KR20140132331A - 서스셉터 - Google Patents

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Abstract

벌집 모양 패턴 구조의 최밀 충전 배치된 복수의 스폿페이스열의 외주부에 배치된 최외주 스폿페이스열의 스폿페이스 배치를 변경하는 것에 의해, 최외주부에 쓸데없는 공간을 최대한 없게 하여 가장 많은 스폿페이스를 배치한 서스셉터를 제공한다. 벌집 모양 패턴 구조의 동심 육각형 모양 스폿페이스열 A1, A2 중 최외주인 제2 번째의 스폿페이스열 A2의 각 정점에 위치하는 스폿페이스는, 최외주 스폿페이스열 A3를 구성하는 2개의 스폿페이스에 각각 실질적으로 점접촉하고 있고, 해당 2개의 스폿페이스는 서로 실질적으로 점접촉하고 있다. 최외주 스폿페이스열 A3의 스폿페이스 M(3)－C와, 스폿페이스 M(3)－B와의 사이에는, 스폿페이스열 A2의 정점 B2와 정점 B1과의 사이에 배치되는 스폿페이스의 개수와 동일한 수의 스폿페이스가 배치되며, 최외주 스폿페이스열 A3의 스폿페이스 M(3)－D와, 스폿페이스 M(3)－E와의 사이에는, 스폿페이스열 A2의 정점 B2와 정점 B3와의 사이에 배치되는 스폿페이스의 개수와 동일한 수의 스폿페이스가 배치되어 있다.

Description

서스셉터{SUSCEPTOR}
본 발명은, 반도체 장치의 제조 등에 이용되는 서스셉터로서, 서스셉터 표면에 가장 많은 스폿페이스(spotface)가 배치된 최밀(最密) 충전 배치 구조의 서스셉터에 관한 것이다.
예를 들면, LED 칩의 제조 공정에서 사파이어 기판 상에의 화합물 성장(成長)이나 Si 디바이스 제조 공정의 Si웨이퍼 기판에의 Si 에피택셜(epitaxcial) 성장시에 사용되는 서스셉터에는, 각 웨이퍼를 재치(載置)하는 스폿페이스가 구비되어 있다. 이들 서스셉터의 스폿페이스 배치는 동심원 모양으로 배치되는 경우가 많았다. 그러나, 이러한 동심원 모양의 스폿페이스 배치에서는 쓸데없는 공간이 많으며, 그 때문에 1회의 처리로 코팅 처리할 수 있는 기판의 개수가 충분하지 않아, 처리의 효율화가 좋지 않았다.
또, 서스셉터 본체의 표면에 기판에 의해 덮이지 않는 빈 부분이 많으면, 서스셉터 본체의 표면으로 내뿜어지는 가스의 흐름에 대해서 저항력으로서 작용하기 때문에, 가스의 흐름이 흐트러져, 각 기판의 두께의 균일한 성장을 저해하는 요인이 되어, 품질의 저하를 초래하고, 수율이 저하하게 된다.
여기서, 동심(同心) 육각형 모양으로 배치한 벌집 모양 패턴이 제안되어 있다(이하의 특허 문헌 1 참조). 이러한 배치는 최밀 충전 배치이며, 쓸데없는 공간을 가급적 저감할 수 있다.
특허 문헌 1 : 일본특허공표 2010－528466호 공보
그렇지만, 상기의 특허 문헌 1에 개시된 최밀(最密) 충전 배치에서는, 육각형 모양의 배치가 되기 때문에, 서스셉터 표면의 외주부에 쓸데없는 공간이 생기게 되며, 서스셉터 표면의 외주부에서, 최밀 충전 배치가 얻어지지 않는다고 하는 문제가 있다. 게다가, 본래, 서스셉터 표면의 외주부는 가장 많은 기판을 배치할 수 있기 때문에, 이 부분에서 쓸데없는 공간이 많이 존재하는 것은, 품질 저하가 되어 기판이 다수 존재하게 될 우려가 있어, 바람직하지 않다.
