JP4844086B2 - 半導体製造方法及びサテライト - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態1に係る半導体製造方法について図面を参照しながら説明する。
実施の形態2では、サテライトとして、静電チャック又は真空吸着により基板を固定するものを用いる。これにより、サテライト本体を平坦なものにすることができるため、サテライトの量産に有利となる。
11a サテライト本体
11b 外周固定部
12 基板
Claims (12)
- サテライトに基板をセットする工程と、
前記サテライトを通じて前記基板に熱エネルギーを供給しながら、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する工程とを有し、
前記サテライトとして、前記基板を載置する平坦なサテライト本体と前記基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、前記外周固定部が前記基板の外周部の360°全周ではなく10〜80%のみに接触するものを用いることを特徴とする半導体製造方法。 - 前記サテライトとして、前記外周固定部が3〜8個のツメからなるものを用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造方法。
- 前記サテライトとして、前記外周固定部が前記サテライト本体を切削することで形成されたものを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造方法。
- 前記サテライトとして、前記サテライト本体に前記外周固定部としてネジが取り付けられたものを用いることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体製造方法。
- 前記ネジとして、円柱型又は四角柱型のものを用いることを特徴とする請求項4に記載の半導体製造方法。
- 前記ネジとして、材質がカーボン、石英、又は窒化ボロンの何れかのものを用いることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体製造方法。
- 結晶成長時に基板がセットされ、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する際に前記基板に熱エネルギーを供給するサテライトであって、
前記基板を載置する平坦なサテライト本体と前記基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、
前記外周固定部が前記基板の外周部の360°全周ではなく10〜80%のみに接触することを特徴とするサテライト。 - 前記外周固定部が3〜8個のツメからなることを特徴とする請求項7に記載のサテライト。
- 前記外周固定部が前記サテライト本体を切削することで形成されていることを特徴とする請求項7又は8に記載のサテライト。
- 前記サテライト本体に前記外周固定部としてネジが取り付けられていることを特徴とする請求項7〜9の何れか1項に記載のサテライト。
- 前記ネジは、円柱型又は四角柱型であることを特徴とする請求項10に記載のサテライト。
- 前記ネジは、材質がカーボン、石英、又は窒化ボロンの何れかであることを特徴とする請求項10又は11に記載のサテライト。
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