KR20240018368A - 칩의 처리 방법 - Google Patents

칩의 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20240018368A
KR20240018368A KR1020230095262A KR20230095262A KR20240018368A KR 20240018368 A KR20240018368 A KR 20240018368A KR 1020230095262 A KR1020230095262 A KR 1020230095262A KR 20230095262 A KR20230095262 A KR 20230095262A KR 20240018368 A KR20240018368 A KR 20240018368A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
tape
ring frame
frame unit
opening
Prior art date
Application number
KR1020230095262A
Other languages
English (en)
Inventor
마사루 나카무라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20240018368A publication Critical patent/KR20240018368A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00—Other grinding machines or devices
    • B24B27/06—Grinders for cutting-off
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명은 중앙에 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부에 테이프를 통해 칩을 배치할 때에, 개구부의 테이프에 비틀림이 발생하는 일이 없도록 하는 칩의 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
칩의 처리 방법은, 원형의 웨이퍼에 제1 테이프를 접착하는 제1 테이프 접착 공정과, 웨이퍼의 중앙부를 제거하여 개구부를 갖는 링 프레임 유닛을 형성하는 링 프레임 유닛 형성 공정과, 상기 링 프레임 유닛의 상기 개구부에 노출된 제1 테이프에 칩을 배치하는 칩 배치 공정을 포함한다.

Description

칩의 처리 방법{CHIP PROCESSING METHOD}
본 발명은 중앙에 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부에 테이프를 통해 칩을 배치하는 칩의 처리 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 교차하는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 이면이 연삭되어 원하는 두께로 형성된 후, 다이싱 장치, 레이저 가공 장치에 의해 개개의 디바이스 칩으로 분할되고, 분할된 디바이스 칩은 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 전기 기기에 이용된다.
또한, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할한 후, 중앙에 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부에 노출된 테이프에 복수의 디바이스 칩을 배치하여, 상기 디바이스 칩의 이면을 개별적으로 연삭하는 기술이 본 출원인에 의해 제안되어 있다(특허문헌 1을 참조).
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-351890호 공보
특허문헌 1에 기재된 기술을 실시하기 위해서, 중앙에 개구부를 갖는 링 프레임에 테이프를 접착하면, 개구부의 테이프에 비틀림이 발생하여, 디바이스 칩을 적절히 유지할 수 없어, 디바이스 칩의 이면을 적정하게 가공하는 것이 곤란하다고 하는 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 중앙에 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부에 테이프를 통해 칩을 배치할 때에, 개구부의 테이프에 비틀림이 발생하는 일이 없도록 하는 칩의 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 중앙에 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부에 테이프를 통해 칩을 배치하는 칩의 처리 방법으로서, 원형의 웨이퍼에 제1 테이프를 접착하는 제1 테이프 접착 공정과, 상기 웨이퍼의 중앙부를 제거하여 상기 개구부를 갖는 링 프레임 유닛을 형성하는 링 프레임 유닛 형성 공정과, 상기 링 프레임 유닛의 상기 개구부에 노출된 상기 제1 테이프에 칩을 배치하는 칩 배치 공정을 구비한 칩의 처리 방법이 제공된다.
바람직하게는, 칩의 처리 방법은, 상기 칩 배치 공정 후, 칩이 배치된 측에 상기 링 프레임을 덮도록 제2 테이프를 접착하여 제1 테이프와 제2 테이프로 상기 링 프레임을 사이에 끼워 샌드위치형으로 하는 제2 테이프 접착 공정과, 상기 제1 테이프를 박리하여 상기 제2 테이프에 칩을 트랜스퍼하는 칩 트랜스퍼 공정을 더 구비한다.
상기 웨이퍼의 소재와 상기 칩의 소재는 동질인 것이 바람직하다. 또한, 바람직하게는, 상기 링 프레임 형성 공정에서, 형성해야 할 개구부의 윤곽을 따라 절삭 블레이드 또는 레이저 광선을 위치시켜 상기 윤곽을 절단하여 개구부를 형성한다. 바람직하게는, 칩의 처리 방법은, 상기 칩 배치 공정 후, 상기 칩에 가공을 실시하는 가공 공정을 더 구비한다. 바람직하게는, 상기 가공 공정은, 상기 칩을 연삭하는 연삭 가공을 실시하는 공정이다.
바람직하게는, 칩의 처리 방법은, 상기 칩 트랜스퍼 공정 후, 상기 칩에 가공을 실시하는 가공 공정을 더 구비한다. 상기 가공 공정은, 상기 칩을 연삭하는 연삭 가공을 실시하는 공정이다.
본 발명의 칩의 처리 방법에 의하면, 중앙에 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부에 테이프를 통해 칩을 배치할 때에, 개구부의 테이프에 비틀림이 발생하는 일이 없도록 할 수 있다.
도 1은 제1 테이프 접착 공정의 실시양태를 도시한 사시도이다.
도 2의 (a)는 링 프레임 형성 공정에서, 척 테이블에 웨이퍼가 배치되는 양태를 도시한 사시도, 도 2의 (b)는 웨이퍼의 분할 예정 라인을 따라 분할홈을 형성하는 양태를 도시한 사시도, 도 2의 (c)는 도 2의 (b)에 도시된 분할홈이 형성된 양태를 도시한 사시도이다.
도 3은 웨이퍼의 중앙부가 제거되는 양태를 도시한 사시도이다.
도 4는 칩 배치 공정의 실시양태를 도시한 사시도이다.
도 5는 칩에 가공을 실시하는 가공 공정의 실시양태를 도시한 사시도이다.
도 6은 테이프 접착 장치의 전체 사시도이다.
도 7은 제2 테이프 접착 공정의 실시양태를 도시한 사시도이다.
도 8은 칩 트랜스퍼 공정의 실시양태를 도시한 사시도이다.
이하, 본 발명 실시형태의 칩의 처리 방법에 대해, 첨부 도면을 참조하면서, 상세히 설명한다.
본 실시형태의 칩의 처리 방법을 실시하는 데 있어서, 도 1에 도시된 바와 같은 개구부를 갖고 있지 않은 원형의 웨이퍼(10)를 준비하고, 상기 웨이퍼(10)의 한쪽 면에 대해 제1 테이프(T1)를 접착하는 제1 테이프 접착 공정을 실시한다. 상기 웨이퍼(10)는, 후술하는 칩(14)과 동질이며, 두께가 상기 칩(14)보다 약간 두꺼운 웨이퍼가 선택되어 있고, 예컨대 실리콘(Si)의 웨이퍼가 준비된다. 상기 웨이퍼(10)는, 표면, 이면에 디바이스 등이 형성되어 있지 않은 웨이퍼이다. 제1 테이프(T1)는, 예컨대 폴리올레핀 수지를 포함하고, 표면에 점착층을 갖는 테이프이다.
상기한 바와 같이, 웨이퍼(10)와 제1 테이프(T1)를 일체로 했다면, 웨이퍼(10)의 중앙부를 제거하여 링 프레임을 형성하는 링 프레임 형성 공정을 실시한다. 상기 링 프레임 형성 공정에 대해, 도 2를 참조하면서 구체적으로 설명한다.
링 프레임 형성 공정을 실시하는 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대, 도 2의 (a), (b)에 도시된 바와 같은 절삭 장치(20)(일부만을 도시하고 있음)에 의해 실시할 수 있다.
절삭 장치(20)는, 유지면(21a)을 가지며 회전 가능하게 구성된 척 테이블(21)과, 척 테이블(21)에 흡인 유지되는 웨이퍼(10)를 절삭하는 절삭 유닛(22)을 구비하고 있다. 척 테이블(21)의 유지면(21a)은, 도시를 생략하는 흡인원에 접속되어 있다. 절삭 유닛(22)은, 도 2의 (b)에 화살표 Y로 나타내는 Y축 방향에 배치된 스핀들 하우징(23)에 회전 가능하게 유지되는 스핀들(24)과, 스핀들(24)의 선단에 고정된 환형의 절삭 블레이드(25)와, 절삭 블레이드(25)를 덮는 블레이드 커버(26)와, 절삭 블레이드(25)에 의해 절삭되는 개소에 절삭수를 공급하는 절삭수 공급 노즐(27)과, 척 테이블(21)을 도면 중 화살표 X로 나타내는 X축 방향으로 이동시키는 X축 이동 기구, 및 절삭 블레이드(25)를 도면 중 화살표 Y로 나타내는 Y축 방향으로 이동시키는 Y축 이동 기구(모두 도시는 생략함)를 구비하고 있다. 스핀들(24)은, 도시를 생략하는 스핀들 모터에 의해 회전 구동된다.
링 프레임 형성 공정을 실시할 때에, 먼저, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)에 접착된 제1 테이프(T1)측을 하방으로 향하게 하여 척 테이블(21)의 유지면(21a)에 배치하고, 도시를 생략하는 흡인원을 작동하여 웨이퍼(10)를 흡인 유지한다. 계속해서, 적절한 얼라인먼트 수단에 의해 웨이퍼(10)를 촬상하여, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같은 환형의 분할 예정 라인(100')(파선으로 도시함)을 특정한다. 상기 분할 예정 라인(100')은, 링 프레임을 형성하는 외주 영역(102)과, 외주 영역(102)에 의해 둘러싸이는 중앙부(103)를 구분하는 라인이며, 형성해야 할 개구부의 윤곽을 이루는 라인이다. 그 설정 위치, 및 치수에 관한 정보는, 절삭 장치(20)에 배치된 도시를 생략하는 컨트롤러에 미리 기억되어 있다. 계속해서, 상기 X축 이동 기구를 작동하여, 척 테이블(21)을, 상기한 절삭 유닛(22) 바로 아래로 이동하고, 상기 Y축 이동 기구를 작동하여, 절삭 블레이드(25)를 상기 분할 예정 라인(100') 상에 위치시킨다. 계속해서, 분할 예정 라인(100')에 화살표 R1로 나타내는 방향으로 고속 회전시켜, 상방으로부터 웨이퍼(10)에 절입시키고, 척 테이블(21)을 화살표 R2로 나타내는 방향으로 회전시킨다. 이에 의해, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 형성해야 할 개구부의 윤곽을 따라 절단한 분할홈(100)을 형성한다. 또한, 이때의 절입 깊이는, 웨이퍼(10)를 절단하고, 제1 테이프(T1)를 완전히 절단하지 않는 절입 깊이로 설정된다.
상기한 바와 같이, 분할홈(100)을 형성했다면, 척 테이블(21)로부터 웨이퍼(10)를 취출하여, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(10)에 접착된 제1 테이프(T1)로부터 중앙부(103)를 박리한다. 이에 의해, 제1 테이프(T1) 상에는, 웨이퍼(10)의 외주 영역(102)만이 남겨져, 중앙에 개구부(102a)를 갖고, 상기 개구부(102a)에 제1 테이프(T1)가 노출된 링 프레임(102)이 형성된다(이하 「링 프레임 유닛(104)」이라고 칭함).
또한, 상기한 분할홈(100)을 형성하는 방법은, 상기한 절삭 장치(20)를 사용하여 실시하는 것에 한정되지 않고, 예컨대, 웨이퍼(10)에 대해 흡수성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사하는 레이저 가공 장치를 사용하여, 분할 예정 라인(100')을 따라 어블레이션 가공을 실시함으로써, 상기한 개구부(102a)를 형성하는 분할홈(100)을 형성하도록 해도 좋다.
상기한 바와 같이 링 프레임 형성 공정을 실시했다면, 도 4에 도시된 바와 같이, 링 프레임 유닛(104)의 개구부(102a)에 노출된 제1 테이프(T1)에 복수의 칩(14)(도시된 실시형태에서는 4개)을 배치하는 칩 배치 공정을 실시한다. 칩(14)은, 표면에 디바이스가 형성된 도시를 생략하는 실리콘의 웨이퍼를 분할하여 얻어진 디바이스 칩이며, 제품으로서 사용하기 전에, 이면(14b)을 연삭하는 연삭 가공을 실시하여 박화할 필요가 있는 칩이다. 따라서, 제1 테이프(T1) 상에 칩(14)을 배치할 때에는, 칩(14)의 표면(14a)측을 하방으로 향하게 하고, 연삭하는 이면(14b)을 상방으로 향하게 하여 배치한다.
이상과 같이 형성한 링 프레임 유닛(104)을 이용하여 칩 배치 공정을 실시하여, 제1 테이프(T1)에 칩(14)을 배치함으로써, 제1 테이프(T1)가 비틀어지지 않고, 이하에 설명하는 가공에 적합한 상태로 칩(14)이 링 프레임 유닛(104)에 의해 유지된다. 계속해서, 칩(14)을 유지한 링 프레임 유닛(104)을, 도 5의 (a), (b)에 도시된 연삭 장치(30)(일부만을 도시하고 있음)에 반송한다.
도면에 도시된 바와 같이, 연삭 장치(30)는, 유지면(31a)을 갖는 척 테이블(31)과, 연삭 유닛(32)을 구비하고 있다. 척 테이블(31)의 유지면(31a)은, 도시를 생략하는 흡인원에 접속되어 있다. 연삭 유닛(32)은, 도시하지 않은 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들(33)과, 회전 스핀들(33)의 하단에 장착된 휠 마운트(34)와, 휠 마운트(34)의 하면에 부착되는 연삭 휠(35)을 구비하고, 연삭 휠(35)의 하면에는 복수의 연삭 지석(36)이 환형으로 배치되어 있다.
링 프레임 유닛(104)을 연삭 장치(30)에 반송하여, 척 테이블(31)의 유지면(31a)에 제1 테이프(T1)측을 배치하여 흡인 유지했다면, 척 테이블(31)을 연삭 유닛(32) 바로 아래에 위치시키고, 연삭 유닛(32)의 회전 스핀들(33)을 도 5의 (b)에서 화살표 R3으로 나타내는 방향으로, 예컨대 6000 rpm으로 회전시키면서, 척 테이블(31)을 화살표 R4로 나타내는 방향으로, 예컨대 300 rpm으로 회전시킨다. 그리고, 도시를 생략하는 연삭수 공급 수단에 의해, 연삭수를 링 프레임 유닛(104)의 표면(102b), 및 칩(14)의 이면(14b) 상에 공급하면서, 연삭 유닛(32)을 화살표 R5로 나타내는 방향으로 하강시켜, 연삭 지석(36)을 링 프레임 유닛(104)의 표면(102b)에 접촉시키고, 연삭 휠(35)을, 예컨대 1 ㎛/초의 연삭 이송 속도로 하방을 향해 연삭 이송한다.
이때, 두께 검출 수단, 예컨대 접촉식의 측정 게이지(37)에 의해 링 프레임 유닛(104)의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시킬 수 있다. 여기서, 상기한 바와 같이, 링 프레임 유닛(104)의 당초의 두께[=웨이퍼(10)의 두께]는, 미리 칩(14)의 두께보다 약간 두껍게 설정되어 있기 때문에, 먼저 링 프레임 유닛(104)이 연삭되어 박화된다. 그 후, 링 프레임 유닛(104)이 소정의 두께로 됨으로써 칩(14)의 두께와 일치하여, 링 프레임 유닛(104)의 표면(102b)과 칩(14)의 이면(14b)이 동시에 연삭된다. 그리고, 측정 게이지(37)에 의해 계측되는 링 프레임 유닛(104)의 두께가, 칩(14)의 마무리 두께와 일치한 것이 검출되었다면, 연삭 유닛(32)을 정지하고, 세정, 건조 공정 등을 거쳐, 칩(14)에 연삭 가공을 실시하는 가공 공정이 완료되어, 본 실시형태의 칩의 처리 방법이 완료된다. 또한, 본 실시형태에서는, 칩(14)과 링 프레임 유닛(104)이 동질의 소재에 의해 형성되어 있기 때문에, 어느 한쪽이 치우쳐 연삭되는 일이 없고, 링 프레임 유닛(104)의 두께의 변화와 칩(14)의 두께의 변화가 일치하여 적절하다.
상기한 칩의 처리 방법에 의하면, 중앙부에 개구부를 갖지 않는 웨이퍼(10)에 대해 제1 테이프(T1)를 접착한 후, 개구부(102a)를 갖는 링 프레임 유닛(104)을 형성하고 있기 때문에, 링 프레임 유닛(104)의 개구부(102a)에 있어서 비틀림을 발생시키지 않고 제1 테이프(T1)를 배치할 수 있어, 칩(14)에 대한 연삭 가공을 적절히 실행할 수 있다.
그런데, 상기한 칩의 처리 방법의 실시형태의 링 프레임 형성 공정에서, 제1 테이프(T1)로부터 중앙부(103)를 박리할 때에, 웨이퍼(10)의 중앙부(103)에 대응하는 제1 테이프(T1)에 대해 자외선을 조사하여, 점착력을 저하시키는 경우가 있다. 그 경우, 제1 테이프(T1)의 자외선이 조사된 영역에 상기한 칩 배치 공정을 실시하여 칩(14)을 배치했다고 해도, 상기한 연삭 가공에 견딜 수 있을 정도로 충분한 강도로 고정할 수 없는 경우가 있다. 그 경우에는, 이하에 설명하는 칩 트랜스퍼 공정을 포함하는 다른 실시형태를 실시함으로써 대응하는 것이 가능하다.
이하에 설명하는 다른 실시형태에서도, 상기한 도 1, 2에 기초하여 설명한 제1 테이프 접착 공정을 실시하여, 환형의 분할홈(100)을 형성한다. 그리고, 웨이퍼(10)에 접착된 제1 테이프(T1)로부터 중앙부(103)를 박리하기 전에, 웨이퍼(10)에 접착된 제1 테이프(T1)의 중앙부(103)에 대응하는 위치에 대해, 제1 테이프(T1)가 배치된 측으로부터 자외선을 조사하여 점착력을 저하시킨다. 그 후, 제1 테이프(T1)로부터 중앙부(103)를 박리하고, 도 4에 기초하여 설명한 칩 배치 공정을 실시한다. 여기서, 도시는 생략하지만, 이 칩 트랜스퍼 공정을 포함하는 실시형태에 있어서 칩 배치 공정을 실시할 때에는, 상기한 도 4에 기초하여 설명한 실시형태와는 달리, 칩(14)에 있어서 연삭되는 이면(14b)을 하방으로 향하게 하고, 디바이스 등이 형성된 표면(14a)을 상방으로 향하게 하여 배치한다.
계속해서, 칩(14)에 가공을 실시하는 가공 공정을 실시하기 전에, 칩(14)이 배치된 측의 링 프레임 유닛(104)을 덮도록 제2 테이프(T2)를 접착하여 제1 테이프(T1)와 제2 테이프(T2)로 링 프레임 유닛(104)을 사이에 끼워 샌드위치형으로 하는 제2 테이프 접착 공정을 실시한다. 도 6, 7을 참조하면서 제2 테이프 접착 공정에 대해 구체적으로 설명한다.
제2 테이프 접착 공정을 실시할 때에, 예컨대, 도 6에 도시된 바와 같은 테이프 접착 장치(4)를 사용할 수 있다.
테이프 접착 장치(4)는, 칩(14)이 배치된 링 프레임 유닛(104)을 지지하는 링 프레임 지지 테이블(41)과, 링 프레임 유닛(104)에 대해 제2 테이프(T2)를 접착하는 테이프 접착 유닛(40)을 구비하고 있다. 링 프레임 지지 테이블(41)은, 링 프레임 유닛(104)이 배치되는 지지면(41a)과, 도시를 생략하는 승강 수단을 구비하고 있다.
테이프 접착 유닛(40)은, 제2 테이프(T2)를 송출하는 테이프 송출부(42)와, 링 프레임 유닛(104)에 원하는 범위 접착한 후의 잔여의 제2 테이프(T2)를 권취하는 테이프 권취부(43)와, 테이프 송출부(42)와 테이프 권취부(43) 사이에 배치되며, 송출된 제2 테이프(T2)를, 링 프레임 지지 테이블(41)의 지지면(41a)에 배치되는 링 프레임 유닛(104)의 일단측으로부터 타단측을 향해 압박하면서 이동하여 접착하는 압박 롤러(44)를 구비하고 있다.
테이프 송출부(42)는, 사용 전의 제2 테이프(T2)가 원통형으로 감겨진 롤 테이프(RT)를 지지하는 지지 롤러(45)와, 지지 롤러(45)의 하방에 배치된 송출 롤러(46)와, 송출 롤러(46)를 회전시키는 모터(도시는 생략하고 있음)와, 송출 롤러(46)의 회전에 따라 회전하는 종동 롤러(47)를 포함한다.
테이프 송출부(42)는, 모터에 의해 송출 롤러(46)와 함께 종동 롤러(47)를 회전시킴으로써, 송출 롤러(46)와 종동 롤러(47)로 끼워 넣은 제2 테이프(T2)를 롤 테이프(RT)로부터 송출하도록 되어 있다. 또한, 송출 롤러(46)와 종동 롤러(47) 사이를 통과한 제2 테이프(T2)로부터는, 박리지(P)가 박리되고, 박리된 박리지(P)는, 박리지 롤러(48)에 권취되어 회수되도록 되어 있다.
테이프 권취부(43)는, 사용이 끝난 제2 테이프(T2)를 권취하는 권취 롤러(49)와, 권취 롤러(49)를 회전시키는 도시를 생략하는 모터와, 송출 롤러(46)와 권취 롤러(49) 사이에 설치된 한 쌍의 가이드 롤러(50)를 구비하고 있다.
테이프 권취부(43)에서는, 모터에 의해 권취 롤러(49)를 회전시킴으로써, 링 프레임 유닛(104)에 접착한 부분에 해당하는 원형의 개구부(Ta)가 형성된 사용이 끝난 제2 테이프(T2)를 한 쌍의 가이드 롤러(50, 50)에 의해 가이드하면서, 권취 롤러(49)에 의해 권취하도록 되어 있다.
압박 롤러(44)는, 도시를 생략하는 승강 수단에 의해 승강 가능하게 구성되어 있고, 도 7에 화살표 Z1로 나타내는 방향의 압박 위치로 하강된 후, 제2 테이프(T2)를 압박한 상태에서, 도시를 생략하는 이동 수단에 의해 화살표 Y1로 나타내는 방향으로 이동된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 테이프 접착 유닛(40)에는, 링 프레임 유닛(104)의 외주측으로 비어져 나온 제2 테이프(T2)를 절단하는 절단 기구(52)를 구비하고 있다. 절단 기구(52)는, 상하 방향으로 세워져 설치된 승강 가이드 부재(53)와, 상기 승강 가이드 부재(53)에 지지된 가동 부재(54)와, 상기 가동 부재(54)를 승강시키는 도시를 생략하는 승강 수단을 구비하고 있다.
또한, 상기한 절단 기구(52)는, 가동 부재(54)의 선단 하면에 고정된 모터(55)와, 상기 모터(55)에 의해 회전되는 아암(56)을 포함한다. 아암(56)의 하면에는, 서로 마주 보도록 간격을 두고 배치된 제1 수하편(垂下片; 57a), 제2 수하편(57b)이 배치되어 있다. 제1 수하편(57a)에는, 아암(56)을 따르는 수평 방향을 축선으로 하여 배치된 원형의 커터(58)가 배치되고, 제2 수하편(57b)에는, 아암(56)을 따르는 수평 방향을 축선으로 하여 회전 가능하게 유지된 누름 롤러(59)가 배치되어 있다.
상기한 테이프 접착 장치(4)에 의해 링 프레임 유닛(104)에 접착되는 제2 테이프(T2)는, 예컨대, 접착면에 점착층이 형성된 점착 테이프이지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 점착층을 갖지 않는 가열 압박에 의해 접착되는 열압착 시트여도 좋다.
테이프 접착 장치(4)는 대략 상기한 구성을 구비하고 있고, 이 테이프 접착 장치(4)를 사용하여 실시되는 제2 테이프 접착 공정에 대해 이하에 설명한다.
먼저, 링 프레임 지지 테이블(41)의 지지면(41a)에 대해, 칩 배치 공정이 실시되어 개구부(102a)에 노출되는 제1 테이프(T1)에 칩(14)이 배치된 링 프레임 유닛(104)을 배치한다. 링 프레임 지지 테이블(41)에 대해 링 프레임 유닛(104)을 배치할 때에는, 도시를 생략하는 승강 수단에 의해, 링 프레임 지지 테이블(41)을 하강시켜 둔다. 지지면(41a)에는, 도시를 생략하는 위치 결정 수단이 형성되어 있고, 소정의 위치에 배치되어 고정된다. 또한, 이때, 롤 테이프(RT)로부터 제2 테이프(T2)를 송출하여, 박리지(P)를 박리한 제2 테이프(T2)를 느슨하게 하지 않고 팽팽한 상태로 하여, 링 프레임 지지 테이블(41)의 상방에 위치시킨다. 또한, 본 실시형태에서는, 제2 테이프(T2)의 하면측이, 점착층이 형성된 접착면이다.
계속해서, 도시를 생략하는 컨트롤러에 의해, 링 프레임 지지 테이블(41)을 상승시켜, 도 6에 도시된 접착 위치에 위치시킨다. 계속해서, 압박 롤러(44)를, 도 7에 2점 쇄선으로 나타내는 압박 개시 위치에 위치시키고, 제2 테이프(T2)에 텐션을 가하여, 링 프레임 유닛(104)의 일단에 제2 테이프(T2)를 접착한다.
계속해서, 압박 롤러(44)에 의해 제2 테이프(T2)를 링 프레임 유닛(104) 및 칩(14)에 압박하면서, 도 7의 화살표 Y1로 나타내는 방향으로 이동시킨다. 이에 의해, 균일한 텐션을 제2 테이프(T2)에 가한 상태에서, 제2 테이프(T2)를 링 프레임 유닛(104) 및 칩(14)에 접착할 수 있다. 또한, 제2 테이프(T2)가 열압착 시트인 경우에는, 이때에 제2 테이프(T2)를 적절한 가열 수단에 의해 가열하면서 접착한다.
제2 테이프(T2)를 링 프레임 유닛(104) 전체 및 칩(14)에 접착했다면, 절단 기구(52)의 상기한 승강 수단을 작동하여, 절단 기구(52)의 커터(58), 누름 롤러(59)를 하강시켜, 링 프레임 유닛(104)의 외주에 대응하는 위치의 제2 테이프(T2)에 커터(58)를 압박하고, 누름 롤러(59)로 제2 테이프(T2)의 위로부터 링 프레임 유닛(104)을 누른다. 계속해서, 모터(55)에 의해, 아암(56)을 회전시켜, 커터(58) 및 누름 롤러(59)를 회전시키고, 커터(58) 및 누름 롤러(59)를 링 프레임 유닛(104)의 외주를 따라 원을 그리도록 이동시킨다. 이에 의해, 제2 테이프(T2)의 위치 어긋남을 방지하면서, 링 프레임 유닛(104)의 외주를 따라 제2 테이프(T2)를 절단할 수 있다. 이와 같이 하여, 원형의 제2 테이프(T2)가 링 프레임 유닛(104)을 따라 절단되어 개구(Ta)가 형성된 사용이 끝난 제2 테이프(T2)는, 상기한 바와 같이 테이프 권취부(43)에 의해 권취된다. 이상에 의해, 제2 테이프 접착 공정이 완료되어, 도 8의 상단에 도시된 바와 같이, 제1 테이프(T1)와 제2 테이프(T2)로 링 프레임 유닛(104)이 사이에 끼워져 샌드위치형으로 된다.
상기한 바와 같이, 제2 테이프 접착 공정이 완료되었다면, 테이프 접착 장치(4)로부터, 링 프레임 유닛(104)을 취출하여, 도 8에 도시된 바와 같이, 샌드위치형으로 된 링 프레임 유닛(104)의 한쪽 면으로부터, 제1 테이프(T1)를 박리한다. 이때, 제1 테이프(T1)측으로부터 자외선을 조사하여 제1 테이프(T1)의 점착력을 저하시켜도 좋다. 이에 의해, 제2 테이프(T2)에 칩(14)을 트랜스퍼하는 칩 트랜스퍼 공정이 완료되어, 링 프레임 유닛(104)의 개구부(102a)에 노출되는 제2 테이프(T2)에 칩(14)이 배치된 상태가 된다. 또한, 상기한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제1 테이프(T1)에 대해 칩(14)의 이면(14b)이 접착되도록 배치했기 때문에, 제1 테이프(T1)를 박리함으로써, 도 8에 도시된 바와 같이, 링 프레임 유닛(104)의 개구부(102a)에 있어서, 칩(14)의 피연삭면인 이면(14b)이 노출된 상태가 된다. 즉, 앞서 도 4에 기초하여 설명한 칩 배치 공정을 실시한 상태와 동일한 상태가 되어, 링 프레임 유닛(104)의 개구부(102a)에 있어서 비틀림을 발생시키지 않고 제2 테이프(T2)를 배치하여, 상기 제2 테이프(T2) 상에 칩(14)을 적절히 배치할 수 있어, 칩(14)에 대한 가공을 적절히 실행할 수 있다. 또한, 특별히 설명은 하고 있지 않으나, 제1 테이프 접착 공정을 실시할 때에도, 상기한 테이프 접착 장치(4)를 사용할 수 있다.
본 발명은 상기한 실시형태에 한정되지 않는다. 예컨대, 상기한 실시형태에서는, 칩 배치 공정, 또는 칩 트랜스퍼 공정을 실시한 후, 링 프레임 유닛(104) 및 칩(14)의 이면(14b)에 대해 연삭 공정을 실시하도록 설명하였으나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 링 프레임 유닛(104) 및 칩(14)의 이면(14b)에 대해 연마 가공을 실시하는 가공을 실시하는 것이어도 좋다.
