JP2021174934A - チップの製造方法及びエッジトリミング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】デバイスへのコンタミの付着、生産効率の低下、及び破損を抑制して、貼り合わせたウエーハのエッジトリミングによって生じる種々の問題を解決できること。【解決手段】チップの製造方法は、第一のウエーハの表面に第二のウエーハの表面を貼り合わせるウエーハ貼り合わせステップ１００１と、第一のウエーハに環状改質領域を形成する第一の環状改質領域形成ステップ１００２と、第一のウエーハの裏面側から研削する第一の裏面研削ステップ１００３と、分割予定ラインに沿って仕上げ厚みに至る深さの加工を施すダイシングステップ１００４と、第一のウエーハの裏面側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップ１００５と、第二のウエーハに環状改質領域を形成する第二の環状改質領域形成ステップ１００６と、第二のウエーハの裏面側を研削し仕上げ厚みへと薄化する第二の裏面研削ステップ１００７とを有する。【選択図】図２

Description

本発明は、チップの製造方法及びエッジトリミング装置などの加工装置に関する。

半導体ウエーハ等の被加工物に対して研削を行う場合、研削によってウエーハの外周部が鋭角に形成されるため、研削中の負荷によって外周から亀裂が入りウエーハに割れが生じる場合がある。この割れを防止するために、ウエーハを研削する前に切削ブレードで外周部の一部を除去する処理（エッジトリミング）を行うことで、外周部の割れを低減する技術が提案されている（特許文献１及び特許文献２参照）。

ところで、半導体デバイスの製造工程では、ＴＳＶ（Through-Silicon Via）のような３次元積層チップのプロセスや、画素の集積回路が形成されている２枚のウエーハを貼りあわせるＢＳＩ(Back Side Illumination : 裏面照射)方式のＣＭＯＳ（Complementary MOS）イメージセンサのプロセスなど、２枚のウエーハを貼り合わせる加工が行われている。

このような貼り合わされたウエーハにエッジトリミングを行うタイミングとしては、ウエーハを貼り合わせる前にトリミングを行う場合（以下、前トリムと記す）と、ウエーハを貼り合わせた後にトリミングを行う場合（以下、後トリムと記す）がある。

貼り合わされたウエーハは、上述の前トリム及び後トリムのいずれかの方法でエッジトリミングされ、研削により薄化された後、後工程のプロセスへ進み、チップ化される。

特開２００４−２０７４５９号公報 特開２０１６−１２７２３２号公報

しかしながら、前トリムを行うと、切削ブレードによるトリミングで発生したコンタミが基板の表面に付着してしまい、ウエーハを洗浄しても除去しきれない場合があった。

また、後トリムの場合には、コンタミの表面付着は回避できるものの、下側の基板まで切り込みが入るため、切削ブレードで切削すべき体積が大きくなって加工速度が低下し、生産効率が低下する。

さらに、後トリムの場合には、後工程で研削を行う際に、下側の基板の切り込みが入った箇所をテープで支持しきれず浮いている状態となってしまうため、研削負荷がかかりすぎて破損させてしまうという異なる課題もあった。

本願発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、デバイスへのコンタミの付着、生産効率の低下、及び破損を抑制して、貼り合わせたウエーハのエッジトリミングによって生じる種々の問題を解決することができるチップの製造方法およびエッジトリミング装置を提供することを目的としている。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチップの製造方法は、チップの製造方法であって、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面に備えた第一のウエーハの表面に第二のウエーハの表面側を対面させてウエーハ同士を貼り合わせるウエーハ貼り合わせステップと、該ウエーハ貼り合わせステップの後、該第一のウエーハの裏面側から、ウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿って該第一のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、該第一のウエーハに対して環状改質領域を形成する第一の環状改質領域形成ステップと、該第一の環状改質領域形成ステップの後、貼り合わせウエーハを該第一のウエーハの裏面側から研削し薄化する第一の裏面研削ステップと、を含み、該第一の裏面研削ステップの後、該分割予定ラインに沿って該貼り合わせウエーハの仕上げ厚みに至る深さの加工を施すダイシングステップと、該第一のウエーハの裏面側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該第二のウエーハの裏面側から、該第二のウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿って該第二のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、該第二のウエーハに環状改質領域を形成する第二の環状改質領域形成ステップと、該ダイシングステップ、該保護部材貼着ステップおよび該第二の環状改質領域形成ステップの後、該第二のウエーハの裏面側を研削し該仕上げ厚みへと薄化する第二の裏面研削ステップと、を更に有し、該第一の裏面研削ステップおよび該第二の裏面研削ステップでは、該環状改質領域を起点にウエーハの外周部がウエーハから除去されつつ研削が進行し、該第二の裏面研削ステップでは、該ダイシングステップでダイシングした該分割予定ラインに沿ってウエーハがチップ化される、ことを特徴とする。

また、本発明のチップの製造方法は、チップの製造方法であって、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面に備えた第一のウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿って該第一のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、環状改質領域を形成する第一の環状改質領域形成ステップと、該第一の環状改質領域形成ステップの後、該第一のウエーハに対して外力を付与し、該環状改質領域に沿って該第一のウエーハから外周部を分離し除去する外周除去ステップと、該外周除去ステップの後、該第一のウエーハの表面側を第二のウエーハの表面側と対面させてウエーハ同士を貼り合わせるウエーハ貼り合わせステップと、該ウエーハ貼り合わせステップの後、貼り合わせウエーハを該第一のウエーハの裏面側から研削し薄化する第一の裏面研削ステップと、を含み、該第一の裏面研削ステップの後、該分割予定ラインに沿って該貼り合わせウエーハの仕上げ厚みに至る深さの加工を施すダイシングステップと、該第一のウエーハの裏面側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該第二のウエーハの裏面側から、該第二のウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿って該第二のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、該第二のウエーハに環状改質領域を形成する第二の環状改質領域形成ステップと、該ダイシングステップ、該保護部材貼着ステップおよび該第二の環状改質領域形成ステップの後、該第二のウエーハの裏面側を研削し該仕上げ厚みへと薄化する第二の裏面研削ステップと、を更に有し、該第二の裏面研削ステップでは、該環状改質領域を起点に該第二のウエーハの外周部がウエーハから除去されつつ研削が進行するとともに、該ダイシングステップでダイシングした該分割予定ラインに沿ってウエーハがチップ化される、ことを特徴とする。

前記チップの製造方法において、該ダイシングステップは、該第一のウエーハの裏面側から切削ブレードを切り込むことによって該ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの切削溝を形成する切削ステップであって、該切削ステップの後、該第一のウエーハの裏面側に該保護部材を貼着する保護部材貼着ステップを行い、該切削ステップの前、該切削ステップの後、および該保護部材貼着ステップの後のいずれかのタイミングで、該第二の環状改質領域形成ステップを実施しても良い。

前記チップの製造方法において、該ダイシングステップは、該第一のウエーハの裏面側および該第二のウエーハの裏面側の少なくとも一方から該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して該分割予定ラインに沿って改質領域を形成するレーザーダイシングステップであって、該レーザーダイシングステップの前または後に、該第一のウエーハの裏面側に該保護部材を貼着する保護部材貼着ステップを行い、該レーザーダイシングステップの前、該レーザーダイシングステップの後、および該保護部材貼着ステップの後のいずれかのタイミングで、該第二の環状改質領域形成ステップを実施しても良い。

前記チップの製造方法において、該第一の環状改質領域形成ステップの後および該第二の環状改質領域形成ステップの後に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの外周部に照射して、ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質領域をウエーハの該外周部に放射状に複数形成する外周部改質領域形成ステップを更に含んでも良い。

前記チップの製造方法において、該第一の環状改質領域形成ステップの後および該第二の環状改質領域形成ステップの後に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの外周部に照射して、ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質領域をウエーハの該環状改質領域に接する接線に沿って複数形成する外周部改質領域形成ステップを更に含んでも良い。

前記チップの製造方法において、該第一の環状改質領域形成ステップの後および該第二の環状改質領域形成ステップの後に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの外周部に同心円状に照射して、ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質領域を複数形成する外周部改質領域形成ステップを更に含んでも良い。

本発明のエッジトリミング装置は、ウエーハをエッジトリミングするエッジトリミング装置であって、該ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルを該保持面に垂直な回転軸を中心として回転させるチャックチャックテーブル回転ユニットと、該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを発振する発振器を含むレーザービーム照射ユニットと、該レーザービームによって改質領域が形成されたウエーハに対して外力を付与し、該改質領域に沿ってウエーハを分割する分割ユニットと、種々の構成要素を制御する制御部と、を備え、該制御部は、該チャックチャックテーブル回転ユニットを回転させながら該発振器からレーザービームを発振させ、該ウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿ってレーザービームを照射することを特徴とする。

前記エッジトリミング装置において、該ウエーハに伸縮性を有するテープを貼着するテープ貼着ユニットを更に有し、該分割ユニットは、該テープ貼着ユニットによって該ウエーハに貼り付けられたテープを拡張することによって該ウエーハを分割しても良い。

本願発明のチップの製造方法及びエッジトリミング装置は、デバイスへのコンタミの付着、生産効率の低下、及び破損を抑制して、貼り合わせたウエーハのエッジトリミングによって生じる種々の問題を解決することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係るチップの製造方法により製造されるチップの斜視図である。 図２は、実施形態１に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図３は、図２に示されたチップの製造方法のウエーハ貼り合わせステップを示す斜視図である。 図４は、図２に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップを一部断面で示す側面図である。 図５は、図２に示されたチップの製造方法の第一の裏面研削ステップを一部断面で示す側面図である。 図６は、図２に示されたチップの製造方法のダイシングステップを一部断面で示す側面図である。 図７は、図２に示されたチップの製造方法の保護部材貼着ステップを示す断面図である。 図８は、図２に示されたチップの製造方法の第二の環状改質領域形成ステップを一部断面で示す側面図である。 図９は、図２に示されたチップの製造方法の第二の裏面研削ステップを一部断面で示す側面図である。 図１０は、実施形態２に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図１１は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップ及び外周除去ステップを実施するエッジトリミング装置の構成の一部を示す斜視図である。 図１２は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップ及び外周除去ステップを実施するエッジトリミング装置の構成の他の一部を模式的に示す側面図である。 図１３は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップを示す斜視図である。 図１４は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハの一例の平面図である。 図１５は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハの他の例の平面図である。 図１６は、図１０に示されたチップの製造方法の外周除去ステップにおいて分割ユニットでウエーハを保持した状態を一部断面で示す側面図である。 図１７は、図１０に示されたチップの製造方法の外周除去ステップにおいて分割ユニットで第一のウエーハの外周部を除去した状態を一部断面で示す側面図である。 図１８は、図１０に示されたチップの製造方法のウエーハ貼り合わせステップを示す斜視図である。 図１９は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の裏面研削ステップを一部断面で示す側面図である。 図２０は、実施形態１及び実施形態２の変形例１に係るチップの製造方法のダイシングステップの一例を一部断面で示す側面図である。 図２１は、実施形態１及び実施形態２の変形例１に係るチップの製造方法のダイシングステップの他の例を一部断面で示す側面図である。 図２２は、実施形態１及び実施形態２の変形例２に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。 図２３は、図２２に示されたチップの製造方法の第一の外周部改質領域形成ステップ及び第二の外周部改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハ及び第二のウエーハの一例の平面図である。 図２４は、図２２に示されたチップの製造方法の第一の外周部改質領域形成ステップ及び第二の外周部改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハ及び第二のウエーハの他の例の平面図である。 図２５は、図２２に示されたチップの製造方法の第一の外周部改質領域形成ステップ及び第二の外周部改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハ及び第二のウエーハの更に他の例の平面図である。 図２６は、実施形態１及び実施形態２の変形例３に係るチップの製造方法の一例の流れを示すフローチャートである。 図２７は、実施形態１及び実施形態２の変形例３に係るチップの製造方法の他の例の流れを示すフローチャートである。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るチップの製造方法により製造されるチップの斜視図である。図２は、実施形態１に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係るチップの製造方法は、図１に示すチップ１を製造する製造方法である。実施形態１に係るチップの製造方法により製造されるチップ１は、図１に示すように、基板２−１と、基板２−１上に形成されたデバイス３−１と、基板２−２と、基板２−２上に形成されかつデバイス３−１に貼り合わされたデバイス３−２とを備える。実施形態１では、デバイス３−１，３−２は、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路であるが、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサでも良い。

実施形態１では、チップ１は、ＴＳＶ（Through-Silicon Via）のような３次元積層チップであるが、ＴＳＶのような３次元積層チップに限定されずに、例えば、ＢＳＩ(Back Side Illumination : 裏面照射)方式のＣＭＯＳ（Complementary MOS）イメージセンサでも良い。実施形態１において、チップ１は、厚さが所定の仕上げ厚み９に形成されている。

実施形態１に係るチップの製造方法は、図２に示すように、ウエーハ貼り合わせステップ１００１と、第一の環状改質領域形成ステップ１００２と、第一の裏面研削ステップ１００３とを含み、ダイシングステップ１００４と、保護部材貼着ステップ１００５と、第二の環状改質領域形成ステップ１００６と、第二の裏面研削ステップ１００７とを更に有している。なお、ウエーハ貼り合わせステップ１００１と、第一の環状改質領域形成ステップ１００２と、第一の裏面研削ステップ１００３とは、半導体チップの製造工程の所謂前工程であり、ダイシングステップ１００４と、保護部材貼着ステップ１００５と、第二の環状改質領域形成ステップ１００６と、第二の裏面研削ステップ１００７とは半導体チップの製造工程の所謂後工程である。

（ウエーハ貼り合わせステップ）
図３は、図２に示されたチップの製造方法のウエーハ貼り合わせステップを示す斜視図である。ウエーハ貼り合わせステップ１００１は、図３に示す第一のウエーハ１０−１の表面４−１に第二のウエーハ１０−２の表面４−２側を対面させて、ウエーハ１０−１，１０−２同士を貼り合わせるステップである。

第一のウエーハ１０−１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２−１とする円板状の半導体ウエーハなどのウエーハであるが光デバイスウエーハでも良い。第一のウエーハ１０−１は、図３に示すように、デバイス領域５−１と、外周余剰領域６−１とを基板２−１の表面４−１に備える。デバイス領域５−１は、複数のデバイス３−１が格子状の複数の分割予定ライン７−１で区画されている。外周余剰領域６−１は、デバイス領域５−１を全周に亘って囲み、デバイス３−１が形成されていない。

また、第一のウエーハ１０−１は、基板２−１の表面４−１に回路層が形成されている。回路層は、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（以下、Ｌｏｗ−ｋ膜と呼ぶ）と、導電性の金属により構成された導電体膜とを備えている。Ｌｏｗ−ｋ膜は、導電体膜と積層されて、デバイス３−１を形成する。導電体膜は、デバイス３−１の回路を構成する。デバイス３−１は、互いに積層されたＬｏｗ−ｋ膜と、Ｌｏｗ−ｋ膜間に積層された導電体膜とにより構成される。なお、分割予定ライン７−１上では、回路は、Ｌｏｗ−ｋ膜により構成され、ＴＥＧ（Test Element Group）を除いて導電体膜を備えていない。

なお、実施形態１では、第一のウエーハ１０−１と第二のウエーハ１０−２とは、構成が同等であるので、以下、第二のウエーハ１０−２の各構成要素を、第一のウエーハ１０−１の同一の構成要素の符号の末尾を「−２」に変更した符号で記載する。なお、第一のウエーハ１０−１と第二のウエーハ１０−２のチップ１と同一部分には、同一符号を付して示す。このために、第二のウエーハ１０−２は、デバイス３−２を備える。

ウエーハ貼り合わせステップ１００１では、図３に示すように、第一のウエーハ１０−１の表面４−１と第二のウエーハ１０−２の表面４−２とを対面させて、ウエーハ１０−１，１０−２同士を貼り合わせる。実施形態１では、第一のウエーハ１０−１と第二のウエーハ１０−２とは、回路層同士が接合されている。実施形態１では、第一のウエーハ１０−１と第二のウエーハ１０−２とは、デバイス３−１，３−２の表面に露出した図示しない電極同士が導電性の金属により構成されたマイクロバンプにより接合されている。

（第一の環状改質領域形成ステップ）
図４は、図２に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップを一部断面で示す側面図である。第一の環状改質領域形成ステップ１００２は、ウエーハ貼り合わせステップ１００１の後、第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側から、ウエーハ１０−１，１０−２の外周縁から所定距離内側の位置で外周縁に沿って第一のウエーハ１０−１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を照射して、第一のウエーハ１０−１に対して環状改質領域１１−１を形成するステップである。

なお、環状改質領域１１−１とは、平面形状が環状の改質領域であり、改質領域とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。改質領域は、第一のウエーハ１０−１の基板２−１の他の箇所よりも機械的な強度が低い。

第一の環状改質領域形成ステップ１００２では、エッジトリミング装置２０の制御部２２がエッジトリミング装置２０の種々の構成要素を制御して第二のウエーハ１０−２の裏面８−２側をチャックテーブル２１の保持面２１１に吸引保持する。第一の環状改質領域形成ステップ１００２では、図４に示すように、制御部２２がエッジトリミング装置２０の構成要素を制御してレーザービーム照射ユニット２３を外周余剰領域６−１，６−２内でかつウエーハ１０−１，１０−２の外周縁から所定距離内側の位置と鉛直方向に対面させる。

第一の環状改質領域形成ステップ１００２では、図４に示すように、制御部２２がエッジトリミング装置２０の構成要素を制御してレーザービーム照射ユニット２３の集光点２４１を第一のウエーハ１０−１の基板２−１の内部に設定し、チャックテーブル回転ユニット２５でチャックテーブル２１を鉛直方向と平行な回転軸２１３を中心に回転させながらレーザービーム照射ユニット２３から第一のウエーハ１０−１の基板２−１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を第一のウエーハ１０−１の外周縁に沿って照射する。

実施形態１において、第一の環状改質領域形成ステップ１００２では、エッジトリミング装置２０が、第一のウエーハ１０−１の基板２−１に対して透過性を有する波長を有するレーザービーム２４を照射するために、図４に示すように、第一のウエーハ１０−１の基板２−１の内部に外周縁に沿って環状改質領域１１−１を形成する。第一の環状改質領域形成ステップ１００２では、エッジトリミング装置２０が、改質層を形成し改質層から伸展したクラックをレーザービーム２４が入射された面とは反対側の面に到達させてその後の研削で改質層を除去してしまう所謂ＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセスの改質層と同様に、環状改質領域１１−１を形成する。また、実施形態１において、第一の環状改質領域形成ステップ１００２では、エッジトリミング装置２０が、チャックテーブル回転ユニット２５でチャックテーブル２１を回転軸２１３を中心に１回転させた後、集光点２４１の位置を厚さ方向に変更して、チャックテーブル２１を回転軸２１３を中心に回転させながらレーザービーム照射ユニット２３からレーザービーム２４を第一のウエーハ１０−１の外周縁に沿って照射することを複数回繰り返して、第一のウエーハ１０−１の外周余剰領域６−１内に厚さ方向に複数層の環状改質領域１１−１を形成する。また、本発明では、第一の環状改質領域形成ステップ１００２において、厚さ方向の全域にわたって環状改質領域１１−１が形成されていなくてもよく、少なくとも研削してウエーハ１０−１，１０−２の厚みがチップ１の仕上げ厚み９に形成された時に外周部１２−１，１２−２が除去できる深さに環状改質領域１１−１が形成されていればよい。

