KR100940970B1 - 다이싱·다이 본드 필름 - Google Patents

다이싱·다이 본드 필름

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KR100940970B1
KR100940970B1 KR1020040112355A KR20040112355A KR100940970B1 KR 100940970 B1 KR100940970 B1 KR 100940970B1 KR 1020040112355 A KR1020040112355 A KR 1020040112355A KR 20040112355 A KR20040112355 A KR 20040112355A KR 100940970 B1 KR100940970 B1 KR 100940970B1
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die
adhesive
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마츠무라다케시
야마모토마사유키
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

다이싱·다이 본드 필름은 지지 기재 및 상기 지지 기재상에 마련된 점착제층과, 상기 점착제층상에 마련된 다이 접착용 접착제층을 갖고, 또한 상기 다이 접착용 접착제층의 위치를 식별하기 위한 마킹을 구비하고 있다. 반도체 웨이퍼와 다이싱·다이 본드 필름과의 부착시에, 다이싱·다이 본드 필름에 있어서의 다이 접착용 접착제층의 위치 식별을 실시할 수 있는 다이싱·다이 본드 필름을 제공할 수 있다.

Description

다이싱·다이 본드 필름{DICING-DIE BONDING FILM}
도 1은 본 발명의 제 1 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름의 개략 구성을 나타내는 도면으로서, 도 1a는 상기 다이싱·다이 본드 필름의 평면도이며, 도 1b는 도 1a의 A-A선 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 양태에 따른 다른 다이싱·다이 본드 필름의 개략 구성을 나타내는 단면도의 일례이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시 양태에 따른 또 다른 다이싱·다이 본드 필름의 개략 구성을 나타내는 단면도의 일례이다.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 양태에 따른 또 다른 다이싱·다이 본드 필름의 개략 구성을 나타내는 단면도의 일례이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제 3 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제 4 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름의 개략 구성을 나타내는 도면으로서, 도 7a는 상기 다이싱·다이 본드 필름의 평면도이며, 도 7b는 도 7a의 B-B선 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제 5 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
본 발명은 칩상 워크(work)(반도체칩 등)와 전극 부재를 고착하기 위한 접착제를, 다이싱 전에 워크(반도체 웨이퍼 등)에 부설한 상태로 워크의 다이싱에 공급하는 다이싱·다이 본드 필름에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 상기 다이싱·다이 본드 필름을 사용한 칩상 워크의 고정 방법에 관한 것이다. 또한, 상기 고정 방법에 의해 칩상 워크가 접착 고정된 반도체 장치에 관한 것이다.
회로 패턴을 형성한 반도체 웨이퍼는, 필요에 따라 이면 연마에 의해 두께를 조정한 후, 칩에 다이싱된다(다이싱 공정). 이러한 공정에서는 절단층의 제거를 위해 반도체 웨이퍼를 적절한 액압(보통 2kg/cm2 정도)으로 세정하는 것이 일반적이다. 다음으로, 상기 칩상 워크를 접착제에 의해 리드 프레임 등의 피착체에 고착(마운트 공정)한 후, 본딩 공정으로 옮겨진다. 상기 마운트 공정에 있어서는 접착제를 리드 프레임이나 칩상 워크에 도포하고 있었다. 그러나 이와 같은 방법으로는 접착제층의 균일화가 곤란하고, 또한 접착제의 도포에 특수 장치나 장시간을 필 요로 한다. 이 때문에, 다이싱 공정에서 반도체 웨이퍼를 접착 유지하는 동시에, 마운트 공정에 필요한 칩 고착용 접착제층도 부여하는 다이싱 필름이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허 공개 제 1985-57642호 공보 참조).
상기 일본 특허 공개 제 1985-57642호 공보에 따르면, 다이싱 필름은 지지 기재상에 도전성 접착제층을 박리가능하게 마련된 것이다. 즉, 접착제층에 의한 유지 하에 반도체 웨이퍼를 다이싱한 후, 지지 기재를 연신하여 칩상 워크를 접착제층과 함께 박리하고, 이것을 따로따로 회수하여 그 접착제층을 통해 리드 프레임 등의 피착체에 고착시키도록 한 것이다.
이러한 종류의 다이싱·다이 본드 필름에 있어서는, 접착제층은 반도체 웨이퍼에만 접착되고, 그 밖의 부분은 다이싱 프레임에 부착될 수 있다. 그러나 반도체 웨이퍼에 부착될 수 있는 부분과 다이싱 프레임에 부착될 수 있는 부분을 박리할 수 없다는 문제점이 있었다.
본 발명은 반도체 웨이퍼와 다이싱·다이 본드 필름과의 부착시에, 다이싱·다이 본드 필름에 있어서의 다이 접착용 접착제층의 위치 식별이 가능한 다이싱·다이 본드 필름을 제공한다. 추가로, 워크를 다이싱할 때의 유지력과, 다이싱에 의해 수득되는 칩상 워크를 그 다이 접착용 접착제층과 일체로 박리할 때의 박리성과의 밸런스 특성이 우수한 다이싱·다이 본드 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 상기 다이싱·다이 본드 필름을 사용한 칩상 워크의 고정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 상기 고정 방법에 의해 칩상 워크가 접착 고정된 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 다이싱·다이 본드 필름에 미리 마킹을 실시함으로써, 위치 어긋남을 일으키지 않고 반도체 웨이퍼와 부착할 수 있다는 것을 발견하고, 상세하게 검토하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름은 상기 과제를 해결하기 위해서, 지지 기재(1) 및 상기 지지 기재(1)상에 마련된 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름에 있어서, 상기 다이 접착용 접착제층(3)의 위치를 식별하기 위한 마킹이 소정 위치에 마련되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 지지 기재(1)와 다이 접착용 접착제층(3)과의 사이에는 점착제층(2)이 마련되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 마킹은 상기 다이 접착용 접착제층(3)이 형성되어 있지 않은 상기 지지 기재(1) 또는 점착제층(2)상에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, 「상기 지지 기재(1)상에 마련되어 있다」라는 것은, 다이 접착용 접착제층(3)이 형성되어 있지 않은 이면측에 위치 식별용 마킹을 마련하는 경우 및 지지 기재(1)의 양면에 위치 식별용 마킹을 마련하는 경우를 포함한다.
또한, 상기 마킹은 워크 및 마운트 프레임에 부착되지 않는 위치에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 마킹은 마운트 프레임 제작 후에도 남아 있는 위치에 마련되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 마킹은 직선상의 소정 위치에 다수 마련되어 있는 것이 바람직하다. 마킹을 직선상의 소정 위치에 다수 마련하면, 고정하여 설치된 센서에 의한 마킹의 인식 정밀도가 향상되기 때문이다.
또한, 상기 점착제층(2)과 다이 접착용 접착제층(3)과의 계면의 박리성이, 다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 계면(A)과, 그 이외 부분의 일부 또는 전부에 대응하는 계면(B)에서 다르고, 상기 계면(A)의 박리성이, 상기 계면(B)의 박리성보다 큰 것이 바람직하다.
또한, 상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이, 다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외 부분(3b)의 일부 또는 전부에 대응하는 부분(2b)에서 다르고, '점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력'을 만족하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 다이 접착용 접착제층(3)의 워크 부착 부분(3a)에서의 워크에 대한 점착력과 점착제층(2a)에 대한 점착력이, '워크에 대한 점착력>점착제층(2a)에 대한 점착력'을 만족하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 워크 부착 부분(3a) 이외 부분(3b)의 일부가, 마운트 프레임 부착 부분(3b')인 것이 바람직하다.
또한, 상기 다이 접착용 접착제층(3)의 마운트 프레임 부착 부분(3b')에서의 마운트 프레임에 대한 점착력과 점착제층(2b')에 대한 점착력이, '마운트 프레임에 대한 점착력<점착제층(2b')에 대한 점착력'을 만족하는 것이 바람직하다.
상기 다이 접착용 접착제층(3)은 점착제층(2)의 일부에 워크 부착 부분(3a)으로서 마련되어 있고, 점착제층(2)에서의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외 부분(2b)에서 점착력이 다르고, '점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력'을 만족하는 것이 바람직하다.
상기 워크 부착 부분(3a)의 워크에 대한 점착력과 점착제층(2a)에 대한 점착력이, '워크에 대한 점착력>점착제층(2a)에 대한 점착력'을 만족하는 것이 바람직하다.
