TW201320176A - 構件剝離方法及構件剝離裝置 - Google Patents

構件剝離方法及構件剝離裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201320176A
TW201320176A TW101133172A TW101133172A TW201320176A TW 201320176 A TW201320176 A TW 201320176A TW 101133172 A TW101133172 A TW 101133172A TW 101133172 A TW101133172 A TW 101133172A TW 201320176 A TW201320176 A TW 201320176A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
rigid member
rigid
peeling
adhesive layer
pressure
Prior art date
Application number
TW101133172A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuta Saito
Shinya Nakajima
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of TW201320176A publication Critical patent/TW201320176A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

本發明係關於使經由黏著層黏著之第一剛性構件與第二剛性構件在將其剝離開時可使用更簡單之方法快速且容易地剝離。本發明關於一種構件剝離方法，其包括使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上彈性撓曲之步驟；及在該第一剛性構件14之至少該已經彈性撓曲之部分與該第二剛性構件16之間，自該第一剛性構件14或該第二剛性構件16上部分剝離黏著層12之外緣區域12a的步驟。在構件剝離裝置10中，使用具有與該第一剛性構件14之正面14a接觸之壁18的夾具24形成含有該第二剛性構件16之腔室20，且藉由真空裝置26將該腔室20中之壓力降至小於作用於該第一剛性構件14之背面14b上的氣壓P1。基本上整個該第一剛性構件14經均勻撓曲而藉由此差壓壓入該腔室20中。

Description

構件剝離方法及構件剝離裝置
本發明係關於用於將經由黏著層黏著在一起之第一剛性構件與第二剛性構件剝離開的構件剝離方法及構件剝離裝置。
在半導體晶片製造製程中，存在已知製程，其中在具有特定厚度之晶圓的一個表面上製造電路後，在保護膜或支撐構件(諸如玻璃板或其類似物)已黏著至在上面製造電路之表面(在下文中稱為「電路面」)的狀態下，藉由均勻研磨背面降低晶圓之厚度，該背面為電路面之相對側面。通常將藉由研磨背面而變薄之晶圓自支撐構件上剝離，接著轉移至隨後製程，諸如切割。
舉例而言，日本未審查專利申請公開案2006-303180揭示一種用於在研磨背面時將半導體裝置中所用基板緊固至支撐構件的緊固方法。此緊固方法被描述為包括「製備膜之製備步驟；使用黏著劑將基板與該已製備膜之第一主要面黏著在一起的第一黏著步驟；以及使用蠟將該膜之第二主要面與支撐構件黏著在一起的第二黏著步驟」。此外，亦存在以下描述：「首先，(1)將欲研磨基板與經黏著劑塗佈之膜片表面黏著在一起；此後(2)使用蠟將支撐構件與未經黏著劑塗佈之膜片表面黏著在一起。以此方式，將基板強力緊固至支撐構件。此後，(3)緊固該支撐構件且將基板研磨至所要厚度。研磨完畢後，(4)將蠟熔融以使膜片自支 撐構件上釋放；此後(5)降低黏著劑之黏著性且自基板剝離膜片。此後，(6)用經純化之水沖洗基板並乾燥，可獲得具有更佳研磨狀態之基板」。關於剝離步驟之特定組態，存在以下描述：「在研磨後，將上面已緊固已完成圖3a中所說明之研磨之基板10的支撐構件40置放於熱板上。將支撐構件40之背面加熱至80℃，接著在蠟30呈熔融狀態時自支撐構件40剝離膜20(步驟S105)......此後，如圖3b中所說明，使用可產生紫外線輻射之1 kW金屬鹵化物燈，在300 mJ/cm2之總曝光劑量條件下，自膜21之第二主要面212側進行紫外線照射，持續5秒。此舉使黏著劑22硬化，從而降低黏著強度。在藉由抽真空來緊固基板10之研磨面側的此狀態下，自邊緣緩慢剝離膜片20(步驟S106)。由此可獲得無裂紋及碎裂之基板10，如圖3c中所說明」。
當剝離藉由黏著劑彼此黏著之第一剛性構件與第二剛性構件時，諸如在自支撐構件剝離已進行背面研磨之晶圓的步驟中，需要能夠使用更簡單之方法快速且安全地進行此剝離。
本發明之一個態樣為一種用於將經由黏著層黏著在一起之第一剛性構件與第二剛性構件剝離開的構件剝離方法，該方法包括：使該第一剛性構件之至少一部分在遠離該第二剛性構件之方向上彈性撓曲之步驟；及在該經彈性撓曲之第一剛性構件之至少一部分與該第二剛性構件之間，自該第一剛性構件或該第二剛性構件上部分剝離該黏著層之 外緣區域的步驟。
本發明之另一態樣為一種用於將經由黏著層黏著在一起之第一剛性構件與第二剛性構件剝離開的構件剝離裝置，該裝置包括：差壓產生機構，其用於在作用於該第二剛性構件所黏著之該第一剛性構件之正面上的氣壓與作用於該第一剛性構件之背面上的氣壓之間施加一個差值，該背面為該正面之相對側面；其中該差壓產生機構引起該第一剛性構件之至少一部分在遠離該第二剛性構件之方向上彈性撓曲，以便在該經彈性撓曲之第一剛性構件之至少一部分與該第二剛性構件之間，自該第一剛性構件或該第二剛性構件上部分剝離該黏著層之外緣區域。
本發明之又一態樣為一種用於將經由黏著層黏著在一起之第一剛性構件與第二剛性構件剝離開的構件剝離裝置，該裝置包括：施壓機構，其用於在使該第二剛性構件所黏著之該第一剛性構件之正面與該第二剛性構件分離的方向上，向該正面施加第一壓力，且同時在與該第一壓力之方向相對的方向上，向該第一剛性構件之背面施加第二壓力，該背面為該正面之相對側面；其中該施壓機構引起該第一剛性構件之至少一部分在遠離該第二剛性構件之方向上彈性撓曲，以便在該經彈性撓曲之第一剛性構件之至少一部分與該第二剛性構件之間，自該第一剛性構件或該第二剛性構件上部分剝離該黏著層之外緣區域。
