DE102019217091A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Shigenori Harada
Minoru Matsuzawa
Hayato Kiuchi
Yoshiaki Yodo
Taro ARAKAWA
Masamitsu Agari
Emiko KAWAMURA
Yusuke Fujii
Toshiki Miyai
Makiko Ohmae
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Disco Corp
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Abstract

Ein Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet einen Polyesterfolienbereitstellungsschritt des Positionierens eines Wafers in einer inneren Öffnung eines Ringrahmens und des Vorsehens einer Polyesterfolie an einer Rückseite des Wafers und an einer Rückseite des Ringrahmens, einen Verbindungsschritt des Erwärmens der Polyesterfolie während eines Aufbringens eines Drucks auf die Polyesterfolie, um dadurch den Wafer und den Ringrahmen über die Polyesterfolie durch ein Thermokompressionsverbinden zu verbinden, einen Teilungsschritt des Aufbringens eines Laserstrahls auf den Wafer, um Teilungsnuten im Wafer auszubilden, wodurch der Wafer in einzelne Bauelementchips geteilt wird, und einen Aufnahmeschritt des Blasens von Luft zu jedem Bauelementchip via die Polyesterfolie nach einem Durchführen des Teilungsschritts, um jeden Bauelementchip hochzudrücken, wodurch jeder Bauelementchip von der Polyesterfolie aufgenommen wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers entlang mehrerer Teilungslinien, um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien an der Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, in denen mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet sind.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • In einem Herstellungsprozess für Bauelementchips, die in elektronischer Ausstattung wie beispielsweise Mobiltelefonen und PCs benutzt werden sollen, werden zunächst mehrere sich kreuzende Teilungslinien (Straßen) an der Vorderseite eines beispielsweise aus einem Halbleiter ausgebildeten Wafers angeordnet, um dadurch mehrere getrennte Bereiche an der Vorderseite des Wafers zu definieren. In jedem getrennten Bereich wird als nächstes ein Bauelement wie beispielsweise ein integrierter Schaltkreis (IC), ein Large Scale-Integrierter Schaltkreis (LSI) und eine lichtemittierende Diode (LED) ausgebildet. Danach wird ein Ringrahmen, der eine innere Öffnung aufweist, vorbereitet, in dem ein Haftband, das als Teilungsband bezeichnet wird, im Vorhinein an seinem äußeren Abschnitt am Ringrahmen (der Rückseite des Ringrahmens) so angebracht ist, sodass es die innere Öffnung des Ringrahmens schließt. Danach wird ein mittlerer Abschnitt des Haftbandes so an der Rückseite des Wafers angebracht, dass der Wafer in der inneren Öffnung des Ringrahmens aufgenommen wird. Auf diese Weise werden der Wafer, das Haftband und der Ringrahmen miteinander verbunden, sodass sie eine Rahmeneinheit ausbilden. Danach wird der in dieser Rahmeneinheit enthaltene Wafer so bearbeitet, dass er entlang jeder Teilungslinie geteilt wird, um dadurch mehrere einzelne Bauelementchips, welche die jeweiligen Bauelemente aufweisen, zu erhalten.
  • Beispielsweise wird eine Laserbearbeitungsvorrichtung benutzt, um den Wafer zu teilen (siehe japanische Offenlegungsschrift Nr. H10-305420 ). Die Laserbearbeitungsvorrichtung weist einen Einspanntisch zum Halten des Wafers über das Haftband und eine Laserbearbeitungseinheit zum Aufbringen eines Laserstrahls auf den an dem Einspanntisch gehaltenen Wafer auf, wobei der Laserstrahl eine Absorptionswellenlänge für den Wafer aufweist. Beim Teilen des Wafers unter Benutzung dieser Laserbearbeitungsvorrichtung wird die Rahmeneinheit am Einspanntisch platziert und der Wafer wird über das Haftband an der oberen Oberfläche des Einspanntischs gehalten. In diesem Zustand werden der Einspanntisch und die Laserbearbeitungseinheit in einer Richtung parallel zur oberen Oberfläche des Einspanntischs relativ bewegt. Gleichzeitig wird der Laserstrahl von der Laserbearbeitungseinheit auf den Wafer aufgebracht. Wenn der Laserstrahl auf den Wafer aufgebracht wird, tritt eine Laserablation auf, um eine Teilungsnut im Wafer entlang jeder Teilungslinie auszubilden, wodurch der Wafer entlang jeder Teilungslinie geteilt wird.
  • Danach wird die Rahmeneinheit von der Laserbearbeitungsvorrichtung auf eine andere Vorrichtung zum Aufbringen von Ultraviolettlicht auf das Haftband übertragen, um dadurch die Haftung des Haftbandes zu verringern. Danach wird jeder Bauelementchip vom Haftband aufgenommen. Als eine Bearbeitungsvorrichtung, die in der Lage ist, die Bauelementchips mit hoher Effizienz herzustellen, gibt es eine Laserbearbeitungsvorrichtung, die in der Lage ist, den Vorgang zum Teilen des Wafers und den Vorgang zum Aufbringen von Ultraviolettlicht auf das Haftband kontinuierlich durchzuführen (siehe beispielsweise japanisches Patent Nr. 3076179 ). Jeder von dem Haftband aufgenommene Bauelementchip wird als nächstes an einem vorgegebenen Verkabelungssubstrat oder dergleichen angebracht.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Das Haftband weist eine Basisschicht, die beispielsweise aus einer Polyvinylchloridfolie ausgebildet ist, und eine Haftmittelschicht auf, die auf der Basisschicht ausgebildet ist. In der Laserbearbeitungsvorrichtung wird der Laserstrahl unter den Bedingungen auf den Wafer aufgebracht, unter denen jede Teilungsnut verlässlich im Wafer so ausgebildet werden kann, dass sie eine Tiefe von der vorderen Seite zur hinteren Seite des Wafers aufweist, um den Wafer verlässlich durch eine Laserablation zu teilen. Folglich wird die Haftmittelschicht des an der Rückseite des Wafers angebrachten Haftbandes durch die Wärme aufgrund der Aufbringung des Laserstrahls auf den Wafer an der Position unter oder um jede im Wafer ausgebildete Teilungsnut geschmolzen, und ein Teil der geschmolzenen Haftmittelschicht wird an der Rückseite jedes vom Wafer erhaltenen Bauelementchips befestigt. In diesem Fall wird im Schritt des Aufnehmens jedes Bauelementchips vom Haftband Ultraviolettlicht auf das Haftband aufgebracht, um die Haftung des Haftbandes zu verringern. Allerdings verbleibt der geschmolzene und an der Rückseite jedes am Haftmittelband angebrachten Bauelementchips befestigte Teil der Haftmittelschicht noch an der Rückseite jedes vom Haftband aufgenommenen Bauelementchips. Folglich ist die Qualität jedes Bauelementchips vermindert.
