JP2677221B2 - 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の成長方法 - Google Patents
窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の成長方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓ基板上のハイ
ドライド気相成長による窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体結晶の成長方法に関し、特に、発光ダイオードやレ
ーザに用いるための結晶性、光学特性に優れた窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長方法に関するもの
である。
ドライド気相成長による窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体結晶の成長方法に関し、特に、発光ダイオードやレ
ーザに用いるための結晶性、光学特性に優れた窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＮを代表とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体は、青色発光素子用材料として注目され
ている。従来、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶
の成長には、基板として、サファイアが多く用いられて
きた。しかしながら、サファイア基板を用いた場合、通
常の成長温度は９００〜１１００℃と高温となるため
に、成長装置もこれに対応した設計としなければなら
ず、装置の材質や維持の点で問題があった。また、サフ
ァイアの加工性が悪く、レーザや発光ダイオード用にチ
ップ化することが極めて困難である。さらに、サファイ
アは電気的に絶縁物であり、素子の電極形成のために選
択エッチングなどの複雑なプロセスを必要とした。
族化合物半導体は、青色発光素子用材料として注目され
ている。従来、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶
の成長には、基板として、サファイアが多く用いられて
きた。しかしながら、サファイア基板を用いた場合、通
常の成長温度は９００〜１１００℃と高温となるため
に、成長装置もこれに対応した設計としなければなら
ず、装置の材質や維持の点で問題があった。また、サフ
ァイアの加工性が悪く、レーザや発光ダイオード用にチ
ップ化することが極めて困難である。さらに、サファイ
アは電気的に絶縁物であり、素子の電極形成のために選
択エッチングなどの複雑なプロセスを必要とした。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来のサファイア
基板に対し、ＧａＡｓ基板は、劈開が容易なためにチッ
プ化が簡単に行え、電極も基板の裏面に形成できるので
プロセスが簡略化できるという利点を持っている。しか
しながら、ＧａＡｓ基板結晶上に、結晶性に優れた窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長さ
せた例はなく、サファイア基板結晶上のような高輝度の
発光ダイオードの作製例もない。これは、ＧａＡｓとＧ
ａＮとの間に大きな格子不整合（２０％）があり、ま
た、両者の化学的性質が異なるために高品質の連続した
膜を成長させることが極めて難しいためである。また、
結晶性を向上させるために、サファイア基板上のように
高温成長を行うと、基板から砒素が蒸発し、今度はかえ
って良質の窒化物を成長させることを困難にする。
基板に対し、ＧａＡｓ基板は、劈開が容易なためにチッ
プ化が簡単に行え、電極も基板の裏面に形成できるので
プロセスが簡略化できるという利点を持っている。しか
しながら、ＧａＡｓ基板結晶上に、結晶性に優れた窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長さ
せた例はなく、サファイア基板結晶上のような高輝度の
発光ダイオードの作製例もない。これは、ＧａＡｓとＧ
ａＮとの間に大きな格子不整合（２０％）があり、ま
た、両者の化学的性質が異なるために高品質の連続した
膜を成長させることが極めて難しいためである。また、
結晶性を向上させるために、サファイア基板上のように
高温成長を行うと、基板から砒素が蒸発し、今度はかえ
って良質の窒化物を成長させることを困難にする。
【０００４】実際に塩化ガリウム（ＧａＣｌ）、アンモ
ニア（ＮＨ3 ）を原料とするハイドライド気相成長法を
用いてＧａＡｓ（１００）基板上７００℃でＧａＮの成
長を行ったところ、ＧａＡｓ基板とＧａＮ層の界面が凹
凸となり、平坦な表面を有するＧａＮ膜を得ることがで
きなかった。また、得られた結晶のＸ線回折の結果、多
結晶ＧａＮが成長していることがわかり、発光ダイオー
ドを作製しても強い発光を得ることができなかった。
ニア（ＮＨ3 ）を原料とするハイドライド気相成長法を
用いてＧａＡｓ（１００）基板上７００℃でＧａＮの成
長を行ったところ、ＧａＡｓ基板とＧａＮ層の界面が凹
凸となり、平坦な表面を有するＧａＮ膜を得ることがで
きなかった。また、得られた結晶のＸ線回折の結果、多
結晶ＧａＮが成長していることがわかり、発光ダイオー
ドを作製しても強い発光を得ることができなかった。
【０００５】本発明の目的は、ＧａＡｓ基板結晶を用い
て、ハイドライド気相成長法により結晶性・光学特性に
優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を得るた
めの成長方法を提供することにある。
て、ハイドライド気相成長法により結晶性・光学特性に
優れた窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を得るた
めの成長方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＧａＡｓ基板
上にハイドライド気相成長法を用いて窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体結晶を成長させる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体結晶の成長方法において、前記ＧａＡｓ
基板上に第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶
であるＧａＮ単結晶を３５０℃以上、５３０℃以下の成
長温度で、１ｎｍから５０ｎｍの膜厚で形成した後、前
記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶上に第
２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させ
ることを特徴としている。
上にハイドライド気相成長法を用いて窒化物系ＩＩＩ−
Ｖ族化合物半導体結晶を成長させる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体結晶の成長方法において、前記ＧａＡｓ
基板上に第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶
であるＧａＮ単結晶を３５０℃以上、５３０℃以下の成
長温度で、１ｎｍから５０ｎｍの膜厚で形成した後、前
記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶上に第
２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長させ
ることを特徴としている。
【０００７】
【作用】発光ダイオードやレーザに用いられる窒化物系
ＩＩＩ−Ｖ族化合物の成長温度は、その光学的性質を向
上させるためには、７００℃以上の高温成長が望まし
い。しかしながら、ＧａＡｓ基板上に、すぐにこのよう
な高温で成長させようとしても、連続膜を得ることは極
めて困難であることは、すでに述べた通りである。そこ
で、本発明では、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体単結晶を比較的低温で成長させて、まず単結晶の連
続膜を形成し、次に単結晶の連続膜上に成長温度を高め
て光学的性質に優れた第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の結晶を成長させている。
ＩＩＩ−Ｖ族化合物の成長温度は、その光学的性質を向
上させるためには、７００℃以上の高温成長が望まし
い。しかしながら、ＧａＡｓ基板上に、すぐにこのよう
な高温で成長させようとしても、連続膜を得ることは極
めて困難であることは、すでに述べた通りである。そこ
で、本発明では、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半
導体単結晶を比較的低温で成長させて、まず単結晶の連
続膜を形成し、次に単結晶の連続膜上に成長温度を高め
て光学的性質に優れた第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体の結晶を成長させている。
【０００８】図２のようなハイドライド気相成長装置を
用いて、ＧａＡｓ（１００）面、および（１１１）Ｂ面
基板上に、５１０℃の成長温度で、３０ｎｍの膜厚で形
成したＧａＮ膜のＸ線回折パターンを図３に示す。Ａ
は、本発明の方法で成長した場合を示しており、Ｂは、
７００℃の成長温度でＧａＡｓ基板に直接成長した場合
を示している。（１００）ＧａＡｓ基板上のＧａＮ膜か
らは、（００２）面の回折ピークが現れて、立方晶の単
結晶ＧａＮが成長していることが判明した。ＧａＡｓ
（１１１）Ｂ面基板上を用いた場合には（０００２）面
からの回折ピークが現れ、六方晶の単結晶ＧａＮ膜が成
長していた。しかしながら、５５０℃以上の成長温度で
は多結晶ＧａＮ膜となった。
用いて、ＧａＡｓ（１００）面、および（１１１）Ｂ面
基板上に、５１０℃の成長温度で、３０ｎｍの膜厚で形
成したＧａＮ膜のＸ線回折パターンを図３に示す。Ａ
は、本発明の方法で成長した場合を示しており、Ｂは、
７００℃の成長温度でＧａＡｓ基板に直接成長した場合
を示している。（１００）ＧａＡｓ基板上のＧａＮ膜か
らは、（００２）面の回折ピークが現れて、立方晶の単
結晶ＧａＮが成長していることが判明した。ＧａＡｓ
（１１１）Ｂ面基板上を用いた場合には（０００２）面
からの回折ピークが現れ、六方晶の単結晶ＧａＮ膜が成
長していた。しかしながら、５５０℃以上の成長温度で
は多結晶ＧａＮ膜となった。
【０００９】ところで、サファイア基板上にアモルファ
ス状のＧａＮや窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のバッファ
層を形成し、その上に窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体結晶を成長させる方法は、アプライド フィズ
ィックス レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．
ｖｏｌ４８（１９８６），ｐ３５３）などに記載されて
いるが、これらの文献に記載されている低温成長バッフ
ァ層の作用は、次の通りである。
ス状のＧａＮや窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のバッファ
層を形成し、その上に窒化ガリウム系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体結晶を成長させる方法は、アプライド フィズ
ィックス レターズ（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．
ｖｏｌ４８（１９８６），ｐ３５３）などに記載されて
いるが、これらの文献に記載されている低温成長バッフ
ァ層の作用は、次の通りである。
【００１０】サファイア基板上に６００℃の低温で成長
するＡｌＮ層は、アモルファス状であり、この層が、例
えばＧａＮを成長させるために９５０℃の温度まで昇温
する際、部分的に単結晶化する。この単結晶化した部分
が、９５０℃でＧａＮを成長させる際に核となり、そこ
からＧａＮ結晶が成長し、均一なＧａＮ単結晶が成長す
る。バッファ層が無いときは、サファイア基板において
この核になる部分が極めて少なく、均一なＧａＮ層を成
長させることができない。
するＡｌＮ層は、アモルファス状であり、この層が、例
えばＧａＮを成長させるために９５０℃の温度まで昇温
する際、部分的に単結晶化する。この単結晶化した部分
が、９５０℃でＧａＮを成長させる際に核となり、そこ
からＧａＮ結晶が成長し、均一なＧａＮ単結晶が成長す
る。バッファ層が無いときは、サファイア基板において
この核になる部分が極めて少なく、均一なＧａＮ層を成
長させることができない。
【００１１】この結果を、本発明のようにＧａＡｓを基
板としてハイドライドＶＰＥ法で５３０℃以下の温度で
成長した場合と比較すると、以下の点で異なる。まず、
従来例は、用いる基板材料がサファイア基板であるが、
本発明はＧａＡｓ基板を用いることを特徴としている。
また、従来例では、最初に成長する膜がアモルファスＧ
ａＮあるいはＡｌＮ膜であるのに対し、本発明では、ハ
イドライド気相成長により単結晶のＧａＮ膜を基板上に
成長させる点で大きく異なる。これにより、第２の窒化
物層を完全に二次元成長化させることができるために、
より表面性にすぐれて、しかも結晶性に優れた膜を成長
させることができる。
板としてハイドライドＶＰＥ法で５３０℃以下の温度で
成長した場合と比較すると、以下の点で異なる。まず、
従来例は、用いる基板材料がサファイア基板であるが、
本発明はＧａＡｓ基板を用いることを特徴としている。
また、従来例では、最初に成長する膜がアモルファスＧ
ａＮあるいはＡｌＮ膜であるのに対し、本発明では、ハ
イドライド気相成長により単結晶のＧａＮ膜を基板上に
成長させる点で大きく異なる。これにより、第２の窒化
物層を完全に二次元成長化させることができるために、
より表面性にすぐれて、しかも結晶性に優れた膜を成長
させることができる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１は、本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体結晶の成長方法の一実施例を示す工程図である。１１
はＧａＡｓ基板、１２ａは第１のＧａＮ層、１２ｂは第
２のＧａＮ層である。
体結晶の成長方法の一実施例を示す工程図である。１１
はＧａＡｓ基板、１２ａは第１のＧａＮ層、１２ｂは第
２のＧａＮ層である。
【００１４】まず、成長方法の工程について説明する。
基板としては（１００）面、および（１１１）Ｂ面を有
するＧａＡｓ１１を用いた（図１（ａ））。このＧａＡ
ｓ基板１１を図２のようなハイドライド気相成長装置に
セットし、５１０℃の温度で３０ｎｍの第１のＧａＮ層
１２を成長させた（図１（ｂ））。引き続いて、基板温
度を７００℃まで昇温し、第２のＧａＮ層１２ｂを成長
させた（図１（ｂ））。
基板としては（１００）面、および（１１１）Ｂ面を有
するＧａＡｓ１１を用いた（図１（ａ））。このＧａＡ
ｓ基板１１を図２のようなハイドライド気相成長装置に
セットし、５１０℃の温度で３０ｎｍの第１のＧａＮ層
１２を成長させた（図１（ｂ））。引き続いて、基板温
度を７００℃まで昇温し、第２のＧａＮ層１２ｂを成長
させた（図１（ｂ））。
【００１５】工程の詳細は、次の通りである。結晶成長
には図２に示したガリウム（Ｇａ）、塩化水素（ＨＣ
ｌ）、アンモニア（ＮＨ3 ）を原料とするハイドライド
気相成長装置を用いた。まず、表面層をケミカルエッチ
ングしたＧａＡｓ基板１１（図１（ａ））を基板ホルダ
ー２１にのせ、反応管２２内の成長領域にセットする。
ガス導入管２３からキャリアガスとして水素（Ｈ2 ）を
毎分当たり２０００ｃｃ供給しながら、Ｇａソース２４
の入ったソースボート２５を８００℃、ＧａＡｓ基板１
１を５１０℃の温度に昇温する。温度が安定したところ
で、Ｇａソース２４上にガス導入管２３よりＨＣｌを毎
分当たり１ｃｃ供給して、Ｇａソース２４との反応生成
物である塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａＡｓ基板１１
領域に供給する。ＮＨ3 ガスは、ガス導入管２６より毎
分当たり６００ｃｃ供給する。成長領域で、ＧａＣｌと
ＮＨ3 ガスが反応して２０分間で約３０ｎｍの膜厚が形
成できた（図１（ｂ））。この後、ＨＣｌの供給を止
め、ＮＨ3 ガスだけを供給しながら基板を７００℃まで
昇温した。温度が安定したところで、再びＧａソース２
４上にガス導入管２３よりＨＣｌを毎分当たり１ｃｃ供
給して第２のＧａＮ層１２ｂを形成した（図１
（ｃ））。このとき３０分間の成長で０．６μｍの膜厚
が得られた。成長したＧａＮの表面は、非常に平坦であ
った。
には図２に示したガリウム（Ｇａ）、塩化水素（ＨＣ
ｌ）、アンモニア（ＮＨ3 ）を原料とするハイドライド
気相成長装置を用いた。まず、表面層をケミカルエッチ
ングしたＧａＡｓ基板１１（図１（ａ））を基板ホルダ
ー２１にのせ、反応管２２内の成長領域にセットする。
ガス導入管２３からキャリアガスとして水素（Ｈ2 ）を
毎分当たり２０００ｃｃ供給しながら、Ｇａソース２４
の入ったソースボート２５を８００℃、ＧａＡｓ基板１
１を５１０℃の温度に昇温する。温度が安定したところ
で、Ｇａソース２４上にガス導入管２３よりＨＣｌを毎
分当たり１ｃｃ供給して、Ｇａソース２４との反応生成
物である塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａＡｓ基板１１
領域に供給する。ＮＨ3 ガスは、ガス導入管２６より毎
分当たり６００ｃｃ供給する。成長領域で、ＧａＣｌと
ＮＨ3 ガスが反応して２０分間で約３０ｎｍの膜厚が形
成できた（図１（ｂ））。この後、ＨＣｌの供給を止
め、ＮＨ3 ガスだけを供給しながら基板を７００℃まで
昇温した。温度が安定したところで、再びＧａソース２
４上にガス導入管２３よりＨＣｌを毎分当たり１ｃｃ供
給して第２のＧａＮ層１２ｂを形成した（図１
（ｃ））。このとき３０分間の成長で０．６μｍの膜厚
が得られた。成長したＧａＮの表面は、非常に平坦であ
った。
【００１６】このようにして得られた（１００）面、お
よび（１１１）Ｂ面ＧａＡｓ基板上のＧａＮ層（図１
（ｃ））について、Ｘ線回折によりその結晶性を調べた
結果、（１００）面のＧａＡｓ基板上で立方晶の結晶
が、（１１１）Ｂ面ＧａＡｓ基板上で六方晶の単結晶が
得られた。また、Ｘ線回折ピークの半値幅は、７００℃
の温度でＧａＡｓ基板に直接成長したＧａＮ膜の半値幅
が１５分であったのに対し、本実施例による方法で形成
したＧａＮ膜では約３分であり、結晶性が大幅に向上し
た。また、発光ダイオードを作製した結果、従来のＧａ
Ａｓ上の発光ダイオードに比較して１０倍以上の明るさ
が得られた。
よび（１１１）Ｂ面ＧａＡｓ基板上のＧａＮ層（図１
（ｃ））について、Ｘ線回折によりその結晶性を調べた
結果、（１００）面のＧａＡｓ基板上で立方晶の結晶
が、（１１１）Ｂ面ＧａＡｓ基板上で六方晶の単結晶が
得られた。また、Ｘ線回折ピークの半値幅は、７００℃
の温度でＧａＡｓ基板に直接成長したＧａＮ膜の半値幅
が１５分であったのに対し、本実施例による方法で形成
したＧａＮ膜では約３分であり、結晶性が大幅に向上し
た。また、発光ダイオードを作製した結果、従来のＧａ
Ａｓ上の発光ダイオードに比較して１０倍以上の明るさ
が得られた。
【００１７】本実施例では、第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ
族化合物半導体をＧａＮとしたが、ＧａＮに限らず、Ｉ
ｎ X Ｇａ 1-X Ｎ（０≦Ｘ≦１）でも同様な効果を得るこ
とができる。
族化合物半導体をＧａＮとしたが、ＧａＮに限らず、Ｉ
ｎ X Ｇａ 1-X Ｎ（０≦Ｘ≦１）でも同様な効果を得るこ
とができる。
【００１８】また、本実施例では、基板としてＧａＡｓ
基板を用いた例について説明したが、本発明は、ＧａＡ
ｓ基板に限定されるものではなく、例えば、ＩｎＰ、Ｇ
ａＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いても同様な効
果を得ることができる。
基板を用いた例について説明したが、本発明は、ＧａＡ
ｓ基板に限定されるものではなく、例えば、ＩｎＰ、Ｇ
ａＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いても同様な効
果を得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ハイド
ライド気相成長法を用いてＧａＡｓ基板上に結晶性にす
ぐれ、発光ダイオードやレーザに適用できる高品質窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を得ることができ
る。これは、５３０℃以下の低温成長で、まず平坦性に
優れた単結晶を成長させ、その後昇温して、今度は光学
的に優れた単結晶を成長させるためである。これによ
り、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の青色発光ダイ
オードやレーザを実現することができる。
ライド気相成長法を用いてＧａＡｓ基板上に結晶性にす
ぐれ、発光ダイオードやレーザに適用できる高品質窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を得ることができ
る。これは、５３０℃以下の低温成長で、まず平坦性に
優れた単結晶を成長させ、その後昇温して、今度は光学
的に優れた単結晶を成長させるためである。これによ
り、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の青色発光ダイ
オードやレーザを実現することができる。
【図１】本発明のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長
方法の一実施例を示す工程図である。
方法の一実施例を示す工程図である。
【図２】本発明の実施例に用いたハイドライド気相成長
装置の概略を示す図である。
装置の概略を示す図である。
【図３】本発明の実施例においてＧａＡｓ基板上に形成
したＧａＮ結晶のＸ線回折パターンを示す図である。
したＧａＮ結晶のＸ線回折パターンを示す図である。
１１ ＧａＡｓ基板 １２ａ 第１のＧａＮ層 １２ｂ 第２のＧａＮ層 ２１ 基板ホルダー ２２ 反応管 ２３，２６ ガス導入管 ２４ Ｇａソース ２５ ソースボート
Claims (4)
- 【請求項１】ＧａＡｓ基板上にハイドライド気相成長法
を用いて窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶を成長
させる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長方
法において、 前記ＧａＡｓ基板上に第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体結晶であるＧａＮ単結晶を３５０℃以上、５３
０℃以下の成長温度で、１ｎｍから５０ｎｍの膜厚で形
成した後、前記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体結晶上に第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結
晶を成長させることを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族
化合物半導体結晶の成長方法。 - 【請求項２】請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体結晶の成長方法において、前記ＧａＡｓ基板の
（１００）面または（１１１）Ｂ面上に前記第１の窒化
物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶であるＧａＮ単結晶
を形成することを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体結晶の成長方法。 - 【請求項３】請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体結晶の成長方法において、前記ＧａＮに代えて
Ｉｎ X Ｇａ 1-X Ｎ（０≦Ｘ≦１）を用いることを特徴と
する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長方
法。 - 【請求項４】請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体結晶の成長方法において、前記ＧａＡｓ基板に
代えて、ＩｎＰ基板またはＧａＰ基板を用いることを特
徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の成長
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32080494A JP2677221B2 (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32080494A JP2677221B2 (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181077A JPH08181077A (ja) | 1996-07-12 |
| JP2677221B2 true JP2677221B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=18125428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32080494A Expired - Lifetime JP2677221B2 (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体結晶の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2677221B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08181386A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体光素子 |
| JP3899652B2 (ja) * | 1997-03-14 | 2007-03-28 | 住友電気工業株式会社 | エピタキシャルウェハ |
| JP2000114594A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
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1994
- 1994-12-22 JP JP32080494A patent/JP2677221B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４［３３］（１９９４）ｐｐ．１７４７−１７５２ |
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