根據本發明第一態樣之構件剝離方法可在藉由黏著層彼此黏著之此等第一及第二剛性構件中藉由僅使該第一剛性 構件之至少一部分在遠離該第二剛性構件之方向上撓曲而在該黏著層之該外緣區域與該第一剛性構件或該第二剛性構件之間產生部分剝離，該部分剝離充當完全剝離之起始點。在已產生該黏著層之該部分剝離後，可藉由在將兩者之表面拉開的方向上相對移動該等表面而使該第一剛性構件與該第二剛性構件彼此完全剝離。因此，不需要熔融該黏著層或降低黏著強度之製程，且可使用更簡單之製程快速且安全地使該第一剛性構件與該第二剛性構件彼此剝離。
根據本發明另一態樣之構件剝離裝置可基本上使整個第一剛性構件快速且安全地撓曲，以便產生具有均勻所要曲率之彎弓形狀而不損壞該第一剛性構件之正面或背面。此外，藉由提供具有簡單結構之差壓產生機構，可降低設備成本。由此可藉由更簡單之製程快速且安全地使該第一剛性構件與該第二剛性構件彼此剝離。
根據本發明又一態樣之構件剝離裝置可使該第一剛性構件之所要位置快速且安全地撓曲，以便產生具有所要幅度的彎弓形狀。藉由提供具有簡單結構之施壓機構，可降低設備成本。由此可藉由更簡單之製程快速且安全地使該第一剛性構件與該第二剛性構件彼此剝離。
下文將參考附圖詳細說明根據本發明之實施例。在所有圖中，對相應結構元件將指定共同參考碼。圖1說明根據一個本發明實施例之構件剝離方法及根據一個本發明實施 例之構件剝離裝置10，該構件剝離裝置能夠執行該構件剝離方法。所說明之構件剝離方法及構件剝離裝置10係用於將利用介於之間的黏著層12彼此黏著的第一剛性構件14與第二剛性構件16剝離開，且可應用於例如半導體晶片製造製程中自支撐構件剝離已進行背面研磨之晶圓的步驟。然而，與該本發明態樣相關之構件剝離方法之應用及與其他本發明態樣相關之構件剝離裝置之應用不限於此。
在所說明之結構中，第一剛性構件14為板形元件，其具有基本上彼此平行延伸之平坦正面14a及平坦背面14b，以及介於正面14a與背面14b之間的環形外周表面14c。第一剛性構件14可將第二剛性構件16穩定支撐在正面14a上，而該構件自身不會發生任何變形。另一方面，第一剛性構件14具有一定剛度以使得其至少一部分可彈性撓曲至由提前確定之範圍內之外力提前確定之程度。第一剛性構件14可為由例如陶瓷(諸如玻璃或其類似物)或塑膠(諸如貝克萊(Bakelite)或其類似物)製成之基板。
在所說明之結構中，第二剛性構件16為平板元件，其具有基本上彼此平行延伸之平坦正面16a及平坦背面16b，以及介於正面16a與背面16b之間的環形外周表面16c。第二剛性構件16具有足夠剛度以便在處於第一剛性構件14之正面14a上時允許針對機械加工力(例如背面16b之研磨、拋光或其類似操作)以及外力(諸如自第一剛性構件14經由黏著層12傳播之撓曲力)維持平板狀形式。第二剛性構件16可為由例如矽、砷化鎵、石英、玻璃或其類似物製成之晶 圓或基板，且特定言之，可為具有相對較高硬度之晶圓或基板，諸如藍寶石、碳化矽(SiC)或鉭酸鋰(LiTaO3)或其類似物。
當第一剛性構件14具有盤狀形式時，第一剛性構件14之直徑可為例如超過約70 mm且小於約300 mm。舉例而言，第一剛性構件14之厚度可為超過約0.5 mm且小於約5 mm，且可超過約1 mm且小於約2 mm。當第二剛性構件16具有盤狀形式時，第二剛性構件16之直徑可小於第一剛性構件14之直徑，例如超過約50 mm且小於約280 mm。此外，第二剛性構件16之厚度可為例如超過約0.3 mm且小於約2.0 mm。
當所說明之構件剝離方法執行用於在半導體晶片製造製程中自支撐構件剝離已進行背面研磨之晶圓的步驟時，第一剛性構件14變成用於覆蓋晶圓之電路面且用於在背面研磨時穩定支撐晶圓的支撐構件，且至少正面14a為能夠改良所研磨表面相對於晶圓電路面之平行程度的平滑表面。另一方面，第二剛性構件16為已進行背面研磨之晶圓，其為用於半導體晶片之原材料，其中正面16a為已形成特定電路圖案之電路面，且背面16b為研磨後之表面(亦即已經研磨之表面)。晶圓之厚度為例如約0.5 mm至約1 mm，且與直徑一起進行標準化。此外，已進行背面研磨之半導體晶片之厚度為例如約50 μm至約100 μm，且預期可變得甚至更薄。
作為晶圓，所說明之第二剛性構件16通常具有盤狀形 式，但亦可具有例如矩形板狀形式。類似地，所說明之第一剛性構件14具有與第二剛性構件16相似之盤狀形式，但亦可具有例如矩形平板狀形式，且可具有與第二剛性構件16不同的形式。對第一剛性構件14及第二剛性構件16之材料、形狀、尺寸及其類似性質無特別限制，除了第一剛性構件14之至少一部分能夠產生特定彈性撓曲，且第一剛性構件14之正面14a具有能夠延伸至第二剛性構件16之外周表面16c之外的尺寸(在盤形情況下，此暗示第一剛性構件14之直徑大於第二剛性構件16之直徑)。應注意，當輻射可固化黏著劑，諸如紫外線可固化黏著劑或其類似物，用於黏著層12時，第一剛性構件14較佳將具有適當滲透性。本文中滲透性指示在適用於可固化黏著劑之特定電磁光譜範圍(諸如紫外線光譜)內之滲透性。
黏著層12可由例如可固化黏著劑、溶劑型黏著劑、熱塑性樹脂(包括熱熔融型黏著劑)、水分散型黏著劑或其類似物製成，其經固化或硬化以便在緊固狀態下展現可將第二剛性構件16之正面16a強力固持於第一剛性構件14之正面14a的黏著強度。在本文中，可固化黏著劑為藉由用能量(諸如熱、紫外線輻射或其類似物)照射加以固化之液體黏著劑，溶劑型黏著劑為藉由蒸發溶劑來進行硬化的液體黏著劑，且熱熔融型黏著劑為藉由加熱而熔融且藉由冷卻而硬化的黏著劑。此外，水分散型黏著劑為黏著劑組分分散於水中且藉由蒸發水而硬化的黏著劑。作為可固化黏著劑，雖然不加以特別限制，但實例包括基於環氧樹脂、胺 基甲酸酯或丙烯酸樹脂之單組分熱可固化黏著劑；基於環氧樹脂、胺基甲酸酯或丙烯酸樹脂之雙液體混合反應黏著劑；及基於丙烯酸樹脂或環氧樹脂之紫外線可固化黏著劑及電子束可固化黏著劑。此外，作為溶劑型黏著劑，然而不加以特別限制，但實例包括橡膠黏著劑，其中橡膠、彈性體或其類似物溶解於溶劑中。
黏著層12基本上以均勻厚度形成在第一剛性構件14之正面14a與第二剛性構件16之正面16a之間的整個空間中，且此等正面14a及16a在已排除氣泡之狀態下例如藉由如下文針對第一剛性構件14及第二剛性構件16所述之黏著方法緊密黏著。黏著層12之厚度可為例如大於0.001 mm且小於約0.2 mm。如所說明，黏著層12之外緣區域12a可經定位而延伸至與第二剛性構件16之外周表面16c相比更靠外處。在此情況下，黏著層12之外緣區域12a可向外延伸至覆蓋外周表面16c且達到第二剛性構件16之厚度之約一半的程度。反之，黏著層12之外緣區域12a可定位於兩個正面14a與16a之間(亦即，自第二剛性構件16之外周表面16c進一步向內)。