  • Die vorliegende Erfindung erfolgte in Anbetracht solcher Probleme und es ist daher ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferbearbeitungsverfahren bereitzustellen, das der Anhaftung der Haftmittelschicht an der Rückseite jedes aus einem Wafer erhaltenen Bauelementchips vorbeugt, wodurch eine Verringerung der Qualität jedes Bauelementchips aufgrund der Anhaftung der Haftmittelschicht unterdrückt wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers entlang mehrerer Teilungslinien bereitgestellt, um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien an einer Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, sodass sie mehrere getrennte Bereiche definieren, in denen mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet sind. Das Waferbearbeitungsverfahren beinhaltet einen Ringrahmenvorbereitungsschritt des Vorbereitens eines Ringrahmens, der eine innere Öffnung zum Aufnehmen des Wafers aufweist, einen Polyesterfolienbereitstellungsschritt des Positionierens des Wafers in der inneren Öffnung des Ringrahmens und des Vorsehens einer Polyesterfolie an einer Rückseite des Wafers und an einer Rückseite des Ringrahmens, einen Verbindungsschritt des Erwärmens der Polyesterfolie während eines Aufbringens eines Drucks auf die Polyesterfolie nach einem Durchführen des Polyesterfolienbereitstellungsschritts, wodurch der Wafer und der Ringrahmen über die Polyesterfolie durch ein Thermokompressionsverbinden verbunden werden, sodass sie eine Rahmeneinheit in einem Zustand ausbilden, in dem die Vorderseite des Wafers und die Vorderseite des Ringrahmens nach oben freiliegen, einen Teilungsschritt des Aufbringens eines Laserstrahls auf den Wafers entlang jeder Teilungslinie, wobei der Laserstrahl eine Absorptionswellenlänge für den Wafer aufweist, nach einem Durchführen des Verbindungsschritts, wodurch eine Teilungsnut im Wafer entlang jeder Teilungslinie ausgebildet wird, um den Wafer in die einzelnen Bauelementchips zu teilen, und einen Aufnahmeschritt des Blasens von Luft via die Polyesterfolie zu jedem Bauelementchip nach einem Durchführen des Teilungsschritts, um jeden Bauelementchip hochzudrücken, wodurch jeder Bauelementchip von der Polyesterfolie aufgenommen wird.
  • Bevorzugt beinhaltet der Verbindungsschritt einen Schritt des Aufbringens von Infrarotlicht auf die Polyesterfolie, wodurch das Thermokompressionsverbinden durchgeführt wird.
  • Bevorzugt ist die Polyesterfolie größer als der Ringrahmen und der Verbindungsschritt beinhaltet einen zusätzlichen Schritt des Schneidens der Polyesterfolie nach einem Erwärmen der Polyesterfolie, wodurch ein Teil der Polyesterfolie außerhalb des äußeren Umfangs des Ringrahmens entfernt wird.
  • Bevorzugt beinhaltet der Aufnahmeschritt einen Schritt des Aufweitens der Polyesterfolie, um dadurch einen Abstand zwischen jeweiligen benachbarten Bauelementen zu vergrößern.
  • Bevorzugt ist die Polyesterfolie aus einem Material ausgebildet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Polyethylen-Terephthalat und Polyethylen-Naphthalat besteht.
  • Im Fall, dass die Polyesterfolie aus Polyethylen-Terephthalat ausgebildet ist, wird die Polyesterfolie im Verbindungsschritt bevorzugt im Bereich von 250°C bis 270°C erwärmt. Im Fall, dass die Polyesterfolie aus Polyethylen-Naphthalat ausgebildet ist, wird die Polyesterfolie im Verbindungsschritt bevorzugt im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt.
  • Bevorzugt ist der Wafer aus einem Material ausgebildet, das aus der Gruppe, die aus Silizium, Galliumnitrid, Galliumarsenid und Glas besteht, ausgewählt ist.
  • Im Waferbearbeitungsverfahren gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden der Wafer und der Ringrahmen unter Benutzung der Polyesterfolie, die keine Haftmittelschicht aufweist, anstelle eines Haftbandes, das eine Haftmittelschicht aufweist, verbunden, und bilden dadurch die Rahmeneinheit, die aus dem Wafer, dem Ringrahmen und der Polyesterfolie, die miteinander verbunden sind, besteht, aus. Der Verbindungsschritt des Verbindens des Wafers und des Ringrahmens über die Polyesterfolie wird durch ein Thermokompressionsverbinden realisiert. Nach einem Durchführen des Verbindungsschritts wird ein Laserstrahl mit einer Absorptionswellenlänge für den Wafer auf den Wafer aufgebracht, um dadurch durch eine Laserablation eine Teilungsnut im Wafer entlang jeder Teilungslinie auszubilden, sodass der Wafer entlang jeder Teilungslinie geteilt wird, um einzelne an der Polyesterfolie angebrachte Bauelementchips zu erhalten. Danach wird durch ein Blasen von Luft durch die Polyesterfolie zu jedem Bauelementchip jeder Bauelementchip hochgedrückt und dann von der Polyesterfolie aufgenommen. Jeder aufgenommene Bauelementchip wird als nächstes an einem vorgegebenen Anbringsubstrat oder dergleichen angebracht. Beachte, dass, wenn jeder Bauelementchip beim Aufnehmen jedes Bauelementchips durch die Luft hochgedrückt wird, eine auf jeden Bauelementchip aufgebrachte Last bei einem Abziehen jedes Bauelementchips von der Polyesterfolie reduziert werden kann.
  • Bei einem Durchführen einer Laserablation am Wafer wird die Wärme aufgrund der Aufbringung des Laserstrahls auf den Wafer an der Position unterhalb oder in der Nähe von jeder Teilungslinie auf die Polyesterfolie übertragen. Allerdings besteht, da die Polyesterfolie keine Haftmittelschicht aufweist, kein Problem dahingehend, dass die Haftmittelschicht geschmolzen werden kann, um an der Rückseite jedes Bauelementchips befestigt zu werden. Das heißt, dass die Rahmeneinheit gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung unter Benutzung der Polyesterfolie, die keine Haftmittelschicht aufweist, ausgebildet werden kann, sodass ein Haftband, das eine Haftmittelschicht aufweist, nicht benötigt wird. Folglich ist es möglich, dem Problem vorzubeugen, dass die Qualität jedes Bauelementchips durch die Anhaftung der Haftmittelschicht an jedem Bauelementchip vermindert wird.
  • Somit kann das Waferbearbeitungsverfahren gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung den Effekt zeigen, dass die Haftmittelschicht nicht an der Rückseite jedes vom Wafer erhaltenen Bauelementchips haftet, wodurch eine Verminderung der Qualität jedes Bauelementchips aufgrund der Anhaftung der Haftmittelschicht unterdrückt werden kann.
  • Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Perspektivansicht eines Wafers;
    • 2 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Art des Positionierens des Wafers und eines Ringrahmens an einer Halteoberfläche eines Einspanntischs darstellt;
    • 3 ist eine schematische Perspektivansicht, die einen Polyesterfolienbereitstellungsschritt darstellt;
    • 4 ist eine schematische Perspektivansicht, die einen Verbindungsschritt darstellt;
    • 5 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Abwandlung des Verbindungsschritts darstellt;
    • 6 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine weitere Abwandlung des Verbindungsschritts darstellt;
    • 7A ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Art des Schneidens der Polyesterfolie nach einem Durchführen des Verbindungsschritts darstellt;
    • 7B ist eine schematische Perspektivansicht einer durch ein Durchführen des in 7A dargestellten Schritts ausgebildeten Rahmeneinheit;
    • 8 ist eine schematische Perspektivansicht, die einen Teilungsschritt darstellt;
    • 9 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Art des Ladens der Rahmeneinheit in eine Aufnahmeeinrichtung nach einem Durchführen des Teilungsschritts darstellt;
    • 10A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Standby-Zustand darstellt, in dem eine Rahmeneinheit an einem in einem Aufnahmeschritt unter Benutzung der in 9 dargestellten Aufnahmevorrichtung an einer initialen Position angeordneten Rahmentragtisch befestigt ist; und
    • 10B ist eine schematische Schnittansicht, die einen Arbeitszustand darstellt, in dem der Rahmentragtisch, der die Rahmeneinheit mit der Polyesterfolie hält, abgesenkt wird, um die Polyesterfolie im Aufnahmeschritt aufzuweiten.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen beschrieben. Als erstes wird ein von einem Waferbearbeitungsverfahren gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform zu bearbeitender Wafer beschrieben. 1 ist eine schematische Perspektivansicht eines Wafers 1. Der Wafer 1 ist ein im Wesentlichen scheibenförmiges Substrat, das aus einem Material wie beispielsweise Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Galliumarsenid (GaAs) ausgebildet ist. Der Wafer 1 kann aus jedem anderen Halbleitermaterial ausgebildet sein. Ferner kann der Wafer 1 aus einem Material wie beispielsweise Saphir, Glas und Quarz ausgebildet sein. Beispiele für das Glas enthalten Alkaliglas, Nicht-Alkaliglas, Kalk-Natron-Glas, Bleiglas, Borsilikat-Glas und Quarzglas. Der Wafer 1 weist eine Vorderseite 1a und eine Rückseite 1b auf. Mehrere sich kreuzende Teilungslinien 3 sind an der Vorderseite 1a des Wafers 1 ausgebildet, um dadurch jeweils mehrere getrennte Bereiche definieren, in denen mehrere Bauelemente 5 wie beispielsweise ICs, LSIs und LEDs ausgebildet sind. Die sich schneidenden Teilungslinien 3 bestehen aus mehreren parallelen Teilungslinien 3, die sich in einer ersten Richtung erstrecken, und mehreren parallelen Teilungslinien 3, die sich in einer zweiten, zur ersten Richtung senkrechten, Richtung erstrecken. Im Bearbeitungsverfahren für den Wafer 1 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform wird eine Laserablation durchgeführt, um mehrere sich kreuzende Teilungsnuten entlang der jeweiligen sich kreuzenden Teilungslinien 3 im Wafer 1 auszubilden, wodurch der Wafer 1 in mehrere einzelne Bauelementchips geteilt wird, die jeweils das Bauelement 5 enthalten.
