JP2022044315A - 研削方法 - Google Patents

研削方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2022044315A
JP2022044315A JP2020149877A JP2020149877A JP2022044315A JP 2022044315 A JP2022044315 A JP 2022044315A JP 2020149877 A JP2020149877 A JP 2020149877A JP 2020149877 A JP2020149877 A JP 2020149877A JP 2022044315 A JP2022044315 A JP 2022044315A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
workpiece
support member
back surface
device region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020149877A
Other languages
English (en)
Inventor
卓 岡村
Taku Okamura
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2020149877A priority Critical patent/JP2022044315A/ja
Priority to KR1020210108408A priority patent/KR20220032479A/ko
Priority to CN202111025660.1A priority patent/CN114147545A/zh
Priority to TW110132863A priority patent/TW202210226A/zh
Publication of JP2022044315A publication Critical patent/JP2022044315A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

【課題】研削後の被加工物に高い剛性を付与できる新たな研削方法を提供する。【解決手段】デバイス領域と、デバイス領域を囲む外周余剰領域と、を表面に有する板状の被加工物の表面とは反対側の裏面を、スピンドルに装着された研削砥石で研削する研削方法であって、デバイス領域よりも大きな表面を有する支持部材の表面を被加工物の裏面に固定し、被加工物の表面に保護部材を貼付し、支持部材が固定された被加工物に貼付されている保護部材をチャックテーブルで保持し、支持部材のデバイス領域に対応する領域を支持部材の表面とは反対側の裏面から研削して環状の補強部材を形成し、更に、被加工物のデバイス領域に対応する領域を被加工物の裏面から研削してデバイス領域に対応する薄板部と、薄板部を囲み補強部材が固定された厚板部と、を形成する。【選択図】図６

Description

本発明は、板状の被加工物を研削する際に用いられる研削方法に関する。
小型で軽量なデバイスチップを実現するために、集積回路等のデバイスが表面側に設けられたウェーハを薄く加工する機会が増えている。例えば、ウェーハの表面をチャックテーブルで保持し、研削ホイールと呼ばれる砥石工具と、チャックテーブルと、をともに回転させて、純水等の液体を供給しながらウェーハの裏面に研削ホイールを押し当てることにより、このウェーハを研削して薄くできる。
ところで、上述のような方法でウェーハを薄くすると、このウェーハの剛性は大幅に低下して、後工程でのウェーハの取り扱いが難しくなる。そこで、デバイスが設けられたウェーハの中央側の領域のみを研削し、外周側の領域をそのまま残すことで、研削後のウェーハの剛性をある程度に保つ技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００７－１９４６１号公報
しかしながら、上述のような技術でウェーハの外周側の領域の厚さを保ったとしても、研削後のウェーハの剛性を十分に確保できるとは限らない。特に、直径が約３００ｍｍ（１２インチ）以上にもなる大口径のウェーハを薄くする場合には、研削後のウェーハの剛性が不足しがちであった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ウェーハのような板状の被加工物を研削する際に、研削後の被加工物に高い剛性を付与できる新たな研削方法を提供することである。
