JP2016119493A - ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有する半導体装置が製造可能であること。【解決手段】接着剤層と、金属箔からなる電磁波シールド層とを有するダイボンドフィルムと、ダイシングフィルムとを有し、ダイボンドフィルムを透過した電磁波の減衰量が、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、３ｄＢ以上であるダイシング・ダイボンドフィルム。【選択図】 図１

Description

本発明は、ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、当該ダイボンドフィルムを有する半導体装置に関する。

近年、半導体装置の微細化、高機能化の要求に対応すべく、半導体チップ（半導体素子）主面の全域に配置された電源ラインの配線幅や信号ライン間の間隔が狭くなってきている。この為、インピーダンスの増加や、異種ノードの信号ライン間での信号の干渉が生じ、半導体チップの動作速度、動作電圧余裕度、耐静電破壊強度等に於いて、十分な性能の発揮を阻害する要因となっている。

従来、上記の問題を解決する為、半導体チップを積層したパッケージ構造が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。

一方、近年の電子部品の多様化に伴い、半導体チップから放出される電磁波（ノイズ）の周波数領域も様々となっており、前記のパッケージ構造のように半導体素子を積層した場合、１の半導体チップから放出される電磁波が、他の半導体チップ、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に悪影響を及ぼす可能性がある。

特許文献３には、電気絶縁層とフェライト層とから成る積層体の最外方の両面に粘着層を有する半導体素子接着用電磁波遮断シートが開示されている。また、特許文献３には、当該半導体素子接着用電磁波遮断シートにより、電気信号の漏洩をフェライト層の磁気損失特性によって減衰させることが記載されている。

また、特許文献４には、ダイパッドと半導体チップの裏面との間に第１磁気シールド材が配置され、前記半導体チップの主面上に第２磁気シールド材が配置された半導体装置が開示されている。また、特許文献４には、前記半導体装置は、外部磁界に対する耐性が向上していることが記載されている。

特開昭５５−１１１１５１号公報 特開２００２−２６１２３３号公報 特許第４１３３３６３７号公報 特開２０１０−１５３７６０号公報

特許文献３の半導体素子接着用電磁波遮断シートは、その製造工程において、電気絶縁層を、Ｆｅ^２＋を含むめっき反応液中に浸し、加水分解等を行ってフェライト層を形成し、次いで、粘着層を設けて製造される。しかしながら、このような製造工程は複雑であり、生産性に欠けるといった問題があった。

また、特許文献４の半導体装置は、半導体ウエハの裏面に接着性を有する第１フィルム材を貼り付け、次に、前記第１フィルム剤を介して第１磁気シールド材を貼り付け、その次に、前記第１磁気シールド材の裏面に接着性を有する第２フィルム材を貼り付ける工程を経て製造される。しかしながら、このような製造工程であると、従来の半導体装置の製造に比べて、第１磁気シールド材を貼り付ける工程や第２フィルム材を貼り付ける工程が追加されており、製造工程数が増大しているため、生産性に欠けるといった問題があった。

本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、ダイボンドフィルムの製造方法について検討した。その結果、下記の構成を採用することにより、生産性を低下させることなく、電磁波シールド層を有する半導体装置が製造可能であることを見出して本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係るダイボンドフィルムは、接着剤層と、金属箔からなる電磁波シールド層とを有することを特徴とする。

本発明に係るダイボンドフィルムによれば、金属箔からなる電磁波シールド層を有しているため、電磁波を遮断することができる。従って、１の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することができる。また、本発明に係るダイボンドフィルムは、接着剤層に、金属箔からなる電磁波シールド層を貼り付ければ製造できるため、生産性に優れる。また、本発明に係るダイボンドフィルムは、電磁波シールド層を有しているため、半導体装置を製造する際には、電磁波シールド層を形成する工程を追加する必要がない。すなわち、本発明に係るダイボンドフィルムを用いてダイボンドを行えば、電磁波シールド層を形成する工程を追加することなく、電磁波シールド層を有する半導体装置を製造することができる。その結果、半導体装置の製造工程を増加させることなく、電磁波シールド層を有する半導体装置を製造することができる。

また、本発明に係る他のダイボンドフィルムは、接着剤層と、蒸着により形成された電磁波シールド層とを有することを特徴とする。

本発明に係る他のダイボンドフィルムによれば、蒸着により形成された電磁波シールド層を有しているため、電磁波を遮断することができる。従って、１の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することができる。また、本発明に係る他のダイボンドフィルムは、接着剤層上に、蒸着により電磁波シールド層を形成すればよいため、生産性に優れる。また、本発明に係る他のダイボンドフィルムは、電磁波シールド層を有しているため、半導体装置を製造する際には、電磁波シールド層を形成する工程を追加する必要がない。すなわち、本発明に係る他のダイボンドフィルムを用いてダイボンドを行えば、電磁波シールド層を形成する工程を追加することなく、電磁波シールド層を有する半導体装置を製造することができる。その結果、半導体装置の製造工程を増加させることなく、電磁波シールド層を有する半導体装置を製造することができる。また、本発明に係る他のダイボンドフィルムは、蒸着により形成された電磁波シールド層を有しているため、ブレードダイシングの際に切削屑が出難く、半導体チップの汚染を防止することができる。また、ブレードの損傷を抑えることができる。