  • Die Laserablation wird unter Benutzung einer Laserbearbeitungsvorrichtung 12 durchgeführt (siehe 8). Vor einem Laden des Wafers 1 in die Laserbearbeitungsvorrichtung 12 wird der Wafer 1 mit einer Polyesterfolie 9 (siehe 3) und einem Ringrahmen 7 (siehe 2) verbunden, um dadurch eine Rahmeneinheit 11 (siehe 8) auszubilden. Somit wird der Wafer 1 in der Form der Rahmeneinheit 11 in die Laserbearbeitungsvorrichtung 12 geladen und dann durch die Laserbearbeitungsvorrichtung 12 bearbeitet, um die einzelnen Bauelementchips zu erhalten, wobei jeder Bauelementchip an der Polyesterfolie 9 gehalten wird. Danach wird die Polyesterfolie 9 aufgeweitet, um dadurch die Beabstandung zwischen allen benachbarten Bauelementchips zu erhöhen. Danach wird jeder Bauelementchip unter Benutzung einer Aufnahmevorrichtung aufgenommen. Der Ringrahmen 7 ist aus einem steifen Material wie beispielsweise Metall ausgebildet und weist eine kreisförmige innere Öffnung 7a auf, die einen Durchmesser aufweist, der größer ist als derjenige des Wafers 1. Die äußere Form des Ringrahmens 7 ist im Wesentlichen kreisförmig. Der Ringrahmen 7 weist eine Vorderseite 7b und eine Rückseite 7c auf. Beim Ausbilden der Rahmeneinheit wird der Wafer 1 in der inneren Öffnung 7a des Ringrahmens 7 aufgenommen und auf eine solche Weise positioniert, dass die Mitte des Wafers 1 im Wesentlichen mit der Mitte der inneren Öffnung 7a übereinstimmt.
  • Die Polyesterfolie 9 ist eine flexible (aufweitbare) Kunststofffolie und weist eine ebene Vorderseite und eine ebene Rückseite auf. Die Polyesterfolie 9 ist eine kreisförmige Folie, die einen Durchmesser aufweist, der größer ist als der äußere Durchmesser des Ringrahmens 7. Die Polyesterfolie 9 weist keine Haftmittelschicht auf. Die Polyesterfolie 9 ist eine Folie aus einem Polymer (Polyester), das durch ein Polymerisieren einer Dicarbonsäure (einer Verbindung mit zwei Carboxylgruppen) und eines Diols (einer Verbindung mit zwei Hydroxyl-Gruppen) als ein Monomer synthetisiert wird. Beispiele der Polyesterfolie 9 beinhalten eine Polyethylen-Terephthalat-Folie und eine Polyethylen-Naphthalat-Folie. Die Polyesterfolie 9 ist transparent oder transluzent für sichtbares Licht. Als eine Abwandlung kann die Polyesterfolie 9 opak sein. Da die Polyesterfolie 9 keine Hafteigenschaft aufweist, kann sie bei Raumtemperatur nicht am Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 angehaftet werden. Allerdings ist die Polyesterfolie 9 eine thermoplastische Folie, sodass, wenn die Polyesterfolie 9 unter einem vorgegebenen Druck in einem Zustand, in dem die Polyesterfolie 9 in Kontakt mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 ist, auf eine Temperatur in der Nähe ihres Schmelzpunkts erwärmt wird, die Polyesterfolie 9 angeschmolzen wird und dadurch mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 verbunden wird. Das heißt, dass die Polyesterfolie 9 durch ein Aufbringen von Wärme und Druck in dem Zustand, in dem die Polyesterfolie 9 in Kontakt mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 steht, auf die Polyesterfolie 9 mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 verbunden werden kann. Somit werden beim Bearbeitungsverfahren für den Wafer 1 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform sowohl der Wafer 1, als auch der Ringrahmen 7, als auch die Polyesterfolie 9 durch ein Thermokompressionsverbinden wie oben erwähnt verbunden, und bilden dadurch die Rahmeneinheit.
  • Die Schritte des Bearbeitungsverfahrens für den Wafer 1 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform werden nun beschrieben. Vor dem Verbinden des Wafers 1, der Polyesterfolie 9 und des Ringrahmens 7 wird ein Polyesterfolienbereitstellungsschritt unter Benutzung eines Einspanntischs 2, der eine in 2 dargestellte Halteoberfläche 2a aufweist, durchgeführt. 2 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Art des Positionierens des Wafers 1 und des Ringrahmens 7 an der Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2 darstellt. Das heißt, dass der Polyesterfolienbereitstellungsschritt wie in 2 dargestellt an der Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2 durchgeführt wird. Der Einspanntisch 2 weist ein kreisförmiges poröses Element auf, das einen Durchmesser aufweist, der größer ist als der äußere Durchmesser des Ringrahmens 7. Das poröse Element bildet einen zentralen oberen Abschnitt des Einspanntischs 2. Das poröse Element weist eine obere Oberfläche auf, die als die Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2 dient. Eine (nicht dargestellte) Ansaugleitung ist im Einspanntisch 2 ausgebildet, wobei ein Ende der Ansaugleitung mit dem porösen Element verbunden ist. Ferner ist eine Vakuumquelle 2b (siehe 3) mit dem anderen Ende der Ansaugleitung verbunden. Die Ansaugleitung ist mit einem Wählschalter 2c (siehe 3) zum Schalten zwischen einem ON-Zustand und einem OFF-Zustand versehen. Wenn der ON-Zustand vom Wählschalter 2c hergestellt wird, wird ein von der Vakuumquelle 2b erzeugtes Vakuum auf ein an der Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2 platziertes Werkstück aufgebracht, wodurch das Werkstück am Haltetisch 2 unter Ansaugung gehalten wird.
