KR20040034479A - 다이싱/다이본딩 필름, 칩상 워크의 고정 방법 및 반도체장치 - Google Patents

다이싱/다이본딩 필름, 칩상 워크의 고정 방법 및 반도체장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2) 및 감압성 접착제 층(2)상의 다이본딩 접착제 층(3)을 포함하는 다이싱/다이본딩 필름으로서, 감압성 접착제 층(2)과 다이본딩 접착제 층(3) 사이의 계면에서의 박리성은 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크(work) 부착 부분(3a)에 상응하는 계면(A)과 기타 부분(3b)의 일부 또는 전체에 상응하는 계면(B)과 상이하고, 계면(A)의 박리성이 계면(B)의 박리성보다 큰 다이싱/다이본딩 필름을 제공한다. 다이싱/다이본딩 필름은 워크를 다이싱할 때의 유지력과 다이싱된 칩상 워크를 다이본딩 접착제 층과 함께 박리할 때의 박리성 사이의 균형이 우수하다.

Description

다이싱/다이본딩 필름, 칩상 워크의 고정 방법 및 반도체 장치{DICING/DIE-BONDING FILM, METHOD OF FIXING CHIPPED WORK AND SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 다이싱/다이본딩 필름에 관한 것이다. 다이싱/다이본딩 필름은, 칩상 워크(chipped work)(반도체 칩 등)를 전극 부재에 고정시키기 위한 접착제가 다이싱전에 워크(반도체 웨이퍼 등)에 배열된 상태에서 워크를 다이싱시키기 위해사용된다. 또한 본 발명은 다이싱/다이본딩 필름을 사용하는 칩상 워크의 고정 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 고정 방법에 의해 칩상 워크가 접착제로 결합된 반도체 장치에 관한 것이다.
회로 패턴을 형성하는 반도체 웨이퍼는, 필요에 따라 배면을 연삭하여 두께를 조정한 후, 칩상 워크에 다이싱한다(다이싱 공정). 다이싱 단계에서, 절단층을 제거하기 위해 반도체 웨이퍼를 적절한 액압(통상적으로는, 약 2㎏/㎠)으로 세정하는 것이 일반적이다. 이어서, 칩상 워크를 리드 프레임 등과 같은 피착체에 접착(마운트 공정)시킨 후, 본딩 단계에서 가공된다. 마운트 단계에서, 접착제를 리드 프레임 또는 칩상 워크에 도포된다. 그러나, 이 방법에서 균일한 접착제 층이 거의 형성되지 않고, 접착제를 도포하는데 특수 장치나 장시간을 필요로 한다. 따라서, 다이싱 단계에서 반도체 웨이퍼를 접착시키고 마운트 단계에 필요한 칩 마운트를 제공하는 접착제 층을 갖는 다이싱/다이본딩 필름이 제안되어 왔다(예를 들어, 일본 특허 공개공보 제 1985-57642 호 참조).
상기 일본 특허 공개공보 제 1985-57642 호에 기재된 다이싱/다이본딩 필름은 지지 기재 물질상에 박리가능한 방법으로 배열된 접착제 층을 포함한다. 즉, 접착제 층상에 유지되는 반도체 웨이퍼를 다이싱하고, 지지 기재 물질을 연신하여 칩상 워크를 접착제 층과 동시에 박리하고, 각각의 칩상 워크를 회수하고, 그 접착제 층을 통해 리드 프레임과 같은 피착체에 고정시킨다.
다이싱 불능 및 치수 부정합과 같은 문제를 방지하기 위해, 이러한 다이싱/다이본딩 필름의 접착제 층이 반도체 웨이퍼를 충분히 유지할 수 있는 능력 및 다이싱 이후의 칩상 워크를 접착제 층과 함께 지지 기재로부터 충분히 박리할 수 있는 능력이 요구된다. 그러나, 둘 모두의 특성의 균형을 맞추는 것이 결코 용이하지 않다. 특히, 반도체 웨이퍼를 회전 원형날로 다이싱하는 방식에서 접착제 층에 충분한 유지력이 요구되는 경우, 상기 특성을 만족시키는 다이싱/다이본딩 필름을 수득하는 것이 곤란하다.
이러한 문제를 극복하기 위해, 다양한 개선된 방법이 제안되었다(예를 들어, 일본 특허 공개공보 제 90-248064 호 참조). 상기 일본 특허 공개공보 제 90-248064 호에는 지지 기재와 접착제 층의 사이에 자외선 경화성 감압성 접착제 층을 개재하고, 이어 다이싱 후에 이를 자외선으로 경화시켜 감압성 접착제 층과 접착제 층 사이의 접착력을 저하시키고, 이들 층을 서로 박리시켜 칩상 워크의 픽업을 용이하게 하는 방법이 제안되어 있다.
그러나, 이 개량법에 의해서도, 다이싱 단계를 위한 유지력 및 후속 단계를 위한 박리성을 양호한 균형으로 달성하는 접착제 층이 거의 형성되지 않는 경우가 있다. 예를 들어, 10㎜×10㎜ 이상의 대형 칩상 워크가 수득되어야 하는 경우, 그 면적이 커서 일반 다이본더(Die Bonder)를 사용하여 칩상 워크를 용이하게 픽업할 수 없다.
본 발명의 목적은 지지 기재상에 감압성 접착제 층 및 감압성 접착제 층상에 박리 가능한 방법으로 배열된 다이본딩 접착제 층을 포함하는 다이싱/다이본딩 필름으로서, 워크를 다이싱할 때의 유지력과, 다이싱된 칩상 워크를 다이본딩 접착제 층과 함께 박리할 때의 박리성의 균형이 우수한 다이싱/다이본딩 필름을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 다이싱/다이본딩 필름을 사용함으로써 칩상 워크의 고정 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 또 따른 목적은 고정 방법에 의해 접착 고정된 칩상 워크를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 다이싱/다이본딩 필름(1)의 단면도의 예이다.
도 2는 본 발명의 기타 다이싱/다이본딩 필름(1)의 단면도의 예이다.
도 3은 본 발명의 다이싱/다이본딩 필름(2)의 단면도의 예이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1: 지지 기재2: 감압성 접착제 층
3: 다이본딩 접착제 층W: 워크(웨이퍼)
WR: 웨이퍼 링S: 차광 재료
본 발명자들은, 상기 문제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 하기에 기술된 다이싱/다이본딩 필름을 발견하여 본 발명을 완성하였다.
즉 본 발명은, 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2) 및 감압성 접착제 층(2)상의 다이본딩 접착제 층(3)을 포함하는 다이싱/다이본딩 필름으로서, 감압성 접착제 층(2)과 다이본딩 접착제 층(3)의 계면에서의 박리성이 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 계면(A)과, 기타 부분(3b)의 일부 또는 전체에 상응하는 계면(B)에서 상이하고, 계면(A)의 박리성이 계면(B)의 박리성보다 큰 다이싱/다이본딩 필름(1)에 관한 것이다.
다이싱/다이본딩 필름(1)에서, 다이본딩 접착제 층(3)에 대한 감압성 접착제 층(2)의 접착력이 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분(2a)과 기타 부분(3b)의 일부 또는 전체에 상응하는 부분(2b)에서 상이하고, 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적다는 관계를만족시킨다.
본 발명의 다이싱/다이본딩 필름(1)은 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2), 및 감압성 접착제 층(2)상의 박리가능한 방법으로 배열된 다이본딩 접착제 층(3)을 포함한다. 감압성 접착제 층(2)에서, 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a)과 기타 부분(3b)에 각각 상응하는 접착 부분(2a, 2b)은 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적도록 설계되어 있다. 즉, 감압성 접착제 층(2b)은 다이싱 단계 또는 팽창 단계에서 접착제 층(3)에 적절하게 부착하여 접착제 층(3)이 감압성 접착제 층(2)로부터 박리되지 않도록 한다. 한편, 감압성 접착제 층(2a)은 용이하게 박리될 수 있다. 따라서, 불량한 다이싱없이 다이싱된 칩상 워크로서 10㎜×10㎜ 이상의 대형 칩의 용이한 박리 및 픽업이 가능한 다이싱/다이본딩 필름이 수득될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 다이싱/다이본딩 필름(1)은 다이싱 단계에서의 유지력 및 픽업 단계에서의 박리성의 균형을 좋게 한다.
다이싱/다이본딩 필름(1)에서, 워크에 대한 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a)의 접착력 및 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력은 워크에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력보다 높다는 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.
