JP2002217121A - 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法 - Google Patents
有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長
方法に関し、Ｃｌ添加原料ガスを用いたＭＯＶＰＥ工程
における不純物の混入を防止する。 【解決手段】 塩素添加原料ガスを用いる有機金属気相
成長装置のサセプタ上に、主面の結晶方位が成長基板の
主面より塩素ガスに対する耐エッチング性が優れるか或
いは同じかのいずれか結晶方位を有するIII-Ｖ族化合物
半導体層３を少なくとも表面に設けたカバー１を設ける
とともに、カバー１の主表面に成長基板を載置する。
方法に関し、Ｃｌ添加原料ガスを用いたＭＯＶＰＥ工程
における不純物の混入を防止する。 【解決手段】 塩素添加原料ガスを用いる有機金属気相
成長装置のサセプタ上に、主面の結晶方位が成長基板の
主面より塩素ガスに対する耐エッチング性が優れるか或
いは同じかのいずれか結晶方位を有するIII-Ｖ族化合物
半導体層３を少なくとも表面に設けたカバー１を設ける
とともに、カバー１の主表面に成長基板を載置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機金属気相成長装
置及び有機金属気相成長方法に関するものであり、特
に、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）において成長
ガス雰囲気中に塩素を添加してIII-Ｖ族化合物半導体結
晶を成長させる際の不純物の混入を防止するための装置
構成に特徴のある有機金属気相成長装置及び有機金属気
相成長方法に関するものである。
置及び有機金属気相成長方法に関するものであり、特
に、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）において成長
ガス雰囲気中に塩素を添加してIII-Ｖ族化合物半導体結
晶を成長させる際の不純物の混入を防止するための装置
構成に特徴のある有機金属気相成長装置及び有機金属気
相成長方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、インターネット上に代表されるデ
ィジタル通信量の増大に伴って、光通信用半導体レーザ
等のＩｎＰ基板上に結晶成長させる光半導体素子の生産
量は急増しており、この様な光半導体素子の生産増大、
高機能化に伴ってＩｎＰ等の結晶成長に対して高い生産
能力が要求されている。
ィジタル通信量の増大に伴って、光通信用半導体レーザ
等のＩｎＰ基板上に結晶成長させる光半導体素子の生産
量は急増しており、この様な光半導体素子の生産増大、
高機能化に伴ってＩｎＰ等の結晶成長に対して高い生産
能力が要求されている。
【０００３】この様な化合物半導体の結晶成長に際して
は、量産性に優れ且つ高品質の結晶を成長することが可
能なＭＯＶＰＥ法が主に用いられており、このＭＯＶＰ
Ｅ法においては、III 族原料として有機金属を用い、Ｖ
族原料としてＶ族の水素化物を用いている。
は、量産性に優れ且つ高品質の結晶を成長することが可
能なＭＯＶＰＥ法が主に用いられており、このＭＯＶＰ
Ｅ法においては、III 族原料として有機金属を用い、Ｖ
族原料としてＶ族の水素化物を用いている。
【０００４】例えば、ＩｎＰの結晶成長の場合には、ト
リメチルインジウム（ＴＭＩｎ）とフォスフィン（ＰＨ
3 ）を原料ガスとして用い、加熱されたＩｎＰ基板上に
供給してＩｎＰ層を成長させる。
リメチルインジウム（ＴＭＩｎ）とフォスフィン（ＰＨ
3 ）を原料ガスとして用い、加熱されたＩｎＰ基板上に
供給してＩｎＰ層を成長させる。
【０００５】この様な結晶成長を行うＭＯＶＰＥ装置に
おいては、成長基板となるＩｎＰ基板はカーボン製のサ
セプタ或いはカーボンの表面にＳｉＣ等のコーティング
を施したサセプタ上に載置されている。
おいては、成長基板となるＩｎＰ基板はカーボン製のサ
セプタ或いはカーボンの表面にＳｉＣ等のコーティング
を施したサセプタ上に載置されている。
【０００６】以下において、図６及び図７を参照して、
従来のＭＯＶＰＥ装置における成長基板の概略的載置状
態を説明する。 図６（ａ）参照 図６（ａ）は、円形のＩｎＰ基板を複数枚載置するため
の大型のサセプタを用いた場合の成長基板の配置状態の
説明図であり、この場合には、カーボンサセプタ４１に
設けた３つの円形の窪み面４２に、夫々ＩｎＰ成長基板
４３を収容・載置し、この状態において原料ガスを供給
してＩｎＰ成長基板４３上に、ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層、或いは、ＩｎＧａＡｓ層等を結晶成長する。
従来のＭＯＶＰＥ装置における成長基板の概略的載置状
態を説明する。 図６（ａ）参照 図６（ａ）は、円形のＩｎＰ基板を複数枚載置するため
の大型のサセプタを用いた場合の成長基板の配置状態の
説明図であり、この場合には、カーボンサセプタ４１に
設けた３つの円形の窪み面４２に、夫々ＩｎＰ成長基板
４３を収容・載置し、この状態において原料ガスを供給
してＩｎＰ成長基板４３上に、ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層、或いは、ＩｎＧａＡｓ層等を結晶成長する。
【０００７】図６（ｂ）参照 図６（ｂ）は、矩形状の小さなＩｎＰ基板を複数枚載置
するためのサセプタを用いた場合の成長基板の配置状態
の説明図であり、この場合には、カーボンサセプタ５１
に設けた円形の窪み面５２に、４枚の矩形状のＩｎＰ成
長基板５３を載置するとともに、矩形状のＩｎＰ成長基
板５３の周囲に窪み面５２との間を埋めるＩｎＰダミー
基板５４を収容・配置し、この状態において原料ガスを
供給してＩｎＰ基板５１上に、ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層、或いは、ＩｎＧａＡｓ層等を結晶成長する。