在第二剛性構件16為晶圓的情況下，黏著層12中所用之黏著劑可與將背面研磨製程時用於保護及支撐電路面(正面16a)之支撐板(第一剛性構件14)黏著至晶圓上時所用之黏著劑相同。舉例而言，可使用紫外線可固化液體黏著劑LC-3200，該黏著劑可獲自Sumitomo 3M Co.,Ltd.(Tokyo)。
在所說明之結構中，盤形第一剛性構件14及直徑小於第 一剛性構件14之盤形第二剛性構件16層化在一起，經配置以使各別面14a及16a彼此相對且基本上彼此平行，經配置以基本上共軸，且藉由插入此等正面14a與16a之間的黏著層12黏著在一起(圖1a)。對於此組結構元件，所說明之構件剝離方法係經構造而包括：使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上彈性撓曲的步驟；及在第一剛性構件14之至少該已經彈性撓曲之部分與第二剛性構件16之間，自第一剛性構件14或第二剛性構件16上部分剝離黏著層12之外緣區域12a的步驟。
在使第一剛性構件14之至少一部分彈性撓曲的步驟中，藉由向第一剛性構件14之所需位置施加外力，諸如氣壓、水壓、機械壓力或其類似力，使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上撓曲，而第二剛性構件16基本上不撓曲(圖1b)。因為第一剛性構件14之正面14a大部分經由黏著層12黏著至第二剛性構件16之正面16a，因此使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上撓曲實際上意謂在與第二剛性構件16之外周表面16c相比更靠外的位置處向第一剛性構件14之外周區域施加外力。因此，藉由使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上撓曲，應力將集中於第一剛性構件14之至少該已經彈性撓曲之部分與第二剛性構件16之間所存在的黏著層12之外緣區域12a中。
藉由將應力集中於黏著層12之外緣區域12a中，在隨後之步驟中，黏著層12之外緣區域12a開始在與正面14a或 16a之黏著界面之最外緣12b處自第一剛性構件14或第二剛性構件16上部分剝離(圖1b)。隨著第一剛性構件14之撓曲量增加，黏著層12之外緣區域12a之剝離自與正面14a或16a之黏著界面之最外緣12b向內穩定進展。在此階段中，其中黏著層12之外緣區域12a自第一剛性構件14或第二剛性構件16上剝離沿黏著界面向內推進所要距離，將第一剛性構件14之撓曲釋放以允許第一剛性構件14彈性恢復成板狀形式。
即使當在已推進剝離後允許第一剛性構件14恢復板形式時，已剝離之黏著層12之部分(亦即剝離部分)不會再黏著於第一剛性構件14。此係因為如上文所述，使用一般不會再黏著之黏著劑作為黏著層12。鑒於此，在剝離部分中，藉由在將第一剛性構件14及第二剛性構件16之兩個正面14a及16a拉開之方向上相對移動該等表面，可使黏著層12之剝離自剝離部分延伸越過整個黏著界面，從而使第一剛性構件14與第二剛性構件16彼此剝離。在此相對運動時，第一剛性構件14及第二剛性構件16可在平行狀態下一起移動。
如上文所述之構件剝離方法能夠藉由在遠離第二剛性構件16之方向上僅使第一剛性構件14之至少一部分撓曲而在黏著層12之外緣區域12a與第一剛性構件14或第二剛性構件16之間產生部分剝離，該部分剝離充當完全剝離之起始點。在已產生黏著層12之部分剝離之後，可僅藉由在將兩個正面14a及16a剝離開之方向上產生相對運動即可將第一 剛性構件14與第二剛性構件16彼此完全剝離。因此，不需要熔融黏著層12或降低黏著強度之製程，且可使用更簡單之製程快速且安全地使第一剛性構件14與第二剛性構件16彼此剝離。
在上述構件剝離方法中，在將第一剛性構件14與第二剛性構件16彼此剝離完成之後，黏著層12(較佳為其整體)將保持黏著於第一剛性構件14之正面14a或第二剛性構件16之正面16a的狀態。反之，黏著層12可適當地分成一個結構，藉此將該層部分保留於第一剛性構件14及第二剛性構件16之正面14a及16a上。
當在半導體晶片製造製程中，在自支撐構件上剝離已進行背面研磨之晶圓的步驟中執行所說明之構件剝離方法時，根據將晶圓平滑轉移至隨後步驟之觀點而言，使整個黏著層12保留於支撐晶圓(第二剛性構件16)之支撐構件(第一剛性構件14)上非常有用。因此，可執行自第一剛性構件14或第二剛性構件16上部分剝離黏著層12之外緣區域12a之步驟，以便在黏著層仍黏著於第一剛性構件14的同時自第二剛性構件16上部分剝離黏著層12之外緣區域12a。
如所說明，藉由使黏著層12之外緣區域12a延伸至與第二剛性構件16之外周表面16c相比更靠外處，藉由使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上撓曲而使得集中於黏著層12之外緣區域12a中的應力主要作用於具有相對較小表面積之黏著界面(亦即，黏著層12 之外緣區域12a與第二剛性構件16之外周表面16c之間的黏著界面)上，而不是作用於具有相對較大表面積之黏著界面(亦即，黏著層12之外緣區域12a與第一剛性構件14之正面14a之間的黏著界面)上。因此，將外緣區域12a拉離外周表面16c。起始於黏著層12之外緣區域12a與第二剛性構件16之外周表面16c之間的黏著界面的剝離將在黏著層12與第二剛性構件16之正面16a之間平滑推進(圖1b)。因此，第一剛性構件14及第二剛性構件16可在整個黏著層12保留於第一剛性構件14之正面14a上的狀態下彼此剝離。
可採用多種手段來使黏著層12相對於第一剛性構件14之正面14a的黏著強度大於黏著層12相對於第二剛性構件16之正面16a的黏著強度，以便能夠在黏著層仍黏著於第一剛性構件14的同時自第二剛性構件16上部分剝離黏著層12之外緣區域12a。此種手段之一個實例為選擇用於第一剛性構件14及第二剛性構件16之材料。舉例而言，第一剛性構件14可由塑膠(諸如貝克萊或其類似物)形成，而第二剛性構件16可由晶圓構件(諸如藍寶石或其類似物)製成。此外，作為此種手段之另一實例，可提前在正面14a上執行表面處理以增加黏著層12相對於第一剛性構件14之正面14a的黏著強度，且可提前在正面16a上執行表面處理以降低黏著層12相對於第二剛性構件16之正面16a的黏著強度。