워크에 대한 다이본딩 접착제 층(3)의 접착력 및 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력이 이러한 관계를 만족시키는 경우, 다이싱 이후에 칩상 워크상에 배열된 다이본딩 접착제 층(3)은 감압성 접착제 층(2a)으로부터 용이하게 박리될 수 있다.
다이싱/다이본딩 필름(1)에서, 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b)의 일부는 다이싱 링 부착 부분(3b')으로서 사용될 수 있다. 다이싱/다이본딩 필름(1)에서, 다이싱 링에 대한 다이본딩 접착제 층(3)에서의 다이싱 링 부착 부분(3b')의 접착력 및 감압성 접착제 층(2도)에 대한 접착력은, 다이싱 링에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2b')에 대한 접착력보다 적다는 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.
다이본딩 접착제 층(3)의 접착력이 이러한 관계를 만족시키는 경우, 다이싱 단계 동안의 유지력과 픽업 단계 동안의 박리성 사이의 균형이 향상된다.
또한 본 발명은 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2) 및 감압성 접착제 층(2)상의 다이본딩 접착제 층(3)을 포함하는 다이싱/다이본딩 필름으로서, 다이본딩 접착제 층(3)은 감압성 접착제 층(2)의 일부상에 워크 부착 부분(3a)으로서 배열되고, 감압성 접착제 층(2)에서의 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분(2a)과 기타 부분(2b)에서 접착력이 상이하고, 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적다는 관계를 만족시키는 다이싱/다이본딩 필름(2)에 관한 것이다.
본 발명의 다이싱/다이본딩 필름(2)은 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2), 및 감압성 접착제 층(2)의 일부상에 박리가능한 방법으로 워크 부착 부분(3a)으로서 배열된 다이본딩 접착제 층(3)을 포함한다. 감압성 접착제 층(2)은, 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분(2a)의 접착력 및 기타 부분(2b)의 접착력이, 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적다는관계를 만족시키도록 설계되어 있다. 즉, 감압성 접착제 층(2a)은 용이하게 박리될 수 있다. 한편, 웨이퍼 링은 감압성 접착제 층(2b)에 접착될 수 있고, 다이싱 단계 및 팽창 단계 동안에 이들이 박리되지 않도록 고정할 수 있다. 따라서, 불량한 다이싱없이 다이싱된 칩상 워크로서 수득된 10㎜×10㎜ 이상의 대형 칩의 용이한 박리 및 픽업이 가능한 다이싱/다이본딩 필름이 수득될 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 다이싱/다이본딩 필름(2)은 다이싱 단계 동안의 유지력 및 픽업 단계 동안의 박리성의 균형을 좋게 한다.
다이싱/다이본딩 필름(2)에서, 워크에 대한 워크 부착 부분(3a)의 접착력 및 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력은, 워크에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력보다 높다는 관계를 만족시키는 것이 바람직하다.
워크에 대한 다이본딩 접착제 층(3a)의 접착력 및 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력이 상기 관계를 만족시키는 경우, 다이싱 이후에 칩상 워크상에 배열된 다이본딩 접착제 층(3a)은 감압성 접착제 층(2a)으로부터 용이하게 박리될 수 있다.
다이싱/다이본딩 필름(1) 및 (2)에서, 감압성 접착제 층(2)은 방사선 경화형 감압성 접착제로부터 형성되는 것이 바람직하고, 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 감압성 접착제 층(2a)은 방사선으로 조사함으로써 형성될 수 있다.
또한, 본 발명은 다이싱/다이본딩 필름(1) 또는 (2)에서의 다이본딩 접착제 층(3a)상에 워크를 압착하는 단계, 워크를 칩상에 다이싱하는 단계, 다이본딩 접착제 층(3a)과 함께 칩상 워크를 감압성 접착제 층(2a)으로부터 박리하는 단계, 및다이본딩 접착제 층(3a)을 통해 칩상 워크를 반도체 소자에 고정시키는 단계를 포함하는 칩상 워크의 고정 방법에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 칩상 워크를 기판 또는 칩에 고정하는 방법에 의해 다이본딩 접착제(3a)를 통해 반도체 소자에 고정된 칩상 워크를 포함하는 반도체 장치에 관한 것이다.
이하, 본 발명의 다이싱/다이본딩 필름은 도면을 참고하여 기술된다. 도 1 및 도 2는 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2) 및 감압성 접착제 층(2)상의 다이본딩 접착제 층(3)을 포함하는 본 발명의 다이싱/다이본딩 필름(1)의 단면도이다.
도 1에서, 감압성 접착제 층(2)에서의 부분(2a, 2b)은, 다이본딩 접착제 층(3)으로부터의 박리력이, 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 계면(A)의 박리력이 기타 부분(3b)에 상응하는 계면(B)의 박리력보다 크다는 관계가 되도록 설계되어 있다. 감압성 접착제 층(2a)은 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a)에 상응하고, 감압성 접착제 층(2b)은 기타 부분(3b)에 상응한다.
도 2는 부분(3b)의 일부가 다이싱 링 부착 부분(3b')에 상응하는 예를 나타낸다. 즉, 다이싱 링 부착 부분(3b')과 이에 상응하는 감압성 접착제 층(2b')의 계면(B')의 박리력이, 계면(A)의 박리력이 계면(B')의 박리력보다 크다는 관계가 되도록 설계되어 있다. 도 1에서, 감압성 접착제 층(2a)을 제외한 감압성 접착제 층(2) 전체는 감압성 접착제 층(2b)이지만, 도 2에 도시된 바와 같이, 감압성 접착제 층(2a)을 제외한 감압성 접착제 층(2)의 일부도 감압성 접착제 층(2b)일 수도있다.
도 3은 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2) 및 감압성 접착제 층(2)의 일부상의 워크 부착 부분(3a)을 포함하는 본 발명의 다이싱/다이본딩 필름(2)의 단면도를 나타낸다. 각각의 부분(2a, 2b)은, 접착력 층(2)에서의 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분(2a)의 접착력 및 기타 부분(2b)의 접착력이, 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적다는 관계가 되도록 설계되어 있다.
지지 기재(1)는 다이싱/다이본딩 필름의 강도 부여 물질로서 작용한다. 이들의 예로는 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌의 랜덤 공중합, 폴리프로필렌의 블록 공중합, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐 및 폴리메틸 펜텐과 같은 폴리올레핀; 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체; 아이오노머 수지; 에틸렌/(메트)아크릴산 공중합체; 에틸렌/(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체; 에틸렌-부텐 공중합체; 에틸렌-헥센 공중합체; 폴리우레탄; 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 와 같은 폴리에스테르; 폴리카보네이트; 폴리이미드; 폴리에테르 에테르 케톤; 폴리이미드; 폴리에테르 이미드; 폴리아미드; 방향족 폴리아미드; 폴리페닐 설파이드; 아라미드(종이); 유리; 유리 직물; 불소 수지; 폴리염화비닐; 폴리염화비닐리덴; 셀룰로즈 수지; 실리콘 수지; 금속(박); 종이 등을 들 수 있다.
지지 기재의 재료로는 가교 결합된 수지와 같은 중합체를 들 수 있다. 가소성 필름은 연신되지 않거나, 필요에 따라 1축 또는 2축 연신 처리될 수 있다. 연신 처리에 의해 열 수축성이 부여된 수지 시트는 다이싱 이후에 지지 기재를 열 수축시킴으로써 감압성 접착제 층(2a)과 접착제 층(3a) 사이의 접착 면적을 저하시켜 칩상 워크의 회수를 용이하게 할 수 있다.
지지 기재의 표면은 인접한 층의 밀착성 및 유지성을 향상시키기 위한 통상적인 표면 처리, 예를 들어 크로메이트 처리, 오존 노출, 화염 노출, 고압 전기 쇼크 노출, 이온화 방사선 처리와 같은 화학적 또는 물리적 처리, 또는 밑칠(예를 들어, 후술된 접착 물질)에 의한 코팅 처리에 수행할 수 있다.
지지 기재의 물질은 동일한 물질이거나 상이한 물질의 적합한 혼합물일 수 있고, 필요에 따라 몇몇 물질의 블렌드가 사용될 수도 있다. 또한, 지지 기재에는 대전 방지 성능을 부여하기 위해 금속, 합금 또는 이들의 산화물로 구성된 30 내지 500Å의 두께의 전도성 침착층이 제공된다. 지지 기재는 단층 혹은 2종 이상의 층으로 구성될 수 있다. 감압성 접착제 층(2)이 방사선 경화형인 경우, X선, 자외선 및 전자선과 같은 방사선을 일부 투과하는 지지 기재가 사용된다.