本発明の一側面によれば、複数のデバイスが形成された、又は形成される予定のデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域と、を表面に有する板状の被加工物の該表面とは反対側の裏面を、スピンドルに装着された研削砥石で研削する研削方法であって、該デバイス領域よりも大きな表面を有する支持部材の該表面を該被加工物の該裏面に固定する固定ステップと、該被加工物の該表面に保護部材を貼付する貼付ステップと、該支持部材が固定された該被加工物に貼付されている該保護部材をチャックテーブルで保持する保持ステップと、該保護部材を介して該被加工物及び該支持部材が該チャックテーブルに保持された状態で、該支持部材の該デバイス領域に対応する領域を該支持部材の該表面とは反対側の裏面から研削して該支持部材を該裏面から該表面まで貫通させることにより、環状の補強部材を形成し、更に、該被加工物の該デバイス領域に対応する領域を該被加工物の該裏面から研削して該デバイス領域に対応する領域を仕上げ厚さまで薄くすることにより、該デバイス領域に対応する薄板部と、該薄板部を囲み該補強部材が固定された厚板部と、を形成する研削ステップと、を含む研削方法が提供される。
本発明の一側面において、該研削ステップの前に、該支持部材の該裏面の全体を研削して該支持部材を薄くする支持部材全体研削ステップを更に含むことがある。また、該固定ステップの前に、複数の該デバイスを該デバイス領域に形成するデバイス形成ステップを更に含んでも良い。また、該固定ステップは、該貼付ステップの前に行われ、該固定ステップの後、該貼付ステップの前に、複数の該デバイスを該デバイス領域に形成するデバイス形成ステップを更に含んでも良い。
本発明の一側面にかかる研削方法では、支持部材の表面を被加工物の裏面に固定した上で、支持部材のデバイス領域に対応する領域を支持部材の裏面から研削して環状の補強部材を形成するとともに、被加工物のデバイス領域に対応する領域を被加工物の裏面から研削して、デバイス領域に対応する薄板部と、薄板部を囲み補強部材が固定された厚板部と、を形成するので、研削後の被加工物は、環状の補強部材により補強された状態となる。よって、研削後の被加工物に高い剛性を付与できる。
図１は、被加工物に支持部材が固定される様子を示す斜視図である。 図２は、被加工物に保護部材が貼付される様子を示す斜視図である。 図３は、被加工物に貼付されている保護部材がチャックテーブルにより保持される様子を示す断面図である。 図４は、支持部材が研削される様子を示す断面図である。 図５は、環状の補強部材が形成される様子を示す断面図である。 図６は、被加工物が研削される様子を示す断面図である。 図７は、第１変形例にかかる研削方法において、支持部材の裏面の全体が研削される様子を示す断面図である。 図８は、第２変形例にかかる研削方法において、被加工物に支持部材が固定される様子を示す斜視図である。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本実施形態の研削方法において、被加工物１１に支持部材２１が固定される様子を示す斜視図である。図１に示すように、本実施形態の被加工物１１は、例えば、シリコン等の半導体を用いて円盤状に形成されたウェーハであり、円形状の表面（第１面）１１ａと、表面１１ａとは反対側の円形状の裏面（第２面）１１ｂと、を含む。
この被加工物１１の表面１１ａは、その直径の方向において中央側に位置するデバイス領域１１ｃと、デバイス領域１１ｃを囲む環状の外周余剰領域１１ｄと、に分けられる。デバイス領域１１ｃは、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）１３（図２参照）によって、後に、複数の小領域に区画され、各小領域には、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイス１５（図２参照）が形成される。つまり、このデバイス領域１１ｃは、後に複数のデバイス１５が形成される予定の領域である。
なお、本実施形態では、シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハを被加工物１１としているが、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば、他の半導体、セラミックス、樹脂、金属等の材料でなる基板を被加工物１１として用いることもできる。
本実施形態にかかる研削方法では、まず、上述した被加工物１１の裏面１１ｂに、支持部材２１を固定する（固定ステップ）。図１に示すように、支持部材２１は、例えば、被加工物１１と同様に構成された円盤状のウェーハであり、概ね平坦な円形状の表面（第１面）２１ａと、表面２１ａとは反対側の円形状の裏面（第２面）２１ｂと、を含む。つまり、支持部材２１は、被加工物１１のデバイス領域１１ｃよりも大きな表面２１ａ及び裏面２１ｂを有している。
