JP2000001652A - 接着テープ - Google Patents
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- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
-
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- H01L2924/301—Electrical effects
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- Die Bonding (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた応力緩和作用を有し、被接着物にかか
る応力を緩和すると共に、その能力が長期に亘って持続
する接着テープを提供する。 【解決手段】 ゴム成分およびフェノール系抗酸化剤と
を含有する接着剤層と、この接着剤層の少なくとも一面
に剥離可能に固定された剥離性フィルムとを具備する接
着テープである。ゴム成分は、ブタジエン−アクリロニ
トリル共重合体、オレフィン系共重合体、およびポリフ
ェニルエーテル共重合体から選択される１種または２種
以上であり、フェノール系抗酸化剤は、例えば、その一
分子中に、ｔ−ブチル基が２基以上結合しているフェノ
ール基を３基以上有し、分子量は７００以上の物質であ
る。
る応力を緩和すると共に、その能力が長期に亘って持続
する接着テープを提供する。 【解決手段】 ゴム成分およびフェノール系抗酸化剤と
を含有する接着剤層と、この接着剤層の少なくとも一面
に剥離可能に固定された剥離性フィルムとを具備する接
着テープである。ゴム成分は、ブタジエン−アクリロニ
トリル共重合体、オレフィン系共重合体、およびポリフ
ェニルエーテル共重合体から選択される１種または２種
以上であり、フェノール系抗酸化剤は、例えば、その一
分子中に、ｔ−ブチル基が２基以上結合しているフェノ
ール基を３基以上有し、分子量は７００以上の物質であ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体装置
の部材同士を接合する用途等に使用される接着テープに
関する。
の部材同士を接合する用途等に使用される接着テープに
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造において、リードフレ
ーム周辺の部材間、例えばリードピン、半導体チップ、
半導体チップ固定基板、放熱板などの部品を相互に接合
する際には、従来から接着テープが使用されている。
ーム周辺の部材間、例えばリードピン、半導体チップ、
半導体チップ固定基板、放熱板などの部品を相互に接合
する際には、従来から接着テープが使用されている。
【０００３】この種の接着テープは、熱硬化性樹脂成分
を含む未硬化状態の接着剤層と、この接着剤層の両面に
剥離可能に設けられた剥離性フィルムとを有するもので
あり、使用時には剥離性フィルムを剥がした状態で接着
すべき部材間に挟み、圧力をかけながら加熱することに
より、接着剤層を硬化させて部材同士を接合する。必要
に応じて、一定厚さの支持体の両面に接着剤層を形成
し、これら接着剤層の他面にそれぞれ剥離性フィルムを
設けることもある。
を含む未硬化状態の接着剤層と、この接着剤層の両面に
剥離可能に設けられた剥離性フィルムとを有するもので
あり、使用時には剥離性フィルムを剥がした状態で接着
すべき部材間に挟み、圧力をかけながら加熱することに
より、接着剤層を硬化させて部材同士を接合する。必要
に応じて、一定厚さの支持体の両面に接着剤層を形成
し、これら接着剤層の他面にそれぞれ剥離性フィルムを
設けることもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記接着剤
層として、従来はエポキシ系等の接着剤が主に使用され
ていたが、エポキシ系に限らず全ての接着剤は多かれ少
なかれ加熱硬化の過程で体積変化を生じる。また、接着
剤層と部材間の熱膨張率の差によって接着界面には応力
が働く。このような体積変化や熱膨張率の差による応力
発生に伴って部材間の接合界面の一部が剥離し、剥離部
分での熱伝導性を悪化させて半導体チップの冷却効率が
低下したり、接着剤層の体積変化によりリードピンに応
力がかかり、リードピンに接続されたボンディングワイ
ヤが外れたり、チップに応力がかかって電気的特性に悪
影響を与えたりという様々な不具合が生じることがあっ
た。
層として、従来はエポキシ系等の接着剤が主に使用され
ていたが、エポキシ系に限らず全ての接着剤は多かれ少
なかれ加熱硬化の過程で体積変化を生じる。また、接着
剤層と部材間の熱膨張率の差によって接着界面には応力
が働く。このような体積変化や熱膨張率の差による応力
発生に伴って部材間の接合界面の一部が剥離し、剥離部
分での熱伝導性を悪化させて半導体チップの冷却効率が
低下したり、接着剤層の体積変化によりリードピンに応
力がかかり、リードピンに接続されたボンディングワイ
ヤが外れたり、チップに応力がかかって電気的特性に悪
影響を与えたりという様々な不具合が生じることがあっ
た。
【０００５】そこで、本発明者らは、接着剤層にゴム成
分を添加することにより、接着剤層に適度の弾性を付与
し、接着剤層に体積変化や熱膨張率の差によって生じる
応力がこの弾性によって応力を緩和し、リードピンや半
導体チップ等の接合界面の応力発生を防ぐことを発案し
た。
分を添加することにより、接着剤層に適度の弾性を付与
し、接着剤層に体積変化や熱膨張率の差によって生じる
応力がこの弾性によって応力を緩和し、リードピンや半
導体チップ等の接合界面の応力発生を防ぐことを発案し
た。
【０００６】しかし、このようなゴム成分を含有する接
着剤層では、ゴム成分が加熱硬化を経た後、酸化により
経時劣化し、徐々に弾性を失って応力緩和効果が低下し
始め、緩和されていた応力が再びリードピンや半導体チ
ップにかかり始めることがあり、前述したような様々な
問題が再び顕在化することが判明した。
着剤層では、ゴム成分が加熱硬化を経た後、酸化により
経時劣化し、徐々に弾性を失って応力緩和効果が低下し
始め、緩和されていた応力が再びリードピンや半導体チ
ップにかかり始めることがあり、前述したような様々な
問題が再び顕在化することが判明した。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、優れた応力緩和作用を有し、被接着物にかかる応力
を緩和すると共に、その能力が加熱硬化および電子部品
製造工程中の熱履歴を経た後も長期に亘って持続する接
着テープを提供することを課題としている。
で、優れた応力緩和作用を有し、被接着物にかかる応力
を緩和すると共に、その能力が加熱硬化および電子部品
製造工程中の熱履歴を経た後も長期に亘って持続する接
着テープを提供することを課題としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る接着テープは、ゴム成分およびフェノ
ール系抗酸化剤とを含有する接着剤層と、この接着剤層
の少なくとも一面に剥離可能に固定された剥離性フィル
ムとを具備し、前記ゴム成分は、ブタジエン−アクリロ
ニトリル共重合体、オレフィン系共重合体、およびポリ
フェニルエーテル共重合体から選択される１種または２
種以上であり、前記フェノール系抗酸化剤は、ヒンダー
ドフェノール系抗酸化剤であることを特徴としている。
め、本発明に係る接着テープは、ゴム成分およびフェノ
ール系抗酸化剤とを含有する接着剤層と、この接着剤層
の少なくとも一面に剥離可能に固定された剥離性フィル
ムとを具備し、前記ゴム成分は、ブタジエン−アクリロ
ニトリル共重合体、オレフィン系共重合体、およびポリ
フェニルエーテル共重合体から選択される１種または２
種以上であり、前記フェノール系抗酸化剤は、ヒンダー
ドフェノール系抗酸化剤であることを特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る接着テープ
の一実施形態を示す断面図であり、この接着テープは、
未硬化状態の接着剤層１と、この接着剤層１の両面に剥
離可能に固定された剥離性フィルム２とからなるもので
ある。
の一実施形態を示す断面図であり、この接着テープは、
未硬化状態の接着剤層１と、この接着剤層１の両面に剥
離可能に固定された剥離性フィルム２とからなるもので
ある。
【００１０】本実施形態の主たる特徴は、接着剤層１と
して、ゴム系成分とフェノール系抗酸化剤を含む組成物
を使用したことにある。前記ゴム系成分は、ブタジエン
−アクリロニトリル共重合体、オレフィン系共重合体、
およびポリフェニルエーテル共重合体から選択される１
種または２種以上の混合物であり、これら共重合体の中
でも特にブタジエン−アクリロニトリル共重合体が好適
である。ブタジエン−アクリロニトリル共重合体は弾性
が適当であり、被接着物に加わる応力を緩和する作用に
優れているからである。
して、ゴム系成分とフェノール系抗酸化剤を含む組成物
を使用したことにある。前記ゴム系成分は、ブタジエン
−アクリロニトリル共重合体、オレフィン系共重合体、
およびポリフェニルエーテル共重合体から選択される１
種または２種以上の混合物であり、これら共重合体の中
でも特にブタジエン−アクリロニトリル共重合体が好適
である。ブタジエン−アクリロニトリル共重合体は弾性
が適当であり、被接着物に加わる応力を緩和する作用に
優れているからである。
【００１１】前記フェノール系抗酸化剤は、例えば接着
層が高温に曝されたときにゴム成分が発生するラジカル
を吸収して、ゴム成分が劣化することを防止する作用を
果たし、これにより硬化後の接着剤層の弾性劣化を防止
する。このようなフェノール系抗酸化剤としては、特に
ヒンダードフェノール系抗酸化剤が好ましく、特に、ｔ
−ブチル基が２基以上結合しているフェノール基を３基
以上有し、分子量は７００以上、より好ましくは７５０
〜１５００である化合物が好適である。この条件を満た
す場合には、接着剤層１が高温に曝された場合にも、酸
化防止効果が劣化しにくく、ひいてはゴム成分の応力緩
和効果を長く持続させることができるからである。
層が高温に曝されたときにゴム成分が発生するラジカル
を吸収して、ゴム成分が劣化することを防止する作用を
果たし、これにより硬化後の接着剤層の弾性劣化を防止
する。このようなフェノール系抗酸化剤としては、特に
ヒンダードフェノール系抗酸化剤が好ましく、特に、ｔ
−ブチル基が２基以上結合しているフェノール基を３基
以上有し、分子量は７００以上、より好ましくは７５０
〜１５００である化合物が好適である。この条件を満た
す場合には、接着剤層１が高温に曝された場合にも、酸