するためのサセプタを用いた場合の成長基板の配置状態
の説明図であり、この場合には、カーボンサセプタ５１
に設けた円形の窪み面５２に、４枚の矩形状のＩｎＰ成
長基板５３を載置するとともに、矩形状のＩｎＰ成長基
板５３の周囲に窪み面５２との間を埋めるＩｎＰダミー
基板５４を収容・配置し、この状態において原料ガスを
供給してＩｎＰ基板５１上に、ＩｎＰ層、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層、或いは、ＩｎＧａＡｓ層等を結晶成長する。
【０００８】例えば、近年、埋込型半導体レーザの量産
化技術として、メサストライプをドライ・エッチング法
によって形成したのち、ＭＯＶＰＥ法を用いてＩｎＰ埋
込層で埋め込む方法が採用されており、上述のカーボン
サセプタを用いることによって、良好な結晶成長が行わ
れている。
化技術として、メサストライプをドライ・エッチング法
によって形成したのち、ＭＯＶＰＥ法を用いてＩｎＰ埋
込層で埋め込む方法が採用されており、上述のカーボン
サセプタを用いることによって、良好な結晶成長が行わ
れている。
【０００９】図７参照 図７は、横型のＭＯＶＰＥ装置における成長基板の配置
状態を示す概略的構成図であり、原料ガス導入口６２及
び排気口６３を有するとともに、周囲に水冷ジャケット
６４を介して加熱用の高周波コイル６５を配置した反応
管６１内にカーボンサセプタ６６を収容し、カーボンサ
セプタ６６上にＧａＡｓ成長基板６７を載置するととも
に、原料ガス６９の上流側に脱ガス防止用ＧａＡｓ基板
６８を配置したものである。
状態を示す概略的構成図であり、原料ガス導入口６２及
び排気口６３を有するとともに、周囲に水冷ジャケット
６４を介して加熱用の高周波コイル６５を配置した反応
管６１内にカーボンサセプタ６６を収容し、カーボンサ
セプタ６６上にＧａＡｓ成長基板６７を載置するととも
に、原料ガス６９の上流側に脱ガス防止用ＧａＡｓ基板
６８を配置したものである。
【００１０】この場合、原料ガス導入口６２から、トリ
メチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム
（ＴＭＧａ）、及び、アルシン（ＡｓＨ3 ）等の原料ガ
ス６９をキャリアガスとなるＨ2 ガスとともに反応管６
１内に導入し、ＧａＡｓ成長基板６７上にＡｌＧａＡｓ
層等を成長させることになり、未反応の原料ガス及び反
応生成ガス等の廃ガス７０を排気口６３から排出する。
メチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルガリウム
（ＴＭＧａ）、及び、アルシン（ＡｓＨ3 ）等の原料ガ
ス６９をキャリアガスとなるＨ2 ガスとともに反応管６
１内に導入し、ＧａＡｓ成長基板６７上にＡｌＧａＡｓ
層等を成長させることになり、未反応の原料ガス及び反
応生成ガス等の廃ガス７０を排気口６３から排出する。
【００１１】従来、カーボンサセプタ６６の表面の一部
に堆積していた反応生成物は、脱ガス防止用ＧａＡｓ基
板６８に強固に取り込まれ、エピタキシャル成長過程に
おいて、再蒸発してエピタキシャル層中に取り込まれる
ことがなくなり、高品位の結晶の成長が可能になる（必
要ならば、特開平７−１９３００５号公報参照）。
に堆積していた反応生成物は、脱ガス防止用ＧａＡｓ基
板６８に強固に取り込まれ、エピタキシャル成長過程に
おいて、再蒸発してエピタキシャル層中に取り込まれる
ことがなくなり、高品位の結晶の成長が可能になる（必
要ならば、特開平７−１９３００５号公報参照）。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】最近、ＭＯＶＰＥ法を
用いてＩｎＰ埋込層を形成する際に、埋込層の平坦化・
形状制御のために原料ガス中にＣｌを添加する方法が提
案されている。例えば、活性層を含むメサストライプを
ＳｉＯ2 マスクを選択成長マスクとしてｐ型ＩｎＰ埋込
層及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層からなる選択成長埋込
層を成長させて埋め込む際に、ＴＭＩｎの流量を１．０
ｓｃｃｍとすると共に、ＰＨ3とＴＭＩｎの流量比、即
ち、Ｖ／III を５０〜２００、例えば、１２０として成
長速度を２．０μｍ／時とし、また、成長ガス雰囲気中
にモノクロロメタン（ＣＨ3 Ｃｌ）をＴＭＩｎに対する
流量比、即ち、モノクロロメタン／III が１〜２０、例
えば、１０となる様に１０ｓｃｃｍ流しておく。
用いてＩｎＰ埋込層を形成する際に、埋込層の平坦化・
形状制御のために原料ガス中にＣｌを添加する方法が提
案されている。例えば、活性層を含むメサストライプを
ＳｉＯ2 マスクを選択成長マスクとしてｐ型ＩｎＰ埋込
層及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層からなる選択成長埋込
層を成長させて埋め込む際に、ＴＭＩｎの流量を１．０
ｓｃｃｍとすると共に、ＰＨ3とＴＭＩｎの流量比、即
ち、Ｖ／III を５０〜２００、例えば、１２０として成
長速度を２．０μｍ／時とし、また、成長ガス雰囲気中
にモノクロロメタン（ＣＨ3 Ｃｌ）をＴＭＩｎに対する
流量比、即ち、モノクロロメタン／III が１〜２０、例
えば、１０となる様に１０ｓｃｃｍ流しておく。
【００１３】この場合、モノクロロメタンの添加によっ
て、〈０１−１〉方向への成長は抑制されるので、ｐ型
ＩｎＰ埋込層及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層は、（１０
０）面とほぼ平行に成長し、平坦な埋込が可能になると
ともに、ＳｉＯ2 マスクの頂面より高く成長したｎ型Ｉ
ｎＰ電流ブロック層の端面を（１１１）Ｂ面とすること
ができる。
て、〈０１−１〉方向への成長は抑制されるので、ｐ型
ＩｎＰ埋込層及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層は、（１０
０）面とほぼ平行に成長し、平坦な埋込が可能になると