지지 기재(1)의 두께는 특별한 제한없이 적절하게 측정될 수 있지만, 일반적으로는 약 5 내지 약 200㎛이다.
감압성 접착제 층(2)의 형성에 사용되는 감압성 접착제는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 감압성 접착제 층(2a)와 (2b) 사이의 접착력의 차이를 용이하게 제공하는 방사선 경화형 감압성 접착제이다. 방사선 경화형 감압성 접착제는 자외선과 같은 방사선의 조사시 가교 결합의 정도를 증가킴으로써 접착력을 용이하게 감소시킬 수 있다. 따라서, 워크 부착 부분(3a)에 장착된 방사선 경화형 감압성 접착제 층을 경화시켜 접착력이 현저히 감소된 감압성 접착제 층(2a)을 용이하게 제공할 수 있다. 접착력이 감소된 감압성 접착제 층(2a)상에 접착제 층(3) 또는 (3a)가 부착되므로, 감압성 접착제 층(2a)과 접착제 층(3a) 사이의 계면은 본질적으로 픽업 단계에서 용이하게 분리된다. 한편, 방사선이 조사되지 않은 부분은 충분한 접착력을 갖고, 감압성 접착제 층(2b)을 형성한다.
다이싱/다이본딩 필름(1)에서, 경화되지 않은 방사선 경화형 감압성 접착제로 형성된 감압성 접착제 층(2b)은 접착제 층(3)에 부착하여 다이싱 단계에서 유지력을 갖는다. 따라서, 방사선 경화형 감압성 접착제는, 칩상 워크(반도체 칩 등)를 기판 및 칩상 워크의 피착체(반도체 소자로서 지칭됨)에 고정시키기 위한 다이본딩 접착제 층(3)을, 접착과 박리 사이의 균형이 양호하도록, 지지할 수 있다. 다이싱/다이본딩 필름(2)에서 감압성 접착제 층(2b)은 웨이퍼 링 등을 고정시킬 수 있다.
감압성 접착제 층(2)의 형성에 사용되는 방사선 경화형 감압성 접착제는 탄소-탄소 이중 결합과 같은 방사선 경화성의 작용기를 갖고, 동시에 접착성을 나타내는 한, 특별한 제한없이 사용될 수 있다.
방사선 경화형 감압성 접착제의 예로는 일반적인 감압성 접착제, 예를 들어 상기 아크릴계 감압성 접착제 또는 고무계 감압성 접착제와 배합된 방사선 경화형 단량체 성분 또는 올리고머 성분을 포함하는 첨가형 방사선 경화성 감압성 접착제를 들 수 있다. 반도체 웨이퍼 및 유리와 같은 오염되지 않은 전자 부품의 초순수 또는 알코올과 같은 유기 용매에 의한 세정 및 정화의 견지에서, 감압성 접착제는바람직하게는 아크릴계 중합체를 기재로 하는 아크릴계 감압성 접착제이다.
아크릴계 중합체는, 예를 들어 알킬(메트)아크릴레이트(예를 들어, 메틸 에스테르, 에틸 에스테르, 프로필 에스테르, 이소프로필 에스테르, 부틸 에스테르, 이소부틸 에스테르, s-부틸 에스테르, t-부틸 에스테르, 펜틸 에스테르, 이소펜틸 에스테르, 헥실 에스테르, 헵틸 에스테르, 옥틸 에스테르, 2-에틸 헥실 에스테르, 이소옥틸 에스테르, 노닐 에스테르, 데실 에스테르, 이소데실 에스테르, 운데실 에스테르, 도데실 에스테르, 트리데실 에스테르, 테트라데실 에스테르, 헥사데실 에스테르, 옥타데실 에스테르, 에이코실 에스테르 등과 같은 C1-30알킬, 특히 C4-18직쇄상 또는 분지쇄상 알킬 에스테르) 및 사이클로알킬(메트)아크릴레이트(예를 들어, 사이클로펜틸 에스테르, 사이클로헥실 에스테르 등)로부터 선택된 1종 이상을 단량체 성분을 사용하는 아크릴계 중합체이다. 또한, "(메트)아크릴레이트"란 용어는 아크릴레이트 및/또는 메트아크릴레이트를 지칭하고, 본 발명 전체에서 "(메트)"란 용어는 이와 같은 의미에서 사용된다.
응집력 및 내열성을 향상시키기 위해, 아크릴계 중합체는 상기(메트)아크릴레이트 및 사이클로알킬 에스테르와 공중합성 다른 단량체 성분에 상응하는 단위를 포함할 수 있다. 이러한 단량체 성분으로는, 예를 들어 아크릴산, 메트아크릴산, 카복시에틸(메트)아크릴레이트, 카복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 및 크로톤산과 같은 카복실기 함유 단량체; 말레산 무수물 및 이타콘산 무수물과 같은 산 무수물 단량체; 2-하이드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-하이드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-하이드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-하이드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 10-하이드록시데실 (메트)아크릴레이트, 12-하이드록시라우릴 (메트)아크릴레이트 및 (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트와 같은 하이드록실기 함유 단량체; 스티렌설폰산, 아릴설폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판설폰산, (메트)아크릴아미도프로판설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트 및 (메트)아크릴로일옥시 나프탈렌 설폰산과 같은 설폰산기 함유 단량체; 2-하이드록시에틸아크릴로일 포스페이트와 같은 인산기 함유 단량체; 및 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 1종 이상의 이들 공중합성 단량체 성분이 사용될 수 있다. 이들 공중합성 단량체의 양은 바람직하게는 전체 단량체 성분에 기초하여 40중량% 이하이다.
필요에 따라, 아크릴계 중합체는 공중합성 단량체 성분으로서 가교 결합시키기 위해 다작용성 단량체를 포함할 수 있다. 다작용성 단량체로는, 예를 들어 헥산디올 디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스테르 (메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 1종 이상의 이들 다작용성 단량체가 사용될 수 있다. 접착 특성 등의 견지에서, 다작용성 단량체의 양은 바람직하게는 전체 단량체 성분에 기초하여 30중량% 이하이다.
아크릴계 중합체는 단일 단량체 또는 2종 이상의 단량체 혼합물을 중합함으로써 수득된다. 이러한 중합은 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합 및 현탁 중합의 임의의 방식으로 수행될 수 있다. 세정된 피착체의 오염을 방지하기 위한 견지에서, 아크릴계 중합체중의 저분자량 물질의 함량이 적은 것이 바람직하다. 이 점에서, 아크릴계 중합체의 수-평균 분자량은 바람직하게는 300,000 이상, 더 바람직하게는 약 400,000 내지 3,000,000이다.
감압성 접착제에는 아크릴계 중합체 등의 수-평균 분자량을 증가시키기 위한 외부 가교 결합제를 기재 중합체로서 적절하게 사용할 수 있다. 외부 가교 결합 방법의 구체적인 수단으로 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물 및 멜라민계 가교 결합제와 같은 가교 결합제를 첨가함으로써 단량체를 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교 결합제가 사용되는 경우, 가교 결합제의 사용량은 가교 결합될 기재 중합체와의 균형 및 감압성 접착제의 용도에 따라 적절하게 결정된다. 일반적으로는, 외부 가교 결합제는 바람직하게는 기재 중합체 100중량부에 기초하여 5중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 5중량부의 양으로 배합된다. 필요에 따라, 감압성 접착제로는 접착 부여제, 산화 방지제 등과 같은 다양한 통상적인 첨가제를 들 수 있다.
블렌딩된 방사선 경화형 단량체 성분으로는, 예를 들어 우레탄 올리고머, 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트리메틸올 프로판 트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올 메탄 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노하이드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 방사선 경화형 올리고머 성분으로는 우레탄, 폴리에테르, 폴리에스테르, 폴리카보네이트 및 폴리부타디엔계 성분의 다양한 올리고머를 들 수 있고, 그의 분자량은 바람직하게는 약 100 내지 30,000 범위이다. 감압성 접착제의 유형에 따라, 방사선 경화형 단량체 성분 및 블렌딩된 올리고머 성분의 양은 감압성 접착제 층의 접착력을 감소시키도록 적절하게 결정될 수 있다. 일반적으로, 그의 양은 감압성 접착제를 구성하는 아크릴계 중합체와 같은 기재 중합체 100중량부에 기초하여, 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부이다.
방사선 경화형 접착제로는 전술한 첨가형의 방사선 경화형 감압성 접착제뿐만 아니라 중합체 측쇄, 주쇄 또는 주쇄의 말단에 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 기재 중합체를 사용하는 내재형 방사선 경화형 감압성 접착제를 들 수 있다. 내재형 방사선 경화성 감압성 접착제는, 올리고머 성분과 같은 저분자 성분의 혼입이 요구되지는 않거나, 대량의 올리고머 성분을 포함하지 않아 시간이 경과해도 올리고머 성분 등의 이동없이 안정한 층 구조를 갖는 감압성 접착제 층을 형성할 수 있으므로 바람직하다.