また、本発明に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記課題を解決するダイシング・ダイボンドフィルムであり、ダイボンドフィルムが、ダイシングフィルム上に積層されたダイシング・ダイボンドフィルムであって、前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されていることを特徴とする。

また、本発明に係るダイボンドフィルムの製造方法は、接着剤層を形成する工程と、金属箔からなる電磁波シールド層を前記接着剤層に貼り付ける工程とを具備することを特徴とする。

前記構成により製造されるダイボンドフィルムは、金属箔からなる電磁波シールド層を有しているため、電磁波を遮断することができる。従って、１の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することができる。また、前記構成によれば、接着剤層に、金属箔からなる電磁波シールド層を貼り付ければ、電磁波シールド層を有するダイボンドフィルムを製造できるため、生産性に優れる。また、前記構成により製造されたダイボンドフィルムは、電磁波シールド層を有しているため、半導体装置を製造する際には、電磁波シールド層を形成する工程を追加する必要がない。すなわち、当該ダイボンドフィルムを用いてダイボンドを行えば、電磁波シールド層を形成する工程を追加することなく、電磁波シールド層を有する半導体装置を製造することができる。その結果、半導体装置の製造工程を増加させることなく、電磁波シールド層を有する半導体装置を製造することができる。

また、本発明に係る他のダイボンドフィルムの製造方法は、接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層上に、蒸着により電磁波シールド層を形成する工程とを具備することを特徴とする。

前記構成により製造されるダイボンドフィルムは、蒸着により形成された電磁波シールド層を有しているため、電磁波を遮断することができる。従って、１の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することができる。また、前記構成によれば、接着剤層上に、蒸着により電磁波シールド層を形成するため、生産性に優れる。また、前記構成により製造されたダイボンドフィルムは、電磁波シールド層を有しているため、半導体装置を製造する際には、電磁波シールド層を形成する工程を追加する必要がない。すなわち、当該ダイボンドフィルムを用いてダイボンドを行えば、電磁波シールド層を形成する工程を追加することなく、電磁波シールド層を有する半導体装置を製造することができる。その結果、半導体装置の製造工程を増加させることなく、電磁波シールド層を有する半導体装置を製造することができる。また、前記構成により製造されるダイボンドフィルムは、蒸着により形成された電磁波シールド層を有しているため、ブレードダイシングの際に切削屑が出難く、半導体チップの汚染を防止することができる。また、ブレードの損傷を抑えることができる。

また、本発明に係る半導体装置は、前記課題を解決するために、前記に記載のダイボンドフィルムを有することを特徴とする。

本発明の一実施形態に係るダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本発明の他の実施形態に係るダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 図２に示したダイボンドフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムの一例を示す断面模式図である。 図２に示したダイボンドフィルムが積層された他のダイシング・ダイボンドフィルムの一例を示す断面模式図である。 図３に示したダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。 図３に示したダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。 実施例１に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例２に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例３に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例４に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例５に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 実施例６に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 比較例１に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。 比較例２に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）の測定結果を示すグラフである。

（ダイボンドフィルム）
まず、本発明の一実施形態に係るダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るダイボンドフィルムを示す断面模式図であり、図２は、他の実施形態に係るダイボンドフィルムを示す断面模式図である。図１に示すように、ダイボンドフィルム４０は、接着剤層３０上に電磁波シールド層３１が積層された構成を有する。また、本発明に係るダイボンドフィルムは、図２に示すダイボンドフィルム４１のように、電磁波シールド層３１上にさらに接着剤層３２が積層された構成であってもよい。さらに、本発明に係るダイボンドフィルムは、接着剤層と電磁波シールド層とを有していれば、ダイボンドフィルム４０、ダイボンドフィルム４１に限定されず、例えば、接着剤層及び電磁波シールド層以外の他の層を有するものであってもよい。

電磁波シールド層３１は、金属箔、又は、蒸着膜からなる。電磁波シールド層３１が金属箔からなる場合、ダイボンドフィルム４０、４１は、金属箔からなる電磁波シールド層３１を有しているため、電磁波を遮断することができる。従って、１の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することができる。また、ダイボンドフィルム４０、４１は、接着剤層３０に、金属箔からなる電磁波シールド層を貼り付ければ製造できるため、生産性に優れる。また、電磁波シールド層３１が蒸着により形成された層（蒸着膜）である場合、ダイボンドフィルム４０、４１は、蒸着により形成された電磁波シールド層３１を有しているため、電磁波を遮断することができる。従って、１の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることを低減することができる。また、ダイボンドフィルム４０、４１は、接着剤層３０上に、蒸着により電磁波シールド層３１を形成すればよいため、生産性に優れる。