在上述構件剝離方法中，使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上彈性撓曲的步驟可藉由 在作用於第二剛性構件16所黏著之第一剛性構件14之正面14a上的氣壓與作用於第一剛性構件14之背面14b上的氣壓之間施加一個差值來執行，該背面為該正面14a之相對側面。舉例而言，如圖1中所說明，該步驟可包括：置放含有第二剛性構件16且亦具有與第一剛性構件14之正面14a接觸之壁18的腔室20之步驟；及使腔室20之壓力降至小於作用於第一剛性構件14之背面14b上的氣壓P1(亦即，達到氣壓P2(<P1))之步驟。
圖1及圖2中所說明之構件剝離裝置10裝備差壓產生機構22，該差壓產生機構係用於在作用於第二剛性構件16所黏著之第一剛性構件14之正面14a上的氣壓與作用於第一剛性構件14之背面14b上的氣壓之間施加一個差值，該背面為該正面14a之相對側面。差壓產生機構22具有夾具24(其具有壁18)及連接至腔室20之真空裝置(例如真空泵)26。夾具24具有板狀端壁28及柱形壁18，柱形壁立於沿端壁28之外周緣的一個表面上。壁18自端壁28延伸至均勻高度，且其整個遠端18a與第一剛性構件14之正面14a均勻接觸。此外，壁18及端壁28具有能夠將第二剛性構件16容納在兩個壁18與28之間所形成之凹入部分內而不接觸第二剛性構件16的尺寸。經氣密性密封且含有第二剛性構件16之腔室20係以壁18之遠端18a與第一剛性構件14之正面14a均勻接觸的狀態在夾具24與第一剛性構件14之間界定(圖1a)。
夾具24具有足夠剛度以便能夠針對腔室20之減壓而維持其個別形狀。所說明之夾具24假定第一剛性構件14及第二 剛性構件16具有盤狀形式，且此夾具24具有以下結構：具有類似於第一剛性構件14及第二剛性構件16之盤狀端壁28；及可與第二剛性構件16之外周表面16c相距均勻距離而配置之圓柱形壁18(圖2)。反之，夾具24可具有不與第一剛性構件14及第二剛性構件16之形狀相對應的形狀。夾具24可由典型結構材料(諸如金屬、塑膠或其類似物)製成，且壁18及端壁28可形成為單一單元，或可將獨立形成之壁18與端壁28接合在一起。對夾具24之材料、形狀、尺寸或其類似性質無特別限制，除了能夠在不接觸的情況下將第二剛性構件16容納於壁18與端壁28之間所形成的凹入部分中，且在第一剛性構件14彈性撓曲時能夠維持正面14a與壁18之遠端18a之間的氣密接觸。
在構件剝離裝置10中，作為一個預備操作，將夾具24置放呈以下狀態：使第二剛性構件16容納於壁18與端壁28之間所形成之凹入部分中而不與其接觸，並且亦使壁18之遠端18a均勻接觸第一剛性構件14之正面14a，從而形成腔室20，該腔室經氣密性密封且將第二剛性構件16容納在夾具24與第一剛性構件14之間。此時，壁18之遠端18a與第一剛性構件14之正面14a的與整個外周表面14c相鄰之部分接觸(圖1a)。在此狀態下，啟動真空裝置26，且開始上述構件剝離方法。
在夾具24中，當腔室20內之壓力由於真空裝置26之作用而降低時，基本上整個第一剛性構件14均勻撓曲從而由腔室20外之氣壓P1與腔室20內之氣壓P2之間的差壓推入腔室 20中，其中第一剛性構件14之所需部分得到穩定支撐而不使壁18變形。此時，第二剛性構件16並非由夾具24直接支撐，且因此維持個別形狀，不因差壓而撓曲。因此，第一剛性構件14在遠離第二剛性構件16之方向上，尤其在位於壁18內之部分處，均勻地彈性撓曲。此外，黏著層12之外緣區域12a在第一剛性構件14之彈性撓曲部分與第二剛性構件16之間自第二剛性構件16上部分剝離。黏著層12在開始時及隨剝離推進之剝離形式如上文所述。
使第一剛性構件14之至少一部分因差壓而彈性撓曲之上述構件剝離方法及構件剝離裝置10可快速且安全地使基本上整個第一剛性構件14撓曲，從而達成具有均勻且所要之曲率的彎弓形狀，而不損壞第一剛性構件14之正面14a或背面14b。此外，具備差壓產生機構22之構件剝離裝置10能夠藉由設置具有簡單結構之夾具24及普通真空裝置26而降低設備成本。因此，構件剝離裝置10可藉由更簡單之方法快速且安全地使第一剛性構件14與第二剛性構件16彼此剝離。
上述藉由差異性氣壓使第一剛性構件14之至少一部分彈性撓曲的構件剝離方法可使用以下方法：其中置放第二腔室(未圖示)，以使得第一剛性構件14之背面14b視為壁之一部分，且向該第二腔室中提供壓縮空氣以使該第二腔室內之內部壓力增至高於腔室20中之內部壓力或高於作用於第一剛性構件14之正面14a上的氣壓。此方法可與上述方法一起或替代上述方法使用，藉此將容納第二剛性構件16之 腔室20內之壓力降至低於作用於第一剛性構件14之背面14b上之氣壓P1。同樣在此組態下，使基本上整個第一剛性構件14撓曲至達成均勻彎弓形狀而不損壞第一剛性構件14之正面14a或背面14b。
圖3說明根據本發明另一實施例之構件剝離方法以及根據本發明另一實施例之構件剝離裝置30，該構件剝離裝置能夠執行此構件剝離方法。如同圖1中所說明之構件剝離方法及構件剝離裝置10，構件剝離方法及構件剝離裝置30係用於將經由黏著層12彼此黏著之第一剛性構件14與第二剛性構件16剝離開，且可應用於例如半導體晶片製造製程中自支撐構件上剝離已進行背面研磨之晶圓的步驟。
圖3中所說明之構件剝離方法經結構化，包括使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上彈性撓曲之步驟，及在第一剛性構件14之至少該已經彈性撓曲之部分與第二剛性構件16之間自第一剛性構件14或第二剛性構件16上部分剝離黏著層12之外緣區域12a的步驟。此等基本步驟中之原理、作用及其類似物與圖1中所說明之構件剝離方法中相同。
在圖3中所說明之構件剝離方法中，使第一剛性構件14之至少一部分在遠離第二剛性構件16之方向上彈性撓曲之步驟可包括同時進行以下操作之步驟：在可使正面14a與第二剛性構件16分開之方向上向第二剛性構件16所黏著之第一剛性構件14之正面14a施加第一壓力F1，且在與第一壓力F1相對之方向上向第一剛性構件14之背面14b施加第 二壓力F2，該背面為正面14a之相對側面。
圖3中所說明之構件剝離裝置30具有施壓機構32，該施壓機構係用於同時進行以下操作：在可使正面14a與第二剛性構件16分開之方向上向第二剛性構件16所黏著之第一剛性構件14之正面14a施加第一壓力F1，且在與第一壓力F1相對之方向上向第一剛性構件14之背面14b施加第二壓力F2，該背面為正面14a之相對側面。施壓機構32包括與第一剛性構件14之正面14a接觸的施壓構件34、驅動施壓構件34以便自施壓構件34向正面14a上施加第一壓力F1的驅動部分36、藉由第二壓力F2支撐第一剛性構件14之背面14b的可移動支撐構件38、驅動可移動支撐構件38以改變施加至背面14b之第二壓力F2之位置的驅動部分40、及藉由第三壓力F3支撐第一剛性構件14之正面14a的靜止支撐構件42(圖3a)。
