KR101844944B1 - 기판 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명과 관련된 기판 형성 방법은, 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계; 상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 복수의 세그먼트 기판을 상기 식별형상부를 기준으로 방향성을 갖도록 부착하는 단계; 및 상기 복수의 세그먼트 기판에 후속 공정을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
Description
본 발명은 양산성을 높일 수 있으며 대구경의 제작이 용이한 기판 형성 방법에 관한 것이다.
단결정 기판은 엘이디(LED)나 집적회로 등의 제조를 위한 기초재로 사용되나, 단결정 기판 자체가 재료로 사용되므로 재활용이 어렵고 그에 따라 LED 또는 칩의 제조단가도 상승되기도 한다.
양산성을 높이는 일 방안은 단결정 기판을 대구경화시키고 여기에 원하는 패턴을 형성한 후 잘라 쓰는 것과 관련이 있다. 그러나, 웨이퍼를 대구경화시키는 것은 그만큼 변형으로부터의 강성을 유지하기 위해 두께의 증가를 수반하게 되며, 이러한 두께의 증가는 불필요한 부분도 만들게 되어 제조 효율이 저하된다는 단점이 있다.
한국 공개특허 제2002-0076415호(2002.10.12. 공개)는 복수의 세라믹 기판을 접합한 후 기판 위에 박막소자를 형성하는 과정을 갖는 박막소자 제조방법을 제시하고 있다. 그러나, 위 문헌에 의하면, 세라믹 기판을 방향성과 관계없이 부착시킨 것이므로, c면, r면 또는 m면 등 특정 방향성을 선택하는 것이 불가능하여 LED용 기판을 생산하기에는 적합하지 않은 문제가 있다.
본 발명은 상기한 점을 감안한 것으로, 재료가 되는 단결정 기판의 대구경화에 따른 두께의 증가를 줄여 제조비용을 줄이고 양산성을 높일 수 있는 기판 형성 방법을 제시하는데 그 목적이 있다.
상기한 과제를 해결하기 위해, 본 발명과 관련된 기판 형성 방법은, 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계; 상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 복수의 세그먼트 기판을 상기 식별형상부를 기준으로 방향성을 갖도록 부착하는 단계; 및 상기 복수의 세그먼트 기판에 후속 공정을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 베이스 기판은, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(Si02) 기반의 글래스, 또는 산화물 기판 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 세그먼트 기판은 사파이어 단결정, 산화물 단결정, 실리콘 단결정, GaN 단결정, AlGaN 단결정, InGaN 단결정 또는 GaAs 단결정 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 세그먼트 기판은 10㎛ ~ 1.6㎜의 두께를 가질 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 식별 형상부는 상기 베이스 기판의 일 위치에 형성된 잘려진 형태의 평면부 또는 노치부를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계는, 상기 베이스 기판에 상기 세그먼트 기판이 안착될 복수의 홈을 형성하거나 상기 세그먼트 기판 중 인접된 세그먼트 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 복수의 세그먼트 기판을 부착하는 단계는, 상기 복수의 세그먼트 기판을 부착하기 위한 본딩 레이어를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 세그먼트 기판의 형상은 규칙적으로 배열된 삼각형 또는 사각형 형태로 형성될 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 세그먼트 기판의 형상은 상기 베이스 기판의 중심으로부터 동일한 사이각을 갖는 부채꼴 형태로 형성될 수 있다.
