KR101487411B1 - 라이너 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기 - Google Patents

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KR101487411B1
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groove
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김인겸
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주식회사 엘지실트론
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    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases

Abstract

실시 예는 외부 측면의 일 측 상단에 원료 가스가 유입되는 제1 단차부를 갖는 몸체, 및 상기 제1 단차부에 서로 이격하여 배치되는 라이너 격벽들을 포함하며, 상기 제1 단차부는 상기 몸체의 외부 측면과 단차를 가지며, 상기 몸체의 상부면과 접하는 제1면, 및 상기 몸체의 외부 측면과 상기 제1면 사이에 위치하는 제2면을 포함하며, 상기 라이너 격벽들 중 적어도 하나는 경사 각도를 달리하여 상기 제1 단차부의 제1면과 제2면에 체결되며, 상기 경사 각도는 상기 라이너 격벽이 기준선과 이루는 각도이고, 상기 기준선은 상기 제1 단차부의 제2면과 상기 몸체의 외부 측면이 만나는 제1 경계선에 수직한 선이다.

Description

라이너 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기{A LINER AND AN EPITAXIAL REACTOR}
실시 예는 라이너 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기에 관한 것이다.
에피텍셜 반응기는 배치식(batch type) 및 매엽식이 있으며, 직경이 200mm이상의 에피텍셜 웨이퍼 제조에 있어서는 매엽식이 주로 사용되고 있다.
매엽식 에피텍셜 반응기는 반응 용기 내의 서셉터에 1장의 웨이퍼를 안착한 후에 반응 용기의 일 측으로부터 타측으로 원료 가스를 수평 방향으로 흐르도록 하여 웨이퍼 표면에 원료 가스를 공급하고, 웨이퍼 표면에 에피층을 성장시킨다.
매엽식 에피텍셜 반응기에 있어서, 웨이퍼 상에 성장하는 막의 두께의 균일화와 관련된 중요 인자는 반응 용기 내에서의 원료 가스의 유량 또는 유량 분포일 수 있다.
에피텍셜 반응기는 반응 용기 내로 원료 가스를 제공하는 가스 공급부를 포함할 수 있으며, 가스 공급부에 의하여 공급되는 원료 가스의 유량 및 유량 분포에 의하여 반응 용기 내에서의 원료 가스의 유량 또는 유량 분포가 좌우될 수 있다.
일반적으로 가스 공급부는 웨이퍼의 표면을 원료 가스가 균일하게 흐를 수 있도록 원료 가스를 반응 용기에 공급하기 위하여 다수의 구멍들이 형성된 배플(baffle)을 포함할 수 있다.
특허공개공보, 공개번호 10-2007-0026356 (2007년 3월 8일)
실시 예는 원료 가스의 흐름을 제어할 수 있고, 웨이퍼에 성장되는 에피층의 두께를 균일하게 할 수 있는 라이너 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기를 제공한다.
실시 예에 따른 에피텍셜 반응기의 라이너는 외부 측면의 일 측 상단에 원료 가스가 유입되는 제1 단차부를 갖는 몸체; 및 상기 제1 단차부에 서로 이격하여 배치되는 라이너 격벽들을 포함하며, 상기 제1 단차부는 상기 몸체의 외부 측면과 단차를 가지며, 상기 몸체의 상부면과 접하는 제1면; 및 상기 몸체의 외부 측면과 상기 제1면 사이에 위치하는 제2면을 포함하며, 상기 라이너 격벽들 중 적어도 하나는 경사 각도를 달리하여 상기 제1 단차부의 제1면과 제2면에 체결되며, 상기 경사 각도는 상기 라이너 격벽이 기준선과 이루는 각도이고, 상기 기준선은 상기 제1 단차부의 제2면과 상기 몸체의 외부 측면이 만나는 제1 경계선에 수직한 선이다.
상기 제1 단차부의 제1면과 제2면에는 상기 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들이 형성되고, 상기 라이너 격벽들은 상기 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들 중 어느 하나에 체결될 수 있다.
상기 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들은 상기 라이너 격벽들 각각에 대응하는 복수의 그룹들로 구분될 수 있고, 상기 복수의 그룹들 각각은 상기 기준선과 평행한 제1 홈; 및 상기 제1 홈의 일 측에 위치하고, 상기 기준선과 제1 경사각을 갖는 제2 홈을 포함할 수 있으며, 상기 라이너 격벽들 각각은 상기 복수의 그룹들 중 대응하는 어느 하나에 포함되는 상기 제1 홈 또는 제2 홈에 체결될 수 있다.
상기 복수의 그룹들 각각은 상기 제1 홈의 타 측에 위치하고, 상기 기준선과 제2 경사각을 갖는 제3 홈을 더 포함할 수 있으며, 상기 라이너 격벽들 각각은 상기 복수의 그룹들 중 대응하는 어느 하나에 포함되는 상기 제1 홈, 제2 홈, 또는 제3 홈에 체결될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 홈들 각각은 상기 제1 단차부의 제1면에 형성되는 제1 부분; 및 상기 제1 단차부의 제2면에 형성되는 제2 부분을 포함할 수 있으며, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 서로 접할 수 있다.
상기 기준선은 제2 경계선과 수직하며, 상기 제2 경계선은 상기 제1 단차부의 제1면과 상기 몸체의 상부면이 만나는 경계선일 수 있다.
상기 제1 홈의 일단, 상기 제2 홈의 일단, 및 상기 제3 홈의 일단은 상기 제1 경계선에서 서로 접할 수 있고, 상기 제1 홈의 타단, 상기 제2 홈의 타단, 및 상기 제3 홈의 타단은 상기 제2 경계선에서 서로 이격할 수 있다.
상기 라이너 격벽들 각각은 대응하는 그룹에 포함되는 제1홈, 제2홈, 또는 제3홈에 착탈 가능할 수 있다.