施壓構件34在不與第二剛性構件16接觸之位置處與第一剛性構件14之正面14a之區域中與第二剛性構件16之外周表面16c相比更靠外的所要位置接觸。詳言之，如所說明，施壓構件34有效接觸靠近第一剛性構件14之外周表面14c的位置。施壓構件34自身由驅動部分36驅動而起作用，從而在與正面14a接觸之位置施加第一壓力F1，以便在遠離第二剛性構件16剝離之方向上移動第一剛性構件14(圖3b)。應注意：驅動部分36可由使用電力或水壓或氣壓之普通驅動裝置結構化。
可移動支撐構件38在第二剛性構件16黏著於正面14a側 之區域內的所要位置處，而在不與第二剛性構件16接觸之位置處接觸第一剛性構件14之背面14b。可移動支撐構件38用於藉由針對由施壓構件34施加至第一剛性構件14之正面14a之第一壓力F1而以第二壓力F2支撐第一剛性構件14之背面14b，從而在第一剛性構件14之於施加第一壓力F1之位置與施加第二壓力F2之位置之間延伸的部分中產生所需撓曲(圖3b)。此可移動支撐構件38自身由驅動部分40驅動以便沿第一剛性構件14之背面14b移動，從而改變施加第一壓力F1之位置與施加第二壓力F2之位置之間的間距(圖3b)。應注意：驅動部分40可由使用電力或水壓或氣壓之普通驅動裝置結構化。
靜止支撐構件42在施加第一壓力F1之位置的相對側上在與第二剛性構件16之外周表面16c相比更靠外之區域中，在不與第二剛性構件16接觸之位置處接觸第一剛性構件14之正面14a之所要位置，其中第二剛性構件16固持在靜止支撐構件與施加第一壓力之位置之間。靜止支撐構件42用於藉由以第三壓力F3支撐第一剛性構件14之正面14a而在第一剛性構件14之於施加第一壓力F1之位置與施加第二壓力F2之位置之間延伸的部分中可靠地產生特定撓曲。此第三壓力F3針對由槓桿作用產生之第一壓力F1之輸出而支撐第一剛性構件14之正面14a，其中以施加第二壓力F2之位置充當支點(圖3b)。
施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42具有能夠針對各別第一壓力F1、第二壓力F2及第三壓力F3而維 持其個別形狀之剛度。在所說明之結構中，施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42具有能夠向第一剛性構件14之正面14a或背面14b上局部地施加第一壓力F1、第二壓力F2及第三壓力F3的錐形尖端34a、38a及42a。施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42之尖端34a、38a及42a各自經結構化而具有延伸跨越所要長度且在垂直於圖3中之紙平面的方向上延伸之邊緣。或者，作為邊緣之替代，施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42可經結構化而以平坦端面接觸第一剛性構件14之正面14a或背面14b。詳言之，接觸第一剛性構件14之背面14b的可移動支撐構件38可結構化為具有產生第二壓力F2之平坦支撐面之台形構件。施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42可由普通結構材料製造，諸如金屬、塑膠或其類似物，或例如可由相對較軟之塑膠製造，諸如TeflonTM或其類似物以免損壞第一剛性構件14。對施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42之材料、形狀、尺寸及其類似性質無特別限制，除了要求第一壓力F1、第二壓力F2及第三壓力F3必須可靠地施加在第一剛性構件14之正面14a或背面14b上之所要位置處。
在構件剝離裝置30中，作為預備性操作，使施壓構件34接觸第一剛性構件14之正面14a之一個位置，該位置接近外周表面14c之一部分；使可移動支撐構件38接觸第一剛性構件14之背面14b之一部分，該部分接近正面14a側上之第二剛性構件16之外周表面16c之一部分(面向施壓構件34 之位置)；及使靜止支撐構件42接觸第一剛性構件14之正面14a之一個位置，該位置處於施壓構件34之相對側上(圖3a)。在此狀態下，啟動驅動部分36及40，且開始上述構件剝離製程。
藉由驅動驅動部分36在將第一剛性構件14與第二剛性構件16拉開之方向上(圖中之向下方向)以速度V1移動施壓構件34而向正面14a施加第一壓力F1。當此舉發生時，由來自可移動支撐構件38及靜止支撐構件42之第二壓力F2及第三壓力F3支撐之第一剛性構件14在於施加第一壓力F1之位置與施加第二壓力F2之位置之間延伸之部分處撓曲。此時，第二剛性構件16並非由可移動支撐構件38或靜止支撐構件42直接支撐，且因此維持個別形狀，而不會因第一壓力F1至第三壓力F3而撓曲。因此，第一剛性構件14將在遠離第二剛性構件16之方向上彈性撓曲，尤其在接近彼剛性構件14之外周表面14c及第二剛性構件16之外周表面16c的部分處。此外，黏著層12之外緣區域12a在第二剛性構件16與第一剛性構件14之已彈性撓曲部分之間與第二剛性構件16部分分開。黏著層12在開始時及隨剝離推進之剝離形式係如上文所述。
在構件剝離裝置30中，可與施壓構件34之運動速度V1同步(或在一定程度上更緩慢地)驅動驅動部分40，以便在遠離施壓構件34之方向(在圖中向左)上以速度V2移動可移動支撐構件38。以此方式，可穩定增加施加第一壓力F1之位置與施加第二壓力F2之位置之間的間隔，且使黏著層12之 剝離平滑進展至所要位置。
使第一剛性構件14之至少一部分因施加機械壓力而彈性撓曲的上述構件剝離方法及構件剝離裝置30可快速且安全地使基本上整個第一剛性構件14撓曲，從而形成具有所要幅度之彎弓形狀。雖然在使用差壓之構件剝離方法及構件剝離裝置10中必須在維持腔室20呈氣密狀態時使第一剛性構件14撓曲，但即使在由於例如第一剛性構件14之形狀而難以維持腔室20的情況下，使用機械壓力之構件剝離方法及構件剝離裝置30亦可使第一剛性構件14與第二剛性構件16可靠地彼此剝離。此外，裝備施壓機構32之構件剝離裝置30裝備具有簡單結構之施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42以及普通驅動部分36及40，且因此能夠降低設備成本。因此，構件剝離裝置30可藉由更簡單之方法快速且安全地使第一剛性構件14與第二剛性構件16彼此剝離。