なお、エッジトリミング装置２０の制御部２２は、エッジトリミング装置２０の上述した各ユニットをそれぞれ制御して、ウエーハ１０−１，１０−２に対する加工動作をエッジトリミング装置２０に実施させるものである。なお、制御部２２は、ＣＰＵ（Central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御部２２の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理装置が演算処理を実施して、エッジトリミング装置２０を制御するための制御信号を入出力インターフェース装置を介してエッジトリミング装置２０の上述した構成要素に出力する。

また、制御部２２は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットとに接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。

（第一の裏面研削ステップ）
図５は、図２に示されたチップの製造方法の第一の裏面研削ステップを一部断面で示す側面図である。第一の裏面研削ステップ１００３は、第一の環状改質領域形成ステップ１００２の後、貼り合わせウエーハ１０−１，１０−２を第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側から研削し薄化するステップである。

実施形態１において、第一の裏面研削ステップ１００３では、研削装置３０が、チャックテーブル３１の保持面３１１に第二のウエーハ１０−２の基板２−２の裏面８−２側を吸引保持する。第一の裏面研削ステップ１００３では、図５に示すように、スピンドル３３により研削ホイール３４を鉛直方向と平行な軸心回りに回転しかつチャックテーブル３１を軸心回りに回転させ、研削ホイール３４の研削用砥石３４１を第一のウエーハ１０−１の基板２−１の裏面８−１に当接させてチャックテーブル３１に所定の送り速度で近づけて、研削用砥石３４１で第一のウエーハ１０−１の裏面８−１を研削して、第一のウエーハ１０−１を薄化する。

なお、第一の裏面研削ステップ１００３では、第一のウエーハ１０−１の基板２−１に研削用砥石３４１から負荷がかかり、この負荷により環状改質領域１１−１を起点に第一のウエーハ１０−１が破断し、第一のウエーハ１０−１の外周部１２−１が図５に示すように、第一のウエーハ１０−１から除去される。また、第一の裏面研削ステップ１００３では、外周部１２−１が第一のウエーハ１０−１から除去されるとともに、研削が進行して、第一のウエーハ１０−１が薄化される。

（ダイシングステップ）
図６は、図２に示されたチップの製造方法のダイシングステップを一部断面で示す側面図である。ダイシングステップ１００４は、分割予定ライン７−１，７−２に沿って貼り合わせウエーハ１０−１，１０−２の仕上げ厚み９に至る深さの加工を施すステップである。なお、実施形態１１では、ダイシングステップ１００４は、ウエーハ１０−１，１０−２の仕上げ厚み９に至る深さの切削溝１３を形成する切削加工を施すステップである。

実施形態１において、ダイシングステップ１００４では、切削装置４０が第二のウエーハ１０−２の裏面８−２側をチャックテーブル４１の保持面４１１に吸引保持する。ダイシングステップ１００４では、切削装置４０が図示しない赤外線カメラなどで第一のウエーハ１０−１を裏面８−１側から撮像し、分割予定ライン７−１を検出し、分割予定ライン７−１と切削ユニット４２の切削ブレード４３の切り刃４３１との位置合わせを行うアライメントを遂行する。

ダイシングステップ１００４では、図６に示すように、切削装置４０が回転中の切削ブレード４３とウエーハ１０−１，１０−２とを分割予定ライン７−１，７−２に沿って相対的に移動させながら、裏面８−１側からウエーハ１０−１，１０−２に切削ブレード４３の切り刃４３１を仕上げ厚み９以上の深さまで切り込ませて、ウエーハ１０−１，１０−２に切削溝１３を形成する。こうして、実施形態１では、ダイシングステップ１００４は、第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側から切削ブレード４３を切り込むことによってウエーハ１０−１，１０−２即ちチップ１の仕上げ厚み９に至る深さの切削溝１３を形成する切削ステップである。ダイシングステップ１００４では、切削装置４０が全ての分割予定ライン７−１，７−２に沿ってウエーハ１０−１，１０−２に切削溝１３を形成する。

（保護部材貼着ステップ）
図７は、図２に示されたチップの製造方法の保護部材貼着ステップを示す断面図である。保護部材貼着ステップ１００５は、ダイシングステップ１００４即ち切削ステップの後、行われるステップであって、第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側に保護部材１４を貼着するステップである。

保護部材貼着ステップ１００５では、図７に示すように、周知のマウンタが加工前のウエーハ１０−１，１０−２と同径の保護部材１４を第一のウエーハ１０−１の裏面８−１に貼着する。なお、実施形態１では、保護部材１４は、非粘着性の合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ粘着性の合成樹脂で構成されて第一のウエーハ１０−１の裏面８−１に貼着する粘着層とを備えた、可撓性を有するテープである。

（第二の環状改質領域形成ステップ）
図８は、図２に示されたチップの製造方法の第二の環状改質領域形成ステップを一部断面で示す側面図である。第二の環状改質領域形成ステップ１００６は、第二のウエーハ１０−２の裏面８−２側から、第二のウエーハ１０−２の外周縁から所定距離内側の位置で外周縁に沿って第二のウエーハ１０−２に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を照射して、第二のウエーハ１０−２に対して環状改質領域１１−１と同様な環状改質領域１１−２を形成するステップである。

第二の環状改質領域形成ステップ１００６では、エッジトリミング装置２０の制御部２２がエッジトリミング装置２０の構成要素を制御して保護部材１４を介して第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側をチャックテーブル２１の保持面２１１に吸引保持する。第二の環状改質領域形成ステップ１００６では、図８に示すように、制御部２２がエッジトリミング装置２０の構成要素を制御してレーザービーム照射ユニット２３を外周余剰領域６−２内でかつ第二のウエーハ１０−２の外周縁から所定距離内側の位置と鉛直方向に対面させる。なお、図８に示された例では、保護部材１４の外周部１４１は、チャックテーブル２１の保持面２１１から浮いている。

第二の環状改質領域形成ステップ１００６では、図８に示すように、制御部２２がエッジトリミング装置２０の構成要素を制御してレーザービーム照射ユニット２３の集光点２４１を第二のウエーハ１０−２の基板２−２の内部に設定し、チャックテーブル回転ユニット２５でチャックテーブル２１を回転軸２１３を中心に回転させながらレーザービーム照射ユニット２３から第二のウエーハ１０−２の基板２−２に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を第二のウエーハ１０−２の外周縁に沿って照射する。

実施形態１において、第二の環状改質領域形成ステップ１００６では、エッジトリミング装置２０が、第二のウエーハ１０−２の基板２−２に対して透過性を有する波長を有するレーザービーム２４を照射するために、図８に示すように、第二のウエーハ１０−２の基板２−２の内部に外周縁に沿って環状改質領域１１−２を形成する。第二の環状改質領域形成ステップ１００６では、エッジトリミング装置２０が、改質層を形成し改質層から伸展したクラックをレーザービーム２４が入射された面とは反対側の面に到達させてその後の研削で改質層を除去してしまう所謂ＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセスの改質層と同様に、環状改質領域１１−２を形成する。また、実施形態１において、第二の環状改質領域形成ステップ１００６では、エッジトリミング装置２０が、チャックテーブル回転ユニット２５でチャックテーブル２１を回転軸２１３を中心に１回転させた後、集光点２４１の位置を厚さ方向に変更して、チャックテーブル２１を回転軸２１３を中心に回転させながらレーザービーム照射ユニット２３からレーザービーム２４を第二のウエーハ１０−２の外周縁に沿って照射することを複数回繰り返して、第二のウエーハ１０−２の外周余剰領域６−２内に厚さ方向に複数層の環状改質領域１１−２を形成する。また、本発明では、第二の環状改質領域形成ステップ１００６において、厚さ方向の全域にわたって環状改質領域１１−２が形成されていなくてもよく、少なくとも研削してウエーハ１０−１，１０−２の厚みがチップ１の仕上げ厚み９に形成された時に外周部１２−１，１２−２が除去できる深さに環状改質領域１１−２が形成されていればよい。

（第二の裏面研削ステップ）
図９は、図２に示されたチップの製造方法の第二の裏面研削ステップを一部断面で示す側面図である。第二の裏面研削ステップ１００７は、ダイシングステップ１００４、保護部材貼着ステップ１００５および第二の環状改質領域形成ステップ１００６の後、第二のウエーハ１０−２の裏面８−２側から研削し仕上げ厚み９へと薄化するステップである。

実施形態１において、第二の裏面研削ステップ１００７では、研削装置３０が、チャックテーブル３１の保持面３１１に保護部材１４を介して第一のウエーハ１０−１の基板２−１の裏面８−１側を吸引保持する。このとき、保護部材１４の外周部１４１は、チャックテーブル３１の保持面３１１から浮き、かつ第二のウエーハ１０−２の外周部１２−２が、保護部材１４に埋め込まれている。第二の裏面研削ステップ１００７では、図９に示すように、スピンドル３３により研削ホイール３４を鉛直方向と平行な軸心回りに回転しかつチャックテーブル３１を軸心回りに回転させ、研削ホイール３４の研削用砥石３４１を第二のウエーハ１０−２の基板２−２の裏面８−２に当接させてチャックテーブル３１に所定の送り速度で近づけて、研削用砥石３４１で第二のウエーハ１０−２の裏面８−２を研削して、貼り合わされたウエーハ１０−１，１０−２を仕上げ厚み９まで薄化する。

なお、第二の裏面研削ステップ１００７では、第二のウエーハ１０−２の基板２−２に研削用砥石３４１から負荷がかかり、この負荷により環状改質領域１１−２を起点に第二のウエーハ１０−２が破断する。また、保護部材１４に埋め込まれている外周部１２−２は、第二のウエーハ１０−２が薄くなるにつれてチャックテーブル３１のバキューム圧によってチャックテーブル３１の保持面３１１側に保護部材１４の外周部１４１が引っ張られるため、研削の進行にともなって、保護部材１４の外周部１４１が保持面３１１に密着し、外周部１４１が保持面３１１に密着すると第二のウエーハ１０−２から分割される。また、第二の裏面研削ステップ１００７では、外周部１２−２が第二のウエーハ１０−２から除去されるとともに、研削が進行して、貼り合わされたウエーハ１０−１，１０−２が薄化される。

また、第二の裏面研削ステップ１００７では、ダイシングステップ１００４において仕上げ厚み９に至る深さの切削溝１３が形成されているために、第二のウエーハ１０−２の裏面８−２側に切削溝１３が露出して、ダイシングステップ１００４でダイシングした分割予定ライン７−１，７−２に沿って貼り合わされたウエーハ１０−１，１０−２が個々のチップ１に分割されて、チップ化される。貼り合わされたウエーハ１０−１，１０−２から分割された個々のチップ１は、保護部材１４からピックアップされる。こうして、実施形態１に係るチップの製造方法は、貼り合わせたウエーハ１０−１，１０−２の外周部１２−１，１２−２を除去する方法、即ちエッジトリミング方法でもある。

以上説明したように、実施形態１にかかるチップの製造方法は、ウエーハ貼り合わせステップ１００１後の裏面研削ステップ１００３，１００７においてウエーハ１０−１，１０−２の外周部１２−１，１２−２を除去する。即ち、実施形態１にかかるチップの製造方法は、所謂前トリムを行わないために、コンタミが基板２−１，２−２の表面４−１，４−２に付着して除去しきれなくなることを抑制でき、ウエーハ１０−１，１０−２を貼り合わせる際にコンタミを挟み込む可能性を低減することが可能となる。

また、切削ブレードで加工すると、本願でいう第一の環状改質領域形成ステップ１００２に相当する前工程のトリミング時に上側のウエーハを切断し及び下側のウエーハに少し切り込んでしまうので、本願でいう第二の裏面研削ステップ１００７に相当する後工程の研削時に割れてしまうという問題が発生する。しかしながら、実施形態１にかかるチップの製造方法は、第一の環状改質領域形成ステップ１００２において第一のウエーハ１０−１の基板２−１の外周余剰領域６−１内に環状改質領域１１−１を形成して切り込みを形成することがないので、特に第二の裏面研削ステップ１００７においてウエーハ１０−１，１０−２が割れて破損することを抑制することができる。

また、実施形態１にかかるチップの製造方法は、レーザービーム２４の照射と研削加工により外周部１２−１，１２−１を除去することができるため、切削ブレードを使う必要がなくなるので、生産効率が低下することを抑制でき、切削ブレードの切り刃の偏摩耗を考慮する必要もなくなる。

その結果、実施形態１にかかるチップの製造方法は、デバイス３−１，３−２へのコンタミの付着、生産効率の低下、及び破損を抑制することができ、貼り合わせたウエーハ１０−１，１０−２のエッジトリミングによって生じる種々の問題を解決することができるという効果を奏する。

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態２に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。なお、実施形態２の説明では、各図において、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

実施形態２に係るチップの製造方法は、図１０に示すように、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２と、外周除去ステップ１０１０と、ウエーハ貼り合わせステップ１００１−２と、第一の裏面研削ステップ１００３−２とを含み、ダイシングステップ１００４と、保護部材貼着ステップ１００５と、第二の環状改質領域形成ステップ１００６と、第二の裏面研削ステップ１００７とを更に有している。なお、実施形態２に係るチップの製造方法は、所謂前工程が実施形態１と異なり、所謂後工程が実施形態１と同じである。

次に、実施形態２に係るチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２及び外周除去ステップ１０１０を実施するエッジトリミング装置２０を説明する。図１１は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップ及び外周除去ステップを実施するエッジトリミング装置の構成の一部を示す斜視図である。図１２は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップ及び外周除去ステップを実施するエッジトリミング装置の構成の他の一部を模式的に示す側面図である。

エッジトリミング装置２０は、第一のウエーハ１０−１の外周部１２−１を除去する、即ち第一のウエーハ１０−１をエッジトリミングする装置である。エッジトリミング装置２０は、図１１に示すように、第一のウエーハ１０−１を保持する保持面２１１を有するチャックテーブル２１と、チャックテーブル２１を保持面２１１に垂直な回転軸２１３を中心に回転させるチャックテーブル回転ユニット２５と、第一のウエーハ１０−１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を発振する図示しない発振器を含むレーザービーム照射ユニット２３と、制御部２２とを備える。また、エッジトリミング装置２０は、図１１に示すように、移動ユニット２６と、カセットエレベータ２７と、分割ユニット２８と、図示しない搬送ユニットとを備える。また、エッジトリミング装置２０は、図１２に示すテープ貼着ユニット５０を備えていてもよい。

移動ユニット２６は、チャックテーブル１０及びチャックテーブル回転ユニット２５を水平方向と平行なＸ軸方向に移動させる加工送り手段であるＸ軸移動ユニット２６１と、チャックテーブル１０及びチャックテーブル回転ユニット２５を水平方向と平行でかつＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に移動させる割り出し送り手段であるＹ軸移動ユニット２６２とを備える。

実施形態２では、Ｙ軸移動ユニット２６２は、エッジトリミング装置２０の装置本体２０１上に設置されている。Ｙ軸移動ユニット２６２は、Ｘ軸移動ユニット２６１を支持した移動プレート２６３をＹ軸方向に移動自在に支持している。Ｘ軸移動ユニット２６１は、移動プレート２６３上に設置されている。Ｘ軸移動ユニット２６１は、チャックテーブル１０を回転軸２１３を中心に回転させるチャックテーブル回転ユニット２５を支持した第二移動プレート２６４をＸ軸方向に移動自在に支持している。

図１２に示すテープ貼着ユニット５０は、第一のウエーハ１０−１に伸縮性を有するテープ１６を貼着するユニットである。テープ１６は、可撓性及び伸縮性を有する樹脂から構成され、加熱されると収縮する熱収縮性を有する。テープ１６は、非粘着性の合成樹脂で構成された基材層と、基材層に積層されかつ粘着性の合成樹脂で構成された粘着層とを備え、粘着層に剥離紙が貼着されている。実施形態２では、テープ１６は、支持ローラ５２の外周に巻き付けられた長尺状に形成されている。

テープ貼着ユニット５０は、図１２に示すように、チャックテーブル５１と、支持ローラ５２と、剥離紙巻き取りローラ５３と、貼着ローラ５４と、テープカット部５５と、テープ巻き取りローラ５６と、複数の搬送ローラ５７とを備える。

チャックテーブル５１は、上面が水平方向と平行に平坦に形成され、上面の中央に第一のウエーハ１０−１の基板２−１の裏面８−１が載置され、外縁部に内径が第一のウエーハ１０−１よりも大径な環状フレーム１５が載置される。

支持ローラ５２は、外周にロール状にテープ１６を巻回し、ロール状に巻回したテープ１６を端部から順にチャックテーブル５１の上面の上方に送り出すものである。支持ローラ５２は、円柱状に形成され、軸心回りに回転自在に設けられている。支持ローラ５２は、外周面上にロール状に巻回されたテープ１６が巻き付けられる状態で、テープ１６がセットされる。実施形態１では、剥離紙１７が外周側に位置する状態で、テープ１６がセットされる。

剥離紙巻き取りローラ５３は、支持ローラ５２から送り出されたテープ１６から剥がされた剥離紙１７を巻き取るものである。剥離紙巻き取りローラ５３は、実施形態２では、支持ローラ５２の下方に配置されている。剥離紙巻き取りローラ５３は、支持ローラ５２と平行な円柱状に形成され、図示しないモータなどの駆動装置により軸心回りに回転されることで、外周面上にテープ１６から剥がされた剥離紙１７を巻き取る。

貼着ローラ５４は、支持ローラ５２からチャックテーブル５１の上面の上方に供給されたテープ１６をチャックテーブル５１の上面５１１に載置された第一のウエーハ１０−１及び環状フレーム１５に貼着するものである。貼着ローラ５４は、チャックテーブル５１の上方に配置されている。貼着ローラ５４は、支持ローラ５２及び剥離紙巻き取りローラ５３と平行な円柱状に形成され、軸心回りに回転自在に支持されるとともに昇降自在でかつチャックテーブル５１の上面５１１に沿って水平方向に移動自在に図示しない移動機構により支持されている。貼着ローラ５４は、移動機構により下降した状態で例えば図５に点線で示す位置と実線で示す位置とに亘ってチャックテーブル５１の上面５１１に沿って水平方向に移動することで、テープ１６をチャックテーブル５１に保持された第一のウエーハ１０−１及び環状フレーム１５に押し付けて貼着する。