상기 점착제층(2)이 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있고, 워크 부착부(3a)에 대응하는 점착제층(2a)이 방사선 조사되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 칩상 워크의 고정 방법은 지지 기재(1) 및 상기 지지 기재(1)상에 마련된 다이 접착용 접착제층(3)을 갖고, 상기 다이 접착용 접착제층(3)의 위치를 식별하기 위한 마킹을 소정 위치에 구비하고 있는 다이싱·다이 본드 필름을 사용하고; 상기 다이싱·다이 본드 필름의 다이 접착용 접착제층(3)상에 워크를 압착하는 공정으로서, 상기 마킹을 식별하여 다이 접착용 접착제층(3)의 위치 정보를 검출하고, 상기 위치 정보에 따라 다이 접착용 접착제층(3)과 워크 사이에 위치 어긋남이 존재하는 경우 위치 어긋남의 보정을 실시하여, 상기 다이 접착용 접착제층(3)과 워크를 압착하는 공정과, 상기 워크를 칩 형상으로 다이싱하는 공정; 칩상 워크를 다이 접착용 접착제층(3)과 함께 점착제층(2)으로부터 박리하는 공정; 및 상기 다이 접착용 접착제층(3)을 통해서 칩상 워크를 반도체 소자에 접착 고정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 반도체 장치는 지지 기재(1) 및 상기 지지 기재(1)상에 마련된 다이 접착용 접착제층(3)을 갖고, 상기 다이 접착용 접착제층(3)의 위치를 식별하기 위한 마킹을 소정 위치에 구비하고 있는 다이싱·다이 본드 필름을 사용하고; 상기 다이싱·다이 본드 필름의 다이 접착용 접착제층(3)상에 워크를 압착하는 공정으로서, 상기 마킹을 식별하여 다이 접착용 접착제층(3)의 위치 정보를 검출하고, 상기 위치 정보에 따라서 다이 접착용 접착제층(3)과 워크와의 사이에 위치 어긋남이 존재하는 경우 위치 어긋남 보정을 실시하여, 상기 다이 접착용 접착제층(3)과 워크를 압착하는 공정; 상기 워크를 칩 형상으로 다이싱하는 공정; 칩상 워크를 다이 접착용 접착제층(3)과 함께 점착제층(2)부터 박리하는 공정; 및 상기 다이 접착용 접착제층(3)을 통해서 칩상 워크를 반도체 소자에 접착 고정하는 공정을 갖는 칩상 워크 고정 방법에 의해, 다이 접착용 접착제(3)를 통해서 칩상 워크가 반도체 소자에 접착 고정된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 다이싱·다이 본드 필름에는 다이 접착용 접착제층의 위치를 식별하기 위한 마킹이 마련되어 있기 때문에, 지지 기재나 다이 접착용 접착제층이 투명 부재이더라도, 다이 접착용 접착제층의 위치를 용이하게 식별할 수 있다. 이에 의해, 다이 접착용 접착제층을 워크에 접착시킬 때, 위치 어긋남을 방지할 수 있어서 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름은 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상에는 박리가능하게 마련된 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 구성으로 할 수 있다.
여기서, 점착제층(2)은 다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)과 그 이외 부분(3b)에 대응하는 부분(2a, 2b)에서 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이, 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력이 되도록 설계할 수 있다. 즉, 점착제층(2b)은 접착제층(3)과 다이싱시 및 익스팬드시에 적절히 접착하여, 점착제층(2)과 접착제층(3)이 박리하지 않도록 한다. 한편, 점착제층(2a)은 경박리가 가능하도록 하고 있다. 그 때문에 10mm×10mm를 초과하는 대형 칩에 대해서도, 다이싱 불량을 초래하지 않는다. 또한, 다이싱 후에는 수득된 칩상 워크를 용이하게 박리, 픽업할 수 있는 다이싱·다이 본드 필름이 수득된다. 이와 같이 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(1)은 다이싱시 등의 유지력과 픽업시의 박리성을 잘 조화시키고 있다.
또한, 다이 접착용 접착제층(3)의 워크 부착 부분(3a)에서의, 워크에 대한 점착력과, 점착제층(2a)에 대한 점착력이, 워크에 대한 점착력>점착제층(2a)에 대한 점착력의 관계를 만족하는 구성으로 함으로써, 워크를 다이싱한 후에, 칩상 워크에 다이 접착용 접착제층(3)을 부설한 상태로, 점착제층(2a)으로부터 용이하게 박리할 수 있다.
또한, 다이싱·다이 본드 필름은 워크 부착 부분(3a) 이외 부분(3b)의 일부를, 마운트 프레임 부착 부분(3b')으로 할 수 있다. 여기서, 다이 접착용 접착제층(3)의 마운트 프레임 부착 부분(3b')에서의, 마운트 프레임에 대한 점착력과, 점 착제층(2b')에 대한 점착력이, 마운트 프레임에 대한 점착력<점착제층(2b')에 대한 점착력의 관계를 만족하는 구성으로 함으로써, 다이싱시 등의 유지력과 픽업시의 박리성이 보다 잘 조화된다.
또한, 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름은 지지 기재(1)상에 점착제층(2)을 갖고, 상기 점착제층(2)상의 일부에 다이 접착용 접착제층(3)이 워크 부착 부분(3a)으로서 박리될 수 있도록 마련된 구성으로 할 수 있다. 여기서, 점착제층(2)은 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외 부분(2b)의 점착력이, '점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력'이 되도록 설계할 수 있다. 즉, 점착제층(2a)은 경박리될 수 있도록 하고 있다. 한편, 점착제층(2b)에는 웨이퍼링을 접착할 수 있고, 다이싱시 또는 익스팬드시에 이들이 박리하지 않도록 고정할 수 있다. 그 때문에, 예컨대 10mm× 10mm을 초과하는 대형 칩에 대해서도, 다이싱 불량을 초래하지 않고, 다이싱 후에는 수득된 칩상 워크를 용이하게 박리하여, 픽업할 수 있는 다이싱·다이 본드 필름을 수득할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(2)은 다이싱시 등의 유지력과 픽업시의 박리성을 잘 조화시키고 있다.
또한, 워크 부착 부분(3a)의, 워크에 대한 점착력과, 점착제층(2a)에 대한 점착력이, 워크에 대한 점착력>점착제층(2a)에 대한 점착력의 관계를 만족함으로써, 워크를 다이싱한 후에, 칩상 워크에 다이 접착용 접착제층(3a)을 부설한 상태로, 점착제층(2a)으로부터 용이하게 박리할 수 있다.
본 발명의 또 다른 목적, 특징 및 우수한 점은 이하에 나타낸 기재에 의해서 충분히 알 수 있다. 또한, 본 발명의 이점은 첨부 도면을 참조한 다음의 설명으로 명백해질 것이다.
(제 1 실시 양태)
본 발명의 제 1 실시 양태에 대하여, 도 1에 따라 설명하면 이하와 같다. 단, 설명에 불필요한 부분은 생략하고, 설명을 쉽게 하기 위해 확대 또는 축소하여 도시한 부분이 있다. 이상의 사항은 이하의 도면에 대해서도 동일하다. 도 1a는 본 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름(10)의 개략 구성을 나타내는 평면도이며, 도 1b는 A-A선 시시 단면도이다.
본 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름(10)은 지지 기재(1)와, 상기 지지 기재(1)상에 마련된 점착제층(2)과, 상기 점착제층(2)상에 마련된 다이 접착용 접착제층(3)과, 상기 다이 접착용 접착제층(3)을 반도체 웨이퍼(워크)(4)에 접합한 위치 식별용 마킹(5)을 갖는 구성이다.
상기 지지 기재(1)는 다이싱·다이 본드 필름(10)의 강도 모체가 되는 것이다. 지지 기재(1)의 재료로서는 예컨대 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터(랜덤, 교호) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에터 에터케톤, 폴리이미드, 폴리에터이미드, 폴리아마이드, 전방향족 폴리아마이드, 폴리페닐설파이드, 아라미드(종이), 유리, 유리 직물, 불소 수지, 폴리염화바이닐, 폴리염화바이닐리덴, 셀룰로스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 또한, 상기 수지의 가교체 등의 폴리머도 들 수 있다.
또한, 지지 기재(1)로서는 무연신인 것을 사용할 수 있다. 또한, 적절히 필요에 따라 1축 또는 2축 연신 처리를 실시한 것을 사용할 수 있다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시이트로 이루어지는 지지 기재(1)이면, 다이싱 후에 그 지지 기재(1)를 열수축시킴으로써 점착제층(2)과 다이 접착용 접착제층(3)과의 접착 면적을 저하시켜, 칩 회수의 용이화를 도모할 수 있다.
지지 기재(1)의 표면은 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 때문에, 관용의 표면 처리를 실시할 수도 있다. 그 방법으로서는 예컨대 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예컨대, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리 등을 들 수 있다.
상기 지지 기재(1)는 동종 또는 이종인 것을 적당히 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 필요에 따라 여러 가지 종류를 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 지지 기재(1)에는 대전 방지능을 부여하기 위해, 상기 지지 기재(1)상에 금속, 합금 또는 이들의 산화물 등으로 이루어지는 두께가 30 내지 500Å 정도의 도전성 물질의 증착층을 마련할 수도 있다. 또한, 지지 기재(1)는 단층 또는 상기 수지의 필름 등을 2층 이상으로 복층화한 적층 필름일 수도 있다. 한편, 점착제층(2)이 방사선 경화형인 경우에는 X선, 자외선, 전자선 등의 방사선을 적어도 일부 투과시키는 것을 사용할 수 있다.
지지 기재(1)의 두께는 예컨대 5 내지 200μm 정도이며, 상기 열수축에 의해 다이 접착용 접착제층(3)에 의한 장력에 견딜 수 있는 두께이면, 특별히 제한되지 않는다.
상기 점착제층(2)은 상기 지지 기재(1)상에 마련되어 있다. 상기 점착제층(2)의 형성에 사용하는 점착제는 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 고무계, 아크릴계, 실리콘계, 폴리비닐에터계 등의 각종 일반적인 감압성 점착제나 방사선 경화형 점착제 등을 채용할 수 있다.
상기 감압성 점착제로서는 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 회피하는 전자 부품의 초순수 또는 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머로서는 예컨대, (메트)아크릴산알킬에스터(예컨대, 메틸에스터, 에틸에스터, 프로필에스터, 아이소프로필에스터, 뷰틸에스터, 아이소뷰틸에스터, s-뷰틸에스터, t-뷰틸에스터, 펜틸에스터, 아이소펜틸에스터, 헥실에스터, 헵틸에스터, 옥틸에스터, 2-에틸헥실에스터, 아이소옥틸에스터, 노닐에스터, 데실에스터, 아이소데실에스터, 운데실에스터, 도데실에스터, 트라이데실에스터, 테트라데실에스터, 헥사데실에스터, 옥타데실에스터, 에이코실에스터 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스터 등) 및 (메트)아크릴산사이클로알킬에스터(예컨대, 사이클로펜틸에스터, 사이클 로헥실에스터 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산 에스터란 아크릴산 에스터 및/또는 메타크릴산 에스터를 말하고, 본 발명의 (메트)란 모두 동일한 의미이다.
상기 아크릴계 폴리머는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스터 또는 사이클로알킬에스터와 공중합가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함할 수도 있다. 이러한 모노머 성분으로서, 예컨대, 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸(메트)아크릴레이트, 카복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수말레산, 무수이타콘산 등의 산무수물모노머;(메트)아크릴산2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산10-하이드록시데실, (메트)아크릴산12-하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아미도프로페인설폰산, 설포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; 2-하이드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아마이드, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합할 수 있는 모노머 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합할 수 있는 모노머의 사용량은 전체 모노머 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해, 필요에 따라 다작용성 모 노머 등도 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이러한 다작용성 모노머로서, 예컨대, 헥산다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리쓰리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스터 (메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이러한 다작용성 모노머도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다작용성 모노머의 사용량은 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머는 단일 모노머 또는 2종 이상의 모노머 혼합물을 중합함으로써 수득된다. 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등의 어떤 방식으로 실시할 수도 있다. 청정한 피착체로의 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이러한 점에서, 아크릴계 폴리머의 수평균 분자량은 바람직하게는 30만 이상, 또한 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.
또한, 상기 점착제에는 베이스 폴리머인 아크릴계 폴리머 등의 수평균 분자량을 높이기 위해, 외부 가교제를 적당히 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는 폴리아이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 이른바 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 의해, 또한 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 5중량부 정도 이하, 또한 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용할 수 있다.
상기 방사선 경화형 점착제로서는 탄소-탄소 2중 결합 등의 방사선 경화성의 작용기를 갖고, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 구체적으로는 예컨대 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등이 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화성 점착제 등을 예시할 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는 예컨대, 우레탄 올리고머, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리쓰리톨모노하이드록시 펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리쓰리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-뷰탄다이올 다이(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에터계, 폴리에스터계, 폴리카보네이트계, 폴리뷰타다이엔계 등 여러가지 올리고머를 들 수 있고, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적당히 결정할 수 있다. 일반적으로는 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예컨대 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화성 점착제 외에, 베이스 폴리머로서, 탄소-탄소 2중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형 방사선 경화성 점착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화성 점착제는 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 대부분은 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하지 않고, 안정적인 층구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 베이스 폴리머는 탄소-탄소 2중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한 없이 사용할 수 있다. 이러한 베이스 폴리머로서는 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머로의 탄소-탄소 2중 결합의 도입법은 특별히 한정되지 않고, 다양한 방법을 채용할 수 있다. 탄소-탄소 2중 결합은 폴리머측쇄에 도입하는 쪽이, 분자 설계상 용이하다. 예컨대, 미리, 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 2중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이러한 작용기의 조합 예로서는 카복실산기와 에폭시기, 카복실산기와 아지 리딜기, 하이드록실기와 아이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이러한 작용기의 조합 중에서도 반응 추적이 용이하다는 점에서, 하이드록실기와 아이소시아네이트기와의 조합이 바람직하다. 또한, 이러한 작용기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 쪽일 수도 있지만, 상기의 바람직한 조합에서는 아크릴계 폴리머가 하이드록실기를 갖고, 상기 화합물이 아이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 아이소시아네이트 화합물로서는 예컨대, 메타크릴로일아이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸아이소시아네이트, m-아이소프로페닐-α,α-다이메틸벤질아이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는 상기 예시된 하이드록시기 함유 모노머나 2-하이드록시에틸 바이닐 에터, 4-하이드록시뷰틸 바이닐 에터, 다이에틸렌글라이콜 모노바이닐 에터의 에터계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 내재형 방사선 경화성 점착제는 상기 탄소-탄소 2중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은 보통 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.
상기 방사선 경화형 점착제에는 자외선 등에 의해 경화시키는 경우, 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는 예컨대, 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α, α-다이메틸아세토페논, 2-메틸- 2-하이드록시프로피오페논, 1-하이드록시사이클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-다이메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-다이에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸싸이오)-페닐]-2-몰포리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인 에틸 에터, 벤조인 아이소프로필 에터, 아니소인 메틸 에터 등의 벤조인 에터계 화합물; 벤질다이메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌설포닐클로라이드 등의 방향족 설포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판다이온-2-(o-에톡시카보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-다이메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 싸이옥산톤, 2-클로로싸이옥산톤, 2-메틸싸이옥산톤, 2,4-다이메틸싸이옥산톤, 아이소프로필싸이옥산톤, 2,4-다이클로로싸이옥산톤, 2,4-다이에틸싸이옥산톤, 2,4-다이아이소프로필싸이옥산톤 등의 싸이옥산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로젠화 케톤; 아실포스피녹사이드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예컨대 0.05 내지 20중량부 정도이다.
또한 방사선 경화형 점착제로서는 예컨대, 일본 특허 공개 제 1985-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실레인 등의 광중합성 화합물과, 카보닐 화합물, 유기황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
점착제층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면이 결함 방지 및 접착층의 고정 유지의 양립성 등의 점에서, 1 내지 50μm 정도인 것이 바람직하다. 바람직하게는 2 내지 30μm, 더 바람직하게는 5 내지 25μm이다.
상기 다이 접착용 접착제층(3)은 점착제층(2)상의 원형상의 반도체 웨이퍼(4)에 접착될 수 있는 영역에 마련되어 있다. 상기 다이 접착용 접착제층(3)은 반도체 웨이퍼(4)를 칩 형상으로 다이싱할 때에 칩(절단편)이 비산하는 것을 방지하기 위해, 반도체 웨이퍼(4)를 부착하여 고정하는 것이다. 다이 접착용 접착제층(3)은 이것에 압착되는 반도체 웨이퍼(4)를 칩 형상으로 다이싱할 때에, 칩(절단편)을 다이 접착용 접착제층(3)에 밀착시켜 비산하는 것을 방지하는 기능을 갖는다. 또한, 칩을 마운트할 때에는 칩을 반도체 소자(기판, 칩 등)에 고정하는 접착제층으로서의 기능을 갖는다. 특히, 다이 접착용 접착제층(3)으로서는 워크의 다이싱시에 절단편을 비산시키지 않는 접착성을 갖고 있는 것이 중요하다. 다이싱·다이 본드 필름(10)으로서는 다이 접착용 접착제층(3)은 미리 형성된 반도체 웨이퍼(4)의 부착 부분으로서 마련된다.
다이 접착용 접착제층(3)은 통상의 다이 접착제에 의해 형성할 수 있다. 다이 접착제로서는 시이트 형상으로 할 수 있는 것이 바람직하다. 구체적인 다이 접착제로서는 예컨대, 열가소성 수지, 열경화성 수지로 이루어지는 다이 접착제를 바람직하게 사용할 수 있다. 다이 접착제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합시켜 사용할 수 있다. 또한, 다이 접착용 접착제층(3)은 70℃ 이하에서 반도체 웨이퍼(4)에 점착 가능한 것이 바람직하고, 더 바람직하게는 상온에서 점착 가능한 것이 보다 바람직하다.
다이 접착제로서 사용되는 열가소성 수지(열가소성 다이 접착제)로서는 예컨대, 포화 폴리에스터 수지, 열가소성 폴리우레탄계 수지, 아마이드계 수지(나일론계 수지), 이미드계 수지 등을 들 수 있다. 또한, 열경화성 수지(열경화성 다이 접착제)로서는 예컨대, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스터계 수지, 열경화성 아크릴 수지, 페놀계 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지로서는 탈용매화하여, 시이트화, B 스테이지화(일시 경화)한 열경화성 수지가 바람직하다. 또한, 이러한 열경화성 수지와 열가소성 수지와의 혼합물도 B 스테이지화된 상태로 사용할 수 있다. 또한 본 발명에서는 유리 전이 온도가 높은 실리콘계, 고무계, 우레탄계, 이미드계, 아크릴계 등의 수지를 다이 접착제로서 사용할 수도 있다.
