JP6427654B2 - 半導体の製造方法及び半導体製造装置 - Google Patents

Description

本発明は半導体の製造方法及び半導体製造装置に関するものであり、特に、半導体装置や電子部品等が形成された大口径サイズのウェーハをリングフレーム（「ウェーハフレーム」とも言う）にダイシングテープを介してマウントする半導体の製造方法及び半導体製造装置に関するものである。

従来、一般に、半導体装置や電子部品等が形成された半導体ウェーハ（単に「ウェーハ」という）の裏面をグラインディングし、その後、ダイシングしてＩＣ等のチップに分割するのに、ウェーハの外径に対応した大きさの、ダイシングテープが貼られたリングフレーム、及び、チャックテーブルを有するダイシング装置を必要としていた（例えば、特許文献１参照）。すなわち、例えば外径３００ｍｍのウェーハをダイシングする場合は、内径が３５０ｍｍのリングフレーム、及び、３００ｍｍ用のチャックテーブルを設けたダイシング装置が用いられている。

また、ウェーハの径は、生産性の向上を目指して年々大口径化が進み、今日では、最大外径が３００ｍｍから４５０ｍｍと大きくなっている。この傾向は今後も続き、更に大口径になることが予想される。それに伴い、ウェーハをマウントとするためのウェーハマウンタや、チップをパッケージ基板へボンディングするダイボンダー等や、個片化時に使用するダイシングテープ、リングフレーム、それを収納するためのキャリアについても、大口径化に対応した準備をする必要がある。このため、コストと時間が大変かかることが予想される。

そこで、従来、大口径ウェーハを、ダイシングテープが貼られたリングフレームにマウントした後、そのリングフレームと共に大口径用のダイサーにセットし、その大口径ウェーハを４つ以上に小さく分割し、その小さく分割されたウェーハを小径用のダイサーでダイシングしてＩＣ等のチップに分割するようにした、ダイシングシステムも提案されている（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−２７５６２号公報。 特開平９−１４８２７５号公報。

特許文献２に開示される技術は、大口径ウェーハを４つ以上に小さく分割し、小径用のダイサーで分割処理できるようにしている。しかしながら、このような方法では、大口径ウェーハを４つ以上に分割する大口径ダイサーを少なくとも１台は必要とする。このため、大口径のウェーハを分割処理するには、大口径化に対応したダイサーを準備する必要があり、コストと時間がかかる問題があった。

そこで、ウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサーを使用しなくても、ダイシングをすることができる半導体の製造方法及び半導体製造装置を提供ために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。

本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、請求項１記載の発明は、表面側にバックグラインディングテープを貼り付けた状態で裏面側のグラインディングを終えたウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対して前記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射し、該バックグラインディングテープを３つ以上に分断するアブレーション加工工程と、前記ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインに沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成するウェーハカットライン形成工程と、前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも３つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割工程と、ダイシングテープが貼られたリングフレームを前記小片化されたウェーハのうちのいずれか１つのウェーハの略裏面真下に配置するとともに、前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの該裏面に貼り付けて該小片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント工程と、前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥離するバックグラインディングテープ剥離工程と、を含む、半導体の製造方法を提供する。

この方法によれば、以下（１）〜（６）の順に処理をすることにより、ウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサーを使用することなくウェーハをダイシングしてＩＣ等のチップに分割することが可能になる。
（１）グラインディングを終えて薄化されたウェーハをアライメント工程において、そのウェーハの中心位置、回転方向、スクライブライン、カット位置等のアライメントを行う。
（２）次いで、アブレーション加工工程において、ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープに、ウェーハを少なくとも３等分するようにレーザを照射し、該バックグラインディングテープを少なくとも３つ以上に分断する。これにより、分断されたバックグラインディングテープ間には、その分断によりライン状の隙間ができ、その隙間の部分ではバックグラインディングテープがウェーハの表面から無くなり、ウェーハの表面が略露出する。
（３）次いで、ウェーハカットライン形成工程において、ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ライン、すなわち隙間に沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成する。この際、前のバックグラインディングテープの切断により、バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインと対応しているウェーハの表面部分では、ウェーハの表面からバックグラインディングテープがほぼ取り除かれて露出した状態にある。したがって、テープ分断ラインに沿ってウェーハの表面に照射されたレーザは、ウェーハのほぼ同じ深さ位置まで照射され、同じ深さの改質部でなるウェーハカット用分割ラインをウェーハの表面側に形成する。これにより、ウェーハをウェーハカット用分割ラインに沿って精度良く割断（分割）することが可能になる。
（４）次いで、ウェーハ分割工程において、ウェーハをバックグラインディングテープが貼り付けられていない裏面側を上側にしてセパレートテーブル上にセットし、そのウェーハをウェーハカット用分割ラインに沿ってそれぞれ折り曲げると、３つ以上の小片化されたウェーハに分割することができる。
（５）次いで、ウェーハマウント工程において、ダイシングテープが貼られたリングフレームを、３つ以上に小片化されたウェーハ（以下、「分割ウェーハ」という）のうちの、いずれか１つの分割ウェーハの裏面の略真下に配置するとともに、ダイシングテープを分割ウェーハの該裏面に貼り付けて、その分割ウェーハをリングフレームにマウントすることができる。
（６）次いで、バックグラインディングテープ剥離工程において、分割ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープを剥離すると、その小さく分割されたウェーハを小径用のダイサーを使用してダイシングし、ＩＣ等のチップに分割することができる状態になる。

請求項２記載の発明は、請求項１記載の方法において、前記テープ分断ライン及び前記ウェーハカット用分割ラインは、互いに前記ウェーハの略中心を通って略十字状に形成する、半導体の製造方法を提供する。