テープカット部５５は、テープ１６を第一のウエーハ１０−１及び環状フレーム１５に貼着した後に、テープ１６の環状フレーム１５の内縁と外縁との間を切断するものである。テープカット部５５は、チャックテーブル５１の上方に配置されている。

実施形態２において、テープカット部５５は、回転ユニット５５１により鉛直方向と平行な軸心回りに回転される回転テーブル５５２と、回転テーブル５５２の外縁部に設けられたカッター刃５５３とを備え、図示しない移動機構により昇降自在に設けられている。カッター刃５５３は、刃先５５４が、チャックテーブル５１に載置された環状フレーム１５の内縁と外縁との間と鉛直方向に沿って対向する。

テープ巻き取りローラ５６は、テープカット部５５によって第一のウエーハ１０−１及び環状フレーム１５に貼着された部分が切断された後のテープ１６の不要部分を巻き取るものである。テープ巻き取りローラ５６は、チャックテーブル５１よりも上方でかつ、水平方向では支持ローラ５２及び剥離紙巻き取りローラ５３との間にチャックテーブル５１を挟む位置に配置されている。テープ巻き取りローラ５６は、支持ローラ５２及び剥離紙巻き取りローラ５３と平行な円柱状に形成され、図示しないモータなどの駆動装置により軸心回りに回転されることで、外周面上にテープ１６の不要部分を巻き取る。

複数の搬送ローラ５７は、支持ローラ５２からテープ巻き取りローラ５６の間に配置され、テープ１６を支持ローラ５２からテープ巻き取りローラ５６に搬送するとともに、テープ１６に弛みが生じることを抑制するためにテープ１６にテンションを付与するものである。複数の搬送ローラ５７は、支持ローラ５２、剥離紙巻き取りローラ５３及びテープ巻き取りローラ５６と平行な円柱状に形成され、かつ軸心回りに回転自在に設けられている。

搬送ローラ５７は、支持ローラ５２とチャックテーブル５１との間でかつ支持ローラ５２よりも下方に一対配置されている。これら一対の搬送ローラ５７の一方は、外周面上に支持ローラ５２から送り出された剥離紙１７が貼着された状態のテープ１６が通されて、テープ１６から剥離紙１７を剥がすとともに、テープ１６から剥がした剥離紙１７を剥離紙巻き取りローラ５３に送り出す。他方は、外周面上に剥離紙１７が剥がされたテープ１６を通して、粘着層を下方に向けた状態でチャックテーブル５１の一端部上に送り出す。

また、搬送ローラ５７は、チャックテーブル５１の他端部上とテープ巻き取りローラ５６との間に一つ配置されている。この一つの搬送ローラ５７は、外周面上にテープ１６の不要部分が通されて、テープ１６の不要部分をテープ巻き取りローラ５６に向けて送り出す。

前述した構成のテープ貼着ユニット５０は、チャックテーブル５１の上面に第一のウエーハ１０−１及び環状フレーム１５が載置され、支持ローラ５２から送り出されたテープ１６から剥離紙１７を剥がして、剥離紙１７を剥離紙巻き取りローラ５３で巻き取る。テープ貼着ユニット５０は、剥離紙１７が剥がされたテープ１６の先端をテープ巻き取りローラ５６に巻き取る。テープ貼着ユニット５０は、貼着ローラ５４を下降させ水平方向に沿って移動させることで、チャックテーブル５１の上方に位置するテープ１６を第一のウエーハ１０−１及び環状フレーム１５に押し付けて貼着する。

テープ貼着ユニット５０は、貼着ローラ５４を上昇させ、テープカット部５５を下降させて、カッター刃５５３の刃先５５４をテープ１６の環状フレーム１５の内縁と外縁との間に切り込ませて、回転ユニット５５１で回転テーブル５５２を軸心回りに回転して、テープ１６を環状フレーム１５の内縁と外縁との間で切断する。テープ貼着ユニット５０は、テープ１６の切断後、テープカット部５５を上昇させて、テープ１６の不要部分をテープ巻き取りローラ５６で巻き取って、第一のウエーハ１０−１よりも大径な円板状のテープ１６の中央に第一のウエーハ１０−１の表面４−１を貼着し、テープ１６の外縁部に環状フレーム１５を貼着して、テープ１６により第一のウエーハ１０−１を環状フレーム１５の開口１５１内に支持する。

カセットエレベータ２７は、上面にカセット２７１が設置され、カセット２７１を鉛直方向と平行なＺ軸方向に昇降させるものである。なお、カセット２７１は、テープ貼着ユニット５０によりテープ１６が貼着されて環状フレーム１５の開口１５１内に支持された第一のウエーハ１０−１を複数枚収容する収容容器である。

分割ユニット２８は、テープ貼着ユニット５０によって第一のウエーハ１０−１に貼り付けられたテープ１６を拡張するユニットである。分割ユニット２８は、図１１に示すように、フレーム保持部２８１と、チャックテーブル２８７と、拡張ユニットである拡張ドラム２８２とを備える。

フレーム保持部２８１は、環状フレーム１５を保持するものであって、フレーム載置プレート２８３と、フレーム押さえプレート２８４とを備える。フレーム載置プレート２８３は、平面形状が円形の開口部が設けられ、かつ上面が水平方向と平行に平坦に形成された板状に形成されている。フレーム載置プレートの開口部の内径は、環状フレーム１５の内径と等しく形成されている。フレーム載置プレート２８３は、搬送ユニットにより開口部上に第一のウエーハ１０−１が位置する状態で環状フレーム１５が上面に載置される。実施形態１では、フレーム載置プレート２８３は、シリンダ２８５により昇降自在に設けられている。

フレーム押さえプレート２８４は、フレーム載置プレート２８３の上方に固定されている。フレーム押さえプレート２８４は、フレーム載置プレート２８３とほぼ同寸法の板状に形成され、中央に円形の開口部が設けられている。フレーム押さえプレート２８４の開口部は、フレーム載置プレート２８３の開口部と同軸となる位置に配置されている。

フレーム保持部２８１は、シリンダ２８５のロッドが縮小して下方に位置するフレーム載置プレート２８３の上面に搬送ユニットにより開口１５１の内側に第一のウエーハ１０−１を支持した環状フレーム１５が搬送されてくる。フレーム保持部２８１は、フレーム載置プレート２８３の上面に環状フレーム１５が載置された後、シリンダ２８５によりフレーム載置プレート２８３が上昇する。フレーム保持部２８１は、フレーム押さえプレート２８４と上昇したフレーム載置プレート２８３との間に環状フレーム１５を挟んで固定する。

拡張ドラム２８２は、フレーム保持部２８１で環状フレーム１５が固定された第一のウエーハ１０−１の外周と環状フレーム１５の内周との間のテープ１６を押圧して、テープ１６を拡張するユニットである。即ち、拡張ドラム２８２は、フレーム保持部２８１とチャックテーブル２８７とをチャックテーブル２８７の保持面２８８と直交する方向に相対的に離反させ、テープ１６を拡張するユニットである。拡張ドラム２８２は、円筒状に形成され、外径が環状フレーム１５の内径よりも小さく、内径が第一のウエーハ１０−１の外径よりも大きく形成されている。拡張ドラム２８２は、フレーム保持部２８１の開口部と同軸に配置されている。拡張ドラム２８２の上端には、コロ部材２８９（図１６等に示す）が回転自在に取り付けられている。

拡張ドラム２８２は、シリンダ２８６に取り付けられ、シリンダ２８６によりＺ軸方向に昇降自在に設けられている。実施形態１では、拡張ドラム２８２は、シリンダ２８６によりコロ部材２８９が環状フレーム１５を固定したフレーム保持部２８１のフレーム載置プレート２８３の上面よりも下側に位置する位置と、コロ部材２８９が環状フレーム１５を固定したフレーム保持部２８１のフレーム載置プレート２８３の上面よりも上側に位置する位置とに亘ってＺ軸方向に昇降する。

チャックテーブル２８７は、テープ１６を介して、第一のウエーハ１０−１を支持する保持面２８８を有する。チャックテーブル２８７は、円板状に形成され、拡張ドラム２８２の内側に配置される。保持面２８８は、水平方向と平行に形成され、拡張ドラム２８２のコロ部材２８９の上端と同一平面上に配置される。チャックテーブル２８７は、シリンダ２８６により拡張ドラム２８２と一体にＺ軸方向に昇降する。

分割ユニット２８は、チャックテーブル２８７の保持面２８８上にテープ１６を介して第一のウエーハ１０−１を支持し、フレーム保持部２８１で環状フレーム１５を固定する。分割ユニット２８は、拡張ドラム２８２及びチャックテーブル２８７をコロ部材２８９が環状フレーム１５を固定したフレーム保持部２８１のフレーム載置プレート２８３の上面よりも下側に位置する位置から上昇させて、第一のウエーハ１０−１の外周と環状フレーム１５の内周との間のテープ１６を押圧して、テープ１６を面方向に拡張する。