본 발명과 관련된 일 예로서, 상기 복수의 세그먼트 기판에 후속 공정을 실시하는 단계는, 상기 세그먼트 기판을 자르는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 기판 형성 방법은, 베이스 기판을 마련하는 단계; 상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 크기를 가지며 표면에 요철 패턴이 형성된 복수의 세그먼트 기판을 부착시키는 단계; 및 상기 복수의 세그먼트 기판에 후속공정을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 기판 형성 방법은, 베이스 기판을 마련하는 단계; 상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 복수의 세그먼트 기판을 부착하는 단계; 상기 베이스 기판의 엣지 부분에 더미 기판을 부착하는 단계; 및 상기 복수의 세그먼트 기판 및 상기 더미 기판에 후속공정을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 기판 형성 방법은, 베이스 기판을 마련하는 단계; 상기 베이스 기판의 일 표면에 복수 영역에 식각을 행하는 단계; 상기 복수 영역에 세그먼트 기판을 각각 부착시키는 단계; 및 상기 복수의 세그먼트 기판에 후속공정을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 기판 형성 방법은, 베이스 기판을 마련하는 단계; 상기 베이스 기판의 일 표면에 복수 영역으로 구획할 수 있도록 스페이서를 증착하는 단계; 상기 복수 영역에 세그먼트 기판을 각각 부착시키는 단계; 및 상기 복수의 세그먼트 기판에 후속공정을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명과 관련된 일 기판 형성 방법은, 베이스 기판을 마련하는 단계; 상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 제1세그먼트 기판을 부착하는 단계; 상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작고 상기 제1세그먼트와 다른 재료로 형성된 제2세그먼트 기판을 부착하는 단계; 및 상기 제1세그먼트 기판 및 상기 제2세그먼트 기판에 후속 공정을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명과 관련된 일 기판 형성 방법에 의하면, 베이스 기판에 베이스 기판보다 작은 복수의 세그먼트 기판을 식별형상부를 기준으로 방향성을 갖도록 부착하고, 세그먼트 기판에 후속 공정을 실시함으로써, 대구경화에 따른 두께의 증가를 최소화하였으므로 경제적이며, 얇은 두께의 세그먼트 기판을 기반으로 제품 안정성을 높인 소자를 대량으로 제작할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명과 관련되어 기판의 형성을 위해 사용될 수 있는 베이스 기판(110)의 일 예를 도시한 평면도
도 2는 도 1의 베이스 기판(110)에 세그먼트 기판(120)을 부착시킨 상대를 보인 평면도
도 3은 본 발명과 관련된 제2실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 4는 본 발명과 관련된 제3실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 5는 본 발명과 관련된 제4실시예에 따라 제작된 기판의 단면도
도 6은 본 발명과 관련된 제5실시예에 따라 제작된 기판의 단면도
도 7은 본 발명과 관련된 제6실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도
도 8은 본 발명과 관련된 제7실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도
도 9는 본 발명과 관련된 제8실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도
도 10은 본 발명과 관련된 제9실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도
도 11은 본 발명과 관련된 제10실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 12는 본 발명과 관련된 제11실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 13은 본 발명과 관련된 제12실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 14는 본 발명과 관련되어 세그먼트 기판의 다양한 형태를 예시적으로 보인 평면도들
도 2는 도 1의 베이스 기판(110)에 세그먼트 기판(120)을 부착시킨 상대를 보인 평면도
도 3은 본 발명과 관련된 제2실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 4는 본 발명과 관련된 제3실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 5는 본 발명과 관련된 제4실시예에 따라 제작된 기판의 단면도
도 6은 본 발명과 관련된 제5실시예에 따라 제작된 기판의 단면도
도 7은 본 발명과 관련된 제6실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도
도 8은 본 발명과 관련된 제7실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도
도 9는 본 발명과 관련된 제8실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도
도 10은 본 발명과 관련된 제9실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도
도 11은 본 발명과 관련된 제10실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 12는 본 발명과 관련된 제11실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 13은 본 발명과 관련된 제12실시예에 따라 제작된 기판의 평면도
도 14는 본 발명과 관련되어 세그먼트 기판의 다양한 형태를 예시적으로 보인 평면도들
이하, 본 발명과 관련된 기판 형성 방법에 대하여 첨부한 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명과 관련되어 기판의 형성을 위해 사용될 수 있는 베이스 기판(110)의 일 예를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 베이스 기판(110)에 세그먼트 기판(120)을 부착시킨 상대를 보인 평면도이다.
본 발명과 관련된 기판 형성 방법은, 방향 식별을 위한 식별형상부(112)를 갖는 베이스 기판(110)을 마련하는 단계와, 베이스 기판(110)에 베이스 기판(110)보다 작은 복수의 세그먼트 기판(120)을 식별형상부(112)를 기준으로 방향성을 갖도록 부착하는 단계 및, 복수의 세그먼트 기판(120)에 후속 공정을 실시하는 단계를 포함할 수 있다.
베이스 기판(110)은 복수의 세그먼트 기판(120)을 지지할 수 있는 형태로서, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(Si02) 기반의 글래스 또는 기타 산화물 기판 중 어느 하나 이상이 포함될 수 있다. 이러한 베이스 기판(110)은 대구경화가 불리한 단결정 기판의 장대화 필요성을 충족시킬 수 있는 형태로서, 두께의 선택이 비교적 자유롭다. 상부에 놓여진 특정면의 세그먼트 기판(120)이 안착될 수 있도록 베이스 기판(110)의 상면에 홈을 형성하거나 스페이서를 형성하는 것도 가능하다.