この方法によれば、レーザをＸ、Ｙ方向に走査して、テープ分断ライン及び前記ウェーハカット用分割ラインを容易に形成することができる。

請求項３記載の発明は、請求項１又は２に記載の方法において、バックグラインディングテープ剥離工程は、バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて一体化し、該熱圧着テープの剥離と一体にバックグラインディングテープをウェーハから剥離する、半導体の製造方法を提供する。

この方法によれば、バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて、バックグラインディングテープと熱圧着テープの少なくとも一部を一体化した後、熱圧着テープを剥がすと、その圧着テープを剥がす動作と同時にバックグラインディングテープもウェーハから剥がすことができる。これにより、リングフレームにマウントされている分割ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープを簡単に剥離することができる。

請求項４記載の発明は、表面側にバックグラインディングテープが貼り付けられたウェーハの裏面側をグラインディングするバックグラインディング装置と、レーザ照射手段を有して、該レーザ照射手段により前記ウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対し前記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射して該バックグラインディングテープを３つ以上に分断するとともに、該バックグラインディングテープの分断されたラインに沿って前記ウェーハの表面にレーザを照射して該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成するレーザ照射部と、前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも３つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割部と、ダイシングテープが貼られたリングフレームを前記小片化されたウェーハのうちのいずれか１つのウェーハの略裏面真下に配置するリングフレーム配置手段と、前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの裏面に貼り付けて該個片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント手段と、前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥がすバックグラインディングテープ剥離部と、を備える半導体製造装置を提供する。

この構成によれば、ウェーハ搬送手段によりウェーハを以下（１）〜（７）の順に装置及び処理部へ搬送して処理することにより、ウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサーを使用することなくウェーハをダイシングしてＩＣ等のチップに分割することが可能になる。
（１）バックグラインディング装置でグラインディングを終えて薄化されたウェーハをアライメント部において、そのウェーハの中心位置、回転方向、スクライブライン、カット位置等のアライメントを行う。
（２）次いで、レーザ照射部において、ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープに、レーザ照射手段によりレーザを、ウェーハを少なくとも３等分するように照射して、該バックグラインディングテープを少なくとも３つ以上に分断する。これにより、分断されたバックグラインディングテープ間には、その分断によりライン状の隙間ができ、その隙間の部分ではバックグラインディングテープがウェーハの表面から無くなり、ウェーハの表面が露出する。
（３）続いて、同じくレーザ照射部において、ウェーハの表面に、レーザ照射手段によりレーザを、前記バックグラインディングテープの分断されたライン、すなわち隙間に沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成する。この際、前のバックグラインディングテープの切断により、テープ分断ラインと対応しているウェーハの表面部分では、ウェーハの表面からバックグラインディングテープがほぼ取り除かれて露出した状態にある。したがって、テープ分断ラインに沿ってウェーハの表面に照射されたレーザは、ウェーハのほぼ同じ深さ位置まで照射され、同じ深さの改質部でなるウェーハカットラインをウェーハの表面側に形成する。これにより、ウェーハをウェーハカットラインに沿って精度良く割断することが可能になる。
（４）次いで、ウェーハ分割部において、ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、分割テーブル部を他の分割テーブル部に対してそれぞれ変位させると、３つ以上の小片化されたウェーハに分割することができる。
（５）次いで、リングフレーム配置手段において、ダイシングテープが貼られたリングフレームを、３つ以上に小片化された分割ウェーハのうちの、いずれか１つの分割ウェーハの裏面の略真下に配置する。
（６）次いで、ウェーハマウント手段において、ダイシングテープが分割ウェーハの該裏面に貼り付けられ、その分割ウェーハをリングフレームにマウントすることができる。
（７）次いで、バックグラインディングテープ剥離部において、分割ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープを剥離し、表面のダイシングテープを取り除いてフレームキャリア等に収納保管し、その後、小径用のダイサーを使用してダイシングし、ＩＣ等のチップに分割することができる状態になる。

請求項５記載の発明は、請求項４に記載の装置において、前記バックグラインディングテープ剥離部は、前記バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて一体化し、該熱圧着テープの剥離と一体に前記バックグラインディングテープを前記ウェーハから剥離する、半導体の製造装置を提供する。

この構成によれば、バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて、バックグラインディングテープと熱圧着テープの少なくとも一部を一体化した後、熱圧着テープを剥がすと、その圧着テープを剥がす動作と同時にバックグラインディングテープもウェーハから剥がすことができる。これにより、リングフレームにマウントされている分割ウェーハの表面に貼り付けられているバックグラインディングテープを簡単に剥離することができる。

請求項６記載の発明は、請求項４又は５に記載の装置において、前記ウェーハカット用分割ラインは、前記ウェーハの略中心を通って十字状に形成され、前記ウェーハ分割部は、前記十字状に形成されている前記ウェーハカット用分割ラインの１つの分割ラインを基準にして前記ウェーハを２つのウェーハ半体に分割し、その後、該２つのウェーハ半体をそれぞれ、該２つのウェーハ半体と交差しているウェーハカット用分割ラインを基準に更に２つのウェーハ半体に分割して４つの小片化されたウェーハに形成する、半導体製造装置を提供する。

この構成によれば、ウェーハをＸ、Ｙ方向に順に変位させて４つの小片に容易に分割することができる。

本発明は、ウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサーを使用することなく、従前の小径用のダイサーを使用してダイシングすることができるので、コストの低減と時間の短縮が可能になる。

本発明の実施形態における半導体製造装置の概略構成ブロック図。 本発明の実施形態における半導体製造方法の実施手順を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のバックグラインディング装置とウェーハ搬送手段の概略構成を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のアライメント部の概略構成を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のレーザユニットによるテープ分断ラインの加工を説明する図で、（ａ）はその側面図、（ｂ）はその平面図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のレーザユニットによるウェーハカット用分割ラインの加工を説明する図で、（ａ）はその側面図、（ｂ）はその平面図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のセパレートテーブルの構成を説明する図で、（ａ）はその側面図、（ｂ）はその平面図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のセパレートテーブルを用いたウェーハを分割する仕方を説明する図で、（ａ）は分割前の側面図、（ｂ）は分割時の側面図、（ｃ）はウェーハをＸ軸に沿って半分に分割する場合の説明図、（ｄ）はウェーハをＹ軸に沿って４分の１に分割する場合の説明図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のセパレートテーブルの構成を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のセパレートテーブルの構成を説明する図で、（ａ）はセパレートテーブルが上側を向いている状態を示す図、（ｂ）はセパレートテーブルが下側を向いている状態を示す図、（ｃ）は分割セパレートテーブルの動きを説明する。 本発明の実施形態における半導体製造装置のウェーハマウント手段において、リングフレームが配置される状態を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のウェーハマウント手段においてダイシングテープをバルーンでウェーハに向けて押し付ける構造を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のバックグラインディングテープ剥離部の構成及び動作を説明する図。 本発明の実施形態における半導体製造装置のフレームキャリアにリングフレームが収納される状態を説明する図。

本発明はウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサーを使用しなくても、ダイシングをすることができる半導体の製造方法を提供するという目的を達成するために、表面側にバックグラインディングテープを貼り付けた状態で裏面側のグラインディングを終えたウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対して記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射し、該バックグラインディングテープを３つ以上に分断するアブレーション加工工程と、前記ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインに沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成するウェーハカットライン形成工程と、前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも３つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割工程と、ダイシングテープが貼られたリングフレームを前記小片化されたウェーハのうちのいずれか１つのウェーハの略裏面真下に配置するとともに、前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの該裏面に貼り付けて該小片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント工程と、前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥離するバックグラインディングテープ剥離工程と、を含むようにしたことにより実現した。

また、本発明はウェーハの径が大口径化しても、大口径化に対応したダイサーを使用しなくても、ダイシングをすることができる半導体製造装置を提供するという目的を達成するために、表面側にバックグラインディングテープが貼り付けられたウェーハの裏面側をグラインディングするバックグラインディング装置と、レーザ照射手段を有して、該レーザ照射手段により前記ウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対し前記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射して該バックグラインディングテープを３つ以上に分断するとともに、該バックグラインディングテープの分断されたラインに沿って前記ウェーハの表面にレーザを照射して該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成するレーザ照射部と、前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも３つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割部と、ダイシングテープが貼られたリングフレームを前記小片化されたウェーハのうちのいずれか１つのウェーハの略裏面真下に配置するリングフレーム配置手段と、前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの裏面に該小片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント手段と、前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥がすバックグラインディングテープ剥離部と、を備えるようにして実現した。

以下、本発明の実施の一形態を添付図面に示す好適な実施例に基づいて詳細に説明する。

図１〜図１４は本発明に係る半導体製造装置の一実施形態を示すもので、図１はその半導体製造装置の概略構成ブロック図、図２は製造工程図、図３〜図１４は製造工程における各処理部の構成及び処理方法を説明するための説明図である。

図１に示すように、半導体製造装置１０は、制御部１１と、バックグラインディング装置１２と、アライメント部１３と、レーザ照射部１４と、ウェーハ分割部１５と、ウェーハ裏返し保持手段１６と、リングフレーム配置手段１７と、ウェーハマウント手段１８と、バックグラインディングテープ剥離部１９と、ウェーハ搬送手段２１と、フレームキャリア２２を備えている。

前記制御部１１は、半導体製造装置１０の中心的処理機能を担う、例えばコンピュータであって、各種の処理を行う。また、制御部１１には、各種の処理プログラムが格納されたメモリ１１１が設けられている。

ウェーハ搬送手段２１は、図３〜図１１に示すように、ウェーハＷの裏面を、真空引きして吸着保持し、そのウェーハＷを各処理部へ順に搬送するための搬送チャック２１１を備えている。その搬送チャック２１１は、その吸着面全体に多数の吸引用の孔が設けられており、その多数の孔でウェーハＷの裏面全体を真空吸着保持することにより、ウェーハＷの反りを矯正し、平坦度を５μｍ以下にして保持する機能を有している。また、ウェーハＷは、表面（主面）に樹脂テープ等でなる伸長可能（伸び縮み可能）なバックグラインディングテープＧＴが貼り付けられて、その主面が保護されている。

前記バックグラインディング装置１２は、図３に示すようにウェーハＷを保持する真空チャックテーブル１２１を有している。そのバックグラインディング装置１２では、該バックグラインディング装置１２でのウェーハＷの主面側を下に向けて真空チャックテーブル１２１上に載置し、該真空チャックテーブル１２１でウェーハＷを保持した状態で、裏面側を研削して薄化することができるようになっている。

前記アライメント部１３は、図４に示すようにアライメントユニット（例えば、アライメントカメラ）１３１を有している。そのアライメント部１３は、前記バックグラインディング装置１２でのグラインディングを終え、その前記バックグラインディング装置１２から前記搬送チャック２１１でチックされて、主面を下側に向けて取り出されたウェーハＷのアライメントを、前記アライメントユニット１３１によりバックグラインディングテープＧＴ越しに行う。そのアライメントユニット１３１は、ウェーハＷと略平行にＸ−Ｘ方向とＹ−Ｙ方向に移動可能である。また、アライメントとしては、例えばウェーハＷの中心位置、シータ方向、スクライブライン、カット位置等であり、そのアライメントは一般的な方法を用い、例えば外形認識からの中心位置アライメント、二点を認識してのスクライブライン・カット位置アライメントを行う。

前記レーザ照射部１４は、図５及び図６に示すように、レーザ照射手段としてのレーザユニット１４１を有する。レーザユニット１４１は、ウェーハＷの主面に向けてレーザを照射可能に形成されている。そして、ここでのレーザ照射では、まず、図５に示すように、ウェーハＷの主面に貼り付けられているバックグラインディングテープＧＴに向けて、波長が２６６ｎｍ程の短波長のレーザを照射し、ウェーハＷの主面上にテープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙを形成する。続いて、図６に示すように、そのテープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙに沿って同じく波長が２６６ｎｍ程の短波長のレーザをウェーハＷの主面に照射し、ウェーハＷの内部に深さが５〜５０μｍ程度の改質層がＶ溝状に形成されるウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙを設けるようにして、２段階で加工処理する。

このように、先にバックグラインディングテープＧＴに向けて波長が２６６ｎｍ程の短波長のレーザを照射した場合では、バックグラインディングテープＧＴへの熱の影響が少なく、また同時にウェーハＷが溶融しないようにして、バックグラインディングテープＧＴだけを分断することができる。また、バックグラインディングテープＧＴの分断後は、テープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙ内に隙間ができ、バックグラインディングテープＧＴのテープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙと各々対応しているウェーハＷの主面では、ウェーハＷの主面からバックグラインディングテープＧＴがほぼ取り除かれて、ウェーハＷの主面が露出された状態にある。したがって、テープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙに沿ってレーザを照射すると、バックグラインディングテープＧＴの影響を受けること無く、ウェーハＷの主面にはほぼ同じ強さのレーザがウェーハＷ内に照射され、ウェーハＷの内部に脆弱性が略一様の改質層が、例えば表層から５〜５０μｍ程度の深さにわたってウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙとして形成されることになる。これにより、ウェーハＷの正確な割断が可能になる。

更に詳述すると、そのレーザユニット１４１は、ウェーハＷと略平行にＸ-Ｘ方向とＹ-Ｙ方向に移動可能である。そして、本実施例では、図５（ｂ）に示すように、前記バックグラインディングテープＧＴに対して前記ウェーハＷを略４等分するようにレーザをＸ-Ｘ方向とＹ-Ｙ方向に十字状に照射し、該バックグラインディングテープＧＴにテープ分断ラインＬ１Ｘと、該テープ分断ラインＬ１Ｘと直角に交差するテープ分断ラインＬ１Ｙを各々設けて、バックグラインディングテープＧＴを４つに分断することができるようになっている。また、図６（ｂ）に示すように、バックグラインディングテープＧＴの分断により形成されたテープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙにそれぞれ沿って、レーザをＸ-Ｘ方向とＹ-Ｙ方向に十字状に照射すると、ウェーハＷの内部にウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘと、該ウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘと直角に交差するウェーハカット用分割ラインＬ２Ｙを各々設けることができる。

なお、本実施例において、ウェーハＷをカットする工程に、ブレードによるカットではなく、レーザを使用したカットを行う理由は、次の（１）〜（３）等による。
（１）レーザは加工単位が微小のため、バックグラインディングテープＧＴとウェーハＷをそれぞれ効率良く加工することが可能である。これに対して、ブレードはバックグラインディングテープＧＴとウェーハＷを同時に切断するため、品質への影響が懸念される。
（２）レーザはドライプロセスが可能なため、加工環境の制約を受けにくい。これに対してブレードは水が必要なため、水を使用する環境（機能）を整える必要がある。
（３）ブレードは加工対象に合わせてブレードの選定が必要で手間がかかるが、レーザは出力等をパラメータで可変できるため、手間が省ける。

前記ウェーハ分割部１５は、図７〜図１０に示すように、前記ウェーハＷの４等分された部分にそれぞれ対応する、４つの分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄを設けてなるセパレートテーブル１５１を有している。その分割セパレートテーブル部１５１ａ〜１５１ｄは、それぞれが単独で、ウェーハＷを真空吸着するのを可能にする「吸着機構１５２」、隣接する他の分割セパレートテーブル部に対して片側を下または上側に例えば５〜１０ｍｍ程度移動させて隣接する分割セパレートテーブル部同士で山形若しくは谷形に折り曲げて傾かせるのを可能にする「傾き動作機構１５３」、隣接する他の分割セパレートテーブル部に対してそれぞれ、図１０の（c）に示すようにＸ、Ｙ軸方向（左右、前後方向）に５〜１０ｍｍ程度の移動を可能にする「Ｘ／Ｙ軸動作機構１５４」、隣接する他の分割セパレートテーブルに対してＺ軸方向（上下方向）に５〜１０ｍｍ程度移動可能な「Ｚ軸動作機構１５５」を持っている。なお、前記傾き動作機構１５３、Ｘ／Ｙ軸動作機構１５４、Ｚ軸動作機構１５５の可動は、例えばボールネジによる往復送り動作、又はエアシリンダによる往復送り動作を使用する。また、図１０（c）は、各分割セパレートテーブル部１５１ａ〜１５１ｄでＸ、Ｙ方向にそれぞれ往復移動できる状態を示している。

さらに、各分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄは、図１０において、軸１５６aがZ軸方向（上下方向）に位置固定で、軸１５６ｂ、１５６ｃがＺ軸方向に移動可能になっている。そして、軸１５６ｂ、１５６ｃがＺ軸方向に単独で移動すると、各分割セパレートテーブル部１５１ａ〜１５１ｄをそれぞれ傾動又は上下方向に移動させて、前記山形若しくは谷形に折り曲げて傾かせることができる。