被加工物１１に対する支持部材２１の固定には、例えば、被加工物１１と支持部材２１とが接触する領域に熱酸化による酸化膜を形成する酸化膜結合と呼ばれる方法が用いられる。この場合には、被加工物１１（裏面１１ｂ）と支持部材２１（表面１１ａ）とを接触させた状態で、これらを炉に投入し、１０００℃以上（例えば、１２００℃）で１時間以上（例えば、３時間）の熱処理を行う。これにより、被加工物１１と支持部材２１との界面に熱酸化による酸化膜を形成し、支持部材２１の表面２１ａを被加工物１１の裏面１１ｂに強く固定できる。
なお、被加工物１１に対する支持部材２１の固定には、酸化膜結合以外の方法が用いられても良い。具体的には、例えば、分子間力によって支持部材２１（表面２１ａ）を被加工物１１（裏面１１ｂ）に接合する方法や、樹脂等の接着剤によって支持部材２１（表面２１ａ）を被加工物１１（裏面１１ｂ）に接着する方法等を用いることができる。これらの方法を用いる場合には、酸化膜結合に比べて低い温度で支持部材２１を被加工物１１に固定できる。
支持部材２１の表面２１ａを被加工物１１の裏面１１ｂに固定した後には、被加工物１１の露出した表面１１ａにＩＣ等のデバイス１５を形成する（デバイス形成ステップ）。例えば、フォトリソグラフィやエッチング等の方法を利用することにより、被加工物１１の表面１１ａ側を加工してデバイス１５を形成できる。なお、この被加工物１１に形成されるデバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等に制限はない。
被加工物１１の表面１１ａにデバイス１５を形成した後には、この被加工物１１の表面１１ａに保護部材を貼付する（貼付ステップ）。図２は、被加工物１１に保護部材３１が貼付される様子を示す斜視図である。保護部材３１は、代表的には、円形状のテープ（フィルム）、樹脂基板、被加工物１１と同種又は異種のウェーハ等であり、被加工物１１の表面１１ａと概ね同じ直径を持つ円形状の表面（第１面）３１ａと、表面３１ａとは反対側の円形状の裏面（第２面）３１ｂと、を含む。
保護部材３１の表面３１ａには、例えば、被加工物１１の表面１１ａに対する接着力を示す接着層が設けられている。そのため、図２に示すように、保護部材３１の表面３１ａ側を被加工物１１の表面１１ａ側に密着させることで、保護部材３１は、被加工物１１に貼付される。被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材３１を貼付することで、被加工物１１や支持部材２１を研削する際に被加工物１１の表面１１ａ側に加わる衝撃を緩和して、デバイス１５等を保護できる。
被加工物１１の表面１１ａに保護部材３１を貼付した後には、この被加工物１１の表面１１ａ側をチャックテーブルにより保持する（保持ステップ）。つまり、被加工物１１に貼付されている保護部材３１をチャックテーブルにより保持する。図３は、被加工物１１に貼付されている保護部材３１がチャックテーブル４により保持される様子を示す断面図である。なお、以下の各工程では、図３等に示す研削装置２が使用される。
研削装置２は、被加工物１１を保持できるように構成されたチャックテーブル４を備えている。チャックテーブル４は、例えば、ステンレス鋼に代表される金属を用いて形成された円盤状の枠体６を含む。枠体６の上面側には、円形状の開口を上端に持つ凹部６ａが形成されている。この凹部６ａには、セラミックス等を用いて多孔質の円盤状に形成された保持板８が固定されている。
保持板８の上面８ａは、円錐の側面に相当する形状に構成されており、この上面８ａに保護部材３１の裏面３１ｂが接触する。保持板８の下面側は、枠体６の内部に設けられた流路６ｂや、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。そのため、保持板８の上面８ａに保護部材３１の裏面３１ｂを接触させて、バルブを開き、吸引源の負圧を作用させれば、この保護部材３１の裏面３１ｂがチャックテーブル４により吸引される。
つまり、支持部材２１が固定された状態の被加工物１１に貼付されている保護部材３１を、チャックテーブル４により保持できる。これにより、図３に示すように、支持部材２１の裏面２１ｂが上方に露出した状態になる。なお、図３等では、保持板８の上面８ａを構成する円錐の側面の形状が誇張されているが、実際には、上面８ａの最も高い点と最も低い点との高さの差（高低差）が１０μｍ～３０μｍ程度である。
枠体６の下部には、モーター等の回転駆動源（不図示）が連結されている。チャックテーブル４は、この回転駆動源が生じる力によって、円錐の頂点に相当する上面８ａの頂点８ｂが回転の中心となるように、鉛直方向に沿う軸、又は鉛直方向に対して僅かに傾いた軸の周りに回転する。また、枠体６は、移動機構（不図示）によって支持されており、チャックテーブル４は、この移動機構が生じる力によって、水平方向に移動する。
被加工物１１に貼付されている保護部材３１をチャックテーブル４で保持した後には、例えば、鉛直方向から見て被加工物１１のデバイス領域１１ｃに重なる支持部材２１の領域を研削し、被加工物１１に固定された状態の環状の補強部材を形成する（支持部材研削ステップ）。図４は、支持部材２１が研削される様子を示す断面図である。なお、図４では、説明の便宜上、一部の要素が側面により示されている。