본 발명은, 상기의 실정을 감안하여 고려된 것이다. 그 목적은, 벌집 모양 패턴 구조의 최밀 충전 배치된 복수의 스폿페이스열(列)의 외주부에 배치된 최외주 스폿페이스열의 스폿페이스의 배치 형태를 변경하는 것에 의해, 최외주부에 쓸데없는 공간을 최대한 없게 하여 가장 많은 스폿페이스를 배치한 서스셉터를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명은, 원형의 표면에 동일 직경의 다수의 원형 모양의 스폿페이스를 배치함과 아울러, 이들 다수의 스폿페이스는, 최밀(最密) 충전 배치된 복수의 스폿페이스열(列)과, 이들 복수의 스폿페이스열의 외주부에 배치된 최외주 스폿페이스열로 구성되어 있는 서스셉터(susceptor)로서, 상기 최밀 충전 배치는, 원형 표면의 중심부에 1개의 스폿페이스를 배치하고, 이 중심부에 위치하는 스폿페이스의 외주측에 N(N는 1 이상의 임의의 정수)개의 동심(同心) 정육각형 모양의 스폿페이스열이 배치되어 있으며, 각 스폿페이스열에 있어서, 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스는 서로 이웃하는 스폿페이스와 실질적으로 점접촉하고 있고, 또한, 이들 N개의 스폿페이스열 중 가장 내주측에 위치하는 제1 번째의 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스는 상기 중심부에 위치하는 스폿페이스와 실질적으로 점접촉하고 있으며, 게다가, 동심 정육각형 모양의 스폿페이스열의 개수 N이 2 이상인 경우에는, 이들 복수의 스폿페이스열 중 상기 제1 번째의 스폿페이스열보다 외주측의 제E(E는, 2≤E≤N인 임의의 정수) 번째의 스폿페이스열에 있어서는, 해당 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스는, 해당 스폿페이스열의 내주측의 제(E－1) 번째의 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스와 실질적으로 점접촉한 구성이 되며, 상기 최외주 스폿페이스열은, 상기 최밀 충전 배치를 구성하는 N개의 스폿페이스열 중 제N 번째의 스폿페이스열의 각 정점(頂点) 위치에 있는 스폿페이스가, 최외주 스폿페이스열을 구성하는 2개의 스폿페이스에 각각 실질적으로 점접촉하고 있고, 또한, 제N 번째의 스폿페이스열이 서로 이웃하는 정점 위치 중 일방의 정점 위치에 관련하는 상기 2개의 스폿페이스와, 타방의 정점 위치에 관련하는 상기 2개의 스폿페이스와의 사이에는, 상기 제N 번째의 스폿페이스열의 각 정점 사이에 배치되는 스폿페이스의 개수와 동일한 수의 스폿페이스가 개재 배치되어 구성되어 있는 것을 요지로 한다.
여기서, 용어「실질적으로 점접촉하고 있다」함은, 점접촉하고 있다고 볼 수 있을 정도로 떨어져 있는(예를 들면 백분의 수 밀리미터만큼 떨어져 있는) 것을 의미한다.
또, 용어「제N 번째의 스폿페이스열의 서로 이웃하는 정점 위치 중 일방의 정점 위치에 관련하는 상기 2개의 스폿페이스와, 타방의 정점 위치에 관련하는 상기 2개의 스폿페이스와의 사이」란, 서스셉터 표면을 정면으로부터 본 경우에, 제N 번째의 스폿페이스열의 좌측 정점 위치, 중앙 정점 위치, 우측 정점 위치의 3개의 정점 위치에 관해서, 좌측 정점 위치에 있는 스폿페이스와 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스 중 좌측의 스폿페이스를 A, 우측의 스폿페이스를 B로 하고, 중앙 정점 위치에 있는 스폿페이스와 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스 중 좌측의 스폿페이스를 C, 우측의 스폿페이스를 D로 하며, 우측 정점 위치에 있는 스폿페이스와 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스 중 좌측의 스폿페이스를 E, 우측의 스폿페이스를 F로 한 경우에, 스폿페이스 B와 스폿페이스 C와의 사이, 및, 스폿페이스 D와 스폿페이스 E와의 사이를 의미한다.