前記セパレートテーブル１５１の構成についてさらに詳述すると、前記セパレートテーブル１５１には、図８の（ｃ）、（ｄ）に示すように、前記レーザユニット１４１により前記ウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙが形成されたウェーハＷを、その中心を該セパレートテーブル１５１の中心に合わせるとともに、前記折り曲げライン１５１Ｘ、１５１Ｙにそれぞれ、ウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙを合わせて配置し、かつ、吸着機構１５２で真空吸着すると、そのウェーハＷをセパレートテーブル１５１上に保持できるようになっている。

また、ウェーハＷをセパレートテーブル１５１上にセットした状態で、前記傾き動作機構１５３を駆動させて、図８の（ｂ）に示すように、分割セパレートテーブル部１５１ｃ、１５１ｄの片側（又は両側）を、隣接している分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｂに対してＺ軸方向（上又は下方向）に例えば５〜１０ｍｍ程度傾けて山形に折り曲げると、ウェーハＷが図８の（ｃ）に示すウェーハカット用分割ライン１５１Ｘに沿って割断されて、２つのウェーハ半体ＷＡ、ＷＢに分割することができる。更に、同じく固定セット状態で前記傾き動作機構１５３を駆動させて、同じく図８の（ｂ）に示すように、分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｄの片側（又は両側）を、隣接している分割セパレートテーブル部１５１ｂ、１５１ｃに対してＺ軸方向（上又は下方向）に例えば５〜１０ｍｍ程度傾けて折り曲げると、ウェーハＷを図８の（ｄ）に示すウェーハカット用分割ライン１５１Ｙに沿って割断されて、４つの小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄに分割することができるようになっている。

前記ウェーハ裏返し保持手段１６は、図１０に示すように前記ウェーハ分割部１５内に設けられており、前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄを保持してなるセパレートテーブル１５１を１８０°裏返し可能な回転軸１６１と、回転軸１６１を駆動可能なモータ１６２（図１参照）を有している。

そして、ウェーハ裏返し保持手段１６は、図９及び図１０に示すように、セパレートテーブル１５１を小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄと共に図１０の（ａ）の状態から１８０°裏返し、図９及び図１０の（ｂ）の状態となるように制御する。すなわち、図９及び図１０の（ｂ）に示す状態は、バックグラインディングテープＧＴが貼り付けられている主面が上側、裏面が下側をそれぞれ向いた状態にして、それぞれウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄをセパレートテーブル１５１に保持している。

前記リングフレーム配置手段１７は、図１１に示すように、ウェーハＷを保持するための粘着テープであるダイシングテープＤＴが貼り付けられた枠状のリングフレーム（「ウェーハフレーム」とも言う）１７１を有する。該リングフレーム１７１の内径は、前記小片化される前のウェーハＷの外径よりも小さく、かつ、前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの外径よりも大きく設定されている。そして、前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄを、リングフレーム１７１に貼られたダイシングテープＤＴ上に貼り付けてセット可能になっている。より具体的には、ここでのリングフレーム１７１は、例えばウェーハＷの外径３００ｍｍ用で、内径が３５０ｍｍのリングフレームであり、小片化される前のウェーハＷの外径は４５０ｍｍである。したがって、外径３００ｍｍ用のリングフレーム１７１は、外径４５０ｍｍのウェーハＷをそのままでは使用することができない。しかし、外径４５０ｍｍのウェーハＷは既に４つに小片化されているので、４５０ｍｍのウェーハＷの場合でも外径３００ｍｍ用のリングフレーム１７１を使用することができる。

そして、前記リングフレーム配置手段１７は、図１１に示すように、ダイシングテープＤＴが貼り付けられたリングフレーム１７１を前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの下へ、そのリングフレーム１７１の中心と選択されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの中心を略一致させて、順番に移動することができるようになっている。

前記ウェーハマウント手段１８は、図１２に示すように、前記リングフレーム１７１の前記ダイシングテープＤＴの下側に膨らんだ状態（又は後から膨らまされて）で配置されるバルーン１８１を有する。該バルーン１８１は、シリコンゴム等で屈曲自在な袋として形成されており、その中にエアや水を入れて丸く膨らまされる。そして、そのバルーン１８１は、前記リングフレーム配置手段１７におけるリングフレーム１７１と共に小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか１つの下へ順に移動された後、膨らまされた状態でダイシングテープＤＴを押し上げ、その対応している小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの下面（裏面）にそれぞれ、該ダイシングテープＤＴ越しに押し付けられるようになっている。そして、ダイシングテープＤＴを介した押し付けにより、ダイシングテープＤＴ上に小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの一つを該ダイシングテープＤＴの粘着力で貼り付け、リングフレーム１７１上に小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの一つをマウントすることができるようになっている。なお、ダイシングテープＤＴを小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか１つに押し付けるとき、より確実に貼り付けるためにウェーハＷ側からも圧力がかけられる。

ここで、膨らませたバルーン１８１を小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄの下面（裏面）に、ダイシングテープＤＴを介して押し付けた場合では、膨らまされたバルーン１８１のダイシングテープＤＴへの接触は、ダイシングテープＤＴの中心の位置から外側に向かって徐々に拡がるようにして接触して行く。したがって、小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）の下面（裏面）に接触するダイシングテープＤＴも、小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）の中心位置から外側に向かって徐々に拡がるように接触して行く。したがって、ダイシングテープＤＴと小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）との間にある空気は接触と共に外側に押し出される。これにより、小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）はダイシングテープＤＴとの間に空気が介在しない状態で密に接触され、リングフレーム１７１上に確実に粘着保持された状態でマウントされる。また、このようにして小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）をマウントしたリングフレーム１７１は、ウェーハ搬送手段２１により前記バックグラインディングテープ剥離部１９に搬送されるようになっている。

前記バックグラインディングテープ剥離部１９は、図１３に示すように、小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）のマウントが済んで、ウェーハ搬送手段２１で搬送されて来たリングフレーム１７１を、真空吸着保持して位置決めする吸着ステージ１９１と、その吸着ステージ１９１に吸着保持されているリングフレーム１７１上の小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）の主面に貼り付けられているバックグラインディングテープＧＴ上に剥離テープＲＴを貼り付け、そのバックグラインディングテープＧＴを該剥離テープＲＴと共に持ち上げて剥がすバックグラインディングテープ剥離手段１９２とが設けられている。そして、このようにしてバックグラインディングテープＧＴが剥がされたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）をマウントしたリングフレーム１７１は、ウェーハ搬送手段２１により前記フレームキャリア２２へ搬送され、該フレームキャリア２２内に収納保管されるようになっている。

前記フレームキャリア２２は、ウェーハ搬送手段２１により搬送されて来る、バックグラインディングテープＧＴが剥がされたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄのいずれか一つ）をマウントしているリングフレーム１７１を、各々収納して保管する複数段の棚２２１を有している。

図２は、上述した半導体製造装置１０における処理手順の一例を示す工程図である。その図２に示す工程図に従って半導体製造装置１０における処理手順の一例を、次に図１，図３〜図１４と共に説明する。

図２に示す工程図は、バックグラインディング装置１２でグラインディングを終えた外径が４５０ｍｍのウェーハＷをバックグラインディング装置１２から取り出し、そのウェーハＷの外径よりも小さい内径３５０ｍｍのリングフレーム１７１にマウントするまでの工程を示している。また、その工程は処理順に大きく分けると、アライメント工程（Ａ）、アブレーション加工工程（Ｂ）、ウェーハカットライン形成工程（Ｃ）、ウェーハ分割工程（Ｄ）、ウェーハ裏返し工程（Ｅ）、ウェーハマウント工程（Ｆ）、バックグラインディングテープ剥離工程（Ｇ）の順になる。なお、本例では外径４５０ｍｍのウェーハＷを、そのウェーハＷの外径よりも小さい内径３５０ｍｍのリングフレーム１７１にマウントして処理する場合について説明するが、その寸法はこれに限定されるものではなく、大きな外径を有したウェーハＷを小さな内径を有したリングフレーム１７１にマウントしてダイシングを可能にする場合に適用できるものである。

そして、先ず、アライメント工程（Ａ）では、図３に示すようにバックグラインディング装置１２内で、主面（表面）側にバックグラインディングテープＧＴを貼り付けた状態で、裏面側の研削を終えて薄化されたウェーハＷを、ウェーハ搬送手段２１の搬送チャック２１１で裏面全体を真空吸着保持し、バックグラインディング装置１２内より取り出す。ここでのウェーハＷは、バックグラインディングテープＧＴが貼り付けられた主面側を下に向けて取り出される。また、その際、搬送チャック２１１でウェーハＷの裏面全体が真空吸着されることにより、そのウェーハＷの反りが矯正されて平坦化される。さらに、搬送チャック２１１に保持されて平坦化されているウェーハＷの主面に対し、図４に示すように下側からアライメントユニット（アライメントカメラ）１３１を向け、バックグラインディングテープＧＴ越しにウェーハＷのアライメントを行う。

なお、このアライメント工程（Ａ）でのアライメントは、バックグラインディングテープＧＴの視認性が悪く、バックグラインディングテープＧＴ越しのアライメントが不可能のような場合は、グラインディングを終えたウェーハＷを搬送チャック２１１で吸着する前に、例えば赤外線カメラを使用して研削面（研磨面）を撮像してアライメントを実施し、そのデータをメモリ１１１に記憶しておく。そして、位置合わせ後に、そのウェーハＷを搬送チャック２１１で吸着して次工程に搬送し、別途使用時にアライメントデータを読み出す手段に変更することも可能である。

前記アブレーション加工工程（Ｂ）では、図５に示すように、ウェーハＷの下側から搬送チャック２１１に吸着されていない面、すなわちバックグラインディングテープＧＴが貼られている主面側に向けて、波長が２６６ｎｍのレーザをレーザユニット１４１から照射し、そのレーザが照射されたバックグラインディングテープＧＴの部分だけを溶融させて切断するアブレーション加工を行う。このアブレーシヨン加工は、アライメント工程（Ａ）でアライメントした位置を基準にして、ウェーハＷを四等分するようにバックグラインディングテープＧＴに対してレーザをＸ-Ｘ方向とＹ-Ｙ方向に十字状に照射し、図５の（ｂ）に示すように、該バックグラインディングテープＧＴにテープ分断ラインＬ１Ｘと、該テープ分断ラインＬ１Ｘと直角に交差するテープ分断ラインＬ１Ｙを設ける。また、テープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙが設けられた部分は、テープ分断ラインＬ１Ｘ、Ｌ１Ｙの形成によって隙間が作られる。

前記ウェーハカットライン形成工程（Ｃ）では、図６に示すように、同じくウェーハＷの下側から該ウェーハＷの主面側に向けて、波長が２６６ｎｍのレーザをそれぞれテープ分断ラインＬ１Ｘとテープ分断ラインＬ１Ｙに沿って十字状に照射し、ウェーハＷの主面側内部に、深さがそれぞれ５〜５０μm程度のＶ字溝状をした改質層でなる、ウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘと該ウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘと直角に交差するウェーハカット用分割ラインＬ２Ｙを、図６の（ｂ）に示すように十字状に設ける。