図４等に示すように、研削装置２のチャックテーブル４の上方には、研削ユニット（第１研削ユニット）１０が配置されている。研削ユニット１０は、例えば、筒状のスピンドルハウジング（不図示）を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、柱状のスピンドル１２が収容されている。
スピンドル１２の下端部には、例えば、被加工物１１や支持部材２１よりも直径の小さな円盤状のマウント１４が設けられている。マウント１４の外周部には、このマウント１４を厚さの方向に貫通する複数の穴（不図示）が形成されており、各穴には、ボルト１６等が挿入される。マウント１４の下面には、このマウント１４と概ね直径が等しい円盤状の研削ホイール１８が、ボルト１６等によって固定されている。
研削ホイール１８は、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属を用いて形成された円盤状のホイール基台２０を含む。ホイール基台２０の下面には、このホイール基台２０の周方向に沿って複数の研削砥石２２が固定されている。スピンドル１２の上端側には、モーター等の回転駆動源（不図示）が連結されている。研削ホイール１８は、この回転駆動源が生じる力によって、鉛直方向に沿う軸、又は鉛直方向に対して僅かに傾いた軸の周りに回転する。
研削ホイール１８の傍、又は研削ホイール１８の内部には、研削砥石２２等に対して研削用の液体（代表的には、水）を供給できるように構成されたノズル（不図示）が設けられている。スピンドルハウジングは、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、研削ユニット１０は、この移動機構が生じる力によって、鉛直方向に移動する。
支持部材２１を研削する際には、まず、チャックテーブル４を研削ユニット１０の直下に移動させる。具体的には、複数の研削砥石２２の全てがデバイス領域１１ｃの直上に配置されるように、チャックテーブル４を移動させる。また、研削ホイール１８の直径の方向において最も外側に位置する研削砥石２２の端部のいずれかが、デバイス領域１１ｃと外周余剰領域１１ｄとの境界より僅かに内側の位置の直上に配置されるように、チャックテーブル４を移動させる。
そして、図４に示すように、チャックテーブル４と研削ホイール１８とをそれぞれ回転させて、ノズルから液体を供給しながら研削ユニット１０（スピンドル１２、研削ホイール１８）を下降させる。研削ユニット１０の下降の速度は、支持部材２１に対して研削砥石２２が適切な圧力で押し当てられる範囲に調整される。これにより、支持部材２１のデバイス領域１１ｃに対応する領域を裏面２１ｂから研削できる。
より具体的には、チャックテーブル４の回転数を、１００ｒｐｍ～６００ｒｐｍ、代表的には、３００ｒｐｍに設定し、研削ホイール１８の回転数を、１０００ｒｐｍ～７０００ｒｐｍ、代表的には、４０００ｒｐｍに設定し、研削ユニット１０の下降の速度を、０．２μｍ／ｓ～１０μｍ／ｓ、代表的には、０．６μｍ／ｓに設定すると良い。これにより、支持部材２１を適切に研削できる。
支持部材２１の研削は、この支持部材２１が裏面２１ｂから表面２１ａまで貫通されて環状の補強部材が完成するまで続けられる。図５は、環状の補強部材２３が形成される様子を示す断面図である。なお、図５では、説明の便宜上、一部の要素が側面により示されている。
図５に示すように、環状の補強部材２３は、支持部材２１のデバイス領域１１ｃに対応する領域が除去されてなる貫通穴２３ａを有している。つまり、貫通穴２３ａは、支持部材２１のデバイス領域１１ｃに対応する位置に形成される。よって、この支持部材２１の研削によって、被加工物１１の外周余剰領域１１ｄの裏面１１ｂ側に固定された状態の環状の補強部材２３が形成される。
支持部材２１の研削が終了した後には、引き続いて、被加工物１１のデバイス領域１１ｃに対応する領域を裏面１１ｂから研削して仕上げ厚さまで薄くする（被加工物研削ステップ）。図６は、被加工物１１が研削される様子を示す断面図である。なお、図６では、説明の便宜上、一部の要素が側面により示されている。
被加工物１１を研削する際には、支持部材２１を研削する場合と同様に、チャックテーブル４と研削ホイール１８とをそれぞれ回転させた状態で、ノズルから液体を供給しながら研削ユニット１０（スピンドル１２、研削ホイール１８）を下降させる。研削ユニット１０の下降の速度は、被加工物１１に対して研削砥石２２が適切な圧力で押し当てられる範囲に調整される。これにより、被加工物１１のデバイス領域１１ｃに対応する領域を裏面１１ｂから研削できる。