化防止効果が劣化しにくく、ひいてはゴム成分の応力緩
和効果を長く持続させることができるからである。
【００１２】また、フェノール系抗酸化剤は、接着剤層
の体積変化（主に収縮）による被接着物への応力影響を
低減するため、および半導体装置のボンディング部（ま
たはシリコンチップ等）に、揮発成分が付着して汚染す
ることによるボンディング不良を防ぐために、熱重量分
析法により２００℃に加熱した際の熱重量減少率が５％
以下であることが好ましい。この条件を満たす場合に
は、接着剤層１が高温に曝された場合にも、酸化防止効
果が劣化しにくく、ゴム成分の応力緩和効果が長く持続
する。熱重量減少率は、抗酸化剤を常温から２００℃ま
で１０℃／ｍｉｎで昇温して測定した値と定義する。
の体積変化（主に収縮）による被接着物への応力影響を
低減するため、および半導体装置のボンディング部（ま
たはシリコンチップ等）に、揮発成分が付着して汚染す
ることによるボンディング不良を防ぐために、熱重量分
析法により２００℃に加熱した際の熱重量減少率が５％
以下であることが好ましい。この条件を満たす場合に
は、接着剤層１が高温に曝された場合にも、酸化防止効
果が劣化しにくく、ゴム成分の応力緩和効果が長く持続
する。熱重量減少率は、抗酸化剤を常温から２００℃ま
で１０℃／ｍｉｎで昇温して測定した値と定義する。
【００１３】特に好ましい接着剤は、ブタジエン−アク
リロニトリル共重合体を１０〜９０重量％（より好まし
くは５０〜９０重量％、最適には６０〜８０重量％）
と、２個以上のマレイミド基を含有する化合物を９０〜
１０重量％（より好ましくは５０〜１０重量％、最適に
は４０〜２０重量％）と、前記フェノール系抗酸化剤を
０．３〜２０重量％（より好ましくは０．３〜１０重量
％、最適には３〜７重量％）と、反応促進剤５重量％以
内（より好ましくは０．１〜２重量％、最適には０．１
〜１重量％）の割合で混合したものを、適当な有機溶媒
に溶解したものである。これを剥離性フィルム２に塗布
して有機溶媒を蒸発させ、固体化した未硬化状態の接着
剤層を得ることにより、好ましい接着剤層１が形成でき
る。
リロニトリル共重合体を１０〜９０重量％（より好まし
くは５０〜９０重量％、最適には６０〜８０重量％）
と、２個以上のマレイミド基を含有する化合物を９０〜
１０重量％（より好ましくは５０〜１０重量％、最適に
は４０〜２０重量％）と、前記フェノール系抗酸化剤を
０．３〜２０重量％（より好ましくは０．３〜１０重量
％、最適には３〜７重量％）と、反応促進剤５重量％以
内（より好ましくは０．１〜２重量％、最適には０．１
〜１重量％）の割合で混合したものを、適当な有機溶媒
に溶解したものである。これを剥離性フィルム２に塗布
して有機溶媒を蒸発させ、固体化した未硬化状態の接着
剤層を得ることにより、好ましい接着剤層１が形成でき
る。
【００１４】前記ブタジエン−アクリロニトリル共重合
体としては、重量平均分子量１，０００〜２００，００
０およびカルボキシル基当量３０〜１０，０００を有す
るカルボキシル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、重量平均分子量１，０００〜２００，０００お
よびアクリル基当量５００〜１０，０００を有するアク
リル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、重
量平均分子量１，０００〜２００，０００およびエポキ
シ基当量５００〜１０，０００を有するエポキシ基含有
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、重量平均分子
量１，０００〜２００，０００を有するブタジエン−ア
クリロニトリル共重合体、および重量平均分子量１，０
００〜２００，０００およびアミノ基当量５００〜１
０，０００を有するピペラジニルエチルアミノカルボニ
ル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共重合体から選
択される１種または２種以上の混合物が好適である。前
記平均分子量は、より好ましくは３０００〜８００００
である。
体としては、重量平均分子量１，０００〜２００，００
０およびカルボキシル基当量３０〜１０，０００を有す
るカルボキシル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、重量平均分子量１，０００〜２００，０００お
よびアクリル基当量５００〜１０，０００を有するアク
リル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、重
量平均分子量１，０００〜２００，０００およびエポキ
シ基当量５００〜１０，０００を有するエポキシ基含有
ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、重量平均分子
量１，０００〜２００，０００を有するブタジエン−ア
クリロニトリル共重合体、および重量平均分子量１，０
００〜２００，０００およびアミノ基当量５００〜１
０，０００を有するピペラジニルエチルアミノカルボニ
ル基含有ブタジエン−アクリロニトリル共重合体から選
択される１種または２種以上の混合物が好適である。前
記平均分子量は、より好ましくは３０００〜８００００
である。
【００１５】フェノール系抗酸化剤の具体例としては、
１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシベンジル）−ｓ−トリアジン−２，４，６−
（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオン：分子量７８４、重量減
少率０％、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒド
ロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン：分子量５４
５、重量減少率２．８％、テトラキス［メチレン（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート）］メタン：分子量１１７８、重量減少率０．２
％、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
ベンゼン：分子量７７５、前記重量減少率０％、等が例
示できる。
１，３，５−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシベンジル）−ｓ−トリアジン−２，４，６−
（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）トリオン：分子量７８４、重量減
少率０％、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒド
ロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン：分子量５４
５、重量減少率２．８％、テトラキス［メチレン（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート）］メタン：分子量１１７８、重量減少率０．２
％、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）
ベンゼン：分子量７７５、前記重量減少率０％、等が例
示できる。
【００１６】反応促進剤は、ブタジエン−アクリロニト
リル共重合体と、マレイミド基を含有する化合物との付
加反応を促進するためのものであり、例えば、各種のパ
ーオキサイト等が使用できる。
リル共重合体と、マレイミド基を含有する化合物との付
加反応を促進するためのものであり、例えば、各種のパ
ーオキサイト等が使用できる。
【００１７】接着剤層１にはフィラーを添加してもよ
い。フィラーとしては、例えば、シリカ、石英粉、アル
ミナ、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、ダイヤモン
ド粉、マイカ、カオリナイト、フッ素樹脂粉、シリコー
ン粉、ポリイミド粉、ジルコン粉等が使用される。これ
らフィラーは単独で使用してもよいし、２種以上混合し
ても構わない。フィラーの含有量は、全固形分の７０重
量％以内、好ましくは５〜４０重量％の範囲とされる。
含有量が７０重量％よりも多くなると、加工時の粘度低
下が生じ、また硬化後の接着力および強度が低下する。
このようなフィラーを適量添加することにより、剥離性
フィルム２上に接着剤層１を塗布する際の塗布容易性を
高めることができる。
い。フィラーとしては、例えば、シリカ、石英粉、アル
ミナ、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、ダイヤモン
ド粉、マイカ、カオリナイト、フッ素樹脂粉、シリコー
ン粉、ポリイミド粉、ジルコン粉等が使用される。これ
らフィラーは単独で使用してもよいし、２種以上混合し
ても構わない。フィラーの含有量は、全固形分の７０重
量％以内、好ましくは５〜４０重量％の範囲とされる。
含有量が７０重量％よりも多くなると、加工時の粘度低
下が生じ、また硬化後の接着力および強度が低下する。
このようなフィラーを適量添加することにより、剥離性
フィルム２上に接着剤層１を塗布する際の塗布容易性を
高めることができる。
【００１８】接着剤層１の厚さは限定されないが、一般
的な半導体素子製造用としては５〜１０００μｍである
ことが好ましく、より好ましくは１０〜２００μｍであ
り、最適には２０〜８０μｍである。また、後述する反
り率の試験方法によって接着剤層１に生じる反りを測定
した場合、測定値が０．０３％以下であることが望まし
い。
的な半導体素子製造用としては５〜１０００μｍである
ことが好ましく、より好ましくは１０〜２００μｍであ
り、最適には２０〜８０μｍである。また、後述する反
り率の試験方法によって接着剤層１に生じる反りを測定
した場合、測定値が０．０３％以下であることが望まし
い。
【００１９】剥離性フィルム２の材質は限定されない
が、一般的には、接着剤層１から剥離しやすく、かつ接
着剤中に含まれる溶剤に対する耐性が高いポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート、テフロン、ポリイミドなどの材質が好まし
い。特にポリエチレンテレフタレートであると、価格が
安く、しかも信頼性が高いために好ましい。また、剥離
性フィルム２の厚さは限定されないが、接着剤層１から
剥離させやすいように１０〜１０００μｍ程度の厚さが
好ましく、より好ましくは２０〜８０μｍ、最適には２