다이 접착용 접착제층(3)은 유리 전이 온도가 다른 열가소성 수지, 열경화 온도가 다른 열경화성 수지를 적당히 조합시켜, 2층 이상의 다층 구조를 가질 수도 있다. 또한, 반도체 웨이퍼(4)의 다이싱 공정으로서는 절삭수를 사용한다는 점에서, 다이 접착용 접착제층(3)이 흡습하여, 통상적 상태 이상의 함수율이 되는 경우가 있다. 이러한 고함수율 그대로, 기판 등에 접착시키면, 후경화 단계에서 접착 계면에 수증기가 고여, 들뜸이 발생하는 경우가 있다. 따라서, 다이 접착용 접착제층(3)으로서는 투습성이 높은 필름을 다이 접착제에 협지한 구성으로 함으로써, 후경화 단계에서는 수증기를 필름을 통하여 확산시켜, 이러한 문제를 회피할 수 있게 된다. 따라서, 다이 접착용 접착제층(3)은 접착제층, 필름, 접착제층의 순으로 적층된 다층 구조로 이루어질 수도 있다.
다이 접착용 접착제층(3)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 5 내지 100μm 정도인 것이 바람직하고, 10 내지 50μm 정도인 것이 보다 바람직하다.
한편, 다이 접착용 접착제층(3)은 세퍼레이터에 의해 보호될 수도 있다(도시하지 않음). 즉, 세퍼레이터는 임의로 마련할 수 있다. 세퍼레이터는 실용에 제공할 때까지 다이 접착용 접착제층(3)을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는 추가로 점착제층(2)에 다이 접착용 접착제층(3)을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이 접착용 접착제층(3)상에 워크를 부착할 때에 벗겨진다. 상기 세퍼레이터로서는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름 또는 종이 등을 들 수 있다.
상기 마킹(5)은 다이싱·다이 본드 필름(10)상에 반도체 웨이퍼(4)를 부착시킬 때에, 그 부착 위치를 결정하기 위한 위치 식별용인 것이다. 본 실시 양태에 있어서는 마킹(5)은 착색층으로 이루어진다. 마킹(5)의 형성 위치는 점착제층(2) 및 다이 접착용 접착제층(3)을 제외하는 지지 기재(1)상에 마련된다. 이에 의해, 다이싱·다이 본드 필름(10)에 반도체 웨이퍼(4)를 점착할 때에, 그 위치 어긋남의 발생을 방지하여, 수율의 향상을 도모할 수 있다. 본 실시 양태에 있어서는 마킹(5)은 마킹(5a)(예컨대, 5mm× 10mm)과, 마킹(5b)(예컨대, 5mm× 20mm)으로 이루어진다. 마킹(5a)은 평면 형상이 원형의 다이 접착용 접착제층(3)(직경 210mm)의 중심점을 지나는 A-A선상에 마련되어 있다. 마킹(5b)은 동 도면(a)에 나타낸 다이 접착용 접착제층(3)의 하방측에 마련되어 있다. 마킹(5a) 또는 마킹(5b)과, 다이 접착용 접착제층(3)과의 최단 이간 거리는 각각 35mm과 10mm이다. 여기서, 마킹 (5)은 다이싱·다이 본드 필름(10)이 마운트 프레임(도시하지 않음)에 붙여지지 않는 위치에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 마운트 프레임은 일반적으로 불투명하기 때문에, 상기 마운트 프레임의 부착 위치에 마킹(5)이 마련되면, 그 위치의 검출이 곤란해지기 때문이다. 또한, 마운트 공정에 있어서 사용하는 마운트 프레임의 제작 후에도 다이싱·다이 본드 필름(10)이 잔존하고 있는 위치에 마련되어 있는 것이 바람직하다. 한편, 마킹(5)의 평면 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 그 크기도 위치 식별이 가능한 범위내이면 특별히 한정되지 않고, 특허 청구의 범위를 일탈하지 않는 범위에서 적절히 설계 변경 가능한 요소를 포함하는 것이다.
마킹(5)로서의 착색층은 색소를 함유하는 잉크, 도료 등으로 이루어진다. 착색하는 색의 종류는 색 판별형의 위치 식별용 센서에 의해 판별가능한 파장 영역인 것이 바람직하다. 구체적으로는 예컨대 적색, 홍색, 주황색, 오렌지색 등의 적색계의 착색이, 색 식별의 용이성의 관점에서 바람직하다. 단, 그 밖에, 황색이나 보라색도 채용할 수 있다. 상기 색소로서, 예컨대 아조 안료, 버밀리언, 벵갈라, 알리자린, 크림슨, 코치닐, 퀴나크리돈계 안료 등을 들 수 있다. 한편, 상기 착색층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 0.5μm 내지 10μm의 범위내인 것이 바람직하다.
마킹(5)의 위치 식별은 종래 공지의 방법에 의해 마킹(5)를 검출하여 실시한다. 구체적으로는 투과형, 반사형, 색 판별형 또는 두께 검출형의 각종 센서에 의해, 상기 마킹(5)을 인지·검출하는 방법 및, CCD 카메라 등에 의한 화상 인식 수단을 사용할 수 있다. 이러한 방법에 의해 마킹(5)의 위치를 인식하여, 그 위치 정보라고 미리 정해 둔 기준 좌표를 비교한 결과, 위치 어긋남이 검출된 경우에는 그 위치 어긋남을 보정하도록, 다이싱·다이 본드 필름(10)의 위치 제어를 실시한다. 위치 제어는 다이싱·다이 본드 필름(10)의 풀기와 감기가 가능한 적절한 수단에 의해, 미세 조정하여 실시한다.
한편, 상기 마운트 프레임은 예컨대 금속제 또는 플라스틱제의 성형체로 이루어진다. 상기 마운트 프레임의 개구부는 다이싱하는 반도체 웨이퍼(4)보다도 크고, 그 형상은 특별히 한정되지 않는다.
다음으로 본 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름의 제조 방법에 대하여 설명한다.
우선, 다이 접착용 접착제의 조성물을 조제한 후, 혼합 용액을 제작한다. 이 혼합 용액을, 예컨대, 폴리에스테르 필름 등의 세퍼레이터상에 도포한다. 다음으로, 상기 혼합 용액을 도포한 세퍼레이터를 소정의 온도로 건조시켜, 상기 세퍼레이터상에 다이 접착용 접착제층(3)을 형성한다.
한편, 지지 기재(1)상에는 점착제 용액을 직접 도포한 후, 건조시켜 점착제층(2)을 형성한다. 계속해서, 점착제층(2)에 다이 접착용 접착제층(3)을 전사하여, 반도체 웨이퍼(4)를 부착하는 영역에만 다이 접착용 접착제층(3)을 형성한다.
상기 착색층으로서의 마킹(5)의 형성 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 지지 기재(1)상에 인쇄하는 방법 등, 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다. 이상와 같이 하여, 본 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름(10)을 제조할 수 있다. 한편, 마킹(5)은 점착제층(2)상에는 형성되지 않는다. 단, 다이 접착용 접 착제층(3)이 마련되는 면과는 반대측 면에 마련할 수 있다.
다음으로 본 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름(10)을 사용한 칩상 워크의 고정 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 다이싱·다이 본드 필름(10)은 다이 접착용 접착제층(3)상에 임의로 마련된 세퍼레이터를 적당히 박리하여, 아래와 같이 사용된다. 즉, 다이싱·다이 본드 필름(10)의 다이 접착용 접착제층(3)상에, 워크로서의 반도체 웨이퍼(4)를 압착하여, 다이 접착용 접착제층(3)상에, 반도체 웨이퍼(4)를 접착 유지시켜 고정한다. 압착은 통상적인 방법에 의해 실시된다. 계속해서, 반도체 웨이퍼(4)를 칩 형상으로 다이싱한다. 다이싱은 회전둥근칼 등에 의한 적절한 수단으로 실시하여, 다이 접착용 접착제층(3)도 포함하여 반도체 웨이퍼(4)를 반도체칩(칩상 워크)으로 한다.
계속해서 반도체 칩을 다이 접착용 접착제층(3)과 동시에 점착제층(2)으로부터 박리한다. 픽업한 반도체 칩은 다이 접착용 접착제층(3)을 통해서, 피착체인 반도체 소자에 접착 고정한다. 반도체 소자로서는 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 칩상 워크 등을 들 수 있다. 피착체는 예컨대, 용이하게 변형되는 변형형 피착체일 수도 있고, 변형하기 어려운 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)일 수도 있다. 피착체는 반도체 웨이퍼가 바람직하다. 다이 접착용 접착제층(3)이 열경화형인 경우에는 가열 경화에 의해 워크를 피착체에 접착 고정하여, 내열 강도를 향상시킨다. 한편, 다이 접착용 접착제층(3)을 통해서 칩상 워크가 기판 등에 접착 고정된 것은 리플로우 공정에 제공할 수 있다.