상기 구성에 의하면, 최외주부에 쓸데없는 공간을 최대한 없앨 수 있으며, 가장 많은 스폿페이스를 배치한 최밀 충전 배치의 서스셉터를 실현할 수 있다. 따라서, 이러한 구성의 서스셉터를 구비한 기상(氣相) 성장(成長) 장치를 이용하는 것에 의해, 1회의 처리로 보다 많은 기판의 층의 성장 처리가 가능해져, 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
또, 본 발명에서는, 최밀 충전 배치를 구성하는 N개의 스폿페이스열 중 제N 번째의 스폿페이스열의 각 정점 위치에 있는 스폿페이스에 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스는, 상호 실질적으로 점접촉하고 있어도 괜찮으며, 또, 떨어져 있어도 괜찮다.
본 발명에서, 상기 제N 번째의 스폿페이스열의 각 정점 위치에 있는 스폿페이스에 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스는, 상호 실질적으로 점접촉하고 있고, 또한, 해당 2개의 스폿페이스의 중심을 연결하는 선과, 이들 2개의 스폿페이스에 실질적으로 점접촉하는 상기 제N 번째의 스폿페이스열의 정점에 위치하는 스폿페이스의 중심과 서스셉터 표면 중심부를 연결하는 선의 연장선이 직교한 배치 형태로 되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 구성이면, 동일 개수의 스폿페이스를 구비한 서스셉터 중 서스셉터의 지름을 가장 작게 할 수 있으므로, 빈 부분이 적어, 가장 효율이 좋은 배치 형태를 실현할 수 있다.
본 발명에서, 상기 최외주 스폿페이스열이, 상기 동심 정육각형 모양 스폿페이스열과 동심의 원형 배치로 되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 구성이면, 반응 가스는 서스셉터의 중심부로부터 외주부를 따라 원활하게 흐르므로, 최외주 스폿페이스열에 배치되는 각 기판의 층의 성장의 균일성이 유지되어, 품질을 향상할 수 있다.
본 발명에 따르면, 최외주부에 쓸데없는 공간을 최대한 없앨 수 있어, 가장 많은 스폿페이스를 배치한 최밀 충전 배치의 서스셉터를 실현할 수 있다. 따라서, 이러한 구성의 서스셉터를 구비한 기상 성장 장치를 이용하는 것에 의해, 1회의 처리로 보다 많은 기판의 처리가 가능해져, 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 서스셉터의 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 서스셉터의 일부 확대 평면도.
도 3은 도 2의 X－X 화살표를 따른 단면도.
도 4는 최외주 스폿페이스열의 스폿페이스 배치 형태를 설명하기 위한 도면.
도 5는 최외주 스폿페이스열 A3가 정육각형 모양 스폿페이스열 A1, A2와 동심의 원형 배치로 되어 있는 것을 나타내는 도면.
도 6은 동심 정육각형 모양 스폿페이스열 A1과 최외주 스폿페이스열 A2가 배치된 서스셉터를 나타내는 도면.
도 7은 동심 정육각형 모양 스폿페이스열 A1 ~ A3와 최외주 스폿페이스열 A4가 배치된 서스셉터를 나타내는 도면.
도 8은 동심 정육각형 모양 스폿페이스열 A1 ~ A4와 최외주 스폿페이스열A5가 배치된 서스셉터를 나타내는 도면.
도 9는 최외주 스폿페이스열 A4의 2개의 스폿페이스 M(4), M(4)가 떨어진 배치의 경우의 최외주 스폿페이스열 A4의 스폿페이스 배치 형태를 나타내는 도면.