ともに、ＳｉＯ2 マスクの頂面より高く成長したｎ型Ｉ
ｎＰ電流ブロック層の端面を（１１１）Ｂ面とすること
ができる。
【００１４】しかし、上述の図６に示すようにカーボン
サセプタ上にＩｎＰ基板を配置した状態でＣｌを添加し
た成長を行うと、ＩｎＰ基板の間に露出するカーボン表
面部から不純物の脱ガスを起源とするエピタキシャル成
長層中への不純物の混入が激しくなり、エピタキシャル
成長層の品質が劣化するという問題がある。
サセプタ上にＩｎＰ基板を配置した状態でＣｌを添加し
た成長を行うと、ＩｎＰ基板の間に露出するカーボン表
面部から不純物の脱ガスを起源とするエピタキシャル成
長層中への不純物の混入が激しくなり、エピタキシャル
成長層の品質が劣化するという問題がある。
【００１５】この様な不純物汚染の原因は、以下のよう
に推測される。まず、成長を重ねたカーボンサセプタの
表面に多結晶の不純物ドープＩｎＰが３次元的に成長
し、雑多な結晶面方位を有し且つ非常に大きな表面積を
有する表面が形成され、原料ガス中に添加されたＣｌガ
スがエッチングガスとして作用し、表面に付着した多結
晶ＩｎＰ或いは多結晶ＩｎＰ中の不純物がＣｌと結びつ
いた形で気化を促進する。
に推測される。まず、成長を重ねたカーボンサセプタの
表面に多結晶の不純物ドープＩｎＰが３次元的に成長
し、雑多な結晶面方位を有し且つ非常に大きな表面積を
有する表面が形成され、原料ガス中に添加されたＣｌガ
スがエッチングガスとして作用し、表面に付着した多結
晶ＩｎＰ或いは多結晶ＩｎＰ中の不純物がＣｌと結びつ
いた形で気化を促進する。
【００１６】この様なエッチングによる気化現象は、Ｉ
ｎＰの結晶面方位にも大きく依存し、一般に（１００）
面より高指数のＩｎＰ面ではＣｌによるエッチング効果
が大きいため、カーボンサセプタ上に成長した雑多な結
晶面方位が現れたＩｎＰ多結晶付着物からの不純物の気
化が激しくなり、Ｃｌと結びついた不純物は、気相中で
の拡散を経て、ＩｎＰ基板上に成長するエピタキシャル
層、典型的にはＩｎＰ埋込層中に取り込まれるためと考
えられる。
ｎＰの結晶面方位にも大きく依存し、一般に（１００）
面より高指数のＩｎＰ面ではＣｌによるエッチング効果
が大きいため、カーボンサセプタ上に成長した雑多な結
晶面方位が現れたＩｎＰ多結晶付着物からの不純物の気
化が激しくなり、Ｃｌと結びついた不純物は、気相中で
の拡散を経て、ＩｎＰ基板上に成長するエピタキシャル
層、典型的にはＩｎＰ埋込層中に取り込まれるためと考
えられる。
【００１７】この様な問題は、図６（ａ）に示すように
円形をＩｎＰ基板を複数枚載置した場合には、カーボン
サセプタ表面の露出面積が大きいため、特に問題にな
り、また、図６（ｂ）に示すように矩形状のＩｎＰ基板
を配置した場合にも、ＩｎＰダミー基板を含め並べたＩ
ｎＰ基板の間に生じる隙間から覗いたカーボンサセプタ
の露出表面に起因する不純物の混入が少なからず存在
し、悪影響を及ぼしていた。
円形をＩｎＰ基板を複数枚載置した場合には、カーボン
サセプタ表面の露出面積が大きいため、特に問題にな
り、また、図６（ｂ）に示すように矩形状のＩｎＰ基板
を配置した場合にも、ＩｎＰダミー基板を含め並べたＩ
ｎＰ基板の間に生じる隙間から覗いたカーボンサセプタ
の露出表面に起因する不純物の混入が少なからず存在
し、悪影響を及ぼしていた。
【００１８】一方、上述の図７には不純物汚染方法が開
示されているが、この図７に示した構成をＣｌガス添加
原料ガスを用いたＩｎＰの成長工程に転用した場合に
も、図６（ｂ）の場合と同様に、カーボンサセプタの表
面の一部は依然として露出することになり、この露出部
に堆積した多結晶に起因する不純物汚染を防止すること
はできない。
示されているが、この図７に示した構成をＣｌガス添加
原料ガスを用いたＩｎＰの成長工程に転用した場合に
も、図６（ｂ）の場合と同様に、カーボンサセプタの表
面の一部は依然として露出することになり、この露出部
に堆積した多結晶に起因する不純物汚染を防止すること
はできない。
【００１９】したがって、本発明は、Ｃｌ添加原料ガス
を用いたＭＯＶＰＥ工程における不純物の混入を防止す
ることを目的とする。
を用いたＭＯＶＰＥ工程における不純物の混入を防止す
ることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上述の目的を達成するために、本発明は、塩素添加原料
ガスからIII-Ｖ族化合物半導体を成長基板上に成長させ
る有機金属気相成長装置において、サセプタ上に、主面
の結晶方位が成長基板の主面より塩素ガスに対する耐エ
ッチング性が優れるか或いは同じかのいずれか結晶方位
を有するIII-Ｖ族化合物半導体層３を少なくとも表面に
設けたカバー１を設けるとともに、カバー１の主表面に
成長基板を載置することを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上述の目的を達成するために、本発明は、塩素添加原料
ガスからIII-Ｖ族化合物半導体を成長基板上に成長させ
る有機金属気相成長装置において、サセプタ上に、主面
の結晶方位が成長基板の主面より塩素ガスに対する耐エ
ッチング性が優れるか或いは同じかのいずれか結晶方位
を有するIII-Ｖ族化合物半導体層３を少なくとも表面に
設けたカバー１を設けるとともに、カバー１の主表面に
成長基板を載置することを特徴とする。
【００２１】この様に、カーボン等からなるサセプタの
表面をカバー１で覆うことによって、サセプタの表面が
実効的に露出することはなく、また、この場合、カバー
１の表面にも結晶成長が生ずるが、このような成長はエ
ピタキシャル成長であり、且つ、成長面の結晶方位がＩ
ｎＰ基板等の成長基板の主面より塩素ガスに対する耐エ
ッチング性が優れるか或いは同じかのいずれか結晶方位
を有しているので、塩素ガスによるエッチング効果が抑
制され、成長基板上に成長したＩｎＰ層等のIII-Ｖ族化
合物半導体への不純物の不所望な混入を抑制することが
でき、設計通りの高品位の結晶を得ることができる。
表面をカバー１で覆うことによって、サセプタの表面が