  • Im Polyesterfolienbereitstellungsschritt werden zunächst der Wafer 1 und der Ringrahmen 7 wie in 2 dargestellt an der Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2 platziert. Zu diesem Zeitpunkt ist die Vorderseite 1a des Wafers 1 nach unten ausgerichtet und die Vorderseite 7b des Ringrahmens 7 ist ebenfalls nach unten ausgerichtet. In diesem Zustand ist der Wafer in der inneren Öffnung 7a des Ringrahmens 7 positioniert. Danach wird, wie in 3 dargestellt, die Polyesterfolie 9 an der Rückseite 1b (obere Oberfläche) des Wafers 1 und der Rückseite 7c (obere Oberfläche) des Ringrahmens 7 vorgesehen. 3 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Art des Bereitstellens der Polyesterfolie 9 am Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 darstellt. Das heißt, dass, wie in 3 dargestellt, die Polyesterfolie 9 so bereitgestellt wird, dass sie den Wafer 1 und den Ringrahmen 7 vollständig bedeckt. Im Polyesterfolienbereitstellungsschritt ist der Durchmesser der Polyesterfolie 9 größer festgelegt als der Durchmesser der Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2. Sofern der Durchmesser der Polyesterfolie 9 nicht größer ist als der Durchmesser der Halteoberfläche 2a, kann ein solches Problem auftreten, dass, wenn in einem später durchzuführenden Verbindungsschritt das Vakuum von der Vakuumquelle 2b auf die Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2 aufgebracht wird, das Vakuum aus jeder Lücke zwischen der Polyesterfolie 9 und der Halteoberfläche 2a verloren gehen kann, da die Halteoberfläche 2a nicht vollständig mit der Polyesterfolie 9 bedeckt ist, sodass ein Druck nicht geeignet auf die Polyesterfolie 9 aufgebracht werden kann.
  • Im Bearbeitungsverfahren für den Wafer 1 gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform wird als nächstes ein Verbindungsschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass die Polyesterfolie 9 erwärmt wird, um den Wafer 1 und den Ringrahmen 7 durch ein Thermokompressionsverbinden über die Polyesterfolie 9 zu verbinden. 4 ist eine schematische Perspektivansicht, die den Verbindungsschritt gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform darstellt. Wie in 4 dargestellt, ist die transparente oder für sichtbares Licht transluzente Polyesterfolie 9 so vorgesehen, dass sie den Wafer 1, den Ringrahmen 7 und die Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2, die in 4 alle durch gestrichelte Linien dargestellt sind, vollständig bedeckt. Im Verbindungsschritt wird der Wählschalter 2c betätigt, um den ON-Zustand herzustellen, in dem die Vakuumquelle 2b in Verbindung mit dem porösen Element des Einspanntischs 2, d.h. der Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2, steht, sodass ein von der Vakuumquelle 2b erzeugtes Vakuum auf die am Einspanntisch 2 bereitgestellte Polyesterfolie 9 aufgebracht wird. Demgemäß wird die Polyesterfolie 9 vom auf die obere Oberfläche der Polyesterfolie 9 aufgebrachten Atmosphärendruck in engen Kontakt mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 gebracht.
  • Danach wird die Polyesterfolie 9 in einem Zustand erwärmt, in dem die Polyesterfolie 9 von der Vakuumquelle 2b angesaugt wird, und führt dadurch ein Thermokompressionsverbinden durch. In dieser in 4 dargestellten bevorzugten Ausführungsform wird das Erwärmen der Polyesterfolie 9 beispielsweise durch eine oberhalb des Einspanntischs 2 vorgesehene Wärmepistole 4 bewirkt. Die Wärmepistole 4 weist ein Heizmittel wie beispielsweise einen Heizdraht und einen Luftblasemechanismus wie beispielsweise einen Ventilator auf. Demgemäß kann die Wärmepistole 9 Umgebungsluft erwärmen und die erwärmte Luft blasen. In einem Zustand, in dem das Vakuum von der Vakuumquelle 2b auf die Polyesterfolie 9 aufgebracht wird, wird die Wärmepistole 4 so betrieben, dass sie heiße Luft 4a zur oberen Oberfläche der Polyesterfolie 9 zuführt. Demgemäß wird, wenn die Polyesterfolie 9 auf eine vorgegebene Temperatur erwärmt ist, die Polyesterfolie 9 durch ein Thermokompressionsverbinden mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 verbunden.
  • Ein weiteres Verfahren kann zum Erwärmen der Polyesterfolie 9 verwendet werden. Beispielsweise kann jedes auf eine vorgegebene Temperatur erwärmte Element auf der Polyesterfolie 9 gegen den Wafer 1 und den Ringrahmen 7 gedrückt werden. 5 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine solche Abwandlung des Verbindungsschritts darstellt. Wie in 5 dargestellt, ist die transparente oder für sichtbares Licht transluzente Polyesterfolie 9 so vorgesehen, dass sie den Wafer 1, den Ringrahmen 7 und die Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2, die in 5 alle durch gestrichelte Linien dargestellt sind, vollständig bedeckt. In dieser in 5 dargestellten Abwandlung wird eine Wärmewalze 6, die eine Wärmequelle aufweist, benutzt. Insbesondere wird zunächst das von der Vakuumquelle 2b erzeugte Vakuum auf die Polyesterfolie 9 aufgebracht, sodass die Polyesterfolie 9 durch den auf die obere Oberfläche der Polyesterfolie 9 aufgebrachten Atmosphärendruck in engen Kontakt mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 gebracht wird.
  • Danach wird die Wärmewalze 6 auf eine vorgegebene Temperatur erwärmt und als nächstes an einem Ende, das am äußeren Umfang der Halteoberfläche 2a liegt, wie in 5 dargestellt, an der Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2 platziert. Danach wird die Wärmewalze 6 um ihre Achse gedreht, um über die Polyesterfolie 9 vom obigen einen Ende zu einem anderen Ende, das dem obigen einen Ende diametral gegenüberliegt, auf dem Einspanntisch 2 zu walzen. Als ein Ergebnis wird die Polyesterfolie 9 durch ein Thermokompressionsverbinden mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 verbunden. Im Fall, dass von der Wärmewalze 6 eine Kraft zum Drücken der Polyesterfolie 9 aufgebracht wird, wird das Thermokompressionsverbinden mit einem höheren Druck als dem Atmosphärendruck bewirkt. Bevorzugt ist die zylindrische Oberfläche der Wärmewalze 6 mit einem Fluorkunststoff beschichtet. Ferner kann die Wärmewalze 6 durch ein bügeleisenartiges Druckelement, das eine ebene Basisplatte aufweist und eine Wärmequelle aufweist, ersetzt werden. In diesem Fall wird das Druckelement auf eine vorgegebene Temperatur erwärmt, um dadurch eine heiße Platte bereitzustellen, die als nächstes auf die am Einspanntisch 2 gehaltene Polyesterfolie 9 gedrückt wird.
  • Ein weiteres anderes Verfahren zum Erwärmen der Polyesterfolie 9 kann auf die folgende Art verwendet werden. 6 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine solche andere Abwandlung des Verbindungsschritts darstellt. Wie in 6 dargestellt, ist die transparente oder für sichtbares Licht transluzente Polyesterfolie 9 so bereitgestellt, dass sie den Wafer 1, den Ringrahmen 7 und die Halteoberfläche 2a des Einspanntischs 2 vollständig bedeckt, die in 6 alle durch gestrichelte Linien dargestellt sind. In dieser in 6 dargestellten Abwandlung ist eine Infrarotlampe 8 oberhalb des Einspanntischs 2 vorgesehen, um die Polyesterfolie 9 zu erwärmen. Die Infrarotlampe 8 kann Infrarotlicht 8a, das eine Absorptionswellenlänge mindestens für das Material der Polyesterfolie 9 aufweist, aufbringen. In der in 6 dargestellten Abwandlung wird das von der Vakuumquelle 2b erzeugte Vakuum auch zunächst auf die Polyesterfolie 9 aufgebracht, sodass die Polyesterfolie 9 durch den auf die obere Oberfläche der Polyesterfolie 9 aufgebrachten Atmosphärendruck in engen Kontakt mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 gebracht wird. Danach wird die Infrarotlampe 8 betätigt, um das Infrarotlicht 8a auf die Polyesterfolie 9 aufzubringen, und erwärmt dadurch die Polyesterfolie 9. Als ein Ergebnis wird die Polyesterfolie 9 durch ein Thermokompressionsverbinden mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 verbunden.