前記金属箔、又は、前記蒸着膜の材料としては、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Ra, Be, Mg, Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Y, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Ti, Zr, Sn, Hf, Pb, Th, Fe, Co, N, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W, U, Mn, Re, Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Ptからなる群より選択される少なくとも１以上の金属元素、前記金属元素の酸化物、前記金属元素の合金等を挙げることができる。前記導電層のなかでも、導電率が10×10¹〜10×10⁷S/mの範囲にあるものが好ましく、5×10²〜5×10⁷S/mの範囲にあるものがより好ましく、10×10²〜1×10⁷S/mの範囲にあるものがさらに好ましい。金属箔、又は、蒸着膜からなる電磁波シールド層３１は、反射損失により電磁波を減衰させることができる。

電磁波シールド層３１の厚さは、特に限定されず、０．００１μｍ〜１００μｍの範囲内から選択することができ、好ましくは０．００５〜９０μｍ、より好ましくは０．０１〜８０μｍである。

ダイボンドフィルム４０、４１は、ダイボンドフィルム４０、４１を透過した電磁波の減衰量が、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、３ｄＢ以上であることが好ましい。前記周波数領域は、８０ＭＨｚ〜１９ＧＨｚの範囲であることがより好ましく、１００ＭＨｚ〜１８ＧＨｚの範囲であることがさらに好ましい。また、前記減衰量は、４ｄＢ以上であることがより好ましく、５ｄＢ以上であることがさらに好ましい。ダイボンドフィルム４０、４１を透過した電磁波の減衰量が、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚという比較的高い周波数領域の少なくとも一部において３ｄＢ以上であると、電磁波がより効率的に遮断される。従って、１の半導体素子から放出される電磁波が、他の半導体素子、基板、隣接するデバイス、パッケージ等に影響を与えることをより低減することができる。

接着剤層３０と電磁波シールド層３１との１８０度ピール強度、及び、接着剤層３２と電磁波シールド層３１との１８０度ピール強度は、０．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは、０．８Ｎ／１０ｍｍ以上であり、さらに好ましくは、１．０Ｎ／１０ｍｍ以上である。前記１８０度ピール強度を０．５Ｎ／１０ｍｍ以上とすることにより、層間剥離が起こりに難くなり、歩留りの向上を図ることができる。

前記１８０度ピール強度は、以下のようにして測定することができる。まず、接着剤層を粘着テープ（日東電工（株）製、BT-３１５）で裏打ちし、１０×１００ｍｍに切り出す。次に、電磁波シールド層を粘着テープ（日東電工（株）製、BT-３１５）で裏打ちし、１０×１００ｍｍに切り出す。そして、切り出した接着剤層と電磁波シールド層とをラミネーター（ＭＣＫ製、ＭＲＫ−６００）を用い、５０℃、０．５ＭＰａ、１０ｍｍ／秒の条件下にて貼り合せる。その後、常温（２５℃）環境下で２０分放置し、試験片を得る。次いで、接着剤層と電磁波シールドとの１８０度剥離力を、引張試験機（島津製作所製、ＡＧＳ−Ｊ）を用いて測定する。

接着剤層３０、３２を構成する接着剤組成物としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したものが挙げられる。接着剤層３０と接着剤層３２とは、同一の組成であってもよく異なった組成であってもよい。

前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。

前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
また、前記エポキシ樹脂は、常温で固形のものと、常温で液体のものとの２種類を併用して用いることができる。常温で固形のエポキシ樹脂に対して、常温で液状のエポキシ樹脂を加えることにより、フィルムを形成した際の脆弱性を改善することができ、作業性を向上させることができる。

更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。

前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。

前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。

前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。

また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。

前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際に接着剤層３０、３２が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、５〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。

また、接着剤層３０、３２を構成する接着剤組成物としては、上述したように、ポリイミド樹脂を、熱硬化性ポリイミド樹脂、又は、熱可塑性ポリイミド樹脂として他の樹脂と共に用いる他、単体で用いることもできる。ポリイミド樹脂は、一般的にその前駆体であるポリアミド酸を脱水縮合（イミド化）して得られる耐熱性樹脂である。ポリアミド酸は、ジアミン成分と酸無水物成分とを実質的に等モル比にて適宜の有機溶媒中で反応させて得ることができる。

上記ジアミンとしては、例えば、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、1,8-ジアミノオクタン、1,10-ジアミノデカン、1,12-ジアミノドデカン、4,9-ジオキサ-1,12-ジアミノドデカン、1,3-ビス(3-アミノプロピル)-1,1,3,3-テトラメチルジシロキサン（α、ω-ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）等が挙げられる。脂肪族ジアミンの分子量は、通常50から1,000,000、好ましくは100から30,000である。

