KR100663749B1 - 발광소자 기판용 서셉터 - Google Patents

발광소자 기판용 서셉터 Download PDF

Info

Publication number
KR100663749B1
KR100663749B1 KR1020050035620A KR20050035620A KR100663749B1 KR 100663749 B1 KR100663749 B1 KR 100663749B1 KR 1020050035620 A KR1020050035620 A KR 1020050035620A KR 20050035620 A KR20050035620 A KR 20050035620A KR 100663749 B1 KR100663749 B1 KR 100663749B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptor
light emitting
emitting device
pocket
substrate
Prior art date
Application number
KR1020050035620A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060112903A (ko
Inventor
장문식
진주
유태경
Original Assignee
에피밸리 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에피밸리 주식회사 filed Critical 에피밸리 주식회사
Priority to KR1020050035620A priority Critical patent/KR100663749B1/ko
Publication of KR20060112903A publication Critical patent/KR20060112903A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100663749B1 publication Critical patent/KR100663749B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 3족 질화물 반도체 발광소자용 웨이퍼의 성장에 사용되는 금속유기물 화학 기상증착(MOCVD) 장비에서 상기 웨이퍼 성장시에 사파이어 기판이 재치되는 발광소자 기판용 서셉터로서, 상기 서셉터는 사파이어 기판이 놓이는 복수개의 포켓을 포함하며 상기 복수개의 포켓은 그 중심이 포켓 기준 원(상기 서셉터의 중심을 중심점으로 하는 원) 상에 놓이는 발광소자 기판용 서셉터에 있어서, 상기 복수개의 포켓 각각은 전체적으로 원형이며, 사파이어 기판의 평탄면에 대응하는 기준면을 구비하고, 기준면은 상기 포켓 기준 원 상에 놓이는 것을 특징으로 하는 발광소자 기판용 서셉터를 제공한다.
3족 질화물 반도체 발광소자, 서셉터, 사파이어 기판, 포켓

Description

발광소자 기판용 서셉터{SUSCEPTOR FOR LIGHT EMITTING DEVICE SUBSTRATE}
도 1은 종래의 기판용 서셉터의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 개선된 기판용 서셉터의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 개선된 기판용 서셉터의 다른 예를 나타내는 도면,
도 4는 3족 질화물 반도체 발광소자의 성장에 이용되는 사파이어 기판의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 발명에 따른 발광소자 기판용 서셉터의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 도 5의 발광소자 기판용 서셉터의 일부를 확대한 도면,
도 7은 도 5의 발광소자 기판용 서셉터의 포켓의 치수를 설명하는 도면,
도 8은 본 발명에 따른 발광소자 기판용 서셉터의 다른 예를 나타내는 도면.
본 발명은 발광소자 기판용 서셉터, 상세하게는 3족 질화물 반도체 발광소자용 웨이퍼의 성장에 사용되는 금속유기물 화학 기상증착(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비에서 상기 웨이퍼 성장시에 사파이어 기판이 재치되는 발광소자 기판용 서셉터에 관한 것이다.
도 1은 종래의 기판용 서셉터의 일 예를 나타내는 도면으로서, 서셉터(101)에는 기판이 놓일 수 있는 18개의 포켓이 구비되어 있으며, 안쪽 6개의 포켓(102)은 그 중심이 직경이 105.1mm인 원 위에 놓이며, 바깥쪽 12개의 포켓(103)은 그 중심이 직경 203mm인 원 위에 놓인다. 이하, 포켓의 중심이 놓이는 원을 '포켓 기준 원'이라 한다. 각각의 포켓(102,103)은 직경 2inch(대략 50mm)의 사파이어 기판이 놓일 수 있도록 51.2mm의 직경을 가진다.
이러한 서셉터에 하나의 포켓이라도 더 만들 수 있다면, 생산성에 상당한 상승 효과를 가져올 수 있다.
개선의 방법으로, 포켓 기준 원의 직경을 더 크게 하고, 포켓의 배열을 바꾸는 방법을 고려할 수 있다.
도 2는 개선된 기판용 서셉터의 일 예를 나타내는 도면으로서, 서셉터(201)에는 4개의 포켓 기준 원(210,220,230,240) 상에, 20개의 포켓(202)이 구비되어 있다. 4개의 포켓 기준 원(210,220,230,240)은 각각 74.25mm, 144mm, 180mm, 230.4mm의 직경을 가진다.
그러나, 최외곽 포켓 기준 원(240)이 230.4mm의 직경을 가지므로, 대략 1000℃ 정도에서 이루어지는 MOCVD 장비의 실제 작동에서 있어서, 이들에 놓이는 포켓(203)까지 열을 균일하게 전달하기가 원활치 않은 문제점이 발생한다.
도 3은 개선된 기판용 서셉터의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 서셉터(301)에는 2개의 포켓 기준 원(310,320)이 있고, 1개의 포켓(303)이 서셉터(301)의 중심이 놓여 있으나, 도 2와 마찬가지로 최외곽 포켓 기준 원(320)이 226mm의 직경 을 가지므로, 대략 1000℃ 정도에서 이루어지는 MOCVD 장비의 실제 작동에서 있어서, 이들에 놓이는 포켓(302)까지 열을 균일하게 전달하기가 원활치 않은 문제점이 발생한다.
본 발명은 상기한 문제점을 감안하여, 최외곽 포켓 기준 원의 직경 확대를 최소화하면서, 최외곽 포켓 기준 원에 놓이는 포켓까지 열전달을 원활히 할 수 있는 발광소자 기판용 서셉터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
이를 위해, 본 발명은 3족 질화물 반도체 발광소자용 웨이퍼의 성장에 사용되는 금속유기물 화학 기상증착(MOCVD) 장비(예를 들어, Axiton사의 Thomas Swan CCS-MOCVD SYSTEM(19X2˝)에서 상기 웨이퍼 성장시에 사파이어 기판이 재치되는 발광소자 기판용 서셉터로서, 상기 서셉터는 사파이어 기판이 놓이는 복수개의 포켓을 포함하며 상기 복수개의 포켓은 그 중심이 포켓 기준 원(상기 서셉터의 중심을 중심점으로 하는 원) 상에 놓이는 발광소자 기판용 서셉터에 있어서, 상기 복수개의 포켓 각각은 전체적으로 원형이며, 사파이어 기판의 평탄면에 대응하는 기준면을 구비하고, 기준면은 상기 포켓 기준 원 상에 놓이는 것을 특징으로 하는 발광소자 기판용 서셉터를 제공한다.
또한 본 발명은 상기 발광소자 기판용 서셉터는 그 외곽 영역의 단면 두께가 내부 영역의 단면 두께 보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광소자 기판용 서셉터를 제공한다.
바람직하게는, 서셉터의 중심과 포켓의 중심이 잇는 선과 기준면이 이루는 각도가 66°에서 86°사이의 각도를 가지는 것이 좋다. 너무 각도가 작아지거나 커지면, 포켓 기준 원의 지름이 커지기 때문이다.
이하, 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명을 설명하기에 앞서 먼저, 3족 질화물 반도체 발광소자의 성장에 이용되는 사파이어 기판에 대해 설명한다. 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(401)은 완전한 원형이 아니라, 평탄면(402; flan zone)을 가지고 있다.
도 5는 본 발명에 따른 발광소자 기판용 서셉터의 일 예를 나타내는 도면으로서, 본 발명은 서셉터(501)의 포켓을 원형으로 형성하는 것이 아니라, 도 4의 기판(401)의 형태에 맞추어 포켓(502)도 기준면(510)을 갖도록 형성하고(도 6 참조), 이 기준면(510)이 포켓 기준 원(520) 상에 놓이도록 함으로써 포켓 간 간격을 줄여, 포켓 기준 원(520)의 직경을 줄이고 있다.
도 5의 실시예에서 최외곽 포켓 기준 원(520)이 213mm의 직경을 가지며, 도 7은 이러한 경우에 최외곽 포켓 기준 원(520) 상에 위치하는 포켓(502)이 가질 수 있는 치수들을 나타내고 있다. 기준면(510)은 포켓 기준 원(520)에 위치하여 14.5±0.5mm의 길이를 가지며, 기준면(510)에 수직하는 직선(702)이 서셉터와 포켓(502)의 중심을 잇는 선(701)에 대하여 76.154°의 각도를 가지고 있다.
도 8은 본 발명에 따른 발광소자 기판용 서셉터의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 도 5의 A-A선을 따라 그린 단면도로서, 서셉터(801)는 도 5와 동일한 형태의 포켓 구조를 가지지만, 그 단면 형상에 있어서, 서셉터(801)의 외곽 영역(D)의 두께(t2)가 내부 영역(C)의 두께(t1)보다 상대적으로 두껍게 형성된다.
외곽 영역(D)을 두껍게 형성함으로써, 외곽 영역(D)이 많은 열을 포함할 수 있도록 하여, 서셉터(801) 전체에 대한 열의 원활한 공급이 이루질 수 있게 된다.
본 발명은 발광소자 기판용 서셉터의 포켓에 사파이어 기판의 평탄면에 대응하는 기준면을 포함하고, 이 기준면이 포켓 기준 원 상에 놓이도록 함으로써, 최외각 포켓 기준 원의 직경을 최소화하면서 포켓의 수를 널릴 수 있고, 또한 서셉터의 외곽까지 열의 분배를 원활히 할 수 있게 된다.