한편, 본 실시 양태에 있어서는 상기 점착제층(2)으로서, 다이 접착용 접착제층(3)과의 박리성이, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 계면(A)과 그 이외 부분(3b)에 대응하는 계면(B)에서, 계면(A)의 박리력> 계면(B)의 박리력인 관계가 되도록, 각각의 부분(2a, 2b)가 설계된 구성으로 할 수도 있다(도 2 참조). 점착제층(2a)은 다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하고, 점착제층(2b)은 그 이외 부분(3b)에 대응한다.
또한, 마운트 프레임 부착 부분(3b')과, 이에 대응하여 형성된 점착제층(2b')의 계면(B')의 박리력이, 계면(A)의 박리력> 계면(B')의 박리력인 관계가 되도록 설계된 구성으로 할 수도 있다(도 3 참조). 도 2에 나타낸 점착제층(2)에 있어서는 점착제층(2a) 이외의 전부가 점착제층(2b)으로 구성되어 있지만, 도 3에 나타낸 경우에 있어서는 점착제층(2a) 이외의 일부를 점착제층(2b)으로 할 수도 있다.
또한, 상기 점착제층(2)은 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외 부분(2b)에서의 점착력이, 점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력의 관계가 되도록, 각각의 부분(2a, 2b)가 설계된 구성으로 할 수도 있다(도 4 참조).
상기 도 2 내지 도 4에 나타낸 점착제층(2)의 형성에 사용하는 점착제는 특별히 한정되지 않지만, 점착제층(2a, 2b)에 점착력의 차이를 마련하기 쉬운 방사선 경화형 점착제가 바람직하다. 방사선 경화형 점착제는 자외선 등의 방사선 조사에 의해 가교도를 증대시켜 그 점착력을 용이하게 저하시킬 수 있다. 따라서, 워크 부착 부분(3a)에 맞춰, 방사선 경화형 점착제층을 경화시킴으로써, 점착력이 현저 히 저하된 점착제층(2a)을 용이하게 형성할 수 있다. 경화하여 점착력이 저하된 점착제층(2a)에 접착제층(3) 또는 (3a)가 부착되기 때문에, 점착제층(2a)과 접착제층(3a)과의 계면은 픽업시에 용이하게 박리되는 성질을 갖는다. 한편, 방사선을 조사하지 않은 부분은 충분한 점착력을 갖고 있어서, 점착제층(2b)을 형성한다.
도 2 및 도 3에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름(6·7)에서는 미경화 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있는 점착제층(2b)은 접착제층(3)과 점착하여, 다이싱할 때의 유지력을 확보할 수 있다. 이와 같이 방사선 경화형 점착제는 칩상 워크(반도체칩 등)를 기판이나 칩상 워크 등의 피착체(반도체 소자라는)에 고착하기 위한 다이 접착용 접착제층(3)을, 접착·박리의 밸런스 양호하게 지지할 수 있다. 도 4에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름(8)에서는 점착제층(2b)은 웨이퍼링 등을 고정할 수 있다.
점착제층(2)은 점착제층(2a)의 점착력 < 점착제층(2b)의 점착력이 되도록 마련한다. 도 2 및 도 3에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름(6·7)에서는 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이, 계면(A)의 박리성이 상기 계면(B)의 박리성보다도 커지도록 한다. 도 4에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름(8)에서는 예컨대, 피착체로서 SUS304판(#2000 연마)에 대한 관계에서, 점착제층(2a)의 점착력 < 점착제층(2b)의 점착력이 되도록 한다.
점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는 지지 기재(1)에 방사선 경화형 점착제층(2)을 형성한 후, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분에, 부분적으로 방사선을 조사하여 경화시켜, 점착제층(2a)을 형성하는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는 워크 부착 부분(3a) 이외 부분(3b) 등에 대응하는 패턴을 형성한 포토 마스크를 통해 실시할 수 있다. 또한, 스폿적으로 자외선을 조사하여 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형 점착제층(2)의 형성은 세퍼레이터상에 설치한 것을 지지 기재(1)상에 전사함으로써 실시할 수 있고 부분적인 방사선 경화는 세퍼레이터상에 설치한 방사선 경화형 점착제층(2)에 실시할 수도 있다.
또한, 점착제층(2)을 방사선 경화형 점착제에 의해 형성하는 경우에는 지지 기재(1)의 한 면 이상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분 이외 부분의 전부 또는 일부가 차광된 것을 사용하여, 이것에 방사선 경화형 점착제층(2)을 형성한 후에 방사선 조사하여, 워크 부착부(3a)에 대응하는 부분을 경화시켜, 점착력을 저하시킨 점착제층(2a)를 형성할 수 있다. 차광 재료로서는 지지 필름상에서 포토마스크가 될 수 있는 것을 인쇄나 증착 등으로 작성할 수 있다. 이러한 제조 방법에 따르면, 효율적으로 본 발명의 다이싱·다이 본드 필름을 제조할 수 있다.
또한, 방사선 조사시에, 산소에 의한 경화 저해가 일어나는 경우에는 방사선 경화형 점착제층(2)의 표면으로부터 어떠한 방법으로 산소(공기)를 차단하는 것이 바람직하다. 예컨대, 상기 점착제층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 방법이나, 질소 가스 분위기 중에서 자외선 등의 방사선의 조사를 실시하는 방법 등을 들 수 있다.
도 2 및 도 3에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름(6·7)에 있어서, 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력은 점착제층(2a)의 점착력<점착제층 (2b)의 점착력이 되도록 설계되어 있다. 상온(23℃)에서의 점착력(90도 박리 값, 박리 속도 300mm/분)에 따라, 점착제층(2a)의 점착력은 웨이퍼의 고정 유지력 또는 형성한 칩의 회수성 등의 점에서 0.5N/20mm 이하, 더 바람직하게는 0.01 내지 0.42N/20mm, 특히 0.01 내지 0.35N/20mm인 것이 바람직하다. 한편, 점착제층(2b)의 점착력은 0.5 내지 20N/20mm 정도인 것이 바람직하다. 점착제층(2a)가 낮은 박리 점착력이어도, 점착제층(2b)의 점착력에 의해 칩 비산 등의 발생을 억제하여, 웨이퍼 가공에 충분한 유지력을 발휘시킬 수 있다.
도 4에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름(8)에 있어서, 점착제층(2)에서의, 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외 부분(2b)은 '점착제층(2a)의 점착력<점착제층(2b)의 점착력'으로 설계되어 있다. 워크 부착 부분(3a)에 대한 점착제층(2a)의 점착력(상기와 동일 조건)은 상기한 바와 같이 0.5N/20mm 이하, 더 바람직하게는 0.01 내지 0.42N/20mm, 특히 0.01 내지 0.35N/20mm인 것이 바람직하다.
또한, 도 2 내지 도 4에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름(6) 내지 (8)에 있어서, 워크 부착 부분(3a)의 워크에 대한 점착력과, 점착제층(2a)에 대한 점착력이, '워크에 대한 점착력 > 점착제층(2a)에 대한 점착력'이 되도록 설계하는 것이 바람직하다. 워크에 대한 점착력은 워크의 종류에 따라 적당히 조정된다.
워크 부착 부분(3a)의 점착제층(2a)에 대한 점착력(상기와 동일 조건)은 상술한 바와 같이, 0.5N/20mm 이하, 더 바람직하게는 0.01 내지 0.42N/20mm, 특히 0.01 내지 0.35N/20mm인 것이 바람직하다. 한편, 워크 부착 부분(3a)의 워크에 대 한 점착력(상기와 동일 조건)은 다이싱시, 픽업시, 다이 본드시의 신뢰성, 픽업성의 점에서 10 내지 50N/20mm 이하, 더 바람직하게는 10 내지 30N/20mm인 것이 바람직하다.
도 2에 나타낸 다이싱·다이 본드 필름(6)에 있어서, 워크 부착 부분(3a) 이외 부분(3b)을 마운트 프레임 부착 부분(3b')으로 하는 경우에는, 다이 접착용 접착제층(3)의 마운트 프레임 부착 부분(3b')에서의 워크에 대한 점착력과, 점착제층(2b')에 대한 점착력이, '마운트 프레임에 대한 점착력 < 점착제층(2b')에 대한 점착력'이 되도록 설계하는 것이 바람직하다. 마운트 프레임에 대한 점착력은 마운트 프레임의 종류에 따라 적당히 조정된다.
다이 접착용 접착제층(3)의 점착제층(2b')에 대한 점착력(상기와 동일 조건)은 상술한 바와 같이, 0.5 내지 20N/20mm 정도인 것이 바람직하다. 한편, 다이 접착용 접착제층(3)의 마운트 프레임에 대한 점착력(상기와 동일 조건)은 다이싱 및 다이 본드시의 작업성의 점에서 0.3 내지 5N/20mm 이하, 더 바람직하게는 0.5 내지 5N/20mm인 것이 바람직하다.