세그먼트 기판(120)은 10㎛ ~ 1.6㎜의 두께를 갖는 사파이어 단결정, 산화물 단결정, 실리콘 단결정, GaN 단결정, AlGaN 단결정, InGaN 단결정 또는 GaAs 단결정에 의해 형성될 수 있다. 용도면에서, 세그먼트 기판(120)은 엘이디(LED) 또는 광소자를 형성하기 적합한 재료에 의해 형성될 수 있다. 사파이어 단결정인 경우, 10㎛ ~ 340㎛의 얇은 두께로서 c-plane, m-plane 또는 r-plane 중에서 선택된 특정면이 베이스 기판(110)에 접합될 수 있다. 세그먼트 기판(120)이 베이스 기판(110)에 대해 부착될 수 있도록 세그먼트 기판(120)과 베이스 기판(110) 사이에는 니켈(Ni) 등의 본딩 레이어가 구비되거나, 열처리 등에 의해 세그먼트 기판(120)이 베이스 기판(110)에 직접 부착되는 것도 가능하다.
식별형상부(112)는 복수의 단결정 세그먼트 기판(120)이 특정 방향으로 배열될 수 있도록 기준을 제공한다. 구체적으로, 식별형상부(112)는 세그먼트 기판(120)이 베이스 기판(110)에 부착된 상태에서 이루어지는 포토(photo), 에칭(etching), CVD 등의 후속공정에서 전체 기판의 정렬(align)을 정확하고 용이하게 하는데 사용될 수 있다. 만약, 식별형상부(112)가 없는 경우라면 상부의 세그먼트 기판(120)이 특정방향으로 정렬되도록 함으로써 전체 기판의 정렬을 조절할 수 있다. 도 1 및 도 2는 식별형상부(112)가 베이스 기판(110)의 일 위치에 잘려진 형태의 평면부를 포함한 것을 보인다.
복수의 세그먼트 기판(120)에 후속 공정을 실시하는 단계에는 용도에 따라 에피(epi) 공정, MOCVD 등의 공정이 포함될 수 있다. 또한, 여기에는 공정이 완료된 각각의 세그먼트 기판(120)을 잘라서 소자 별로 분리하는 공정도 포함될 수 있다.
도 3은 본 발명과 관련된 제2실시예에 따라 제작된 기판의 평면도로서, 식별형상부(212)가 베이스 기판(210)의 일 위치에 형성된 노치부를 포함한 것을 보인다. 세그먼트 기판(220)은 상이한 크기 또는 면적을 갖는 복수의 그룹을 포함할 수 있다. 어느 한 그룹과 다른 그룹은 동일한 재료 또는 상이한 재료로 형성하는 것도 가능하다. 이러한 세그먼트 기판(220)의 배치는 베이스 기판(210) 불요 공간을 줄이고 원하는 크기를 갖는 세그먼트 기판(220)의 수율을 높이는데 유리할 수 있다.
도 4는 본 발명과 관련된 제3실시예에 따라 제작된 기판의 평면도이다. 본 예에서도 먼저 식별형상부(312)를 갖는 대구경의 베이스 기판(310)을 형성하고, 베이스 기판(310)에 복수의 세그먼트 기판(320)을 부착한 상태이나, 베이스 기판(310)의 엣지 부분에 더미 기판(330)이 별도로 접합되어 있다. 이러한 더미 기판(330)은 후속 공정에서 세그먼트 기판(120)의 균일성(uniformity)을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명과 관련된 제4실시예에 따라 제작된 기판의 단면도이다. 본 예에서는 베이스 기판(410)을 마련하고 본딩 레이어(440)를 베이스 기판(110)의 상면에 형성한 후 세그먼트 기판(420)을 본딩 레이어(440)에 부착시키는 방법에 의해 제작된 것을 보이고 있다. 본딩 레이어(440)는 니켈(Ni) 등일 수 있으며, 알려진 부착방법이 사용될 수 있다.
도 6은 본 발명과 관련된 제5실시예에 따라 제작된 기판의 단면도이다. 본 예에서는 베이스 기판(510)에 세그먼트 기판(520)이 직접 부착되어 있는 것을 보이고 있다. 이를 위해, 베이스 기판(510)에 세그먼트 기판(520)을 배치한 후 열처리하는 공정이 사용될 수 있다.
도 7은 본 발명과 관련된 제6실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도이다.
