合物5(IO5)
乙烯含量：90質量%、甲基丙烯酸含量：10質量%、中和度：50%鈉中和、MFR：1g/10分鐘
‧共聚物(EMAA1)
乙烯含量：91質量%、甲基丙烯酸含量：9質量%、MFR3g/10分鐘
‧共聚物(EMAA2)
乙烯含量：79質量%、甲基丙烯酸含量：11質量%、丙烯酸丁酯：10質量%、MFR10g/10分鐘
2.樹脂(B)
作為樹脂(B)準備了下述樹脂。
‧聚醯胺1(PA1)：尼龍6(TORAY INDUSTRIES,INC.製造的AMILAN CM1021XF)
‧聚醯胺2(PA2)：尼龍6-12(UBE INDUSTRIES,LTD.製造的UBE尼龍7024B)
‧聚胺酯(TPU)：熱塑性聚胺酯彈性體(TOSOH CORPORATION製造的MIRACTRAN P485RSUI)
3.抗靜電劑(C)
作為抗靜電劑準備了下述化合物。
‧聚醚酯醯胺(PEEA)：Sanyo Chemical Industries,Ltd.製造的PELESTAT 230
4.樹脂(D)
作為樹脂(D)準備了下述樹脂。
‧離子聚合物1(IO1)(與用作樹脂(A)者相同)
乙烯含量：80質量%、甲基丙烯酸含量：10質量%、丙烯酸丁酯含量：10質量%、中和度：70%鋅中和、MFR：1g/10分鐘
‧乙烯-不飽和羧酸系共聚物(EMAA1)
乙烯含量：91質量%、甲基丙烯酸含量：9質量%、MFR：3g/10分鐘
‧其他樹脂(LDPE1)
低密度聚乙烯、MFR：1.6g/10分鐘、密度：921kg/m3
(實施例1)
將表1所示之比例(質量%)的樹脂(A)及樹脂(B)進行了乾摻合。接著，向30mmφ雙軸擠出機的樹脂投入口投入經乾摻合之混合物，在模具溫度230℃下進行熔融混練，藉此獲得了第1樹脂層用樹脂組成物。
對獲得之第1樹脂層用樹脂組成物，根據JIS K7210(1999)在230℃、2160g荷重下測量MFR，並將其記載於表1中。
使用2種2層40mmφT型模具膜成形機，將獲得之第1樹脂層用樹脂組成物和第2樹脂層用樹脂(D)投入到各自的押出機，在加工溫度240℃的條件下進行成形，製作了100μm厚的2種2層T型模具膜。
藉由上述，獲得了具有二層結構之100μm厚的積層 膜(第1層與第2層的厚度比=50/50)。將獲得之積層膜作為切割膜基材，藉由下述方法進行了評價。評價結果示於表1。
(1)160℃耐熱性
將切割膜基材分別裁切成MD方向(Machine Direction，縱向)10cm×TD方向(Transverse Direction，橫向)3cm作為評價用膜。在評價用膜的MD方向中央部中，沿MD方向記入了長度60mm的標線。
將各評價用膜在160℃、5g荷重下放置2分鐘之後，測量其標線長度，算出了相對於加熱試驗前的標線的長度之加熱試驗後的標線的長度。
加熱試驗後的標線的長度[%]=(加熱試驗後的標線長度/60mm)×100
標線長度為100係指膜經加熱未發生變化，標線長度超過100之情況係指膜經加熱而伸長，標線長度小於100之情況係指膜經加熱而縮短。
基於加熱試驗後的標線的長度，並依以下基準，對160℃耐熱進行了評價。
◎：加熱試驗後的標線的長度為100.0
○：加熱試驗後的標線的長度為100.1~110.0、或90.0~99.9
△：加熱試驗後的標線的長度為110.1~115.0、或86.0~89.9
×：加熱試驗後的標線的長度為115.1以上、或85.9以下
(2)層間接黏性
對切割膜基材的第1層與第2層之間的接黏強度，以剝離角度90°(T剝離)、剝離速度300mm/min、試驗片寬15mm進行剝離時的強度(N/15mm)來表示。
進而，基於接黏強度，並依以下的基準，對層間接黏性進行了評價。
○：第1樹脂層與第2樹脂層的層間接黏強度為5N/15mm以上
×：第1樹脂層與第2樹脂層的層間接黏強度小於5N/15mm
(3)表面電阻率
根據JIS K6911，使用Mitsubishi Chemical Corporation.製造的Hiresta-UP，在23℃、50%相對濕度環境下設為施加電壓500V、測量時間30秒鐘而測量了表面電阻率。
(4)擴張性(擴張率)
