DE102019208701A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

Waferbearbeitungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102019208701A1
DE102019208701A1 DE102019208701.9A DE102019208701A DE102019208701A1 DE 102019208701 A1 DE102019208701 A1 DE 102019208701A1 DE 102019208701 A DE102019208701 A DE 102019208701A DE 102019208701 A1 DE102019208701 A1 DE 102019208701A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
wafer
processing method
polyolefin
thermocompression
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE102019208701.9A
Other languages
English (en)
Inventor
Hayato Kiuchi
Keisuke Yamamoto
Taichiro Kimura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102019208701A1 publication Critical patent/DE102019208701A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255—Polyesters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02016—Backside treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2170/00—Compositions for adhesives
    • C08G2170/40—Compositions for pressure-sensitive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet einen WaferBereitstellungsschritt des Bereitstellens des Wafers durch Platzieren entweder einer Polyolefinfolie oder einer Polyesterfolie, die jeweils eine Größe, die gleich groß wie oder größer als diejenige des Wafers ist, aufweist, an einer ebenen obere Oberfläche eines Tragtisches und des Positionierens einer vorderen Oberfläche des Wafers an einer oberen Oberfläche der Folie, einen Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt, des Evakuierens einer umschließenden Umgebung, in der die Wafer über die Folie am Tragtisch bereitgestellt ist, des Erwärmens der Folie, des Drückens des Wafers, um den Wafer mit der Folie unter Druck zu verbinden, wodurch ein erhöhter Abschnitt ausgebildet wird, von dem ein äußerer Umfang der Wafer umgeben ist, einen Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche des Bearbeitens der hinteren Oberfläche des Wafers und einen Abziehschritt des Wafers von der Folie.

Description

  • TECHNISCHER HINTERGRUND
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten einer hinteren Oberfläche eines Wafers.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Bei einem Bearbeiten eines Wafers, der mehrere Bauelemente wie beispielsweise integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integrations (LSIs) an seiner vorderen Oberfläche aufweist, wobei die mehreren Bauelemente durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien, die an der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, unterteilt sind, wird eine hintere Oberfläche des Wafers unter Benutzung einer Schleifvorrichtung geschliffen, um dadurch eine Dicke des Wafers auf eine vorgegebene Dicke zu reduzieren. Danach wird der Wafer unter Benutzung einer Teilungsvorrichtung (Teilungssäge) entlang der Teilungslinien geteilt, um dadurch mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten. Die so geteilten Bauelementchips werden in elektrischen Geräten wie beispielsweise Mobiltelefonen und PCs eingesetzt.
  • Die Schleifvorrichtung weist einen Einspanntisch mit einer Halteoberfläche zum Halten eines Wafers daran, eine Schleifeinheit, die drehbar mit einer Schleifscheibe versehen ist, die eine obere Oberfläche des am Einspanntisch gehaltenen Wafers schleift, und ein Zuführmittel, das einen Schleifstein zuführt, auf, und kann eine Dicke des Wafers durch ein Schleifen des Wafers auf eine gewünschte Dicke reduzieren (siehe Japanische Offenlegungsschrift Nr. 2005 - 246491 ) .
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Wenn die hintere Oberfläche des Wafers unter Benutzung der Schleifvorrichtung geschliffen wird, kann in einigen Fällen ein Schutzband mit einer Haftschicht an der vorderen Oberfläche des Wafers angebracht werden, um zu verhindern, dass die mehreren an der Seite der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildeten Bauelemente aufgrund eines Kontaktes zwischen der Halteoberfläche des Einspanntisches und der vorderen Oberfläche des Wafers beschädigt werden. Wenn der Wafer jedoch mit dem an der vorderen Oberfläche des Wafers vorgesehenen Schutzband am Einspanntisch platziert wird und dann von der Schleifvorrichtung geschliffen wird, wird eine intensive Last in einer Schleifzufuhrrichtung (vertikale Richtung) und einer horizontalen Richtung aufgebracht, so dass der Wafer in Bezug auf das an der vorderen Oberfläche des Wafers vorgesehene Schutzband verschoben wird, was zu einem Schaden am Wafer führt.
  • Insbesondere in einem Fall, in dem mehrere vorstehende, als Bumps bezeichnete, Elektroden an dem an der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildeten Bauelement ausgebildet sind, wird ein Kontaktbereich zwischen der vorderen Oberfläche des Wafers und dem Schutzband relativ klein, und als eine Folge wird der Wafer nicht stabil durch das Schutzband getragen, wodurch der Schaden am Wafer wie oben beschrieben leicht verursacht wird.
  • Zusätzlich haftet ein Haftmittel, ein Wachs oder dergleichen, das bei einem Anbringen des Schutzbandes am Wafer verwendet wird, wenn das Schleifen beendet ist und das Schutzband von der vorderen Oberfläche des Wafers abgezogen wird, an den Bumps, sodass es darauf zu verbleibt, was die Qualität des Bauelements verschlechtert. Wenn ein Schritt eines Entfernens des Haftmittels, des Wachses oder dergleichen nach dem Abziehschritt hinzugefügt wird, um das obige Problem zu beseitigen, wird die Produktivität ebenfalls verringert. Als Alternative wird ein Verfahren vorgeschlagen, bei dem ein flüssiger Kunststoff anstelle des Schutzbandes auf die vordere Oberfläche des Wafers aufgebracht wird und dann eine Kunststoffschicht ausgebildet wird, um die vordere Oberfläche des Wafers zu schützen. Bei diesem Verfahren erfordert jedoch ein Schritt des vollständigen Entfernens des flüssigen Kunststoffs von der vorderen Oberfläche des Wafers einen hohen Arbeitsaufwand. Dementsprechend verursacht dieses Verfahren ebenfalls ein Problem hinsichtlich der Qualität des Bauelements und der Produktivität.