所說明實施例之構件剝離方法及構件剝離裝置10及30，例如，如圖4中所說明，能夠自經由黏著層12黏著至單一第一剛性構件14'之複數個第二剛性構件16上剝離個別第一剛性構件14'。使用機械壓力之構件剝離方法及構件剝離裝置30可將第一剛性構件14'與個別第二剛性構件16可靠地分開，即使是在由於相鄰第二剛性構件16之間距狹窄而難以使用夾具24的情況下。
圖5展示可應用所說明實施例之構件剝離方法及構件剝離裝置10及30經由黏著層12將第一剛性構件14與第二剛性 構件16黏著在一起之黏著步驟的一個實例。所說明之黏著製程具有以下步驟：將第一剛性構件14置放於經定向以曝露正面14a之靜止平台40之平坦支撐面40a上且藉由例如夾具(未圖示)緊固在支撐面40a之特定位置處。將第二剛性構件16支撐在經定向以曝露正面16a之壓力機44之平坦支撐面44a上且藉由例如抽真空加以緊固。第一剛性構件14及第二剛性構件16經配置而處於兩個正面14a與16a平行面向彼此且其間具有間隙的位置處。在第一剛性構件14之正面14a上基本上面向第二剛性構件16之正面16a之中心的區域中提供特定量之液體黏著劑(紫外線可固化型)12'(上文為圖5a)。壓力機44向靜止平台40移動，將第二剛性構件16之正面16a按壓至第一剛性構件14之正面14a上以使第一剛性構件14與第二剛性構件16一起形成層狀結構，同時使黏著劑12'在此等正面14a與16a之間鋪展開。壓力機44施加壓力直至適量黏著劑12'自第二剛性構件16之外周表面16c流出(圖5b)。在黏著劑12'形成具有特定厚度之層時，自壓力機44釋放第二剛性構件16且將壓力機44與靜止平台40分離。將第一剛性構件14及第二剛性構件16(與其之間的黏著劑12'一起形成層狀結構)曝露於紫外線輻射以使黏著劑12'固化且形成黏著層12(圖1)。
執行以下測試以驗證圖1至圖3a-3b中所說明之構件剝離方法以及構件剝離裝置10及30的效用。
測試1
使用圖5中所說明之黏著方法，使用由紫外線可固化液體黏著劑LC-3200(獲自Sumitomo 3M Co.,Ltd.(Setagaya-ku，Tokyo))製造之黏著劑12'將由厚度為1 mm且直徑為100 mm之藍寶石晶圓製造之第二剛性構件16與由厚度為1 mm且直徑為300 mm之玻璃板(玻璃之楊氏模數：7.10×1010 Pa)製造之第一剛性構件14黏合在一起，以便獲得經由厚度為30 μm之黏著層12黏著在一起的第一剛性構件14與第二剛性構件16。在第一剛性構件14已經緊固之狀態下對第二剛性構件16進行背面研磨以使第二剛性構件16之厚度降至0.5 mm。進行背面研磨之後，以上述預備性操作之相對位置關係將構件剝離裝置10之夾具24置放於第一剛性構件14上。以此方式，將第二剛性構件16納入夾具24與第一剛性構件14之間所形成的腔室20中。繼而，啟動附接裝置26以降低腔室20中之壓力。對於壁18而言，所使用之夾具24具有122 mm之內徑。在第一剛性構件14撓曲直至其最外緣已自平坦時移動0.5 mm時，剝離自第二剛性構件16在黏著層12之外緣區域12a開始。繼續降低腔室20中之壓力，接著一旦黏著層12之剝離已在徑向方向上自第二剛性構件16之外周表面16c向內推進30 mm，使第一剛性構件14撓曲直至其最外緣已自其平坦時之位置移動約1.0 mm。此時，停止真空裝置26且使腔室20中之壓力恢復至大氣壓，並且自夾具24移出第一剛性構件14及第二剛性構件16。使用具有直徑為30 mm之吸氣板的真空裝置將第二剛性構件16與第一剛性構件14拉開，且使第一剛性構件14與第二剛性構件 16彼此剝離。
測試2
使用圖5中所說明之黏著方法，使用由紫外線可固化液體黏著劑LC-3200製造之黏著劑12'將由厚度為1 mm且直徑為100 mm之藍寶石晶圓製造之第二剛性構件16與由厚度為2 mm且直徑為300 mm之貝克萊盤(貝克萊之楊氏模數：0.47×1010 Pa；獲自Sumitomo 3M Co.,Ltd.(Shinagawa-ku，Tokyo))製造之第一剛性構件14黏合在一起，以便獲得經由厚度30 μm之黏著層12黏著在一起的第一剛性構件14與第二剛性構件16。在第一剛性構件14已經緊固之狀態下對第二剛性構件16進行背面研磨以使第二剛性構件16之厚度降至0.5 mm。進行背面研磨之後，以上述預備性操作之相對位置關係將構件剝離裝置10之夾具24置放於第一剛性構件14上。以此方式，將第二剛性構件16納入夾具24與第一剛性構件14之間所形成的腔室20中。繼而，啟動附接裝置26以降低腔室20中之壓力。對於壁18而言，所使用之夾具24具有122 mm之內徑。在第一剛性構件14撓曲直至其最外緣已自平坦時移動0.5 mm時，剝離自第二剛性構件16在黏著層12之外緣區域12a開始。繼續降低腔室20中之壓力，接著一旦黏著層12之剝離已在徑向方向上自第二剛性構件16之外周表面16c向內推進30 mm，使第一剛性構件14撓曲直至其最外緣已自其平坦時之位置移動約1.0 mm。此時，停止真空裝置26且使腔室20中之壓力恢復至大氣壓，並且自夾具24移出第一剛性構件14及第二剛性構件16。使 用具有直徑為30 mm之吸氣板的真空裝置將第二剛性構件16與第一剛性構件14拉開，且使第一剛性構件14與第二剛性構件16彼此剝離。
測試3
使用圖5中所說明之黏著方法，使用由紫外線可固化液體黏著劑LC-3200製造之黏著劑12'將由厚度為1 mm且直徑為100 mm之藍寶石晶圓製造之第二剛性構件16與由厚度為1 mm且直徑為300 mm之玻璃板(玻璃之楊氏模數：7.10×1010 Pa)製造之第一剛性構件14黏合在一起，以便獲得經由厚度為30 μm之黏著層12黏著在一起的第一剛性構件14與第二剛性構件16。在第一剛性構件14已經緊固之狀態下對第二剛性構件16進行背面研磨以使第二剛性構件16之厚度降至0.5 mm。以上述預備性操作之相對位置關係，構件剝離裝置30之施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42定位成與已進行背面研磨之第一剛性構件14及第二剛性構件16相抵，且啟動驅動部分36及40以移動施壓構件34及可移動支撐構件38。使用具有20 mm之邊緣長度的施壓構件34以及具有100 mm之邊緣長度的可移動支撐構件38及靜止支撐構件42。在第一剛性構件14撓曲直至其最外緣已自平坦時移動0.5 mm時，剝離自第二剛性構件16在黏著層12之外緣區域12a開始。繼續移動施壓構件34及可移動支撐構件38，接著一旦黏著層12之剝離在徑向方向上自第二剛性構件16之外周表面16c向內推進30 mm，使第一剛性構件14撓曲直至其最外緣已自其平坦時之位置移動約 1.0 mm。此時，停止驅動部分36及40以停止施壓構件34及可移動支撐構件38之移動，且自第一剛性構件14及第二剛性構件16上移除施壓構件34、可移動支撐構件38及靜止支撐構件42。使用具有直徑為30 mm之吸氣板的真空裝置將第二剛性構件16與第一剛性構件14拉開，且使第一剛性構件14與第二剛性構件16彼此剝離。