탄소-탄소 이중 결합을 갖는 기재 중합체는 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 동시에 접착성을 갖는 한 특별한 제한없이 사용될 수 있다. 기재 중합체는 바람직하게는 아크릴계 중합체를 기본 골격으로서 갖는다. 아크릴계 중합체의 기본 골격으로서 상기 아크릴계 중합체를 들 수 있다.
아크릴계 중합체에 탄소-탄소 이중 결합을 도입하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 각종 방법이 사용될 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합을 중합체의 측쇄에 도입하는 분자 설계가 용이하다. 예를 들어, 작용기를 갖는 단량체를 아크릴계 중합체와 공중합하고, 이어 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물과 상기 작용기와 반응할 수 있는 작용기가 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화형 특성을 유지하면서 공중합체와의 축합 또는 부가 반응에 적용되는 방법을 들 수 있다.
이들 작용기의 조합으로는, 예를 들어 카복실산기와 에폭시기, 카복실산기와 아지리딜기, 및 하이드록실기와 이소시아네이트기를 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서, 하이드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 반응을 추적하는데 용이하므로 바람직하다. 또한, 이들 작용기의 조합이 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 중합체를 형성하는 조합인 경우, 작용기는 아크릴계 중합체 또는 상기 화합물 중에 존재할 수 있고, 상기 바람직한 조합에서 아크릴계 중합체가 하이드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 것이 바람직하다. 이러한 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로는, 예를 들어 메타크릴로일 이소시아네이트, 2-메타크릴로일 옥시에틸 이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질 이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 중합체로서, 상기에 예시한 하이드록시기 함유 단량체 또는 2-하이드록시 에틸 비닐 에테르, 4-하이드록시 부틸 비닐 에테르 또는 디에틸렌 글리콜 모노비닐 에테르와 같은 에테르계 화합물을 공중합함으로써 제조된 중합체가 사용된다.
내재형의 방사선 경화형 감압성 접착제로서, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 기재 중합체(특히, 아크릴계 중합체)가 단독으로 사용될 수 있다. 방사선 경화형 단량체 성분 및 올리고머 성분은 특성을 악화시키지 않는 정도로 배합할 수도 있다. 방사선 경화형 올리고머 성분의 양은 통상적으로 기재 중합체 100중량부에 기초하여 0 내지 30중량부의 범위이고, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.
자외선 등에 의해 경화시키는 경우, 방사선 경화형 감압성 접착제는 광중합 개시제와 블렌딩된다. 광중합 개시제로는, 예를 들어 4-(2-하이드록시에톡시)페닐(2-하이드록시-2-프로필)케톤, α-하이드록시-α, α'-디메틸 아세토페논, 2-메틸-2-하이드록시프로피오페논 및 1-하이드록시사이클로헥실 페닐 케톤과 같은 α-케톨계 화합물; 메톡시 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐 아세토페논, 2,2-디에톡시 아세토페논 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모폴리노프로판-1과 같은 아세토페논계 화합물; 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르 및 아니소인 메틸 에테르와 같은 벤조인 에테르계 화합물; 벤질 디메틸 케탈과 같은 케탈계 화합물; 2-나프탈렌 설포닐 클로라이드와 같은 방향족 설포닐 클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카보닐)옥심과 같은 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산 및 3,3'-디메틸-4-메톡시 벤조페논과 같은 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸 티오크산톤, 2,4-디메틸 티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤과 같은 티오크산톤계 화합물; 캄포르 퀴논; 할로겐화 케톤; 아실 포스핀옥사이드; 및 아실포스포네이트를 들 수 있다. 블렌딩된 광중합 개시제의 양은 감압성 접착제를 구성하는 아크릴계 중합체와 같은기재 중합체 100중량부에 기초하여, 예를 들어 0.05 내지 20중량부이다.
방사선 경화형 감압성 접착제로는 일본 특허 공개 보 제 1985-196956 호에 개시된 감압성 접착제, 예를 들어 2개 이상의 불포화 결합을 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시 실란과 같은 광중합성 화합물, 및 카보닐화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물과 같은 광중합성 개시제를 함유하는 고무계 감압성 접착제 및 아크릴계 감압성 접착제를 들 수 있다.
필요에 따라, 방사선 경화형 감압성 접착제 층(2)은 또한 방사선 조사에 의해 착색되는 화합물을 함유할 수도 있다. 방사선 조사에 의해 착색된 화합물을 방사선 경화형 감압성 접착제 층(2)에 혼입시킴으로써, 방사선으로 조사된 부분만이 착색될 수 있다. 즉, 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 감압성 접착제 층(2a)이 착색될 수 있다. 따라서, 감압성 접착제 층(2)에 방사선이 조사되었는지의 여부는 나안으로 직접 판명할 수 있고, 워크 부착 부분(3a)은 인식하기 쉬워서 워크에 부착하는 것이 용이하다. 또한, 광 센서 등에 의해 얻어진 반도체 소자를 검출하는 경우에 검출 정밀도가 향상되어 반도체 소자의 픽업에서 오작동을 방지한다.
방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은 방사선 조사 이전에는 무색 또는 담색이지만, 방사선 조사에 의해 착색된다. 이러한 화합물의 바람직한 예로는 류코(leuco) 염료를 들 수 있다. 사용된 류코 염료는 바람직하게는 트리페닐 메탄, 플루오란, 페노티아진, 오르아민 및 스피로피란에 기초하는 통상적인 염료이다. 구체적으로는, 3-[N-(p-톨릴아미노)]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-메틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-[N-(p-톨릴)-N-에틸아미노]-7-아닐리노플루오란, 3-디에틸아미노-6-메틸-7-아니리노플루오란, 크리스탈 바이올렛 락톤, 4,4',4"-트리스디메틸아미노트리페닐 메탄올, 4,4',4"-트리스디메틸아미노트리페닐 메탄 등을 들 수 있다.
이들 류코 염료와 함께 바람직하게 사용되는 현상제로는 통상적으로 사용되는 페놀-포르말린 수지의 초기 중합체, 방향족 카복실산 유도체, 활성 점토 등의 전자 수용체를 들 수 있고, 색조를 변화시키기 위해 다양한 착색제와 함께 사용될 수도 있다.
방사선 조사에 의해 착색되는 화합물은 먼저 유기 용매 등에 용해시키고, 이어 방사선 경화형 감압성 접착제 중에 혼입시키거나, 또한 우선 미세하게 분쇄하여 상기 감압성 접착제에 혼입시킬 수도 있다. 사용된 화합물의 비율은 감압성 접착제 층(2)에 기초하여 10중량% 이하, 바람직하게는 0.01 내지 10중량%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5중량%이다. 화합물의 비율이 10중량%을 초과하는 경우, 감압성 접착제 층(2)에 조사된 과량의 방사선이 이 화합물에 흡수되고, 따라서 감압성 접착제 층(2a)은 거의 경화되지 않고, 접착력을 충분히 저하시키지 못한다. 한편, 충분히 착색된 경우, 화합물의 비율을 바람직하게는 0.01중량% 이상이다.
감압성 접착제 층(2)이 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적도록 배열된다. 다이싱/다이본딩 필름(1)에서, 다이본딩 접착제 층(3)에 대한 접착력은 계면(A)의 박리성이 계면(B)의 박리성보다도 크도록 결정한다. 다이싱/다이본딩 필름(2)에서, 감압성 접착제 층(2a)의 피착체인 SUS304 판(#2000 연마)에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 작다.
감압성 접착제 층(2)을 방사선 경화형 감압성 접착제로부터 형성하는 경우, 지지 기재(1)상에 방사선 경화형 감압성 접착제 층(2)을 형성하고, 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분을 부분적으로 방사선을 조사하여 경화시켜 감압성 접착제 층(2a)을 형성하는 방법을 들 수 있다. 부분적인 방사선 조사는 워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b 등)에 상응하는 패턴을 갖는 광마스크(photomask)를 통해 수행될 수 있다. 또한, 스폿형 자외선 조사에 의해 감압성 접착제 층을 경화시키는 방법 등을 들 수 있다. 방사선 경화형 감압성 접착제 층(2)의 형성은 세퍼레이터상에 배열된 층을 지지 기재(1)상에 수송함으로써 수행될 수 있다. 세퍼레이터상에 배열된 방사선 경화형 감압성 접착제 층(2)은 부분적인 방사선 경화에 적용될 수 있다.