また、前記アブレーション加工工程（Ｂ）とウェーハカットライン形成工程（Ｃ）での加工をそれぞれ終えたウェーハＷは、図７の（ａ）に示すように搬送チャック２１１で保持されたまま、前記ウェーハ分割工程（Ｄ）に搬送され、ウェーハ分割部１５のセパレートテーブル１５１上に搬送される。そして、ウェーハ分割工程（Ｄ）に搬送されたウェーハＷは、図８（ａ）に示すように、主面側（バックグラインディングテープＧＴ側）を下側に向けて、すなわちバックグラインディングテープが貼り付けられていない裏面側を上側にしてウェーハＷの中心をウェーハ分割部１５の中心に合わせるとともに、図８の（ｃ）、（ｄ）に示すように、折り曲げライン１５１Ｘ、１５１Ｙにそれぞれウェーハカット用分割ラインＬ２Ｘ、Ｌ２Ｙを合わせてセパレートテーブル１５１上に配置される。

前記ウェーハ分割工程（Ｄ）では、セパレートテーブル１５１上に配置されたウェーハＷを吸着機構１５２の真空吸着により保持する。次いで、傾き動作機構１５３を駆動させて、図８の（ｂ）、（ｃ）に示すように、分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｂの片側を、隣接している分割セパレートテーブル部１５１ｃ、１５１ｄに対してＺ軸方向（上方向）に例えば５〜１０ｍｍ程度傾けて山形に折り曲げる。この折り曲げで、ウェーハＷはウェーハカット用分割ライン１５１Ｘに沿って割断され、２つのウェーハ半体ＷＡ、ＷＢに分割される。更に、同じく固定セット状態で前記傾き動作機構１５３を駆動させて、図８の（ｂ）、（ｄ）に示すように、分割セパレートテーブル部１５１ａ、１５１ｄの片側を、隣接している分割セパレートテーブル部１５１ｂ、１５１ｃに対して、Ｚ軸方向（上方向）に例えば５〜１０ｍｍ程度傾けて折り曲げる。この折り曲げで、ウェーハＷはウェーハカット用分割ライン１５１Ｙに沿って更に割断され、４つの小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄに分割される。

前記ウェーハ分割工程（Ｄ）でのウェーハ分割が終了すると、ウェーハ裏返し工程（Ｅ）に移行する。前記ウェーハ分割工程（Ｄ）では、モータ１６２を駆動させて回転軸１６１を１８０°回転させる。この回転軸１６１の回転により、前記小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄを真空吸着保持しているセパレートテーブル１５１は、回転軸１６１と共に１８０°回転し、図９、図１０の（ｂ）に示すように１８０°裏返しされる。また、そのセパレートテーブル１５１の裏返しにより、セパレートテーブル１５１に吸着保持されている４つの小片化されたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄは、それぞれ主面側（バックグラインディングテープＧＴ側）を上側、裏面側を下側に向けて保持される。その後、ウェーハマウント工程（Ｆ）に移行する。

前記ウェーハマウント工程（Ｆ）では、図１１に示すように、ウェーハ裏返し工程（Ｅ）で裏返しされてセパレートテーブル１５１で保持されている、小片化された４つのウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）のいずれか１つのウェーハの下側に、ダイシングテープＤＴが張られたリングフレーム１７１が移動される。なお、ここでのリングフレーム１７１は内径３５００ｍｍのものであるが、既に４分割されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）の最大外径よりも大きい。また、以下の説明では、簡略化するために選択されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ）は、ウェーハＷｄとして説明する。そして、リングフレーム１７１の中心を、選択されたウェーハＷｄの中心と略一致させる。

また、ほぼ同時に、図１２に示すように、リングフレーム１７１の下側にバルーン１８１が配置され、そのバルーン１８１が膨らまされる（又は、既に膨らまして配置されて来てもよい）。バルーン１８１が膨らむと、バルーン１８１がダイシングテープＤＴを押し上げ、該ダイシングテープＤＴ越しに、その選択されたウェーハＷｄの下面（裏面）にバルーン１８１が押し付けられる。そして、ダイシングテープＤＴを介したバルーン１８１の押し付けにより、選択されたウェーハＷｄの裏面が該ダイシングテープＤＴ上に、該ダイシングテープｄＴの粘着力により貼り付けられ、そのウェーハＷｄが主面を上側にしてリングフレーム１７１にマウントされる。また、マウントが済むと、リングフレーム１７１にマウントされたウェーハＷｄと対応している、分割セパレートテーブル部１５１ａによるウェーハＷｄへの真空吸着が解かれる。そして、その選択されたウェーハＷｄは、ウェーハ搬送手段２１の搬送によりリングフレーム１７１と共にバックグラインディングテープ剥離工程（Ｇ）に搬送される。

バックグラインディングテープ剥離工程（Ｇ）では、ウェーハＷｄをマウントして前記ウェーハマウント工程（Ｆ）から搬送されて来たリングフレーム１７１を吸着ステージ上に配置する。そして、図１３に示すように吸着ステージ１９１でダイシングテープＤＴの下面を真空吸着して保持する。その後、リングフレーム１７１の主面に貼り付けられているバックグラインディングテープＧＴ上に剥離テープＲＴが、バックグラインディングテープ剥離手段１９２によって貼り付けられる。また、その後、バックグラインディングテープＧＴが剥離テープＲＴと共に持ち上げられてウェーハＷｄから剥がされる。バックグラインディングテープＧＴが剥がされたら、リングフレーム１７１は吸着ステージ１９１による吸着保持が解かれ、さらにウェーハ搬送手段２１によって前記フレームキャリア２２に搬送される。そして、フレームキャリア２２では、図１４に示すように棚２２１に収納されて保管される。これにより、一連の処理動作が終了する。次いで、残りの小片化されたウェーハ（Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ）が同様にして処理され、フレームキャリア２２に収納されて保管される。