또한, 다이싱·다이 본드 필름은 그 접착시나 박리시 등에 있어서의 정전기의 발생이나 그에 의한 워크(반도체 웨이퍼 등)의 대전으로 회로가 파괴되는 것 등을 방지할 목적으로 대전 방지능을 갖게 할 수 있다. 대전 방지능의 부여는 지지 기재(1), 점착제층(2) 내지 접착제층(3)으로 대전 방지제 또는 도전성 물질을 첨가하는 방법, 지지 기재(1)로의 전하 이동 착체나 금속막 등으로 이루어지는 도전층의 부설 등, 적당한 방식으로 실시할 수 있다. 이러한 방식은 반도체 웨이퍼를 변 질시킬 우려가 있는 불순물 이온이 발생하기 어려운 방식이 바람직하다. 도전성의 부여, 열전도성의 향상 등을 목적으로 배합되는 도전성 물질(도전 충전재)로서는 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 도전성 합금 등의 구 형상, 침 형상, 플레이크 형상의 금속분, 알루미나 등의 금속 산화물, 비정질 카본 블랙, 흑연 등을 들 수 있다.
(제 2 실시 양태)
상기 제 1 실시 양태에 있어서는 마킹으로서 잉크 등에 의한 착색층을 사용한 경우에 대해 설명했다. 그러나 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예컨대, 착색층을 사용한 실시 양태 대신에, 점착제층의 소정 영역만을 착색하여, 상기 영역을 마킹으로 한 양태도 채용할 수 있다. 도 5는 본 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름(11)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
본 실시 양태에 따른 점착제층(12)은 상기 점착제층(12)중에, 방사선 조사에 의해 착색하는 화합물을 함유시킨 것이다. 소정의 패턴 형상을 갖는 포토 마스크(13)를 통해서, 점착제층(12)에 방사선 조사함으로써 점착제층(12)의 소정 영역에만 조사한다. 이에 의해, 조사된 영역만을 착색하여, 상기 포토마스크(13)의 패턴 형상에 대응하여 자기 정합적으로 마킹(12a)을 형성할 수 있다. 다이 접착제층(3)의 위치의 식별은 상기 마킹(12a)을 광 센서 등에 의해 인식·검출하여 실시한다.
방사선 조사에 의해 착색하는 화합물은 방사선 조사 이전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 유색이 되는 화합물이다. 이러한 화합물의 바람직한 구체예로서는 로이코 염료를 들 수 있다. 로이코 염료로서는 관용의 트라이페 닐메테인계, 풀루오란계, 페노치아진계, 오라민계, 스피로피란계인 것이 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 3-[N-(p-톨릴아미노)]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-메틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-에틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-다이에틸아미노-6-메틸-7-아닐리노플루오란, 크리스탈바이올렛락톤, 4,4',4''-트리스다이메틸아미노트라이페닐메탄올, 4,4',4''-트리스다이메틸아미노트라이페닐메테인 등을 들 수 있다.
이러한 로이코 염료와 함께 바람직하게 사용되는 현색제로서는 종래부터 사용되고 있는 페놀포르말린 수지의 초기 중합체, 방향족 카복실산 유도체, 활성 백토 등의 전자 수용체를 들 수 있다. 또한, 색조를 변화시키는 경우에는 여러가지 공지의 발색제를 조합하여 사용할 수도 있다.
이러한 방사선 조사에 의해서 착색하는 화합물은 일단 유기 용매 등에 용해된 후에 접착제중에 포함시킬 수도 있고, 또한 미분말 형상으로 하여 상기 점착제 중에 포함하게 할 수도 있다. 이 화합물의 사용 비율은 점착제층(12) 중에 10중량% 이하, 바람직하게는 0.01 내지 10중량%, 더 바람직하게는 0.5 내지 5중량%인 것이 바람직하다. 상기 화합물의 비율이 10중량%를 초과하면, 점착제층(12)에 조사되는 방사선이 이 화합물에 지나치게 흡수되어 버리기 때문에, 점착제층(12)의 경화가 불충분해져, 충분히 점착력이 저하되지 않는 경우가 있다. 한편, 충분히 착색시키기 위해서는 상기 화합물의 비율을 0.01중량% 이상으로 하는 것이 바람직하다.
(제 3 실시 양태)
본 실시 양태에 있어서는 마킹으로서 착색층을 사용한 실시 양태 대신에, 마킹용 점착 필름을 사용한 점이 상기 제 1 실시 양태와 다르다. 이하에, 본 실시 양태에 대해 설명한다. 도 6은 마킹용 점착 필름(21)을 사용한 경우의 다이싱·다이 본드 필름(20)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
본 제 3 실시 양태에 따른 마킹용 점착 필름(21)은 점착 필름으로 이루어진다. 이 점착 필름의 재료로서는 예컨대 착색된 폴리올레핀계 점착 테이프 등을 들 수 있다. 또한, 상기 마킹용 점착 필름(21)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 5μm 내지 200μm의 범위 내인 것이 바람직하다.
상기 마킹용 점착 필름(21)의 형성 위치는 다이 접착용 접착제층(3)을 제외한 점착제층(2)상, 지지 기재(1)의 이면, 또는 지지 기재(1)와 점착제층(2)과의 사이에 마련된다. 그 평면형상은 5mm× 10mm의 구형상이다. 단, 마킹용 점착 필름(21)의 평면 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 그 크기도 위치 식별이 가능한 범위 내이면 특별히 한정되지 않는다.
마킹용 점착 필름(21)의 위치 식별은 상기 제 1 실시 양태에서 설명한 바와 같이, 종래 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.
(제 4 실시 양태)
본 실시 양태에 있어서는 마킹으로서 착색층을 사용한 실시 양태 대신에, 개구부를 사용한 점이 상기 제 1 실시 양태와 다르다. 이하에, 본 실시 양태에 대해 설명한다. 도 7은 펀치 구멍으로 이루어지는 개구부(31)를 사용한 경우의 다이싱·다이 본드 필름(30)의 개략 구성을 나타내는 평면도이고, 도 7a는 본 실시 양태 에 따른 다이싱·다이 본드 필름(30)의 개략 구성을 나타내고, 도 7b는 B-B선 시시 단면도를 나타낸다.
본 제 4 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름(30)은 소정의 위치에 복수 개의 개구부(31)를 갖고 구성되어 있다. 개구부(31)는 펀치 등에 의해 형성된 것으로, 도 7b에 나타낸 바와 같이, 점착제층(32) 뿐만 아니라 지지 기재(1)에 까지 이른다. 개구부(31)의 평면 형상은 예컨대 직경 5mm의 원 형상이다. 단, 개구부(31)의 평면 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 그 크기도 위치 식별이 가능한 범위 내이면 특별히 한정되지 않는다. 한편, 개구부(31)의 형성 방법으로서는 예컨대 펀치 등에 의한 방법이 채용된다.
마킹용 점착 필름(21)의 위치 식별은 상기 제 1 실시 양태에서 설명한 바와 같이, 종래 공지의 방법에 의해 실시할 수 있다.
(제 5 실시 양태)
본 실시 양태에 있어서는 마킹으로서 착색층을 사용한 실시 양태 대신에, 틈새기(切目)를 사용한 점이 상기 제 1 실시 양태와 다르다. 이하에, 본 실시 양태의 태양에 대해서 설명한다. 도 8은 펀치 구멍으로 이루어지는 틈새기(41)를 사용한 경우의 다이싱·다이 본드 필름(40)의 개략 구성을 나타내는 평면도이다.
본 제 5 실시 양태에 따른 다이싱·다이 본드 필름(40)은 그 한쪽 다른 단부의 소정 위치에 복수 개의 틈새기(41)가 마련되어 있다. 상기 틈새기(41)의 평면 형상은 예컨대 1변의 길이가 5mm인 삼각형 모양이다. 단, 틈새기(41)의 평면 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 그 크기도 위치 식별이 가능한 범위 내이면 특 별히 한정되지 않는다. 한편, 틈새기(41)의 형성 방법으로서는 예컨대 톰슨 칼에 의한 펀칭 방법 등이 채용된다.
발명의 상세한 설명의 항에 기재된 구체적인 실시 양태 또는 실시예는 어디까지나, 본 발명의 기술 내용을 명확하게 하기 위한 것으로, 그와 같은 구체예로만 한정하여 협의로 해석되어야 하는 것이 아니라, 본 발명의 정신과 다음의 특허청구범위의 범위 내에서 변경하여 실시할 수 있는 것이다.
본 발명에 따른 다이싱·다이 본드 필름은, 다이 접착용 접착제층의 위치를 식별하기 위한 마킹이 마련되어 있기 때문에, 지지 기재나 다이 접착용 접착제층이 투명 부재이더라도, 다이 접착용 접착제층의 위치를 용이하게 식별할 수 있다. 이에 의해, 다이 접착용 접착제층을 워크에 접착시킬 때, 위치 어긋남을 방지할 수 있어서 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (16)

  1. 지지 기재(1) 및 상기 지지 기재(1)상에 마련된 다이 접착용 접착제층(3)을 갖는 다이싱·다이 본드 필름에 있어서,
    상기 지지 기재(1)와 다이 접착용 접착제층(3)과의 사이에 점착제층(2)이 마련되어 있고,
    상기 점착제층(2)의 다이 접착용 접착제층(3)에 대한 점착력이, 다이 접착용 접착제층(3)상의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외 부분(3b)의 일부 또는 전부에 대응하는 부분(2b)에서 다르고,
    '점착제층(2a)의 점착력 < 점착제층(2b)의 점착력'을 만족하고,
    상기 다이 접착용 접착제층(3)의 위치를 식별하기 위한 마킹이 소정 위치에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 마킹이, 상기 다이 접착용 접착제층(3)이 형성되어 있지 않은 상기 지지 기재(1) 또는 점착제층(2)상에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 마킹이, 워크(work) 및 마운트 프레임에 부착되지 않는 위치에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 마킹이, 마운트 프레임 제작 후에도 남아 있는 위치에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 마킹이 직선상의 소정 위치에 다수 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이 접착용 접착제층(3)의 워크 부착 부분(3a)에서의 워크에 대한 점착력과, 점착제층(2a)에 대한 점착력이,
    '워크에 대한 점착력 > 점착제층(2a)에 대한 점착력'을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 워크 부착 부분(3a) 이외 부분(3b)의 일부가, 마운트 프레임 부착 부분(3b')인 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 다이 접착용 접착제층(3)의 마운트 프레임 부착 부분(3b')에서의 마운트 프레임에 대한 점착력과 점착제층(2b')에 대한 점착력이,
    '마운트 프레임에 대한 점착력 < 점착제층(2b')에 대한 점착력'을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 다이 접착용 접착제층(3)이 점착제층(2)의 일부에 워크 부착 부분(3a)으로서 마련되어 있고,
    점착제층(2)에서의 워크 부착 부분(3a)에 대응하는 부분(2a)과 그 이외 부분(2b)에서 점착력이 다르고,
    '점착제층(2a)의 점착력 < 점착제층(2b)의 점착력'을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 워크 부착 부분(3a)의 워크에 대한 점착력과 점착제층(2a)에 대한 점착력이,
    '워크에 대한 점착력 > 점착제층(2a)에 대한 점착력'을 만족하는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 점착제층(2)이 방사선 경화형 점착제에 의해 형성되어 있고, 워크 부착부(3a)에 대응하는 점착제층(2a)이 방사선 조사되어 있는 것을 특징으로 하는 다이싱·다이 본드 필름.
  15. 지지 기재(1) 및 상기 지지 기재(1)상에 마련된 다이 접착용 접착제층(3)을 갖고, 상기 다이 접착용 접착제층(3)의 위치를 식별하기 위한 마킹을 소정 위치에 구비하고 있는 다이싱·다이 본드 필름을 사용하고;
    상기 다이싱·다이 본드 필름의 다이 접착용 접착제층(3)상에 워크를 압착하는 공 정으로서, 상기 마킹을 식별하여 다이 접착용 접착제층(3)의 위치 정보를 검출하고, 상기 위치 정보에 따라서 다이 접착용 접착제층(3)과 워크와의 사이에 위치 어긋남이 존재하는 경우 위치 어긋남의 보정을 실시하여, 상기 다이 접착용 접착제층(3)과 워크를 압착하는 공정;
    상기 워크를 칩 형상으로 다이싱하는 공정;
    칩상 워크를 다이 접착용 접착제층(3)과 함께 점착제층(2)으로부터 박리하는 공정; 및
    상기 다이 접착용 접착제층(3)을 통해서 칩상 워크를 반도체 소자에 접착 고정하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 칩상 워크의 고정 방법.
  16. 지지 기재(1) 및 상기 지지 기재(1)상에 마련된 다이 접착용 접착제층(3)을 갖고, 상기 다이 접착용 접착제층(3)의 위치를 식별하기 위한 마킹을 소정 위치에 구비하고 있는 다이싱·다이 본드 필름을 사용하고;
    상기 다이싱·다이 본드 필름의 다이 접착용 접착제층(3)상에 워크를 압착하는 공정으로서, 상기 마킹을 식별하여 다이 접착용 접착제층(3)의 위치 정보를 검출하고, 상기 위치 정보에 따라 다이 접착용 접착제층(3)과 워크 사이에 위치 어긋남이 존재하는 경우 위치 어긋남의 보정을 실시하여, 상기 다이 접착용 접착제층(3)과 워크를 압착하는 공정;
    상기 워크를 칩 형상으로 다이싱하는 공정;
    칩상 워크를 다이 접착용 접착제층(3)과 함께 점착제층(2)으로부터 박리하는 공정; 및
    상기 다이 접착용 접착제층(3)을 통해서 칩상 워크를 반도체 소자에 접착 고정하는 공정을 갖는 칩상 워크의 고정 방법에 의해,
    다이 접착용 접착제(3)을 통해서 칩상 워크가 반도체 소자에 접착 고정된 반도체 장치.
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Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7641966B2 (en) * 1999-06-14 2010-01-05 Nitto Denko Corporation Re-release adhesive and re-release adhesive sheet
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
TWI409313B (zh) * 2005-01-26 2013-09-21 Nitto Denko Corp 黏著劑組成物、黏著型光學薄膜及影像顯示裝置
US8278751B2 (en) * 2005-02-08 2012-10-02 Micron Technology, Inc. Methods of adhering microfeature workpieces, including a chip, to a support member
US7641946B2 (en) * 2005-08-08 2010-01-05 Nitto Denko Corporation Adhesive film and image display device
TWI276191B (en) * 2005-08-30 2007-03-11 Ind Tech Res Inst Alignment precision enhancement of electronic component process on flexible substrate device and method thereof the same
JP5157208B2 (ja) * 2006-03-20 2013-03-06 日立化成株式会社 ダイボンドダイシングシート
CN101506948B (zh) * 2006-09-12 2012-12-12 日东电工株式会社 切割/芯片焊接膜
JPWO2008047610A1 (ja) * 2006-10-06 2010-02-25 住友ベークライト株式会社 半導体用フィルム、半導体用フィルムの製造方法および半導体装置
KR100831153B1 (ko) * 2006-10-26 2008-05-20 제일모직주식회사 반도체 조립용 접착 필름 조성물, 이에 의한 접착 필름 및이를 포함하는 다이싱 다이본드 필름
JP2008115272A (ja) * 2006-11-04 2008-05-22 Nitto Denko Corp 熱剥離性両面粘着シート及び被加工体の加工方法
JP2008251934A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Lintec Corp 半導体チップの製造方法
EP2192611B9 (en) * 2007-09-14 2012-08-15 Furukawa Electric Co., Ltd. Wafer processing tape
JP4717051B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717052B2 (ja) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2009141268A (ja) * 2007-12-10 2009-06-25 Spansion Llc 半導体装置の製造方法
JP4717086B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4717085B2 (ja) * 2008-01-18 2011-07-06 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5417729B2 (ja) * 2008-03-28 2014-02-19 住友ベークライト株式会社 半導体用フィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置
US8759957B2 (en) 2008-02-07 2014-06-24 Sumitomo Bakelite Company Limited Film for use in manufacturing semiconductor device, method for producing semiconductor device and semiconductor device
JP4553400B2 (ja) * 2008-02-18 2010-09-29 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5727688B2 (ja) * 2008-03-31 2015-06-03 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型重合体、エネルギー線硬化型粘着剤組成物、粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法
JP5329833B2 (ja) * 2008-04-08 2013-10-30 リンテック株式会社 半導体ウエハ処理用接着シート及びそれを用いた半導体ウエハ処理装置の調整方法並びに接着シートの評価方法
JP5837272B2 (ja) * 2008-05-21 2015-12-24 日立化成株式会社 半導体製造装置の製造方法
EP2149900A2 (en) * 2008-08-01 2010-02-03 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
EP2151860A2 (en) * 2008-08-04 2010-02-10 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
JP4628479B2 (ja) * 2008-08-04 2011-02-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4994429B2 (ja) * 2008-08-04 2012-08-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2010056407A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ加工用テープ
JP2010056406A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd 加工用テープ及び加工用テープの製造方法
JP4810565B2 (ja) * 2008-11-26 2011-11-09 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2010129699A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2010129700A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP4728380B2 (ja) * 2008-11-26 2011-07-20 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP4918537B2 (ja) * 2008-12-11 2012-04-18 日東電工株式会社 半導体ウエハの保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
TWI416642B (zh) * 2009-01-22 2013-11-21 Chroma Ate Inc With double-sided electrode semiconductor grain detection method and testing machine
KR101019755B1 (ko) * 2009-07-15 2011-03-08 제일모직주식회사 다이접착필름, 다이접착필름 릴 장치 및 이를 포함하는 마운팅 장치
JP5174092B2 (ja) * 2009-08-31 2013-04-03 日東電工株式会社 ダイシングシート付き接着フィルム及びその製造方法
JP5143196B2 (ja) * 2009-09-28 2013-02-13 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
JP5811514B2 (ja) * 2009-09-30 2015-11-11 日立化成株式会社 フィルム状接着剤
JPWO2011065252A1 (ja) * 2009-11-30 2013-04-11 電気化学工業株式会社 粘着シート及び電子部品
CN102148178A (zh) * 2009-12-16 2011-08-10 第一毛织株式会社 电路小片粘性膜、卷筒、安装设备和电子产品
JP2011151362A (ja) * 2009-12-24 2011-08-04 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム
JP5456642B2 (ja) * 2009-12-24 2014-04-02 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム
JP4934730B2 (ja) * 2010-02-19 2012-05-16 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ及びその製造方法
CN102250555B (zh) * 2010-05-17 2015-04-01 古河电气工业株式会社 晶片加工用带
JP5249290B2 (ja) * 2010-07-20 2013-07-31 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、半導体装置の製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
JP5384443B2 (ja) * 2010-07-28 2014-01-08 日東電工株式会社 フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、半導体装置の製造方法、及び、フリップチップ型半導体装置
JP2012033637A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Nitto Denko Corp ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム及び半導体装置の製造方法