상기 제1 단차부의 제1면 및 제2면 각각에는 복수의 홈들이 형성될 수 있고, 상기 복수의 홈들은 복수의 그룹들로 구분될 수 있고, 상기 복수의 그룹들 각각은 상기 기준선과 평행하도록 상기 제1 단차부의 제1면과 제2면에 배열되는 제1 홈들; 및 상기 제1 홈들의 일 측에 위치하고, 상기 기준선을 기준으로 제1 경사각만큼 기울어지도록 배열되는 제2 홈들을 포함할 수 있으며, 상기 라이너 격벽들 각각은 상기 복수의 그룹들 중 대응하는 어느 하나에 포함되는 상기 제1 홈들, 또는 상기 제2 홈들에 체결될 수 있다.
상기 복수의 그룹들 각각은 상기 제1홈들의 타 측에 위치하고, 상기 기준선을 기준으로 제2 경사각만큼 기울어지도록 배열되는 제3 홈들을 더 포함할 수 있으며, 상기 라이너 격벽들 각각은 상기 복수의 그룹들 중 대응하는 어느 하나에 포함되는 상기 제1 홈들, 상기 제2 홈들, 또는 상기 제3 홈들에 체결될 수 있다.
상기 라이너 격벽들 각각은 상기 제1 홈들, 상기 제2 홈들, 또는 상기 제3홈들과 결합하는 돌기들을 가질 수 있다.
상기 몸체는 외부 측면의 타 측 상단에 원료 가스가 유출되는 제2 단차부를 가질 수 있다.
실시 예에 따른 에피텍셜 반응기는 웨이퍼를 안착시키는 서셉터; 내주면이 상기 서셉터를 둘러싸는 하부 라이너; 및 상기 하부 라이너에 대향하도록 상기 하부 라이너 상에 배치되는 상부 라이너를 포함하며, 상기 하부 라이너는 외부 측면의 일 측 상단에 원료 가스가 유입되는 제1 단차부를 갖는 몸체; 및 상기 제1 단차부에 서로 이격하여 배치되는 라이너 격벽들을 포함하며, 상기 제1 단차부는 상기 몸체의 외부 측면과 단차를 가지며, 상기 몸체의 상부면과 접하는 제1면; 및 상기 몸체의 외부 측면과 상기 제1면 사이에 위치하는 제2면을 포함하며, 상기 라이너 격벽들 중 적어도 하나는 경사 각도를 달리하여 상기 제1 단차부의 제1면과 제2면에 체결되며, 상기 경사 각도는 상기 라이너 격벽이 기준선과 이루는 각도이고, 상기 기준선은 상기 제1 단차부의 제2면과 상기 몸체의 외부 측면이 만나는 제1 경계선에 수직한 선이다.
실시 예는 반응실 내로 유입되는 원료 가스의 흐름을 제어할 수 있고, 웨이퍼에 성장되는 에피층의 두께를 균일하게 할 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 에피텍셜 반응기의 단면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 에피텍셜 반응기의 평면도를 나타낸다.
도 3은 실시 예에 따른 하부 라이너의 사시도를 나타낸다.
도 4는 도 3에 도시된 점선 부분의 확대도를 나타낸다.
도 5는 도 3에 도시된 라이너 격벽의 확대도를 나타낸다.
도 6은 도 3에 도시된 하부 라이너의 평면도를 나타낸다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 하부 라이너의 사시도를 나타낸다.
도 8은 도 7에 도시된 하부 라이너의 점선 부분의 확대도를 나타낸다.
도 9는 다른 실시 예에 따른 라이너 격벽의 사시도를 나타낸다.
도 10은 도 8에 도시된 한 쌍의 제1홈들 내지 한 쌍의 제3홈들의 확대도를 나타낸다.
도 11은 웨이퍼의 각 영역에 따른 에피층의 두께 프로파일을 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 라이너 및 이를 포함하는 에피텍셜 반응기를 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 에피텍셜 반응기(100)의 단면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 에피텍셜 반응기(100)의 평면도를 나타낸다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 에피텍셜 반응기(100)는 반도체 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 매엽식(single wafer processing type)일 수 있으며, 하부 돔(lower dome, 103)과 상부 돔(upper dome, 104)으로 이루어지는 반응실(105), 서셉터(120), 서셉터 지지부(125), 하부 링(130), 상부 링(135), 하부 라이너(lower Liner, 140), 상부 라이너(upper liner, 145), 예열링(pre-heating ring, 150), 가스 공급부(160), 및 가스 배출부(170)를 포함할 수 있다.
하부 돔(103)과 상부 돔(104)은 상하 방향으로 서로 마주보고 위치할 수 있고, 석영 유리와 같이 투명한 재질로 이루어질 수 있다. 하부 돔(103)과 상부 돔(104) 사이의 공간은 에피텍셜 반응이 일어나는 반응실(105)을 형성할 수 있으며, 반응실(105)은 원료 가스가 유입하는 가스 도입구(106)를 일 측에 가질 수 있고, 원료 가스가 배출되는 가스 유출구(107)를 타 측에 가질 수 있다.
서셉터(120)는 평탄한 원판 형상의 지지판 형상일 수 있으며, 반응실(105) 내부에 배치될 수 있고, 그 상부 면에 웨이퍼(W)를 안착시킬 수 있다. 서셉터(120)는 카본 그래파이트(carbon graphite) 또는 카본 그래파이트에 탄화규소가 코팅된 형태로 이루어질 수 있다.
서셉터 지지부(125)는 서셉터(120) 아래에 배치될 수 있고, 서셉터(120)를 지지할 수 있고, 반응실(105) 내에서 서셉터(120)를 상하로 이동시킬 수 있다. 서셉터 지지부(125)는 서셉터(120)의 하면을 지지하는 삼발이 형태의 샤프트를 포함할 수 있다.
하부 라이너(140)는 내주면이 서셉터(120)를 둘러싸도록 배치될 수 있고, 외주면의 상단 일 측에는 반응실(105)로 가스가 유입되는 제1 단차부(142)가 형성될 수 있으며, 외주면의 상단 타 측에는 반응실(105)의 가스가 유출되는 제2 단차부(144)가 형성될 수 있다. 하부 라이너(140)의 외주면의 상부면은 서셉터(120)의 상면 또는 웨이퍼(W)의 상면과 동일 평면에 위치할 수 있다.
상부 라이너(145)는 하부 라이너(140)과 대향하도록 하부 라이너(140) 상에 배치될 수 있다. 상부 라이너(145)는 하부 라이너(140)의 제1 단차부(142)와 대응하는 제3 단차부를 가질 수 있고, 하부 라이너(140)의 제2 단차부(144)와 대응하는 제4 단차부를 가질 수 있다.
가스 도입구(106)로부터 유출되는 원료 가스는 하부 라이너(140)의 제1 단차부(142)와 상부 라이너(145)의 제3 단차부 사이를 흘러서 반응실(105) 내로 유입될 수 있다. 또한 반응실(105) 내의 원료 가스는 하부 라이너(140)의 제2 단차부(144)와 상부 라이너(145)의 제4 단차부 사이를 흘러서 가스 유출구(107)로 빠져 나갈 수 있다. 하부 라이너(140)과 상부 라이너(145)의 재료는 석영(SiO2) 또는 탄화규소(SiC)일 수 있다.
하부 링(130)은 하부 라이너(140)를 둘러싸도록 배치될 수 있으며, 링 형상일 수 있다. 하부 돔(103)의 외주부의 일단(11)은 하부 링(130)에 밀착되어 고정될 수 있다.
상부 링(135)은 하부 링(130) 상부에 위치할 수 있으며, 링 형상일 수 있다. 상부 돔(104)의 외주부의 일단(12)은 상부 링(135)에 밀착되어 고정될 수 있다. 하부 링(130)과 상부 링(135)은 석영(SiO2) 또는 탄화규소(SiC)로 이루어질 수 있다.
예열링(150)은 서셉터(120)의 상면 또는 웨이퍼의 상면과 동일 평면에 위치하도록 서셉터(120)에 인접하는 하부 라이너(140)의 내주면을 따라 배치될 수 있다.
가스 공급부(160)는 외부로부터 반응실(105) 내로 원료 가스를 공급한다. 즉 가스 공급부(160)는 반응실(105)의 가스 도입구(106)로 원료 가스를 공급할 수 있다.
가스 공급부(160)는 가스 발생부(310), 복수의 가스관들(예컨대, 320a, 320b,330c), 가스량 조절부(330a, 330b), 및 가스 유동 제어부(205, 도 2 참조)를 포함할 수 있다. 가스 유동 제어부(205)는 반응실(105)로 공급되는 원료 가스의 유동 또는 흐름을 제어할 수 있다. 가스 유동 제어부(205)는 인젝트 캡(inject cap, 210), 배플(baffle, 220), 및 인서트(insert, 240)를 포함할 수 있다.
가스 발생부(310)는 원료 가스를 발생할 수 있다. 예컨대, 원료 가스는 SiHCl3, SiCl4, SiH2Cl2, SiH4, Si2H6 등과 같은 실리콘 화합물 가스, B2H6, PH3 등과 같은 도펀트 가스, 또는 H2, N2, Ar 등과 같은 캐리어 가스 등을 포함할 수 있다.
가스 발생부(310)로부터 발생하는 원료 가스는 복수의 가스관들(예컨대, 320a,320b,330c)를 통하여 가스 유동 제어부(210)에 공급될 수 있다.
가스량 조절부(330a, 330b)는 복수의 가스관들(예컨대, 320a,320b,330c) 중 적어도 하나에 공급되거나 또는 흐르는 가스의 량을 조절할 수 있으며, 웨이퍼(W)의 중앙 영역(S1) 및 가장 자리 영역(S2,S3) 각각에 공급되는 원료 가스의 흐름을 독립적으로 제어할 수 있다. 가스량 조절부(330a, 330b)는 예컨대, 질량유량계(Mass Flow Controller)로 구현할 수 있다.
복수의 가스관들(예컨대, 320a, 320b,330c)은 가스 발생부(310)에 의해 발생되는 원료 가스를 인젝트 캡(210)의 복수의 부분들(210-1,210-2,210-3)에 개별적으로 공급할 수 있다. 이때 복수의 가스관들의 수 및 복수의 부분들의 수는 도 2에 한정되는 것은 아니며, 2개 이상일 수 있다.
복수의 가스관들(예컨대, 320a, 320b,330c) 중 적어도 하나(예컨대, 320a, 320b)는 2 이상의 가스관들로 분기할 수 있으며, 분기한 가스관들 및 분기하지 않은 가스관은 원료 가스를 인젝트 캡(210)에 공급할 수 있다.
예컨대, 제1 가스관(320a)은 웨이퍼의 중앙 영역(S1) 및 가장 자리 영역(S2,S3) 각각에 원료 가스(또는 반응 가스)를 개별적으로 공급하기 위하여 제2 가스관(320b) 및 제3 가스관(320c)로 분기할 수 있다. 또한 제2 가스관(320b)은 웨이퍼의 양측 가장 자리 영역들(S2,S3) 각각에 원료 가스를 개별적으로 공급하기 위하여 2개의 가스관들로 분기하여 인젝트 캡(210)에 원료 가스를 공급할 수 있다.
복수의 가스관들(예컨대, 320a, 320b,330c)과 하부 라이너(140) 사이에 인젝트 캡(210), 배플(220), 및 인서트(240)가 순차적으로 배치될 수 있다. 가스관들(예컨대, 320-1,320-2,320-c)로부터 공급되는 원료 가스는 인젝트 캡(210), 배플(220), 및 인서트(240)를 순차적으로 통과하여 흐를 수 있다.
인젝트 캡(210)의 일면에는 가스관들(예컨대, 320-1,320-2,320c)로부터 원료 가스가 유입되는 가스 유입구들(340a,340b,340c)이 마련될 수 있고, 인젝트 캡(210)의 다른 일면에는 유입된 원료 가스를 내보내는 가스 유출구들(예컨대, 350a,350b,350c)이 마련될 수 있다.
인젝트 캡(210)은 서로 격리되는 2개 이상의 부분들(예컨대, 210-1,210-2,210-3)로 구분될 수 있으며, 2개 이상의 부분들(예컨대, 210-1,210-2,210-3)에는 가스 유출구(예컨대, 350a,350b,350c)가 마련될 수 있다.
도 1 및 도 2에서는 인젝트 캡(210)이 서로 격리되는 3개의 부분들(210-1,210-2,210-3)로 구분되지만, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 제1 부분(210-1)은 웨이퍼(W)의 중앙 영역(S1)에 대응 또는 정렬되도록 중앙에 위치할 수 있다. 제2 부분(210-2)은 웨이퍼(W)의 중앙 영역(S1)의 일 측에 위치하는 제1 가장 자리 영역(S2)에 대응 또는 정렬되도록 제1 부분(210-1)의 일 측에 위치할 수 있다. 제3 부분(210-3)은 웨이퍼(W)의 중앙 영역(S1)의 타 측에 위치하는 제2 가장 자리 영역(S3)에 대응 또는 정렬되도록 제1 부분(210-1)의 타 측에 위치할 수 있다.
제1 부분(210-1)은 제3 가스관(320c)으로부터 원료 가스가 유입되는 가스 유입구(340b), 및 유입된 가스를 배출하는 가스 유출구(350a)를 가질 수 있다.
제2 부분(210-2)은 제1 가스관(320-1)으로부터 원료 가스가 유입되는 가스 유입구(340a), 및 유입된 가스를 배출하는 가스 유출구(350b)를 가질 수 있다.
제3 부분(210-3)은 제2 가스관(320-2)으로부터 원료 가스가 유입되는 가스 유입구(340c), 및 유입된 가스를 배출하는 가스 유출구(350c)를 가질 수 있다.
배플(220)은 인서트 캡(210)과 인서트(240) 사이에 위치할 수 있고, 원료 가스가 통과하는 복수의 관통 홀들을 가질 수 있다. 배플(220)의 관통 홀들은 가스 유출구들(350a 내지 350c) 각각에 대응 또는 정렬하도록 배치될 수 있다.
인서트(240)는 하부 링(130)과 상부 링(135) 사이에 삽입되도록 배치될 수 있고, 가스를 통과시킬 수 있는 복수의 구획들(sections, K1 내지 Kn, n>1인 자연수)을 포함할 수 있으며, 복수의 구획들(K1 내지 Kn, n>1인 자연수)은 서로 격리될 수 있다.
예컨대, 인접하는 2개의 구획들 사이에는 격벽(B1 내지 Bm, m>1인 자연수)이 마련될 수 있고, 격벽(B1 내지 Bm, m>1인 자연수)에 의하여 구획들(k1 내지 kn, n>1인 자연수) 각각은 독립적이고, 서로 격리될 수 있다.
배플(220)에 마련되는 관통 홀들은 복수의 구획들(k1 내지 kn, n>1인 자연수)에 대응 또는 정렬될 수 있으며, 격벽에는 대응 또는 정렬되지 않는다.
도 3은 실시 예에 따른 하부 라이너(140)의 사시도를 나타내고, 도 4는 도 3에 도시된 점선 부분(101)의 확대도를 나타내고, 도 5는 도 3에 도시된 라이너 격벽(620-1)의 확대도를 나타내며, 도 6은 도 3에 도시된 하부 라이너(140)의 평면도를 나타낸다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 하부 라이너(140)는 제1 단차부(142)와 제2 단차부(144)를 갖는 몸체(610), 및 착탈 가능하도록 제1 단차부(142) 내에 서로 이격하여 체결되는 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다.
몸체(610)는 원통형 또는 링(ring) 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 몸체(610)의 외부 측면(510)의 일 측 상단에는 제1 단차부(142)가 형성될 수 있고, 몸체(610)의 외부 측면(510)의 타 측 상단에는 제2 단차부(144)가 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 단차부(142)와 제2 단차부(144)는 서로 마주볼 수 있다.
제1 단차부(142)는 몸체(610)의 외부 측면(510)과 단차(D1)를 가지며 몸체(610)의 상부면(520)과 접하는 제1면(522), 및 몸체(610)의 외부 측면(510)과 제1면(522) 사이에 위치하는 제2면(524)을 포함할 수 있다.
예컨대, 제1 단차부(142)의 제1면(522)과 몸체(610)의 상부면(520)이 이루는 각도는 직각일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 제1 단차부(142)의 제1면(522)과 제1 단차부(142)의 제2면(524)이 이루는 각도는 직각일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 예컨대, 제1 단차부(142)의 제2면(524)은 몸체(610)의 상부면(520)과 평행할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)은 서로 이격하도록 제1 단차부(142)에 체결될 수 있고, 체결된 라이너 격벽들 중 적어도 하나는 제1 단차부(142)의 기준선 또는 기준면(도 4의 701)과 이루는 각도가 다를 수 있다. 여기서 기준선 또는 기준면은 제1 단차부(142)와 수직인 면 또는 선을 의미할 수 있다.
예컨대, 체결된 라이너 격벽들 중 어느 하나는 제1 단차부(142)의 기준선(701)과 평행할 수 있으며, 체결된 라이너 격벽들 중 다른 어느 하나는 제1 단차부(142)의 기준선(701)과 제1 경사각(θ1)을 이룰 수 있고, 체결된 라이너 격벽들 중 또 다른 하나는 제1 단차부(142)의 기준선(701)과 제2 경사각(θ2)을 이룰 수 있다.
예컨대, 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수) 중 적어도 하나는 경사 각도를 달리하여 제1 단차부(142)에 체결될 수 있다.
여기서 경사 각도는 라이너 격벽(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)이 기준선(701)과 이루는 각도를 나타낼 수 있다.
예컨대, 기준선(701)은 제1 경계선(104)에 수직인 선일 수 있다. 또는 기준선(701)은 제1 경계선(104), 및 제2 경계선(103)에 수직인 선일 수 있다.
제1 경계선(104)은 제1 단차부(142)의 제2면(524)과 몸체(610)의 외부 측면(510)이 만나는 경계선일 수 있고, 제2 경계선(103)은 제1 단차부(142)의 제1면(522)과 몸체(610)의 상부면(520)이 만나는 경계선일 수 있다.
제1 단차부(142)의 제1면(522) 및 제2면(524)에는 기준선(701)을 기준으로 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들(542-1 내지 542-n, 544-1 내지 544-n, 546-1 내지 546-n, n>1인 자연수)이 형성될 수 있다. 여기서 경사 각도는 기준선(701)과 홈이 이루는 각도일 수 있다.
복수의 홈들(542-1 내지 542-n, 544-1 내지 544-n, 546-1 내지 546-n, n>1인 자연수) 중 적어도 하나에는 적어도 하나의 라이너 격벽(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)이 체결될 수 있다.
라이너 격벽(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)은 복수의 홈들(542-1 내지 542-n, 544-1 내지 544-n, 546-1 내지 546-n, n>1인 자연수)에 탈착 가능하다.
복수의 홈들(542-1 내지 542-n, 544-1 내지 544-n, 546-1 내지 546-n, n>1인 자연수) 각각은 제1 단차부(142)의 제1면(522)과 제2면(524)에 걸쳐 형성될 수 있다.
예컨대, 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들(예컨대, 542-1, 544-1, 546-1, 도 4 참조) 각각은 제1 단차부(142)의 제1면(522)에 형성되는 제1 부분(201), 및 제1 단차부(142)의 제2면(524)에 형성되는 제2 부분(202)으로 구분될 수 있으며, 제1 부분(201)과 제2 부분(202)은 서로 접할 수 있다.
예컨대, 제1 단차부(142)에는 기준선(701)과 평행한 적어도 하나의 제1홈(예컨대, 542-n)이 형성될 수 있다.
예컨대, 제1홈(예컨대, 542-n)의 개수는 복수 개일 수 있으며, 복수의 제1 홈들(542-1 내지 542-n, n>1인 자연수)은 서로 이격하여 배치될 수 있다. 복수의 제1 홈들(542-1 내지 542-n, n>1인 자연수) 각각은 기준선(701)과 평행하거나, 또는 제1 경계선(104)과 제2 경계선(103)에 대하여 수직일 수 있다.
예컨대, 복수의 제1홈들(542-1 내지 542-n, n>1인 자연수) 각각은 인서트(240)의 격벽들(B1 내지 Bm, m>1인 자연수) 중 어느 하나와 대응 또는 정렬될 수 있다.
제1홈(예컨대, 542-n)을 기준으로 제1 경사각(θ1)만큼 기울어진 제2 홈(예컨대, 544-n)이 제1홈(예컨대, 542-n)의 일 측의 제1 단차부(142)에 형성될 수 있다. 도 4에는 제1홈(예컨대, 542-n)의 일 측에는 하나의 제2 홈(예컨대, 544-n)만을 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 제1 홈의 일 측에 복수의 제2홈들이 형성될 수 있고, 복수의 제2홈들은 기준선을 기준으로 서로 다른 경사각을 가질 수 있다.
제1 홈(예컨대, 542-n)을 기준으로 제2 경사각(θ2)만큼 기울어진 제3 홈(예컨대, 546-n)이 제1홈(예컨대, 542-n)의 타 측의 제1 단차부(142)에 형성될 수 있다. 도 4에는 제1홈(예컨대, 542-n)의 타 측에 하나의 제3 홈(예컨대, 546-n)만을 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 제1 홈의 타 측에 복수의 제3 홈들이 형성될 수 있고, 복수의 제3홈들은 기준선을 기준으로 서로 다른 경사각을 가질 수 있다.
도 6에 도시된 제1 경사각(θ1) 및 제2 경사각(θ2)은 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 제1 경사각(θ1) 및 제2 경사각(θ2)은 서로 다를 수 있다.
제1홈(예컨대, 542-n)의 일단, 제2홈(예컨대, 544-n)의 일단, 및 제3홈(546-n)의 일단은 제1 경계선(104)에서 서로 접할 수 있고, 제1홈(예컨대, 542-n)의 나머지 다른 일단, 제2홈(예컨대, 544-n)의 나머지 다른 일단, 및 제3홈(546-n)의 나머지 다른 일단은 제2 경계선(103)에서 서로 이격할 수 있다.
도 6에는 제1홈(542-n)의 일 측에 제2홈(544-n)이 위치하고, 제1홈(542-n)의 타 측에 제3 홈(546-n)이 위치하는 것을 도시하였지만, 다른 실시 예에서는 제2홈(544-n) 및 제3홈(546-n) 중 적어도 하나가 생략될 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 복수의 제1홈들(542-1 내지 542-n,n>1인 자연수), 제2홈들(544-1 내지 544-n, n>1인 자연수), 및 제3홈들(546-1 내지 546-n, n>1인 자연수)은 복수의 그룹들(G1 내지 Gn, n>1인 자연수, 도 6 참조)로 구분될 수 있으며, 서로 인접하는 제1홈(예컨대, 542-n), 제2홈(예컨대, 544-n), 및 제3홈(예컨대, 546-n)은 하나의 그룹(예컨대, Gn)을 이룰 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들(542-1 내지 542-n, 544-1 내지 544-n, 546-1 내지 546-n, n>1인 자연수)은 복수의 그룹들(G1 내지 Gn)로 그룹화될 수 있고, 복수의 그룹들(G1 내지 Gn) 각각은 제1 홈(542-n), 제2 홈(544-n), 및 제3 홈(546-n)을 포함할 수 있다.
그룹들(G1 내지 Gn) 각각에 속하는 제1 내지 제3 홈들(542-n, 544-n, 546-n) 각각은 제1 단차부(142)의 제1면(522)과 제2면(524)에 걸쳐 형성될 수 있다.
예컨대, 제1 내지 제3 홈들(예컨대, 542-n, 544-n, 546-n, 도 4 참조) 각각은 제1 단차부(142)의 제1면(522)에 형성되는 제1 부분(201), 및 제1 단차부(142)의 제2면(524)에 형성되는 제2 부분(202)으로 구분될 수 있으며, 제1 부분(201)과 제2 부분(202)은 서로 접할 수 있다.
라이너 격벽(예컨대, 620-n)은 복수의 홈들(542-1 내지 542-n, 544-1 내지 544-n, 546-1 내지 546-n, n>1인 자연수) 중 어느 하나에 장착 또는 체결될 수 있다. 도 5에 도시된 라이너 격벽(예컨대, 620-n)은 폭이 다른 일 부분을 갖는 형상이지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 원료 가스를 분리할 수 있는 다양한 형상으로 구현 가능하다.
라이너 격벽의 수는 복수 개일 수 있고, 복수의 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)은 각 그룹(Gn)에 속하는 제1 내지 제3홈들(542-n, 544-n, 546-n) 중 어느 하나에 장착 또는 체결될 수 있다.
예컨대, 복수의 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수) 중 어느 하나(예컨대, 620-n)는 복수의 그룹들(G1 내지 Gn, n>1인 자연수) 중 어느 하나(예컨대, Gn)에 속하는 제1 내지 제3 홈들(예컨대, 542-n, 544-n, 546-n) 중 어느 하나의 제1 부분(201)과 제2 부분(202)에 장착 또는 체결될 수 있다.
예컨대, 라이너 격벽(620-n)의 일단(612)은 제1 내지 제3 홈들(542-n, 544-n, 546-n) 중 어느 하나의 제1 부분(201)에 삽입될 수 있고, 라이너 격벽(620-n) 의 다른 일단(614)은 제1 내지 제3 홈들(542-n, 544-n, 546-n) 중 어느 하나의 제2 부분(202)에 삽입될 수 있다.
인서트(240)의 복수의 구획들(K1 내지 Kn, n>1인 자연수)을 통과한 원료 가스는 하부 라이너(140)의 제1 단차부(142)의 표면을 따라 흐를 수 있다. 그리고 제 1 단차부(142)의 표면을 흐르는 원료 가스는 그룹들(G1 내지 Gn) 각각의 제1 내지 제3 홈들(542-n, 544-n, 546-n) 중 어느 하나에 장착된 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)에 의하여 분리 또는 구분될 수 있다.
하부 라이너(140)의 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)에 의하여 분리 또는 구분되는 원료 가스는 제1 단차부(142)의 표면을 통과하여 반응실(105) 내로 유입될 수 있고, 유입된 원료 가스는 웨이퍼(W)의 표면을 따라 흐를 수 있다. 웨이퍼(W)의 표면을 통과한 원료 가스는 라이너(130)의 제2 단차부(144)를 통과하여 가스 배출부(170)로 흐를 수 있다.
실시 예는 라이너 격벽(예컨대, 620-n)이 기준선(701)에 대한 경사 각도가 서로 다른 제1 내지 제3 홈들(예컨대, 542-n,544-n,546-n) 중 어느 하나에 탈착 가능하기 때문에, 인서트(240)로부터 반응실(105) 내로 공급되는 원료 가스의 흐름을 제어할 수 있다.
즉 실시 예는 제1 단차부(142)에 마련되는 경사 각도가 서로 다른 제1 내지 제3 홈들(예컨대, 542-n,544-n,546-n), 및 제1 내지 제3 홈들(예컨대, 542-n,544-n,546-n)에 탈착 가능한 라이너 격벽(620-n)에 의하여, 인서트(240)로부터 반응실(105) 내로 공급되는 원료 가스 흐름의 방향을 변경할 수 있다.
도 11은 웨이퍼의 각 영역에 따른 에피층의 두께 프로파일을 나타낸다.
도 11을 참조하면, 웨이퍼의 x축 방향으로의 두께는 웨이퍼의 일측으로부터 웨이퍼의 타측으로 갈수록 증가하는 것을 알 수 있으며, 또한 웨이퍼의 y축 방향으로의 두께는 중앙 영역은 일정하지만, 웨이퍼의 에지 영역(901과 902, 및 903과 904)은 일정하지 않음을 알 수 있다.
실시 예는 경사 각도가 서로 다른 제1 내지 제3 홈들(예컨대, 542-n,544-n,546-n) 중 어느 하나에 라이너 격벽(620-n)을 장착함으로써, 제1 단차부(142)에 장착되는 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)의 각도를 조절할 수 있다.
실시 예는 제1 단차부(142)에 장착되는 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)의 경사 각도를 조절함으로써, 웨이퍼 표면에 원료 가스를 고르게 분산시킬 수 있으며, 이로 인하여 웨이퍼에 성장되는 에피층의 두께를 균일하게 할 수 있다.
도 7은 다른 실시 예에 따른 하부 라이너(140-1)의 사시도를 나타내고, 도 8은 도 7에 도시된 하부 라이너(140-1)의 점선 부분의 확대도를 나타내고, 도 9는 다른 실시 예에 따른 라이너 격벽(630-1)의 사시도를 나타내고, 도 10은 도 8에 도시된 한 쌍의 제1홈들 내지 한 쌍의 제3홈들의 확대도를 나타낸다. 도 3 및 도 4와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 7 내지 도 10을 참조하면, 하부 라이너(140-1)는 제1 단차부(142)와 제2 단차부(144)를 갖는 몸체(610), 및 제1 단차부(142) 내에 배치되는 라이너 격벽들(620-1 내지 620-n, n>1인 자연수)을 포함할 수 있다.
제1 단차부(142)의 제1면(522) 및 제2면(524) 각각에는 라이너 격벽(630-1 내지 630-n, n>1인 자연수)이 체결될 수 있는 홈들(712-1 내지 712-n, 714-1 내지 714-n, 716-1 내지 716-n, 722-1 내지 722-n, 724-1 내지 724-n, 726-1 내지 726-n, n>1인 자연수)이 형성될 수 있다.
제1 단차부(142)의 제1면(522)에 형성되는 홈들(712-1 내지 712-n, 714-1 내지 714-n, 716-1 내지 716-n), 및 제1 단차부(142)의 제2면(524)에 형성되는 홈들(722-1 내지 722-n, 724-1 내지 724-n, 726-1 내지 726-n)은 서로 이격할 수 있다.
홈들(722-1 내지 722-n, 724-1 내지 724-n, 726-1 내지 726-n)은 복수의 그룹들로 그룹화될 수 있다. 복수의 그룹들 각각은 제1면(522)과 제2면(524)에 형성되는 서로 이격하는 제1 홈들(712-n, 722-n), 서로 이격하는 제2 홈들(714-n, 724-n), 및 서로 이격하는 제3 홈들(716-n, 726-n)을 포함할 수 있다.
라이너 격벽(630-n)은 각 그룹에 속하는 제1 홈들(712-n, 722-n), 또는 제2 홈들(714-n, 724-n), 또는 제3 홈들(716-n, 726-n)에 체결될 수 있다.
도 7에 도시된 실시 예에서는 제1 홈들의 수가 2개이고, 제2 홈들의 수가 2개이고, 제3 홈들의 수가 2개이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 실시 예에서는 제1면(522), 및 제2면(524) 각각에 형성되는 제1 홈들의 개수는 2개 이상일 수 있고, 제1면(522), 및 제2면(524) 각각에 형성되는 제2 홈들의 개수는 2개 이상일 수 있고, 제1면(522), 및 제2면(524) 각각에 형성되는 제3 홈들의 개수는 2개 이상일 수 있다.
예컨대, 제1 홈들(712-n, 722-n)은 기준선(701)과 평행하게 배열될 수 있다. 제1 홈들(712-n, 722-n)은 제1 경계선(104)과 제2 경계선(103)에 대하여 수직하게 배열될 수 있다. 예컨대, 도 10에 도시된 바와 같이, 제1 홈들(712-n, 722-n)을 잇는 제1 직선(401)은 제1 경계선(104)과 제2 경계선(103)에 대하여 수직일 수 있다.
예컨대, 제1홈들(712-n, 722-n)은 인서트(240)의 격벽들(B1 내지 Bm, m>1인 자연수) 중 어느 하나와 대응 또는 정렬될 수 있다.
제1홈들(712-n와 722-n)의 일 측의 제1 단차부(142)에는 제2홈들(714-n과 724-n)이 형성될 수 있다. 제2 홈들(714-n과 724-n)은 기준선(701)을 기준으로 제1 경사각(θ1)만큼 기울어지도록 배열될 수 있다. 예컨대, 제2 홈들(714-n과 724-n)을 잇는 제2 직선(402)은 제1 직선(401)을 기준으로 제1 경사각(θ1)만큼 기울어질 수 있다.
제1홈들(712-n와 722-n)의 타 측의 제1 단차부(142)에는 제3 홈들(716-n과 726-n)이 형성될 수 있다. 제3 홈들(716-n과 726-n)은 기준선(701)을 기준으로 제2 경사각(θ2)만큼 기울어지도록 배열될 수 있다. 예컨대, 제3 홈들(714-n과 724-n)을 잇는 제3 직선(403)은 제1 직선(401)을 기준으로 제2 경사각(θ2)만큼 기울어질 수 있다.
도 10에 도시된 제1 경사각(θ1) 및 제2 경사각(θ2)은 서로 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 제1 경사각(θ1) 및 제2 경사각(θ2)은 서로 다를 수 있다.
제1홈들(712-n과 722-n), 제2 홈들(714-n과 724-n), 및 제3 홈들(716-n과 726-n)은 제1 경계선(103) 및 제2 경계선(104)으로부터 이격하여 위치할 수 있다.
도 7, 도 8, 및 도 10에는 제1홈들(712-n과 722-n)의 일 측에 제2홈들(714-n과 724-n)이 위치하고, 제1홈들(712-n과 722-n)의 타 측에 제3홈들(716-n과 726-n)이 위치하는 것을 도시하였지만, 다른 실시 예에서는 제2홈들(714-n과 724-n) 및 제3홈들(716-n과 726-n) 중 어느 하나가 생략될 수 있다.
라이너 격벽들(630-1 내지 630-n, n>1인 자연수) 각각은 제1 홈들(712-n, 722-n), 제2 홈들(714-n,724-n), 또는 제3홈들(716-n,726-n)과 결합할 수 있는 돌기들(예컨대, 812,814)을 가질 수 있다.
예컨대, 라이너 격벽들(630-1 내지 630-n, n>1인 자연수) 각각의 일단(612)에는 제1 돌기(812)가 형성될 수 있고, 다른 일단(614)에는 제2 돌기(814)가 형성될 수 있다. 그러나 라이너 격벽(630-n)에 형성되는 돌기들의 수는 이에 한정되는 것은 아니며, 체결되는 제1홈들, 제2 홀들, 또는 제3 홈들의 수와 동일할 수 있다.
라이너 격벽(630-n)의 제1 돌기(812)는 제1홈들(712-n과 722-n), 또는 제2 홈들(714-n,724-n), 또는 제3 홈들(716-n,726-n) 중 어느 하나와 결합할 수 있다. 그리고 라이너 격벽(630-n)의 제2 돌기(812)는 제1 돌기(812)는 제1홈들(712-n과 722-n), 또는 제2 홈들(714-n,724-n), 또는 제3 홈들(716-n,726-n) 중 다른 어느 하나와 결합할 수 있다.
실시 예는 각 그룹에 속하며 서로 다른 방향으로 배열되는 제1홈들, 또는 제2홈들, 또는 제3 홈들에 장착되는 라이너 격벽들(630-1 내지 630-n, n>1인 자연수)에 의하여 제1 단차부(142)를 통과하는 원료 가스의 흐름을 제어함으로써, 웨이퍼 표면에 원료 가스를 고르게 분산시킬 수 있으며, 이로 인하여 웨이퍼에 성장되는 에피층의 두께를 균일하게 할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
103: 하부 돔 104: 상부 돔
105: 반응실 120: 서셉터
125: 서셉터 지지부 130: 하부 링
135: 상부 링 140: 하부 라이너
145: 상부 라이너 150: 예열링
160: 가스 공급부 170: 가스 배출부
210: 인젝트 캡 220: 배플
240: 인서트 610: 몸체
620-n, 630-n: 라이너 격벽.

Claims (13)

  1. 외부 측면의 일 측 상단에 원료 가스가 유입되는 제1 단차부를 갖는 몸체; 및
    상기 제1 단차부에 서로 이격하여 배치되는 라이너 격벽들을 포함하며,
    상기 제1 단차부는,
    상기 몸체의 외부 측면과 단차를 가지며, 상기 몸체의 상부면과 접하는 제1면; 및
    상기 몸체의 외부 측면과 상기 제1면 사이에 위치하는 제2면을 포함하며,
    상기 라이너 격벽들 중 적어도 하나는 경사 각도를 달리하여 상기 제1 단차부의 제1면과 제2면에 체결되며, 상기 경사 각도는 상기 라이너 격벽이 기준선과 이루는 각도이고, 상기 기준선은 상기 제1 단차부의 제2면과 상기 몸체의 외부 측면이 만나는 제1 경계선에 수직한 선인 에피텍셜 반응기의 라이너(liner).
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단차부의 제1면과 제2면에는 상기 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들이 형성되고,
    상기 라이너 격벽들은 상기 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들 중 어느 하나에 체결되는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  3. 제2항에 있어서, 상기 경사 각도가 서로 다른 복수의 홈들은,
    상기 라이너 격벽들 각각에 대응하는 복수의 그룹들로 구분되고,
    상기 복수의 그룹들 각각은,
    상기 기준선과 평행한 제1 홈; 및
    상기 제1 홈의 일 측에 위치하고, 상기 기준선과 제1 경사각을 갖는 제2 홈을 포함하며,
    상기 라이너 격벽들 각각은 상기 복수의 그룹들 중 대응하는 어느 하나에 포함되는 상기 제1 홈 또는 제2 홈에 체결되는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  4. 제3항에 있어서, 상기 복수의 그룹들 각각은,
    상기 제1 홈의 타 측에 위치하고, 상기 기준선과 제2 경사각을 갖는 제3 홈을 더 포함하며,
    상기 라이너 격벽들 각각은 상기 복수의 그룹들 중 대응하는 어느 하나에 포함되는 상기 제1 홈, 제2 홈, 또는 제3 홈에 체결되는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 내지 제3 홈들 각각은,
    상기 제1 단차부의 제1면에 형성되는 제1 부분; 및
    상기 제1 단차부의 제2면에 형성되는 제2 부분을 포함하며,
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 서로 접하는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기준선은 제2 경계선과 수직하며, 상기 제2 경계선은 상기 제1 단차부의 제1면과 상기 몸체의 상부면이 만나는 경계선인 에피텍셜 반응기의 라이너.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 홈의 일단, 상기 제2 홈의 일단, 및 상기 제3 홈의 일단은 상기 제1 경계선에서 서로 접하고, 상기 제1 홈의 타단, 상기 제2 홈의 타단, 및 상기 제3 홈의 타단은 상기 제2 경계선에서 서로 이격하는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 라이너 격벽들 각각은 대응하는 그룹에 포함되는 제1홈, 제2홈, 또는 제3홈에 착탈 가능한 에피텍셜 반응기의 라이너.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 단차부의 제1면 및 제2면 각각에는 복수의 홈들이 형성되며, 상기 복수의 홈들은 복수의 그룹들로 구분되고,
    상기 복수의 그룹들 각각은,
    상기 기준선과 평행하도록 상기 제1 단차부의 제1면과 제2면에 배열되는 제1 홈들; 및
    상기 제1 홈들의 일 측에 위치하고, 상기 기준선을 기준으로 제1 경사각만큼 기울어지도록 배열되는 제2 홈들을 포함하며,
    상기 라이너 격벽들 각각은 상기 복수의 그룹들 중 대응하는 어느 하나에 포함되는 상기 제1 홈들, 또는 상기 제2 홈들에 체결되는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  10. 제9항에 있어서, 상기 복수의 그룹들 각각은,
    상기 제1홈들의 타 측에 위치하고, 상기 기준선을 기준으로 제2 경사각만큼 기울어지도록 배열되는 제3 홈들을 더 포함하며,
    상기 라이너 격벽들 각각은 상기 복수의 그룹들 중 대응하는 어느 하나에 포함되는 상기 제1 홈들, 상기 제2 홈들, 또는 상기 제3 홈들에 체결되는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 라이너 격벽들 각각은 상기 제1 홈들, 상기 제2 홈들, 또는 상기 제3홈들과 결합하는 돌기들을 갖는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  12. 제1항에 있어서, 상기 몸체는,
    외부 측면의 타 측 상단에 원료 가스가 유출되는 제2 단차부를 갖는 에피텍셜 반응기의 라이너.
  13. 웨이퍼를 안착시키는 서셉터;
    내주면이 상기 서셉터를 둘러싸는 하부 라이너; 및
    상기 하부 라이너에 대향하도록 상기 하부 라이너 상에 배치되는 상부 라이너를 포함하며,
    상기 하부 라이너는,
    외부 측면의 일 측 상단에 원료 가스가 유입되는 제1 단차부를 갖는 몸체; 및
    상기 제1 단차부에 서로 이격하여 배치되는 라이너 격벽들을 포함하며,
    상기 제1 단차부는,
    상기 몸체의 외부 측면과 단차를 가지며, 상기 몸체의 상부면과 접하는 제1면; 및
    상기 몸체의 외부 측면과 상기 제1면 사이에 위치하는 제2면을 포함하며,
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