Claims (3)

  1. 3족 질화물 반도체 발광소자용 웨이퍼의 성장에 사용되는 금속유기물 화학 기상증착(MOCVD) 장비에서 상기 웨이퍼 성장시에 사파이어 기판이 재치되는 발광소자 기판용 서셉터로서, 상기 서셉터는 사파이어 기판이 놓이는 복수개의 포켓을 포함하며 상기 복수개의 포켓은 그 중심이 포켓 기준 원(상기 서셉터의 중심을 중심점으로 하는 원) 상에 놓이는 발광소자 기판용 서셉터에 있어서,
    상기 복수개의 포켓 각각은 사파이어 기판의 평탄면에 대응하는 기준면을 구비하는 원형이며, 기준면은 상기 포켓 기준 원 상에 놓이는 것을 특징으로 하는 발광소자 기판용 서셉터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 발광소자 기판용 서셉터는 그 외곽 영역의 단면 두께가 내부 영역의 단면 두께 보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 발광소자 기판용 서셉터.
  3. 제 1 항에 있어서, 서셉터의 중심과 포켓의 중심이 잇는 선과 기준면이 이루는 각도가 66°에서 86°사이인 것을 특징으로 하는 발광소자 기판용 서셉터.
KR1020050035620A 2005-04-28 2005-04-28 발광소자 기판용 서셉터 KR100663749B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050035620A KR100663749B1 (ko) 2005-04-28 2005-04-28 발광소자 기판용 서셉터

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050035620A KR100663749B1 (ko) 2005-04-28 2005-04-28 발광소자 기판용 서셉터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060112903A KR20060112903A (ko) 2006-11-02
KR100663749B1 true KR100663749B1 (ko) 2007-01-03

Family

ID=37651349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050035620A KR100663749B1 (ko) 2005-04-28 2005-04-28 발광소자 기판용 서셉터

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100663749B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140132331A (ko) * 2012-03-07 2014-11-17 토요 탄소 가부시키가이샤 서스셉터

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010038740A1 (ja) 2008-10-03 2010-04-08 昭和電工株式会社 半導体発光素子の製造方法
US20110121503A1 (en) * 2009-08-05 2011-05-26 Applied Materials, Inc. Cvd apparatus
WO2016117427A1 (ja) 2015-01-20 2016-07-28 日本碍子株式会社 ウエハ支持構造体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005310U (ko) * 1996-06-19 1998-03-30 엘지반도체주식회사 반도체 제조장비의 화학증착장치
JPH10284425A (ja) 1997-04-10 1998-10-23 Rohm Co Ltd 半導体装置の製法
JP2002217121A (ja) 2001-01-23 2002-08-02 Fujitsu Ltd 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法
JP2002231636A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Tokuyama Toshiba Ceramics Co Ltd 化学気相成長用サセプタ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980005310U (ko) * 1996-06-19 1998-03-30 엘지반도체주식회사 반도체 제조장비의 화학증착장치
JPH10284425A (ja) 1997-04-10 1998-10-23 Rohm Co Ltd 半導体装置の製法
JP2002217121A (ja) 2001-01-23 2002-08-02 Fujitsu Ltd 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法
JP2002231636A (ja) 2001-01-30 2002-08-16 Tokuyama Toshiba Ceramics Co Ltd 化学気相成長用サセプタ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140132331A (ko) * 2012-03-07 2014-11-17 토요 탄소 가부시키가이샤 서스셉터
KR102152788B1 (ko) 2012-03-07 2020-09-07 토요 탄소 가부시키가이샤 서스셉터

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060112903A (ko) 2006-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20170114462A1 (en) High productivity pecvd tool for wafer processing of semiconductor manufacturing
TWM531052U (zh) 具有３１個容置區的排列組態之晶圓載具
KR100663749B1 (ko) 발광소자 기판용 서셉터
EP2397575B1 (en) Cvd device
TWM531055U (zh) 具有３５個容置區的排列組態之晶圓載具
TWI714652B (zh) 用於最小化跨基板的溫度分布的具有凹槽的平板基座
JP5394188B2 (ja) 化学気相蒸着装置
US10760161B2 (en) Inject insert for EPI chamber
JP7419779B2 (ja) サセプタ及び化学気相成長装置
US11676849B2 (en) Substrate carrier
TW201546945A (zh) 承載盤
JP6376700B2 (ja) ＳｉＣ化学気相成長装置
JP2012216744A (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
EP2824698B1 (en) Susceptor
US20160348276A1 (en) Process chamber with reflector
WO2012172920A1 (ja) 基板支持装置及び気相成長装置
US20150259827A1 (en) Susceptor
KR101562573B1 (ko) 웨이퍼 캐리어
KR20150098808A (ko) 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착장치
KR102209032B1 (ko) 웨이퍼 캐리어
JP2015195259A (ja) サセプターおよび気相成長装置
KR101625008B1 (ko) 공정 가스 공급부
KR20210029567A (ko) 웨이퍼 캐리어
KR102337411B1 (ko) 증착 장치
KR20140135852A (ko) 반도체 제조장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110627

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee