JP5067927B2 - 半導体装置製造用接着フィルム - Google Patents

半導体装置製造用接着フィルム Download PDF

Info

Publication number
JP5067927B2
JP5067927B2 JP2007081745A JP2007081745A JP5067927B2 JP 5067927 B2 JP5067927 B2 JP 5067927B2 JP 2007081745 A JP2007081745 A JP 2007081745A JP 2007081745 A JP2007081745 A JP 2007081745A JP 5067927 B2 JP5067927 B2 JP 5067927B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive film
adhesive
semiconductor device
conductor
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2007081745A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008244095A (ja
Inventor
広行 近藤
康弘 天野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2007081745A priority Critical patent/JP5067927B2/ja
Priority to PCT/JP2007/070517 priority patent/WO2008117489A1/ja
Priority to US12/593,004 priority patent/US20100119759A1/en
Priority to TW096148120A priority patent/TW200839976A/zh
Publication of JP2008244095A publication Critical patent/JP2008244095A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5067927B2 publication Critical patent/JP5067927B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H01L21/4828Etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295Organic, e.g. plastic containing a filler
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2666/00Composition of polymers characterized by a further compound in the blend, being organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials, non-macromolecular organic substances, inorganic substances or characterized by their function in the composition
    • C08L2666/02Organic macromolecular compounds, natural resins, waxes or and bituminous materials
    • C08L2666/04Macromolecular compounds according to groups C08L7/00 - C08L49/00, or C08L55/00 - C08L57/00; Derivatives thereof
    • C08L2666/08Homopolymers or copolymers according to C08L7/00 - C08L21/00; Derivatives thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L9/00Compositions of homopolymers or copolymers of conjugated diene hydrocarbons
    • C08L9/02Copolymers with acrylonitrile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92247Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01046Palladium [Pd]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20752Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1405Capsule or particulate matter containing [e.g., sphere, flake, microballoon, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1452Polymer derived only from ethylenically unsaturated monomer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

本発明は、半導体装置製造用接着フィルムに関する。
近年、LSI(Large Scale IC)の実装技術において、CSP(Chip Size/Scale Package)技術が注目されている。この技術のうち、QFN(Quad Flat Non-leaded package)に代表されるリード端子がパッケージ内部に取り込まれた形態のパッケージは、小型化と高集積の面で特に注目されるパッケージ形態のひとつである。このようなQFNの製造方法のなかでも、近年では複数のQFN用チップをリードフレームのパッケージパターン領域のダイパッド上に整然と配列し、金型のキャビティ内で、封止樹脂にて一括封止したのち、切断によって個別のQFN構造物に切り分けることにより、リードフレーム面積あたりの生産性を飛躍的に向上させる製造方法が特に注目されている。
このような、複数の半導体チップを一括封止するQFNの製造方法においては、樹脂封止時のモールド金型によってクランプされる領域はパッケージパターン領域より更に外側に広がった樹脂封止領域の外側だけである。従って、パッケージパターン領域、特にその中央部においては、アウターリード面をモールド金型に十分な圧力で押さえることができず、アウターリード側への封止樹脂の漏れだしを防止することが非常に困難であり、QFNの端子等が樹脂で被覆されるという問題が生じ易い。
そこで、QFNの製造方法において、リードフレームのアウターパット面に粘着テープを貼り付け、この粘着テープのマスキングによるシール効果により、封止樹脂のアウター側への漏れだしを防止する方法が提案されている(特許文献1参照)。かかる方法において、粘着テープは、最初の段階でリードフレームのアウターパット面に貼り合わせられ、その後、半導体チップの搭載工程やワイヤーボンディングの工程を経て、封止樹脂による封止工程まで貼り合わせられる。
また、近年では、更なる薄型化を目的に基材上に銅箔を貼り合わせエッチングにより導体を形成する、いわゆるリードレスの半導体装置の製造方法や(特許文献2参照)、接着シート上に導体を形成する方法(特許文献3参照)があげられる。かかる方法では、基材上で導体を形成するため、導体の薄型化が可能であり、また、封止樹脂にて成型した半導体装置を個片化する場合、リードフレームを切断する必要が無いため、ダイシング時のブレードの磨耗等も少ない。
特開2000−294580号公報 特開平9−252014号公報 特開2005−183734号公報
しかしながら、特許文献3のような形式においては部分的に形成された導電部は接着剤上に固着しているだけでQFNのようにアウターパッドと結束されていない。そのため、ワイヤーボンディング工程時の超音波振動を伴う衝撃に導電部が共振しワイヤーボンディング性能が低下することが問題となる。
本発明の目的は、半導体装置の製造方法において、最終的に除去される接着フィルムであって、導体の一部が封止樹脂から突出したいわゆるスタンドオフを有する半導体装置の製造に好適に用いられ、かつ良好なワイヤボンディング性能を有する半導体装置製造用接着フィルムを提供することにある。
本発明者らは、前記従来の問題点を解決すべく鋭意検討した。その結果、熱硬化性接着剤層に層状粘土鉱物を含有させることにより前記目的を達成できることを見出して、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は、
(a)導体の少なくとも一部を接着フィルムに埋没させる工程、
(b)導体上に半導体チップを搭載する工程、
(c)半導体チップと導体とを結線する工程、
(d)封止樹脂により半導体チップを封止する工程、及び
(e)接着フィルムを除去する工程、
を有する半導体装置の製造方法に使用される、熱硬化性接着剤層を有する接着フィルムであって、該熱硬化性接着剤層がゴム成分、エポキシ樹脂成分、及び、層状粘土鉱物含有し、該層状粘土鉱物の含有量が前記ゴム成分100重量部に対して5〜20重量部であることを特徴とする半導体装置製造用接着フィルムに関する。
層状粘土鉱物はりんぺん状の形態を有しているため、層状粘土鉱物が熱硬化性接着剤層中に含有されることにより特に接着剤の平面方向に対する運動が従来の球形の充填材を含有させる系より制御され、ワイヤーボンディング時の振動に対して共振を防ぐ効果を有する。よって、このような熱硬化性接着剤層を用いた接着フィルムを用いて半導体装置を製造するとワイヤーボンディング特性に関して高い信頼性を得ることができ、歩留まりを向上することが可能となる。
本発明の接着フィルムを用いて、リードレスでかつスタンドオフを有する、実装信頼性の高い半導体装置を安定に製造することができる。
本発明の半導体装置製造用接着フィルムは、耐熱性基材層と熱硬化性接着剤層から構成され、熱硬化性接着剤層は層状粘土鉱物を含有することを特徴とする。
層状粘土鉱物とは主に二次元構造を有する粘土層が積み重なることによって結晶構造をなしている粘土鉱物をさす。また、層状粘土鉱物は溶媒中に加えることにより膨潤し、各層間の距離が広がるという特性を有するだけでなく、その構造を有したまま層間にイオンや分子を取り込むことが出来るという特性を有する。本発明に用いる層状粘土鉱物は接着剤中に分散するものであれば特に限定はされないが、例えば、スメクタイト、サポナイト、ソーコナイト、スチブンサイト、ヘクトライト、マーガライト、タルク、金雲母、クリソタイル、緑泥石、バーミキュライト、カオリナイト、白雲母、ザンソフィライト、ディッカイト、ナクライト、パイロフィライト、モンモリロナイト、バイデライト、ノントロナイト、テトラシリリックマイカ、ナトリウムテニオライト、アンチゴライト、ハロイサイトなどを挙げることができる。層状粘土鉱物は、天然物または合成物のいずれであってもよく、これらの1種または2種以上を用い得る。とくに平均粒径D50は、好ましくは0.01〜100μm、より好ましくは0.05〜10μm、アスペクト比(厚さ1nm)は、好ましくは2000〜10000であるものを好適に用いることができる。
層状粘土鉱物の含有量は熱硬化性接着剤層中、好ましくは1〜10重量%、より好ましくは2〜5重量%である。また、熱硬化性接着剤として、ゴム成分及びエポキシ樹脂成分を含む熱硬化性接着剤を用いるのが好ましいが、その場合、層状粘土鉱物の含有量は熱硬化性接着剤中のゴム成分100重量部に対して好ましくは5〜20重量部、より好ましくは5〜10重量部である。20重量部を超えると接着剤としてのゴム成分の特性を発揮させる上で充分でない。また5重量部未満では添加量が少ないために層状粘土鉱物を添加することによる効果が充分でない。
熱硬化性接着剤層に含有される接着剤としては、シリコーン樹脂成分、アクリル樹脂成分等の各種感圧性接着剤、エポキシ樹脂成分/ゴム成分、ポリイミド樹脂成分等の各種接着剤が挙げられるが、なかでも耐熱性及び接着性の観点より、ゴム成分及びエポキシ樹脂成分を含有した熱硬化性接着剤が好ましい。
エポキシ樹脂としては、分子内に2個以上のエポキシ基を含有する化合物が好ましく、例えば、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは単独で又は2種以上を混合して用いることができる。これらのうち、ビスフェノールA型エポキシ樹脂が好ましい。
エポキシ樹脂の含有量は、耐熱性及び柔軟性の観点から、熱硬化性接着剤中、40〜95重量%が好ましく、60〜80重量%がより好ましい。
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、剥離後の糊残りを防止する観点から、1000g/eq以下が好ましく、650g/eq以下がより好ましい。
ゴム成分としては、NBR(アクリロニトリルブタジエンゴム)、アクリルゴム等のエポキシ樹脂接着剤に従来使用されるものが挙げられるが、これらの中では、封止樹脂を成型した後の接着フィルムの剥離の容易さの観点から、アクリロニトリルを5重量%以上共重合したゴムが好ましく、またカルボキシル基で変性したゴムがより好ましい。このようなゴムとしては、「Nipol1072J」(日本ゼオン(株)製)等のアクリロニトリルブタジエンゴム、「パラクロンME2000」(根上工業(株)製)等のアクリルゴム等が挙げられる。なお、アクリロニトリルの共重合割合は、5〜30重量%が好ましく、より好ましくは5〜20重量%である。
ゴム成分の含有量は、柔軟性及び耐熱性の観点から、熱硬化性接着剤中、5〜40重量%が好ましく、5〜30重量%がより好ましい。
さらに、接着剤には、硬化成分であるエポキシ樹脂を硬化させるための硬化剤が添加されていることが好ましい。かかる硬化剤としては、フェノール樹脂、各種イミダゾール系化合物及びその誘導体、ヒドラジド化合物、ジシアンジアミド及びこれらをマイクロカプセル化したもの等が挙げられ、例えば、硬化剤としてフェノール樹脂が含有されている場合は、さらに硬化促進剤としてトリフェニルフォスフィン等のリン系化合物等が併用されてもよい。
硬化剤の含有量は、その種類によって異なるために一概には決定できないが、例えば、フェノール樹脂の場合、エポキシ樹脂と当量となるように含有することが好ましい。その他の硬化剤及び硬化促進剤の含有量は、それぞれ、エポキシ樹脂100重量部に対して、0.05〜10重量部が好ましく、0.1〜5重量部がより好ましい。
さらに、熱硬化性接着剤層には、接着フィルムの諸特性を劣化させない範囲で顔料、老化防止剤、シランカップリング剤、粘着付与剤等の公知の各種の添加剤が適宜含有されていてもよい。これらの添加剤のなかでも、老化防止剤は高温での劣化を防止するうえで有効な添加剤である。
熱硬化性接着剤層の厚みは、製膜性の観点から、1〜50μm程度が好ましく、5〜30μm程度がより好ましい。
また、本発明の接着フィルムは、後述する工程(e)においては、導体を封止樹脂から剥離することなく、接着フィルムのみを半導体装置から容易に剥離できるものが好ましい。かかる観点から、例えば、導体が銅箔である場合、熱硬化性接着剤層の硬化後23℃での銅箔に対する接着力は、1〜20N/20mmが好ましく、3〜10N/20mmがより好ましい。
耐熱性基材層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート等のプラスチック基材及びその多孔質基材;グラシン紙、上質紙、和紙等の紙基材;セルロース、ポリアミド、ポリエステル、アラミド等の不織布基材;銅箔、アルミ箔、SUS箔、ニッケル箔等の金属フィルム基材等を用いた層が挙げられる。
これらの中では、取扱いの容易さの観点から、金属フィルム基材層が好ましい。
耐熱性基材層の厚みは、ハンドリング性の観点から、10〜200μm程度が好ましく、25〜100μmがより好ましい。
本発明の接着フィルムは、接着剤を有機溶剤に溶解させた溶液を耐熱性基材に塗布し、加熱乾燥する方法、接着剤を水系媒体に分散させた分散液を耐熱性基材に塗布し、加熱乾燥する方法等により製造することができる。接着剤を溶解させる有機溶剤としては、溶解性の観点から、メチルエチルケトン等のケトン系溶剤が好ましい。
熱硬化性接着剤層が複数層からなる接着フィルムは、耐熱性基材層の上に順次接着剤層を形成する方法や、剥離ラミネート等を用いて予め別途作製した接着剤層を他の接着剤層や耐熱性基材層上に張り合わせる方法、又はこれらの方法を適宜組み合わせて製造することができる。
本発明の接着フィルムの形状は、シート状、テープ状等、特に限定されない。
本発明の接着フィルムは、
(a)導体の少なくとも一部を接着フィルムに埋没させる工程、
(b)導体上に半導体チップを搭載する工程、
(c)半導体チップと導体とを結線する工程、
(d)封止樹脂により半導体チップを封止する工程、及び
(e)接着フィルムを除去する工程、
を有する半導体装置の製造方法に使用されるものであり、その製造方法は少なくとも上記工程(a)〜(e)を有する方法であれば特に限定されないが、以下にその一実施態様を図1に従って説明する。
工程(a)は、熱硬化性接着剤層1と耐熱性基材層2からなる本発明の接着フィルム3上に、導体4の少なくとも一部を接着フィルム3の熱硬化性接着剤層1中に埋没させる工程である。
工程(a)において用いられる導体としては、例えば、開口部を設け縦横マトリックス状に導電部が配置されたリードフレームを用いることができる。リードフレームとは、銅、銅を含む合金等の金属を素材として、CSPの端子パターンが刻まれたものであり、その電気接点部分は、銀、ニッケル、パラジウム、金等の素材により被覆(めっき)されている場合もある。リードフレームの厚みは、通常、5〜300μm程度が好ましい。
リードフレームは、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のQFNの配置パターンが整然と並べられているものが好ましい。例えば、リードフレーム上に導電部が縦横のマトリックス状に配列された形状等の、マトリックスQFNあるいはMAP−QFN等と呼ばれている形状は、本発明において好ましいリードフレームの形状の一つである。
一般的なQFNの場合、リードフレーム上の各々の基板デザインは、例えば、開口部の周囲に配列された端子部と、開口部の中央に配置されるダイパッドと、ダイパッドを開口部の4角に支持させるダイバーとで構成されている。
接着フィルムに埋没させる導体の厚みは、スタンドオフを有する半導体装置の実装信頼性を高める観点から、導体全体の厚みの5〜30%程度が好ましい。
接着フィルムにその一部を埋没させて形成した導体は、熱硬化性接着材層を加熱硬化することにより、固定することができる。
工程(b)は、導体4上に半導体チップ5を搭載する工程である。半導体チップ5の搭載は、例えば、半導体チップ5の電極が形成されていない面を、導体4のダイパッド面に、接着剤6等を用いて固着させて、行うことができる。
工程(c)は、半導体チップ5と導体4とを結線する工程である。これは、導体4の導電部と半導体チップ5の電極とをワイヤ7等により、電気的に接続する工程である。
工程(d)は、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する工程である。半導体チップ5を封止樹脂8による封止する方法は、特に限定されないが、例えば、通常のトランスファー成型法により、金型を用いて行うことができる。
なお、トランスファー成型後、必要に応じてモールド樹脂の後硬化加熱を行ってもよい。後硬化加熱は、続く工程(e)の前であっても、後であってもよい。
工程(e)は、接着フィルム3を除去する工程である。接着フィルム3を除去する方法は、特に限定されないが、ピーリング等の方法により行うことができる。
以上の工程を経て得られる半導体装置の一例を図2に示す。かかる半導体装置は、導体4の一部が封止樹脂8から突出した、いわゆるスタンドオフを有する半導体装置である。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は当該実施例のみに限定されるものではない。
実施例1
アクリロニトリルブタジエンゴム(日本ゼオン(株)製、Nipol1072J、アクリロニトリルの含有量:18重量%)30重量部、層状粘土鉱物(コープケミカル(株)製、ソマシフMAE 膨潤性雲母、平均面間隔32Å、平均粒径(D50)5〜7μm、アスペクト比(厚み1nm)5000〜7000)を1.5重量部、ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、エピコート828;エポキシ当量190g/eq)65重量部及びイミダゾール(四国化成(株)製、C11Z)5重量部を混合し、固形分濃度が35重量%となるようにメチルエチルケトン溶媒に溶解させ、熱硬化性接着剤溶液を調製した。得られた熱硬化性接着剤溶液を、耐熱性基材として厚さ100μmの銅箔上に塗布した後、150℃で3分乾燥させることにより、耐熱性基材層上に厚さ25μmの熱硬化性接着剤層を形成して、接着フィルムを得た。この接着フィルムの硬化後の23℃における銅箔に対する接着力は9.1N/20mmであった。ここでの接着力は、以下の方法により測定した値である。
〔接着力の測定方法〕
幅20mm、長さ50mmの接着フィルムの熱硬化性接着剤層の面に、厚さ35μmの銅箔(BHY−138 T、ジャパンエナジー社製)を重ね、120℃×0.5MPa×0.5m/minの条件でラミネートした後、150℃の熱風オーブンにて1時間放置する。放置後、温度23℃、湿度65%RHの雰囲気条件で、接着フィルムを、速度300mm/minで180°方向に引張り、その中心値を接着力とする。
実施例2
層状粘土鉱物の添加量を3重量部とした以外は実施例1と同様の方法にて接着フィルムを作製した。この接着フィルムの硬化後の23℃における銅箔に対する接着力は8.8N/20mmであった。
実施例3
層状粘土鉱物の添加量を6重量部とした以外は実施例1と同様の方法にて接着フィルムを作製した。この接着フィルムの硬化後の23℃における銅箔に対する接着力は9.5N/20mmであった。
比較例1
層状粘土鉱物を添加しない以外は実施例1と同一の配合にて熱硬化性接着剤溶液を調製し、実施例1と同様の方法で接着フィルムを得た。この接着フィルムの硬化後の23℃における銅箔に対する接着力は8.3N/20mmであった。
リードフレームのダイパッド部分に、エポキシフェノール系の銀ペーストを接着剤として用いて半導体チップを接着し、接着剤を180℃にて1時間硬化させて、ダイパッド上に半導体チップを搭載した。
次に、接着フィルムと導体の積層物を、接着フィルム側から真空吸引する形で加熱したヒートブロックに固定し、さらに、積層物の周辺部分をウインドクランパーにて押さえて固定した。半導体チップの電極とリードフレームとの導電部とを、新川(株)製の115KHzワイヤボンダーを用いて、下記条件で温度を変化させてチップと導電部間の結線の成功の可否を確認した。
(W/B条件)
金線:太さ25um (田中貴金属(株)製、GLD−25)
ボンディングフォース チップ 40gf 導電部 40gf
US Frequency チップ 500mW 導電部 550mW
ボンディングタイム チップ 8ms 導電部 10ms
ボンディング温度 175℃、185℃、200℃
成功の可否:プルストレングス 8gf以上
実施例1〜3の接着フィルムではいずれの温度においても結線が可能であった。
しかしながら比較例1の接着フィルムでは175℃の温度条件では結線不良が確認された。
本発明の接着フィルムは、半導体装置の製造に用いられるものである。
本発明の接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法の一実施態様を示す概略工程図である。 本発明の接着フィルムを用いて得られる半導体装置の一実施態様の断面図である。
符号の説明
1 熱硬化性接着剤層
2 耐熱性基材層
3 接着フィルム
4 導体
5 半導体チップ
6 接着剤
7 ワイヤ
8 封止樹脂

Claims (3)

  1. (a)導体の少なくとも一部を接着フィルムに埋没させる工程、
    (b)導体上に半導体チップを搭載する工程、
    (c)半導体チップと導体とを結線する工程、
    (d)封止樹脂により半導体チップを封止する工程、及び
    (e)接着フィルムを除去する工程、
    を有する半導体装置の製造方法に使用される、熱硬化性接着剤層を有する接着フィルムであって、該熱硬化性接着剤層がゴム成分、エポキシ樹脂成分、及び、層状粘土鉱物含有し、該層状粘土鉱物の含有量が前記ゴム成分100重量部に対して5〜20重量部であることを特徴とする半導体装置製造用接着フィルム。
  2. ゴム成分がアクリロニトリルブタジエンゴム又はアクリルゴムからなる請求項記載の半導体装置製造用接着フィルム。
  3. ゴム成分の含有量が熱硬化性接着剤中5〜40重量%である請求項または記載の半導体装置製造用接着フィルム。
JP2007081745A 2007-03-27 2007-03-27 半導体装置製造用接着フィルム Expired - Fee Related JP5067927B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007081745A JP5067927B2 (ja) 2007-03-27 2007-03-27 半導体装置製造用接着フィルム
PCT/JP2007/070517 WO2008117489A1 (ja) 2007-03-27 2007-10-22 半導体装置製造用接着フィルム
US12/593,004 US20100119759A1 (en) 2007-03-27 2007-10-22 Adhesive film for producing semiconductor device
TW096148120A TW200839976A (en) 2007-03-27 2007-12-14 Adhesive film for producing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007081745A JP5067927B2 (ja) 2007-03-27 2007-03-27 半導体装置製造用接着フィルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008244095A JP2008244095A (ja) 2008-10-09
JP5067927B2 true JP5067927B2 (ja) 2012-11-07

Family

ID=39788231

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007081745A Expired - Fee Related JP5067927B2 (ja) 2007-03-27 2007-03-27 半導体装置製造用接着フィルム

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100119759A1 (ja)
JP (1) JP5067927B2 (ja)
TW (1) TW200839976A (ja)
WO (1) WO2008117489A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP5293779B2 (ja) * 2010-07-20 2013-09-18 日立化成株式会社 接着剤組成物、回路接続構造体、半導体装置及び太陽電池モジュール
KR101285852B1 (ko) 2011-08-23 2013-07-15 도레이첨단소재 주식회사 자석부착층을 갖는 점착테이프를 이용한 전자부품의 봉지 방법
KR101478429B1 (ko) * 2012-03-12 2014-12-31 주식회사 엘지화학 점착 필름
CN109037084A (zh) * 2018-07-27 2018-12-18 星科金朋半导体(江阴)有限公司 一种qfn指纹识别芯片的封装方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294580A (ja) * 1999-04-12 2000-10-20 Nitto Denko Corp 半導体チップの樹脂封止方法及びリ−ドフレ−ム等貼着用粘着テ−プ
JP4319892B2 (ja) * 2003-11-07 2009-08-26 株式会社巴川製紙所 半導体装置製造用接着シート及び半導体装置の製造方法
JP4125668B2 (ja) * 2003-12-19 2008-07-30 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2006299196A (ja) * 2005-04-25 2006-11-02 Toyobo Co Ltd ポリイミドフィルムおよび複合フィルム

Also Published As

Publication number Publication date
US20100119759A1 (en) 2010-05-13
JP2008244095A (ja) 2008-10-09
TW200839976A (en) 2008-10-01
WO2008117489A1 (ja) 2008-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5437111B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置
KR102067945B1 (ko) 접착시트 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2012124466A (ja) 半導体装置用接着フィルム、及び、半導体装置
TWI606925B (zh) Thermosetting sealing resin sheet and manufacturing method of electronic part package
JP4125668B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2016119493A (ja) ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置
JP5067927B2 (ja) 半導体装置製造用接着フィルム
JP5580730B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
TW201532154A (zh) 接著膜、切晶黏晶膜、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
WO2019044512A1 (ja) 電磁波シールド用フィルム
JP2008177550A (ja) 半導体装置製造用の接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2014099620A (ja) ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置
TW201529796A (zh) 切晶黏晶膜、半導體裝置之製造方法及半導體裝置
JP5219302B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP2006318999A (ja) 半導体装置製造用接着フィルム
CN107851627A (zh) 电子器件封装、电子器件封装的制造方法、及电子器件封装用带
KR101820936B1 (ko) 접착제 조성물, 다이싱 다이본딩 필름, 반도체 웨이퍼 및 반도체 장치
JP2015122421A (ja) 接着フィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法
JP5714090B1 (ja) 半導体装置用フィルムロール、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2015122423A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法及び半導体装置
US20100197080A1 (en) Adhesive sheet for manufacturing semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device using the sheet, and semiconductor device obtained by the method
JP5714091B1 (ja) 半導体装置用フィルムロール、半導体装置の製造方法、及び、半導体装置
JP2005184022A (ja) 接続用熱・電気伝導性フィルム及びその用途
JP3685111B2 (ja) 接続用熱・電気伝導性フィルム及びその用途
JP2005142208A (ja) 半導体装置製造用接着シート

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091116

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120502

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120809

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120810

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees