JP2007123628A - 半導体製造方法及びサテライト - Google Patents
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Abstract
【解決手段】サテライトに基板をセットする工程と、サテライトを通じて基板に熱エネルギーを供給しながら、基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する工程とを有し、サテライトとして、基板を載置する平坦なサテライト本体と基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、外周固定部が基板の外周部の360°全周ではなく一部のみに接触するものを用いる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施の形態1に係る半導体製造方法について図面を参照しながら説明する。
実施の形態2では、サテライトとして、静電チャック又は真空吸着により基板を固定するものを用いる。これにより、サテライト本体を平坦なものにすることができるため、サテライトの量産に有利となる。
11a サテライト本体
11b 外周固定部
12 基板
Claims (16)
- サテライトに基板をセットする工程と、
前記サテライトを通じて前記基板に熱エネルギーを供給しながら、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する工程とを有し、
前記サテライトとして、前記基板を載置する平坦なサテライト本体と前記基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、前記外周固定部が前記基板の外周部の360°全周ではなく一部のみに接触するものを用いることを特徴とする半導体製造方法。 - 前記サテライトとして、前記外周固定部が前記基板の外周部の10〜80%に接触するものを用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造方法。
- 前記サテライトとして、前記外周固定部が3〜8個のツメからなるものを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造方法。
- 前記サテライトとして、前記外周固定部が前記サテライト本体を切削することで形成されたものを用いることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体製造方法。
- 前記サテライトとして、前記サテライト本体に前記外周固定部としてネジが取り付けられたものを用いることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体製造方法。
- 前記ネジとして、円柱型又は四角柱型のものを用いることを特徴とする請求項5に記載の半導体製造方法。
- 前記ネジとして、材質がカーボン、石英、又は窒化ボロンの何れかからものを用いることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体製造方法。
- サテライトに基板をセットする工程と、
前記サテライトを通じて前記基板に熱エネルギーを供給しながら、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する工程とを有し、
前記サテライトとして、前記基板を静電チャック又は真空吸着により固定するものを用いることを特徴とする半導体製造方法。 - 結晶成長時に基板がセットされ、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する際に前記基板に熱エネルギーを供給するサテライトであって、
前記基板を載置する平坦なサテライト本体と前記基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、
前記外周固定部が前記基板の外周部の360°全周ではなく一部のみに接触することを特徴とするサテライト。 - 前記外周固定部が前記基板の外周部の10〜80%に接触することを特徴とする請求項9に記載のサテライト。
- 前記外周固定部が3〜8個のツメからなることを特徴とする請求項9又は10に記載のサテライト。
- 前記外周固定部が前記サテライト本体を切削することで形成されていることを特徴とする請求項9〜11の何れか1項に記載のサテライト。
- 前記サテライト本体に前記外周固定部としてネジが取り付けられていることを特徴とする請求項9〜12の何れか1項に記載のサテライト。
- 前記ネジは、円柱型又は四角柱型であることを特徴とする請求項13に記載のサテライト。
- 前記ネジは、材質がカーボン、石英、又は窒化ボロンの何れかであることを特徴とする請求項13又は14に記載のサテライト。
- 結晶成長時に基板がセットされ、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する際に前記基板に熱エネルギーを供給するサテライトであって、
前記基板を静電チャック又は真空吸着により固定することを特徴とするサテライト。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020071308A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012043983A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Fuji Electric Co Ltd | 多層膜形成方法およびそれに用いる成膜装置 |
CN105800547B (zh) * | 2016-04-08 | 2017-06-16 | 厦门大学 | 用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法 |
CN108950680A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 外延基座及外延设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117195A (ja) * | 1984-11-10 | 1986-06-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 気相成長方法 |
JPS62221128A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 処理装置 |
JPS6446917A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Toshiba Corp | Chemical vapor growth device |
JPH07249580A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜製造装置 |
JPH1174203A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-16 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法および成長装置 |
JP2002343727A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5141893A (en) * | 1988-12-22 | 1992-08-25 | Ford Microelectronics | Growth of P type Group III-V compound semiconductor on Group IV semiconductor substrate |
US5077875A (en) * | 1990-01-31 | 1992-01-07 | Raytheon Company | Reactor vessel for the growth of heterojunction devices |
US5695568A (en) * | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
US5837058A (en) * | 1996-07-12 | 1998-11-17 | Applied Materials, Inc. | High temperature susceptor |
US6020750A (en) * | 1997-06-26 | 2000-02-01 | International Business Machines Corporation | Wafer test and burn-in platform using ceramic tile supports |
KR100505310B1 (ko) * | 1998-05-13 | 2005-08-04 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 성막 장치 및 방법 |
US6320736B1 (en) * | 1999-05-17 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Chuck having pressurized zones of heat transfer gas |
US7381276B2 (en) * | 2002-07-16 | 2008-06-03 | International Business Machines Corporation | Susceptor pocket with beveled projection sidewall |
DE10261362B8 (de) * | 2002-12-30 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substrat-Halter |
US20050042881A1 (en) * | 2003-05-12 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
KR100513276B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 고정 스핀 척 |
-
2005
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2006
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117195A (ja) * | 1984-11-10 | 1986-06-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 気相成長方法 |
JPS62221128A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 処理装置 |
JPS6446917A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Toshiba Corp | Chemical vapor growth device |
JPH07249580A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜製造装置 |
JPH1174203A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-16 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法および成長装置 |
JP2002343727A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020071308A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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DE102006043991A1 (de) | 2007-05-03 |
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