다르게는, 감압성 접착제 층(2)이 방사선 경화형 감압성 접착제로부터 형성되는 경우, 지지 기재(1) 중 하나 이상의 면이 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분의 전체 또는 일부를 제외한 나머지 부분에서 차광된 지지 기재(1)가 방사선 경화형 감압성 접착제 층(2)에 제공되고, 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분을 경화시켜 접착력이 저하된 감압성 접착제 층(2a)을 형성하는 방법을 들 수 있다. 지지 필름상에 광마스크로 작용할 수 있는 물질을 인쇄하거나 침착시키면 차광 재료를 제조할 수 있다. 이러한 제조 방법에 따라, 본 발명의 다이싱/다이본딩 필름을 효율적으로 제조할 수 있다.
산소에 의한 경화 저해가 방사선 조사 동안에 발생하는 경우, 방사선 경화형 감압성 접착제 층(2)의 표면은 바람직하게는 몇몇 방법에 의해 산소(공기)로부터차단된다. 이러한 방법은 감압성 접착제 층(2)의 표면을 세퍼레이터로 피복하는 것, 또는 질소 분위기에서 자외선 등의 방사선을 조사하는 것을 포함한다.
감압성 접착제 층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩의 절단면이 파열되는 것을 방지하고, 동시에 접착층을 유지하는 견지에서 약 1 내지 50㎛인 것이 바람직하다. 이의 두께는 더욱 바람직하게는 2 내지 30㎛이고, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.
다이본딩 접착제 층(3)상에 접촉-결합된 워크(반도체 웨이퍼 등)를 칩상에 다이싱하는 경우, 접착제 층(3)은 워크에 접착되어 이를 지지하고, 절단편으로 형성된 칩상 워크(반도체 칩 등)를 탑재하는 경우, 접착제 층은 칩상 워크를 반도체 소자(기판, 칩 등)에 고정시키는 작용을 한다. 특히, 다이본딩 접착제 층(3)은 워크의 다이싱 동안에 절단편을 산란시키지 않도록 하는 접착성을 갖는 것이 중요하다. 다이싱/다이본딩 필름(2)에서, 다이본딩 접착제 층(3)은 미리 형성된 워크 부착 부분(3a)에 배열된다.
다이본딩 접착제 층(3)은 통상의 다이 접착제로부터 형성될 수 있다. 다이 접착제는 바람직하게는 시트상에 형성될 수 있는 접착제이다. 다이 접착제의 바람직한 예로는 열 가소성 수지 또는 열 경화성 수지로 구성된 다이 접착제를 들 수 있다. 다이 접착제는 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용될 수 있다. 다이본딩 접착제 층은 바람직하게는 70℃ 이하에서 반도체 웨이퍼와 같은 워크 또는 다이싱 링에 접착할 수 있는 층이다. 다이본딩 접착제 층은 더욱 바람직하게는 상온에서 접착할 수 있는 층이다.
다이 접착제로서 사용되는 열 가소성 수지(열 가소성 다이 접착제)로는, 예를 들어 포화 폴리에스테르 수지, 열 가소성 폴리우레탄계 수지, 아미드계 수지(나일론계 수지), 이미드계 수지 등을 들 수 있다. 열 경화성 수지(열 경화성 다이 접착제)로는, 예를 들어 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르계 수지, 열 경화성 아크릴 수지, 페놀계 수지 등을 들 수 있다. 열 경화성 수지는 바람직하게는 탈용매화되고 시트로 성형된 B-단계에서의 열 경화성 수지이다. 열 경화성 수지와 열 가소성 수지의 B-단계에서의 혼합물도 사용될 수 있다. 본 발명에서, 실리콘, 고무, 우레탄, 이미드, 및 아크릴에 기초하는, 높은 유리 전이 온도를 갖는 수지가 다이 접착제로서 사용될 수 있다.
다이본딩 접착제 층(3)은 유리 전이 온도가 다른 열 가소성 수지, 또는 열 경화 온도가 다른 열 경화성 수지를 적절하게 조합함으로써, 2층 이상의 다층 구조를 가질 수 있다. 또한, 워크(반도체 웨이퍼 등)의 다이싱 단계에서 절삭수가 사용되므로, 다이본딩 접착제 층(3)은 수분을 흡수하여 통상의 상태보다 높은 수분 함량을 달성한다. 상기 고 수분 함량을 갖는 접착제 층(3)을 기판 등에 접착시키는 경우, 후 경화 단계에서 접착제의 계면에 수증기가 축적되어 들뜸이 발생할 수 있다. 따라서, 다이본딩 접착제는 수분을 고도로 흡착한 필름을 다이 접착제 사이에 삽입되도록 구성함으로써, 후 경화 단계에서 필름을 통해 수증기가 확산되어 상기 문제를 극복할 수 있도록, 다이본딩 접착제가 구성된다. 따라서, 다이본딩 접착제 층(3)은 접착제 층, 필름 및 접착제 층의 순서로 적층된 다층 구조로 구성될 수 있다.
특별히 한정되지 않지만, 다이본딩 접착제 층(3)의 두께는, 예를 들어 약 5 내지 100㎛, 바람직하게는 약 10 내지 50㎛이다.
지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2) 및 감압성 접착제 층(2)상의 다이본딩 접착제 층(3)을 포함하는 다이싱/다이본딩 필름(1) 및 (2)이 이러한 방법으로 수득된다.
다이싱/다이본딩 필름(1) 및 (2)이 접착시 또는 박리시에 정전기의 발생 또는 상기 정전기에 의해 대전된 워크(반도체 웨이퍼 등)에 의한 회로의 파괴를 방지할 목적으로 대전 방지 성능을 갖게 할 수 있다. 대전 방지 성능은, 지지 기재(1), 감압성 접착제 층(2) 또는 접착제 층(3)에 대전 방지제 또는 전기 전도성 물질을 첨가하거나, 지지 기재(1)에 전하 전달 착체 또는 금속막으로 구성된 정전기 층에 제공함으로써 적절한 방식으로 부여될 수 있다. 이러한 시스템은 바람직하게는 반도체 웨이퍼를 변성시킬 수 있는 불순물 이온을 발생하지 않는 시스템이다. 전기 전도성, 열 전도성 등을 부여할 목적으로 혼입된 전기 전도성 물질(전기 전도성 충전제)로는 은, 알루미늄, 금, 구리, 니켈, 전기 전도성 합금 등의 구상, 침상 또는 박편상 금속 분말, 알루미나와 같은 금속 산화물, 무정형 카본 블랙, 그라파이트 등을 들 수 있다.
다이싱/다이본딩 필름(1)에서, 다이본딩 접착제 층(3)에 대한 감압성 접착제 층(2)의 접착력은 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적도록 설계되어 있다. 상온(23℃)에서의 접착력(90° 박리값, 박리 속도 300㎜/분)에 기초하여, 감압성 접착제 층(2a)의 접착력은 바람직하게는 웨이퍼의유지력 또는 형성된 칩의 회수성의 견지에서 0.5N/20㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.42N/20㎜, 더욱 더 바람직하게는 0.01 내지 0.35N/20㎜이다. 한편, 감압성 접착제 층(2b)의 접착력은 바람직하게는 약 0.5 내지 20N/20㎜이다. 감압성 접착제 층(2a)이 낮은 박리 접착력을 가질지라도, 감압성 접착제 층(2b)의 접착력은 칩의 산란을 억제하고, 웨이퍼의 가공에 충분한 유지력을 발휘할 수 있다.
다이싱/다이본딩 필름(2)에서, 감압성 접착제 층(2)에의 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분(2a) 및 기타 부분(2b)은 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적도록 설계되어 있다. 워크 부착 부분(3a)에 대한 감압성 접착제 층(2a)의 접착력(상기와 동일한 조건하에)은 0.5N/20㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.42N/20㎜, 더욱 더 바람직하게는 0.01 내지 0.35N/20㎜이다.
다이싱/다이본딩 필름(1) 및 (2)에서, 워크에 대한 워크 부착 부분(3a)의 접착력 및 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력은 바람직하게는 워크에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력보다 크도록 설계되어 있다. 워크에 대한 접착력은 워크의 유형에 따라 적절하게 조정된다.
전술한 바와 같이, 감압성 접착제 층(2a)에 대한 워크 부착 부분(3a)의 접착력(상기와 동일한 조건하에서)은 0.5N/20㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 0.42N/20㎜, 더욱 더 바람직하게는 0.01 내지 0.35N/20㎜이다. 한편, 워크에 대한 워크 부착 부분(3a)의 접착력(상기와 동일한 조건하에)은 다이싱, 픽업 및 다이본딩시의 픽업성 및 신뢰성의 견지에서 10 내지 50N/20㎜ 이하, 더욱 바람직하게는10 내지 30N/20㎜이다.
워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b)이 다이싱/다이본딩 필름(1)에서 다이싱 링 부착 부분(3b')으로서 사용되는 경우, 워크에 대한 다이본딩 접착제 층(3)에서의 다이싱 링 부착 부분(3b')의 접착력 및 감압성 접착제 층(2b')에 대한 접착력은 바람직하게는 다이싱 링에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2b')에 대한 접착력보다 적도록 설계되어 있다. 다이싱 링에 대한 접착력은 다이싱 링의 유형에 따라 적절하게 조정된다.
상술된 바와 같이, 감압성 접착제 층(2b')에 대한 다이본딩 접착제 층(3)의 접착력(상기와 동일한 조건하에)은 바람직하게는 0.5 내지 20N/20㎜이다. 한편, 다이싱 링에 대한 다이본딩 접착제 층(3)의 접착력은 바람직하게는 다이싱 및 다이본딩시의 작업성의 견지에서 0.3 내지 5N/20 ㎜ 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5N/20㎜이다.
다이싱/다이본딩 필름(1) 및 (2)에서, 다이본딩 접착제 층(3) 또는 (3a)은 세퍼레이터(도시하지 않음)에 의해 보호되어 있을 수 있다. 즉, 세퍼레이터는 임의로 배열될 수 있다. 세퍼레이터는 다이본딩 접착제 층(3) 또는 (3a)을 보호하는 보호재로서의 기능을 한다. 또한, 세퍼레이터는 감압성 접착제 층(2)으로 다이본딩 접착제(3) 및 (3a)를 전달하기 위한 지지 기재로서 사용될 수도 있다. 세퍼레이터는 다이싱/다이본딩 필름(1) 또는 (2)에서의 다이본딩 접착제 층(3) 또는 (3a)상에 워크가 부착되기 직전에 제거된다. 세퍼레이터로는 폴리에틸렌, 또는 폴리프로필렌 필름, 또는 불소계 박리제, 장쇄 알킬 아크릴레이트 박리제와 같은 박리제로 코팅된 가소성 필름 또는 종이를 들 수 있다.
접착제 층(3) 또는 (3a)상에 임의로 배열된 세퍼레이터가 제거된 후에, 본 발명의 다이싱/다이본딩 필름(1) 또는 (2)은 이하와 같이 사용된다. 즉, 다이싱/다이본딩 필름(1) 또는 (2)에서의 다이본딩 접착제 층(3a)상에 워크를 압착하고, 접착제 층(3a)상에 워크를 결합제로 결합시킨다. 압착은 통상의 방법으로 수행된다. 본 발명에서 사용되는 워크는 바람직하게는 반도체 웨이퍼이다. 이어, 워크를 칩상에 다이싱한다. 워크로는, 예를 들어 반도체 웨이퍼, 다층 기판, 일괄 밀봉 모듈 등을 들 수 있다. 본 발명에 사용되는 워크로는 바람직하게는 반도체 웨이퍼이다. 다이싱에 의해 회전 원형날을 사용하는 적절한 수단으로 접착제 층(3)을 갖는 워크를 칩상 워크(반도체칩 등)에 형성한다.
이어, 칩상 워크가 다이본딩 접착제 층(3a)과 함께 감압성 접착제 층(2a)으로부터 박리된다. 이렇게 픽업된 칩상 워크는 다이본딩 접착제 층(3a)을 통해 피착체로서 반도체 소자에 접착제로 결합된다. 반도체 소자로는 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도로 제조한 칩상 워크를 들 수 있다. 예를 들어, 피착체로는 용이하게 변형되는 변형형 피착체 또는 변형하기 어려운 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)일 수 있다. 피착체는 바람직하게는 반도체 웨이퍼이다. 접착제 층(3) 또는 (3a)이 열 경화성인 경우, 열 경화성에 의해 워크를 피착체에 접착제로 결합시켜 내열성을 향상시킨다. 예를 들어, 접착제 층(3a)을 통해 기판 등에 접착제로 결합된 칩상 워크는 리플로 공정에 수행될 수 있다.
실시예
이하, 본 발명은 실시예를 참고하여 더욱 상세하게 설명한다. 하기 설명에서, "부"란 용어는 중량부를 지칭한다. 자외선 조사의 경우, 자외선(UV) 조사 장치(NEL UM-110(닛또 세이키 가부시키가이샤(Nitto Seiki Co. Ltd.))가 사용된다.
제조예: 다이본딩 접착제 층의 제조
하기 표 1에 나타나 있는 성분, 즉 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 고무, 실리카 및 경화 촉진제를 표 1에 나타나 있는 비율로 배합하여 다이본딩 접착제 A 내지 C에 대한 조성물을 제조하고, 각각의 조성물을 혼합하여 톨루엔에서 용해시켰다. 혼합 용액을 이형제로 처리한 폴리에스테르 필름(세퍼레이터)상에 도포하였다. 이어, 혼합 용액으로 도포된 폴리에스테르 필름을 120℃로 건조시켜 톨루엔을 제거함으로써, B-단계에서 폴리에스테르 필름상에 20㎛ 두께의 다이본딩 접착제 층 A 내지 C를 수득하였다.
조성 다이본딩 접착제(중량부)
A B C
에폭시 수지(a1) 24.9 24.9 15.5
에폭시 수지(a2) 24.9 24.9 15.5
페놀 수지 29.2 29.2 18
아크릴 고무 20 20 50
실리카 0 100 100
경화 촉진제 1 1 1
상기 표 1에 있어서,
"에폭시 수지(a1)"은 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량: 186g/eq, 점도: 10㎩·s/25℃)이고,
"에폭시 수지(a2)"는 트리페놀 메탄형 에폭시 수지(에폭시 당량: 170g/eq, 연화점: 80℃, 점도: 0.08㎩·s/150℃)이고,
"페놀 수지"는 노볼락(novolak)형 페놀 수지(하이드록실기 당량: 104g/eq, 연화점: 80℃, 점도: 0.1㎩·s/150℃)이고,
"아크릴 고무" (무니 점도: 50),
"구상 실리카" 평균 입경: 1㎛, 최대 입경: 1O㎛,
"경화 촉진제"는 트리페닐포스핀이다.
실시예 1:
방사선 경화형 아크릴계 감압성 접착제의 제조
부틸 아크릴레이트 70부, 에틸 아크릴레이트 30부 및 아크릴산 5부를 에틸아세테이트에서 통상의 방법으로 공중합하여 중량 평균 분자량이 800,000인 아크릴계 중합체를 30중량%의 농도로 포함하는 용액을 수득하였다. 광 중합성 화합물로서 디펜타에리트리톨 모노하이드록시 펜타아크릴레이트 20부 및 광 중합 개시제로서 α-하이드록시 사이클로헥실 페닐 케톤 1부를 아크릴계 중합체 용액과 배합하였다. 혼합물을 톨루엔에서 균일하게 용해시켜 방사선 경화형 아크릴계 감압성 접착제를 25중량%의 농도로 포함하는 용액을 제조하였다.
다이싱/다이본딩 필름의 제조
상기 방사선 경화형 아크릴계 감압성 접착제의 용액을 60㎛ 두께의 폴리에틸렌 필름상에 지지 기재로서 도포하고, 건조시켜 20㎛ 두께의 감압성 접착제 층을 형성하였다. 이하, 얻어진 생성물을 감압성 접착 필름(A)으로서 지칭된다. 이어서, 감압성 접착 필름(A)에서의 감압성 접착제 층의 웨이퍼 부착 부분에만 500mJ/㎠의 총선량으로 자외선을 조사하여 웨이퍼 부착 부분이 방사선에 의해 경화된 감압성 접착제 층을 갖는 필름을 수득하였다. 이어, 상기 다이본딩 접착제 층(A)을 감압성 접착 필름(A)의 감압성 접착제 층상에 전달하여 다이싱/다이본딩 필름을 수득하였다.
실시예 2
실시예 1에서의 다이본딩 접착제(A) 대신에 다이본딩 접착제(B)를 사용한다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱/다이본딩 필름을 제조하였다.
