JP3156514B2 - 半導体エピタキシャルウェハの製造方法 - Google Patents
半導体エピタキシャルウェハの製造方法Info
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- JP3156514B2 JP3156514B2 JP18823294A JP18823294A JP3156514B2 JP 3156514 B2 JP3156514 B2 JP 3156514B2 JP 18823294 A JP18823294 A JP 18823294A JP 18823294 A JP18823294 A JP 18823294A JP 3156514 B2 JP3156514 B2 JP 3156514B2
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Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は半導体エピタキシャルウェ
ハの製造方法に関する。
ハの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年化合物半導体が光半導体素子材料と
して多く利用されている。そしてこの半導体材料として
は、単結晶基板上に所望の層をエピタキシャル成長した
ものを用いている。これは基板として用いられる結晶
は、欠陥が多く、純度も低いため、そのまま発光素子と
して使用することが困難であるためである。そして、基
板上に所望の発光波長を得るための組成の層を、エピタ
キシャル成長させている。主としてこのエピタキシャル
成長層は、３元混晶層が用いられている。そしてエピタ
キシャル成長は、通常気相成長ないし液相成長法が使用
されている。
して多く利用されている。そしてこの半導体材料として
は、単結晶基板上に所望の層をエピタキシャル成長した
ものを用いている。これは基板として用いられる結晶
は、欠陥が多く、純度も低いため、そのまま発光素子と
して使用することが困難であるためである。そして、基
板上に所望の発光波長を得るための組成の層を、エピタ
キシャル成長させている。主としてこのエピタキシャル
成長層は、３元混晶層が用いられている。そしてエピタ
キシャル成長は、通常気相成長ないし液相成長法が使用
されている。
【０００３】図１を用いて通常の気相成長法の説明をす
る。気相成長法では、石英製のリアクタ内に、グラファ
イト製、または石英製のホルダーを配置し、原料ガスを
流し加熱する方法によってエピタキシャル成長を行って
いる。通常のホルダー上ではガスの流れに対して数度基
板を傾けて配置することが普通である。
る。気相成長法では、石英製のリアクタ内に、グラファ
イト製、または石英製のホルダーを配置し、原料ガスを
流し加熱する方法によってエピタキシャル成長を行って
いる。通常のホルダー上ではガスの流れに対して数度基
板を傾けて配置することが普通である。
【０００４】例としてＧａＰ基板ＧａＡｓＰのエピタキ
シャルウェハの成長を例として、これを説明する。Ｇａ
Ｐ基板はオリエンテーションフラットが（０，−１，
１）面のへき開面と平行で、［０，−１，−１］方向に
６°ずらした角度（オフアングル）をもつ（１００）面
である。通常はオフアングル方向に垂直な方向の［０，
１，−１］方向をガス上流側にするように配置する。Ｇ
ａＰの場合、基板厚としては３００μｍ程度が用いられ
ている。
シャルウェハの成長を例として、これを説明する。Ｇａ
Ｐ基板はオリエンテーションフラットが（０，−１，
１）面のへき開面と平行で、［０，−１，−１］方向に
６°ずらした角度（オフアングル）をもつ（１００）面
である。通常はオフアングル方向に垂直な方向の［０，
１，−１］方向をガス上流側にするように配置する。Ｇ
ａＰの場合、基板厚としては３００μｍ程度が用いられ
ている。
【０００５】
【発明が解決すべき課題】そしてかかる方法でエピタキ