이하, 본 발명을 실시 형태에 기초하여 상술한다. 또, 본 발명은, 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
(실시 형태 1)
이하, 본 발명을 실시 형태에 기초하여 상술한다. 또, 본 발명은, 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
에피택셜(epitaxcial) 웨이퍼의 제조에 이용되는 기상 성장 장치는, 예를 들면, 복수매의 반도체 웨이퍼를 동시에 에피택셜 성장시키는 것이 가능한 미니 배치로(mini batch爐)로 불리는 종형식(縱型式) 기상 성장 장치이다. 이 종형(縱型)의 기상 성장 장치는, 박스형 형상의 챔버, 복수매의 웨이퍼를 대략 수평하게 재치(載置)할 수 있는 서스셉터(susceptor), 원료 가스를 챔버 내로 공급하는 원료 가스 공급 수단, 캐리어(carrier) 가스를 챔버 내로 공급하는 캐리어 가스 공급 수단 및 챔버 내를 가열하는 가열 수단을 구비하고 있다. 이 장치에 설치되는 본 발명에 따른 서스셉터는 도 1에 나타내어져 있다.
도 1은 본 발명에 따른 서스셉터의 평면도이다. 서스셉터(1)는 원반(圓盤) 모양이다. 이 서스셉터(1)의 원형의 표면(2)에는, 동일 직경의 다수의 원형 모양의 스폿페이스 M이 규칙적으로 배치되어 있다. 구체적으로 설명하면, 최밀(最密) 충전 배치된 복수의 스폿페이스열(列)과, 이들 복수의 스폿페이스열의 외주부에 배치된 최외주 스폿페이스열로 구성되어 있다.
최밀 충전 배치된 복수의 스폿페이스열은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 이른바 벌집 모양 패턴으로 구성되어 있다. 즉, 서스셉터 본체(2)의 중심부에 1개의 스폿페이스 M(0)(중심부의 스폿페이스를 개별적으로 나타낼 때는 참조 부호 M(0)로 나타냄)를 배치하고, 이 중심부에 위치하는 스폿페이스 M(0)의 외주측에 N개(본 실시의 형태에서는 2개)의 동심(同心) 정육각형 모양의 스폿페이스열 A1, A2가 배치되어 있다. 스폿페이스열 A1을 구성하는 각 스폿페이스 M(1)(스폿페이스열 A1을 구성하는 스폿페이스를 개별적으로 나타낼 때는 참조 부호 M(1)으로로 나타냄)은, 서로 이웃하는 스폿페이스 M(1)과 실질적으로 점접촉하고 있다. 그 외의 스폿페이스열 A2도 스폿페이스열 A1와 동일한 구성이며, 스폿페이스열 A2를 구성하는 각 스폿페이스 M(2)(스폿페이스열 A2를 구성하는 스폿페이스를 개별적으로 나타낼 때는 참조 부호 M(2)로 나타냄)는, 서로 이웃하는 스폿페이스 M(2)와 실질적으로 점접촉하고 있다.
여기서, 본원 명세서에서「실질적으로 점접촉하고 있다」함은, 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이 스폿페이스 M끼리를 구획하는 구획부(3)에 의해 점접촉하고 있다고 볼 수 있을 정도로 떨어져 있는(예를 들면 백 분의 수 밀리미터만큼 떨어져 있는) 것을 의미한다.
또, 스폿페이스열 A1, A2 중 가장 내주측에 위치하는 제1 번째의 스폿페이스열 A1를 구성하는 각 스폿페이스 M(1)는, 중심부에 위치하는 스폿페이스 M(0)와 실질적으로 점접촉하고 있다. 게다가, 제2 번째의 스폿페이스열 A2를 구성하는 각 스폿페이스 M(2)는, 제1 번째의 스폿페이스열 A1을 구성하는 각 스폿페이스 M(1)과 실질적으로 점접촉하고 있다. 또, N(N은 2 이상의 임의의 정수)개의 동심 정육각형 모양의 스폿페이스열 A1 ~ AN이 배치되는 경우에 대해 설명하면, 제1 번째의 스폿페이스열보다 외주측의 제E(E는, 2≤E≤N의 임의의 정수) 번째의 스폿페이스열에 있어서, 해당 제E 번째의 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스는, 해당 스폿페이스열의 내주측의 제(E－1) 번째의 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스와 실질적으로 점접촉한 구성으로 되어 있다.
또, 스폿페이스열 A1, A2는 서스셉터 표면(2)의 중심점을 중심으로 한 동심 정육각형 모양이며, 이것은, 스폿페이스열 A1, A2 중 어느 것에 대해서도, 정육각형의 정점 위치에 스폿페이스 M이 배치되고, 또한, 스폿페이스열 A1의 한 변의 스폿페이스의 개수가 2개이고, 스폿페이스열 A2의 한 변의 스폿페이스의 개수가 3개인 것과 같이, 스폿페이스열 A의 한 변을 구성하는 스폿페이스의 개수가 1개 내주측의 스폿페이스열의 한 변을 구성하는 스폿페이스의 개수보다 1개만큼 많은 구성의 동심 정육각형 모양이다.
상기의 구성에 의해, 서스셉터 표면(2)의 중심부로부터 스폿페이스열 A2까지의 범위에서는, 스폿페이스의 배치 형태는 이른바 벌집 모양 패턴으로 구성되어, 최밀 충전 배치된 구조로 되어 있다.
(최외주 스폿페이스열의 배치의 형태)
최외주 스폿페이스열 A3는 이하와 같은 배치 형태로 되어 있다. 즉, 도 1에 나타내는 바와 같이, 스폿페이스열 A2의 각 정점에 위치하는 스폿페이스 M(2)가, 최외주 스폿페이스열 A3를 구성하는 2개의 스폿페이스 M(3), M(3)에 각각 실질적으로 점접촉하고 있다. 이 2개의 스폿페이스 M(3), M(3)는, 서로 실질적으로 점접촉하고 있고, 또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 2개의 스폿페이스 M(3), M(3)의 중심을 연결하는 선 L1과, 이들 2개의 스폿페이스 M(3), M(3)에 실질적으로 점접촉하는 스폿페이스열 A2의 정점에 위치하는 M(2)의 중심점과 서스셉터 표면(2)의 중심점을 연결하는 선의 연장선 L2가 직교한 배치 형태로 되어 있다.
여기서, 스폿페이스열 A2의 각 정점 B1 ~ B6 중 정점 B2에 주목하여 설명한다. 정점 B2의 좌측 정점 B1과, 정점 B2의 우측 정점 B3의 3개의 정점에 관하여, 좌측 정점 B1에 위치하는 스폿페이스 M(2)와 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열 A3의 2개의 스폿페이스 M(3) 중 좌측의 스폿페이스를 M(3)－A, 우측의 스폿페이스를 M(3)－B로 하고, 중앙 정점 B2에 위치하는 스폿페이스 M(2)와 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열 A3의 2개의 스폿페이스 M(3) 중 좌측의 스폿페이스를 M(3)－C, 우측의 스폿페이스를 M(3)－D로 하며, 우측 정점 B3에 위치하는 스폿페이스 M(2)와 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열 A3의 2개의 스폿페이스 M(3) 중 좌측의 스폿페이스를 M(3)－E, 우측의 스폿페이스를 M(3)－F로 한 경우에, 스폿페이스 M(3)－C와 스폿페이스 M(3)－B와의 사이에는, 스폿페이스열 A2의 정점 B2와 정점 B1과의 사이에 배치되는 스폿페이스의 개수(본 실시의 형태에서는 1개)와 동일한 수의 스폿페이스가 배치되어 있으며, 스폿페이스 M(3)－D와 스폿페이스 M(3)－E와의 사이에는, 스폿페이스열 A2의 정점 B2와 정점 B3와의 사이에 배치되는 스폿페이스의 개수(본 실시의 형태에서는 1개)와 동일한 수의 스폿페이스가 배치되어 있다. 그리고, 스폿페이스 M(3)－B, 스폿페이스 M(3)－B와 스폿페이스 M(3)－C 사이에 개재하는 스폿페이스 M(3)와, 스폿페이스 M(3)－C는, 각각 서로 이웃하는 스폿페이스끼리와 실질적으로 점접촉하고 있는 배치 형태로 되어 있으며, 스폿페이스 M(3)－D, 스폿페이스 M(3)－D와 스폿페이스 M(3)－E 사이에 개재하는 스폿페이스 M(3)는, 각각 서로 이웃하는 스폿페이스끼리와 실질적으로 점접촉하고 있는 배치 형태로 되어 있다.