０〜４０μｍとされる。剥離性フィルム２の剥離容易性
を高めるために、この剥離性フィルム２の表面にシリコ
ーン離型剤やテフロン離型剤等を付着させるなどの処理
を施してもよい。
が、一般的には、接着剤層１から剥離しやすく、かつ接
着剤中に含まれる溶剤に対する耐性が高いポリエステ
ル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレ
フタレート、テフロン、ポリイミドなどの材質が好まし
い。特にポリエチレンテレフタレートであると、価格が
安く、しかも信頼性が高いために好ましい。また、剥離
性フィルム２の厚さは限定されないが、接着剤層１から
剥離させやすいように１０〜１０００μｍ程度の厚さが
好ましく、より好ましくは２０〜８０μｍ、最適には２
０〜４０μｍとされる。剥離性フィルム２の剥離容易性
を高めるために、この剥離性フィルム２の表面にシリコ
ーン離型剤やテフロン離型剤等を付着させるなどの処理
を施してもよい。
【００２０】上記のような接着テープを製造する方法は
限定されないが、例えば、まず剥離性フィルム２上に溶
剤を含む液状の接着剤を塗布し、これを乾燥させて接着
剤層を形成した上、もう一方の剥離性フィルム２を接着
剤層上に重ねて加圧しながら、接着剤が完全には硬化し
ない条件で加熱して接合させる。前記乾燥の条件は限定
されないが、本発明の組成の場合、１００〜１８０℃程
度の温度で数分から１５分間程度乾燥することが好まし
い。また、剥離性フィルム２の接合条件も限定されない
が、１００〜１８０℃程度の温度で接合することが好ま
しい。
限定されないが、例えば、まず剥離性フィルム２上に溶
剤を含む液状の接着剤を塗布し、これを乾燥させて接着
剤層を形成した上、もう一方の剥離性フィルム２を接着
剤層上に重ねて加圧しながら、接着剤が完全には硬化し
ない条件で加熱して接合させる。前記乾燥の条件は限定
されないが、本発明の組成の場合、１００〜１８０℃程
度の温度で数分から１５分間程度乾燥することが好まし
い。また、剥離性フィルム２の接合条件も限定されない
が、１００〜１８０℃程度の温度で接合することが好ま
しい。
【００２１】上記の製造方法によると、接着剤層１の厚
さは１回の接着剤塗布で形成し得る厚さとなるが、より
厚い接着剤層１を形成するには、２枚の剥離性フィルム
２上にそれぞれ、溶剤を含む液状の接着剤を塗布し乾燥
させた上、形成された接着剤層同士を重ねて加圧しなが
ら接着剤層１が完全には硬化しない条件で加熱し、接着
剤層同士を接合させればよい。この場合、接着剤層１の
厚さを、１回の接着剤塗布で形成し得る厚さの２倍にす
ることが可能である。同様に、２倍の厚さの接着剤層を
形成した接着テープを２枚用意し、それぞれの剥離性フ
ィルム２の片方を剥離させた後、露出した接着剤層同士
を前記同様に接合して４倍の厚さの接着剤層１を形成す
ることもできる。この方法を組み合わせれば、任意の厚
さを有しかつ厚さばらつきの少ない接着剤層１を容易に
形成できる。
さは１回の接着剤塗布で形成し得る厚さとなるが、より
厚い接着剤層１を形成するには、２枚の剥離性フィルム
２上にそれぞれ、溶剤を含む液状の接着剤を塗布し乾燥
させた上、形成された接着剤層同士を重ねて加圧しなが
ら接着剤層１が完全には硬化しない条件で加熱し、接着
剤層同士を接合させればよい。この場合、接着剤層１の
厚さを、１回の接着剤塗布で形成し得る厚さの２倍にす
ることが可能である。同様に、２倍の厚さの接着剤層を
形成した接着テープを２枚用意し、それぞれの剥離性フ
ィルム２の片方を剥離させた後、露出した接着剤層同士
を前記同様に接合して４倍の厚さの接着剤層１を形成す
ることもできる。この方法を組み合わせれば、任意の厚
さを有しかつ厚さばらつきの少ない接着剤層１を容易に
形成できる。
【００２２】一方、上記のような接着テープを使用する
には、まず一方の剥離性フィルム２を剥がした後、第１
の被接着物に接着剤層１を当接させ、接着剤層１を加圧
しながら完全には硬化しない条件で加熱し、接着剤層１
を第１の被接着物に仮接着する。完全に硬化しない仮接
着温度は限定されないが、本発明の接着剤組成の場合、
１００〜１８０℃程度の温度であることが好ましく、よ
り好ましくは１００〜１４０℃程度である。
には、まず一方の剥離性フィルム２を剥がした後、第１
の被接着物に接着剤層１を当接させ、接着剤層１を加圧
しながら完全には硬化しない条件で加熱し、接着剤層１
を第１の被接着物に仮接着する。完全に硬化しない仮接
着温度は限定されないが、本発明の接着剤組成の場合、
１００〜１８０℃程度の温度であることが好ましく、よ
り好ましくは１００〜１４０℃程度である。
【００２３】次に、他方の剥離性フィルム２を剥がし、
ここに第２の被接着物を当接させた後、接着剤層１を圧
着しながら完全硬化条件で加熱し、接着剤層１を硬化さ
せる。これにより、第１および第２の被接着物は相互に
接着剤層１によって接着される。硬化温度は限定されな
いが、本発明の接着剤組成の場合、１００〜１８０℃程
度の温度であることが好ましく、より好ましくは１００
〜１４０℃程度である。また、硬化時に接着剤層１に加
える圧力は限定されないが、好ましくは１０〜３０００
０ｇ／ｍｍ2程度であり、より好ましくは１００〜５０
００ｇ／ｍｍ2程度である。
ここに第２の被接着物を当接させた後、接着剤層１を圧
着しながら完全硬化条件で加熱し、接着剤層１を硬化さ
せる。これにより、第１および第２の被接着物は相互に
接着剤層１によって接着される。硬化温度は限定されな
いが、本発明の接着剤組成の場合、１００〜１８０℃程
度の温度であることが好ましく、より好ましくは１００
〜１４０℃程度である。また、硬化時に接着剤層１に加
える圧力は限定されないが、好ましくは１０〜３０００
０ｇ／ｍｍ2程度であり、より好ましくは１００〜５０
００ｇ／ｍｍ2程度である。
【００２４】本発明に係る接着テープでは、接着剤層１
がゴム成分を含有して弾性に富むので、この硬化過程で
接着剤層１が収縮しようとしてもそれ自身の弾性で応力
が緩和される。また、加熱硬化およびその後の冷却の際
に、第１および第２の被接着物の間に膨張率および収縮
率の相違があったとしても、それによって生じる応力を
接着剤層１の弾性変形によって緩和することができるの
である。
がゴム成分を含有して弾性に富むので、この硬化過程で
接着剤層１が収縮しようとしてもそれ自身の弾性で応力
が緩和される。また、加熱硬化およびその後の冷却の際
に、第１および第２の被接着物の間に膨張率および収縮
率の相違があったとしても、それによって生じる応力を
接着剤層１の弾性変形によって緩和することができるの
である。
【００２５】さらに、本発明に係る接着テープでは、接
着剤層１を加熱硬化させる際に生じたラジカル、および
接着後の製品が高温に曝された際に生じたラジカルを、
接着剤層１に含まれる耐熱性の高いフェノール系抗酸化
剤が高温下においても効果的に吸収するので、酸化に弱
いゴム系成分の酸化を抑制することができ、よって長期
間に亘って接着剤層１の応力緩和効果を持続させること
が可能である。
着剤層１を加熱硬化させる際に生じたラジカル、および
接着後の製品が高温に曝された際に生じたラジカルを、
接着剤層１に含まれる耐熱性の高いフェノール系抗酸化
剤が高温下においても効果的に吸収するので、酸化に弱
いゴム系成分の酸化を抑制することができ、よって長期
間に亘って接着剤層１の応力緩和効果を持続させること
が可能である。
【００２６】また、液状接着剤と異なり、本発明の接着
テープは接着時の乾燥工程が不必要であるから作業時間
が短縮できるし、溶剤を含まないから被接着物を溶かす
おそれが無く、被接着物の種類を選ばない。また、液状
であると溶剤の揮発による発泡が生じやすいが、本発明
では接着剤層１が半硬化状態であるから発泡しにくい。
さらに、接着剤層の厚さを均一かつ厚くすることがで
き、保存も容易であるという利点を有する。
テープは接着時の乾燥工程が不必要であるから作業時間
が短縮できるし、溶剤を含まないから被接着物を溶かす
おそれが無く、被接着物の種類を選ばない。また、液状
であると溶剤の揮発による発泡が生じやすいが、本発明
では接着剤層１が半硬化状態であるから発泡しにくい。
さらに、接着剤層の厚さを均一かつ厚くすることがで
き、保存も容易であるという利点を有する。
【００２７】［第二実施形態］図２は、本発明に係る接
着テープの第二実施形態を示している。この第二実施形
態では、耐熱性フィルム４の両面にそれぞれ接着剤層１
を形成し、さらに剥離性フィルム２を剥離可能に固定し
たものである。このように接着剤層１の厚さ方向の中心
に耐熱性フィルム４を設けると、被接着物の間の絶縁性
を必要に応じて高めることが可能である。
着テープの第二実施形態を示している。この第二実施形
態では、耐熱性フィルム４の両面にそれぞれ接着剤層１
を形成し、さらに剥離性フィルム２を剥離可能に固定し
たものである。このように接着剤層１の厚さ方向の中心
に耐熱性フィルム４を設けると、被接着物の間の絶縁性
を必要に応じて高めることが可能である。
【００２８】耐熱性フィルム４の材質は、絶縁性、誘電
率ε、誘電損失係数ｔａｎδ、耐電圧等の電気特性や熱
伝導率等を考慮したうえで決定すべきであるが、接着剤
層１を加熱硬化させるために１５０℃以上の耐熱温度を
有するプラスチックであることが好ましい。１５０℃以
上の耐熱性を有する絶縁性フィルムとしては、例えば、
フッ素樹脂（フロロエチレン−プロピレン共重合体
等）、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルケトン、
セルローストリアセテート、シリコーンゴム、ポリイミ
ド等があげられ、その中でも特に、ポリイミドが好まし
い。ポリイミドフィルムとしては、例えば、「カプト
ン」（東レ・デュポン社製）、「アピカル」（鐘淵化学
工業社製）、「ユーピレックス」（宇部興産社製）等の
商品名で販売されているフィルムが例示できる。
率ε、誘電損失係数ｔａｎδ、耐電圧等の電気特性や熱
伝導率等を考慮したうえで決定すべきであるが、接着剤
層１を加熱硬化させるために１５０℃以上の耐熱温度を
有するプラスチックであることが好ましい。１５０℃以
上の耐熱性を有する絶縁性フィルムとしては、例えば、
フッ素樹脂（フロロエチレン−プロピレン共重合体
等）、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルケトン、
セルローストリアセテート、シリコーンゴム、ポリイミ
ド等があげられ、その中でも特に、ポリイミドが好まし
い。ポリイミドフィルムとしては、例えば、「カプト
ン」（東レ・デュポン社製）、「アピカル」（鐘淵化学
工業社製）、「ユーピレックス」（宇部興産社製）等の
商品名で販売されているフィルムが例示できる。
【００２９】耐熱性フィルム４の厚さは限定されない