シャル成長をさせたウェハが、昇温又は降温時に、しば
しば割れたり、欠けたりすることがあった。これは成長
中に原料ガスが基板とホルダーの間に直接入り、単結晶
基板の端部で裏面側にエピタキシャル層が成長すること
に起因する。すなわち気相成長中に、裏面側に５０〜２
００μｍのエピタキシャル層がウェハ端に成長してしま
う。このエピタキシャル層はしばしばホルダー面まで到
着し、ホルダー表面と基板を接着する。エピタキシャル
成長後の昇温過程の後、室温にすると熱膨張係数の違い
により、付着したところが割れ、それによりウェハ全体
が割れたりした。さらに、エピ成長後、わずかな欠損部
が残った場合でも、何らかのクラックがその部分にはい
っているので、エピ成長後外周加工を行うと、その時ウ
ェハが割れたりするため、歩留りの低下を招くという課
題があった。
シャル成長をさせたウェハが、昇温又は降温時に、しば
しば割れたり、欠けたりすることがあった。これは成長
中に原料ガスが基板とホルダーの間に直接入り、単結晶
基板の端部で裏面側にエピタキシャル層が成長すること
に起因する。すなわち気相成長中に、裏面側に５０〜２
００μｍのエピタキシャル層がウェハ端に成長してしま
う。このエピタキシャル層はしばしばホルダー面まで到
着し、ホルダー表面と基板を接着する。エピタキシャル
成長後の昇温過程の後、室温にすると熱膨張係数の違い
により、付着したところが割れ、それによりウェハ全体
が割れたりした。さらに、エピ成長後、わずかな欠損部
が残った場合でも、何らかのクラックがその部分にはい
っているので、エピ成長後外周加工を行うと、その時ウ
ェハが割れたりするため、歩留りの低下を招くという課
題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで本発明者は、かか
る課題を解決すべく鋭意検討の結果、基板の端部が様々
の方位を持つことに起因する成長速度の異方性を利用す
ることにより、かかる課題が解決することを見出し本発
明に到達した。すなわち本発明の目的は、化合物半導体
エピタキシャルウェハのエピタキシャル成長工程におい
て、該エピタキシャルウェハが原料ガス上流側の端部の
裏面で、エピタキシャル層が成長することに起因する、
前記エピタキシャルウェハの割れ、あるいはキズの発生
を抑制することであり、かかる目的は、せん亜鉛型（Ｚ
ｉｎｃｂｌｅｎｄｅ）構造型を有する単結晶半導体基板
上に、せん亜鉛型構造型を有する単結晶半導体エピタキ
シャル層を気相法で成長させる半導体エピタキシャルウ
ェハの製造方法において、該単結晶半導体基板表面がオ
フアングルを有する（１００）面の面方位を有し、該オ
フアングルの方向又はその１８０°方向から３０°以内
の方向から原料ガスを供給することを特徴とする半導体
エピタキシャルウェハの製造方法、により容易に達成さ
れる。以下本発明をより詳細に説明する。
る課題を解決すべく鋭意検討の結果、基板の端部が様々
の方位を持つことに起因する成長速度の異方性を利用す
ることにより、かかる課題が解決することを見出し本発
明に到達した。すなわち本発明の目的は、化合物半導体
エピタキシャルウェハのエピタキシャル成長工程におい
て、該エピタキシャルウェハが原料ガス上流側の端部の
裏面で、エピタキシャル層が成長することに起因する、
前記エピタキシャルウェハの割れ、あるいはキズの発生
を抑制することであり、かかる目的は、せん亜鉛型（Ｚ
ｉｎｃｂｌｅｎｄｅ）構造型を有する単結晶半導体基板
上に、せん亜鉛型構造型を有する単結晶半導体エピタキ
シャル層を気相法で成長させる半導体エピタキシャルウ
ェハの製造方法において、該単結晶半導体基板表面がオ
フアングルを有する（１００）面の面方位を有し、該オ
フアングルの方向又はその１８０°方向から３０°以内
の方向から原料ガスを供給することを特徴とする半導体
エピタキシャルウェハの製造方法、により容易に達成さ
れる。以下本発明をより詳細に説明する。
【０００７】本発明において使用される気相法は特に限
定されるものではなく、各種の熱分解法、ハロゲン輸送
法、ＭＤＣＶＤ法、ＭＢＥ法等が挙げられるが、一般に
普及しており、生産性のよいハロゲン輸送法を用いるの
が好ましい。又、本発明において用いられる基板は、せ
ん亜鉛型構造型を有するものであれば特に限定されない
が、表面の欠陥の少ない材料が容易に入手できる点よ
り、好ましくは、ガリウムヒ素系、ガリウムリン系、セ
レン化亜鉛系等の半導体基板が使用できる。
定されるものではなく、各種の熱分解法、ハロゲン輸送
法、ＭＤＣＶＤ法、ＭＢＥ法等が挙げられるが、一般に
普及しており、生産性のよいハロゲン輸送法を用いるの
が好ましい。又、本発明において用いられる基板は、せ
ん亜鉛型構造型を有するものであれば特に限定されない
が、表面の欠陥の少ない材料が容易に入手できる点よ
り、好ましくは、ガリウムヒ素系、ガリウムリン系、セ
レン化亜鉛系等の半導体基板が使用できる。
【０００８】この基板はその表面の面方位がオフアング
ルを有する（１００）であることを必須要件にしてい
る。オフアングルとは、基板表面が、あまり低次の面方
位のものであると、成長速度が低くなってしまうため、
（１００）のような低次の面方位の面を得たい時に、わ
ざと（１００）面より数度ずらした面を表面とし、ここ
に成長させる、その低次の面と、実際の表面の角度の差
をオフアングルと呼んでいる。そしてオフアングルの方
向とは、本明細書においては、（１００）面の法線と、
実際の表面の法線が含まれる面と、実際の表面の交線で
あって、表面側の（１００）面の法線から実際の表面の
法線へ向かう方向のことをいう。
ルを有する（１００）であることを必須要件にしてい
る。オフアングルとは、基板表面が、あまり低次の面方
位のものであると、成長速度が低くなってしまうため、
（１００）のような低次の面方位の面を得たい時に、わ
ざと（１００）面より数度ずらした面を表面とし、ここ
に成長させる、その低次の面と、実際の表面の角度の差
をオフアングルと呼んでいる。そしてオフアングルの方
向とは、本明細書においては、（１００）面の法線と、
実際の表面の法線が含まれる面と、実際の表面の交線で
あって、表面側の（１００）面の法線から実際の表面の
法線へ向かう方向のことをいう。
【０００９】そしてオフアングルの方向は通常［０１
１］、［０１−１］、［０−１１］、［０−１−１］方
向にずらすかあるいは［００１］、［０１０］、［００
−１］、［０−１０］方向にずらすことが多く行われて
いる。このオフアングルの好適な角度はそれぞれの方
向、基板の種類により異なるが、好適な範囲としてＧａ
Ｐ基板の場合、（１００）面に対して［０１１］、［０
１−１］、［０−１１］、［０−１−１］方向にであれ
ば、３〜１０°、好ましくは３〜７°であり、［００
１］、［０１０］、［００−１］、［０−１０］方向に
であれば、４〜１５°、好ましくは５〜１１°である。
そしてＧａＡｓ基板の場合、（１００）面に対して［０
１１］、［０１−１］、［０−１１］、［０−１−１］
方向にであれば、１〜７°、好ましくは１〜５°であ
り、［００１］、［０１０］、［００−１］、［０−１
０］方向にであれば、１〜１５°、好ましくは１〜５°
である。
１］、［０１−１］、［０−１１］、［０−１−１］方
向にずらすかあるいは［００１］、［０１０］、［００
−１］、［０−１０］方向にずらすことが多く行われて
いる。このオフアングルの好適な角度はそれぞれの方
向、基板の種類により異なるが、好適な範囲としてＧａ
Ｐ基板の場合、（１００）面に対して［０１１］、［０
１−１］、［０−１１］、［０−１−１］方向にであれ
ば、３〜１０°、好ましくは３〜７°であり、［００
１］、［０１０］、［００−１］、［０−１０］方向に
であれば、４〜１５°、好ましくは５〜１１°である。
そしてＧａＡｓ基板の場合、（１００）面に対して［０
１１］、［０１−１］、［０−１１］、［０−１−１］
方向にであれば、１〜７°、好ましくは１〜５°であ
り、［００１］、［０１０］、［００−１］、［０−１
０］方向にであれば、１〜１５°、好ましくは１〜５°
である。
【００１０】この内特に本発明の効果が顕著であるの
は、ＧａＰ基板でオフアングルの方向が、［０１１］、
［０−１−１］であるもの、ＧａＡｓ基板でオフアング
ルの方向が、［００１］、［０１０］、［００−１］、
［０−１０］方向であるものである。
は、ＧａＰ基板でオフアングルの方向が、［０１１］、
［０−１−１］であるもの、ＧａＡｓ基板でオフアング
ルの方向が、［００１］、［０１０］、［００−１］、
［０−１０］方向であるものである。
【００１１】本発明の最大の特徴は、エピタキシャル成
長の際の原料ガスを供給する方向を該オフアングルの方
向又はその１８０°方向から３０°以内の方向とするこ
とである。該オフアングルの方向又はその１８０°方向
から１０°以内の方向であればより好ましい。尚、この
時の原料供給の方向に関しては、理由はよくわからない
が、基板を載せた台等が回転したりした場合であって
も、その回転による原料供給の方向のずれは考慮しなく
てよい。従って図１に示したように、バレル型を用いた
のであればバレルの上側が原料供給の方向になり、図２
に示すような平面型であれば平面の中心の方向になる。
長の際の原料ガスを供給する方向を該オフアングルの方
向又はその１８０°方向から３０°以内の方向とするこ
とである。該オフアングルの方向又はその１８０°方向
から１０°以内の方向であればより好ましい。尚、この
時の原料供給の方向に関しては、理由はよくわからない
が、基板を載せた台等が回転したりした場合であって
も、その回転による原料供給の方向のずれは考慮しなく
てよい。従って図１に示したように、バレル型を用いた
のであればバレルの上側が原料供給の方向になり、図２
に示すような平面型であれば平面の中心の方向になる。
【００１２】この方向に基板をセットすると、基板のオ
フアングル方向がガスの上流になり、エピウェハの端面
に、ファセット成長が生じ、このため多結晶の成長によ
り、異常に速い速度での裏面への成長が生じないため、
基板の背面側に成長が生じにくく、その結果基板とホル
ダー表面の接着が生じず、エピ成長後の割れの発生を極
減させることができる。
フアングル方向がガスの上流になり、エピウェハの端面
に、ファセット成長が生じ、このため多結晶の成長によ
り、異常に速い速度での裏面への成長が生じないため、
基板の背面側に成長が生じにくく、その結果基板とホル
ダー表面の接着が生じず、エピ成長後の割れの発生を極
減させることができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明を実施例を用いて説明するが、本
発明はその要旨を越えない限り、実施例に限定されるも
のではない。
発明はその要旨を越えない限り、実施例に限定されるも
のではない。
【００１４】（実施例１）硫黄（Ｓ）が２〜１０×１０
17原子個／ｃｍ3 添加され、結晶学的面方位が（１０
０）面より［０−１−１］方向に６°偏位したＧａＰ端
結晶基板及び、高純度Ｇａを、Ｇａ溜め用石英ボート付
きのエピタキシャル・リアクター内の所定の場所に、そ
れぞれ設置した。石英製のホルダーのガスの上流側が
［０−１−１］方向になるようにＧａＰ基板を配置し
た。ホルダーは毎分３回転させた。次に窒素（Ｎ2 ）ガ
スを該リアクター内に１５分間導入し空気を充分置換除
去した後、キャリヤ・ガスとして高純度水素（Ｈ2 ）を
毎分９５００ｃｃ導入し、Ｎ2 の流れを止め昇温工程に
入った。上記Ｇａ入り石英ボート設置部分及びＧａＰ単
結晶基板設置部分の温度が、それぞれ８００℃及び９３
０℃一定に保持されていることを確認した後、尖頭発光
波長５９０±５ｎｍのＧａＡｓ1-XＰX（ｘ＝０．９）エ
ピタキシャル層の気相成長を開始した。最初、濃度５０
ｐｐｍに水素ガスで希釈したｎ型不純物のテルル（Ｔ