上記芳香族ジアミンとしては、例えば、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3,3’-ジアミノジフェニルエーテル、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)-2,2-ジメチルプロパン、4,4’-ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。

上記酸無水物としては、種々のものを用いることができるが、例えば、テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。上記テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、3，3'，4，4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2，2'，3，3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3，3'，4，4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2，2'，3，3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4，4'-オキシジフタル酸二無水物、2，2-ビス（2，3-ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、2，2-ビス（3，4-ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（6ＦＤＡ）、ビス（2，3-ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（3，4-ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（2，3-ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（3，4-ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。

上記ジアミンと上記酸無水物とを反応させる溶剤としては、特に制限されないが、例えば、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等が挙げられる。これらは、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレンなどといった非極性の溶剤と適宜、混合して用いることができる。

ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等が挙げられる。なかでも、加熱イミド化法が好ましく、加熱温度は150℃以上が好ましい。また、加熱イミド化法においては、樹脂の酸化劣化を防ぐため、窒素雰囲気下や真空中など不活性な雰囲気下で処理することが好ましい。これにより、樹脂中に残った揮発成分を完全に除去することができる。

上記テトラカルボン酸二無水物と上記ジアミンとを反応させる場合において、特にブタジエンアクリロニトリル共重合体骨格含むジアミンを用いる場合には、100℃以上の温度で反応させることが好ましい。これにより、ゲル化を防止することができる。

接着剤層３０、３２は、必要に応じて、接着剤層３０、３２の構成材料として熱硬化触媒を使用してもよい。その配合割合としては、有機成分１００重量部に対し０．０１〜５重量部の範囲内が好ましく、０．０５〜３重量部の範囲内がより好ましく、０．１〜１重量部の範囲内が特に好ましい。配合割合を０．０１重量部以上にすることにより、熱硬化後の接着力を良好に発現させることができる。その一方、配合割合を５重量部以下にすることにより、保存性の低下を抑制することができる。

前記熱硬化触媒としては特に限定されず、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。

前記イミダゾール系化合物としては、２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ）、２−ヘプタデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１７Ｚ）、１，２−ジメチルイミダゾール（商品名；１．２ＤＭＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−フェニル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＭＺ）、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール（商品名；１Ｂ２ＰＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（商品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト（商品名；２ＰＺＣＮＳ−ＰＷ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；Ｃ１１Ｚ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名；２Ｅ４ＭＺ−Ａ）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物（商品名；２ＭＡ−ＯＫ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２ＰＨＺ−ＰＷ）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２Ｐ４ＭＨＺ−ＰＷ）等が挙げられる（いずれも四国化成（株）製）。

前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。また、前記トリフェニルフォスフィン系化合物としては、エポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示すものであることが好ましい。エポキシ樹脂に対し非溶解性であると、熱硬化が過度に進行するのを抑制することができる。トリフェニルフォスフィン構造を有し、かつエポキシ樹脂に対し実質的に非溶解性を示す熱硬化触媒としては、例えば、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）等が例示できる。尚、前記「非溶解性」とは、トリフェニルフォスフィン系化合物からなる熱硬化触媒がエポキシ樹脂からなる溶媒に対し不溶性であることを意味し、より詳細には、温度１０〜４０℃の範囲において１０重量％以上溶解しないことを意味する。

前記トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン系化合物としては、更にトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。当該トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する化合物としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）等が挙げられる（いずれも北興化学社製）。

前記アミノ系化合物としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）等が挙げられる。

前記トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。

接着剤層３０、３２を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことができる。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。

前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。

また、接着剤層３０、３２には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。

前記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍとすることができる。前記フィラーの平均粒径を０．００５μｍ以上とすることにより、被着体への濡れ性、及び、接着性を良好とすることができる。また、１０μｍ以下とすることにより、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができるとともに、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。

なお、接着剤層３０、３２には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。

ダイボンドフィルム４０、４１の厚さ（電磁波シールド層、及び、接着剤層を含む総厚）は、特に限定されないが、例えば、１〜２００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍである。

接着剤層３０、３２の厚さは特に限定されないが、ダイボンドフィルム４０、４１の厚さが上記範囲内となるように選択することができ、例えば、１〜２００μｍ、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍである。

本実施形態に係るダイボンドフィルムは、ダイシングフィルム上に積層させることによりダイシング・ダイボンドフィルムとして使用することができる。そこで、本発明の一実施形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムについて、以下に説明する。

（ダイシング・ダイボンドフィルム）
図３は、図２に示したダイボンドフィルムが積層されたダイシング・ダイボンドフィルムの一例を示す断面模式図である。図４は、図２に示したダイボンドフィルムが積層された他のダイシング・ダイボンドフィルムの一例を示す断面模式図である。