測試結果
在測試1至3中之每一者中，完全剝離第一剛性構件與第二剛性構件所需之時間在自啟動真空裝置26或驅動部分36及40起1分鐘或小於1分鐘內。此外，在此等測試1至3中之每一者中，黏著層12在剝離後僅殘留在第一剛性構件14之正面14a上。可使用任意手動工具容易地移除殘留黏著層12。可根據需要使用溶劑或其類似物來清潔第一剛性構件14之正面14a。證實在第二剛性構件16為晶圓(諸如藍寶石晶圓或其類似物)的情況下獲得極其有用之作用。
10‧‧‧構件剝離裝置
12‧‧‧黏著層
12'‧‧‧液體黏著劑(紫外線可固化型)
12a‧‧‧黏著層之外緣區域
12b‧‧‧黏著層與正面之黏著界面的最外緣
14‧‧‧第一剛性構件
14'‧‧‧單一第一剛性構件
14a‧‧‧第一剛性構件之正面
14b‧‧‧第一剛性構件之背面
14c‧‧‧第一剛性構件之外周表面
16‧‧‧第二剛性構件
16a‧‧‧第二剛性構件之正面
16b‧‧‧第二剛性構件之背面
16c‧‧‧第二剛性構件之外周表面
18‧‧‧壁
18a‧‧‧壁之遠端
20‧‧‧腔室
22‧‧‧差壓產生機構
24‧‧‧夾具
26‧‧‧真空裝置/附接裝置
28‧‧‧端壁/板狀端壁
30‧‧‧構件剝離裝置
32‧‧‧施壓機構
34‧‧‧施壓構件
34a‧‧‧施壓構件之尖端
36‧‧‧驅動部分
38‧‧‧可移動支撐構件
38a‧‧‧可移動支撐構件之尖端
40‧‧‧驅動部分/靜止平台
40a‧‧‧靜止平台之平坦支撐面
42‧‧‧靜止支撐構件
42a‧‧‧靜止支撐構件之尖端
F1‧‧‧第一壓力
F2‧‧‧第二壓力
F3‧‧‧第三壓力
P1‧‧‧作用於第一剛性構件之背面上的氣壓
V1‧‧‧在將第一剛性構件與第二剛性構件拉開之方向上的速度
V2‧‧‧在遠離施壓構件之方向上的速度
圖1為示意性說明根據一個本發明實施例之構件剝離方法及構件剝離裝置的橫截面圖，其中圖1a說明使構件彼此剝離之前的狀態，而圖1b說明使構件彼此剝離之後的狀態。
圖2為示意性說明圖1之構件剝離裝置的平面圖。
圖3a及圖3b為示意性說明根據本發明另一實施例之構件剝離方法及構件剝離裝置的橫截面圖，其中圖3a說明使構件彼此剝離之前的狀態，而圖3b說明使構件彼此剝離之後 的狀態。
圖4為可應用圖1至圖3之構件剝離方法之構件的另一實例的平面圖。
圖5為示意性說明可應用圖1至圖3之構件剝離方法之一對構件之黏著步驟的一個實例的前視圖，其中圖5a展示使構件彼此黏著之前的狀態，而圖5b展示使構件彼此黏著之後的狀態。
12‧‧‧黏著層
12a‧‧‧黏著層之外緣區域
12b‧‧‧黏著層與正面之黏著界面的最外緣
14‧‧‧第一剛性構件
14a‧‧‧第一剛性構件之正面
14b‧‧‧第一剛性構件之背面
16‧‧‧第二剛性構件
16a‧‧‧第二剛性構件之正面
16b‧‧‧第二剛性構件之背面
16c‧‧‧第二剛性構件之外周表面
18‧‧‧腔室之壁
20‧‧‧腔室
24‧‧‧夾具
28‧‧‧端壁/板狀端壁
P1‧‧‧作用於第一剛性構件之背面上的氣壓

Claims (8)

  1. 一種用於將經由黏著層黏著在一起之第一剛性構件與第二剛性構件剝離開的構件剝離方法，該方法包含：使該第一剛性構件之至少一部分在遠離該第二剛性構件之方向上彈性撓曲的步驟；及在該經彈性撓曲之第一剛性構件之至少一部分與該第二剛性構件之間，自該第一剛性構件或該第二剛性構件上部分剝離該黏著層之外緣區域的步驟。
  2. 如請求項1之構件剝離方法，其中該彈性撓曲步驟包括以下步驟：在作用於該第二剛性構件所黏著之該第一剛性構件之正面上的氣壓與作用於該第一剛性構件之背面上的氣壓之間施加一個差值，該背面為該正面之相對側面。
  3. 如請求項2之構件剝離方法，其中該彈性撓曲步驟包含：提供含有該第二剛性構件且亦具有與該第一剛性構件之該正面接觸之壁的腔室的步驟；及使該腔室之壓力降至小於作用於該第一剛性構件之該背面上的該氣壓的步驟。
  4. 如請求項1之構件剝離方法，其中該彈性撓曲步驟包含以下步驟：在使該第二剛性構件所黏著之該第一剛性構件之正面與該第二剛性構件分離的方向上，向該正面施加第一壓力，且同時在與該第一壓力之方向相對的方向上，向該第一剛性構件之背面施加第二壓力，該背面為該正面之相對側面。
  5. 如請求項1至4中任一項之構件剝離方法，其中該部分剝離步驟包含以下步驟：在該黏著層仍黏著於該第一剛性構件的同時自該第二剛性構件上部分剝離該黏著層之該外緣區域。
  6. 如請求項1至5中任一項之構件剝離方法，其中將單一個上述第一剛性構件及複數個各自經由該黏著層黏著於該單一個上述第一剛性構件的上述第二剛性構件彼此剝離。
  7. 一種用於將經由黏著層黏著在一起之第一剛性構件與第二剛性構件剝離開的構件剝離裝置，該裝置包含：差壓產生機構，其用於在作用於該第二剛性構件所黏著之該第一剛性構件之正面上的氣壓與作用於該第一剛性構件之背面上的氣壓之間施加一個差值，該背面為該正面之相對側面；其中該差壓產生機構引起該第一剛性構件之至少一部分在遠離該第二剛性構件之方向上彈性撓曲，以便在該經彈性撓曲之第一剛性構件之至少一部分與該第二剛性構件之間，自該第一剛性構件或該第二剛性構件上部分剝離該黏著層之外緣區域。
  8. 一種用於將經由黏著層黏著在一起之第一剛性構件與第二剛性構件剝離開的構件剝離裝置，該裝置包含：施壓機構，其用於在使該第二剛性構件所黏著之該第一剛性構件之正面與該第二剛性構件分離的方向上，向該正面施加第一壓力，且同時在與該第一壓力之方向相 對的方向上，向該第一剛性構件之背面施加第二壓力，該背面為該正面之相對側面；其中該施壓機構引起該第一剛性構件之至少一部分在遠離該第二剛性構件之方向上彈性撓曲，以便在該經彈性撓曲之第一剛性構件之至少一部分與該第二剛性構件之間，自該第一剛性構件或該第二剛性構件上部分剝離該黏著層之外緣區域。
TW101133172A 2011-09-12 2012-09-11 構件剝離方法及構件剝離裝置 TW201320176A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011198379A JP2013060489A (ja) 2011-09-12 2011-09-12 部材剥離方法及び部材剥離装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201320176A true TW201320176A (zh) 2013-05-16