ｅ）のドーパントガスであるジエチルテルル（（Ｃ
2Ｈ5）2Ｔｅ）を毎分３０ｃｃ導入し、周期律表第ＩＩ
Ｉ族元素成分としてのＧａＣｌを、毎分３８０ｃｃ生成
させるため高純度塩化水素ガス（ＨＣｌ）を上記石英ボ
ート中のＧａ溜に毎分３８０ｃｃ吹き込み、Ｇａ溜上表
面より吹き出ささせて導入した。同時に周期律表第Ｖ族
元素成分として、Ｈ2で濃度１０％に希釈した燐化水素
（ＰＨ3）を毎分１１９０ｃｃ導入しつつ、２０分間に
わたり第１層であるＧａＰ層をＧａＰ単結晶基板上に成
長させた。次に（Ｃ2Ｈ5）2Ｔｅ、ＨＣｌ、ＰＨ3の各ガ
スの導入量を変えることなく、Ｈ2で濃度１０％に希釈
した砒化水素（ＡｓＨ3）の導入量を、毎分０ｃｃから
毎分１４０ｃｃまで徐々に増加させ、同時にＧａＰ基板
の温度を９１０℃から８６０℃まで徐々に降温させ、９
０分間にわたり、第２のＧａＡｓ1-XＰXエピタキシャル
層を第１のＧａＰエピタキシャル層上に成長させた。次
の３０分間は（Ｃ2Ｈ5）2Ｔｅ、ＨＣｌ、ＰＨ3、ＡｓＨ
3の導入量を変えることなく、毎分それぞれ３０ｃｃ、
３８０ｃｃ、１１９０ｃｃ、１４０ｃｃに保持しつつ第
３のＧａＡｓ1-XＰXエピタキシャル層を第２のＧａＰエ
ピタキシャル層上に成長させた。最後に５０分間（Ｃ2
Ｈ5）2Ｔｅ、ＨＣｌ、ＰＨ3、ＡｓＨ3の導入量を変える
ことなく導入しながらこれに窒素アイソ・エレクトロニ
ック・トラップの窒素（Ｎ）の添加用として毎分３２０
ｃｃの高純度アンモニア・ガス（ＮＨ3）を添加して第
４のＧａＡｓ1-XＰXエピタキシャル層を第３のＧａＰエ
ピタキシャル層上に成長させ、気相成長を終了した。エ
ピタキシャル膜の第１、第２、第３、第４のエピタキシ
ャル層の膜厚はそれぞれ５μｍ、３９μｍ、１５μｍ、
２７μｍ、第４のエピタキシャル層のｎ型キャリア濃度
は１．２×１０16ｃｍ-3であった。
17原子個／ｃｍ3 添加され、結晶学的面方位が（１０
０）面より［０−１−１］方向に６°偏位したＧａＰ端
結晶基板及び、高純度Ｇａを、Ｇａ溜め用石英ボート付
きのエピタキシャル・リアクター内の所定の場所に、そ
れぞれ設置した。石英製のホルダーのガスの上流側が
［０−１−１］方向になるようにＧａＰ基板を配置し
た。ホルダーは毎分３回転させた。次に窒素（Ｎ2 ）ガ
スを該リアクター内に１５分間導入し空気を充分置換除
去した後、キャリヤ・ガスとして高純度水素（Ｈ2 ）を
毎分９５００ｃｃ導入し、Ｎ2 の流れを止め昇温工程に
入った。上記Ｇａ入り石英ボート設置部分及びＧａＰ単
結晶基板設置部分の温度が、それぞれ８００℃及び９３
０℃一定に保持されていることを確認した後、尖頭発光
波長５９０±５ｎｍのＧａＡｓ1-XＰX（ｘ＝０．９）エ
ピタキシャル層の気相成長を開始した。最初、濃度５０
ｐｐｍに水素ガスで希釈したｎ型不純物のテルル（Ｔ
ｅ）のドーパントガスであるジエチルテルル（（Ｃ
2Ｈ5）2Ｔｅ）を毎分３０ｃｃ導入し、周期律表第ＩＩ
Ｉ族元素成分としてのＧａＣｌを、毎分３８０ｃｃ生成
させるため高純度塩化水素ガス（ＨＣｌ）を上記石英ボ
ート中のＧａ溜に毎分３８０ｃｃ吹き込み、Ｇａ溜上表
面より吹き出ささせて導入した。同時に周期律表第Ｖ族
元素成分として、Ｈ2で濃度１０％に希釈した燐化水素
（ＰＨ3）を毎分１１９０ｃｃ導入しつつ、２０分間に
わたり第１層であるＧａＰ層をＧａＰ単結晶基板上に成
長させた。次に（Ｃ2Ｈ5）2Ｔｅ、ＨＣｌ、ＰＨ3の各ガ
スの導入量を変えることなく、Ｈ2で濃度１０％に希釈
した砒化水素（ＡｓＨ3）の導入量を、毎分０ｃｃから
毎分１４０ｃｃまで徐々に増加させ、同時にＧａＰ基板
の温度を９１０℃から８６０℃まで徐々に降温させ、９
０分間にわたり、第２のＧａＡｓ1-XＰXエピタキシャル
層を第１のＧａＰエピタキシャル層上に成長させた。次
の３０分間は（Ｃ2Ｈ5）2Ｔｅ、ＨＣｌ、ＰＨ3、ＡｓＨ
3の導入量を変えることなく、毎分それぞれ３０ｃｃ、
３８０ｃｃ、１１９０ｃｃ、１４０ｃｃに保持しつつ第
３のＧａＡｓ1-XＰXエピタキシャル層を第２のＧａＰエ
ピタキシャル層上に成長させた。最後に５０分間（Ｃ2
Ｈ5）2Ｔｅ、ＨＣｌ、ＰＨ3、ＡｓＨ3の導入量を変える
ことなく導入しながらこれに窒素アイソ・エレクトロニ
ック・トラップの窒素（Ｎ）の添加用として毎分３２０
ｃｃの高純度アンモニア・ガス（ＮＨ3）を添加して第
４のＧａＡｓ1-XＰXエピタキシャル層を第３のＧａＰエ
ピタキシャル層上に成長させ、気相成長を終了した。エ
ピタキシャル膜の第１、第２、第３、第４のエピタキシ
ャル層の膜厚はそれぞれ５μｍ、３９μｍ、１５μｍ、
２７μｍ、第４のエピタキシャル層のｎ型キャリア濃度
は１．２×１０16ｃｍ-3であった。
【００１５】次に、ＺｎＡｓ2 を拡散源としてｐ形不純
物であるＺｎを拡散させて表面から６μｍの深さにｐ−
ｎ接合を形成した。このもののシート抵抗は１５Ω／cm
2であった。続いて、写真蝕刻、真空蒸着による電極形
成等を行って直径１８０μｍのメサ型ｐ−ｎ接合を有し
た５００μｍ×５００μｍ×１８０μｍ（厚さ）の角柱
型発光ダイオードを形成してた。初期輝度値は電流１５
ｍＡでエポキシコートなしで５２００ｆｔＬであった。
品質に問題はなかった。さらに、エピタキシャル成長を
繰り返した。その結果、付着割れの発生は３５枚中で０
枚であった。エピタキシャルウェハの原料ガス上流側の
端部の裏面のエピタキシャル層の厚さは約６０μｍで、
その層に付着によるキズもほとんどなかった。
物であるＺｎを拡散させて表面から６μｍの深さにｐ−
ｎ接合を形成した。このもののシート抵抗は１５Ω／cm
2であった。続いて、写真蝕刻、真空蒸着による電極形
成等を行って直径１８０μｍのメサ型ｐ−ｎ接合を有し
た５００μｍ×５００μｍ×１８０μｍ（厚さ）の角柱
型発光ダイオードを形成してた。初期輝度値は電流１５
ｍＡでエポキシコートなしで５２００ｆｔＬであった。
品質に問題はなかった。さらに、エピタキシャル成長を
繰り返した。その結果、付着割れの発生は３５枚中で０
枚であった。エピタキシャルウェハの原料ガス上流側の
端部の裏面のエピタキシャル層の厚さは約６０μｍで、
その層に付着によるキズもほとんどなかった。
【００１６】（実施例２）実施に当たっては、原料ガス
の上流側にＧａＰ基板の［０１１］を配置する以外、す
べて実施例１に同じであった。その結果、付着割れの発
生は１２枚中で０枚であった。エピタキシャルウェハの
原料ガス上流側の端部の裏面のエピタキシャル層の厚さ
は約５０μｍで、その層に付着によるキズもほとんどな
かった。
の上流側にＧａＰ基板の［０１１］を配置する以外、す
べて実施例１に同じであった。その結果、付着割れの発
生は１２枚中で０枚であった。エピタキシャルウェハの
原料ガス上流側の端部の裏面のエピタキシャル層の厚さ
は約５０μｍで、その層に付着によるキズもほとんどな
かった。
【００１７】（比較例）実施に当たっては、原料ガスの
上流側にＧａＰ基板の［０１−１］を配置する以外、す
べて実施例１に同じであった。その結果、付着割れの発
生は２４枚中で５枚であった。エピタキシャルウェハの
原料ガス上流側の端部の裏面のエピタキシャル層の厚さ
は約１５０μｍで、その層に付着によるキズが全数に発
生していた。
上流側にＧａＰ基板の［０１−１］を配置する以外、す
べて実施例１に同じであった。その結果、付着割れの発
生は２４枚中で５枚であった。エピタキシャルウェハの
原料ガス上流側の端部の裏面のエピタキシャル層の厚さ
は約１５０μｍで、その層に付着によるキズが全数に発
生していた。
【００１８】
【発明の効果】この発明によれば、ウェハの結晶方位と
ガス流の方向最適化することにより最も基板の裏面の成
長したエピタキシャル層とホルダー表面との付着を防止
することが出来る。ＧａＡｓ基板の成長でも、全く同じ
効果が得られることは言うまでもない。これによって成
長したエピウェハは割れやキズがなく、後に加工しやす
いエピタキシャルウェハとなる。これによって、エピタ
キシャル工程の歩留り向上、および、品質の向上をする
ことができる。
ガス流の方向最適化することにより最も基板の裏面の成
長したエピタキシャル層とホルダー表面との付着を防止
することが出来る。ＧａＡｓ基板の成長でも、全く同じ
効果が得られることは言うまでもない。これによって成
長したエピウェハは割れやキズがなく、後に加工しやす
いエピタキシャルウェハとなる。これによって、エピタ
キシャル工程の歩留り向上、および、品質の向上をする
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１はウェハを成長させるためのバレル型ホル
ダーの一例を示す説明図である。
ダーの一例を示す説明図である。
【図２】図２はウェハを成長させるための平面型ホルダ
ーの一例を示す説明図である。
ーの一例を示す説明図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C30B 25/14 C30B 25/18 C30B 29/40 502
Claims (3)
- 【請求項１】 せん亜鉛型構造型を有する単結晶半導体
基板上に、せん亜鉛型構造型を有する単結晶半導体エピ
タキシャル層を気相法で成長させる半導体エピタキシャ
ルウェハの製造方法において、該単結晶半導体基板表面
がオフアングルを有する（１００）面の面方位を有し、
該オフアングルの方向又はその１８０°方向から３０°
以内の方向から原料ガスを供給することを特徴とする半
導体エピタキシャルウェハの製造方法。 - 【請求項２】 該オフアングルの方向が、［０，−１，
−１］又は［０，１，１］から３〜１０°の範囲である
請求項１記載の半導体エピタキシャルウェハの製造方
法。 - 【請求項３】 該単結晶半導体基板が、ヒ化ガリウム又
はリン化ガリウムである請求項１又は２のいずれかに記
載の半導体エピタキシャルウェハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18823294A JP3156514B2 (ja) | 1993-08-18 | 1994-08-10 | 半導体エピタキシャルウェハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-204228 | 1993-08-18 | ||
| JP20422893 | 1993-08-18 | ||
| JP18823294A JP3156514B2 (ja) | 1993-08-18 | 1994-08-10 | 半導体エピタキシャルウェハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07111249A JPH07111249A (ja) | 1995-04-25 |
| JP3156514B2 true JP3156514B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=26504793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18823294A Expired - Fee Related JP3156514B2 (ja) | 1993-08-18 | 1994-08-10 | 半導体エピタキシャルウェハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3156514B2 (ja) |
-
1994
- 1994-08-10 JP JP18823294A patent/JP3156514B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07111249A (ja) | 1995-04-25 |
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