図３に示すように、ダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム１１上にダイボンドフィルム４１が積層された構成を有する。ダイシングフィルム１１は基材１上に粘着剤層２を積層して構成されており、ダイボンドフィルム４１はその粘着剤層２上に設けられている。また本発明は、図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム１２のように、ワーク貼り付け部分にのみダイボンドフィルム４１’を形成した構成であってもよい。

前記基材１は紫外線透過性を有するものを使用することができ、ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。

また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１を熱収縮させることにより粘着剤層２とダイボンドフィルム４１、４１’との接着面積を低下させて、半導体チップ（半導体素子）の回収の容易化を図ることができる。

基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。前記基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。

基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。

粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。

前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。

前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。

更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。

前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。

粘着剤層２は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、図４に示す粘着剤層２のワーク貼り付け部分に対応する部分２ａのみを放射線照射することにより他の部分２ｂとの粘着力の差を設けることができる。

また、図４に示すダイボンドフィルム４１’に合わせて放射線硬化型の粘着剤層２を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分２ａを容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した前記部分２ａにダイボンドフィルム４１’が貼付けられる為、粘着剤層２の前記部分２ａとダイボンドフィルム４１’との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、前記部分２ｂを形成する。

前述の通り、図３に示すダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層２に於いて、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分２ｂはダイボンドフィルム４１と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着する為のダイボンドフィルム４１を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。図４に示すダイシング・ダイボンドフィルム１１の粘着剤層２に於いては、前記部分２ｂがウエハリングを固定することができる。

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。

前記放射線硬化型の粘着剤層２中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層２に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。即ち、図３に示すワーク貼り付け部分３ａに対応する部分２ａを着色することができる。従って、粘着剤層２に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分３ａを認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。

放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。

これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。

この様な放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層２中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層２に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層２の前記部分２ａの硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。

粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層２に於ける前記部分２ａの粘着力＜その他の部分２ｂの粘着力、となるように粘着剤層２の一部を放射線照射してもよい。

前記粘着剤層２に前記部分２ａを形成する方法としては、支持基材１に放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後、前記部分２ａに部分的に放射線を照射し硬化させる方法が挙げられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分３ａ以外の部分３ｂ等に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法等が挙げられる。放射線硬化型の粘着剤層２の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材１上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型の粘着剤層２に行うこともできる。

また、粘着剤層２を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材１の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型の粘着剤層２を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部分３ａに対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分２ａを形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よくダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。

尚、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型の粘着剤層２の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層２の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法等が挙げられる。

粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。

ダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２のダイボンドフィルム４１、４１’は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム４１、４１’を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム４１、４１’を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルムのダイボンドフィルム４１、４１’上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。

（ダイボンドフィルムの製造方法）
ダイボンドフィルム４０、４１の製造方法について、説明する。先ず、接着剤層３０の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前記接着剤組成物の他、必要に応じて、フィラーや各種の添加剤等が配合されていてもよい。

次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層３０を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。

次に、電磁波シールド層３１を接着剤層３０上に形成する。電磁波シールド層３１を金属箔とする場合には、前記の材料を予め金属箔としたものを接着剤層３０に圧着することによって、形成することができる。また、電磁波シールド層３１を蒸着膜とする場合には、蒸着法により前記の材料を接着剤層３０上に蒸着して形成することができる。前記蒸着法としては、特に限定されないが、スパッタ法や、ＣＶＤ法、真空蒸着法等を挙げることができる。以上により、ダイボンドフィルム４０を得ることができる。

また、電磁波シールド層３１上に、さらに接着剤層３２を形成することにより、ダイボンドフィルム４１を得ることができる。接着剤層３２は、接着剤層３２を形成する為の形成材料（接着剤組成物）を剥離紙上に所定厚みとなる様に塗布し、更に所定条件下で塗布層を形成する。この塗布層を電磁波シールド層３１上に転写することにより、ダイボンドフィルム４１を形成する。また、電磁波シールド層３１上に形成材料を直接塗布した後、所定条件下で乾燥することによっても接着剤層３２を形成することができる。

（ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法）
次に、ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法について、ダイシング・ダイボンドフィルム１０を例にして説明する。先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。

次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層２を形成してもよい。その後、基材１上に粘着剤層２をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングフィルム１１が作製される。

次に、予め製造したダイボンドフィルム４１の接着剤層３２と粘着剤層２とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離し、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０が得られる。また、粘着剤層２上に接着剤層３０、電磁波シールド層３１、接着剤層３２を順次に直接形成することによっても、ダイシング・ダイボンドフィルム１０を得ることができる。この場合、接着剤層３０、電磁波シールド層３１、接着剤層３２の形成方法は、前記のダイボンドフィルムの製造方法と同様とすればよい。

（半導体装置の製造方法）
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０、１２は、ダイボンドフィルム４１、４１’上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、次の様に使用される。以下では、図５を参照しながらダイシング・ダイボンドフィルム１０を用いた場合を例にして説明する。図５は、図３に示したダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを実装した例を示す断面模式図である。