4: 테이프 접착 장치 40: 테이프 접착 유닛
41: 링 프레임 지지 테이블 42: 테이프 송출부
43: 테이프 권취부 44: 압박 롤러
45: 지지 롤러 46: 송출 롤러
47: 종동 롤러 48: 박리지 롤러
49: 권취 롤러 50: 가이드 롤러
52: 절단 기구 53: 승강 가이드 부재
54: 가동 부재 55: 모터
56: 아암 58: 커터
59: 누름 롤러 10: 웨이퍼
14: 칩 20: 절삭 장치
22: 절삭 유닛 23: 스핀들 하우징
24: 스핀들 25: 절삭 블레이드
26: 블레이드 커버 27: 절삭수 공급 노즐
30: 연삭 장치 31: 척 테이블
31a: 유지면 32: 연삭 유닛
33: 회전 스핀들 34: 휠 마운트
35: 연삭 휠 36: 연삭 지석
37: 측정 게이지 100': 분할 예정 라인
100: 분할홈 102: 링 프레임(외주 영역)
102a: 개구부 102b: 표면
103: 중앙부 104: 링 프레임 유닛

Claims (8)

  1. 중앙에 개구부를 갖는 링 프레임의 상기 개구부에 테이프를 통해 칩을 배치하는 칩의 처리 방법으로서,
    원형의 웨이퍼에 제1 테이프를 접착하는 제1 테이프 접착 공정과,
    상기 웨이퍼의 중앙부를 제거하여 상기 개구부를 갖는 링 프레임 유닛을 형성하는 링 프레임 유닛 형성 공정과,
    상기 링 프레임 유닛의 상기 개구부에 노출된 상기 제1 테이프에 칩을 배치하는 칩 배치 공정
    을 구비한 칩의 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 칩 배치 공정 후, 상기 칩이 배치된 측에 상기 링 프레임 유닛의 링 프레임을 덮도록 제2 테이프를 접착하여 상기 제1 테이프와 상기 제2 테이프로 상기 링 프레임을 사이에 끼워 샌드위치형으로 하는 제2 테이프 접착 공정과,
    상기 제1 테이프를 박리하여 상기 제2 테이프에 상기 칩을 트랜스퍼하는 칩 트랜스퍼 공정
    을 더 구비한 칩의 처리 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 소재와 상기 칩의 소재는 동질인 칩의 처리 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 링 프레임 유닛 형성 공정에서, 형성해야 할 개구부의 윤곽을 따라 절삭 블레이드 또는 레이저 광선을 위치시켜 상기 윤곽을 절단하여 개구부를 형성하는 칩의 처리 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 칩 배치 공정 후, 상기 칩에 가공을 실시하는 가공 공정을 더 구비한 칩의 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 가공 공정은, 상기 칩을 연삭하는 연삭 가공을 실시하는 공정인 칩의 처리 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 칩 트랜스퍼 공정 후, 상기 칩에 가공을 실시하는 가공 공정을 더 구비한 칩의 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 가공 공정은, 상기 칩을 연삭하는 연삭 가공을 실시하는 공정인 칩의 처리 방법.
KR1020230095262A 2022-08-02 2023-07-21 칩의 처리 방법 KR20240018368A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2022-123301 2022-08-02
JP2022123301A JP2024020825A (ja) 2022-08-02 2022-08-02 チップの処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240018368A true KR20240018368A (ko) 2024-02-13

Family

ID=89575102

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230095262A KR20240018368A (ko) 2022-08-02 2023-07-21 칩의 처리 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20240047262A1 (ko)
JP (1) JP2024020825A (ko)
KR (1) KR20240018368A (ko)
CN (1) CN117497486A (ko)
DE (1) DE102023207122A1 (ko)
TW (1) TW202407754A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001351890A (ja) 2000-06-08 2001-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd チップの研削方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001351890A (ja) 2000-06-08 2001-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd チップの研削方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN117497486A (zh) 2024-02-02
US20240047262A1 (en) 2024-02-08
JP2024020825A (ja) 2024-02-15
DE102023207122A1 (de) 2024-02-08
TW202407754A (zh) 2024-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5047838B2 (ja) テープ貼り機
JP5495647B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP5431053B2 (ja) 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
JP3880397B2 (ja) 保護テープの貼付・剥離方法
CN108987325B (zh) 保护带的粘贴方法和保护带粘贴装置
JP2013055138A (ja) チップ間隔維持方法
JP7430515B2 (ja) ウエーハの処理方法
JP4505789B2 (ja) チップ製造方法
TWI305663B (en) Protective tape applying and separating method
JP2877997B2 (ja) 半導体ウエハの処理方法
JP6685592B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2016119370A (ja) ウエーハの加工方法
KR20240018368A (ko) 칩의 처리 방법
TW201735140A (zh) 晶圓的加工方法
JP4060641B2 (ja) テープ剥離方法
JP5449937B2 (ja) シート剥離装置及び剥離方法
JP5558300B2 (ja) 粘着シート貼り替え用補助治具
US20220037160A1 (en) Processing method of wafer, protective sheet, and protective sheet laying method
JP2023080511A (ja) ウエーハの処理方法
TWI843908B (zh) 晶圓之處理方法
CN110867396B (zh) 晶片的保护方法
JP2022021441A (ja) ウエーハの加工方法
TW202335789A (zh) 晶圓之加工方法
JP2023045006A (ja) テープ貼着装置
TW202232591A (zh) Daf分割確認方法