実効的に露出することはなく、また、この場合、カバー
１の表面にも結晶成長が生ずるが、このような成長はエ
ピタキシャル成長であり、且つ、成長面の結晶方位がＩ
ｎＰ基板等の成長基板の主面より塩素ガスに対する耐エ
ッチング性が優れるか或いは同じかのいずれか結晶方位
を有しているので、塩素ガスによるエッチング効果が抑
制され、成長基板上に成長したＩｎＰ層等のIII-Ｖ族化
合物半導体への不純物の不所望な混入を抑制することが
でき、設計通りの高品位の結晶を得ることができる。
【００２２】例えば、成長基板が｛１００｝面を主面と
するＩｎＰ基板であれば、カバー１の少なくとも表面を
｛１００｝面を主面とするＩｎＰ層で構成すれば良く、
また、成長基板が｛１１０｝面を主面とするＩｎＰ基板
であれば、カバー１の少なくとも表面を｛１００｝面ま
たは｛１１０｝面を主面とするＩｎＰ層で構成すれば良
い。
するＩｎＰ基板であれば、カバー１の少なくとも表面を
｛１００｝面を主面とするＩｎＰ層で構成すれば良く、
また、成長基板が｛１１０｝面を主面とするＩｎＰ基板
であれば、カバー１の少なくとも表面を｛１００｝面ま
たは｛１１０｝面を主面とするＩｎＰ層で構成すれば良
い。
【００２３】なお、カバー１の主表面には、成長基板を
載置・収容するための窪み面４を設けておくことが望ま
しいが、窪み面４に代えて円環状の突起、或いは、同一
円周上に配置された３本以上の突起を設けても良いもの
である。
載置・収容するための窪み面４を設けておくことが望ま
しいが、窪み面４に代えて円環状の突起、或いは、同一
円周上に配置された３本以上の突起を設けても良いもの
である。
【００２４】また、カバー１は、成長基板と同じ材料か
らなるバルクIII-Ｖ族化合物半導体から構成しても良い
し、或いは、Ｓｉ、ＧａＡｓ、サファイア等の異種材料
基板２との上に成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層３と
によって構成しても良いものである。
らなるバルクIII-Ｖ族化合物半導体から構成しても良い
し、或いは、Ｓｉ、ＧａＡｓ、サファイア等の異種材料
基板２との上に成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層３と
によって構成しても良いものである。
【００２５】バルクIII-Ｖ族化合物半導体から構成した
場合には、大径化が困難であるが異種材料を用いていな
いので異種材料に起因する汚染が発生することがなく、
一方、異種材料基板２を用いた場合には、大径化が可能
であり、特にＳｉを用いた場合には低コスト化が可能に
なる。
場合には、大径化が困難であるが異種材料を用いていな
いので異種材料に起因する汚染が発生することがなく、
一方、異種材料基板２を用いた場合には、大径化が可能
であり、特にＳｉを用いた場合には低コスト化が可能に
なる。
【００２６】異種材料基板２を用いる場合には、異種材
料基板２上に成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層３に成
長基板を載置・収容するための窪み面４を設けても良い
し、或いは、異種材料基板２の表面に成長基板を載置・
収容するための窪み面４を予め設けておいても良いもの
である。
料基板２上に成長させたIII-Ｖ族化合物半導体層３に成
長基板を載置・収容するための窪み面４を設けても良い
し、或いは、異種材料基板２の表面に成長基板を載置・
収容するための窪み面４を予め設けておいても良いもの
である。
【００２７】この場合、III-Ｖ族化合物半導体層３に窪
み面４を設けた場合には、良好な結晶面からなる結晶方
位を実現することができ、一方、異種材料基板２の表面
に予め窪み面４を設けた場合には、III-Ｖ族化合物半導
体層３を薄く成長させるだけ良いので成長工程が簡素化
される。
み面４を設けた場合には、良好な結晶面からなる結晶方
位を実現することができ、一方、異種材料基板２の表面
に予め窪み面４を設けた場合には、III-Ｖ族化合物半導
体層３を薄く成長させるだけ良いので成長工程が簡素化
される。
【００２８】
【発明の実施の形態】ここで、図２及び図３を参照して
本発明の第１の実施の形態のＭＯＶＰＥ装置を説明する
が、まず、図２を参照してサセプタカバーの製造工程を
説明する。 図２（ａ）参照 まず、主面が（１００）面で、直径が、例えば、１２０
ｍｍのシリコン基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法によって、
厚さが、例えば、４００μｍのＩｎＰ層１２をエピタキ
シャル成長させる。この場合、ＩｎＰ層１２の主面も
（１００）面となる。
本発明の第１の実施の形態のＭＯＶＰＥ装置を説明する
が、まず、図２を参照してサセプタカバーの製造工程を
説明する。 図２（ａ）参照 まず、主面が（１００）面で、直径が、例えば、１２０
ｍｍのシリコン基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法によって、
厚さが、例えば、４００μｍのＩｎＰ層１２をエピタキ
シャル成長させる。この場合、ＩｎＰ層１２の主面も
（１００）面となる。
【００２９】図２（ｂ）参照 次いで、ＩｎＰ層１２の表面を研磨したのち、通常のフ
ォトリソグラフィー工程を用いて、直径が、例えば、５
０ｍｍで、深さが、例えば、２００μｍの窪み面１３を
３つ形成することによってサセプタカバー１４を形成す
る。
ォトリソグラフィー工程を用いて、直径が、例えば、５
０ｍｍで、深さが、例えば、２００μｍの窪み面１３を
３つ形成することによってサセプタカバー１４を形成す
る。
【００３０】図３参照 図３は、本発明の第１の実施の形態のＭＯＶＰＥ装置の
概略的構成図であり、上述の方法で形成したサセプタカ
バー１４によってカーボンサセプタ２５を覆うととも
に、サセプタカバー１４に設けた窪み面１３にＩｎＰ成
長基板１５を載置・収容して結晶成長を行うものであ
る。
概略的構成図であり、上述の方法で形成したサセプタカ
バー１４によってカーボンサセプタ２５を覆うととも