  • Es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das eine Produktivität und Qualität eines Bauelements nicht verringert, wenn eine hintere Oberfläche eines Wafers bearbeitet wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten einer hinteren Oberfläche eines Wafers bereitgestellt, der mehrere Bauelemente aufweist, die an einer vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, wobei die mehreren Bauelemente einzeln durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien, die an der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, geteilt sind, wobei das Verfahren beinhaltet: einen Waferbereitstellungsschritt des Bereitstellens des Wafers durch ein Platzieren entweder einer Polyolefinfolie oder einer Polyesterfolie, die jeweils eine Größe aufweist, die gleich groß wie oder größer als diejenige des Wafers ist, an einer ebenen oberen Oberfläche eines Tragtischs, und des Positionierens der vorderen Oberfläche des Wafers an einer oberen Oberfläche der Folie; einen Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt des Evakuierens einer umschließenden Umgebung, in der der Wafer über die Folie am Tragtisch bereitgestellt ist, des Erwärmens der Folie, des Drückens des Wafers, um den Wafer nach einem Ausführen des Waferbereitstellungsschrittes unter Druck mit der Folie zu verbinden, wobei ein erhöhter Abschnitt ausgebildet wird, von dem ein äußerer Umfang des Wafers umgeben ist; einen Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche des Bearbeitens der hinteren Oberfläche des Wafers nach einem Ausführen des Folien-Thermokompressionsverbindungsschritts; und einen Abziehschritt des Abziehens des Wafers von der Folie nach einem Ausführen des Bearbeitungsschrittes der hinteren Oberfläche.
  • Bevorzugt weist der Tragtisch ein Heizmittel auf und der Tragtisch wird im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt durch das Heizmittel erwärmt. Außerdem ist die obere Oberfläche des Tragtisches mit einem Fluorkunststoff beschichtet. Bevorzugt wird im Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche ein Schleifen an der hinteren Oberfläche des Wafers durchgeführt. Bevorzugt wird die Polyolefinfolie aus der Gruppe ausgewählt, die aus einer Polyethylenfolie, einer Polypropylenfolie und einer Polystyrenfolie besteht.
  • In einem Fall, in dem die Polyolefinfolie ausgewählt ist, beinhaltet die Polyolefinfolie bevorzugt die Polyethylenfolie, und die Polyolefinfolie wird im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 120°C bis 140°C erwärmt. In einem Fall, in dem die Polyolefinfolie ausgewählt ist, beinhaltet die Polyolefinfolie auch bevorzugt die Polypropylenfolie, und die die Polyolefinfolie wird im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt. In einem Fall, in dem die Polyolefinfolie ausgewählt ist, beinhaltet die Polyolefinfolie ferner die Polystyrenfolie, und die Polyolefinfolie wird im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 220°C bis 240°C erwärmt.
  • Bevorzugt ist die Polyesterfolie aus der Gruppe ausgewählt, die aus einer Polyethylenterephthalatfolie und einer Polyethylennaphthalatfolie besteht. In einem Fall, in dem die Polyesterfolie ausgewählt ist, beinhaltet die Polyesterfolie bevorzugt die Polyethylenterephthalatfolie, und die Polyesterfolie wird im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 250°C bis 270°C erwärmt. In einem Fall, in dem die Polyesterfolie ausgewählt ist, beinhaltet die Polyesterfolie bevorzugt die Polyethylennaphthalatfolie, und die Polyesterfolie wird im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird der Wafer von der Folie mit einer ausreichenden Kraft getragen, wodurch eine Beschädigung des Wafers auch dann verhindert wird, wenn die hintere Oberfläche des Wafers einer Bearbeitung unterzogen wird. Selbst wenn mehrere Bumps an der vorderen Oberfläche jedes Bauelements ausgebildet sind, werden die Bumps in die Folie eingebettet, was ein sicheres Tragen des Wafers an der Folie ermöglicht. Folglich wird eine Spannung bei einem Schleifen der hinteren Oberfläche des Wafers verteilt, so dass ein Problem des Verursachens von Schaden am Wafer beseitigt wird.