  • Wenn die Polyesterfolie 9 durch ein Durchführen eines der obigen Verfahren auf eine Temperatur in die Nähe ihres Schmelzpunktes erwärmt wird, wird die Polyesterfolie 9 durch ein Thermokompressionsverbinden mit dem Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 verbunden. Nach dem Verbinden der Polyesterfolie 9 wird der Wählschalter 2c betätigt, um den OFF-Zustand herzustellen, in dem die Verbindung zwischen dem porösen Element des Einspanntischs 2 und der Vakuumquelle 2b getrennt ist. Demgemäß wird das Halten unter Ansaugung durch den Einspanntisch 2 beendet.
  • Danach wird die Polyesterfolie 9 entlang des äußeren Umfangs des Ringrahmens 7 kreisförmig geschnitten, um einen unerwünschten Umfangsabschnitt der Polyesterfolie 9 zu entfernen. 7A ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Art des Schneidens der Polyesterfolie 9 darstellt. Wie in 7A dargestellt, wird ein scheibenförmiger (ringförmiger) Schneider 10 benutzt, um die Polyesterfolie 9 zu schneiden. Der Schneider 10 weist ein zentrales Durchgangsloch 10a auf, in das ein Drehschaft 10b eingepasst ist. Demgemäß ist der Schneider 10 um die Achse des Drehschafts 10b drehbar. Zunächst wird der Schneider 10 oberhalb des Ringrahmens 7 positioniert. Zu diesem Zeitpunkt wird der Drehschaft 10b so angeordnet, dass er sich in der Radialrichtung des Einspanntischs 2 erstreckt. Danach wird der Schneider 10 abgesenkt, bis der äußere Umfang (Schneidrand) des Schneiders 10 in Kontakt mit der am Ringrahmen 7 platzierten Polyesterfolie 9 kommt. Das heißt, dass die Polyesterfolie 9 zwischen dem Schneider 10 und dem Ringrahmen 7 gefangen ist, sodass die Polyesterfolie 9 vom Schneider 10 geschnitten wird, um eine Schnittspur 9a auszubilden. Ferner wird der Schneider 10 an der Polyesterfolie 9 entlang einer kreisförmigen Linie, die zwischen dem inneren Umfang des Ringrahmens 7 (d.h. außerhalb von der inneren Öffnung 7a des Ringrahmens 7) und dem äußeren Umfang des Ringrahmens 7 angeordnet ist, drehend geführt und bildet dadurch die Schnittspur 9a entlang der obigen kreisförmigen Linie kreisförmig aus. Als ein Ergebnis wird ein vorgegebener zentraler Abschnitt der Polyesterfolie 9 von der kreisförmigen Schnittspur 9a umgeben. Danach wird ein verbleibender äußerer Abschnitt der Polyesterfolie 9 außerhalb der kreisförmigen Schnittspur 9a entfernt. Das heißt, dass ein unerwünschter äußerer Abschnitt der Polyesterfolie 9, beinhaltend einen äußersten äußeren Abschnitt außerhalb des äußeren Umfangs des Ringrahmens 7, entfernt werden kann.
  • Der Schneider 10 kann durch einen Ultraschallschneider zum Schneiden der Polyesterfolie 9 ersetzt werden. Ferner kann eine Vibrationsquelle zum Vibrieren des Schneiders 10 mit einer Frequenz in einem Ultraschallband mit dem Schneider 10 verbunden sein. Ferner kann die Polyesterfolie 9 beim Schneiden der Polyesterfolie 9 so gekühlt werden, dass sie gehärtet wird, um den Schneidvorgang zu erleichtern. Durch ein Schneiden der Polyesterfolie 9 wie oben erwähnt wird eine in 7B dargestellte Rahmeneinheit 11 ausgebildet, bei der die Rahmeneinheit 11 aus dem Wafer 1, dem Ringrahmen 7 und der Polyesterfolie 9, die miteinander verbunden sind, besteht. Das heißt, dass der Wafer und der Ringrahmen 7 miteinander über die Polyesterfolie 9 verbunden sind, um die Rahmeneinheit 11 wie in 7B dargestellt auszubilden. 7B ist eine schematische Perspektivansicht der Rahmeneinheit 11 in einem Zustand, in dem die Vorderseite 1a des Wafers und die Vorderseite 7b des Ringrahmens 7 nach oben freiliegen.
  • Beim Durchführen des Thermokompressionsverbindens wie oben erwähnt wird die Polyesterfolie 9 bevorzugt auf eine Temperatur gleich oder unterhalb des Schmelzpunkts der Polyesterfolie 9 erwärmt. Wenn die Erwärmungstemperatur größer ist als der Schmelzpunkt der Polyesterfolie 9, besteht eine Möglichkeit, dass die Polyesterfolie 9 in einem solchen Ausmaß geschmolzen wird, dass die Form der Polyesterfolie 9 nicht aufrechterhalten werden kann. Ferner wird die Polyesterfolie 9 bevorzugt auf eine Temperatur erwärmt, die gleich oder größer als des Erweichungspunkt der Polyesterfolie 9 ist. Wenn die Erwärmungstemperatur niedriger ist als der Erweichungspunkt der Polyesterfolie 9, kann das Thermokompressionsverbinden nicht geeignet durchgeführt werden. Demgemäß wird die Polyesterfolie 9 bevorzugt auf eine Temperatur gleich oder höher als der Erweichungspunkt der Polyesterfolie 9 und gleich oder niedriger als der Schmelzpunkt der Polyesterfolie 9 erwärmt. Ferner gibt es einen Fall, in dem der Erweichungspunkt der Polyesterfolie 9 unbekannt sein kann. Um mit einem solchen Fall umzugehen, wird die Polyesterfolie 9 beim Durchführen des Thermokompressionsverbindens bevorzugt auf eine Temperatur gleich oder höher als eine vorgegebene Temperatur und gleich oder niedriger als der Schmelzpunkt der Polyesterfolie 9 erwärmt, wobei die vorgegebene Temperatur um 20°C geringer ist als der Schmelzpunkt der Polyesterfolie 9.
  • Im Fall, dass die Polyesterfolie 9 eine Polyethylen-Terephthalat-Folie ist, wird die Erwärmungstemperatur im Verbindungsschritt bevorzugt im Bereich von 250°C bis 270°C festgelegt. Ferner wird die Erwärmungstemperatur im Verbindungsschritt im Fall, dass die Polyesterfolie 9 eine Polyethylen-Naphthalat-Folie ist, bevorzugt im Bereich von 160°C bis 180°C festgelegt.
  • Die Erwärmungstemperatur ist hierin als die Temperatur der zu erwärmenden Polyesterfolie 9 beim Durchführen des Verbindungsschritts definiert. Als die die Wärmepistole 4, die Wärmewalze 6, und die Infrarotlampe 8, die oben erwähnt sind, beinhaltenden Wärmequellen sind einige Arten von Wärmequellen, die in der Lage sind, eine Ausgabetemperatur festzulegen, praktisch eingesetzt worden. Allerdings erreicht die Temperatur der Polyesterfolie 9, selbst wenn eine solche Wärmequelle benutzt wird, um die Polyesterfolie 9 zu erwärmen, in einigen Fällen die oben festgelegte Ausgabetemperatur nicht. Um mit einem solchen Fall umzugehen, kann die Ausgabetemperatur der Wärmequelle auf eine Temperatur eingestellt werden, die größer ist als der Schmelzpunkt der Polyesterfolie 9, um die Polyesterfolie 9 auf eine vorgegebene Temperatur zu erwärmen.