なお、本実施形態では、この被加工物１１の研削と、上述した支持部材２１の研削と、が同等の条件で連続的に行われる。つまり、被加工物１１を研削する際にも、チャックテーブル４の回転数を、１００ｒｐｍ～６００ｒｐｍ、代表的には、３００ｒｐｍに設定し、研削ホイール１８の回転数を、１０００ｒｐｍ～７０００ｒｐｍ、代表的には、４０００ｒｐｍに設定し、研削ユニット１０の下降の速度を、０．２μｍ／ｓ～１０μｍ／ｓ、代表的には、０．６μｍ／ｓに設定すると良い。
なお、上述した研削の条件を途中で変更することもできる。例えば、被加工物１１のデバイス領域１１ｃに対応する領域がある程度に薄くなった段階で、研削ユニット１０の下降の速度を下げることにより、研削による被加工物１１へのダメージを軽減できる。この場合には、研削ユニット１０の下降の速度を、０．１μｍ／ｓ～０．５μｍ／ｓ、代表的には、０．３μｍ／ｓに設定すると良い。
被加工物１１の研削は、この被加工物１１のデバイス領域１１ｃに対応する領域が仕上げ厚さまで薄くなり、デバイス領域１１ｃに対応する薄板部１１ｅと、薄板部１１ｅを囲み環状の補強部材２３が固定された厚板部１１ｆと、が完成するまで続けられる。被加工物１１の研削が終了すると、本実施形態の研削方法も終了する。
以上のように、本実施形態の研削方法では、支持部材２１の表面２１ａを被加工物１１の裏面１１ｂに固定した上で、支持部材２１のデバイス領域１１ｃに対応する領域を支持部材２１の裏面２１ｂから研削して環状の補強部材２３を形成するとともに、被加工物１１のデバイス領域１１ｃに対応する領域を被加工物１１の裏面１１ｂから研削して、デバイス領域１１ｃに対応する薄板部１１ｅと、薄板部１１ｅを囲み補強部材２３が固定された厚板部１１ｆと、を形成するので、研削後の被加工物１１は、環状の補強部材２３により補強された状態となる。よって、研削後の被加工物１１に高い剛性を付与できる。
なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、上述した実施形態では、支持部材２１の研削（支持部材研削ステップ）と、被加工物１１の研削（被加工物研削ステップ）と、を同等の条件で連続的に行っているが、支持部材２１の研削（支持部材研削ステップ）と、被加工物１１の研削（被加工物研削ステップ）と、を異なる条件で断続的に行っても良い。
また、支持部材２１や被加工物１１のデバイス領域１１ｃに対応する領域を研削する前に、支持部材２１の裏面２１ｂの全体を研削して支持部材２１を全体的に薄くしても良い（支持部材全体研削ステップ）。図７は、変形例にかかる研削方法において、支持部材２１の裏面２１ｂの全体が研削される様子を示す断面図である。なお、図７では、説明の便宜上、一部の要素が側面により示されている。
変形例にかかる研削方法では、被加工物１１の表面１１ａ側をチャックテーブル４により保持した後、支持部材２１のデバイス領域１１ｃに対応する領域を研削する前に、支持部材２１の裏面２１ｂの全体を研削する。この変形例にかかる研削方法で使用される研削装置２は、図７に示すように、研削ユニット（第１研削ユニット）１０とは別の研削ユニット（第２研削ユニット）２４をチャックテーブル４の上方に備えている。
研削ユニット２４の基本的な構造は、研削ユニット１０と同じである。すなわち、研削ユニット２４は、例えば、筒状のスピンドルハウジング（不図示）を含む。スピンドルハウジングの内側の空間には、柱状のスピンドル２６が収容されている。スピンドル２６の下端部には、例えば、被加工物１１や支持部材２１よりも直径の大きな円盤状のマウント２８が設けられている。
マウント２８の外周部には、このマウント２８を貫通する複数の穴（不図示）が形成されており、各穴には、ボルト３０等が挿入される。マウント２８の下面には、このマウント２８と概ね直径が等しい円盤状の研削ホイール３２が、マウント２８の穴に挿入されたボルト３０等によって固定されている。
研削ホイール３２は、ステンレス鋼やアルミニウム等の金属を用いて形成されたホイール基台３４を含む。ホイール基台３４の下面には、このホイール基台３４の周方向に沿って複数の研削砥石３６が固定されている。スピンドル２６の上端側には、モーター等の回転駆動源（不図示）が連結されている。研削ホイール３２は、この回転駆動源が生じる力によって、鉛直方向に沿う軸、又は鉛直方向に対して僅かに傾いた軸の周りに回転する。
研削ホイール３２の傍、又は研削ホイール３２の内部には、研削砥石３６等に対して研削用の液体（代表的には、水）を供給できるように構成されたノズル（不図示）が設けられている。スピンドルハウジングは、例えば、移動機構（不図示）によって支持されており、研削ユニット２４は、この移動機構が生じる力によって、鉛直方向に移動する。