從切割膜基材切取MD方向300mm以上×TD方向300mm以上的四邊形，使用油性筆等筆記用具在其上描繪出了141mm正方的正方形(以下稱為測量對象)。在8吋晶圓用晶圓擴張裝置(Technovision,Inc.製造的晶圓擴張裝置TEX-218G GR-8)上配設了測量對象。此時，配設成晶圓擴張裝置的台中心與測量對象上所描繪之正方形的中心重合。接著，將台提升15mm，並對切割膜基材進行擴張之後靜置60秒鐘，從而測量了在測量對象上描繪之正方形的各邊長度(邊長)。關於獲得之MD方向邊長2點，分別計算伸長率(%)(=擴張後的邊長/擴張前的邊長×100)，將其平均值設為擴張 率[%]。擴張率較佳為103%以上。
(5)拉伸試驗(模數)
將切割膜基材裁切成10mm寬的長條狀並設為測量對象。根據JIS K7127，測量了測量對象的MD方向、TD方向各自的25%模數。另外，將試驗速度設為500mm/分鐘。
從晶片分斷性的觀點而言，25%模數較佳為8Mpa以上。
(實施例2~15、比較例1~5)
將樹脂(A)、樹脂(B)、抗靜電劑(C)及樹脂(D)的種類及量、以及第1樹脂層及第2樹脂層的厚度變更為如表1及表2所示，除此以外，以與實施例1相同的方式，製作了包括第1樹脂層及第2樹脂層之積層膜。另外，對於抗靜電劑(C)，以與樹脂(A)及樹脂(B)一同記載於表1中的量來進行乾摻合而使用。
將獲得之積層膜設為切割膜基材，藉由上述方法進行了評價。將評價結果示於表1及表2。
從表1及表2所示之結果明顯可知，具有由以樹脂(A)及樹脂(B)作為必須成分而包含之樹脂組成物構成之第1樹脂層之實施例1~15的切割膜基材，與具有由單獨的樹脂(A)構成之第1樹脂層之比較例1相比，160℃耐熱性試驗後的膜的變化少，顯示了更優異之耐熱性。
又，第2樹脂層包含選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(D)之實施例1~15的切割膜基材，與具有由其他 樹脂(低密度聚乙烯)構成之第2樹脂層之比較例2的切割膜基材相比，膜層間接黏力高，完全看不到層間剝離。作為樹脂(D)使用了乙烯-不飽和羧酸系共聚物(EMAA)及乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物(IO)中的任一個之情況下，亦確認到該種優異之層間接黏性。
進而，包含過量的抗靜電劑(C)之比較例4及包含過量(其中，40質量份以上且小於60質量份)的樹脂(B)之比較例5中，雖然能夠使用樹脂組成物成形膜，但是第1樹脂層的擠壓變得不穩定，膜的厚度精度不充分，因此未能測定各種物性。然而，進而在包含過量(60質量份以上)的樹脂(B)之比較例3中，雖然能夠成形具有第1樹脂層及第2樹脂層之積層膜，但是膜的層間接黏力低。
本申請主張基於2016年12月27日申請的日本專利申請2016-253244之優先權。記載於該申請說明書中之內容全部援用於本申請說明書中。
(產業上之可利用性)
本發明的切割膜基材具有優異之耐熱性，並且晶片分斷性與擴張性的平衡優異。因此，藉由使用本發明的切割膜基材及切割膜，能夠順利地實施製造半導體時的切割步驟及連續之擴張步驟，並能夠製造無殘留帶或變形之半導體。

Claims (5)

  1. 一種切割膜基材，其包括：第1樹脂層，其由樹脂組成物構成，該樹脂組成物含有：選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(A)30質量份以上且95質量份以下；選自由聚醯胺及聚胺酯所構成之群組中之至少1種樹脂(B)5質量份以上且小於40質量份；及前述聚醯胺以外的抗靜電劑(C)0質量份以上且30質量份以下(其中，將成分(A)、成分(B)及成分(C)的總計設為100質量份)；及第2樹脂層，其包括選自由乙烯-不飽和羧酸系共聚物及前述乙烯-不飽和羧酸系共聚物的離子聚合物所構成之群組中之至少1種樹脂(D)。
  2. 如請求項1之切割膜基材，其中，前述抗靜電劑(C)的含量係0質量份。
  3. 如請求項1之切割膜基材，其中，前述抗靜電劑(C)的含量係5質量份以上且30質量份以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之切割膜基材，其中，前述聚胺酯係熱塑性聚胺酯彈性體。
  5. 一種切割膜，其具有：請求項1至3中任一項之切割膜基材；及積層於前述切割膜基材的至少一個面之黏著層。
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