본 예에서는 먼저 베이스 기판(610)을 마련한 후(a), 요철 패턴(621)이 형성된 세그먼트 기판(620)을 베이스 기판(610)에 부착시키는 과정을 보이고 있다(b,c). 요철 패턴(621)은 사파이어와 같이 엘이디 용도로 사용되는 경우 광학 특성을 개선시킬 수 있다. 이러한 요철 패턴(621)은 도 7과 같이 부착 전에 세그먼트 기판(120)에 미리 형성할 수 있다. 세그먼트 기판(620)은 베이스 기판(610)에 마련된 홈에 안착되거나, 세그먼트 기판(620)과 인접된 세그먼트 기판(620) 사이에 형성된 스페이서에 의해 구분될 수 있다.
도 8은 본 발명과 관련된 제7실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도이다. 본 예에서는 베이스 기판(710)에 세그먼트 기판(720)을 부착시킨 후(a, b), 후속 공정에서 포토 또는 건식/습식 식각 공정에 의해 세그먼트 기판(720)의 표면에 패터닝을 실시하는 것에 의해 요철 패턴(721)을 형성시키는 것을 보이고 있다(c).
도 9는 본 발명과 관련된 제8실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도이다.
먼저, 베이스 기판(810)을 마련한다(a). 다음으로 베이스 기판(810)에 세그먼트 기판(820)이 안착될 위치의 사이에 스페이서(850)를 증착 등의 방법에 의해 형성한다(b). 스페이서(850)의 사이에 형성된 각 위치에 본딩 레이어(840)를 형성한 후(c). 세그먼트 기판(820)을 부착시킨다(d). 다만, 스페이서(850)는 본딩레이어(840)의 형성 이후에 실시하거나, 세그먼트 기판(820)의 부착 이후에 형성하는 것도 가능하다. 세그먼트 기판(820)은 본딩 전에 오목이나 볼록 등의 패턴을 형성한 상태이거나, 본딩 후에 패터닝할 수 있다.
도 10은 본 발명과 관련된 제9실시예에 따른 기판 형성 방법을 순차적으로 도시한 공정도이다.
본 예에서는, 베이스 기판(910)에 세그먼트 기판(920)이 부착될 위치에 부분적으로 건식/습식으로 식각하여 안착홈(960)을 형성하고(b), 안착홈(960)에 본딩 레이어(940)를 형성한 후(c), 세그먼트 기판(920)을 부착(d)시킨 것을 보인다. 안착홈(960)의 형성 이후에 안착홈(960)과 안착홈(960) 사이의 벽은 증착 등의 방법에 의해 높이를 증가시킬 수도 있다.
도 11은 본 발명과 관련된 제10실시예에 따라 제작된 기판의 평면도이다. 본 예에서의 세그먼트 기판(1020)은 사파이어 단결정이나 실리콘 단결정인 경우로서, 삼각형의 형상으로 형성되어 있다. 세그먼트 기판(1020)은 식별형상부(1012)가 구비된 베이스 기판(1010)에 부착되어 있다. 세그먼트 기판(1020)의 다른 모양으로서 마름모 형태도 가능하다. 삼각형 또는 마름모 형태로 형성된 세그먼트 기판(1020)의 모양은 엘이디 용도로 사용되는 경우 빛 추출(light extraction) 효율을 높이는데 유리하다.
도 12는 본 발명과 관련된 제11실시예에 따라 제작된 기판의 평면도이다. 본 예에서는 6인치 이상의 사파이어 웨이퍼와 같이 비교적 큰 사이즈가 요구될 때 하부에 베이스 기판을 마련한 후 사파이어 기판을 분할하여 베이스 기판에 부착시킨 것이다. 6인치 이상의 사파이어 단결정은 에피택시 등의 후속 공정에서 고온 또는 기판과 증착층 사이의 열적 부정합(thermal mismatch)나 격자 이상(lattice mismatch)로 인해 발생할 수 있는 높은 스트레스를 견딜 수 있도록 두꺼운(1mm 이상) 기판을 사용할 필요가 발생한다. 본 예의 방법은 베이스 기판에 부착된 몇 분할된 얇은(100㎛ ~ 360㎛)사파이어 세그먼트 기판(1121, 1122, 1123)을 통해 사파이어 웨이퍼의 손실을 줄여주어 경제적이면서도 공정으로부터의 제품 안정성(예: 후속 에피 공정에서 발생할 수 있는 보우(bow) 문제를 줄이는 것 등)을 높일 수 있다. 본 예에서도 식별형상부(1112)가 형성된 베이스 기판이 사용될 수 있다. 세그먼트 기판(1121, 1122, 1123)은 베이스 기판에 대해 본딩 레이어에 의해 부착되거나 직접 부착될 수 있다. 세그먼트 기판의 조합에 의해 상부 기판(1120)은 완전한 대구경 웨이퍼의 모습을 가질 수 있다.