支持部材２１の裏面２１ｂの全体を研削する際には、まず、チャックテーブル４を研削ユニット２４の直下に移動させる。そして、図７に示すように、チャックテーブル４と研削ホイール３２とをそれぞれ回転させて、ノズルから液体を供給しながら研削ユニット２４（スピンドル２６、研削ホイール３２）を下降させる。研削ユニット２４の下降の速度は、支持部材２１に対して研削砥石３６が適切な圧力で押し当てられる範囲に調整される。これにより、支持部材２１の裏面２１ｂの全体を研削できる。
より具体的には、チャックテーブル４の回転数を１００ｒｐｍ～６００ｒｐｍ、代表的には、３００ｒｐｍに設定し、研削ホイール３２の回転数を１０００ｒｐｍ～７０００ｒｐｍ、代表的には、４０００ｒｐｍに設定し、研削ユニット２４の下降の速度を０．２μｍ／ｓ～１０μｍ／ｓ、代表的には、０．４μｍ／ｓに設定すると良い。
これにより、支持部材２１の全体を適切に研削できる。なお、研削ユニット２４による支持部材２１の研削は、支持部材２１が適切な厚さに薄くなるまで続けられる。支持部材２１の全体を研削した後には、支持部材２１や被加工物１１のデバイス領域１１ｃに対応する領域を上述した研削ユニット１０で研削すれば良い。
また、被加工物１１に支持部材２１を固定する前に、複数のデバイス１５をデバイス領域１１ｃに形成することもできる。この場合には、複数のデバイス１５が形成された状態の被加工物１１が支持部材２１に固定されることになる。図８は、第２変形例にかかる研削方法において、被加工物１１に支持部材２１が固定される様子を示す斜視図である。
第２変形例にかかる研削方法では、被加工物１１にデバイス１５を形成してから支持部材２１を固定する。よって、高温での熱処理が必要な酸化膜結合等の方法を用いると、デバイス１５が破損する可能性も高くなる。したがって、この第２変形例にかかる研削方法では、分子間力によって支持部材２１（表面２１ａ）を被加工物１１（裏面１１ｂ）に接合する方法や、樹脂等の接着剤によって支持部材２１（表面２１ａ）を被加工物１１（裏面１１ｂ）に接着する方法等を用いることが望ましい。
なお、被加工物１１に支持部材２１を固定した後には、上述した実施形態や第１変形例と同様の手順で被加工物１１を研削すれば良い。
その他、上述した実施形態及び各変形例にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１１ ：被加工物
１１ａ ：表面（第１面）
１１ｂ ：裏面（第２面）
１１ｃ ：デバイス領域
１１ｄ ：外周余剰領域
１１ｅ ：薄板部
１１ｆ ：厚板部
１３ ：分割予定ライン（ストリート）
１５ ：デバイス
２１ ：支持部材
２１ａ ：表面（第１面）
２１ｂ ：裏面（第２面）
２３ ：補強部材
２３ａ ：貫通穴
３１ ：保護部材
３１ａ ：表面（第１面）
３１ｂ ：裏面（第２面）
２ ：研削装置
４ ：チャックテーブル
６ ：枠体
６ａ ：凹部
６ｂ ：流路
８ ：保持板
８ａ ：上面
８ｂ ：頂点
１０ ：研削ユニット（第１研削ユニット）
１２ ：スピンドル
１４ ：マウント
１６ ：ボルト
１８ ：研削ホイール
２０ ：ホイール基台
２２ ：研削砥石
２４ ：研削ユニット（第２研削ユニット）
２６ ：スピンドル
２８ ：マウント
３０ ：ボルト
３２ ：研削ホイール
３４ ：ホイール基台
３６ ：研削砥石

Claims (4)

  1. 複数のデバイスが形成された、又は形成される予定のデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域と、を表面に有する板状の被加工物の該表面とは反対側の裏面を、スピンドルに装着された研削砥石で研削する研削方法であって、
    該デバイス領域よりも大きな表面を有する支持部材の該表面を該被加工物の該裏面に固定する固定ステップと、
    該被加工物の該表面に保護部材を貼付する貼付ステップと、
    該支持部材が固定された該被加工物に貼付されている該保護部材をチャックテーブルで保持する保持ステップと、
    該保護部材を介して該被加工物及び該支持部材が該チャックテーブルに保持された状態で、該支持部材の該デバイス領域に対応する領域を該支持部材の該表面とは反対側の裏面から研削して該支持部材を該裏面から該表面まで貫通させることにより、環状の補強部材を形成し、更に、該被加工物の該デバイス領域に対応する領域を該被加工物の該裏面から研削して該デバイス領域に対応する領域を仕上げ厚さまで薄くすることにより、該デバイス領域に対応する薄板部と、該薄板部を囲み該補強部材が固定された厚板部と、を形成する研削ステップと、を含むことを特徴とする研削方法。
  2. 該研削ステップの前に、該支持部材の該裏面の全体を研削して該支持部材を薄くする支持部材全体研削ステップを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の研削方法。
  3. 該固定ステップの前に、複数の該デバイスを該デバイス領域に形成するデバイス形成ステップを更に含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の研削方法。