Family

ID=47003210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101133172A TW201320176A (zh) 2011-09-12 2012-09-11 構件剝離方法及構件剝離裝置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2013060489A (zh)
TW (1) TW201320176A (zh)
WO (1) WO2013039869A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645503B (zh) * 2016-11-10 2018-12-21 美商應用材料股份有限公司 用以固持基板之固持裝置、包括固持裝置之載體、使用載體之處理系統及由固持裝置釋放基板之方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6176883B2 (ja) * 2014-07-09 2017-08-09 信越ポリマー株式会社 薄板の保持治具
WO2018181511A1 (ja) * 2017-03-31 2018-10-04 リンテック株式会社 粘着シートの剥離方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303180A (ja) 2005-04-20 2006-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板の固定方法
DE102005048153B4 (de) * 2005-10-06 2010-08-05 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils mit Halbleiterchip und Klebstofffolie
WO2008149506A1 (ja) * 2007-06-08 2008-12-11 Hoya Candeo Optronics Corporation ウエハ支持ガラス
WO2011156292A2 (en) * 2010-06-07 2011-12-15 Skyworks Solutions, Inc. Devices for methodologies for debonding and handling semiconductor wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI645503B (zh) * 2016-11-10 2018-12-21 美商應用材料股份有限公司 用以固持基板之固持裝置、包括固持裝置之載體、使用載體之處理系統及由固持裝置釋放基板之方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013039869A1 (en) 2013-03-21
JP2013060489A (ja) 2013-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11018112B2 (en) Bonding method of semiconductor chip and bonding apparatus of semiconductor chip
KR101458143B1 (ko) 처리방법, 특히, 웨이퍼의 얇은 배면 처리방법, 웨이퍼-캐리어 배열 및 상기 타입의 웨이퍼-캐리어 배열의 제조방법
EP1301432B1 (en) Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using uv curable tapes
KR100728153B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR20030035775A (ko) 반도체 기판용 지그 및 그를 이용한 반도체 장치의 제조방법
WO2015056303A1 (ja) 半導体素子の製造方法、ウエハマウント装置
US9390956B2 (en) Method for the temporary connection of a product substrate to a carrier substrate
US20050095742A1 (en) Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer
US11404300B2 (en) Mounting of semiconductor-on-diamond wafers for device processing
JP6067348B2 (ja) ウェーハの加工方法
TW201320176A (zh) 構件剝離方法及構件剝離裝置
KR102588785B1 (ko) 반도체 소자의 제조 방법
JP4444142B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP4835583B2 (ja) ダイアタッチフィルム付きの半導体装置の製造方法
JP5530203B2 (ja) シート貼付装置およびシート貼付方法
JP2005216948A (ja) 半導体装置の製造方法および製造装置
JP6616457B2 (ja) チップの接合方法及びチップの接合装置
JP5845775B2 (ja) 薄膜個片の接合方法
JP6125170B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP6043675B2 (ja) ウェーハの加工方法
JPS61210650A (ja) 半導体装置の製造方法
JP6906586B2 (ja) 半導体チップの接合方法及び半導体チップの接合装置
CN109979850B (zh) 临时载体脱粘起始以及相关联的系统和方法
KR101930258B1 (ko) 유리기판 척에 대한 유연 기판의 척킹 및 디척킹 방법
JP4688523B2 (ja) ワークの組立接合方法