先ず、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に於けるダイボンドフィルム４１の半導体ウエハ貼り付け部分３ａ上に半導体ウエハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（貼り付け工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されず、例えば２０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。

次に、半導体ウエハ４のダイシングを行う。これにより、半導体ウエハ４を所定のサイズに切断して個片化し、半導体チップ５を製造する。ダイシングは、例えば半導体ウエハ４の回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えばダイシング・ダイボンドフィルム１０まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハは、ダイシング・ダイボンドフィルム１０により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ４の破損も抑制できる。このとき、ダイボンドフィルム４１を構成する電磁波シールド層３１が蒸着法により形成された蒸着膜である場合には、ブレードダイシングの際に切削屑が出難く、半導体チップの汚染を防止することができる。また、ブレードの損傷を抑えることができる。

次に、ダイシング・ダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップを剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシング・ダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。

ここでピックアップは、粘着剤層２が紫外線硬化型である場合、該粘着剤層２に紫外線を照射した後に行う。これにより、粘着剤層２のダイボンドフィルム４１に対する粘着力が低下し、半導体チップ５の剥離が容易になる。その結果、半導体チップ５を損傷させることなくピックアップが可能となる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間等の条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。また、紫外線照射に使用する光源としては、前述のものを使用することができる。

ピックアップした半導体チップ５は、ダイボンドフィルム４１を介して被着体６に接着固定する（ダイボンド）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウエハ等）であってもよい。

前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子をマウントし、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。

接着剤層３０、３２は熱硬化型であるので、加熱硬化により、半導体チップ５を被着体６に接着固定し、耐熱強度を向上させる。加熱温度は、８０〜２００℃、好ましくは１００〜１７５℃、より好ましくは１００〜１４０℃で行うことができる。また、加熱時間は、０．１〜２４時間、好ましくは０．１〜３時間、より好ましくは０．２〜１時間で行うことができる。尚、接着剤層３０、３２を介して半導体チップ５が基板等に接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。

接着剤層３０、３２の熱硬化後における、半導体チップに対するせん断接着力は、１７５℃の条件下において０．２ＭＰａ以上５ＭＰａ以下であることが好ましい。接着剤層３０、３２のせん断接着力が０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着剤層３０、３２と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。

尚、本発明に係る半導体装置の製造方法は、接着剤層３０、３２の加熱処理による熱硬化工程を経ることなくワイヤーボンディングを行い、更に半導体チップ５を封止樹脂で封止して、当該封止樹脂をアフターキュアしてもよい。この場合、接着剤層３０、３２の仮固着時のせん断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。接着剤層３０、３２の仮固着時に於けるせん断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、加熱工程を経ることなくワイヤーボンディング工程を行っても、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、接着剤層３０、３２と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。

前記のワイヤーボンディングは、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する工程である（図５参照）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、接着剤層３０、３２の熱硬化を行うことなく実行してもよい。

前記封止工程は、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する工程である（図５参照）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム４１を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム４１による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。

前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いて接着剤層３０、３２が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共に接着剤層３０、３２の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。以上により、ダイボンドフィルム４１が、被着体６と半導体チップ５との間に設けられた半導体装置が得られる。

上述した半導体装置の製造方法において、ダイボンドフィルム４１は、電磁波シールド層３１を有しているため、電磁波シールド層３１を形成するための単独の工程は存在しない。すなわち、上述した半導体装置の製造方法においては、ダイボンドフィルム４１を用いてダイボンドを行うため、電磁波シールド層３１を形成する工程を行うことなく、電磁波シールド層３１を有する半導体装置を製造することができる。その結果、半導体装置の製造工程を増加させることなく、電磁波シールド層３１を有する半導体装置を製造することができる。

また、ダイボンドフィルム４１は、図６に示すように、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。図６は、図３に示したダイシング・ダイボンドフィルムに於けるダイボンドフィルムを介して半導体チップを３次元実装した例を示す断面模式図である。図６に示す３次元実装の場合、先ず半導体チップと同サイズとなる様に切り出した１のダイボンドフィルム４１を被着体６上にダイボンドした後、ダイボンドフィルム４１を介して半導体チップ５を、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。次に、他のダイボンドフィルム４１を半導体チップ５の電極パッド部分を避けて貼り着ける。更に、他の半導体チップ１５を他のダイボンドフィルム４１上に、そのワイヤーボンド面が上側となる様にしてダイボンドする。

次に、ダイボンドフィルム４１の熱硬化を行い、その後、ワイヤーボンディング工程を行う。これにより、半導体チップ５及び他の半導体チップ１５に於けるそれぞれの電極パッドと、被着体６とをボンディングワイヤー７で電気的に接続する。

続いて、封止樹脂８により半導体チップ５等を封止する封止工程を行い、封止樹脂を硬化させる。尚、封止工程の後、後硬化工程を行ってもよい。以上により、ダイボンドフィルム４１が、半導体チップ５と他の半導体チップ１５との間に設けられた半導体装置が得られる。