  • Nach einem Durchführen des oben erwähnten Verbindungsschritts wird ein Teilungsschritt auf eine solche Weise durchgeführt, dass der Wafer 1 im Zustand der Rahmeneinheit 11 durch eine Laserablation bearbeitet wird, um mehrere sich kreuzende Teilungsnuten entlang er mehreren sich kreuzenden Teilungslinien 3 im Wafer 1 auszubilden, wodurch der Wafer 1 in einzelne Bauelementchips geteilt wird. Der Teilungsschritt wird in dieser bevorzugten Ausführungsform unter Benutzung einer in 8 dargestellten Laserbearbeitungsvorrichtung 12 durchgeführt. 8 ist eine schematische Perspektivansicht, die den Teilungsschritt darstellt. Wie in 8 dargestellt, weist die Laserbearbeitungsvorrichtung 12 eine Laserbearbeitungseinheit 14 zum Durchführen einer Laserablation am Wafer 1 und einen (nicht dargestellten) Einspanntisch zum Halten des Wafers 1 auf. Die Laserbearbeitungseinheit 14 weist einen Laseroszillator (nicht dargestellt) zum Erzeugen eines Laserstrahls 16 mit einer Absorptionswellenlänge für den Wafer 1 (der eine Wellenlänge aufweist, die für den Wafer 1 absorbierbar ist) auf. Der Einspanntisch weist eine obere Oberfläche als eine Halteoberfläche zum Halten des Wafers 1 auf. Der Einspanntisch ist in einer Richtung parallel zu seiner oberen Oberfläche bewegbar, das heißt, in einer Zufuhrrichtung bewegbar. Der vom Laseroszillator in der Laserbearbeitungseinheit 14 erzeugte Laserstrahl 16 wird auf den am Einspanntisch gehaltenen Wafer 1 aufgebracht. Die Laserbearbeitungseinheit 14 weist ferner einen Bearbeitungskopf 14a mit einem Mechanismus zum Fokussieren des Laserstrahle 16 an einer vorgegebenen vertikalen Position im Wafer 1 auf.
  • Beim Durchführen der Laserablation am Wafers 1 ist die Rahmeneinheit 11 in dem Zustand am Einspanntisch platziert, in dem die Vorderseite 1a des Wafers 1 nach oben freiliegt. Demgemäß wird der Wafer 1 über die Polyesterfolie 9 am Einspanntisch gehalten. Danach wird der Einspanntisch gedreht, um zu bewirken, dass die sich in der ersten Richtung erstreckenden Teilungslinien 3 an der Vorderseite 1a des Wafers 1 parallel zu einer Zufuhrrichtung in der Laserbearbeitungsvorrichtung 12 sind. Ferner werden der Einspanntisch und die Laserbearbeitungseinheit 14 relativ bewegt, um eine relative Position einzustellen, um dadurch den Bearbeitungskopf 14a direkt oberhalb einer Erstreckung einer Vorgegebenen der Teilungslinien 3, die sich in der ersten Richtung erstrecken, zu positionieren. Danach wird der Laserstrahl 16 vom Bearbeitungskopf 14a auf den Wafer aufgebracht. Gleichzeitig werden der Einspanntisch und die Laserbearbeitungseinheit 14 in der Zufuhrrichtung parallel zur oberen Oberfläche des Einspanntischs relativ bewegt. Folglich wird der Laserstrahl 16 entlang der vorgegebenen Teilungslinie 3 auf den Wafer 1 aufgebracht, wodurch eine Laserablation entlang der vorgegebenen Teilungslinie 3 durchgeführt wird. Demgemäß wird im Wafer 1 entlang der vorgegebenen Teilungslinie 3 durch den Laserstrahl 16 eine Teilungsnut 3a ausgebildet. Die Teilungsnut 3a weist eine Tiefe von der Vordersite 1a zur Rückseite 1b des Wafers 1 auf. In diesem Teilungsschritt kann der Laserstrahl 16 unter den folgenden Bearbeitungsbedingungen aufgebracht werden. Die folgenden Bearbeitungsbedingungen sind nur beispielhaft.
    Wellenlänge: 355 nm
    Wiederholungsfrequenz: 50 kHz
    Durchschnittliche Leistung: 5 W
    Zufuhrgeschwindigkeit: 200 mm/s
  • Nach einem Ausbilden der Teilungsnut 3a entlang der vorgegebenen Teilungslinie 3 werden der Einspanntisch und die Laserbearbeitungseinheit 14 in einer Indexrichtung senkrecht zur Zufuhrrichtung bewegt, um eine Laserablation entlang der nächsten Teilungslinie 3, die sich in der ersten Richtung erstreckt, ähnlich durchzuführen. Danach wird eine Laserablation entlang aller anderen Teilungslinien 3, die sich in der ersten Richtung erstrecken, ähnlich durchgeführt. Somit werden mehrere ähnliche Teilungsnuten 3a entlang aller Teilungslinien 3, die sich in der ersten Richtung erstrecken, ausgebildet. Danach wird der Einspanntisch um 90 Grad um seine vertikale Achse senkrecht zur seiner Halteoberfläche gedreht, um eine Laserablation entlang aller Teilungslinien 3, die sich in der zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung erstrecken, ähnlich durchzuführen. Somit werden mehrere ähnliche Teilungsnuten 3a entlang aller Teilungslinien 3, die sich in der zweiten Richtung erstrecken, ähnlich ausgebildet. Auf diese Weise werden die mehreren sich kreuzenden Teilungsnuten 3a mit einer Tiefe von der Vorderseite 1a zur Rückseite 1b des Wafers im Wafer 1 entlang der jeweiligen sich kreuzenden Teilungslinien 3 ausgebildet, sodass der Wafer 1 durch diese Teilungslinien 3a geteilt wird, um die einzelnen Bauelementchips zu erhalten.
  • Wenn die Laserbearbeitungseinheit 14 betätigt wird, um eine Laserablation am Wafer 1 durchzuführen, wird vom Wafer 1 an der Position, an welcher der Laserstrahl 16 aufgebracht wird, Bearbeitungsstaub erzeugt. Dieser Bearbeitungsstaub verteilt sich um diese Laseraufbringposition, um an der Vorderseite 1a des Wafers 1 anzuhaften. Auch wenn die Vorderseite 1a des Wafers 1 nach einem Durchführen der Laserablation am Wafer 1 unter Benutzung einer unten beschriebenen Reinigungseinheit gereinigt wird, ist es nicht einfach, diesen an der Vorderseite 1a des Wafers 1 anhaftenden Bearbeitungsstaub komplett zu entfernen. Wenn der Bearbeitungsstaub an jedem vom Wafer 1 erhaltenen Bauelementchip verbleibt, wird die Qualität jedes Bauelementchips verringert. Um mit diesem Problem umzugehen, kann im Vorhinein ein wasserlöslicher flüssiger Kunststoff auf die Vorderseite 1a des Wafers 1 aufgebracht werden, wobei dieser wasserlösliche flüssige Kunststoff als ein Schutzfilm zum Schützen der Vorderseite 1a des Wafers 1 dient. Im Fall, dass der flüssige Kunststoff im Vorhinein auf die Vorderseite 1a des Wafers 1 aufgebracht wird, haftet der sich bei einem Durchführen der Laserablation verteilende Bearbeitungsstaub an der oberen Oberfläche des aufgebrachten flüssigen Kunststoffs an. Das heißt, dass der Bearbeitungsstaub daran gehindert wird, direkt an die Vorderseite 1a des Wafers 1 anzuhaften. Nach einem Durchführen der Laserablation wird der Wafer 1 unter Benutzung der Reinigungseinheit gereinigt. Zu diesem Zeitpunkt kann der Bearbeitungsstaub bei einem Reinigen des Wafers 1 gemeinsam mit dem aufgebrachten flüssigen Kunststoff entfernt werden.
  • Das heißt, dass die Laserbearbeitungsvorrichtung 12 eine solche (nicht dargestellte) Reinigungseinheit aufweisen kann. In diesem Fall wird der von der Laserbearbeitungseinheit 14 wie oben erwähnt bearbeitete Wafer 1 zur Reinigungseinheit übertragen und dann von der Reinigungseinheit gereinigt. Beispielsweise weist die Reinigungseinheit einen Reinigungstisch mit einer Halteoberfläche zum Halten der Rahmeneinheit 11 und eine Reinigungswasserdüse auf, eingerichtet ist, um oberhalb der an der Halteoberfläche des Reinigungstischs gehaltenen Rahmeneinheit 11 horizontal hin und her bewegt zu werden. Die Reinigungswasserdüse wirkt so, dass sie Reinigungswasser wie beispielsweise Reinwasser zum Wafer 1 zuführt. Der Reinigungstisch ist um seine zu seiner Halteoberfläche senkrechte Achse drehbar. Beim Betrieb wird der Reinigungstisch um seine Achse gedreht und zur gleichen Zeit wird das Reinigungswasser von der Reinigungswasserdüse zum Wafer 1 zugeführt. Während dieser Zufuhr des Reinigungswassers wird die Reinigungswasserdüse entlang eines Pfades, der durch die Position direkt oberhalb der Mitte der Halteoberfläche des Reinigungstischs verläuft, horizontal hin und her bewegt. Demgemäß kann die gesamte Oberfläche der Vorderseite 1a des Wafers 1 vom Reinigungswasser gereinigt werden.
  • Nach einem Durchführen des Teilungsschritts oder des Reinigungsschritts wird ein Aufnahmeschritt durchgeführt, um jeden Bauelementchip von der Polyesterfolie 9 aufzunehmen. Der Aufnahmeschritt wird unter Benutzung einer in 9 dargestellten Aufnahmevorrichtung 18 durchgeführt. 9 ist eine schematische Perspektivansicht, die eine Art des Ladens der Rahmeneinheit 11 in die Aufnahmevorrichtung 18 darstellt. Wie in 9 dargestellt, weist die Aufnahmevorrichtung 18 eine zylindrische Trommel 20 und eine Rahmenhalteeinheit 22 auf, die einen um die zylindrische Trommel 20 vorgesehenen Rahmentragtisch 26 aufweist. Die zylindrische Trommel 20 weist einen inneren Durchmesser, der größer als der Durchmesser des Wafers 1 ist, und einen äußeren Durchmesser auf, der kleiner als der innere Durchmesser des Ringrahmens 7 (der Durchmesser der inneren Öffnung 7a) ist. Der Rahmentragtisch 26 der Rahmenhalteeinheit 22 ist ein ringförmiger Tisch, der eine kreisförmige innere Öffnung aufweist, die einen größeren Durchmesser aufweist als die Trommel 20. Das heißt, dass der Rahmentragtisch 26 einen inneren Durchmesser aufweist, der größer ist als der äußere Durchmesser der Trommel 20. Ferner weist der Rahmentragtisch 26 einen äußeren Durchmesser auf, der größer ist als der äußere Durchmesser des Ringrahmens 7. Der innere Durchmesser des Rahmentragtischs 26 ist im Wesentlichen gleich dem inneren Durchmesser des Ringrahmens 7. Der Rahmentragtisch 26 weist eine obere Oberfläche als eine Tragoberfläche zum Tragen des Ringrahmens 7 über die Polyesterfolie 9 darauf auf. Zunächst wird die Höhe der oberen Oberfläche des Rahmentragtischs 26 gleich der Höhe des oberen Endes der Trommel 20 eingestellt (siehe 10A). Ferner wird der obere Endabschnitt der Trommel 20 in dieser initialen Stufe vom inneren Umfang des Ringrahmens 7 umgeben.
  • Mehrere Klemmen 24 sind am äußeren Umfang des Rahmentragtischs 26 vorgesehen. Jede Klemme 24 wirkt so, dass sie den am Rahmentragtisch 26 getragenen Ringrahmen 7 hält. Das heißt, dass die Rahmeneinheit 11, wenn der Ringrahmen 7 der Rahmeneinheit 11 über die Polyesterfolie 9 am Rahmentragtisch 26 platziert ist und dann von jeder Klemme 24 gehalten wird, am Rahmentragtisch 26 befestigt werden kann. Der Rahmentragtisch 26 wird von mehreren Stäben 28, die sich in einer vertikalen Richtung erstrecken, getragen. Das heißt, dass jeder Stab 28 an seinem oberen Ende mit der unteren Oberfläche des Rahmentragtischs 26 verbunden ist. Ein Luftzylinder 30 zum vertikalen Bewegen jedes Stabs 28 ist mit dem unteren Ende jedes Stabs 28 verbunden. Insbesondere ist das untere Ende jedes Stabs 28 mit einem Kolben (nicht dargestellt), der beweglich im Luftzylinder 30 untergebracht ist, verbunden. Jeder Luftzylinder 30 wird an einer scheibenförmigen Basis 32 getragen. Das heißt, dass das untere Ende jedes Luftzylinders 30 mit der oberen Oberfläche der scheibenförmigen Basis 32 verbunden ist. Demgemäß wird, wenn jeder Luftzylinder 30 in der initialen Stufe betätigt wird, der Rahmentragtisch 26 in Bezug auf die an Ort und Stelle befestigte Trommel 20 abgesenkt.
  • Ferner ist ein Hochdrückmechanismus 34 zum Hochdrücken jedes an der Polyesterfolie 9 getragenen Bauelementchips innerhalb der Trommel 20 vorgesehen. Der Hochdruckmechanismus 34 wirkt so, dass er Luft 34a nach oben bläst. Das heißt, dass jeder Bauelementchip so eingerichtet ist, dass er vom unterhalb der Polyesterfolie 9 angeordneten Hochdrückmechanismus 34 durch ein Blasen der Luft 34a nach oben via die Polyesterfolie 9 hochgedrückt wird. Ferner ist ein Greifer 36 (siehe 10B), der in der Lage ist, jeden Bauelementchip unter Ansaugung zu halten, oberhalb der Trommel 20 vorgesehen. Sowohl der Hochdrückmechanismus 34 als auch der Greifer 36 sind in einer horizontalen Richtung parallel zur oberen Oberfläche des Rahmentragtischs 26 beweglich. Der Greifer 36 ist über einen Wählschalter 36b (siehe 10B) mit einer Vakuumquelle 36a (siehe 10B) verbunden.
  • Im Aufnahmeschritt wird zunächst jeder Luftzylinder 30 in der Aufnahmevorrichtung 18 betätigt, um die Höhe des Rahmentragtischs 26 so einzustellen, dass die Höhe des oberen Endes der Trommel 20 der Höhe der oberen Oberfläche des Rahmentragtischs 26 entspricht. Danach wird die von der Laserbearbeitungsvorrichtung 12 übertragene Rahmeneinheit 11 an der Trommel 20 und dem Rahmentragtisch 26 in der Aufnahmevorrichtung 18 in einem Zustand platziert, in dem die Vorderseite 1a des Wafers 1 der Rahmeneinheit 11 nach oben gerichtet ist. Danach wird jede Klemme 24 betätigt, um den Ringrahmen 7 der Rahmeneinheit 11 an der oberen Oberfläche des Rahmentragtischs 26 zu befestigen. 10A ist eine schematische Schnittansicht, die einen Standby-Zustand, in dem die Rahmeneinheit 11 am an der initialen Position eingestellten Rahmentragtisch 26 befestigt ist, darstellt. Zu diesem Zeitpunkt sind die mehreren Teilungsnuten 3a bereits im Teilungsschritt im Wafer 1 ausgebildet worden, sodass der Wafer 1 bereits in mehrere einzelne Bauelementchips 1c geteilt worden ist (siehe 10B).
  • Danach wird jeder Luftzylinder 30 betätigt, um den Rahmentragtisch 26 der Rahmenhalteeinheit 22 in Bezug auf die Trommel 20 abzusenken. Als ein Ergebnis wird die von jeder Klemme 24 an der Rahmenhalteeinheit 22 befestigte Polyesterfolie 9 wie in 10B dargestellt nach radial auswärts aufgeweitet. 10B ist eine schematische Schnittansicht, die einen Bearbeitungszustand darstellt, in dem der Rahmentragtisch 26, der den Ringrahmen 7 mit der Polyesterfolie 9 hält, abgesenkt wird, um die Polyesterfolie 9 aufzuweiten. Wenn die Polyesterfolie 9 wie oben erwähnt nach radial auswärts aufgeweitet wird, wird der Abstand zwischen benachbarten Bauelementchips 1c, die an der Polyesterfolie 9 getragen werden, wie in 10B dargestellt vergrößert. Demgemäß kann der Kontakt zwischen den benachbarten Bauelementchips 1c unterdrückt werden und jeder Bauelementchip 1c kann einfach aufgenommen werden. Danach wird ein gezielter Bauelementchip 1c gewählt und der Hochdrückmechanismus 34 wird als nächstes wie in 10B dargestellt in eine Position direkt unterhalb dieses Zielbauelementchips 1c bewegt. Darüber hinaus wird auch der Greifer 36 wie in 10B dargestellt zu einer Position direkt oberhalb dieses Zielbauelementchips 1c bewegt. Danach wird der Hochdrückmechanismus 34 betätigt, um den Zielbauelementchip 1c über die Polyesterfolie 9 durch ein Blasen der Luft 34a hochzudrücken. Ferner wird der Wählschalter 36b betätigt, um zu bewirken, dass der Greifer 36 mit der Vakuumquelle 36a in Verbindung steht. Als ein Ergebnis wird der Zielbauelementchip 1c vom Greifer 36 unter Ansaugung gehalten und dadurch von der Polyesterfolie 9 aufgenommen. Eine solche Aufnahmebetätigung wird für alle anderen Bauelementchips 1c ähnlich durchgeführt. Danach wird jeder aufgenommene Bauelementchip 1c für eine tatsächliche Benutzung an einem vorgegebenen Verkabelungssubstrat oder dergleichen angebracht.
  • Beachte, dass, wenn bei einem Aufnehmen jedes Bauelementchips die Luft 34a via die Polyesterfolie 9 zu jedem Bauelementchip geblasen wird und jeder Bauelementchip hochgedrückt wird, eine bei einem Abziehen jedes Bauelementchips von der Polyesterfolie 9 aufgebrachte Last reduziert wird.
  • Im Fall eines Ausbildens der Rahmeneinheit 11 unter Benutzung eines Haftbandes wird durch die Aufbringung des Laserstrahls 16 im Teilungsschritt erzeugte Wärme zum Haftband übertragen, sodass die Haftmittelschicht des Haftbandes geschmolzen wird und an der Rückseite jedes Bauelementchips befestigt wird. Demgemäß besteht in diesem Fall ein Problem dahingehend, dass die Anhaftung der Haftmittelschicht an jedem Bauelementchip eine Qualitätsverringerung bewirkt. Im Vergleich dazu kann im Waferbearbeitungsverfahren gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform die Rahmeneinheit 11 unter Benutzung der Polyesterfolie 9, die keine Haftmittelschicht aufweist, ausgebildet werden, wobei die Polyesterfolie 9 durch ein Thermokompressionsverbinden am Wafer 1 und dem Ringrahmen 7 angebracht wird. Das heißt, dass ein Haftmittelband mit einer Haftmittelschicht nicht erforderlich ist. Folglich ist es möglich, eine Qualitätsverringerung jedes Bauelementchips aufgrund der Anhaftung der Haftmittelschicht an der Rückseite jedes Bauelementchips zu vermeiden.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die obige bevorzugte Ausführungsform beschränkt, sondern es können verschiedene Abwandlungen innerhalb des Umfangs der vorliegenden Erfindung erfolgen. Während in der obigen bevorzugten Ausführungsform beispielsweise die Polyesterfolie 9 aus einer Polyethylen-Terephthalat-Folie und einer Polyethylen-Naphthalat-Folie ausgewählt ist, ist dies nur illustrativ. Das heißt, dass die in der vorliegenden Erfindung benutzbare Polyesterfolie aus allen anderen Materialien (Polyestern) wie beispielsweise Polytrimethylen-Terephthalat, Polybutyren-Terephthalat oder Polybutylen-Naphthalat ausgebildet sein kann.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Patentansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP H10305420 [0003]
    • JP 3076179 [0004]

Claims (8)

  1. Waferbearbeitungsverfahren zum Teilen eines Wafers entlang mehrerer Teilungslinien, um mehrere einzelne Bauelementchips zu erhalten, wobei die Teilungslinien an der Vorderseite des Wafers ausgebildet sind, sodass sie mehrere getrennte Bereiche definieren, in denen mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet sind, wobei das Waferbearbeitungsverfahren aufweist: einen Ringrahmenvorbereitungsschritt des Vorbereitens eines Ringrahmens, der eine innere Öffnung zum Aufnehmen des Wafers aufweist; einen Polyesterfolienbereitstellungsschritt des Positionierens des Wafers in der inneren Öffnung des Ringrahmens und des Vorsehens einer Polyesterfolie an einer Rückseite des Wafers und an einer Rückseite des Ringrahmens; einen Verbindungsschritt des Erwärmens der Polyesterfolie während eines Aufbringens eines Drucks auf die Polyesterfolie nach einem Durchführen des Polyesterfolienbereitstellungsschritts, wodurch der Wafer und der Ringrahmen durch ein Thermokompressionsverbinden über die Polyesterfolie verbunden werden, sodass sie eine Rahmeneinheit in einem Zustand ausbilden, in dem die Vorderseite des Wafers und die Vorderseite des Ringrahmens nach oben freiliegen; einen Teilungsschritt des Aufbringens eines Laserstrahls auf den Wafer entlang jeder Teilungslinie, wobei der Laserstrahl eine Absorptionswellenlänge für den Wafer aufweist, nach einem Durchführen des Verbindungsschritts, wodurch eine Teilungsnut im Wafer entlang jeder Teilungslinie ausgebildet wird, um den Wafer in die einzelnen Bauelementchips zu teilen; und einen Aufnahmeschritt des Blasens von Luft zu jedem Bauelementchip via die Polyesterfolie nach einem Durchführen des Teilungsschritts, um jeden Bauelementchip hochzudrücken, wodurch jeder Bauelementchip von der Polyesterfolie aufgenommen wird.
  2. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Verbindungsschritt einen Schritt des Aufbringens von Infrarotlicht auf die Polyesterfolie aufweist, wodurch das Thermokompressionsverbinden durchgeführt wird.
  3. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Polyesterfolie größer als der Ringrahmen ist und wobei der Verbindungsschritt einen zusätzlichen Schritt des Schneidens der Polyesterfolie nach einem Erwärmen der Polyesterfolie aufweist, wodurch ein Teil der Polyesterfolie außerhalb eines äußeren Umfangs des Ringrahmens entfernt wird.
  4. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Aufnahmeschritt einen Schritt des Aufweitens der Polyesterfolie beinhaltet, um dadurch einen Abstand zwischen jeweiligen benachbarten Bauelementchips zu erhöhen.
  5. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei die Polyesterfolie aus einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Polyethylen-Terephthalat und Polyethylen-Naphthalat besteht.
  6. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 5, wobei die Polyesterfolie aus Polyethylen-Terephthalat ausgebildet ist und die Polyesterfolie im Verbindungsschritt im Bereich von 250°C bis 270°C erwärmt wird.
  7. Waferbearbeitungsverfahren nach Anspruch 5, wobei die Polyesterfolie aus Polyethylen-Naphthalat ausgebildet ist und die Polyesterfolie im Verbindungsschritt im Bereich von 160°C bis 180°C erwärmt wird.
  8. Waferbearbeitungsverfahren nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der Wafer aus einem Material ausgebildet ist, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Silizium, Galliumnitrid, Galliumarsenid und Glas besteht.
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