TWI681486B - 進氣機構及預清洗腔室 - Google Patents

Abstract

本揭露涉及一種進氣機構及預清洗腔室，本揭露的進氣機構包括蓋板，在蓋板內設置有進氣通道；保護板，在保護板中設置有出氣口；緩衝腔，固定於蓋板和保護板之間，製程氣體依次通過進氣通道、緩衝腔和出氣口進入製程腔；阻擋件，設置於緩衝腔內，且與出氣口位置對應，其在保護板上的投影覆蓋出氣口，本揭露的預清洗腔室包括上述進氣機構。

Description

進氣機構及預清洗腔室

本揭露涉及半導體裝置領域，具體地，涉及一種進氣機構及預清洗腔室。

在物理氣相沉積製程裝置中，特別是對於積體電路（IC）、矽穿孔（TSV）、封裝（Packaging）等的製造製程，需要一種預清洗（Preclean）製程腔，進行預清洗製程，以在沉積金屬膜之前，清除晶圓表面的污染物，或者溝槽和穿孔底部的殘餘物。一般的預清洗製程，是將製程氣體，如Ar（氬氣）、He（氦氣）等，激發為電漿，利用電漿的化學反應和物理轟擊作用，對晶圓進行去雜質的處理。

目前，通常在反應腔室頂部設置上進氣機構，用以向反應腔室內輸送製程氣體。第1圖為現有的上進氣機構的結構圖。第2圖為第1圖中上進氣機構的仰視圖。第3圖為第1圖中上進氣機構的局部剖視圖。請一併參閱第1圖~第3圖，上進氣機構包括上蓋板1和設置在該上蓋板1底部的保護板2，在上蓋板1中設置有進氣通道3，且在保護板2中設置有複數個出氣口4，複數個出氣口4位於保護板2的邊緣，且沿保護板2的周向對稱分佈，如第2圖所示。而且，在該上蓋板1的下表面形成有凹槽，該凹槽與保護板2的上表面形成中間通道5，該中間通道5分別與進氣通道3的出氣端和各個出氣口4相連通，製程氣體依次經由進氣通道3、中間通道5和各個出氣口4流入反應腔室中，該製程氣體的流動方向如第3圖中的箭頭所示。

發明人在實現本發明的過程中發現，上述上進氣機構在實際應用中至少存在以下問題。如第4圖所示，在反應腔室中的污染物能夠由下而上穿過出氣口4，並進入中間通道5中，附著在上蓋板1的內壁上，從而對上蓋板1造成了污染，由於很難對上蓋板1進行清洗和更換，會降低裝置的使用壽命。

本揭露旨在至少部分地解決先前技術中存在的技術問題，提出了一種進氣機構及預清洗腔室，其可以至少部分地避免蓋板被污染的問題，從而可以提高裝置的使用壽命。

根據本揭露的一方面，提供了一種進氣機構，包括：蓋板，在該蓋板內設置有進氣通道；保護板，在該保護板中設置有出氣口；緩衝腔，設置於該蓋板和該保護板之間，該進氣通道、該緩衝腔和該出氣口依次連通，還包括阻擋件，固定於該緩衝腔內，且位於與該出氣口相對的位置，該阻擋件在該保護板上的投影覆蓋該出氣口。

在本揭露的一些實施例中，該阻擋件包括：板狀本體，其中，該板狀本體與該蓋板之間具有第一通道，該第一通道與該進氣通道相連通。

在本揭露的一些實施例中，該第一通道包括：設置在該板狀本體上的第一凹部，和/或設置在該蓋板上的第二凹部；其中，該第一凹部和該第二凹部分別設置於該板狀本體與該蓋板相對的表面上。

在本揭露的一些實施例中，該板狀本體中具有第二通道，或在該板狀本體與該緩衝腔的側壁之間具有第二通道，該第一通道與該第二通道相連通。

在本揭露的一些實施例中，該板狀本體中具有第二通道；該第二通道為沿該板狀本體厚度方向設置的通孔，且該通孔偏離與該出氣口相對的位置。

在本揭露的一些實施例中，該板狀本體與該保護板之間具有第三通道，該第二通道與該第三通道相連通，且該第三通道與該出氣口相連通。

在本揭露的一些實施例中，該第三通道包括：設置在該板狀本體上的第三凹部，和/或設置在該保護板上的第四凹部；其中，該第三凹部和該第四凹部分別設置於該板狀本體與該保護板相對的表面上。

在本揭露的一些實施例中，該出氣口與該板狀本體的中心對應；該通孔為複數個，且複數個該通孔以該板狀本體的中心為圓心分佈至少一圈。

在本揭露的一些實施例中，該第三凹部包括複數條凹道；其中，複數條該凹道的一端彙聚在與該出氣口相對應的位置處；複數條該凹道的另一端一一對應地延伸至與複數個該通孔對應的位置處，並與其對應的該通孔連通。

在本揭露的一些實施例中，該出氣口為錐形通孔，該錐形通孔的徑向截面面積較大的一端朝向該保護板的遠離該蓋板的一側。

在本揭露的一些實施例中，在該蓋板和該保護板之間包括複數個該緩衝腔和複數個該出氣口，複數個該緩衝腔與複數個該出氣口一一對應的設置，且在每一緩衝腔中均設置有該阻擋件；並且，在該蓋板中設置的該進氣通道包括複數個出氣端，複數個該出氣端與複數個該緩衝腔一一對應的設置並連通。

在本揭露的一些實施例中，在該蓋板和該保護板之間包括一個該緩衝腔和一個該出氣口，該出氣口位於該保護板的中心位置。

在本揭露的一些實施例中，在該蓋板和該保護板之間包括一個該緩衝腔和複數個該出氣口，在該緩衝腔中設置有複數個該阻擋件，且複數個該阻擋件一一對應的位於與複數個該出氣口相對的位置。

在本揭露的一些實施例中，在該蓋板和該保護板之間包括一個該緩衝腔和複數個該出氣口，在該緩衝腔中設置有一個該阻擋件，該阻擋件在該保護板上的投影覆蓋所有的該出氣口。

根據本揭露的另一方面，還提供了一種預清洗腔室，包括腔體和設置於腔體壁上的進氣機構，其中，該進氣機構採用上述任一進氣機構。

根據本揭露的實施例，在緩衝腔內設置有阻擋件，該阻擋件能夠遮擋保護板中的出氣口，以阻擋自該出氣口進入緩衝腔的顆粒物到達蓋板，防止蓋板被污染，從而可以提高裝置的使用壽命。

為使本揭露的目的、技術方案和優點更加清楚明白，以下結合具體實施例，並參照附圖，對本揭露進一步詳細說明。

下面將結合本揭露實施例中的附圖，對本揭露實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本揭露一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本揭露中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本揭露保護的範圍。

請一併參閱第5圖~第7圖，根據本揭露實施例的進氣機構位於製程腔的頂部，且包括蓋板6和設置在該蓋板6底部的保護板7，二者通過複數個螺釘11固定連接，如第6圖所示，複數個螺釘11沿蓋板6的周向對稱分佈。並且，如第5圖所示，在蓋板6中設置有進氣通道61，該進氣通道61的進氣端611延伸至蓋板6的底部邊緣處，且與氣源（圖中未示出）連接；進氣通道61的出氣端612延伸至蓋板6的中心位置處。

而且，如第7圖所示，在蓋板6和保護板7之間設置有緩衝腔9。並且，在該保護板7中設置有出氣口71，該出氣口71同樣位於蓋板6的中心位置處。上述氣源提供的製程氣體依次通過進氣通道61、緩衝腔9和出氣口71進入製程腔。較佳的，出氣口71為錐形通孔，該錐形通孔的徑向截面面積較大的一端朝向保護板7的遠離蓋板6的一側，即，朝向製程腔設置，如第7圖所示的示例中朝下設置，以增大自出氣口71噴出的氣體的擴散範圍，從而可以提高氣體的分佈均勻性。

而且，如第7圖所示，在上述緩衝腔9內與出氣口71相對的位置設置有阻擋件8，阻擋件8在保護板7上的投影覆蓋出氣口71，以阻擋自出氣口71進入緩衝腔9的顆粒物到達蓋板6，防止蓋板6被污染，從而可以提高裝置的使用壽命。上述阻擋件8的結構應滿足在阻擋顆粒物到達蓋板6的同時，使進入緩衝腔中的氣體通過，並進入出氣口71。

具體地，在本實施例中，阻擋件8包括板狀本體，其中，該板狀本體與蓋板6之間具有第一通道，即，在板狀本體的上表面與緩衝腔9的頂壁之間的水平間隙；在板狀本體與緩衝腔9的側壁之間具有第二通道，即，在板狀本體的側面與緩衝腔9的側壁之間的環形間隙；板狀本體與保護板7之間具有第三通道，即，板狀本體的下表面與緩衝腔9的底壁之間的水平間隙。製程氣體依次通過進氣通道61、上述第一通道、第二通道、第三通道和出氣口71進入製程腔。由此，上述阻擋件8的結構滿足阻擋顆粒物到達蓋板6的同時，使進入緩衝腔中的氣體通過，並進入出氣口71。

在第7圖中，阻擋件8應固定於緩衝腔9中，以防止其位置由於進氣結構的移動而發生變化，而與出氣口71位置錯開的情況出現。具體來說，阻擋件8可以通過支撐件固定於緩衝腔9的底壁、頂壁和/或側壁，從而將其位置固定，並且支撐件的設置不影響第一通道、第二通道和第三通道的形成。

需要說明的是，在本實施例中，進氣機構位於製程腔的頂部，但是本揭露並不侷限於此，在實際應用中，進氣機構還可以位於製程腔的其他任意位置，例如製程腔的一側。

請一併參閱第8圖~第10圖，根據本揭露另一實施例的進氣機構與根據上述實施例的進氣結構基本上相同，除了阻擋件8的結構不同之外。以下，將主要描述這兩個實施例之間的不同之處。

具體地，阻擋件8包括板狀本體，該板狀本體的側壁與緩衝腔9的側壁相貼合，以使緩衝腔9能夠對阻擋件8進行固定和限位，並且，板狀本體與蓋板6之間具有第一通道，如第9A圖所示，該第一通道包括設置在板狀本體上的第一凹部81，該第一凹部81位於板狀本體的上表面，且和與之相對的緩衝腔9的頂壁形成上述第一通道。在實際應用中，也可以不設置第一凹部81，而是在蓋板6上設置第二凹部62，如第11圖所示，該第二凹部62位於蓋板6的下表面，且和與之相對的板狀本體形成上述第一通道。或者，還可以同時設置上述第一凹部81和第二凹部62，二者對接形成上述第一通道。

在本實施例中，在板狀本體中具有第二通道，如第9A圖和第9B圖所示，該第二通道為沿板狀本體厚度方向設置的通孔82，且通孔82偏離與出氣口71相對的位置，從而可以使由通孔82和出氣口71組成的第二通道呈迷宮結構，減少自出氣口71進入通孔82的顆粒物數量。在本實施例中，出氣口71與板狀本體的中心對應，並且通孔82為複數個，且複數個通孔82以板狀本體的中心為圓心分佈至少一圈，從而使製程氣體能夠通過各個通孔82同時流入出氣口71中。當然，在實際應用中，通孔82也可以為一個。

在本實施例中，如第9B圖所示，板狀本體與保護板7之間具有第三通道，該第三通道包括設置在板狀本體上的第三凹部83，該第三凹部83位於板狀本體的下表面，且和與之相對的緩衝腔9的底壁形成上述第三通道。在實際應用中，也可以不設置第三凹部83，而是在保護板7上設置第四凹部72，如第12圖所示，該第四凹部72位於保護板7的上表面，且和與之相對的板狀本體形成上述第三通道。或者，還可以同時設置上述第三凹部83和第四凹部72，二者對接形成上述第三通道。

較佳的，上述第三凹部83包括複數個（第9B圖的示例中示出了三個）凹道，複數個凹道的一端（第9B圖中靠近阻擋件8的中心的一端）彙聚在與出氣口71相對應的位置處，複數個凹道的另一端（第9B圖中靠近阻擋件8的邊緣的一端）一一對應地與複數個通孔82相連通。這樣，進入由上述第一凹部81限定的空間中的氣體，通過各個通孔82分別進入各個凹道，再由各個凹道彙聚至與出氣口71相對應的位置處，最終進入出氣口71中。如第10圖所示，由於凹道較窄，自出氣口71進入的污染物無法穿過凹道，從而可以進一步增強對污染物的阻擋作用。

上述第四凹部72包括複數個（第12圖的示例中示出了三個）凹道，複數個凹道的一端彙聚於出氣口71，複數個凹道的另一端一一對應地與複數個通孔82相連通。這樣，進入由上述第一凹部81限定的空間中的氣體，通過各個通孔82分別進入各個凹道，再由各個凹道彙聚並進入出氣口71。

在本實施例中，在蓋板6和保護板7相對的兩個表面上分別形成有第一凹槽和第二凹槽，二者對接構成上述緩衝腔9。進氣部件8的板狀本體基本上占滿整個緩衝腔9的內部空間，即，板狀本體的整體形狀與上述緩衝腔9的形狀完全吻合，以保證對污染物的阻擋作用。當然，在實際應用中，也可以僅在蓋板6的下表面（即，與保護板7相對的表面）上形成有凹槽，該凹槽與保護板7的上表面（即，與蓋板6相對的表面）構成上述緩衝腔9。或者，還可以僅在保護板7的上表面上形成有凹槽，該凹槽與蓋板6的下表面構成上述緩衝腔9。

較佳的，為了避免出現火花現象，通常需要蓋板6接地，在這種情況下，較佳的，在阻擋件8與蓋板6之間設置有第一誘電線圈24（參見第13圖），以增強阻擋件8與蓋板6之間的導電性，從而提高阻擋件8的接地效果。與之相類似的，在蓋板6與保護板7之間設置有第二誘電線圈10，以增強保護板7與蓋板6之間的導電性，從而提高保護板7的接地效果。

還需要說明的是，在本實施例中，上述緩衝腔9位於蓋板6的中心位置處，但是本揭露並不侷限於此，在實際應用中，上述緩衝腔9也可以位於偏離蓋板6的中心位置的任意位置，並且進氣通道61的出氣端612和出氣口71的位置應與該緩衝腔9的位置相對應。

請一併參閱第13圖和第14圖，根據本揭露實施例的進氣機構與根據上述實施例的進氣結構基本上相同，除了緩衝腔9為複數個之外。以下，將主要描述這兩個實施例之間的不同之處。

具體地，複數個緩衝腔9分別位於蓋板6的邊緣位置和中心位置處，並且位於蓋板6的邊緣位置處的複數個緩衝腔9沿蓋板6的周向對稱分佈。每一緩衝腔9中設置有上述阻擋件8。並且，進氣通道61的出氣端612的數量與上述緩衝腔9的數量相對應，且各個進氣通道61的出氣端612一一對應地與各個緩衝腔9相連通；如第14圖所示，出氣口71為複數個，其數量與緩衝腔9的數量相對應，且各個出氣口71一一對應地與各個緩衝腔9相連通。

當然，在實際應用中，複數個緩衝腔9也可以僅位於蓋板6的邊緣位置，且沿蓋板6的周向對稱分佈。或者，也可以根據不同需要，自由設定複數個緩衝腔9的排布方式，並且進氣通道61的出氣端612和出氣口71的位置均與緩衝腔9的位置相對應。

在根據本揭露又一實施例的進氣機構中，請參見第15圖，該進氣機構將第3圖中的上蓋板1下表面的凹槽與保護板2的上表面形成的中間通道5作為緩衝腔，在上述中間通道5內與每一出氣口4對應的位置均設置阻擋件，該阻擋件可以是第7圖所示的阻擋件8，這樣，阻擋件的板狀本體與上蓋板1之間形成第一通道；在板狀本體與中間通道5的側壁之間形成第二通道；板狀本體與保護板2之間形成第三通道。製程氣體由進氣通道3的出氣端依次經中間通道5、上述第一通道、第二通道、第三通道和出氣口4進入製程腔。該阻擋件8同樣能夠遮擋出氣口4，以阻擋自出氣口4進入緩衝腔的顆粒物到達上蓋板1，防止上蓋板1被污染，從而可以提高裝置的使用壽命。

與上述實施例相比，該實施例無需專門在上蓋板和保護板加工凹槽作為容置阻擋板的緩衝腔，簡化了加工製程，降低了加工成本，便於加工和生產。

在根據本揭露又一實施例的進氣機構中，請參見第16圖，阻擋件8包括板狀本體，該板狀本體基本上占滿整個中間通道5的內部空間，中間通道5將阻擋件限位以使阻擋件固定，板狀本體的上表面與第9A圖的結構類似，板狀本體與上蓋板1之間形成第一通道，該第一通道包括設置在板狀本體上的第一凹部。

在本實施例中，板狀本體中具有複數個第二通道，分別與複數個出口孔4一一對應，該第二通道為沿板狀本體厚度方向設置的通孔，且每一通孔偏離其對應的出氣口4的位置。在第16圖中，通孔位於其對應的出氣口4的外側，即靠近板狀本體邊緣的一側，在本實施例中，通孔也可以位於其對應的出氣口4的內側，即靠近板狀本體中心的一側，也可以位於與其對應的出氣口4在周向錯開一定角度的位置，從而使製程氣體能夠通過各個通孔分別流入各個出氣口4中。

在本實施例中，板狀本體與保護板2之間具有複數個第三通道，分別與複數個第二通道一一對應，該第三通道包括設置在板狀本體下表面的第三凹部。第三凹部為凹道，對於每一凹道，其一端位於其對應的出氣口4的位置處，其另一端與其對應的第二通道相連通。這樣，進入由上述第一凹部限定的空間中的氣體，通過各個通孔分別進入各個凹道，再由各個凹道分別流至各個出氣口相對應的位置處，最終進入各個出氣口4中。

同樣，該阻擋件也能夠遮擋出氣口4，以阻擋自出氣口4進入緩衝腔的顆粒物到達上蓋板1，防止上蓋板1被污染，從而可以提高裝置的使用壽命；並且無需專門在上蓋板和保護板加工凹槽作為容置阻擋板的緩衝腔。

根據本揭露的實施例，在緩衝腔內設置有阻擋件，該阻擋件能夠遮擋保護板中的出氣口，以阻擋自該出氣口進入緩衝腔的顆粒物到達蓋板，防止蓋板被污染，從而可以提高裝置的使用壽命。

如第17圖所示，本揭露實施例還提供一種預清洗腔室201，該預清洗腔室201包括腔體和設置於腔體的頂壁上的進氣機構202。該進氣機構202採用了本揭露上述各個實施例提供的進氣機構，用於向預清洗腔室201中輸送製程氣體。

而且，在本實施例中，在上述預清洗腔室201的腔體側壁中設置有介電質襯筒203，且在該介電質襯筒203的周圍環繞設置有射頻線圈204，其通過上匹配器207與上射頻電源206電連接，上射頻電源206用於向射頻線圈204加載射頻功率，由射頻線圈204產生的電磁場能夠通過介電質襯筒203饋入至預清洗腔室201中，以激發預清洗腔室201中的製程氣體形成電漿。並且，在預清洗腔室201中還設置有基座205，其通過下匹配器209和下射頻電源208電連接，下射頻電源208用於向基座205加載射頻負偏壓，以吸引電漿蝕刻基底表面。

本揭露實施例提供的預清洗腔室，其通過採用本揭露上述各個實施例提供的上述進氣機構，可以提高裝置的使用壽命。

以上描述了本揭露的實施例。需要說明的，這些實施例僅用於理解本揭露，並不用於限制本揭露的保護範圍。並且，實施例中的特徵，在無特別注明的情況下，在相同或不同實施例中出現的技術特徵在不相互衝突的情況下可以組合使用。

還需要說明的是，實施例中提到的方向用語，例如“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”等，僅是參考附圖的方向，並非用來限制本揭露的保護範圍。貫穿附圖，相同的元素由相同或相近的附圖標記來表示。在可能導致對本揭露的理解造成混淆時，將省略常規結構或構造。並且圖中各部件的形狀和尺寸不反映真實大小和比例，而僅示意本揭露實施例的內容。

再者，單詞“包含”不排除存在未列在申請專利範圍中的部件。位於部件之前的單詞“一”或“一個”不排除存在複數個這樣的部件。

說明書與申請專利範圍中所使用的序數例如“第一”、“第二”、“第三”等的用詞，以修飾相應的部件，其本身並不意味著該部件有任何的序數，也不代表某一部件與另一部件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一部件得以和另一具有相同命名的部件能做出清楚區分。

類似地，應當理解，為了精簡本揭露並幫助理解各個揭露方面中的一個或複數個，在上面對本揭露的示例性實施例的描述中，本揭露的各個特徵有時被一起分組到單個實施例、圖、或者對其的描述中。然而，並不應將該揭露解釋成反映如下意圖：即所要求保護的本揭露要求比在每一申請專利範圍中所明確記載的特徵更多的特徵。更確切地說，如下面的申請專利範圍所反映的那樣，揭露方面在於少於前面揭露的單個實施例的所有特徵。因此，遵循具體實施方式的申請專利範圍由此明確地併入該具體實施方式，其中每一申請專利範圍本身都作為本揭露的單獨實施例。

1、6‧‧‧蓋板2、7‧‧‧保護板3、61‧‧‧進氣通道4、71‧‧‧出氣口5‧‧‧中間通道8‧‧‧阻擋件9‧‧‧緩衝腔10‧‧‧第二誘電線圈11‧‧‧螺釘24‧‧‧第一誘電線圈62‧‧‧第二凹部72‧‧‧第四凹部81‧‧‧第一凹部82‧‧‧通孔83‧‧‧第三凹部201‧‧‧預清洗腔室202‧‧‧進氣機構203‧‧‧介電質襯筒204‧‧‧射頻線圈205‧‧‧基座206‧‧‧上射頻電源207‧‧‧上匹配器208‧‧‧下射頻電源209‧‧‧下匹配器611‧‧‧進氣端612‧‧‧出氣端

附圖是用來提供對本揭露的進一步理解，並且構成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用於解釋本揭露，但並不構成對本揭露的限制。在附圖中： 第1圖為現有的上進氣機構的結構圖； 第2圖為第1圖中上進氣機構的仰視圖； 第3圖為第1圖中上進氣機構的局部剖視圖； 第4圖為污染物進入中間通道的示意圖； 第5圖為根據本揭露實施例的進氣機構的剖視圖； 第6圖為根據本揭露實施例的進氣機構的仰視圖； 第7圖為第5圖中I區域的放大圖； 第8圖為根據本揭露另一實施例的進氣機構的剖視圖； 第9A圖為根據本揭露另一實施例的阻擋件的上部結構圖； 第9B圖為根據本揭露另一實施例的阻擋件的下部結構圖； 第10圖為污染物的分佈示意圖； 第11圖為根據本揭露另一實施例的蓋板的結構圖； 第12圖為根據本揭露另一實施例的保護板的結構圖； 第13圖為根據本揭露又一實施例的進氣機構的剖視圖； 第14圖為根據本揭露又一實施例的保護件的仰視圖； 第15圖為根據本揭露又一實施例的進氣機構的剖視圖； 第16圖為根據本揭露又一實施例的進氣機構的剖視圖； 第17圖為根據本揭露實施例的預清洗腔室的結構圖。

6‧‧‧蓋板

7‧‧‧保護板

8‧‧‧阻擋件

9‧‧‧緩衝腔

10‧‧‧第二誘電線圈

61‧‧‧進氣通道

71‧‧‧出氣口

612‧‧‧出氣端

Claims (15)

1. 一種進氣機構，包括： 一蓋板，在該蓋板內設置有一進氣通道； 一保護板，在該保護板中設置有一出氣口； 一緩衝腔，設置於該蓋板和該保護板之間，該進氣通道、該緩衝腔和該出氣口依次連通，其特徵在於， 還包括一阻擋件，固定於該緩衝腔內，且位於與該出氣口相對的位置，該阻擋件在該保護板上的投影覆蓋該出氣口。
2. 如申請專利範圍第1項所述的進氣機構，其中，該阻擋件包括：一板狀本體，其中， 該板狀本體與該蓋板之間具有一第一通道，該第一通道與該進氣通道相連通。
3. 如申請專利範圍第2項所述的進氣機構，其中，該第一通道包括： 設置在該板狀本體上的一第一凹部，和/或設置在該蓋板上的一第二凹部；其中， 該第一凹部和該第二凹部分別設置於該板狀本體與該蓋板相對的表面上。
4. 如申請專利範圍第2項所述的進氣機構，其中，該板狀本體中具有一第二通道，或在該板狀本體與該緩衝腔的側壁之間具有一第二通道，該第一通道與該第二通道相連通。
5. 如申請專利範圍第4項所述的進氣機構，其中，該板狀本體中具有一第二通道； 該第二通道為沿該板狀本體厚度方向設置的一通孔，且該通孔偏離與該出氣口相對的位置。
6. 如申請專利範圍第5項所述的進氣機構，其中，該板狀本體與該保護板之間具有一第三通道，該第二通道與該第三通道相連通，且該第三通道與該出氣口相連通。
7. 如申請專利範圍第6項所述的進氣機構，其中，該第三通道包括： 設置在該板狀本體上的一第三凹部，和/或設置在該保護板上的一第四凹部； 其中，該第三凹部和該第四凹部分別設置於該板狀本體與該保護板相對的表面上。
8. 如申請專利範圍第7項所述的進氣機構，其中， 該出氣口與該板狀本體的中心對應； 該通孔為複數個，且複數個該通孔以該板狀本體的中心為圓心分佈至少一圈。
9. 如申請專利範圍第8項所述的進氣機構，其中，該第三凹部包括複數條凹道；其中， 複數條該凹道的一端彙聚在與該出氣口相對應的位置處； 複數條該凹道的另一端一一對應地延伸至與複數個該通孔對應的位置處，並與其對應的該通孔連通。
10. 如申請專利範圍第1項所述的進氣機構，其中，該出氣口為一錐形通孔，該錐形通孔的徑向截面面積較大的一端朝向該保護板的遠離該蓋板的一側。
11. 如申請專利範圍第1項至第10項任一項所述的進氣機構，其中，在該蓋板和該保護板之間包括複數個該緩衝腔和複數個該出氣口，複數個該緩衝腔與複數個該出氣口一一對應的設置，且在每一緩衝腔中均設置有該阻擋件；並且，在該蓋板中設置的該進氣通道包括複數個出氣端，複數個該出氣端與複數個該緩衝腔一一對應的設置並連通。
12. 如申請專利範圍第1項至第10項任一項所述的進氣機構，其中，在該蓋板和該保護板之間包括一個該緩衝腔和一個該出氣口，該出氣口位於該保護板的中心位置。
13. 如申請專利範圍第1項至第10項任一項所述的進氣機構，其中，在該蓋板和該保護板之間包括一個該緩衝腔和複數個該出氣口，在該緩衝腔中設置有複數個該阻擋件，且複數個該阻擋件一一對應的位於與複數個該出氣口相對的位置。
14. 如申請專利範圍第1項至第10項任一項所述的進氣機構，其中，在該蓋板和該保護板之間包括一個該緩衝腔和複數個該出氣口，在該緩衝腔中設置有一個該阻擋件，該阻擋件在該保護板上的投影覆蓋所有的該出氣口。
15. 一種預清洗腔室，包括腔體和設置於該腔體上的進氣機構，其中，該進氣機構採用申請專利範圍第1項至第14項任一項所述的進氣機構。

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