半導体チップの３次元実装の場合、半導体チップ５、１５と、被着体６とを接続するボンディングワイヤー７の数が多くなるため、ワイヤーボンディング工程に費やされる時間が長時間化する傾向にあり、高温に長時間晒されることになる。しかしながら、ダイボンドフィルム４１によれば、高温に長時間晒された場合であっても、熱硬化反応の進行を抑えることが可能となる。

ダイシングフィルム４１と半導体ウエハ３（半導体チップ５）との１８０度ピール強度は、０．５Ｎ／１０ｍｍ以上であることが好ましく、より好ましくは、１．０Ｎ／１０ｍｍ以上であり、さらに好ましくは、１．５Ｎ／１０ｍｍ以上である。前記１８０度ピール強度を０．５Ｎ／１０ｍｍ以上とすることにより、層間剥離が起こりに難くなり、歩留りの向上を図ることができる。

前記１８０度ピール強度は、ＪＩＳ Ｚ０２３７に従い、以下のようにして測定することができる。まず、接着剤層を粘着テープ（日東電工（株）製、BT-３１５）で裏打ちし、１０×１００ｍｍに切り出す。次に、切り出した接着剤層を半導体ウエハに貼り付ける。貼付けは、５０℃のホットプレート上で、２ｋｇのローラーを一往復させることにより行う。その後、常温（２５℃）環境下で２０分放置し、試験片を得る。次いで、接着剤層と半導体ウエハとの１８０度剥離力を、引張試験機（島津製作所製、ＡＧＳ−Ｊ）を用いて測定する。

上述した実施形態では、電磁波シールド層３１が１層である場合について説明した。しかしながら、本発明において、電磁波シールド層は、１層に限定されず２層以上であってもよい。電磁波シールド層が２層以上である場合、その層構成としては特に限定されない。例えば、複数の電磁波シールド層が他の層を介在させることなく積層されていてもよく、複数の電磁波シールド層が他の層（例えば、接着剤層）を介して積層されていてもよい。電磁波シールド層が２層以上であると、電磁波を、まず、１の電磁波シールド層により減衰させることができ、さらに、他の電磁波シールド層により減衰させることができる。

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。

（実施例１）
＜接着剤層Ａの作製＞
下記（ａ）〜（ｆ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、パラクロンＷ−１９７ＣＭ） １００部
（ｂ）エポキシ樹脂１（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００４） ２４２部
（ｃ）エポキシ樹脂２（ＪＥＲ（株）製、エピコート８２７） ２２０部
（ｄ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ） ４８９部
（ｅ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６６０部
（ｆ）熱硬化触媒（四国化成（株）製、Ｃ１１−Ｚ） ３部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ６０μｍの接着剤層Ａを作製した。

＜接着剤層Ｂの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、濃度２３．６重量％の接着剤組成物溶液を得た。
（ａ）アクリル酸エステル系ポリマー（ナガセケムテック社製、ＳＧ−８０Ｈ）１００部
（ｂ）エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−７２００Ｈ） １０部
（ｃ）フェノール樹脂（三井化学（株）製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ） １０部
（ｄ）球状シリカ（アドマテックス（株）製、ＳＯ−２５Ｒ） ６３部

この接着剤組成物溶液を、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ１０μｍの接着剤層Ｂを作製した。

＜ダイボンドフィルムの作製＞
接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、厚さが２０μｍのアルミ箔（東洋アルミ（株）社製）を、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ９０μｍのダイボンドフィルムを作製した。なお、アルミ箔は、電磁波シールド層として機能を有する。

（実施例２）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、厚さが３８μｍのＳＵＳ３０４（ステンレス鋼）箔を、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ１０８μｍのダイボンドフィルムを作製した。なお、ＳＵＳ３０４箔は、電磁波シールド層として機能を有する。

（実施例３）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
スパッタ装置（ULVAC社製、SH-550）を用い、接着剤層Ａ上に、厚さ５００ｎｍのアルミニウム層をスパッタ法により形成した。スパッタ条件は、以下のようにした。
（スパッタ条件）
ターゲット： アルミニウム
放電出力：DC 600W (出力密度 3.4W/cm2)
系内圧力： 0.56 Pa
Ar流量： 40sccm
基板温度： 非加熱
成膜速度：20 nm/min

次に、アルミニウム層上に、接着剤層Ｂを、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ７０．５μｍのダイボンドフィルムを作製した。なお、アルミニウム層は、電磁波シールド層として機能を有する。

（実施例４）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、厚さが２０μｍのニッケル箔を、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ９０μｍのダイボンドフィルムを作製した。なお、ニッケル箔は、電磁波シールド層として機能を有する。

（実施例５）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、厚さが１２μｍの銅箔を、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ８２μｍのダイボンドフィルムを作製した。なお、銅箔は、電磁波シールド層として機能を有する。