  • Ferner kann gemäß dem Bearbeitungsverfahren der vorliegenden Erfindung, da der Wafer durch ein Thermokompressionsverbinden mit der Folie verbunden wird, auch wenn die Folie von der hinteren Oberfläche des Wafers abgezogen wird, wenn der Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche abgeschlossen ist, das Problem nicht auftreten, dass ein Haftmittel, ein Wachs, ein flüssiger Kunststoff oder dergleichen auf dem Bump verbleibt, wodurch ein Problem der Qualitätsverschlechterung des Bauelements beseitigt wird.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine Explosions-Perspektivenansicht, die eine Umsetzungsweise eines Waferbereitstellungsschrittes in einem Waferbearbeitungsverfahren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
    • 1B ist eine Perspektivansicht, die einen Zustand darstellt, in dem der Wafer im Waferbereitstellungsschritt von 1A über eine Folie an einem Tragtisch platziert ist;
    • 2A bis 2C sind Seitenansichten, die eine Umsetzungsweise eines Folien-Thermokompressionsverbindungsschritts im Waferbearbeitungsverfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform darstellen;
    • 3 ist eine Seitenansicht, die eine durch den in den 2A bis 2C dargestellten Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt erhaltene Wafereinheit darstellt, mit einer teilweise vergrößerten Querschnittsansicht, in der ein Teil der Wafereinheit in einem eingekreisten Bereich in einem vergrößerten Schnitt dargestellt ist;
    • Die 4A und 4B sind Perspektivansichten, die eine Umsetzungsweise eines Bearbeitungsschrittes der hinteren Oberfläche im Waferbearbeitungsverfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform darstellen;
    • Die 5A und 5B sind Perspektivansichten, die einen Abziehschritt im Waferbearbeitungsverfahren gemäß der bevorzugten Ausführungsform darstellen;
    • 6A ist eine Perspektivansicht, die einen Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt gemäß einer Modifikation der bevorzugten Ausführungsform darstellt; und
    • 6B ist eine vergrößerte Querschnittsansicht eines wesentlichen Teils von 6A.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform eines Bearbeitungsverfahrens zum Bearbeiten einer hinteren Oberfläche eines Wafers, das gemäß dieser Erfindung ausgestaltet ist, wird unten unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ausführlich beschrieben. Bei einem Durchführen des Waferbearbeitungsverfahrens gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden zunächst, wie in 1A dargestellt, ein Wafer 10 als ein Werkstück und eine Folie 20 vorbereitet. Der Wafer 10 weist eine vordere Oberfläche 10a auf, die durch mehrere Teilungslinien 14 in einem Gittermuster in einzelne getrennte Bereiche unterteilt ist, in denen mehrere Bauelemente 12 einzeln ausgebildet sind. Die Folie 20 ist auf eine Größe (Durchmesser) festgelegt, die mindestens gleich groß wie oder größer als diejenige des Wafers 10 ist, und beinhaltet eine Polyolefinfolie oder eine Polyesterfolie. In der vorliegenden Ausführungsform ist eine Polyethylen (PE)-Folie aus Polyolefin als die Folie 20 ausgewählt.
  • (Waferbereitstellungsschritt)
  • Zuerst werden der Wafer 10 und die Folie 20 vorbereitet. Dann wird der Wafer 10, wie in 1A dargestellt, mit einer nach oben gerichteten hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10, d.h. mit der nach unten gerichteten vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10, über eine obere Oberfläche 20a der Folie 20 an einer oberen Oberfläche 40a eines Tragtisches 40 (siehe 1B) platziert. Der Tragtisch 40 ist an einer Basis 50 vorgesehen, und die obere Oberfläche 40a des Tragtisches 40 ist so ausgebildet, dass sie eben ist, und mit einem Fluorkunststoff beschichtet.
  • (Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt)
  • Nachdem der Waferbereitstellungsschritt ausgeführt wurde, wird als nächstes ein in den 2A bis 2C dargestellter Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt durchgeführt. Der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt ist ein Schritt eines Platzierens des an der Folie 20 bereitgestellten Wafers 10 in einer umschlossenen Umgebung, eines Evakuierens dieser umschlossenen Umgebung, eines Erwärmens der Folie 20 und eines Drückens des Wafers 10, wodurch ein Thermokompressionsverbinden des Wafers 10 und der Folie 20 erreicht wird. Beachte, dass eine elektrische Heizung 42 und ein Temperatursensor (nicht dargestellt) als Heizmittel im Tragtisch 40 eingerichtet sind. Die elektrische Heizung 42 und der Temperatursensor sind mit einer Steuerungseinheit und einer Leistungsquelle verbunden (beide nicht dargestellt) und der Tragtisch 40 kann durch die elektrische Heizung 42 und den Temperatursensor auf eine gewünschte Temperatur eingestellt werden. Unten erfolgt eine detaillierte Beschreibung hinsichtlich des Folien-Thermokompressionsverbindungsschrittes.
  • Um den Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auszuführen, wird eine in 2A dargestellte Thermokompressionsverbindungsvorrichtung 60 verwendet. Die Thermokompressionsverbindungsvorrichtung 60 beinhaltet ein umschließendes Abdeckelement 62 zum Ausbilden einer umschlossenen Umgebung, die den Tragtisch 40 enthält. Beachte, dass, obwohl die 2A bis 2C jeweils eine Seitenansicht der Thermokompressionsverbindungsvorrichtung 60 sind, zur besseren Beschreibung einer internen Ausgestaltung der Thermokompressionsverbindungsvorrichtung 60 ein Querschnitt nur für das umschließende Abdeckelement 62 dargestellt ist. Das umschließende Abdeckelement 62 ist ein kastenartiges Element, das eine gesamte obere Oberfläche der Basis 50 abdeckt und eine rechteckige obere Wand 62a und eine Seitenwand 62b beinhaltet, die sich von einem äußeren Umfangsende der oberen Wand 62a nach unten erstreckt, wobei eine Unterseite davon gegenüber der oberen Wand 62a geöffnet ist. In einer Mitte der oberen Wand 62a ist eine Öffnung 62c ausgebildet, durch die ein Tragschaft 64a eines Drückelements 64 durchtritt, um sich in der vertikalen Richtung auf und ab zu bewegen. Um die umschlossene Umgebung zu erreichen, indem ein Innenraum S im umschließenden Abdeckelement 62 hermetisch abgedichtet wird, während der Tragschaft 64a in der vertikalen Richtung auf und ab bewegt wird, ist außerdem eine Dichtungsstruktur 62d zwischen einem äußeren Umfang des Tragschafts 64a und der Öffnung 62c ausgebildet. An einem unteren Ende des Tragschafts 64a ist eine Drückplatte 64b vorgesehen. Die Drückplatte 64b weist eine scheibenähnliche Form auf, die einen Durchmesser, der zumindest größer ist als der Wafer 10, und vorzugsweise eine Größe, die geringfügig größer als der Tragtisch 40 ist, aufweist. Eine untere Endoberfläche der Seitenwand 62b des umschließenden Abdeckelements 62 weist ein elastisches Dichtungselement 62e auf, das in einer Umfangsrichtung vorgesehen ist. Wenn auch nicht darstellt, ist oberhalb des Drückelements 64 auch ein Antriebsmittel vorgesehen, welches das Drückelement 64 in der vertikalen Richtung auf und ab bewegt.