또, 상기의 예에서는, 정점 B2에 주목하여 설명했지만, 그 외의 스폿페이스열 A2의 각 정점 B1, B2 ~ B6의 각각에 대해서도, 그 정점에 관련하는 최외주 스폿페이스열 A3의 2개의 스폿페이스 M(3)와, 서로 이웃하는 정점에 관련하는 최외주 스폿페이스열 A3의 2개의 스폿페이스 M(3)와의 사이에는, 스폿페이스열 A2의 해당 정점 사이에 배치되는 스폿페이스의 개수(본 실시의 형태에서는 1개)와 동일한 수의 스폿페이스가 배치되어 있다.
또, 정점에 관련하는 최외주 스폿페이스열 A3의 2개의 스폿페이스 M(3), M(3)와, 서로 이웃하는 정점에 관련하는 최외주 스폿페이스열 A3의 2개의 스폿페이스 M(3), M(3)와의 사이에 개재하는 스폿페이스의 개재의 형태로서는, 도 1에 나타내는 바와 같이 직선 모양이라도 좋고, 또, 도 5에 나타내는 바와 같이 원호(圓弧) 모양이라도 괜찮다. 도 5에 나타내는 바와 같은 원호 모양의 경우는, 최외주 스폿페이스열 A3는 정육각형 모양 스폿페이스열 A1, A2와 동심의 원형 배치로 되어 있다.
상기한 바와 같은 최외주 스폿페이스열의 배치 형태에 의해, 가장 많은 스폿페이스를 배치한 최밀 충전 배치의 서스셉터를 실현할 수 있다. 따라서, 이러한 구성의 서스셉터를 구비한 기상 성장 장치를 이용하는 것에 의해, 1회의 처리로 보다 많은 기판의 처리가 가능해져, 처리의 효율화를 도모할 수 있다.
특히, 도 5에 나타내는 최외주 스폿페이스열이 원형 배치로 되어 있는 경우는, 반응 가스는 서스셉터의 중심부로부터 외주부를 따라서 원활하게 흐르므로, 최외주 스폿페이스열에 배치되는 각 기판의 층의 성장의 균일성이 보다 한층 유지되어, 품질을 향상할 수 있다.
또, 상기 실시 형태에서는, 정육각형 모양 스폿페이스열 A1, A2와 최외주 스폿페이스열 A3가 배치된 구조의 서스셉터를 나타냈지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니고, 상기 실시 형태에서 나타낸 배치 형태를, 동심 정육각형 모양 스폿페이스열 A1 ~ AN과 최외주 스폿페이스열 AN＋1이 배치된 서스셉터에 널리 적용할 수 있다. 동심 정육각형 모양 스폿페이스열 A1과 최외주 스폿페이스열 A2가 배치된 서스셉터를 도 6에 나타내고, 동심 정육각형 모양 스폿페이스열 A1 ~ A3와 최외주 스폿페이스열 A4가 배치된 서스셉터를 도 7에 나타내며, 동심 정육각형 모양 스폿페이스열 A1 ~ A4와 최외주 스폿페이스열 A5가 배치된 서스셉터를 도 8에 나타낸다. 도 6 ~ 도 8 중 어느 것에서도, 가장 많은 스폿페이스를 배치한 최밀 충전 배치의 서스셉터가 실현되어 있다.
(그 외의 사항)
상기 실시 형태에서는, 스폿페이스열 A2의 각 정점에 위치하는 스폿페이스 M(2)에 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열 A3의 2개의 스폿페이스 M(3), M(3)는, 서로 실질적으로 점접촉한 배치 형태였지만, 스폿페이스 M(3)와 스폿페이스 M(3)는, 떨어진 배치 형태라도 좋다.
도 9를 참조하여 설명한다. 여기서, 도 9는 벌집 모양 패턴으로 구성되는 스폿페이스열 A1 ~ A3와 최외주 스폿페이스열 A4에 의해 배치된 서스셉터의 일부를 확대하여 나타내는 도면이다. 이 도 9에서는, 최외주 스폿페이스열 A4의 2개의 스폿페이스 M(4), M(4)는, 떨어진 배치 형태이다. 이 경우의 스폿페이스 M(4)와 스폿페이스 M(4)와의 사이에 개재하는 스폿페이스는, 일직선 모양 또는 원호 모양으로 배치되지 않고, 일부의 스폿페이스가 약간 외측 방향으로 돌출한 배치 상태가 된다. 그러나, 이러한 배치 형태라도, 최외주에 가장 많은 스폿페이스를 배치할 수 있어, 전체로서, 빈 공간이 적은 최밀 충전 배치의 서스셉터를 실현할 수 있게 된다.
여기서, 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스 M(4), 스폿페이스 M(4)를 떨어뜨린 배치 형태의 경우의 서스셉터의 반경을 R1으로 하고, 또, 2개의 스폿페이스 M(4), 스폿페이스 M(4)가 서로 실질적으로 점접촉하고 있고 또한 2개의 스폿페이스 M(4), 스폿페이스 M(4)의 중심을 연결하는 선 L1과, 이들 2개의 스폿페이스 M(4), 스폿페이스 M(4)에 실질적으로 점접촉하는 스폿페이스열 A3의 정점에 위치하는 M(3)의 중심점과 서스셉터 표면(2)의 중심점을 연결하는 선의 연장선 L2가 직교한 배치 형태로 되어 있는 경우의 서스셉터의 반경을 R2로 하면, 반경 R1는 반경 R2보다 약간 크게 된다. 따라서, 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스 M(4), 스폿페이스 M(4)를 떨어뜨린 배치 형태의 경우는, 2개의 스폿페이스 M(4), 스폿페이스 M(4)가 상호 실질적으로 점접촉하고 있는 배치 형태에 비해, 빈 부분은 많게 된다. 반대로 말하면, 2개의 스폿페이스 M(4), 스폿페이스 M(4)가 상호 실질적으로 점접촉하고 있는 배치 형태가 가장 서스셉터의 지름을 작게 할 수 있어, 빈 부분을 줄일 수 있으므로, 가장 효율이 좋은 배치 형태이다.
또, 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스 M(4), M(4)를 떨어뜨린 배치 형태의 경우에, 2개의 스폿페이스 M(4), M(4)에 실질적으로 점접촉하는 스폿페이스열 A2의 정점에 위치하는 스폿페이스 M(3)의 중심점과 서스셉터 표면(2)의 중심점을 연결하는 선의 연장선 L2에 관해서, 선대칭이 되는 배치라도 좋고, 또, 비대칭이 되는 배치, 즉, 좌측의 스폿페이스 M(4)와 연장선 L2와의 간격이, 우측의 스폿페이스 M(4)와 연장선 L2와의 간격과 다른 배치 형태라도 괜찮다. 이러한 배치 형태의 경우, 스폿페이스 M(4)와 스폿페이스 M(4)와의 사이에 개재하는 스폿페이스는, 일직선 모양 또는 원호 모양으로 배치되지 않고, 일부의 스폿페이스가 약간 외측 방향으로 돌출한 배치 상태가 되지만, 이러한 배치 형태라도, 최외주에 가장 많은 스폿페이스를 배치할 수 있어, 전체로서, 빈 공간이 적은 최밀 충전 배치의 서스셉터를 실현할 수 있게 되는 점에서 변함은 없다.