（実施例６）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
厚さ３８μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、厚さ０．５μｍのアルミニウムが蒸着されたフィルム（東レフィルム加工（株）社製、製品名「メタルミーＳ」）（以下、「アルミニウム蒸着フィルム」ともいう）を準備した。
次に、接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、前記アルミニウム蒸着フィルムを、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ１０８．５μｍのダイボンドフィルムを作製した。この際、接着剤層ＡとＰＥＴフィルムとが対向し、接着剤層Ｂとアルミニウムの蒸着層とが対向するように貼り合わせた。なお、アルミニウムの蒸着層は、電磁波シールド層として機能を有する。

（比較例１）
アルミ箔を用いなかったこと以外は、実施例１と同様にして接着剤層Ａと接着剤層Ｂとを貼り合わせて、本比較例に係るダイボンドフィルムを作製した。

（比較例２）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に、厚さ３μｍのフェライト層が形成されたフィルムを準備した。比較例２に係るフェライト層は、フェライトめっき法で作成したＮｉＺｎフェライトからなる層である。
次に、接着剤層Ａと接着剤層Ｂとの間に、前記フェライトフィルムを、８０℃、貼り付け圧力０．３ＭＰａ、貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件にて貼り合わせ、厚さ１１１μｍのダイボンドフィルムを作製した。この際、接着剤層ＡとＰＥＴフィルムとが対向し、接着剤層Ｂとフェライト層とが対向するように貼り合わせた。

＜電磁波減衰量（ｄＢ）の測定＞
実施例及び比較例に係るダイボンドフィルムの電磁波減衰量（ｄＢ）を磁界プローブ法にて行った。具体的には、まず、スペクトラムアナライザー（Advantest製、R3172）を用いて、周波数１３ＭＨｚ〜３ＧＨｚのデジタル信号を特性インピーダンス５０ΩのMSL線路に入力し、線路上１mmに発生する磁界強度（ｄＢ）を磁界プローブ（NECエンジニアリング製、CP-2S）を用いて測定した。次に、実施例及び比較例に係るダイボンドフィルムをMSL線路上に置き、磁界強度（ｄＢ）を測定した。そして、MSL線路上に何も無い状態の測定値と、ダイボンドフィルムをMSL線路上に置いた状態の測定値とを比較し、その差を１３ＭＨｚ〜３ＧＨｚの範囲における電磁波減衰量（ｄＢ）とした。測定結果を表１に示す。また、表１に示した測定結果をグラフ化したものを図７〜図１４に示す。図７〜図１２は、それぞれ実施例１〜実施例６の測定結果を示すグラフであり、図１３、図１４は、それぞれ比較例１、比較例２の測定結果を示すグラフである。

１ 基材
２ 粘着剤層
４ 半導体ウエハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０、１２ ダイシング・ダイボンドフィルム
１１ ダイシングフィルム
１５ 半導体チップ
３０、３２ 接着剤層
３１ 電磁波シールド層
４０、４１、４１’ ダイボンドフィルム

Claims (4)

1. 接着剤層と、金属箔からなる電磁波シールド層とを有するダイボンドフィルムと、
   ダイシングフィルムとを有し、
   前記ダイボンドフィルムが、前記ダイシングフィルム上に積層されており、
   前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、
   前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されており、
   前記ダイボンドフィルムを透過した電磁波の減衰量が、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、３ｄＢ以上であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。
2. 接着剤層と、蒸着により形成された電磁波シールド層とを有するダイボンドフィルムと、
   ダイシングフィルムとを有し、
   前記電磁波シールド層は、前記接着剤層上に蒸着して形成された層であり、
   前記ダイボンドフィルムが、前記ダイシングフィルム上に積層されており、
   前記ダイシングフィルムは、基材上に粘着剤層が積層された構造であり、
   前記ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムの粘着剤層上に積層されており、
   前記ダイボンドフィルムを透過した電磁波の減衰量が、５０ＭＨｚ〜２０ＧＨｚの範囲の周波数領域の少なくとも一部において、３ｄＢ以上であることを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルム。
3. 請求項１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法であって、
   接着剤層を形成する工程と、
   金属箔からなる電磁波シールド層を前記接着剤層に貼り付ける工程と、
   基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルムを準備する工程と、
   前記電磁波シールド層が貼り付けられた前記接着剤層と前記ダイシングフィルムとを、前記接着剤層と前記粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして貼り合わせる工程と
   を具備することを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法。
4. 請求項２に記載のダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法であって、
   接着剤層を形成する工程と、
   前記接着剤層上に、蒸着により電磁波シールド層を形成する工程と、
   基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルムを準備する工程と、
   前記電磁波シールド層が貼り付けられた前記接着剤層と前記ダイシングフィルムとを、前記接着剤層と前記粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして貼り合わせる工程と
   を具備することを特徴とするダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法。

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