に、サセプタカバー１４に設けた窪み面１３にＩｎＰ成
長基板１５を載置・収容して結晶成長を行うものであ
る。
【００３１】この場合のＭＯＶＰＥ装置は、サセプタカ
バー１４を除いては従来のＭＯＶＰＥ装置と同様の構成
であり、原料ガス２７を導入するインジェクタ２２と、
未反応ガス及び反応生成物等からなる廃ガス２８を排出
する排気口２３を設けた反応管２１の周囲に高周波誘導
コイル２６を設けるとともに、反応管２１の内部にサシ
ャフト２４によって支持されたカーボンサセプタ２５を
収容するように構成されている。
バー１４を除いては従来のＭＯＶＰＥ装置と同様の構成
であり、原料ガス２７を導入するインジェクタ２２と、
未反応ガス及び反応生成物等からなる廃ガス２８を排出
する排気口２３を設けた反応管２１の周囲に高周波誘導
コイル２６を設けるとともに、反応管２１の内部にサシ
ャフト２４によって支持されたカーボンサセプタ２５を
収容するように構成されている。
【００３２】ここで、ＭＯＶＰＥ成長工程を簡単に説明
すると、ＩｎＰ成長基板１５として、（１００）面を主
面とするｎ型ＩｎＰ基板上に、ｎ側クラッド層を兼ねる
ｎ型ＩｎＰバッファ層、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層、
及び、ｐ型ＩｎＰクラッド層を順次成長させたのち、ス
トライプ状のＳｉＯ2 マスク用いてその側面がほぼ（０
１１）面のストライプ状メサを形成したものを用い、こ
の様にストライプ状メサ上にＳｉＯ2 マスクを設けたＩ
ｎＰ成長基板１５をサセプタカバー１４に設けた窪み面
１３に載置・収容する。
すると、ＩｎＰ成長基板１５として、（１００）面を主
面とするｎ型ＩｎＰ基板上に、ｎ側クラッド層を兼ねる
ｎ型ＩｎＰバッファ層、ＩｎＧａＡｓＰＭＱＷ活性層、
及び、ｐ型ＩｎＰクラッド層を順次成長させたのち、ス
トライプ状のＳｉＯ2 マスク用いてその側面がほぼ（０
１１）面のストライプ状メサを形成したものを用い、こ
の様にストライプ状メサ上にＳｉＯ2 マスクを設けたＩ
ｎＰ成長基板１５をサセプタカバー１４に設けた窪み面
１３に載置・収容する。
【００３３】次いで、高周波誘導コイル２６によって６
００℃の成長温度に昇温し、インジェクタ２２から原料
ガス２７としてＴＭＩｎ、ＰＨ3 、ドーパントとしての
ＤＭＺｎ、モノクロロメタン（ＣＨ3 Ｃｌ）、及び、キ
ャリアガスとしてのＨ2 を用い、ＳｉＯ2 マスクを選択
成長マスクとしてｐ型ＩｎＰ埋込層を成長させたのち、
ドーパントをＳｉＨ4 に切替えてｎ型ＩｎＰ電流ブロッ
ク層を成長させてストライプ状メサの側面を埋め込む。
００℃の成長温度に昇温し、インジェクタ２２から原料
ガス２７としてＴＭＩｎ、ＰＨ3 、ドーパントとしての
ＤＭＺｎ、モノクロロメタン（ＣＨ3 Ｃｌ）、及び、キ
ャリアガスとしてのＨ2 を用い、ＳｉＯ2 マスクを選択
成長マスクとしてｐ型ＩｎＰ埋込層を成長させたのち、
ドーパントをＳｉＨ4 に切替えてｎ型ＩｎＰ電流ブロッ
ク層を成長させてストライプ状メサの側面を埋め込む。
【００３４】このｐ型ＩｎＰ埋込層及びｎ型ＩｎＰ電流
ブロック層からなる選択成長埋込層を成長する際に、成
長ガス雰囲気中のモノクロロメタン（ＣＨ3 Ｃｌ）のＴ
ＭＩｎに対する流量比、即ち、モノクロロメタン／III
が１〜２０、例えば、１０となる様に流す。
ブロック層からなる選択成長埋込層を成長する際に、成
長ガス雰囲気中のモノクロロメタン（ＣＨ3 Ｃｌ）のＴ
ＭＩｎに対する流量比、即ち、モノクロロメタン／III
が１〜２０、例えば、１０となる様に流す。
【００３５】このモノクロロメタンの添加によって、
〈０１−１〉方向への成長は抑制されるので、ｐ型Ｉｎ
Ｐ埋込層及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層は、（１００）
面とほぼ平行に成長し、平坦な埋込が可能になるととも
に、ＳｉＯ2 マスクの頂面より高く成長したｎ型ＩｎＰ
電流ブロック層の端面は（１１１）Ｂ面からなる斜面と
なる。
〈０１−１〉方向への成長は抑制されるので、ｐ型Ｉｎ
Ｐ埋込層及びｎ型ＩｎＰ電流ブロック層は、（１００）
面とほぼ平行に成長し、平坦な埋込が可能になるととも
に、ＳｉＯ2 マスクの頂面より高く成長したｎ型ＩｎＰ
電流ブロック層の端面は（１１１）Ｂ面からなる斜面と
なる。
【００３６】以降は、ＩｎＰ成長基板１５をＭＯＶＰＥ
装置から取り出し、ＳｉＯ2 マスクを除去したのち、再
び、ＭＯＶＰＥ法を用いて全面にｐ型ＩｎＰクラッド
層、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層、及び、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層を順次成長させることによってＦＢＨ構
造の半導体レーザの基本構成が得られる。
装置から取り出し、ＳｉＯ2 マスクを除去したのち、再
び、ＭＯＶＰＥ法を用いて全面にｐ型ＩｎＰクラッド
層、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ中間層、及び、ｐ型ＩｎＧａＡ
ｓコンタクト層を順次成長させることによってＦＢＨ構
造の半導体レーザの基本構成が得られる。
【００３７】この本発明の第１の実施の形態において
は、カーボンサセプタ２５の表面を、表面の結晶面方位
が（１００）面のＩｎＰ層１２を設けたサセプタカバー
１４で覆っているので、Ｃｌ添加法によってＩｎＰの結
晶成長を２０回繰り返しても、サセプタカバー１４の表
面は鏡面の（１００）面が維持されたままで、ＩｎＰ成
長基板１５と同様な単結晶成長が起こり、不純物汚染の
原因となるＩｎＰ多結晶がサセプタカバー１４の表面に
付着することがない。
は、カーボンサセプタ２５の表面を、表面の結晶面方位
が（１００）面のＩｎＰ層１２を設けたサセプタカバー
１４で覆っているので、Ｃｌ添加法によってＩｎＰの結
晶成長を２０回繰り返しても、サセプタカバー１４の表
面は鏡面の（１００）面が維持されたままで、ＩｎＰ成
長基板１５と同様な単結晶成長が起こり、不純物汚染の
原因となるＩｎＰ多結晶がサセプタカバー１４の表面に
付着することがない。
【００３８】次に、図４を参照して、本発明の第２の実
施の形態のＭＯＶＰＥ装置を説明するが、サセプタカバ
ーの製造工程が異なるだけで、他の構成は上記の第１の
実施の形態と全く同じであるので、サセプタカバーの製
造工程のみを説明する。 図４（ａ）参照 まず、主面が（１００）面で、直径が、例えば、１２０
ｍｍのシリコン基板３１の表面を研磨したのち、通常の
フォトリソグラフィー工程を用いて、直径が、例えば、
５０ｍｍで、深さが、例えば、２００μｍの凹部３２を
３つ形成する。
施の形態のＭＯＶＰＥ装置を説明するが、サセプタカバ
ーの製造工程が異なるだけで、他の構成は上記の第１の
実施の形態と全く同じであるので、サセプタカバーの製
造工程のみを説明する。 図４（ａ）参照 まず、主面が（１００）面で、直径が、例えば、１２０
ｍｍのシリコン基板３１の表面を研磨したのち、通常の
フォトリソグラフィー工程を用いて、直径が、例えば、
５０ｍｍで、深さが、例えば、２００μｍの凹部３２を
３つ形成する。
【００３９】図４（ｂ）参照 次いで、ＭＯＶＰＥ法によって、全面に、厚さが、例え
ば、５０μｍのＩｎＰ層３３をエピタキシャル成長させ
ることによってサセプタカバー３５を形成する。この場
合、ＩｎＰ層３３の主面は（１００）面となるととも
に、シリコン基板３１に設けた凹部３２の底面及び側面
にもＩｎＰ層３３が成長し、ＩｎＰ成長基板を載置・収
容する窪み面３４となる。
ば、５０μｍのＩｎＰ層３３をエピタキシャル成長させ
ることによってサセプタカバー３５を形成する。この場
合、ＩｎＰ層３３の主面は（１００）面となるととも
に、シリコン基板３１に設けた凹部３２の底面及び側面
にもＩｎＰ層３３が成長し、ＩｎＰ成長基板を載置・収
容する窪み面３４となる。
【００４０】この第２の実施の形態においても、サセプ
タカバー３５の表面は（１００）面のＩｎＰ層３３で構
成されているので、上記第１の実施の形態と全く同様
に、不純物汚染の原因となるＩｎＰ多結晶がサセプタカ
バー３５の表面に付着することがない。
タカバー３５の表面は（１００）面のＩｎＰ層３３で構
成されているので、上記第１の実施の形態と全く同様
に、不純物汚染の原因となるＩｎＰ多結晶がサセプタカ
バー３５の表面に付着することがない。
【００４１】また、この場合、シリコン基板３１の表面
に予め凹部３２を形成しているので、ＩｎＰ層３３の膜
厚は薄くて良く、上記の第１の実施の形態に比べてＩｎ
Ｐ層３３の成長時間を大幅に短縮することができ、低コ
スト化が可能になる。但し、ＩｎＰ層３３の膜厚が薄い
場合には、上記の第１の実施の形態に比べてＩｎＰ層３
３の表面の結晶性が劣る可能性がある。
に予め凹部３２を形成しているので、ＩｎＰ層３３の膜
厚は薄くて良く、上記の第１の実施の形態に比べてＩｎ
Ｐ層３３の成長時間を大幅に短縮することができ、低コ
スト化が可能になる。但し、ＩｎＰ層３３の膜厚が薄い
場合には、上記の第１の実施の形態に比べてＩｎＰ層３
３の表面の結晶性が劣る可能性がある。
【００４２】次に、図５を参照して、本発明の第３の実
施の形態のＭＯＶＰＥ装置を説明するが、サセプタカバ
ーの製造工程が異なるだけで、他の構成は上記の第１の
実施の形態と実質的に同様であるので、サセプタカバー
の製造工程のみを説明する。 図５（ａ）参照 まず、主面が（１００）面で、直径が、例えば、４イン
チ（≒１０１．６ｍｍ）のバルクＩｎＰ基板３６を、例
えば、厚さ、３ｍｍに切り出したのち、表面を研磨す
る。
施の形態のＭＯＶＰＥ装置を説明するが、サセプタカバ
ーの製造工程が異なるだけで、他の構成は上記の第１の
実施の形態と実質的に同様であるので、サセプタカバー
の製造工程のみを説明する。 図５（ａ）参照 まず、主面が（１００）面で、直径が、例えば、４イン
チ（≒１０１．６ｍｍ）のバルクＩｎＰ基板３６を、例
えば、厚さ、３ｍｍに切り出したのち、表面を研磨す
る。
【００４３】図５（ｂ）参照 次いで、通常のフォトリソグラフィー工程を用いて、８
０ｍｍ×８０ｍｍの矩形状の窪み面３７を設けることに
よって、サセプタカバー３８を形成する。
０ｍｍ×８０ｍｍの矩形状の窪み面３７を設けることに
よって、サセプタカバー３８を形成する。
【００４４】この第３の実施の形態においても、サセプ
タカバー３８の表面は（１００）面で構成されているの
で、上記第１の実施の形態と全く同様に、不純物汚染の
原因となるＩｎＰ多結晶がサセプタカバー３８の表面に
付着することがない。
タカバー３８の表面は（１００）面で構成されているの
で、上記第１の実施の形態と全く同様に、不純物汚染の
原因となるＩｎＰ多結晶がサセプタカバー３８の表面に
付着することがない。
【００４５】この場合、サセプタカバー３８を形成する
際に、ヘテロエピタキシャル成長工程が不要になるが、
大径化が困難になる。但し、現状では、ＩｎＰ成長基板
１５は小面積の矩形状の場合が多いので、このようなＩ
ｎＰ成長基板１５に対して好適となる。
際に、ヘテロエピタキシャル成長工程が不要になるが、
大径化が困難になる。但し、現状では、ＩｎＰ成長基板
１５は小面積の矩形状の場合が多いので、このようなＩ
ｎＰ成長基板１５に対して好適となる。
【００４６】以上、本発明の各実施の形態を説明してき
たが、本発明は、各実施の形態に記載した構成・条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の各実施の形態においては、縦型のＭＯＶＰＥ
装置として説明しているが、上記の図７に示した横型の
ＭＯＶＰＥ装置にも適用されるものである。
たが、本発明は、各実施の形態に記載した構成・条件に
限られるものではなく、各種の変更が可能である。例え
ば、上記の各実施の形態においては、縦型のＭＯＶＰＥ
装置として説明しているが、上記の図７に示した横型の
ＭＯＶＰＥ装置にも適用されるものである。
【００４７】また、上記の第１及び第２の実施の形態に
おいては、サセプタカバーを形成するためにシリコン基
板１１，３１を用いているが、シリコン基板に限られる
ものではなく、バルクＩｎＰ基板より大径のウェハの入
手が容易なＧａＡｓ基板を用いても良いものであり、さ
らにはサファイア基板を用いても良いものである。
おいては、サセプタカバーを形成するためにシリコン基
板１１，３１を用いているが、シリコン基板に限られる
ものではなく、バルクＩｎＰ基板より大径のウェハの入
手が容易なＧａＡｓ基板を用いても良いものであり、さ
らにはサファイア基板を用いても良いものである。
【００４８】また、上記の各実施の形態においては、半
導体レーザの製造工程を前提としているので、（１０
０）面を主面とするＩｎＰ成長基板を用い、したがっ
て、サセプタカバーの表面も（１００）面を主面とする
ＩｎＰとしているが、この様な構成に限られるものでは
なく、（１１０）面を主面とするＩｎＰ成長基板を用い
る場合には、サセプタカバーの表面も（１１０）面とす
るか、或いは、（１１０）面よりＣｌに対する耐エッチ
ング性に優れる（１００）面としても良いものである。
導体レーザの製造工程を前提としているので、（１０
０）面を主面とするＩｎＰ成長基板を用い、したがっ
て、サセプタカバーの表面も（１００）面を主面とする
ＩｎＰとしているが、この様な構成に限られるものでは
なく、（１１０）面を主面とするＩｎＰ成長基板を用い
る場合には、サセプタカバーの表面も（１１０）面とす
るか、或いは、（１１０）面よりＣｌに対する耐エッチ
ング性に優れる（１００）面としても良いものである。
【００４９】また、上記の各実施の形態においては、半
導体レーザの埋込層の成長工程として説明しているが、
この様な埋込層の成長工程に限られるものではなく、成
長層の表面の平坦性が必要となる場合に、適宜適用され
るものである。
導体レーザの埋込層の成長工程として説明しているが、
この様な埋込層の成長工程に限られるものではなく、成
長層の表面の平坦性が必要となる場合に、適宜適用され
るものである。
【００５０】また、上記の各実施の形態においては、成
長ガス雰囲気中に添加するガスとしてモノクロロメタン
（ＣＨ3 Ｃｌ）を用いているが、モノクロロエタン（Ｃ
2 Ｈ 5 Ｃｌ）或いは四塩化炭素（ＣＣｌ4 ）等を用いて
も良い。
長ガス雰囲気中に添加するガスとしてモノクロロメタン
（ＣＨ3 Ｃｌ）を用いているが、モノクロロエタン（Ｃ
2 Ｈ 5 Ｃｌ）或いは四塩化炭素（ＣＣｌ4 ）等を用いて
も良い。
【００５１】また、上記の各実施の形態においては、Ｉ
ｎＰ系の成長工程として説明しているが、ＩｎＰ系に限
られるものではなく、成長ガス雰囲気中に塩素を添加し
て成長させる場合一般に適用されるものである。
ｎＰ系の成長工程として説明しているが、ＩｎＰ系に限
られるものではなく、成長ガス雰囲気中に塩素を添加し
て成長させる場合一般に適用されるものである。
【００５２】例えば、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系におい
ても、選択成長させる場合に成長ガス雰囲気中に塩素を
添加させて成長を行うので、この様な場合にも適用され
るものであり、この場合には、成長基板はＧａＡｓ基板
となるので、サセプタカバーの表面はＧａＡｓ単結晶と
する必要がある。
ても、選択成長させる場合に成長ガス雰囲気中に塩素を
添加させて成長を行うので、この様な場合にも適用され
るものであり、この場合には、成長基板はＧａＡｓ基板
となるので、サセプタカバーの表面はＧａＡｓ単結晶と
する必要がある。
【００５３】また、上記の各実施の形態においては、サ
セプタカバーの表面に成長基板を載置・収容するための
窪み面を設けているが、窪み面に限られるものではな
く、窪み面の代わりに円環状の突起、或いは、同一円周
上の３つ以上の突起を設けるようにしても良いものであ
る。
セプタカバーの表面に成長基板を載置・収容するための
窪み面を設けているが、窪み面に限られるものではな
く、窪み面の代わりに円環状の突起、或いは、同一円周
上の３つ以上の突起を設けるようにしても良いものであ
る。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、Ｃｌを含む成長ガス中
でＭＯＶＰＥ成長させる場合、成長基板と同じ材料から
なるとともに、少なくとも表面が主面の結晶方位が成長
基板の主面より塩素ガスに対する耐エッチング性が優れ
ているか或いは同じかのいずれか結晶方位を有するサセ
プタカバーによってサセプタの表面を覆っているので、
不純物汚染が発生することがなく、それによって、不純
物の混入の少ない高品位のエピタキシャル成長層を得る
ことができ、ひいては、高性能の化合物半導体装置の発
展・普及に寄与するところが大きい。
でＭＯＶＰＥ成長させる場合、成長基板と同じ材料から
なるとともに、少なくとも表面が主面の結晶方位が成長
基板の主面より塩素ガスに対する耐エッチング性が優れ
ているか或いは同じかのいずれか結晶方位を有するサセ
プタカバーによってサセプタの表面を覆っているので、
不純物汚染が発生することがなく、それによって、不純
物の混入の少ない高品位のエピタキシャル成長層を得る
ことができ、ひいては、高性能の化合物半導体装置の発
展・普及に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のサセプタカバーの
製造工程の説明図である。
製造工程の説明図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態のＭＯＶＰＥ装置の
概略的構成図である。
概略的構成図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態のサセプタカバーの
製造工程の説明図である。
製造工程の説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態のサセプタカバーの
製造工程の説明図である。
製造工程の説明図である。
【図６】従来の成長基板の配置状態の説明図である。
【図７】従来の不純物汚染防止方法の説明図である。