  4. 該固定ステップは、該貼付ステップの前に行われ、
    該固定ステップの後、該貼付ステップの前に、複数の該デバイスを該デバイス領域に形成するデバイス形成ステップを更に含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の研削方法。
JP2020149877A 2020-09-07 2020-09-07 研削方法 Pending JP2022044315A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020149877A JP2022044315A (ja) 2020-09-07 2020-09-07 研削方法
KR1020210108408A KR20220032479A (ko) 2020-09-07 2021-08-18 연삭 방법
CN202111025660.1A CN114147545A (zh) 2020-09-07 2021-09-02 磨削方法
TW110132863A TW202210226A (zh) 2020-09-07 2021-09-03 磨削方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020149877A JP2022044315A (ja) 2020-09-07 2020-09-07 研削方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022044315A true JP2022044315A (ja) 2022-03-17

Family

ID=80462460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020149877A Pending JP2022044315A (ja) 2020-09-07 2020-09-07 研削方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022044315A (ja)
KR (1) KR20220032479A (ja)
CN (1) CN114147545A (ja)
TW (1) TW202210226A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5390740B2 (ja) 2005-04-27 2014-01-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220032479A (ko) 2022-03-15
CN114147545A (zh) 2022-03-08
TW202210226A (zh) 2022-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4763389B2 (ja) 切削工具
JP6791579B2 (ja) ウェーハ及びウェーハの加工方法
JP2013012654A (ja) 被加工物の研削方法
US11376707B2 (en) Grinding method
JP6425505B2 (ja) 被加工物の研削方法
JP2022044315A (ja) 研削方法
JP4847093B2 (ja) 切削工具
TWI805872B (zh) 晶圓的加工方法
JP2007283418A (ja) 切削工具
JP2021068744A (ja) ウェーハの加工方法
JP2019062147A (ja) 保護部材の加工方法
US20220274224A1 (en) Grinding method for workpiece
US11583962B2 (en) Holding table manufacturing method
US20230398654A1 (en) Workpiece grinding method
JP2019081219A (ja) 保護部材の加工方法
JP7455470B2 (ja) ウェーハの加工方法
US20230234179A1 (en) Grinding method for circular plate-shaped workpiece
JP2023076853A (ja) チャックテーブルの整形方法及び被加工物の研削方法
JP2019081216A (ja) 保護部材の加工方法
JP2023049160A (ja) 被加工物の研削方法
JP2024022743A (ja) 被加工物の研磨方法
JP2024021601A (ja) 被加工物の研削方法
TW202331831A (zh) 被加工物的加工方法
JP2024059330A (ja) 研削ホイール及び被加工物の研削方法
TW202410184A (zh) 晶圓的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230725