실시예 3
(방사선 경화형 아크릴계 감압성 접착제의 제조)
에틸 아크릴레이트 50부, 부틸 아크릴레이트 50부 및 2-하이드록시에틸 아크릴레이트 16부로 이루어진 조성물을 톨루엔 용매에서 공중합시켜 중량 평균 분자량이 500,000인 아크릴계 중합체를 35중량%의 농도로 포함하는 용액을 수득하였다. 이어, 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 20부를 아크릴계 중합체의 용액과 부가 중합시켜 중합체의 분자내 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 도입하였다. 이 중합체 100중량부(고형분)에 폴리이소시아네이트계 가교 결합제 1중량부 및 아세토페논계 광 중합 개시제 3부를 첨가하였다. 이들을 톨루엔에서 균일하게 용해시켜 방사선 경화형 아크릴계 감압성 접착제를 23중량%의 농도로 포함하는 용액을 제조하였다.
다이싱/다이본딩 필름의 제조
상기 방사선 경화형 아크릴계 감압성 접착제의 용액을 80㎛ 두께의 폴리에틸렌 필름상에 지지 기재로서 도포하고, 건조시켜 5㎛ 두께의 감압성 접착제 층을 형성하였다. 이하, 얻어진 생성물을 감압성 접착 필름(B)으로서 지칭된다. 감압성 접착 필름(B)에서의 감압성 접착제 층의 웨이퍼 부착 부분에만 500mJ/㎠의 자외선을 조사하여 웨이퍼 부착 부분이 방사선에 의해 경화된 감압성 접착제 층을 갖는 필름을 수득하였다. 이어, 상기 다이본딩 접착제 층(B)를 감압성 접착 필름(B)의 감압성 접착제 층에 전달하여 다이싱/다이본딩 필름을 수득하였다.
실시예 4
실시예 3에서의 다이본딩 접착제(B) 대신에 다이본딩 접착제 층(C)를 사용한다는 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 다이싱/다이본딩 필름을 제조하였다.
실시예 5
실시예 3에서의 다이본딩 접착제(B) 대신에 다이본딩 접착제 층(A)을 사용한다는 것을 제외하고는 실시예 3과 동일한 방법으로 다이싱/다이본딩 필름을 제조하였다.
실시예 6
실시예 1에서 수득된 감압성 접착 필름(A)에서의 감압성 접착제 층의 웨이퍼 부착 부분에만 500mJ/㎠의 총선량으로 자외선을 조사하여 웨이퍼 부착 부분이 방사선에 의해 경화된 감압성 접착제 층을 갖는 필름을 수득하였다. 이어, 상기 다이본딩 접착제 층(A)을 감압성 접착 필름(A)에서의 감압성 접착제 층의 웨이퍼 부착 부분상에 전달하여 다이싱/다이본딩 필름을 수득하였다.
실시예 7
실시예 3에서 수득된 감압성 접착 필름(B)에서의 감압성 접착제 층의 웨이퍼 부착 부분에만 500mJ/㎠의 총선량으로 자외선을 조사하여 웨이퍼 부착 부분이 방사선에 의해 경화된 감압성 접착제 층을 갖는 필름을 수득하였다. 이어, 상기 다이본딩 접착제 층(C)을 감압성 접착 필름(B)에서의 감압성 접착제 층의 웨이퍼 부착 부분상에 전달하여 다이싱/다이본딩 필름을 수득하였다.
비교예 1
감압성 접착 필름(A)에서의 감압성 접착제 층을 자외선으로 조사하지 않는다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱/다이본딩 필름을 제조하였다.
비교예 2
감압성 접착 필름(A)상의 감압성 접착제 층을 자외선으로 조사하지 않고, 또한 다이본딩 접착제 층(A)을 감압성 접착제 층에 전달한 후에 500mJ/㎠의 자외선으로 조사한다는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 다이싱/다이본딩 필름을 제조하였다.
실시예 및 비교예에서 수득된 다이싱/다이본딩 필름에 대해, 각각의 실시예에서 사용된 감압성 접착 필름 및 다이본딩 접착제 층을 하기의 방법으로 이들의 접착력에 대해 측정하였다. 그 결과는 표 2에 나타나 있다.
(1) 다이본딩 접착제 층과 감압성 접착 필름(감압성 접착제 층) 사이의 접착력의 측정
웨이퍼 부착 부분
각각 실시예에서 사용된 감압성 접착 필름을 지지 기재의 측면에서 자외선(500mJ/㎠)으로 조사하고, 10㎜ 폭으로 장방형 스트립으로 절단하였다. 개별적으로, 각각 실시예에서 사용된 다이본딩 접착제 층을 40℃에서 뜨거운 판상에 놓여 있는 6인치 실리콘 웨이퍼(지표면 #2000)에 부착하였다. 그 후, 감압성 접착 필름(10㎜ 폭)을 실온(23℃)에서 다이본딩 접착제 층에 부착하고, 실온 분위기하에 30분 동안 정치한 후, 23℃의 항온실에서 90°의 박리각으로 박리되는 경우에 감압성 접착 필름의 접착력을 측정하였다(감압성 접착 필름의 인장 속도: 300㎜/분). 그러나, 비교예 1에서 사용된 감압성 접착 필름은 자외선 조사없이 접착력에 대해 측정하였다. 비교예 2에서 사용된 감압성 접착 필름은 다이본딩 접착제 층에 부착된 후에 자외선으로 조사하였다.
웨이퍼 부착 부분 이외의 부분
각각의 실시예 및 비교예에서 사용된 감압성 접착 필름을 10㎜ 폭으로 장방형 스트립으로 절단하였다. 개별적으로, 각각 실시예 및 비교예에서 사용된 다이본딩 접착제 층은 40℃에서 뜨거운 판상에 놓여 있는 6인치 실리콘 웨이퍼(지표면 #2000)에 부착하였다. 그 후, 감압성 접착 필름(10㎜ 폭)을 실온(23℃)에서 다이본딩 접착제 층에 부착하고, 실온 분위기하에 30분 동안 정치한 후, 23℃의 항온실에서 90°의 박리각으로 박리되는 경우에 감압성 접착 필름의 접착력을측정하였다(감압성 접착 필름의 인장 속도: 300㎜/분).~
(2) 다이싱 링 및 웨이퍼에 대한 다이본딩 접착제 층의 접착력의 측정
각각의 실시예 및 비교예에서 수득된 다이싱/다이본딩 필름으로서, 웨이퍼가부착되지 않은 부분을 지지 기재의 측면에서 자외선(500mJ/㎠)으로 조사하고, 이어 10㎜ 폭으로 장방형 스트립으로 절단하였다. 다이싱/다이본딩 필름(10㎜ 폭)을 23℃(실온)에서 다이싱 링(2-6-1 (디스코(Disco))) 및 웨이퍼(표지면 #2000)에 부착하고, 이어 실온 분위기하에 30분 동안 정치한 후, 23℃의 항온실에서 90°의 박리각으로 박리하였을 경우에 감압성 접착 필름의 접착력을 측정하였다(다이싱/다이본딩 필름의 인장 속도: 300mm/분).
(3) SUS304판(#2000 연마)에 대한 감압성 접착 필름의 접착력의 측정
웨이퍼 부착 부분
각각의 감압성 접착 필름(A) 및 (B)을 지지 기재의 측면에서 자외선(500mJ/㎠)으로 조사하고, 이어 10㎜ 폭으로 장방형 스트립으로 절단하였다. 그 후, 감압성 접착 필름(100㎜ 폭)을 실온(23℃)에서 SUS304판(#2000 연마)상에 부착하고, 실온 분위기하에 30분 동안 정치한 후, 23℃의 항온실에서 90°의 박리각으로 박리하였을 경우에 감압성 접착 필름 접착력을 측정하였다(감압성 접착 필름의 인장 속도: 300mm/분).
웨이퍼 부착 부분 이외의 부분
각각의 감압성 접착 필름 (A) 및 (B)을 10㎜ 두께로 장방형 스트립으로 절단하였다. 그 후, 감압성 접착 필름(10㎜)을 실온(23℃)에서 SUS304판(#2000 연마)에 부착하고, 실온 분위기하에 30분 동안 정치한 후, 23℃의 항온실에서 90°의 박리각으로 박리하였을 경우에 감압성 접착 필름 접착력을 측정하였다(감압성 접착 필름의 인장 속도: 300mm/분).
실시예 1 내지 실시예 7, 및 비교예 1 및 비교예 2의 다이싱/다이본딩 필름을 하기의 방법으로 반도체 웨이퍼의 실질적인 다이싱/다이본딩에서의 이들의 성능에 대해 평가하였다. 그 결과는 표 2에 나타나 있다.
<다이싱 동안의 칩 산란>
직경이 8인치인 반도체 웨이퍼의 배면을 연삭함으로써 수득된, 회로 패턴을 형성하는 0.15㎜ 두께의 미러 웨이퍼를 사용하였다. 다이싱/다이본딩 필름으로부터 세퍼레이터를 박리하고, 미러 웨이퍼를 노출된 접착제 층에 40℃에서 롤 압착함으로써 접촉-결합하고, 이어 1×1㎟의 칩에 풀다이싱(full-dicing)하였다. 다이싱 동안의 칩 산란을 측정하였다. 이 과정에서, 실시예 및 비교예에서 어떠한 다이싱/다이본딩 필름도 다이싱 동안에 칩 산란과 같은 불량을 야기하지 않았다.
<픽업>
칩의 사이즈를 5×5㎟, 10×10㎟, 15×15㎟로 각각 변경한 것을 제외하고는 상기와 동일한 방법으로 풀다이싱을 수행하였다. 그 후, 실리콘 칩(칩상 웨이퍼)을 바늘에 의해 지지 기재의 측면을 리프팅하는 시스템으로 픽업하였다. "0"는 성공적인 픽업을 나타내고, "×"는 실패한 픽업을 나타낸다.
(다이싱 조건)
다이싱 장치: 디스코사에 의해 제조됨, DFD-651
다이싱 속도: 80㎜/초
다이싱 블레이드: 2050HECC, 디스코사에 의해 제조됨
회전수: 40,000㎜
절단 깊이: 20㎛
절단 시스템: 완전 절단/A 모드
칩 사이즈: 적절하게(1×1㎟ 내지 15×15㎟)
(웨이퍼 연삭 조건)
연삭 장치: DFG-840, 디스코사에 의해 제조됨
웨이퍼: 6인치 직경(0.6㎜ 내지 0.15㎛의 배면의 연삭)
웨이퍼의 부착 장치: DR-8500II(닛토세이키 가부시키가이샤)
(팽창 조건)
다이싱 링: 2-6-1(디스코사에 의해 제조됨, 내경: 19.5㎝)
인출량: 5㎜
다이본더: CPS-100(NEC 기카이(NEC Kikai))
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 실시예 6 실시예 7 비교예 1 비교예 2
다이본딩 접착제 유형 A B B C A A C A A
두께(㎛) 20 20 20 20 20 20 20 20 20
감압성 접착 필름 유형 A A B B B A B A A
두께(㎛) 80 80 85 85 85 80 85 80 80
웨이퍼 부착 부분의 방사선 조사 웨이퍼의 부착 전 유 유 유 유 유 유 유 무 무
웨이퍼의 부착 후 무 무 무 무 무 무 무 무 유
(1) 다이본딩 접착제 층과 감압성 접착 필름 사이의 접착력(N/10㎜) 웨이퍼 부착 부분 0.15 0.08 0.09 0.12 0.26 0.15 0.12 5.5 25
웨이퍼 부착 부분 이외의 부분 3.3 2.35 3.8 4.8 3.55 - - 5.5 3.3
(2) 다이본딩 접착제 층의 접착력(N/10㎜) 웨이퍼 17.5 16.2 16.2 21.5 17.5 17.5 21.5 17.5 17.5
다이싱 링 1.25 1.1 1.1 1.9 1.25 - - 1.25 1.25
(3) SUS304에 대한 감압성 접착 필름의 접착력(N/10㎜) 웨이퍼 부착 부분 - - - - - 0.05 0.09 - -
웨이퍼 부착 부분 이외의 부분 - - - - - 8.5 5.7 - -
칩 산란 다이싱/1×1㎟ 없음 없음 없음 없음 없음 없음 없음 없음 없음
픽업 다이싱/5×5㎟ 0 0 0 0 0 0 0 0 ×
다이싱/10×10㎟ 0 0 0 0 0 0 0 × ×
다이싱/15×15㎟ 0 0 0 0 0 0 0 × ×
실시예 및 비교예에서 어떠한 다이싱/다이본딩 필름도 다이싱할 때 불량을 나타내지 않았다. 모든 칩을 실시예에서 다이싱/다이본딩 필름으로부터 양호하게 픽업할 수 있었지만, 비교예 1에서는 10×10㎟ 및 15×15㎟의 칩을 픽업할 수 없었고, 비교예 2에서는 5×5㎟, 10×10㎟ 및 15×15㎟의 칩을 픽업할 수 없었다.
이들 시험 결과로부터도 자명해진 바와 같이, 본 발명은 지지 기재와 접착제층의 사이에 감압성 접착제 층을 갖는 다이싱/다이본딩 필름으로서, 접착제 층과 감압성 접착제 층 사이의 접착력이 기타 부분(웨이퍼 부착되지 않는 부분)에서 보다 웨이퍼 부착 부분에서 적고, 다이싱할 때에 불량없이 다이싱 링에 대한 접착력을 갖고, 다양한 크기의 칩이 양호하게 픽업될 수 있는 다이싱/다이본딩 필름을 제공한다.

Claims (11)

  1. 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2) 및 감압성 접착제 층(2)상의 다이본딩 접착제 층(3)을 포함하는 다이싱/다이본딩 필름으로서, 감압성 접착제 층(2)과 다이본딩 접착제 층(3) 사이의 계면에서의 박리성이 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크(work) 부착 부분(3a)에 상응하는 계면(A)과 기타 부분(3b)의 일부 또는 전체에 상응하는 계면(B)과 상이하고, 계면(A)의 박리성이 계면(B)의 박리성보다 큰 다이싱/다이본딩 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    다이본딩 접착제 층(3)에 대한 감압성 접착제 층(2)의 접착력이 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분(2a)과 기타 부분(3b)의 일부 또는 전체에 상응하는 부분(2b)과 상이하고, 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적다는 관계를 만족시키는 다이싱/다이본딩 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    워크에 대한 다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a)의 접착력과 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력이, 워크에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력보다 크다는 관계를 만족시키는 다이싱/다이본딩 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    다이본딩 접착제 층(3)에서의 워크 부착 부분(3a) 이외의 부분(3b)의 일부가 다이싱 링 부착 부분(3b')인 다이싱/다이본딩 필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    다이싱 링에 대한 다이본딩 접착제 층(3)에서의 다이싱 링 부착 부분(3b')의 접착력 및 감압성 접착제 층(2b')에 대한 접착력이, 다이싱 링에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2b')에 대한 접착력보다 적다는 관계를 만족시키는 다이싱/다이본딩 필름.
  6. 지지 기재(1)상의 감압성 접착제 층(2) 및 감압성 접착제 층(2)상의 다이본딩 접착제 층(3)을 포함하는 다이싱/다이본딩 필름으로서, 다이본딩 접착제 층(3)이 감압성 접착제 층(2)의 일부상에 워크 부착 부분(3a)으로서 배열되고, 감압성 접착제 층(2)에서의 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 부분(2a)과 기타 부분(2b)이 접착력에서 상이하고, 감압성 접착제 층(2a)의 접착력이 감압성 접착제 층(2b)의 접착력보다 적다는 관계를 만족시키는 다이싱/다이본딩 필름.
  7. 제 6 항에 있어서,
    워크에 대한 워크 부착 부분(3a)의 접착력 및 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력이, 워크에 대한 접착력이 감압성 접착제 층(2a)에 대한 접착력보다 크다는 관계를만족시키는 다이싱/다이본딩 필름.
  8. 제 1 항에 있어서,
    감압성 접착제 층(2)이 방사선 경화형 감압성 접착제로부터 형성되고, 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 감압성 접착제 층(2a)이 방사선으로 조사되는 다이싱/다이본딩 필름.
  9. 제 6 항에 있어서,
    감압성 접착제 층(2)이 방사선 경화형 감압성 접착제로부터 형성되고, 워크 부착 부분(3a)에 상응하는 감압성 접착제 층(2a)이 방사선으로 조사되는 다이싱/다이본딩 필름.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 항에 기재된 다이싱/다이본딩 필름에서의 다이본딩 접착제 층(3a)상에 워크를 압착하는 단계,
    워크를 칩으로 다이싱하는 단계,
    칩상 워크를 다이본딩 접착제 층(3a)과 함께 감압성 접착제 층(2a)으로부터 박리시키는 단계, 및
    다이본딩 접착제 층(3a)을 통해 칩상 워크를 반도체 소자에 고정시키는 단계
    를 포함하는 칩상 워크의 고정 방법.
  11. 제 10 항에 기재된 칩상 워크의 고정 방법에 의해 다이본딩 접착제(3a)를 통해 반도체 소자상에 고정된 칩상 워크를 포함하는 반도체 장치.
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