１ カバー ２ 異種材料基板 ３ III-Ｖ族化合物半導体層 ４ 窪み面 １１ シリコン基板 １２ ＩｎＰ層 １３ 窪み面 １４ サセプタカバー １５ ＩｎＰ成長基板 ２１ 反応管 ２２ インジェクタ ２３ 排気口 ２４ シャフト ２５ カーボンサセプタ ２６ 高周波誘導コイル ２７ 原料ガス ２８ 廃ガス ３１ シリコン基板 ３２ 凹部 ３３ ＩｎＰ層 ３４ 窪み面 ３５ サセプタカバー ３６ バルクＩｎＰ基板 ３７ 窪み面 ３８ サセプタカバー ４１ カーボンサセプタ ４２ 窪み面 ４３ ＩｎＰ成長基板 ５１ カーボンサセプタ ５２ 窪み面 ５３ ＩｎＰ成長基板 ５４ ＩｎＰダミー基板 ６１ 反応管 ６２ 原料ガス導入口 ６３ 排気口 ６４ 水冷ジャケット ６５ 高周波コイル ６６ カーボンサセプタ ６７ ＧａＡｓ成長基板 ６８ 脱ガス防止用ＧａＡｓ基板 ６９ 原料ガス ７０ 廃ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE44 DB05 DB08 EG04 TF03 5F045 AA04 AB12 AB18 AC01 AC03 AC07 AC08 AC19 AD10 AF04 AF13 AF20 BB14 CA12 DA53 DA55 DP15 EE13 EK02 EM02 EM09
Claims (5)
- 【請求項１】 塩素添加原料ガスからIII-Ｖ族化合物半
導体を成長基板上に成長させる有機金属気相成長装置に
おいて、サセプタ上に、主面の結晶方位が前記成長基板
の主面より塩素ガスに対する耐エッチング性が優れてい
るか或いは同じかのいずれか結晶方位を有するIII-Ｖ族
化合物半導体層を少なくとも表面に設けたカバーを設け
るとともに、前記カバーの主表面に前記成長基板を載置
することを特徴とする有機金属気相成長装置。 - 【請求項２】 上記カバーの主表面に、上記成長基板を
載置・収容するための窪み面が設けられていることを特
徴とする請求項１記載の有機金属気相成長装置。 - 【請求項３】 上記カバーが、上記成長基板と同じ材料
からなるバルクIII-Ｖ族化合物半導体からなることを特
徴とする請求項１または２に記載の有機金属気相成長装
置。 - 【請求項４】 上記カバーが、上記成長基板と異なった
材料からなる異種材料基板と、その上に成長させた前記
成長基板と同じ材料からなるIII-Ｖ族化合物半導体層か
ら構成することを特徴とする請求項１または２に記載の
有機金属気相成長装置。 - 【請求項５】 サセプタ上に、主面の結晶方位が成長基
板の主面より塩素ガスに対する耐エッチング性が優れて
いるか或いは同じかのいずれか結晶方位を有するIII-Ｖ
族化合物半導体からなるカバーを設けるとともに、前記
カバーの主表面に前記成長基板を載置した状態で塩素添
加原料ガスを供給し、前記成長基板上にIII-Ｖ族化合物
半導体を成長させることを特徴とする有機金属気相成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013972A JP2002217121A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001013972A JP2002217121A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002217121A true JP2002217121A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18880722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001013972A Withdrawn JP2002217121A (ja) | 2001-01-23 | 2001-01-23 | 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002217121A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100663749B1 (ko) | 2005-04-28 | 2007-01-03 | 에피밸리 주식회사 | 발광소자 기판용 서셉터 |
| JP2011222670A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Stanley Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2011233866A (ja) * | 2010-04-29 | 2011-11-17 | Chi Mei Lighting Technology Corp | 有機金属化学気相堆積装置 |
| KR101844944B1 (ko) * | 2014-06-16 | 2018-05-18 | 김기철 | 기판 형성 방법 |
-
2001
- 2001-01-23 JP JP2001013972A patent/JP2002217121A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100663749B1 (ko) | 2005-04-28 | 2007-01-03 | 에피밸리 주식회사 | 발광소자 기판용 서셉터 |
| JP2011222670A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-04 | Stanley Electric Co Ltd | 気相成長装置 |
| JP2011233866A (ja) * | 2010-04-29 | 2011-11-17 | Chi Mei Lighting Technology Corp | 有機金属化学気相堆積装置 |
| KR101844944B1 (ko) * | 2014-06-16 | 2018-05-18 | 김기철 | 기판 형성 방법 |
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