以上説明したように、本発明によれば、ウェーハＷの径が例えば従来の３００ｍｍよりも大きい、例えば４００ｍｍ等、大口径化しても、従来の３００ｍｍ用のリングフレーム及びダイサーを使用してダイシング処理を行うことができるので、コストの低減と時間の短縮が可能になる。

なお、上記実施例では、外径が４００ｍｍのウェーハＷを４等分して３００ｍｍ用のリングフレーム１７１にマウントする場合について説明したが、４００ｍｍのウェーハＷを略中心から放射状に３等分する等して、外径が３００ｍｍよりも小さな小片化されたウェーハに分割してもよいものである。

また、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。

１０ 半導体製造装置
１１ 制御部
１１１ メモリ
１２ バックグラインディング装置
１２１ 真空チャックテーブル
１３ アライメント部
１３１ アライメントユニット
１４ レーザ照射部
１４１ レーザユニット（レーザ照射手段）
１５ ウェーハ分割部
１５１ セパレートテーブル
１５１ａ〜１５１ｄ 分割セパレートテーブル部
１５１Ｘ 折り曲げライン
１５１Ｙ 折り曲げライン
１５２ 吸着機構
１５３ 傾き動作機構
１５４ Ｘ／Ｙ軸動作機構
１５５ Ｚ軸動作機構
１６ ウェーハ裏返し保持手段
１６１ 回転軸
１６２ モータ
１７ リングフレーム配置手段
１７１ リングフレーム
１８ ウェーハマウント手段
１８１ バルーン
１９ バックグラインディングテープ剥離部
１９１ 吸着ステージ
１９２ バックグラインディングテープ剥離手段
２１ ウェーハ搬送手段
２１１ 搬送チャック
２２ フレームキャリア
２２１ 棚
ＤＴ ダイシングテープ
ＧＴ バックグラインディングテープ
ＲＴ 剥離テープ
Ｗ ウェーハ
ＷＡ、ＷＢ ウェーハ半体
Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ、Ｗｄ 小片化されたウェーハ
１５１Ｘ、１５１Ｙ 折り曲げライン
Ｌ２Ｘ、Ｌ２Ｙ ウェーハカット用分割ライン
Ｌ１Ｘ、Ｌ１Ｙ テープ分断ライン

Claims (6)

1. 表面側にバックグラインディングテープを貼り付けた状態で裏面側のグラインディングを終えたウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対して前記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射し、該バックグラインディングテープを３つ以上に分断するアブレーション加工工程と、
   前記ウェーハの表面にレーザを前記バックグラインディングテープの分断されたテープ分断ラインに沿って照射し、該ウェーハにウェーハカット用分割ラインを形成するウェーハカットライン形成工程と、
   前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも３つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割工程と、
   ダイシングテープが貼られたリングフレームを前記小片化されたウェーハのうちのいずれか１つのウェーハの略裏面真下に配置するとともに、前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの該裏面に貼り付けて該小片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント工程と、
   前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥離するバックグラインディングテープ剥離工程と、
   を含むことを特徴とする半導体の製造方法。
2. 前記テープ分断ライン及び前記ウェーハカット用分割ラインは、互いに前記ウェーハの略中心を通って略十字状に形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体の製造方法。
3. 前記バックグラインディングテープ剥離工程は、前記バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて一体化し、該熱圧着テープの剥離と一体に前記バックグラインディングテープを前記ウェーハから剥離することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体の製造方法。
4. 表面側にバックグラインディングテープが貼り付けられたウェーハの裏面側をグラインディングするバックグラインディング装置と、
   レーザ照射手段を有して、該レーザ照射手段により前記ウェーハ上の前記バックグラインディングテープに対し前記ウェーハを少なくとも三等分するようにレーザを照射して該バックグラインディングテープを３つ以上に分断するとともに、該バックグラインディングテープの分断されたラインに沿って前記ウェーハの表面にレーザを照射して該ウェーハにウェーハカット用の分割ラインを形成するレーザ照射部と、
   前記バックグラインディングテープが貼り付けられた表面を下側に向けて前記ウェーハをセパレートテーブル上にセットし、前記ウェーハカット用分割ラインを基準にして前記ウェーハを折損して少なくとも３つ以上の小片化されたウェーハに分割するウェーハ分割部と、
   ダイシングテープが貼られたリングフレームを前記小片化されたウェーハのうちのいずれか１つのウェーハの略裏面真下に配置するリングフレーム配置手段と、
   前記ダイシングテープを前記小片化されたウェーハの裏面に貼り付けて該小片化されたウェーハをリングフレームにマウントするウェーハマウント手段と、
   前記リングフレームにマウントされた前記小片化されたウェーハの表面に貼り付けられている前記バックグラインディングテープを剥がすバックグラインディングテープ剥離部と、
   を備えることを特徴とする半導体製造装置。
5. 前記バックグラインディングテープ剥離部は、前記バックグラインディングテープに熱圧着テープを接着させて一体化し、該熱圧着テープの剥離と一体に前記バックグラインディングテープを前記ウェーハから剥離することを特徴とする請求項４に記載の半導体の製造装置。
6. 前記ウェーハカット用分割ラインは、前記ウェーハの略中心を通って十字状に形成され、
   前記ウェーハ分割部は、前記十字状に形成されている前記ウェーハカット用分割ラインの１つの分割ラインを基準にして前記ウェーハを２つのウェーハ半体に分割し、その後、該２つのウェーハ半体をそれぞれ、該２つのウェーハ半体と交差しているウェーハカット用分割ラインを基準に更に２つのウェーハ半体に分割して４つの小片化されたウェーハに形成する、ことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体製造装置。

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