도 13은 본 발명과 관련된 제12실시예에 따라 제작된 기판의 평면도이다. 본 예에서는 세그먼트 기판(1220)이 상이한 재료 또는 모양을 갖는 복수의 세그먼트(1221, 1222, 1223)로 조합되어 있는 것을 보인다. 예를 들어, 제1세그먼트 기판(1221)이 사파이어 단결정이고, 제2세그먼트 기판(1222)이 GaN 단결정이며, 제3세그먼트 기판(1223)이 실리콘 단결정인 경우일 수 있다. 앞의 실시예와 마찬가지로 각 세그먼트 기판은 조합되어 대구경 웨이퍼의 모습을 갖게 되나, 두께 면에서는 한 장을 사용하는 경우에 비해 현저히 얇다.
도 14는 본 발명과 관련되어 세그먼트 기판의 다양한 형태를 예시적으로 보인 평면도들이다. 세그먼트 기판은 그 용도나 목적에 따라 다양한 모양을 가질 수 있다. 즉, 도 14(a) 또는 도 14(d)와 같이 각도 분할된 형태(1320, 1620)로서 동일한 사이각을 갖는 부채꼴 형태의 세그먼트 기판이 구현되어 있으며, 도 14(b) 또는 도 14(c)와 같이 각도 분할과 반경 분할이 조합된 형태(1420, 1520) 등도 가능하다.
이상에서 설명한 기판 형성 방법은 위에서 설명된 실시예들의 구성과 방법에 한정되지 않는다. 상기 실시예들은 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수 있다.
110,210,310,410,510,610,710,810,910,1010: 베이스 기판
120,220,320,420,520,620,720,820,920,1020,1120,1220,1320,1420,1520,1620: 세그먼트 기판
112,212,312,1012,1112,1212: 식별형상부
330: 더미기판 440,840,940: 본딩 레이어
721: 요철 패턴 850: 스페이서
960: 안착홈
120,220,320,420,520,620,720,820,920,1020,1120,1220,1320,1420,1520,1620: 세그먼트 기판
112,212,312,1012,1112,1212: 식별형상부
330: 더미기판 440,840,940: 본딩 레이어
721: 요철 패턴 850: 스페이서
960: 안착홈
Claims (15)
- 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계;
상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 복수의 세그먼트 기판을 상기 식별형상부를 기준으로 방향성을 갖도록 부착하는 단계; 및
상기 복수의 세그먼트 기판에 후속 공정을 실시하는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기판은, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(Si02) 기반의 글래스, 또는 산화물 기판 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 사파이어 단결정, 산화물 단결정, 실리콘 단결정, GaN 단결정, AlGaN 단결정, InGaN 단결정 또는 GaAs 단결정 중 적어도 어느 하나를 포함하며,
상기 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계는,
상기 베이스 기판에 상기 세그먼트 기판이 안착될 복수의 홈을 형성하거나 상기 세그먼트 기판 중 인접된 세그먼트 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 상기 베이스 기판에 대한 반대쪽 표면에 요철 패턴을 포함하는, 기판 형성 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 세그먼트 기판은 10㎛ ~ 1.6㎜의 두께를 갖는, 기판 형성 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 식별 형상부는 상기 베이스 기판의 일 위치에 형성된 잘려진 형태의 평면부 또는 노치부를 포함하는, 기판 형성 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 복수의 세그먼트 기판을 부착하는 단계는,
상기 복수의 세그먼트 기판을 부착하기 위한 본딩 레이어를 형성하는 단계를 더 포함하는, 기판 형성 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 세그먼트 기판의 형상은 규칙적으로 배열된 삼각형 또는 사각형 형태로 형성된, 기판 형성 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 세그먼트 기판의 형상은 상기 베이스 기판의 중심으로부터 동일한 사이각을 갖는 부채꼴 형태로 형성된, 기판 형성 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 복수의 세그먼트 기판에 후속 공정을 실시하는 단계는,
상기 세그먼트 기판을 자르는 단계를 더 포함하는, 기판 형성 방법.
- 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계;
상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 크기를 가지며 표면에 요철 패턴이 형성된 복수의 세그먼트 기판을 부착시키는 단계; 및
상기 복수의 세그먼트 기판에 후속공정을 실시하는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기판은, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(Si02) 기반의 글래스, 또는 산화물 기판 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 사파이어 단결정, 산화물 단결정, 실리콘 단결정, GaN 단결정, AlGaN 단결정, InGaN 단결정 또는 GaAs 단결정 중 적어도 어느 하나를 포함하며,
상기 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계는,
상기 베이스 기판에 상기 세그먼트 기판이 안착될 복수의 홈을 형성하거나 상기 세그먼트 기판 중 인접된 세그먼트 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 상기 베이스 기판에 대한 반대쪽 표면에 요철 패턴을 포함하는, 기판 형성 방법.
- 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계;
상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 복수의 세그먼트 기판을 부착하는 단계;
상기 베이스 기판의 엣지 부분에 더미 기판을 부착하는 단계; 및
상기 복수의 세그먼트 기판 및 상기 더미 기판에 후속공정을 실시하는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기판은, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(Si02) 기반의 글래스, 또는 산화물 기판 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 사파이어 단결정, 산화물 단결정, 실리콘 단결정, GaN 단결정, AlGaN 단결정, InGaN 단결정 또는 GaAs 단결정 중 적어도 어느 하나를 포함하며,
상기 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계는,
상기 베이스 기판에 상기 세그먼트 기판이 안착될 복수의 홈을 형성하거나 상기 세그먼트 기판 중 인접된 세그먼트 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 상기 베이스 기판에 대한 반대쪽 표면에 요철 패턴을 포함하는, 기판 형성 방법.
- 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계;
상기 베이스 기판의 일 표면에 복수 영역에 식각을 행하는 단계;
상기 복수 영역에 세그먼트 기판을 각각 부착시키는 단계; 및
상기 복수의 세그먼트 기판에 후속공정을 실시하는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기판은, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(Si02) 기반의 글래스, 또는 산화물 기판 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 사파이어 단결정, 산화물 단결정, 실리콘 단결정, GaN 단결정, AlGaN 단결정, InGaN 단결정 또는 GaAs 단결정 중 적어도 어느 하나를 포함하며,
상기 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계는,
상기 베이스 기판에 상기 세그먼트 기판이 안착될 복수의 홈을 형성하거나 상기 세그먼트 기판 중 인접된 세그먼트 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 상기 베이스 기판에 대한 반대쪽 표면에 요철 패턴을 포함하는, 기판 형성 방법.
- 삭제
- 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계;
상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작은 제1세그먼트 기판을 부착하는 단계;
상기 베이스 기판에 상기 베이스 기판보다 작고 상기 제1세그먼트와 다른 재료로 형성된 제2세그먼트 기판을 부착하는 단계; 및
상기 제1세그먼트 기판 및 상기 제2세그먼트 기판에 후속 공정을 실시하는 단계를 포함하고,
상기 베이스 기판은, 실리콘(Si), 실리콘 산화물(Si02) 기반의 글래스, 또는 산화물 기판 중 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 사파이어 단결정, 산화물 단결정, 실리콘 단결정, GaN 단결정, AlGaN 단결정, InGaN 단결정 또는 GaAs 단결정 중 적어도 어느 하나를 포함하며,
상기 방향 식별을 위한 식별형상부를 갖는 베이스 기판을 마련하는 단계는,
상기 베이스 기판에 상기 세그먼트 기판이 안착될 복수의 홈을 형성하거나 상기 세그먼트 기판 중 인접된 세그먼트 기판 사이에 스페이서를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 세그먼트 기판은 상기 베이스 기판에 대한 반대쪽 표면에 요철 패턴을 포함하는, 기판 형성 방법.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140072729A KR101844944B1 (ko) | 2014-06-16 | 2014-06-16 | 기판 형성 방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140072729A KR101844944B1 (ko) | 2014-06-16 | 2014-06-16 | 기판 형성 방법 |
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| KR20150144078A KR20150144078A (ko) | 2015-12-24 |
| KR101844944B1 true KR101844944B1 (ko) | 2018-05-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140072729A KR101844944B1 (ko) | 2014-06-16 | 2014-06-16 | 기판 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101844944B1 (ko) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217121A (ja) * | 2001-01-23 | 2002-08-02 | Fujitsu Ltd | 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法 |
-
2014
- 2014-06-16 KR KR1020140072729A patent/KR101844944B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
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| KR20150144078A (ko) | 2015-12-24 |
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