(산업상의 이용 가능성)
본 발명은, 반도체 장치의 제조 등에 이용되는 기상 성장용 서스셉터 등에 적용된다.
1： 서스셉터 2： 서스셉터 표면
3：구획부 A1 ~ A5：스폿페이스열
M：스폿페이스
M(0)：중심부에 위치하는 스폿페이스
M(1)：스폿페이스열 A1를 구성하는 스폿페이스
M(2)：스폿페이스열 A2를 구성하는 스폿페이스
M(3)：스폿페이스열 A3를 구성하는 스폿페이스
M(4)：스폿페이스열 A4를 구성하는 스폿페이스
M(5)：스폿페이스열 A5를 구성하는 스폿페이스

Claims (3)

  1. 원형의 표면에 동일 직경의 다수의 원형 모양의 스폿페이스(spotface)를 배치함과 아울러, 이들 다수의 스폿페이스는, 최밀(最密) 충전 배치된 복수의 스폿페이스열(列)과, 이들 복수의 스폿페이스열의 외주부에 배치된 최외주 스폿페이스열로 구성되어 있는 서스셉터(susceptor)로서,
    상기 최밀 충전 배치는, 원형 표면의 중심부에 1개의 스폿페이스를 배치하고, 이 중심부에 위치하는 스폿페이스의 외주측에 N(N는 1 이상의 임의의 정수) 개의 동심(同心) 정육각형 모양의 스폿페이스열이 배치되어 있으며, 각 스폿페이스열에 있어서, 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스는 서로 이웃하는 스폿페이스와 실질적으로 점접촉하고 있고, 또한, 이들 N개의 스폿페이스열 중 가장 내주측에 위치하는 제1 번째의 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스는 상기 중심부에 위치하는 스폿페이스와 실질적으로 점접촉하고 있으며, 게다가, 동심 정육각형 모양의 스폿페이스열의 개수 N이 2 이상인 경우에는, 이들 복수의 스폿페이스열 중 상기 제1 번째의 스폿페이스열보다 외주측의 제E(E는, 2≤E≤N인 임의의 정수) 번째의 스폿페이스열에 있어서는, 해당 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스는, 해당 스폿페이스열의 내주측의 제(E－1) 번째의 스폿페이스열을 구성하는 각 스폿페이스와 실질적으로 점접촉한 구성이 되며,
    상기 최외주 스폿페이스열은, 상기 최밀 충전 배치를 구성하는 N개의 스폿페이스열 중 제N 번째의 스폿페이스열의 각 정점(頂点) 위치에 있는 스폿페이스가, 최외주 스폿페이스열을 구성하는 2개의 스폿페이스에 각각 실질적으로 점접촉하고 있고, 또한, 제N 번째의 스폿페이스열이 서로 이웃하는 정점 위치 중 일방의 정점 위치에 관련하는 상기 2개의 스폿페이스와, 타방의 정점 위치에 관련하는 상기 2개의 스폿페이스와의 사이에는, 상기 제N 번째의 스폿페이스열의 각 정점 사이에 배치되는 스폿페이스의 개수와 동일한 수의 스폿페이스가 개재 배치되어 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 서스셉터.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제N 번째의 스폿페이스열의 각 정점 위치에 있는 스폿페이스에 실질적으로 점접촉하는 최외주 스폿페이스열의 2개의 스폿페이스는, 서로 실질적으로 점접촉하고 있고, 또한, 해당 2개의 스폿페이스의 중심을 연결하는 선과, 이들 2개의 스폿페이스에 실질적으로 점접촉하는 상기 제N 번째의 스폿페이스열의 정점 위치에 있는 스폿페이스의 중심과 서스셉터 표면 중심부를 연결하는 선의 연장선이, 직교한 배치 형태로 되어 있는 서스셉터.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 최외주 스폿페이스열이, 상기 동심 정육각형 모양 스폿페이스열과 동심의 원형 배치로 되어 있는 서스셉터.
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