が、一般的な接着テープとしては１５〜５００μｍの範
囲が好ましい。この範囲であれば、熱伝導性および接着
剤層１への接合強度と、機械的強度、耐電圧および耐久
性（耐疲労性）とのバランスがよい。より好ましくは、
１５〜１５０μｍの範囲とされる。他の構成は前記第一
実施形態と同様でよい。
が、一般的な接着テープとしては１５〜５００μｍの範
囲が好ましい。この範囲であれば、熱伝導性および接着
剤層１への接合強度と、機械的強度、耐電圧および耐久
性（耐疲労性）とのバランスがよい。より好ましくは、
１５〜１５０μｍの範囲とされる。他の構成は前記第一
実施形態と同様でよい。
【００３０】［第三実施形態］図３は、接着テープの第
三実施形態を示している。この実施形態では、金属箔
（または金属板）６の両面にそれぞれ接着剤層１を形成
し、さらにその外側に剥離性フィルム２を剥離可能に固
定したものである。このように接着剤層１の厚さ方向の
中心に金属箔６を設けると、被接着物相互間の熱伝導性
を高めることができるうえ、電磁波シールド性を得るこ
とも可能である。また、金属箔６を導電体として配線に
使用したり、アースとして使用するなどの方法も可能で
ある。
三実施形態を示している。この実施形態では、金属箔
（または金属板）６の両面にそれぞれ接着剤層１を形成
し、さらにその外側に剥離性フィルム２を剥離可能に固
定したものである。このように接着剤層１の厚さ方向の
中心に金属箔６を設けると、被接着物相互間の熱伝導性
を高めることができるうえ、電磁波シールド性を得るこ
とも可能である。また、金属箔６を導電体として配線に
使用したり、アースとして使用するなどの方法も可能で
ある。
【００３１】金属箔６の材質は限定されないが、例え
ば、銅、アルミニウム、錫、亜鉛、およびそれらの合
金、ステンレス鋼、鉄または鉄合金（例えば４２アロ
イ）などが使用できる。この中でも特に、銅、銅合金、
アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼は熱伝
導率が良好であるために放熱体などの接着用途に好適で
ある。さらに、銅および銅合金は、エッチング性が良好
であるため、金属箔を接着して回路パターンを形成する
場合などに好適である。
ば、銅、アルミニウム、錫、亜鉛、およびそれらの合
金、ステンレス鋼、鉄または鉄合金（例えば４２アロ
イ）などが使用できる。この中でも特に、銅、銅合金、
アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス鋼は熱伝
導率が良好であるために放熱体などの接着用途に好適で
ある。さらに、銅および銅合金は、エッチング性が良好
であるため、金属箔を接着して回路パターンを形成する
場合などに好適である。
【００３２】金属箔６の厚さは限定されないが、例え
ば、一般的な絶縁接着テープとしては３〜１００００μ
ｍの範囲が好ましい。この範囲であれば機械的強度を有
する支持体として使用できる。より好ましくは、１０〜
２００μｍの範囲とされる。他の構成は第一実施形態と
同様でよい。また、必要に応じて、金属箔６の少なくと
も片面にはめっきがされていてもよい。さらに、金属箔
６による放熱性を高めつつ絶縁性を確保する必要がある
場合には、金属箔６の表面にアルミナ等の金属酸化物や
金属窒化物などを形成してもよい。アルマイト処理をし
た金属箔６を使用すれば、接着剤層との接合性も良好で
ある。
ば、一般的な絶縁接着テープとしては３〜１００００μ
ｍの範囲が好ましい。この範囲であれば機械的強度を有
する支持体として使用できる。より好ましくは、１０〜
２００μｍの範囲とされる。他の構成は第一実施形態と
同様でよい。また、必要に応じて、金属箔６の少なくと
も片面にはめっきがされていてもよい。さらに、金属箔
６による放熱性を高めつつ絶縁性を確保する必要がある
場合には、金属箔６の表面にアルミナ等の金属酸化物や
金属窒化物などを形成してもよい。アルマイト処理をし
た金属箔６を使用すれば、接着剤層との接合性も良好で
ある。
【００３３】［第四実施形態］図４は本発明の第四実施
形態を示し、この実施形態は、金属箔（または金属板）
６の片面に接着剤層１を形成し、その外側に剥離性フィ
ルム２を剥離可能に固定したものである。この接着テー
プでは、例えば金属箔６を厚くしておき、半導体素子の
ヒートシンクや金属基板として直接使用することも可能
である。
形態を示し、この実施形態は、金属箔（または金属板）
６の片面に接着剤層１を形成し、その外側に剥離性フィ
ルム２を剥離可能に固定したものである。この接着テー
プでは、例えば金属箔６を厚くしておき、半導体素子の
ヒートシンクや金属基板として直接使用することも可能
である。
【００３４】また、この場合には、金属箔６に小さな貫
通孔を多数配列して形成しておくことにより、接着剤か
ら僅かに発生するガスを放出させることが可能である。
ガス抜き孔の径は限定されないが、２００μｍ〜３ｍｍ
程度が好ましく、より好ましくは２００μｍ〜１ｍｍ程
度とされる。
通孔を多数配列して形成しておくことにより、接着剤か
ら僅かに発生するガスを放出させることが可能である。
ガス抜き孔の径は限定されないが、２００μｍ〜３ｍｍ
程度が好ましく、より好ましくは２００μｍ〜１ｍｍ程
度とされる。
【００３５】次に、本発明の接着テープの使用方法を例
を挙げて説明する。なお、図１〜図４の接着テープのい
ずれも、これら半導体素子の製造に使用できることは勿
論である。
を挙げて説明する。なお、図１〜図４の接着テープのい
ずれも、これら半導体素子の製造に使用できることは勿
論である。
【００３６】図５は本発明の接着テープを使用して作製
した半導体素子であり、金属板１４の上面に、接着剤層
１２を介して、半導体チップ１０およびリードピン１６
が固定され、半導体チップ１０とリードピン１６との間
にボンディングワイヤ２０が固定された後、封止樹脂１
８が成形されることにより、パッケージが作製されてい
る。すなわち、この例では、半導体チップ１０と金属板
１４、および金属板１４とリードピン１６がそれぞれ本
発明に係る接着テープを用いて接着されている。
した半導体素子であり、金属板１４の上面に、接着剤層
１２を介して、半導体チップ１０およびリードピン１６
が固定され、半導体チップ１０とリードピン１６との間
にボンディングワイヤ２０が固定された後、封止樹脂１
８が成形されることにより、パッケージが作製されてい
る。すなわち、この例では、半導体チップ１０と金属板
１４、および金属板１４とリードピン１６がそれぞれ本
発明に係る接着テープを用いて接着されている。
【００３７】これらの接着を行うには、まず、接着テー
プから一方の剥離性フィルム２を剥がし、接着剤層１を
金属板１４に当接させて、接着剤層１を硬化させない条
件で加圧および加熱し、金属板１４に仮接着する。次
に、もう一方の剥離性フィルム２を接着剤層１から剥離
させ、その上に半導体チップ１０、リードピン１６を配
置した上、それぞれ接着剤層１を硬化させない条件で加
圧および加熱し、仮固定を行う。さらに、加熱炉内に全
体をセットして接着剤層１２を硬化させ、接着が完了す
る。冷却後にボンディングワイヤ２０を配線して封止樹
脂１８をトランスファー成形すると、半導体素子が得ら
れる。各加熱の条件等は、前述したとおりである。
プから一方の剥離性フィルム２を剥がし、接着剤層１を
金属板１４に当接させて、接着剤層１を硬化させない条
件で加圧および加熱し、金属板１４に仮接着する。次
に、もう一方の剥離性フィルム２を接着剤層１から剥離
させ、その上に半導体チップ１０、リードピン１６を配
置した上、それぞれ接着剤層１を硬化させない条件で加
圧および加熱し、仮固定を行う。さらに、加熱炉内に全
体をセットして接着剤層１２を硬化させ、接着が完了す
る。冷却後にボンディングワイヤ２０を配線して封止樹
脂１８をトランスファー成形すると、半導体素子が得ら
れる。各加熱の条件等は、前述したとおりである。
【００３８】本発明の接着テープが適用できる半導体素
子の構造は図５のものに限られず、図６〜図８のような
構造も可能である。図６の半導体素子では、半導体チッ
プ１０は金属板１４に対して銀ペースト等のペーストを
介してギャングボンディングなどの手法により接合され
ており、リードピン１６と金属板１４のみが接着剤層１
２により接合されている。この場合には、予め四角い枠
状をなすように接着テープを打ち抜いた上で、接着に供
すればよい。
子の構造は図５のものに限られず、図６〜図８のような
構造も可能である。図６の半導体素子では、半導体チッ
プ１０は金属板１４に対して銀ペースト等のペーストを
介してギャングボンディングなどの手法により接合され
ており、リードピン１６と金属板１４のみが接着剤層１
２により接合されている。この場合には、予め四角い枠
状をなすように接着テープを打ち抜いた上で、接着に供
すればよい。
【００３９】図７の半導体素子では、半導体チップ１０
がリードピン１６のインナーリード部分の下側に接着剤
層１２を介して接着されており、半導体チップ１０の上
面とリードピン１６とがボンディングワイヤ２０により
接続されている。この場合にも、予め四角い枠状をなす
ように接着テープを打ち抜いた上で、接着に供すればよ
い。
がリードピン１６のインナーリード部分の下側に接着剤
層１２を介して接着されており、半導体チップ１０の上
面とリードピン１６とがボンディングワイヤ２０により
接続されている。この場合にも、予め四角い枠状をなす
ように接着テープを打ち抜いた上で、接着に供すればよ
い。
【００４０】図８の半導体素子では、ダイパット２４の
中央上面に半導体チップ１０が銀ペースト等のペースト
を介して接合される一方、ダイパット２４の周縁部には
接着剤層１２を介して多数の電極２２がそれぞれ接着さ
れ、リードピン１６のインナーリード部と電極２２との
間、および電極２２と半導体チップ１０との間がそれぞ
れボンディングワイヤ２０により接続されている。
中央上面に半導体チップ１０が銀ペースト等のペースト
を介して接合される一方、ダイパット２４の周縁部には
接着剤層１２を介して多数の電極２２がそれぞれ接着さ
れ、リードピン１６のインナーリード部と電極２２との
間、および電極２２と半導体チップ１０との間がそれぞ
れボンディングワイヤ２０により接続されている。
【００４１】以上、本発明の様々な実施形態を説明した
が、本発明はこれら実施形態のみに限定されるものでは
なく、各実施形態の各構成要素を適宜取捨選択して組み
合わせてもよいし、さらには、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲で他の構成を加えてもよい。
が、本発明はこれら実施形態のみに限定されるものでは
なく、各実施形態の各構成要素を適宜取捨選択して組み
合わせてもよいし、さらには、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲で他の構成を加えてもよい。
【００４２】
【実施例】［実施例１］両末端にピペラジニルエチルア
ミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の８０
重量部を、トルエン／メチルエチルケトン混合液（１：
１）に溶解し、その溶解液に、下式（Ｉ）で示されるマ
レイミド化合物２０重量部、ラウロイルペロキシド（La
uroyl peroxide／日本油脂社製）０．１重量部、および
ヒンダードフェノール系抗酸化剤であるテトラキス［メ
チレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ（ジ
ハイドロシンナメート）］メタン（アデカスタブ ＡＯ
−６０、旭電化工業社製）を３重量部混合し、テトラヒ
ドロフランに溶解し、固形分率４０重量％の液状接着剤
を調製した。
ミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジエ
ン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の８０
重量部を、トルエン／メチルエチルケトン混合液（１：
１）に溶解し、その溶解液に、下式（Ｉ）で示されるマ
レイミド化合物２０重量部、ラウロイルペロキシド（La
uroyl peroxide／日本油脂社製）０．１重量部、および
ヒンダードフェノール系抗酸化剤であるテトラキス［メ
チレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ（ジ
ハイドロシンナメート）］メタン（アデカスタブ ＡＯ
−６０、旭電化工業社製）を３重量部混合し、テトラヒ
ドロフランに溶解し、固形分率４０重量％の液状接着剤
を調製した。
【００４３】
【化１】
【００４４】次に、シリコーン離型処理を施した厚さ３
７μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面
に、乾燥後の厚さが２０μｍになるように前記接着剤を
塗布したうえ、熱風循環型乾燥機を用いて１２０℃×５
分間の条件で乾燥させて、接着テープとした。
７μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの両面
に、乾燥後の厚さが２０μｍになるように前記接着剤を
塗布したうえ、熱風循環型乾燥機を用いて１２０℃×５
分間の条件で乾燥させて、接着テープとした。
【００４５】［実施例２］両末端にピペラジニルエチル
アミノカルボニル基を有するアクリロニトリルーブタジ
エン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の５０
重量部を、下式（ＩＩ）で示される両末端にピペラジニ
ルエチルアミノカルボニル基を有するアクリロニトリル
ーブタジエン共重合体（ｍ＝８０、ｎ＝２０、重量平均
分子量１００００、アクリロニトリル含有量２０％）の
３０重量部と混合し、トルエン／メチルエチルケトン混
合液（１：１）に溶解し、その溶解液に、前記式（Ｉ）
で示されるマレイミド化合物２０重量部、ラウロイルペ
ロキシド（日本油脂社製）０．１重量部、およびテトラ
キス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ（ジハイドロシンナメート）］メタン（アデカスタ
ブ ＡＯ−６０、旭電化工業社製）を３重量部混合し、
テトラヒドロフランに溶解し、固形分率４０重量％の液
状接着剤を調製した。そして、この液状接着剤を用い
て、実施例１と同様に接着テープを作製した。
アミノカルボニル基を有するアクリロニトリルーブタジ
エン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の５０
重量部を、下式（ＩＩ）で示される両末端にピペラジニ
ルエチルアミノカルボニル基を有するアクリロニトリル
ーブタジエン共重合体（ｍ＝８０、ｎ＝２０、重量平均
分子量１００００、アクリロニトリル含有量２０％）の
３０重量部と混合し、トルエン／メチルエチルケトン混
合液（１：１）に溶解し、その溶解液に、前記式（Ｉ）
で示されるマレイミド化合物２０重量部、ラウロイルペ
ロキシド（日本油脂社製）０．１重量部、およびテトラ
キス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロ
キシ（ジハイドロシンナメート）］メタン（アデカスタ
ブ ＡＯ−６０、旭電化工業社製）を３重量部混合し、
テトラヒドロフランに溶解し、固形分率４０重量％の液
状接着剤を調製した。そして、この液状接着剤を用い
て、実施例１と同様に接着テープを作製した。
【００４６】
【化２】
【００４７】［実施例３］実施例１で使用したテトラキ
ス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ（ジハイドロシンナメート）］メタンを、１，３，５
−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）−ｓ−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３
Ｈ，５Ｈ）トリオン（旭電化工業社製「アデカスタブ
ＡＯ−２０」）に変更した点以外は、実施例１と同様に
して液状接着剤を調製し、この液状接着剤を用いて、実
施例１と同様に接着テープを作製した。
ス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ（ジハイドロシンナメート）］メタンを、１，３，５
−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベ
ンジル）−ｓ−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３
Ｈ，５Ｈ）トリオン（旭電化工業社製「アデカスタブ
ＡＯ−２０」）に変更した点以外は、実施例１と同様に
して液状接着剤を調製し、この液状接着剤を用いて、実
施例１と同様に接着テープを作製した。
【００４８】［実施例４］実施例１で使用したテトラキ
ス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ（ジハイドロシンナメート）］メタンを、１，３，５
−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン（旭電化工
業社製「アデカスタブ ＡＯ−３３０」）に変更した点
以外は、前記実施例１と同様にして液状接着剤を調製
し、この液状接着剤を用いて、実施例１と同様に接着テ
ープを作製した。
ス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ（ジハイドロシンナメート）］メタンを、１，３，５
−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−
ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン（旭電化工
業社製「アデカスタブ ＡＯ−３３０」）に変更した点
以外は、前記実施例１と同様にして液状接着剤を調製
し、この液状接着剤を用いて、実施例１と同様に接着テ
ープを作製した。
【００４９】［実施例５］実施例１で使用したテトラキ
ス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ（ジハイドロシンナメート）］メタンの添加量を、３
重量部から７重量部に変えた点以外は、実施例１と同様
にして液状接着剤を調製し、この液状接着剤を用いて、
実施例１と同様に接着テープを作製した。
ス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ（ジハイドロシンナメート）］メタンの添加量を、３
重量部から７重量部に変えた点以外は、実施例１と同様
にして液状接着剤を調製し、この液状接着剤を用いて、
実施例１と同様に接着テープを作製した。
【００５０】［実施例６］実施例１で使用したマレイミ
ド化合物を、下式（ＩＩＩ）で示されるマレイミド化合
物に変えた点以外は、実施例１と同様にして液状接着剤
を調製し、この液状接着剤を用いて、実施例１と同様に
接着テープを作製した。なお、下式におけるＰは０〜７
の整数である。
ド化合物を、下式（ＩＩＩ）で示されるマレイミド化合
物に変えた点以外は、実施例１と同様にして液状接着剤
を調製し、この液状接着剤を用いて、実施例１と同様に
接着テープを作製した。なお、下式におけるＰは０〜７
の整数である。
【００５１】
【化３】
【００５２】［実施例７］両末端にピペラジニルエチル
アミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジ
エン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の４０
重量部と、両末端にビニル基を有するアクリロニトリル
−ブタジエン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar
ＶＴＢＮ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均
分子量３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）
の４０重量部とを、トルエン／メチルエチルケトン混合
液（１：１）に溶解し、その溶解液に、前記式（Ｉ）で
示されるマレイミド化合物２０重量部、α−α’ビス(t
-ブチルペロキシ-m-イソプロピル)ベンゼン（日本油脂
社製）０．１重量部、およびテトラキス［メチレン
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ（ジハイド
ロシンナメート）］メタン（アデカスタブ ＡＯ−６
０、旭電化工業社製）を１重量部混合し、テトラヒドロ
フランに溶解し、固形分率４０重量％の液状接着剤を調
製した。そして、この液状接着剤を用いて、実施例１と
同様に接着テープを作製した。
アミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジ
エン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の４０
重量部と、両末端にビニル基を有するアクリロニトリル
−ブタジエン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar
ＶＴＢＮ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均
分子量３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）
の４０重量部とを、トルエン／メチルエチルケトン混合
液（１：１）に溶解し、その溶解液に、前記式（Ｉ）で
示されるマレイミド化合物２０重量部、α−α’ビス(t
-ブチルペロキシ-m-イソプロピル)ベンゼン（日本油脂
社製）０．１重量部、およびテトラキス［メチレン
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ（ジハイド
ロシンナメート）］メタン（アデカスタブ ＡＯ−６
０、旭電化工業社製）を１重量部混合し、テトラヒドロ
フランに溶解し、固形分率４０重量％の液状接着剤を調
製した。そして、この液状接着剤を用いて、実施例１と
同様に接着テープを作製した。
【００５３】［実施例８］実施例７で使用した、ビニル
基を有するアクリロニトリル−ブタジエン共重合体（宇
部興産株式会社製「Hycar ＶＴＢＮ」）の代わりに、
両末端にカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＣＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝２．７、ｎ＝１、重量平均分子量３５０
０、アクリロニトリル含有量１６．５％）の４０重量部
を使用した点以外は実施例７と同様にして接着剤を調製
し、この液状接着剤を用いて、実施例１と同様に接着テ
ープを作製した。
基を有するアクリロニトリル−ブタジエン共重合体（宇
部興産株式会社製「Hycar ＶＴＢＮ」）の代わりに、
両末端にカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＣＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝２．７、ｎ＝１、重量平均分子量３５０
０、アクリロニトリル含有量１６．５％）の４０重量部
を使用した点以外は実施例７と同様にして接着剤を調製
し、この液状接着剤を用いて、実施例１と同様に接着テ
ープを作製した。
【００５４】［実施例９］両末端にピペラジニルエチル
アミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジ
エン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の７０
重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂(油化シェ
ルエポキシ社製「Epicoto 828」の１０重量部とを、ト
ルエン／メチルエチルケトン混合液（１：１）に溶解
し、その溶解液に、前記式（Ｉ）で示されるマレイミド
化合物２０重量部、α−α’ビス(t-ブチルペロキシ-m-
イソプロピル)ベンゼン（日本油脂社製）０．１重量
部、ジシアンジアミド０．３重量部、およびテトラキス
［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
（ジハイドロシンナメート）］メタン（旭電化工業社製
「アデカスタブ ＡＯ−６０」）を３重量部混合し、テ
トラヒドロフランに溶解し、固形分率４０重量％の液状
接着剤を調製した。そして、この液状接着剤を用いて、
実施例１と同様に接着テープを作製した。
アミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタジ
エン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の７０
重量部と、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂(油化シェ
ルエポキシ社製「Epicoto 828」の１０重量部とを、ト
ルエン／メチルエチルケトン混合液（１：１）に溶解
し、その溶解液に、前記式（Ｉ）で示されるマレイミド
化合物２０重量部、α−α’ビス(t-ブチルペロキシ-m-
イソプロピル)ベンゼン（日本油脂社製）０．１重量
部、ジシアンジアミド０．３重量部、およびテトラキス
［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
（ジハイドロシンナメート）］メタン（旭電化工業社製
「アデカスタブ ＡＯ−６０」）を３重量部混合し、テ
トラヒドロフランに溶解し、固形分率４０重量％の液状
接着剤を調製した。そして、この液状接着剤を用いて、
実施例１と同様に接着テープを作製した。
【００５５】［実施例１０］ブタジエン−アクリロニト
リル共重合体（重量平均分子量２５０，０００、アクリ
ロニトリル含有量２７％）の１００重量部、ｐ−ｔ−ブ
チルフェノール型レゾールフェノール樹脂（昭和高分子
社製「ＣＫＭ−１２８２」）の２０重量部、ノボラック
エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＯＣＮ−１０２０」）
の２０重量部、前記式（Ｉ）で示されるマレイミド化合
物の２５重量部、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの５重量
部、α−α’−ビス(t-ブチルペロキシ-m-イソプロピ
ル)ベンゼン（日本油脂社製）の０．１重量部、および
テトラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ（ジハイドロシンナメート）］メタン（旭電
化工業社製「アデカスタブＡＯ−６０」）を３重量部混
合し、テトラヒドロフランに溶解し、固形分率３０重量
％の液状接着剤を調製した。そして、この液状接着剤を
用いて、実施例１と同様に接着テープを作製した。
リル共重合体（重量平均分子量２５０，０００、アクリ
ロニトリル含有量２７％）の１００重量部、ｐ−ｔ−ブ
チルフェノール型レゾールフェノール樹脂（昭和高分子
社製「ＣＫＭ−１２８２」）の２０重量部、ノボラック
エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＥＯＣＮ−１０２０」）
の２０重量部、前記式（Ｉ）で示されるマレイミド化合
物の２５重量部、１，３−ビス（３−アミノプロピル）
−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの５重量
部、α−α’−ビス(t-ブチルペロキシ-m-イソプロピ
ル)ベンゼン（日本油脂社製）の０．１重量部、および
テトラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ（ジハイドロシンナメート）］メタン（旭電
化工業社製「アデカスタブＡＯ−６０」）を３重量部混
合し、テトラヒドロフランに溶解し、固形分率３０重量
％の液状接着剤を調製した。そして、この液状接着剤を
用いて、実施例１と同様に接着テープを作製した。
【００５６】［実施例１１］両末端にピペラジニルエチ
ルアミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の６０
重量部を、トルエン／メチルエチルケトン混合液（１：
１）に溶解し、その溶解液に、前記式（Ｉ）で示される
マレイミド化合物の４０重量部と、ラウロイルペロキシ
ド（日本油脂社製）の０．１重量部と、テトラキス［メ
チレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ（ジ
ハイドロシンナメート）］メタン（旭電化工業社製「ア
デカスタブ ＡＯ−６０」）の３重量部と、平均粒径５
μｍの球状アルミナフィラーの２５重量部とを混合し、
テトラヒドロフランに溶解し、固形分率４０重量％の液
状接着剤を調製した。そして、この液状接着剤を用い
て、実施例１と同様に接着テープを作製した。
ルアミノカルボニル基を有するアクリロニトリル−ブタ
ジエン共重合体（宇部興産株式会社製「Hycar ＡＴＢ
Ｎ」）（ｍ＝８３．５、ｎ＝１６．５、重量平均分子量
３６００、アクリロニトリル含有量１６．５％）の６０
重量部を、トルエン／メチルエチルケトン混合液（１：
１）に溶解し、その溶解液に、前記式（Ｉ）で示される
マレイミド化合物の４０重量部と、ラウロイルペロキシ
ド（日本油脂社製）の０．１重量部と、テトラキス［メ
チレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ（ジ
ハイドロシンナメート）］メタン（旭電化工業社製「ア
デカスタブ ＡＯ−６０」）の３重量部と、平均粒径５
μｍの球状アルミナフィラーの２５重量部とを混合し、
テトラヒドロフランに溶解し、固形分率４０重量％の液
状接着剤を調製した。そして、この液状接着剤を用い
て、実施例１と同様に接着テープを作製した。
【００５７】［実施例１２］実施例１の接着テープを２
枚用意し、接着層同士を貼り合わせ、１００℃のラミネ
ート装置により接合し、一方のフィルムを剥離させて、
厚さ４０μｍの接着層を有する接着テープを作製した。
枚用意し、接着層同士を貼り合わせ、１００℃のラミネ
ート装置により接合し、一方のフィルムを剥離させて、
厚さ４０μｍの接着層を有する接着テープを作製した。
【００５８】［比較例１］実施例１で使用しているテト
ラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ（ジハイドロシンナメート）］メタンを使用しな
い点以外は、実施例１と同様に固形分率４０重量％の接
着剤を調製した。そして、この液状接着剤を用いて、実
施例１と同様に接着テープを作製した。
ラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ（ジハイドロシンナメート）］メタンを使用しな
い点以外は、実施例１と同様に固形分率４０重量％の接
着剤を調製した。そして、この液状接着剤を用いて、実
施例１と同様に接着テープを作製した。
【００５９】［比較例２］実施例１で使用しているテト
ラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ（ジハイドロシンナメート）］メタンの代わり
に、Ｌ−アスコルビン酸を使用した点以外は、実施例１
と同様に固形分率４０重量％の接着剤を調製した。そし
て、この液状接着剤を用いて、実施例１と同様に接着テ
ープを作製した。
ラキス［メチレン（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒド
ロキシ（ジハイドロシンナメート）］メタンの代わり
に、Ｌ−アスコルビン酸を使用した点以外は、実施例１
と同様に固形分率４０重量％の接着剤を調製した。そし
て、この液状接着剤を用いて、実施例１と同様に接着テ
ープを作製した。
【００６０】［比較例３］エポキシアクリレート（日本
化薬社製「Ｒ−５５１」）の１００重量部と、過酸化ベ
ンゾイルの１重量部とを、トルエン／メチルエチルケト
ン混合液（１：１）に溶解し、固形分率４０％の接着剤
を調製した。そして、この液状接着剤を用いて、実施例
１と同様に接着テープを作製した。
化薬社製「Ｒ−５５１」）の１００重量部と、過酸化ベ
ンゾイルの１重量部とを、トルエン／メチルエチルケト
ン混合液（１：１）に溶解し、固形分率４０％の接着剤
を調製した。そして、この液状接着剤を用いて、実施例
１と同様に接着テープを作製した。
【００６１】［評価実験１］実施例１〜１２および比較
例１〜３の接着テープの接着剤層を硬化させた後の、接
着剤層のみの伸び率を測定した。まず、実施例１〜１２
および比較例１〜３の接着テープを、１８０℃で１時間
加熱して各接着剤層を硬化させたのち、両面の剥離性フ
ィルムを剥がし、これらから１０ｍｍ×１００ｍｍの矩
形片を切り出した。得られた硬化後の接着剤層を島津製
作所製万能引っ張り試験機「テンシロン」にセットし、
５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で伸ばしていき、接着剤層が断
裂する直前の伸び率を計測した。その結果を表１に示
す。
例１〜３の接着テープの接着剤層を硬化させた後の、接
着剤層のみの伸び率を測定した。まず、実施例１〜１２
および比較例１〜３の接着テープを、１８０℃で１時間
加熱して各接着剤層を硬化させたのち、両面の剥離性フ
ィルムを剥がし、これらから１０ｍｍ×１００ｍｍの矩
形片を切り出した。得られた硬化後の接着剤層を島津製
作所製万能引っ張り試験機「テンシロン」にセットし、
５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で伸ばしていき、接着剤層が断
裂する直前の伸び率を計測した。その結果を表１に示
す。
【００６２】
【表１】
【００６３】［評価実験２］実施例１〜１２および比較
例１〜３の接着テープからフィルムを剥がした上、接着
剤層のみを、７６ｍｍ×５２ｍｍ×０．９ｍｍのホウケ
イ酸ガラスと、７６ｍｍ×５２ｍｍ×５ｍｍのアルミニ
ウム板との間に挟み、ラミネート装置で貼り合わせたの
ち、１２０℃で２時間加熱して接着剤層を硬化させた。
常温に戻した後、ガラス面に発生した反りの深さ（μ
ｍ）をデジタル式深度顕微鏡で測定した。また、（反り
の深さ）／（ガラスの対角線長さ）を反り率（％）とし
て求めるとともに、接着剤層の厚さの最小値および最大
値（特に４隅に厚さばらつきが生じやすい）を計測し、
さらに、硬化した接着剤層中に発泡が生じているか否か
を調べた。結果を表１に併せて示す。
例１〜３の接着テープからフィルムを剥がした上、接着
剤層のみを、７６ｍｍ×５２ｍｍ×０．９ｍｍのホウケ
イ酸ガラスと、７６ｍｍ×５２ｍｍ×５ｍｍのアルミニ
ウム板との間に挟み、ラミネート装置で貼り合わせたの
ち、１２０℃で２時間加熱して接着剤層を硬化させた。
常温に戻した後、ガラス面に発生した反りの深さ（μ
ｍ）をデジタル式深度顕微鏡で測定した。また、（反り
の深さ）／（ガラスの対角線長さ）を反り率（％）とし
て求めるとともに、接着剤層の厚さの最小値および最大
値（特に４隅に厚さばらつきが生じやすい）を計測し、
さらに、硬化した接着剤層中に発泡が生じているか否か
を調べた。結果を表１に併せて示す。
【００６４】表１に記載された評価実験１の結果から明
らかなように、実施例１〜１２の接着テープから形成さ
れた接着剤層は比較例１〜３に比べて格段に伸び率が大
きく、弾性に富んでいた。また、評価実験２の結果から
明らかなように、実施例１〜１２の接着テープから形成
された接着剤層では、比較例１〜３に比べてガラス面に
生じる反りが小さかった。これは、アルミニウム板とガ
ラス板との加熱後の収縮率の差による反りを緩和する能
力が優れていること、および、接着剤層自体の体積変化
が小さいことによるものと考えられ、被接着物への応力
を軽減する観点から好ましい特性である。
らかなように、実施例１〜１２の接着テープから形成さ
れた接着剤層は比較例１〜３に比べて格段に伸び率が大
きく、弾性に富んでいた。また、評価実験２の結果から
明らかなように、実施例１〜１２の接着テープから形成
された接着剤層では、比較例１〜３に比べてガラス面に
生じる反りが小さかった。これは、アルミニウム板とガ
ラス板との加熱後の収縮率の差による反りを緩和する能
力が優れていること、および、接着剤層自体の体積変化
が小さいことによるものと考えられ、被接着物への応力
を軽減する観点から好ましい特性である。
【００６５】［評価実験３］評価実験２と同様に、実施
例１〜１２および比較例１〜３の接着テープからフィル
ムを剥がした上、接着剤層のみを、７６ｍｍ×５２ｍｍ
×０．９ｍｍのホウケイ酸ガラスと、７６ｍｍ×５２ｍ
ｍ×５ｍｍのアルミニウム板との間に挟み、ラミネート
装置で貼り合わせたのち、１８０℃で６時間加熱して、
常温に戻した後、ガラス面に発生した反りの深さ（μ
ｍ）をデジタル式深度顕微鏡で測定した。また、（反り
の深さ）／（ガラスの対角線長さ）を反り率（％）とし
て求めた。さらに、接着剤層の厚さの最小値および最大
値、硬化した接着剤層中に発泡が検出されるか否かを調
べた。その結果を表２に示す。
例１〜１２および比較例１〜３の接着テープからフィル
ムを剥がした上、接着剤層のみを、７６ｍｍ×５２ｍｍ
×０．９ｍｍのホウケイ酸ガラスと、７６ｍｍ×５２ｍ
ｍ×５ｍｍのアルミニウム板との間に挟み、ラミネート
装置で貼り合わせたのち、１８０℃で６時間加熱して、
常温に戻した後、ガラス面に発生した反りの深さ（μ
ｍ）をデジタル式深度顕微鏡で測定した。また、（反り
の深さ）／（ガラスの対角線長さ）を反り率（％）とし
て求めた。さらに、接着剤層の厚さの最小値および最大
値、硬化した接着剤層中に発泡が検出されるか否かを調
べた。その結果を表２に示す。
【００６６】
【表２】
【００６７】表２に記載された評価実験３の結果から明
らかなように、実施例１〜１２の接着テープから形成さ
れた接着剤層では、比較例１〜３に比べて、ガラス面に
生じる反りが小さかった。これは、ゴム成分のラジカル
酸化が防止されていることにより、アルミニウム板とガ
ラス板との加工後の収縮率に起因する反りを緩和する能
力が、熱劣化後も依然として優れていることを示してい
る。また、実施例１〜１２の接着テープから形成された
接着剤層では、加熱して常温に戻した状態で、比較例１
〜３に比べてガラス面に生じる反りの変化が小さかっ
た。この環境加速試験の結果により、長期に亘って応力
緩和効果が低下しないことが明らかである。
らかなように、実施例１〜１２の接着テープから形成さ
れた接着剤層では、比較例１〜３に比べて、ガラス面に
生じる反りが小さかった。これは、ゴム成分のラジカル
酸化が防止されていることにより、アルミニウム板とガ
ラス板との加工後の収縮率に起因する反りを緩和する能
力が、熱劣化後も依然として優れていることを示してい
る。また、実施例１〜１２の接着テープから形成された
接着剤層では、加熱して常温に戻した状態で、比較例１
〜３に比べてガラス面に生じる反りの変化が小さかっ
た。この環境加速試験の結果により、長期に亘って応力
緩和効果が低下しないことが明らかである。
【００６８】［比較例４］接着テープを利用する代わり
に、液状接着剤を使用してアルミニウム板とガラス板と
を接合した。他の条件は評価実験２と全く同じにした。
液状接着剤としては、実施例１の作製に使用した液状接
着剤（固形分率４０重量％）を使用し、ディスペンサー
で７６ｍｍ×５２ｍｍの面積になるように、かつ、硬化
後の接着剤層の厚さが２０μｍになるように塗布し、１
２０℃で５分間乾燥させた後、前記シリコンチップ上に
接着剤層を当接させ、評価実験３と同じ条件で接合し
た。この比較例４についても評価実験３と同じ検査を行
った。結果を併せて表２に示す。実施例１〜１２とは異
なり、発泡が確認された。
に、液状接着剤を使用してアルミニウム板とガラス板と
を接合した。他の条件は評価実験２と全く同じにした。
液状接着剤としては、実施例１の作製に使用した液状接
着剤（固形分率４０重量％）を使用し、ディスペンサー
で７６ｍｍ×５２ｍｍの面積になるように、かつ、硬化
後の接着剤層の厚さが２０μｍになるように塗布し、１
２０℃で５分間乾燥させた後、前記シリコンチップ上に
接着剤層を当接させ、評価実験３と同じ条件で接合し
た。この比較例４についても評価実験３と同じ検査を行
った。結果を併せて表２に示す。実施例１〜１２とは異
なり、発泡が確認された。
【００６９】［評価実験４］厚さ５００μｍの銅箔の片
面に、実施例１〜１２で使用した各接着剤を、乾燥後の
厚さが２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾燥機
で１２０℃×５分間加熱し、支持体を有する接着テープ
を作成した（剥離性フィルムは省略）。これら接着テー
プの接着剤層を銅製のリードフレームの下側に、温度１
３０℃、圧力４ｋｇ／ｍｍ2、１０秒間加圧の条件で貼
り合わせた。リードフレームのダイパッドに銀ペースト
を介してシリコンチップを搭載した後、１８０℃で６０
分加熱してダイパットヒートシュプレッダー（ＤＰＨ）
構造の半導体装置を作成した。
面に、実施例１〜１２で使用した各接着剤を、乾燥後の
厚さが２０μｍになるように塗布し、熱風循環型乾燥機
で１２０℃×５分間加熱し、支持体を有する接着テープ
を作成した（剥離性フィルムは省略）。これら接着テー
プの接着剤層を銅製のリードフレームの下側に、温度１
３０℃、圧力４ｋｇ／ｍｍ2、１０秒間加圧の条件で貼
り合わせた。リードフレームのダイパッドに銀ペースト
を介してシリコンチップを搭載した後、１８０℃で６０
分加熱してダイパットヒートシュプレッダー（ＤＰＨ）
構造の半導体装置を作成した。
【００７０】一方、実施例１の作製に使用した液状接着
剤（固形分率４０重量％）を使用し、ディスペンサーで
硬化後の接着剤層の厚さが２０μｍになるようにヒート
シンク中央に塗布し、１２０℃で５分間乾燥させた後、
前記シリコンチップ上に接着剤層を当接させ、１８０℃
で６０分間加熱して、ＤＰＨ構造の半導体装置を作成し
た。
剤（固形分率４０重量％）を使用し、ディスペンサーで
硬化後の接着剤層の厚さが２０μｍになるようにヒート
シンク中央に塗布し、１２０℃で５分間乾燥させた後、
前記シリコンチップ上に接着剤層を当接させ、１８０℃
で６０分間加熱して、ＤＰＨ構造の半導体装置を作成し
た。
【００７１】得られたＤＰＨ構造の半導体装置を切断し
て、リードピンの接着状態を観察した。その結果、実施
例１〜１２の半導体装置のリードピンは均一に平行状態
のままワイヤーボンディング不良もなく接着されていた
のに対し、比較例４のリードピンは、一部でリードピン
間が狭くなっており（リードピンの移動）、他の一部で
はリードピンが上下方向に不揃い（リードリフト）にな
っていた。
て、リードピンの接着状態を観察した。その結果、実施
例１〜１２の半導体装置のリードピンは均一に平行状態
のままワイヤーボンディング不良もなく接着されていた
のに対し、比較例４のリードピンは、一部でリードピン
間が狭くなっており（リードピンの移動）、他の一部で
はリードピンが上下方向に不揃い（リードリフト）にな
っていた。
【００７２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る接着
テープによれば、フェノール系抗酸化剤を含むゴム系接
着剤を用いているため、接着剤層を加熱処理して接着を
行う際に接着剤層が若干体積変化したとしても、接着剤
層の主組成物であるゴム成分が弾性により応力を緩和す
る。よって、被接着物に変形を生じたり、応力により接
着界面が剥離するなどの影響を低減できる。また、接着
剤層には耐熱性に優れたフェノール系抗酸化剤が含まれ
ているため、ゴム成分から発生するラジカルを高温下で
も効率よく吸収し、ゴム成分の酸化劣化を長期に亘って
防ぐことが可能である。これにより、接着剤層が高温に
曝される使用条件下においても、被接着物を歪ませた
り、接合界面に部分的剥離が生じたりすることが少な
く、信頼性の高い半導体素子などを製造することが可能
である。
テープによれば、フェノール系抗酸化剤を含むゴム系接
着剤を用いているため、接着剤層を加熱処理して接着を
行う際に接着剤層が若干体積変化したとしても、接着剤
層の主組成物であるゴム成分が弾性により応力を緩和す
る。よって、被接着物に変形を生じたり、応力により接
着界面が剥離するなどの影響を低減できる。また、接着
剤層には耐熱性に優れたフェノール系抗酸化剤が含まれ
ているため、ゴム成分から発生するラジカルを高温下で
も効率よく吸収し、ゴム成分の酸化劣化を長期に亘って
防ぐことが可能である。これにより、接着剤層が高温に
曝される使用条件下においても、被接着物を歪ませた
り、接合界面に部分的剥離が生じたりすることが少な
く、信頼性の高い半導体素子などを製造することが可能
である。
【図１】 本発明に係る接着テープの一実施形態の断面
図である。
図である。
【図２】 本発明に係る接着テープの他の実施形態の断
面図である。
面図である。
【図３】 本発明に係る接着テープの他の実施形態の断
面図である。
面図である。
【図４】 本発明に係る接着テープの他の実施形態の断
面図である。
面図である。
【図５】 本発明の接着テープの使用態様を示す半導体
素子の断面図である。
素子の断面図である。
【図６】 接着テープの他の使用態様を示す半導体素子
の断面図である。
の断面図である。
【図７】 接着テープの他の使用態様を示す半導体素子
の断面図である。
の断面図である。
【図８】 接着テープの他の使用態様を示す半導体素子
の断面図である。
の断面図である。
１ 接着剤層 ２ 剥離性フィルム ４ 耐熱性フィルム ６ 金属箔 １０ 半導体チップ １２ 接着剤層 １４ プレーン １６ リードピン １８ 封止樹脂 ２０ ボンディングワイヤ ２２ 電極 ２４ ダイパット
Claims (4)
- 【請求項１】 ゴム成分およびフェノール系抗酸化剤と
を含有する接着剤層と、この接着剤層の少なくとも一面
に剥離可能に固定された剥離性フィルムとを具備し、前
記ゴム成分は、ブタジエン−アクリロニトリル共重合
体、オレフィン系共重合体、およびポリフェニルエーテ
ル共重合体から選択される１種または２種以上であり、
前記フェノール系抗酸化剤は、ヒンダードフェノール系
抗酸化剤であることを特徴とする接着テープ。 - 【請求項２】 前記ヒンダードフェノール系抗酸化剤
は、その一分子中に、ｔ−ブチル基が２基以上結合して
いるフェノール基を３基以上有し、分子量は７００以上
である物質であることを特徴とする請求項１記載の接着
テープ。 - 【請求項３】 前記ヒンダードフェノール系抗酸化剤
は、２００℃に加熱した際の熱重量減少率が５％以下で
あり、前記接着剤層の反り率は０．０３％以下であるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の接着テープ。 - 【請求項４】 前記接着剤層は、ブタジエン−アクリロ
ニトリル共重合体を１０〜９０重量％、２個以上のマレ
イミド基を含有する化合物を９０〜１０重量％と、前記
フェノール系抗酸化剤を０．３〜２０重量％、および反
応促進剤を５重量％以下含むことを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載の接着テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10165711A JP2000001652A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 接着テープ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10165711A JP2000001652A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 接着テープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000001652A true JP2000001652A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=15817616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10165711A Pending JP2000001652A (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | 接着テープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000001652A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004130715A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Konica Minolta Holdings Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JP2005532678A (ja) * | 2002-06-17 | 2005-10-27 | ヘンケル コーポレイション | 層間誘電体および事前塗布ダイ取り付け用接着性材料 |
| JP2006114649A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JP2009144010A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 接着フィルム及びその製造方法 |
| JP2012122058A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-28 | Nitto Denko Corp | ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置 |
| JP2016056370A (ja) * | 2010-11-18 | 2016-04-21 | 日東電工株式会社 | フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法 |
| JP2018512766A (ja) * | 2015-03-03 | 2018-05-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 音響窓層を有するｃｍｕｔアレイ |
-
1998
- 1998-06-12 JP JP10165711A patent/JP2000001652A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005532678A (ja) * | 2002-06-17 | 2005-10-27 | ヘンケル コーポレイション | 層間誘電体および事前塗布ダイ取り付け用接着性材料 |
| KR101164671B1 (ko) * | 2002-06-17 | 2012-07-11 | 헨켈 코포레이션 | 층간 절연 물질 및 미리 도포되는 다이 부착 접착제 물질 |
| JP2004130715A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Konica Minolta Holdings Inc | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
| JP2006114649A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびその製造装置 |
| JP2009144010A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 接着フィルム及びその製造方法 |
| JP2012122058A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-28 | Nitto Denko Corp | ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置 |
| JP2016056370A (ja) * | 2010-11-18 | 2016-04-21 | 日東電工株式会社 | フリップチップ型半導体裏面用フィルム、ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム、及び、フリップチップ型半導体裏面用フィルムの製造方法 |
| JP2018512766A (ja) * | 2015-03-03 | 2018-05-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | 音響窓層を有するｃｍｕｔアレイ |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070404 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070424 |