JP4976531B2 (ja) * 2010-09-06 2012-07-18 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム
JP4991921B2 (ja) * 2010-09-06 2012-08-08 日東電工株式会社 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置
DE102010046966B4 (de) * 2010-09-29 2018-05-24 Infineon Technologies Ag Baustein und Verfahren zur Herstellung eines Bausteins
US8963337B2 (en) * 2010-09-29 2015-02-24 Varian Semiconductor Equipment Associates Thin wafer support assembly
JP5023225B1 (ja) * 2011-03-10 2012-09-12 日東電工株式会社 半導体装置用フィルムの製造方法
JP5695466B2 (ja) * 2011-03-29 2015-04-08 リンテック株式会社 シート貼付装置および貼付方法
KR101403864B1 (ko) * 2011-12-27 2014-06-09 제일모직주식회사 다이싱 다이본딩 필름
JP6007572B2 (ja) * 2012-04-27 2016-10-12 日立化成株式会社 ウェハ加工用テープ
JP6021432B2 (ja) * 2012-05-22 2016-11-09 株式会社ディスコ 表面保護テープ貼着システム
JP6077922B2 (ja) * 2012-12-10 2017-02-08 日東電工株式会社 ダイシングテープ一体型接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
KR102108102B1 (ko) * 2012-12-10 2020-05-11 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 테이프 일체형 접착 시트, 다이싱 테이프 일체형 접착 시트를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치
TWI615453B (zh) * 2012-12-10 2018-02-21 Nitto Denko Corp 切晶帶一體型接著片材、使用切晶帶一體型接著片材之半導體裝置之製造方法、及半導體裝置
JP6542504B2 (ja) * 2013-02-20 2019-07-10 日東電工株式会社 フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
US9171749B2 (en) 2013-11-13 2015-10-27 Globalfoundries U.S.2 Llc Handler wafer removal facilitated by the addition of an amorphous carbon layer on the handler wafer
TWI545996B (zh) * 2014-04-23 2016-08-11 財團法人工業技術研究院 基板結構、其製造方法、及電子裝置之製造方法
SG11201610483UA (en) * 2014-09-22 2017-03-30 Lintec Corp Workpiece securing sheet with attached resin layer
US9847313B2 (en) * 2015-04-24 2017-12-19 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Thermocompression bonders, methods of operating thermocompression bonders, and horizontal scrub motions in thermocompression bonding
CN106206397B (zh) * 2016-08-05 2020-02-07 厦门市三安光电科技有限公司 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法
DE102022201365A1 (de) 2022-02-10 2023-08-10 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Wafer-Vereinzelungsfolie

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02265258A (ja) * 1989-04-05 1990-10-30 Fujitsu Ltd ダイシング装置
JPH10335271A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Texas Instr Japan Ltd ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法
JPH11111162A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Nec Corp 電界放射冷陰極の製造方法

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IE55238B1 (en) 1983-08-03 1990-07-04 Nat Starch Chem Corp Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers
US4961804A (en) 1983-08-03 1990-10-09 Investment Holding Corporation Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same
US4664739A (en) 1983-12-19 1987-05-12 Stauffer Chemical Company Removal of semiconductor wafers from dicing film
CA1222071A (en) 1984-01-30 1987-05-19 Joseph A. Aurichio Conductive die attach tape
JPH0616524B2 (ja) 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPS61263136A (ja) 1985-05-15 1986-11-21 Nitto Electric Ind Co Ltd 薄板物品の支持テ−ブル
US4687693A (en) 1985-06-13 1987-08-18 Stauffer Chemical Company Adhesively mountable die attach film
JPS6279649A (ja) 1985-10-03 1987-04-13 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ダイシング方法
JPS62216244A (ja) * 1986-03-17 1987-09-22 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPH01268131A (ja) 1988-04-20 1989-10-25 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの保護部材
JP2678655B2 (ja) 1989-03-20 1997-11-17 日東電工株式会社 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材
JPH0442555A (ja) 1990-06-08 1992-02-13 Sumitomo Electric Ind Ltd チップ状部品のピックアップ装置とピックアップ方法
CA2031776A1 (en) * 1989-12-08 1991-06-09 Masanori Nishiguchi Pickup method and the pickup apparatus for chip-type part
JPH0578629A (ja) 1991-09-18 1993-03-30 Furukawa Electric Co Ltd:The 放射線硬化性粘着テープ
JPH05179211A (ja) 1991-12-30 1993-07-20 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフイルム
EP0571649A1 (en) 1992-05-26 1993-12-01 Nitto Denko Corporation Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips
DE4230784A1 (de) 1992-09-15 1994-03-17 Beiersdorf Ag Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape)
JPH07263382A (ja) 1994-03-24 1995-10-13 Kawasaki Steel Corp ウェーハ固定用テープ
JP3521099B2 (ja) 1994-11-29 2004-04-19 リンテック株式会社 ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート
JP3186510B2 (ja) * 1995-06-09 2001-07-11 株式会社村田製作所 圧電共振部品及びその製造方法
MY118036A (en) 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
US6007920A (en) 1996-01-22 1999-12-28 Texas Instruments Japan, Ltd. Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
TW340860B (en) 1996-02-28 1998-09-21 Nippon Chemicals Pharmaceutical Co Ltd Liquid composition
FI964640A (fi) 1996-11-21 1998-07-28 Nokia Multimedia Network Terminals Oy Menetelmä osoitetietojen välittämiseksi
JP3955659B2 (ja) 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置
US6140151A (en) 1998-05-22 2000-10-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor wafer processing method
JP3669196B2 (ja) 1998-07-27 2005-07-06 日東電工株式会社 紫外線硬化型粘着シート
JP3784202B2 (ja) 1998-08-26 2006-06-07 リンテック株式会社 両面粘着シートおよびその使用方法
JP2000223446A (ja) * 1998-11-27 2000-08-11 Denso Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3511929B2 (ja) * 1999-01-25 2004-03-29 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法、圧電共振部品の製造方法、電子部品及び圧電共振部品
US7054161B1 (en) * 2000-04-19 2006-05-30 James Stephen L Slotted adhesive for die-attach in BOC and LOC packages
EP1156521A3 (en) * 2000-04-24 2007-05-23 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Low cost electroless plating process for single chips and wafer parts and products obtained thereof
US6938783B2 (en) * 2000-07-26 2005-09-06 Amerasia International Technology, Inc. Carrier tape
JP3605009B2 (ja) * 2000-08-03 2004-12-22 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP4109823B2 (ja) 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP2002158276A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
JP2002226796A (ja) * 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
JP2002226800A (ja) 2001-02-05 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート、その使用方法及び半導体装置
JP2002299378A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Lintec Corp 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置
JP2003056248A (ja) 2001-08-09 2003-02-26 Koito Mfg Co Ltd 窓昇降装置
JP3969994B2 (ja) 2001-10-16 2007-09-05 電気化学工業株式会社 電子部材用粘着テープ
US20030118071A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Eastman Kodak Company Laser array and method of making same
JP2003206468A (ja) 2002-01-16 2003-07-22 Asahi Kasei Corp ウエハー固定用粘着剤ならびに加工方法
JP2003316031A (ja) 2002-04-24 2003-11-06 Mejiro Precision:Kk 基準部形成装置
US20050224978A1 (en) * 2002-06-24 2005-10-13 Kohichiro Kawate Heat curable adhesive composition, article, semiconductor apparatus and method
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4219660B2 (ja) * 2002-11-18 2009-02-04 信越化学工業株式会社 ウエハダイシング・ダイボンドシート
JP3710457B2 (ja) 2003-05-22 2005-10-26 住友ベークライト株式会社 ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4283596B2 (ja) 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4275522B2 (ja) * 2003-12-26 2009-06-10 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4443962B2 (ja) 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
USD549189S1 (en) * 2004-09-21 2007-08-21 Nitto Denko Corporation Dicing die-bonding film
JP4800778B2 (ja) * 2005-05-16 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02265258A (ja) * 1989-04-05 1990-10-30 Fujitsu Ltd ダイシング装置
JPH10335271A (ja) * 1997-06-02 1998-12-18 Texas Instr Japan Ltd ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法
JPH11111162A (ja) * 1997-10-02 1999-04-23 Nec Corp 電界放射冷陰極の製造方法

Also Published As

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