搬送ユニットは、テープ貼着ユニット５０により外縁部に環状フレーム１５が貼着されたテープ１６が表面４−１側に貼り付けられた第一のウエーハ１０−１をテープ貼着ユニット５０からカセットエレベータ２７に搬送して、カセット２７１内に収容する。搬送ユニットは、カセット２７１内から環状改質領域１１−１が形成される前の第一のウエーハ１０−１を取り出して、チャックテーブル２１まで搬送する。搬送ユニットは、レーザービーム照射ユニット２３により環状改質領域１１−１が形成された第一のウエーハ１０−１を分割ユニット２８のフレーム保持部２８１のフレーム載置プレート２８３の上面に搬送する。搬送ユニットは、分割ユニット２８により拡張されたテープ１６に貼着された第一のウエーハ１０−１を分割ユニット２８のフレーム保持部２８１のフレーム載置プレート２８３の上面からカセットエレベータ２７に搬送して、カセット２７１内に収容する。

次に、実施形態２に係るチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２を説明する。図１３は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップを示す斜視図である。図１４は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハの一例の平面図である。図１５は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の環状改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハの他の例の平面図である。第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２は、第一のウエーハ１０−１の外周縁から所定距離内側の位置で外周縁に沿って第一のウエーハ１０−１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を照射して、環状改質領域１１−１を形成するステップである。

なお、実施形態２では、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２を開始するとエッジトリミング装置２０は、テープ貼着ユニット５０で第一のウエーハ１０−１の表面４−１側及び環状フレーム１５にテープ１６を貼着して、テープ１６が貼着されて環状フレーム１５で支持された第一のウエーハ１０−１をカセット２７１内に収容する。実施形態２の第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２では、エッジトリミング装置２０の制御部２２がエッジトリミング装置２０の種々の構成要素を制御してカセット２７１から第一のウエーハ１０−１を１枚取り出して、テープ１６を介して表面４−１側をチャックテーブル２１の保持面２１１に吸引保持し、チャックテーブル２１の周囲に設けられたクランプ部２１２で環状フレーム１５をクランプする。

第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２では、図１３に示すように、制御部２２が移動ユニット２６でチャックテーブル２１の位置を調整して、レーザービーム照射ユニット２３を外周余剰領域６−１内でかつ第一のウエーハ１０−１の外周縁から所定距離内側の位置と鉛直方向に対面させる。第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２では、図１３に示すように、制御部２２がエッジトリミング装置２０の構成要素を制御してレーザービーム照射ユニット２３の集光点２４１を第一のウエーハ１０−１の基板２−１の内部に設定し、チャックテーブル回転ユニット２５でチャックテーブル２１を鉛直方向と平行な回転軸２１３を中心に回転させながらレーザービーム照射ユニット２３の発振器から第一のウエーハ１０−１の基板２−１に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を発振させて、第一のウエーハ１０−１の外周余剰領域６−１内で外周縁から所定距離内側の位置で外周縁に沿ってレーザービーム２４を第一のウエーハ１０−１に照射する。

実施形態２において、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２では、エッジトリミング装置２０が、実施形態１と同様に、第一のウエーハ１０−１の基板２−１の内部に外周縁に沿って環状改質領域１１−１を形成するとともに、第一のウエーハ１０−１の外周余剰領域６−１内に厚さ方向に複数層の環状改質領域１１−１を形成する。また、実施形態２において、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２では、エッジトリミング装置２０が、第一のウエーハ１０−１の外周部１２−１に裏面８−１から仕上げ厚み９以上の深さの間に改質領域１９−１，１９−２を形成する。なお、図１４は、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２において、改質領域１９−１を外周部１２−１，１２−２に放射状に複数形成する例を示している。図１５は、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２において、改質領域１９−２を外周部１２−１，１２−２に環状改質領域１１−１，１１−２に接する接線に沿って複数形成する例を示している。実施形態２において、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２では、エッチトリミング装置２２０の制御部２２がチャックテーブル２１から環状改質領域１１−１が形成された第一のウエーハ１０−１を分割ユニット２８に搬送し、第一のウエーハ１０−１をテープ１６を介してチャックテーブル２８７の保持面２８８に載置し、環状フレーム１５をフレーム保持部２８１のフレーム載置プレート２８３の上面に載置する。

次に、実施形態２に係るチップの製造方法の外周除去ステップ１０１０を説明する。図１６は、図１０に示されたチップの製造方法の外周除去ステップにおいて分割ユニットでウエーハを保持した状態を一部断面で示す側面図である。図１７は、図１０に示されたチップの製造方法の外周除去ステップにおいて分割ユニットで第一のウエーハの外周部を除去した状態を一部断面で示す側面図である。

外周除去ステップ１０１０は、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２の後、第一のウエーハ１０−１に対して外力を付与し、環状改質領域１１−１に沿って第一のウエーハ１０−１から外周部１２−１を分離し除去するステップである。外周除去ステップ１０１０では、制御部２２がシリンダ２８５でフレーム載置プレート２８３を上昇して、図１６に示すように、環状フレーム１５をフレーム押さえプレート２８４とフレーム載置プレート２８３との間で挟んで保持するとともに、拡張ドラム２８２及びチャックテーブル２８７を上昇して、拡張ドラム２８２のコロ部材２８９及び保持面２８８をテープ１６に当接させる。

外周除去ステップ１０１０では、制御部２２が拡張ドラム２８２及びチャックテーブル２８７を更に上昇させる。すると、図１７に示すように、テープ１６の第一のウエーハ１０−１の外周と環状フレーム１５の内周との間をコロ部材２８９が下方から上方に向けて押圧するとともに、第一のウエーハ１０−１をチャックテーブル２８７が下方から上方に向けて押圧して、テープ１６が面方向に拡張される。外周除去ステップ１０１０では、テープ１６の拡張の結果、テープ１６に放射状の引張力が作用する。

このように第一のウエーハ１０−１の表面４−１に貼着されたテープ１６に放射状の引張力が作用すると、第一のウエーハ１０−１は、環状改質領域１１−１が形成されかつ外周部１２−１に改質領域１９−１，１９−２のいずれかが形成されているので、環状改質領域１１−１及び改質領域１９−１，１９−２のいずれかを起点として破断して、第一のウエーハ１０−１を環状改質領域１１−１に沿って分割して、第一のウエーハ１０−１から外周部１２−１を分離除去する。外周除去ステップ１０１０では、制御部２２が拡張ドラム２８２及びチャックテーブル２８７を下降し、フレーム載置プレート２８３を下降して、外周部１２−１が分離された第一のウエーハ１０−１をカセットエレベータ２７まで搬送してカセット２７１内に収容する。こうして、分割ユニット２８は、テープ貼着ユニット５０によって第一のウエーハ１０−１に貼り付けられたテープ１６を拡張することによって、レーザービーム２４によって改質領域である環状改質領域１１−１が形成された第一のウエーハ１０−１に対して外力を付与し、環状改質領域１１−１及び改質領域１９−１，１９−２のいずれかに沿って第一のウエーハ１０−１を分割する。

なお、外周除去ステップ１０１０において、環状改質領域１１−１及び改質領域１９−１，１９−２のいずれかに沿って第一のウエーハ１０−１を分割する際に、パーティクルが発生するが、発生するパーティクルが、切削加工で生じるコンタミより大きく、洗浄で落ちやすいために問題となりにくい。このために、本発明では、外周除去ステップ１０１０において、環状改質領域１１−１に沿って分割された第一のウエーハ１０−１は、ウエーハ貼り合わせステップ１００１−２前に洗浄されるのが望ましい。なお、実施形態２では、エッジトリミング装置２０は、カセット２７１内の第一のウエーハ１０−１に順に環状改質領域１１−１及び改質領域１９−１，１９−２のいずれかを形成し、テープ１６を拡張して第一のウエーハ１０−１を分割し、カセット２７１内の全ての第一のウエーハ１０−１を分割すると、加工動作を終了する。

次に、実施形態２に係るチップの製造方法のウエーハ貼り合わせステップ１００１−２を説明する。図１８は、図１０に示されたチップの製造方法のウエーハ貼り合わせステップを示す斜視図である。ウエーハ貼り合わせステップ１００１−２は、外周除去ステップ１０１０の後、第一のウエーハ１０−１の表面４−１側を第二のウエーハ１０−２の表面４−２側と対面させて、ウエーハ１０−１，１０−２同士を貼り合わせるステップである。

ウエーハ貼り合わせステップ１００１−２では、図１８に示すように、外周除去ステップ１０１０後の第一のウエーハ１０−１の表面４−１と第二のウエーハ１０−２の表面４−２とを対面させて、実施形態１と同様に、ウエーハ１０−１，１０−２同士を貼り合わせる。なお、実施形態２に係るチップの製造方法のウエーハ貼り合わせステップ１００１−２では、第一のウエーハ１０−１がノッチがないため、分割予定ライン７−１，７−２で位置合わせをして貼り合わせを行う。

次に、実施形態２に係るチップの製造方法の第一の裏面研削ステップ１００３−２を説明する。図１９は、図１０に示されたチップの製造方法の第一の裏面研削ステップを一部断面で示す側面図である。第一の裏面研削ステップ１００３−２は、ウエーハ貼り合わせステップ１００１−２の後、貼り合わせウエーハ１０−１，１０−２を第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側から研削し薄化するステップである。

実施形態２において、第一の裏面研削ステップ１００３−２は、研削装置３０が、チャックテーブル３１の保持面３１１に第二のウエーハ１０−２の基板２−２の裏面８−２側を吸引保持する。第一の裏面研削ステップ１００３−２では、図１９に示すように、スピンドル３３により研削ホイール３４を鉛直方向と平行な軸心回りに回転しかつチャックテーブル３１を軸心回りに回転させ、研削ホイール３４の研削用砥石３４１を第一のウエーハ１０−１の基板２−１の裏面８−１に当接させてチャックテーブル３１に所定の送り速度で近づけて、研削用砥石３４１で第一のウエーハ１０−１の裏面８−１を研削して、第一のウエーハ１０−１を薄化する。

実施形態２にかかるチップの製造方法は、外周除去ステップ１０１０で第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２で形成された環状改質領域１１−１を起点に破断して外周部１２−１を除去するので、所謂前トリムにおいて切削加工を実施しない。また、実施形態２にかかるチップの製造方法は、ウエーハ貼り合わせステップ１００１後の第二の裏面研削ステップ１００７において第二のウエーハ１０−２の外周部１２−２を除去する。このために、実施形態２にかかるチップの製造方法は、コンタミが基板２−１，２−２の表面４−１，４−２に付着して除去しきれなくなることを抑制できる。

また、切削ブレードで加工すると、本願でいう第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２に相当する前工程のトリミング時に上側のウエーハを切断し及び下側のウエーハに少し切り込んでしまうので、本願でいう第二の裏面研削ステップ１００７に相当する後工程の研削時に割れてしまうという問題が発生する。しかしながら、実施形態２にかかるチップの製造方法は、第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２において第一のウエーハ１０−１の基板２−１の外周余剰領域６−１内に環状改質領域１１−１を形成して切り込みを形成することがないので、特に第二の裏面研削ステップ１００７においてウエーハ１０−１，１０−２が割れて破損することを抑制することができる。

また、実施形態２にかかるチップの製造方法は、レーザービーム２４の照射と研削加工により外周部１２−１，１２−１を除去することができるため、切削ブレードを使う必要がなくなるので、生産効率が低下することを抑制でき、切削ブレードの切り刃の偏摩耗を考慮する必要もなくなる。

その結果、実施形態２にかかるチップの製造方法は、実施形態１と同様に、デバイス３−１，３−２へのコンタミの付着、生産効率の低下、及び破損を抑制することができ、貼り合わせたウエーハ１０−１，１０−２のエッジトリミングによって生じる種々の問題を解決することができるという効果を奏する。

〔変形例１〕
本発明の実施形態１及び実施形態２の変形例１に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図２０は、実施形態１及び実施形態２の変形例１に係るチップの製造方法のダイシングステップの一例を一部断面で示す側面図である。図２１は、実施形態１及び実施形態２の変形例１に係るチップの製造方法のダイシングステップの他の例を一部断面で示す側面図である。なお、変形例１の説明では、各図において、実施形態１及び実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

変形例１において、ダイシングステップ１００４では、エッジトリミング装置２０が図２０に示すように、第二のウエーハ１０−２の裏面８−２側をチャックテーブル２１の保持面２１１に吸引保持する、又は図２１に示すように、第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側をチャックテーブル２１の保持面２１１に吸引保持する。ダイシングステップ１００４では、エッジトリミング装置２０が図示しない赤外線カメラなどで第一のウエーハ１０−１を裏面８−１側又は第二のウエーハ１０−２を裏面８−２側から撮像し、分割予定ライン７−１，７−２を検出し、分割予定ライン７−１，７−２とレーザービーム照射ユニット２３との位置合わせを行うアライメントを遂行する。

ダイシングステップ１００４では、エッジトリミング装置２０がレーザービーム照射ユニット２３とウエーハ１０−１，１０−２とを分割予定ライン７−１，７−２に沿って相対的に移動させながら集光点２４１を第一のウエーハ１０−１又は第二のウエーハ１０−２の内部に設定して、レーザービーム照射ユニット２３からウエーハ１０−１，１０−２に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を照射して、分割予定ライン７−１，７−２に沿ってウエーハ１０−１，１０−２の内部に環状改質領域１１−１，１１−２と同様な改質領域１８を形成する。

なお、図２０は、第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側からレーザービーム２４を照射する例を示し、集光点２４１の厚さ方向の高さを変更して、複数回、分割予定ライン７−１，７−２に沿ってレーザービーム２４を照射することを繰り返して、裏面８−１から仕上げ厚み９以上の深さの間に複数層の改質領域１８を形成する例を示している。また、図２１は、第二のウエーハ１０−２の裏面８−２側からレーザービーム２４を照射する例を示し、集光点２４１の厚さ方向の高さを変更して、複数回、分割予定ライン７−１，７−２に沿ってレーザービーム２４を照射することを繰り返して、裏面８−２から仕上げ厚み９以上の深さの間に複数層の改質領域１８を形成する例を示している。

こうして、変形例１では、ダイシングステップ１００４は、第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側および第二のウエーハ１０−２の裏面８−２側の少なくとも一方からウエーハ１０−１，１０−２に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４を照射して分割予定ライン７−１，７−２に沿って改質領域１８を形成するレーザーダイシングステップである。また、変形例１では、実施形態１及び実施形態２と同様に、レーザーダイシングステップであるダイシングステップ１００４の後に、第一のウエーハ１０−１の裏面８−１側に保護部材１４を貼着する保護部材貼着ステップ１００５を行い、レーザーダイシングステップであるダイシングステップ１００４の後に、第二の環状改質領域形成ステップ１００６を実施する。

なお、変形例１では、本発明は、レーザーダイシングステップであるダイシングステップ１００４の前に保護部材貼着ステップ１００５を行っても良い。

変形例１にかかるチップの製造方法は、実施形態１及び実施形態２と同様に、デバイス３−１，３−２へのコンタミの付着、生産効率の低下、及び破損を抑制することができ、貼り合わせたウエーハ１０−１，１０−２のエッジトリミングによって生じる種々の問題を解決することができるという効果を奏する。

〔変形例２〕
本発明の実施形態１及び実施形態２の変形例２に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図２２は、実施形態１及び実施形態２の変形例２に係るチップの製造方法の流れを示すフローチャートである。図２３は、図２２に示されたチップの製造方法の第一の外周部改質領域形成ステップ及び第二の外周部改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハ及び第二のウエーハの一例の平面図である。図２４は、図２２に示されたチップの製造方法の第一の外周部改質領域形成ステップ及び第二の外周部改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハ及び第二のウエーハの他の例の平面図である。図２５は、図２２に示されたチップの製造方法の第一の外周部改質領域形成ステップ及び第二の外周部改質領域形成ステップにおいて外周部に改質領域が形成された第一のウエーハ及び第二のウエーハの更に他の例の平面図である。なお、変形例２の説明では、各図において、実施形態１及び実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

変形例２に係るチップの製造方法は、図２２に示すように、第一の環状改質領域形成ステップ１００２の後および第二の環状改質領域形成ステップ１００６の後に、ウエーハ１０−１，１０−２に対して透過性を有する波長のレーザービーム２４をウエーハ１０−１，１０−２の環状改質領域１１−１，１１−２よりも外周側の外周部１２−１，１２−２に照射して、貼り合わされたウエーハ１０−１，１０−２即ちチップ１の仕上げ厚み９に至る深さの改質領域１９−１，１９−２，１９−３をウエーハ１０−１，１０−２の外周部１２−１，１２−２に複数形成する第一の外周部改質領域形成ステップ１０１１及び第二の外周部改質領域形成ステップ１０１２を更に含む。なお、図２２は、実施形態１に係るチップの製造方法において、第一の環状改質領域形成ステップ１００２の後および第二の環状改質領域形成ステップ１００６の後に、第一の外周部改質領域形成ステップ１０１１及び第二の外周部改質領域形成ステップ１０１２を実施する例を示しているが、本発明では、実施形態２に係るチップの製造方法においても第一の環状改質領域形成ステップ１００２−２の後および第二の環状改質領域形成ステップ１００６の後に、第一の外周部改質領域形成ステップ１０１１及び第二の外周部改質領域形成ステップ１０１２を実施しても良い。

第一の外周部改質領域形成ステップ１０１１及び第二の外周部改質領域形成ステップ１０１２では、エッジトリミング装置２０が、集光点２４１の厚さ方向の高さを変更して、複数回、外周部１２−１，１２−２にレーザービーム２４を照射することを繰り返して、裏面８−１又は裏面８−２から仕上げ厚み９以上の深さの間に複数層の改質領域１９−１，１９−２，１９−３を形成する。

なお、図２３は、第一の外周部改質領域形成ステップ１０１１及び第二の外周部改質領域形成ステップ１０１２において、改質領域１９−１を外周部１２−１，１２−２に放射状に複数形成する例を示している。図２４は、第一の外周部改質領域形成ステップ１０１１及び第二の外周部改質領域形成ステップ１０１２において、改質領域１９−２を外周部１２−１，１２−２に環状改質領域１１−１，１１−２に接する接線に沿って複数形成する例を示している。図２５は、第一の外周部改質領域形成ステップ１０１１及び第二の外周部改質領域形成ステップ１０１２において、外周部１２−１，１２−２にレーザービーム２４を同心円状に照射して、改質領域１９−３を複数形成する例を示している。

変形例２にかかるチップの製造方法は、実施形態１及び実施形態２と同様に、デバイス３−１，３−２へのコンタミの付着、生産効率の低下、及び破損を抑制することができ、貼り合わせたウエーハ１０−１，１０−２のエッジトリミングによって生じる種々の問題を解決することができるという効果を奏する。また、変形例２にかかるチップの製造方法は、外周部１２−１，１２−２に改質領域１９−１，１９−２，１９−３を形成することで、研削時の外周部１２−１，１２−２の除去やテープ１６拡張による外周部１２−１，１２−２の除去がより容易になるという効果を奏する。

〔変形例３〕
本発明の実施形態１及び実施形態２の変形例３に係るチップの製造方法を図面に基づいて説明する。図２６は、実施形態１及び実施形態２の変形例３に係るチップの製造方法の一例の流れを示すフローチャートである。図２７は、実施形態１及び実施形態２の変形例３に係るチップの製造方法の他の例の流れを示すフローチャートである。なお、変形例３の説明では、各図において、実施形態１及び実施形態２と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

図２６に示す変形例３に係るチップの製造方法は、切削ステップであるダイシングステップ１００４の前に第二の環状改質領域形成ステップ１００６を実施すること以外、実施形態１と同じであるとともに、図２７に示す変形例３に係るチップの製造方法は、切削ステップであるダイシングステップ１００４の後でかつ保護部材貼着ステップ１００５の前に第二の環状改質領域形成ステップ１００６を実施すること以外、実施形態１と同じである。なお、図２６及び図２７は、実施形態１に係るチップの製造方法において、第二の環状改質領域形成ステップ１００６を実施するタイミングが実施形態１と異なる例を示しているが、本発明では、実施形態２に係るチップの製造方法においても、レーザーダイシングステップであるダイシングステップ１００４の前に第二の環状改質領域形成ステップ１００６を実施しても良く、レーザーダイシングステップであるダイシングステップ１００４の後でかつ保護部材貼着ステップ１００５の前に第二の環状改質領域形成ステップ１００６を実施しても良い。

要するに、本発明では、切削ステップ又はレーザーダイシングステップであるダイシングステップ１００４の前、切削ステップ又はレーザーダイシングステップであるダイシングステップ１００４の後でかつ保護部材貼着ステップ１００５の前、および保護部材貼着ステップ１００５の後のいずれかのタイミングで、第二の環状改質領域形成ステップ１００６を実施しても良い。

なお、本発明は、上記実施形態等に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。本発明では、環状改質領域形成ステップ１００２，１００２−２，１００６の前に、外周部改質領域形成ステップ１０１１，１０１２を行っても良い。

１ チップ
３−１ デバイス
４−１，４−２ 表面
５−１ デバイス領域
６−１ 外周余剰領域
７−１ 分割予定ライン
８−１，８−２ 裏面
９ 仕上げ厚み
１０−１ 第一のウエーハ（ウエーハ）
１０−２ 第二のウエーハ
１１−１，１１−２ 環状改質領域（改質領域）
１２−１，１２−２ 外周部
１３ 切削溝
１４ 保護部材
１６ テープ
１８ 改質領域
１９−１，１９−２，１９−３ 改質領域
２０ エッジトリミング装置
２１ チャックテーブル
２２ 制御部
２３ レーザービーム照射ユニット
２４ レーザービーム
２５ チャックテーブル回転ユニット
５０ テープ貼着ユニット
２１１ 保持面
２１３ 回転軸
１００１，１００１−２ ウエーハ貼り合わせステップ
１００２，１００２−２ 第一の環状改質領域形成ステップ
１００３，１００３−２ 第一の裏面研削ステップ
１００４ ダイシングステップ
１００５ 保護部材貼着ステップ
１００６ 第二の環状改質領域形成ステップ
１００７ 第二の裏面研削ステップ
１０１０ 外周除去ステップ
１０１１ 第一の外周部改質領域形成ステップ（外周部改質領域形成ステップ）
１０１２ 第二の外周部改質領域形成ステップ（外周部改質領域形成ステップ）

Claims (9)

1. チップの製造方法であって、
   複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面に備えた第一のウエーハの表面に第二のウエーハの表面側を対面させてウエーハ同士を貼り合わせるウエーハ貼り合わせステップと、
   該ウエーハ貼り合わせステップの後、該第一のウエーハの裏面側から、ウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿って該第一のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、該第一のウエーハに対して環状改質領域を形成する第一の環状改質領域形成ステップと、
   該第一の環状改質領域形成ステップの後、貼り合わせウエーハを該第一のウエーハの裏面側から研削し薄化する第一の裏面研削ステップと、を含み、
   該第一の裏面研削ステップの後、
   該分割予定ラインに沿って該貼り合わせウエーハの仕上げ厚みに至る深さの加工を施すダイシングステップと、
   該第一のウエーハの裏面側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
   該第二のウエーハの裏面側から、該第二のウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿って該第二のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、該第二のウエーハに環状改質領域を形成する第二の環状改質領域形成ステップと、
   該ダイシングステップ、該保護部材貼着ステップおよび該第二の環状改質領域形成ステップの後、該第二のウエーハの裏面側を研削し該仕上げ厚みへと薄化する第二の裏面研削ステップと、を更に有し、
   該第一の裏面研削ステップおよび該第二の裏面研削ステップでは、
   該環状改質領域を起点にウエーハの外周部がウエーハから除去されつつ研削が進行し、
   該第二の裏面研削ステップでは、
   該ダイシングステップでダイシングした該分割予定ラインに沿ってウエーハがチップ化される、チップの製造方法。
2. チップの製造方法であって、
   複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲む外周余剰領域とを表面に備えた第一のウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿って該第一のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、環状改質領域を形成する第一の環状改質領域形成ステップと、
   該第一の環状改質領域形成ステップの後、該第一のウエーハに対して外力を付与し、該環状改質領域に沿って該第一のウエーハから外周部を分離し除去する外周除去ステップと、
   該外周除去ステップの後、該第一のウエーハの表面側を第二のウエーハの表面側と対面させてウエーハ同士を貼り合わせるウエーハ貼り合わせステップと、
   該ウエーハ貼り合わせステップの後、貼り合わせウエーハを該第一のウエーハの裏面側から研削し薄化する第一の裏面研削ステップと、を含み、
   該第一の裏面研削ステップの後、
   該分割予定ラインに沿って該貼り合わせウエーハの仕上げ厚みに至る深さの加工を施すダイシングステップと、
   該第一のウエーハの裏面側に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
   該第二のウエーハの裏面側から、該第二のウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿って該第二のウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して、該第二のウエーハに環状改質領域を形成する第二の環状改質領域形成ステップと、
   該ダイシングステップ、該保護部材貼着ステップおよび該第二の環状改質領域形成ステップの後、該第二のウエーハの裏面側を研削し該仕上げ厚みへと薄化する第二の裏面研削ステップと、を更に有し、
   該第二の裏面研削ステップでは、
   該環状改質領域を起点に該第二のウエーハの外周部がウエーハから除去されつつ研削が進行するとともに、
   該ダイシングステップでダイシングした該分割予定ラインに沿ってウエーハがチップ化される、チップの製造方法。
3. 該ダイシングステップは、該第一のウエーハの裏面側から切削ブレードを切り込むことによって該ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの切削溝を形成する切削ステップであって、
   該切削ステップの後、該第一のウエーハの裏面側に該保護部材を貼着する保護部材貼着ステップを行い、
   該切削ステップの前、該切削ステップの後、および該保護部材貼着ステップの後のいずれかのタイミングで、該第二の環状改質領域形成ステップを実施することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のチップの製造方法。
4. 該ダイシングステップは、該第一のウエーハの裏面側および該第二のウエーハの裏面側の少なくとも一方から該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを照射して該分割予定ラインに沿って改質領域を形成するレーザーダイシングステップであって、
   該レーザーダイシングステップの前または後に、該第一のウエーハの裏面側に該保護部材を貼着する保護部材貼着ステップを行い、
   該レーザーダイシングステップの前、該レーザーダイシングステップの後、および該保護部材貼着ステップの後のいずれかのタイミングで、該第二の環状改質領域形成ステップを実施することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のチップの製造方法。
5. 該第一の環状改質領域形成ステップの後および該第二の環状改質領域形成ステップの後に、
   ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの外周部に照射して、ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質領域をウエーハの該外周部に放射状に複数形成する外周部改質領域形成ステップを更に含むことを特徴とする、
   請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のチップの製造方法。
6. 該第一の環状改質領域形成ステップの後および該第二の環状改質領域形成ステップの後に、
   ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの外周部に照射して、ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質領域をウエーハの該環状改質領域に接する接線に沿って複数形成する外周部改質領域形成ステップを更に含むことを特徴とする、
   請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のチップの製造方法。
7. 該第一の環状改質領域形成ステップの後および該第二の環状改質領域形成ステップの後に、
   ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの外周部に同心円状に照射して、ウエーハの仕上げ厚みに至る深さの改質領域を複数形成する外周部改質領域形成ステップを更に含むことを特徴とする、
   請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載のチップの製造方法。
8. ウエーハをエッジトリミングするエッジトリミング装置であって、
   該ウエーハを保持する保持面を有するチャックテーブルと、
   該チャックテーブルを該保持面に垂直な回転軸を中心として回転させるチャックチャックテーブル回転ユニットと、
   該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを発振する発振器を含むレーザービーム照射ユニットと、
   該レーザービームによって改質領域が形成されたウエーハに対して外力を付与し、該改質領域に沿ってウエーハを分割する分割ユニットと、
   種々の構成要素を制御する制御部と、を備え、
   該制御部は、
   該チャックチャックテーブル回転ユニットを回転させながら該発振器からレーザービームを発振させ、
   該ウエーハの外周縁から所定距離内側の位置で該外周縁に沿ってレーザービームを照射することを特徴とする、エッジトリミング装置。
9. 該ウエーハに伸縮性を有するテープを貼着するテープ貼着ユニットを更に有し、
   該分割ユニットは、該テープ貼着ユニットによって該ウエーハに貼り付けられたテープを拡張することによって該ウエーハを分割することを特徴とする、請求項８に記載のエッジトリミング装置。

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