  • Wenn der Wafer 10 über die Folie 20 am Tragtisch 40 platziert ist, wird das über der Basis 50 positionierte umschließende Abdeckelement 62, wie in 2A dargestellt, abgesenkt, bis die untere Endoberfläche der Seitenwand 62b des umschließenden Abdeckelements 62 an der Basis 50 anliegt (siehe 2B). Zu diesem Zeitpunkt ist die Drückplatte 64b in eine obere Position angehoben, in der die Drückplatte 64b nicht mit der oberen Oberfläche des Wafers 10 in Kontakt steht, wie in 2B dargestellt. Wenn die untere Endoberfläche der Seitenwand 62b des umschließenden Abdeckelements 62 an der Basis 50 anliegt, kommt das elastische Dichtungselement 62e, das an der unteren Endoberfläche der Seitenwand 62b vorgesehen ist, in engen Kontakt mit der oberen Oberfläche der Basis 50, um die umschließende Umgebung innerhalb des umschließenden Abdeckelements 62 zu erhalten. In der Nähe des Tragtisches 40 an der Basis 50 ist eine Ansaugöffnung 52 vorgesehen, durch die ein Ansaugmittel (nicht dargestellt) mit dem durch das umschließende Abdeckelement 62 definierten Innenraum S verbunden ist.
  • Wie in 2B dargestellt, wird, wenn das umschließende Abdeckelement 62 so an der Basis 50 platziert ist, dass die untere Endoberfläche der Seitenwand 62b des umschließenden Abdeckelements 62 an der Basis 50 anliegt, um die umschließende Umgebung innerhalb des Innenraums S des umschließenden Abdeckelements 62 zu erhalten, das Ansaugmittel so betrieben, dass es die Luft innerhalb des Innenraums S durch das Ansaugloch 52 ansaugt, um zu evakuieren, bis ein Druck in einem Bereich, der den Wafer 10 beinhaltet, zu einem Zustand in der Nähe eines Vakuums wird. Gleichzeitig wird die elektrische Heizung 42 des Tragtisches 40 betätigt, um die Folie 20 zu erwärmen, die den Wafer 10 darauf trägt. Bei diesem Betrieb der Elektroheizung 42 wird die Temperatur des Tragtisches 40 durch den nicht dargestellten Temperatursensor gesteuert, wobei die Folie 20 so erwärmt wird, dass Polyethylen in der Folie 20 eine Temperatur in der Nähe seines Schmelzpunktes (im Bereich von 120°C bis 140°C) erreicht. Ferner wird gleichzeitig mit dem Erwärmen der Folie 20, wie in 2C dargestellt, die Drückplatte 64b abgesenkt, sodass sie mit dem Wafer 10 in Kontakt kommt, wobei eine Druckkraft gleichmäßig auf die gesamte obere Oberfläche des Wafers 10 aufgebracht wird. Auf diese Weise wird der den Wafer 10 unterbringende Innenraum S auf einen Zustand, der einem Vakuum nahe ist, evakuiert, so dass die zwischen dem Wafer 10 und der Folie 20 verbleibende Luft abgesaugt wird, um entfernt zu werden. Dann wird die Folie 20 auf die oben beschriebene Temperatur erwärmt, sodass sie erweicht wird und sich ihre Haftung erhöht, wobei die Folie 20 und der Wafer 10 einem Thermokompressionsverbinden unterzogen werden, um eine Wafereinheit W auszubilden. Somit ist der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt abgeschlossen. Wenn der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf diese Weise abgeschlossen ist, werden das nicht dargestellte Ansaugmittel und die Elektroheizung 42 gestoppt, die Drückplatte 64b wird nach oben angehoben und das umschließende Abdeckelement 62 wird hochgezogen. Wenn die Temperatur der Folie 20 in die Nähe der Raumtemperatur abgesenkt wird, kann die Wafereinheit W vom Tragtisch 40 entnommen werden. In dieser Ausführungsform kann die Wafereinheit W, selbst, wenn die Haftung der Folie 20 durch Hitze erhöht wird, leicht vom Tragtisch 40 getrennt werden, da die obere Oberfläche 40a des Tragtischs 40 mit einem Fluorkunststoff beschichtet ist.
  • Ferner erfolgt unter Bezugnahme auf 3 eine Beschreibung hinsichtlich der Wafereinheit W, die durch ein Ausführen des oben beschriebenen Folien-Thermokompressionsverbindungsschrittes ausgebildet wird. Wie oben beschrieben, ermöglicht der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt durch ein Erwärmen der zu erweichenden Folie 20 und dann durch ein Drücken des Wafers 10 nach unten durch die am Tragtisch 40 platzierte Folie 20 in einem Vakuumzustand in der umschließenden Umgebung einen engen Kontakt zwischen der Folie 20 und dem Wafer 10. Dementsprechend wird der Wafer 10 mit einer ausreichenden Tragkraft an der Folie 20 gehalten, ohne ein Haftmittel, ein Wachs oder dergleichen auf den Wafer 10 aufzubringen. Ferner wird, selbst wenn mehrere Bumps 16 an jedem der an der vorderen Oberfläche 10a des Wafers ausgebildeten Bauelemente ausgebildet sind, die Luft in der Nähe der Bumps 16 komplett abgesaugt und entfernt. Wie in einem Querschnitt eines Endabschnitts der Wafereinheit W in einem umkreisten Abschnitt in 3 in einer vergrößerten Weise dargestellt ist, werden die mehreren Bumps 16 über ein Erwärmen in der erweichten Folie 20 eingebettet und der Wafer 10 und die Folie 20 stehen in engem Kontakt miteinander, wobei ein Verbinden der Folie 20 und des Wafers 10 erreicht wird. Dann erhöht sich ein Umfangsabschnitt der Folie 20, da die Folie 20 eine Größe (Durchmesser) aufweist, die gleich groß wie oder größer als derjenige des Wafers 10 ist, und wird als ein erhöhter Abschnitt 22 ausgebildet. Als ein Ergebnis wird ein äußerer Umfang 10c des Wafers 10 vom derart ausgebildeten erhöhten Abschnitt 22 umgeben.
  • (Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche)
  • Nachdem der oben beschriebene Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt ausgeführt wurde, wird der Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche ausgeführt, in dem ein Schleifen an der hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10 in der Wafereinheit W durchgeführt wird. Eine genauere Beschreibung hinsichtlich des Bearbeitungsschrittes der hinteren Oberfläche erfolgt unten.
  • Wie in 4A dargestellt, wird die durch den Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt erhaltene Wafereinheit W für ein Schleifen zu einer Schleifvorrichtung 70 (nur teilweise dargestellt) übertragen, die Wafereinheit W wird an einer Ansaugeinspanneinrichtung 71a eines in der Schleifvorrichtung 70 enthaltenen Einspanntisches 71 platziert, wobei die Folie 20 nach unten gerichtet ist. Die Ansaugeinspanneinrichtung 71a besteht aus einer porösen Keramik, die eine Gasdurchlässigkeit aufweist, und ein mit dem Einspanntisch 71 verbundenes Ansaugmittel (nicht dargestellt) wird so betrieben, dass die Wafereinheit W angesaugt und am Einspanntisch 71 gehalten wird.
  • Nachdem die Wafereinheit W unter Ansaugung am Einspanntisch 71 gehalten wird, wird die hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 durch die in 4B dargestellte Schleifvorrichtung 70 geschliffen. Die Schleifvorrichtung 70 weist eine Schleifeinheit 72 zum Schleifen der hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10 auf, wobei die Wafereinheit W am Einspanntisch 71 unter Ansaugung gehalten wird, um eine Dicke des Wafers 10 zu reduzieren. Die Schleifeinheit 72 weist eine Drehspindel 74, eine Anbringung 76 und eine Schleifscheibe 78 auf. Die Drehspindel 74 wird durch einen nicht dargestellten Drehantriebsmechanismus gedreht. Die Anbringung 76 ist an einem unteren Ende der Drehspindel 74 angebracht. Die Schleifscheibe 78 ist an einer unteren Oberfläche der Anbringung 76 angebracht und weist an ihrer unteren Oberfläche ringförmig angeordnete Schleifsteine 78a auf.
  • In einem Zustand, in dem der Wafer 10 am Einspanntisch 71 mit der nach oben freiliegenden hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10 unter Ansaugung gehalten wird, wird die Drehspindel 74 der Schleifeinheit 72 beispielsweise mit 6000 U/min gedreht und der Einspanntisch 71 wird beispielsweise ebenfalls mit 300 U/min in der Richtung eines Pfeiles R2 in 4B gedreht. Dann wird die Schleifeinheit 72 abgesenkt, um die Schleifsteine 78a mit der hinteren Oberfläche 10b des Wafers 10 in Kontakt zu bringen, und die Schleifscheibe 78 wird nach unten, mit anderen Worten in eine Richtung senkrecht zum Einspanntisch 71, beispielsweise mit einer Schleifzufuhrgeschwindigkeit von 1 µm/s zugeführt. Zu diesem Zeitpunkt kann das Schleifen während eines Messens der Dicke des Wafers 10 unter Benutzung einer Messvorrichtung vom Kontakttyp durchgeführt werden (nicht dargestellt). Dementsprechend wird die hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 geschliffen, bis die Dicke des Wafers 10 auf eine vorgegebene Dicke reduziert ist, beispielsweise 50 µm. Somit ist der Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche abgeschlossen.
  • (Abziehschritt)
  • Wenn der Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche abgeschlossen ist, wird der Abziehschritt des Abziehens der Folie 20 vom Wafer 10 ausgeführt. Die Schritte des Durchführens des Abziehschrittes werden im Folgenden unter Bezugnahme auf 5A und 5B beschrieben.
  • Nachdem er im Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche geschliffen und dünn ausgestaltet worden ist, wird der Wafer 10 zusammen mit der Folie 20 vom Einspanntisch 71 der Schleifvorrichtung 70 genommen. Der vom Einspanntisch 71 genommene Wafer 10 wird auf einen Abzieheinspanntisch 80 übertragen, der in 5A dargestellt ist. Der Wafer 10 und die Folie 20 werden wie in 5A dargestellt umgedreht und an einer Ansaugeinspanneinrichtung 80a des Abzieheinspanntischs 80 platziert, wobei die hintere Oberfläche 20b der Folie 20 nach oben gerichtet ist, anders ausgedrückt, wobei die hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 nach unten gerichtet ist. Obwohl der Abzieheinspanntisch 80 eine ähnliche Ausgestaltung wie der Einspanntisch 71 der oben beschriebenen Schleifvorrichtung 70 aufweist, ist die Ansaugeinspanneinrichtung 80a des Abzieheinspanntisches 80 auf einen Durchmesser festgelegt, der im Wesentlichen dem des Wafers 10 entspricht, wohingegen die Ansaugeinspanneinrichtung 71a der Schleifvorrichtung 70 auf einen Durchmesser festgelegt ist, der im Wesentlichen dem der Folie 20 entspricht.
  • Wenn ein Bedienen von einem nicht dargestellten Ansaugmittel bewirkt, dass der Wafer 10 unter Ansaugung am Abzieheinspanntisch 80 gehalten wird, wird die Folie 20 auf eine Weise vom Wafer 10 abgezogen, die in 5B dargestellt ist. Beachte, dass die Folie 20 aus einer Polyolefinfolie oder einer Polyesterfolie ausgewählt ist. Dementsprechend kann die Folie 20 bei einem Abziehen vom Wafer 10 gebogen werden, was vorteilhaft ist. Darüber hinaus wird die Folie 20, wenn die Folie 20 bei einem Durchführen des Abziehschrittes erwärmt wird, erweicht, was ein leichteres Abziehen der Folie 20 vom Wafer 10 ermöglicht.
  • In der vorstehenden Beschreibung wird die Folie 20 in der bevorzugten Ausführungsform bei einem Abziehen der Folie 20 vom Wafer 10 erwärmt. In einem alternativen Fall kann die Haftung der Folie 20 durch ein Kühlen der Folie 20 reduziert werden. In diesem Fall kann die Folie 20 gekühlt werden, um die Haftung zu verringern, bevor der Abziehvorgang ausgeführt wird. Es ist nur notwendig, gemäß einer Eigenschaft eines Materials der Folie 20 auszuwählen, ob die Folie 20 bei einem Ausführen des Abziehvorgangs erwärmt oder gekühlt werden soll.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Wafer 10 durch ein Ausführen des Folien-Thermokompressionsverbindungsschrittes mit einer ausreichenden Kraft an der Folie 20 getragen und der den äußeren Umfang 10c des Wafers 10 umgebende erhöhte Abschnitt 22 wird ausgebildet. Als ein Ergebnis wird der Wafer bei einem Schleifen des Wafers 10 stabil an der Folie 20 getragen, und selbst wenn die hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 einem Schleifen unterzogen wird, kann ein Schaden am Wafer verhindert werden. Darüber hinaus wird auch dann, wenn mehrere Bumps an jedem der an der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 ausgebildeten Bauelemente 12 ausgebildet sind, die zwischen der vorderen Oberfläche 10a des Wafers 10 und der Folie 20 vorhandene Luft angesaugt und entfernt, und gleichzeitig werden die Bumps in die durch ein Erwärmen erweichte Folie 20 eingebettet und der Wafer 10 wird als Ganzes gleichmäßig an der Folie 20 getragen. Dadurch wird eine Spannung bei einem Schleifen des Wafers 10 verteilt, so dass es möglich ist, zu verhindern, dass der Wafer 10 und die Bumps beschädigt werden. Ferner wird der Wafer 10 in der vorliegenden Ausführungsform durch ein Thermokompressionsverbinden an der Folie 20 getragen, und ein flüssiger Kunststoff, ein Haftmittel, ein Wachs oder dergleichen ist nicht zwischen der Folie 20 und dem Wafer 10 angeordnet. Dementsprechend verbleiben auch, wenn der Wafer 10 von der Folie 20 abgezogen wird, der flüssige Kunststoff, das Haftmittel, das Wachs oder dergleichen nicht an den Bauelementen 12. Ein Problem der Qualitätsminderung der Bauelemente 12 tritt somit nicht auf.
  • Beachte, dass, obwohl die Folie 20 in der vorgenannten Ausführungsform die Polyethylenfolie beinhaltet, die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Die Folie 20, die in der Lage ist, den Wafer 10 ohne die Notwendigkeit eines flüssigen Kunststoffs, eines Haftmittels, eines Wachses oder dergleichen zu tragen, kann geeignet aus einer Polyolefinfolie und einer Polyesterfolie ausgewählt werden. Beispiele für die Polyolefinfolie beinhalten beispielsweise eine Polyethylenfolie, eine Polypropylenfolie (PP) und eine Polystyrenfolie (PS). Beispiele für die Polyesterfolie beinhalten beispielsweise auch eine Polyethylenterephthalat (PET)-Folie und eine Polyethylennaphthalat (PEN)-Folie.
  • Gemäß der obigen Ausführungsform wurde die Temperatur beim Erwärmen der Folie 20 im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur (im Bereich von 120°C bis 140°C) in der Nähe eines Schmelzpunktes der Polyethylenfolie festgelegt. In einem Fall, in dem die Folie 20 eine andere Folie als die Polyethylenfolie ist, wie oben beschrieben, ist es bevorzugt, die ausgewählte Folie auf eine Temperatur in der Nähe eines Schmelzpunktes eines Materials der ausgewählten Folie zu erwärmen. Wenn die Folie 20 beispielsweise die Polypropylenfolie ist, wird die Temperatur beim Erwärmen bevorzugt im Bereich von 160°C bis 180°C festgelegt. Wenn die Folie 20 die Polystyrenfolie ist, wird die Temperatur beim Erwärmen bevorzugt im Bereich von 220°C bis 240°C festgelegt. Ebenso wird, wenn die Folie 20 die Polyethylenterephthalatfolie ist, die Temperatur beim Erwärmen bevorzugt im Bereich von 250°C bis 270°C festgelegt. Darüber hinaus wird, wenn die Folie 20 die Polyethylennaphthalatfolie ist, die Temperatur beim Erwärmen bevorzugt im Bereich von 160°C bis 180°C festgelegt.
  • Darüber hinaus bildet das umschließende Abdeckelement 62 in der obigen Ausführungsform die umschließende Umgebung aus. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. So wird beispielsweise, wie in 6A dargestellt, der Wafer 10 zusammen mit der Folie 20 an einem Einspanntisch 90 gehalten, der eine Ansaugeinspanneinrichtung 91 mit einem größeren Durchmesser als die Folie 20 aufweist, und die gesamte obere Oberfläche der Ansaugeinspanneinrichtung 91, an welcher der Wafer 10 gehalten wird, ist mit einem filmartigen Element 100 abgedeckt, und dann wird von der Ansaugeinspanneinrichtung 91 ein Unterdruck Vm aufgebracht. Folglich wird eine umschließende Umgebung, die durch das filmartige Element 100, das in sich den Wafer 10 aufweist, gemeinsam mit der oberen Oberfläche der Ansaugeinspanneinrichtung 91 ausgebildet wird, evakuiert, so dass ein Druck in einem Raum innerhalb der umschließenden Umgebung reduziert werden kann. Danach wird, wie in 6B als vergrößerte Querschnittsansicht eines wesentlichen Teils von 6A dargestellt, eine mit einem Heizmittel (nicht dargestellt) versehene Walze 110 benutzt, um die gesamte hintere Oberfläche 10b des Wafers 10 durch das filmartige Element 100 zu drücken, während die Folie 20 auf eine gewünschte Temperatur erwärmt wird. Auf diese Weise kann der Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt in der vorliegenden Erfindung auch ausgeführt werden.
  • In der vorstehenden Ausführungsform wurde ein Beispiel beschrieben, in dem der Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche in der vorliegenden Erfindung auf ein Schleifbearbeiten des Schleifens der hinteren Oberfläche des Wafers angewendet wird. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt. Alternativ kann der Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche in der vorliegenden Erfindung auf ein Polierbearbeiten des Polierens der hinteren Oberfläche des Wafers angewendet werden, und es kann ein Effekt hervorgerufen werden, der demjenigen der oben beschriebenen Ausführungsform ähnlich ist.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Patentansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2005 [0003]
    • JP 246491 [0003]

Claims (11)

  1. Waferbearbeitungsverfahren zum Bearbeiten einer hinteren Oberfläche eines Wafers, der mehrere Bauelemente aufweist, die an einer vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, wobei die mehreren Bauelemente einzeln durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien, die an der vorderen Oberfläche des Wafers ausgebildet sind, unterteilt sind, wobei das Verfahren umfasst: einen Waferbereitstellungsschritt eines Bereitstellens des Wafers durch ein Platzieren von entweder einer Polyolefinfolie oder einer Polyesterfolie, die jeweils eine Größe aufweist, die gleich groß wie oder größer als diejenige des Wafers ist, an einer ebenen oberen Oberfläche eines Tragtischs, und eines Positionierens der vorderen Oberfläche des Wafers an einer oberen Oberfläche der Folie; einen Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt eines Evakuierens einer umschließenden Umgebung, in welcher der Wafer über die Folie am Tragtisch bereitgestellt ist, eines Erwärmens der Folie und eines Drückens des Wafers, um den Wafer mit der Folie unter Druck zu verbinden, wobei ein erhöhter Abschnitt ausgebildet wird, von dem ein äußerer Umfang des Wafers umgeben ist, nachdem der Waferbereitstellungsschritt ausgeführt wurde; einen Bearbeitungsschritt einer hinteren Oberfläche eines Bearbeitens der hinteren Oberfläche des Wafers nach einem Ausführen des Folien-Thermokompressionsverbindungsschrittes; und einen Abziehschritt eines Abziehens des Wafers von der Folie, nachdem der Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche durchgeführt wurde.
  2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Tragtisch ein Heizmittel aufweist, und der Tragtisch im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt durch das Heizmittel erwärmt wird.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die obere Oberfläche des Tragtisches mit einem Fluorkunststoff beschichtet ist.
  4. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Bearbeitungsschritt der hinteren Oberfläche ein Schleifen an der hinteren Oberfläche des Wafers durchgeführt wird.
  5. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Polyolefinfolie aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer Polyethylenfolie, einer Polypropylenfolie und einer Polystyrenfolie besteht.
  6. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 5, wobei in einem Fall, in dem die Polyolefinfolie ausgewählt ist, die Polyolefinfolie die Polyethylenfolie beinhaltet, und die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 120°C bis 140°C erwärmt wird.
  7. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 5, wobei in einem Fall, in dem die Polyolefinfolie ausgewählt ist, die Polyolefinfolie die Polypropylenfolie beinhaltet, und die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt wird.
  8. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 5, wobei in einem Fall, in dem die Polyolefinfolie ausgewählt ist, die Polyolefinfolie die Polystyrenfolie beinhaltet, und die Polyolefinfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 220°C bis 240°C erhitzt wird.
  9. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Polyesterfolie aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus einer Polyethylenterephthalatfolie und einer Polyethylennaphthalatfolie besteht.
  10. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 9, wobei in einem Fall, in dem die Polyesterfolie ausgewählt ist, die Polyesterfolie die Polyethylenterephthalatfolie beinhaltet, und die Polyesterfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 250°C bis 270°C erhitzt wird.
  11. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 9, wobei in einem Fall, in dem die Polyesterfolie ausgewählt ist, die Polyesterfolie die Polyethylennaphthalatfolie beinhaltet, und die Polyesterfolie im Folien-Thermokompressionsverbindungsschritt auf eine Temperatur im Bereich von 160°C bis 180°C erhitzt wird.
DE102019208701.9A 2018-06-19 2019-06-14 Waferbearbeitungsverfahren Pending DE102019208701A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-116015 2018-06-19
JP2018116015A JP2019220550A (ja) 2018-06-19 2018-06-19 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102019208701A1 true DE102019208701A1 (de) 2019-12-19

Family

ID=68724851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102019208701.9A Pending DE102019208701A1 (de) 2018-06-19 2019-06-14 Waferbearbeitungsverfahren

Country Status (8)

Country Link
US (1) US11088008B2 (de)
JP (1) JP2019220550A (de)
KR (1) KR20190143359A (de)
CN (1) CN110620081B (de)
DE (1) DE102019208701A1 (de)
MY (1) MY194178A (de)
SG (1) SG10201905294RA (de)
TW (1) TWI803650B (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7201342B2 (ja) 2018-06-06 2023-01-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7461118B2 (ja) * 2019-08-19 2024-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7451028B2 (ja) 2019-12-27 2024-03-18 株式会社ディスコ 保護シートの配設方法
JP7408237B2 (ja) 2020-01-16 2024-01-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US11515171B2 (en) * 2020-06-08 2022-11-29 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for temperature modification and reduction of contamination in bonding stacked microelectronic devices
JP7463036B2 (ja) 2020-08-21 2024-04-08 株式会社ディスコ シート貼着方法及びシート貼着装置
JP2023012964A (ja) * 2021-07-14 2023-01-26 株式会社ディスコ 貼着方法及び貼着装置
JP2023019193A (ja) * 2021-07-28 2023-02-09 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005246491A (ja) 2004-03-01 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びウェーハの研削方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002203821A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 接着および剥離法
JP2004296839A (ja) 2003-03-27 2004-10-21 Kansai Paint Co Ltd 半導体チップの製造方法
JP2005158782A (ja) * 2003-11-20 2005-06-16 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの加工方法。
JP2005340390A (ja) * 2004-05-25 2005-12-08 Nec Compound Semiconductor Devices Ltd 半導体装置の製造装置及び製造方法
JP2006295030A (ja) * 2005-04-14 2006-10-26 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法、およびそれに用いる粘着シート
JP2008166459A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Tateyama Machine Kk 保護テープ貼付方法と装置
JP5008190B2 (ja) 2007-06-15 2012-08-22 信越化学工業株式会社 スクリーン印刷用接着剤組成物
TW200908246A (en) 2007-08-07 2009-02-16 Chipmos Technologies Inc Adhesion structure for a package apparatus
JP5445455B2 (ja) 2008-08-04 2014-03-19 日立化成株式会社 接着剤組成物、フィルム状接着剤、接着シート及び半導体装置
JP2010062269A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Three M Innovative Properties Co ウェーハ積層体の製造方法、ウェーハ積層体製造装置、ウェーハ積層体、支持層剥離方法、及びウェーハの製造方法
JP5393902B2 (ja) * 2011-08-09 2014-01-22 三井化学東セロ株式会社 半導体装置の製造方法およびその方法に用いられる半導体ウエハ表面保護用フィルム
JP5895676B2 (ja) * 2012-04-09 2016-03-30 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6235279B2 (ja) * 2013-09-18 2017-11-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
PT3187557T (pt) 2014-08-29 2023-12-19 Furukawa Electric Co Ltd Película adesiva e encapsulamento de semicondutor com utilização de película adesiva
TWI665239B (zh) 2014-09-29 2019-07-11 日商富士軟片股份有限公司 組成物、片的製造方法、片、積層體及帶有元件晶圓的積層體
US9644118B2 (en) 2015-03-03 2017-05-09 Dow Global Technologies Llc Method of releasably attaching a semiconductor substrate to a carrier
JP6450452B2 (ja) * 2015-03-23 2019-01-09 富士フイルム株式会社 積層体、仮接着用組成物および仮接着膜
JP2017203139A (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 日立化成株式会社 電子部品支持部材
JP6783620B2 (ja) * 2016-10-20 2020-11-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7281873B2 (ja) * 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7201342B2 (ja) * 2018-06-06 2023-01-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7154686B2 (ja) * 2018-06-06 2022-10-18 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7049941B2 (ja) * 2018-06-22 2022-04-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7181020B2 (ja) * 2018-07-26 2022-11-30 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7191586B2 (ja) * 2018-08-17 2022-12-19 株式会社ディスコ ウエーハの一体化方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005246491A (ja) 2004-03-01 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びウェーハの研削方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110620081B (zh) 2024-03-15
JP2019220550A (ja) 2019-12-26
KR20190143359A (ko) 2019-12-30
TW202002037A (zh) 2020-01-01
US11088008B2 (en) 2021-08-10
MY194178A (en) 2022-11-17
TWI803650B (zh) 2023-06-01
SG10201905294RA (en) 2020-01-30
US20190385887A1 (en) 2019-12-19
CN110620081A (zh) 2019-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102019208701A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019211057A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102015216619B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
DE69836398T2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Zerteilen eines Wafers und zum Trennen von Bauelementen
DE112015006857B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzabdeckung zur Verwendung in diesem Verfahren
DE102013219271B4 (de) Schutzelement und Waferbearbeitungsverfahren
DE10312662B4 (de) Halbleitereinrichtungsherstellungsanordnung und Halbleitereinrichtungsherstellungsverfahren zum Bilden von Halbleiterchips durch Teilen von Halbleiterwafern
DE102017208405B4 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers und Schutzfolie
DE102019206887B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019206886A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019208940A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016224033B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen Wafer
DE102019208260A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019209927B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102018200656A1 (de) Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers
DE102021204071B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102019208258A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102018207497A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102013212440A1 (de) Harzversiegelungsverfahren für Halbleiterchips
DE102019209925B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020214308A1 (de) Anordnungsverfahren für schutzkomponente und herstellungsverfahren für schutzkomponente
DE102009006237B4 (de) Waferverarbeitungsverfahren zum Verarbeiten von Wafern mit darauf ausgebildeten Bondhügeln
DE60210910T2 (de) Verfahren zur Bearbeitung einer Halbleiterscheibe, in dem ein laminiertes Substrat als Stütze für diese Scheibe verwendet wird
DE102020209954A1 (de) Schutzelementausbildungsverfahren und schutzelementausbildungsvorrichtung
DE102019211538A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication