RU2014144362A - Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента - Google Patents

Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента Download PDF

Info

Publication number
RU2014144362A
RU2014144362A RU2014144362A RU2014144362A RU2014144362A RU 2014144362 A RU2014144362 A RU 2014144362A RU 2014144362 A RU2014144362 A RU 2014144362A RU 2014144362 A RU2014144362 A RU 2014144362A RU 2014144362 A RU2014144362 A RU 2014144362A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
concave
convex
formula
sections
pave
Prior art date
Application number
RU2014144362A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2604568C2 (ru
Inventor
Дзун КОИКЕ
Йосимити МИТАМУРА
Фудзито ЯМАГУТИ
Original Assignee
Асахи Касеи И-Матириалс Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Асахи Касеи И-Матириалс Корпорейшн filed Critical Асахи Касеи И-Матириалс Корпорейшн
Publication of RU2014144362A publication Critical patent/RU2014144362A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2604568C2 publication Critical patent/RU2604568C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/02428—Structure
    • H01L21/0243—Surface structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02658—Pretreatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

1. Оптическая подложка, которая включает в себя подложку и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована по части или всей поверхности подложки,причем, по меньшей мере, одна область вогнуто-выпуклой структуры включает в себя множество выпуклых участков, размещенных отстоящими друг от друга, и множество выпуклых участков включает в себя множество первых выпуклых участков, имеющих первую высоту, и множество вторых выпуклых участков, имеющих вторую высоту, меньшую, чем первая высота,средний интервал Pave между смежными первыми выпуклыми участками удовлетворяет формуле (1) ниже иФормула (1)50 нм ≤ Pave ≤ 1500 нмвторой выпуклый участок имеет высоту hn выпуклого участка, которая удовлетворяет отношению по формуле (2) ниже со средней высотой Have выпуклого участка вогнуто-выпуклой структуры, и присутствует с вероятностью Z, которая удовлетворяет формуле (3) ниже, в вогнуто-выпуклой структуре:Формула (2)0,6 Have ≥ hn ≥0Формула (3)1/10000 ≤ Z ≤ 1/5.2. Оптическая подложка по п. 1,в которой упомянутая область сформирована только с множеством выпуклых участков, и вероятность Z равна или больше, чем 1/1000, но равна или меньше, чем 1/10.3. Оптическая подложка по п. 2,в которой среднее расстояние Tcv-ave между первыми выпуклыми участками, смежными через второй выпуклый участок, и средний интервал Pave между смежными первыми выпуклыми участками удовлетворяет отношению по формуле (4) ниже:Формула (4)1,0 Pave≤Tcv-ave≤11 Pave.4. Оптическая подложка, которая включает в себя подложку и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована по части или всей поверхности на одной основной поверхности подложки,причем, по меньшей мере, одна область вогнуто-выпуклой структуры включает в себя множество вогнутых участков, размещенных отстоящими друг от друга, и множ

Claims (35)

1. Оптическая подложка, которая включает в себя подложку и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована по части или всей поверхности подложки,
причем, по меньшей мере, одна область вогнуто-выпуклой структуры включает в себя множество выпуклых участков, размещенных отстоящими друг от друга, и множество выпуклых участков включает в себя множество первых выпуклых участков, имеющих первую высоту, и множество вторых выпуклых участков, имеющих вторую высоту, меньшую, чем первая высота,
средний интервал Pave между смежными первыми выпуклыми участками удовлетворяет формуле (1) ниже и
Формула (1)
50 нм ≤ Pave ≤ 1500 нм
второй выпуклый участок имеет высоту hn выпуклого участка, которая удовлетворяет отношению по формуле (2) ниже со средней высотой Have выпуклого участка вогнуто-выпуклой структуры, и присутствует с вероятностью Z, которая удовлетворяет формуле (3) ниже, в вогнуто-выпуклой структуре:
Формула (2)
0,6 Have ≥ hn ≥0
Формула (3)
1/10000 ≤ Z ≤ 1/5.
2. Оптическая подложка по п. 1,
в которой упомянутая область сформирована только с множеством выпуклых участков, и вероятность Z равна или больше, чем 1/1000, но равна или меньше, чем 1/10.
3. Оптическая подложка по п. 2,
в которой среднее расстояние Tcv-ave между первыми выпуклыми участками, смежными через второй выпуклый участок, и средний интервал Pave между смежными первыми выпуклыми участками удовлетворяет отношению по формуле (4) ниже:
Формула (4)
1,0 Pave≤Tcv-ave≤11 Pave.
4. Оптическая подложка, которая включает в себя подложку и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована по части или всей поверхности на одной основной поверхности подложки,
причем, по меньшей мере, одна область вогнуто-выпуклой структуры включает в себя множество вогнутых участков, размещенных отстоящими друг от друга, и множество вогнутых участков включает в себя множество первых вогнутых участков, имеющих первую глубину, и множество вторых вогнутых участков, имеющих вторую глубину, меньшую, чем первая глубина,
средний интервал Pave между смежными первыми вогнутыми участками удовлетворяет формуле (5) ниже и
Формула (5)
50 нм ≤ Pave ≤ 1500 нм
второй вогнутый участок имеет глубину dn вогнутого участка, которая удовлетворяет отношению по формуле (6) ниже со средней глубиной Dave вогнутого участка вогнуто-выпуклой структуры, и присутствует с вероятностью Z, которая удовлетворяет формуле (7) ниже, в вогнуто-выпуклой структуре:
Формула (6)
0,6 Dave ≥ dn ≥0
Формула (7)
1/10000≤Z≤1/5.
5. Оптическая подложка по п. 4,
в которой упомянутая область сформирована только с множеством вогнутых участков, и вероятность Z равна или больше, чем 1/1000, но равна или меньше, чем 1/10.
6. Оптическая подложка по п. 5,
в которой среднее расстояние Tcc-ave между первыми вогнутыми участками, смежными через второй вогнутый участок, и средний интервал Pave между смежными первыми вогнутыми участками удовлетворяют отношению по формуле (8) ниже:
Формула (8)
1,0 Pave ≤ Tcc-ave ≤ 11 Pave.
7. Оптическая подложка, которая включает в себя подложку и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована по части или
всей поверхности подложки,
причем, по меньшей мере, одна часть вогнуто-выпуклой структуры включает в себя множество выпуклых участков, размещенных отстоящими друг от друга,
по меньшей мере, один участок из множества выпуклых участков является уникальным выпуклым участком, который включает в себя один или более выпуклых элементов или вогнутых элементов в поверхности и
средний интервал Pave в вогнуто-выпуклой структуре равен или больше, чем 1,5 мкм, но равен или меньше, чем 10 мкм.
8. Оптическая подложка по п. 7,
в которой в уникальном выпуклом участке доля покрытия выпуклого элемента или вогнутого элемента в поверхности выпуклого участка больше, чем 0%, но меньше, чем 100%.
9. Оптическая подложка, которая включает в себя основную часть подложки и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована по части или всей поверхности основной части подложки,
причем вогнуто-выпуклая структура включает в себя:
первую вогнуто-выпуклую структуру (L), которая обеспечена на основной поверхности основной части подложки и которая сформирована с множеством выпуклых участков и вогнутых участков, имеющих первый средний интервал (PL); и
вторую вогнуто-выпуклую структуру (S), которая обеспечена на поверхности, по меньшей мере, одного участка из выпуклого участка и вогнутого участка, образующего первую вогнуто-выпуклую структуру (L), и которая сформирована с множеством выпуклых участков и вогнутых участков, имеющих второй средний интервал (PS), и
отношение (PL/PS) между первым средним интервалом (PL) и вторым средним интервалом (PS) больше, чем 1, но равно или меньше, чем 2000.
10. Оптическая подложка по п. 9,
в которой первая вогнуто-выпуклая структура (L) включает в себя множество выпуклых участков, отстоящих друг от друга, и, по меньшей мере, на нижней части вогнутого участка первой вогнуто-
выпуклой структуры (L) обеспечен выпуклый участок или вогнутый участок второй вогнуто-выпуклой структуры (S).
11. Оптическая подложка по п. 9,
в которой первая вогнуто-выпуклая структура (L) включает в себя множество вогнутых участков, отстоящих друг от друга, и, по меньшей мере, на вершине выпуклого участка первой вогнуто-выпуклой структуры (L) обеспечен выпуклый участок или вогнутый участок второй вогнуто-выпуклой структуры (S).
12. Оптическая подложка по п. 10 или 11,
в которой доля покрытия второй вогнуто-выпуклой структуры (S) в первой вогнуто-выпуклой структуре (L) больше, чем 0%, но меньше, чем 100%.
13. Оптическая подложка по п. 10 или 11,
в которой диаметр выпуклого участка вогнуто-выпуклой структуры (S) уменьшается, по мере того как выпуклый участок продолжается от нижней части к вершине.
14. Оптическая подложка по п. 10 или 11,
в которой, по меньшей мере, одна область второй вогнуто-выпуклой структуры (S) включает в себя множество выпуклых участков, размещенных отстоящими друг от друга, и множество выпуклых участков включает в себя множество первых выпуклых участков, имеющих первую высоту, и множество вторых выпуклых участков, имеющих вторую высоту, меньшую, чем первая высота,
средний интервал Pave между смежными первыми выпуклыми участками удовлетворяет формуле (1) ниже и
Формула (1)
50 нм ≤Pave ≤ 1500 нм
второй выпуклый участок имеет высоту hn выпуклого участка, которая удовлетворяет отношению по формуле (2) ниже, со средней высотой Have выпуклого участка вогнуто-выпуклой структуры, и присутствует с вероятностью Z, которая удовлетворяет формуле (3) ниже, в вогнуто-выпуклой структуре:
Формула (2)
0,6 Have ≥ hn ≥0
Формула (3)
1/10000≤Z≤1/5.
15. Оптическая подложка по п. 14,
в которой упомянутая область сформирована только с множеством выпуклых участков.
16. Оптическая подложка по п. 14,
в которой среднее расстояние Tcv-ave между первыми выпуклыми участками, смежными через второй выпуклый участок, и средний интервал Pave между смежными первыми выпуклыми участками удовлетворяют отношению по формуле (4) ниже:
Формула (4)
1,0 Pave ≤ Tcv-ave ≤11 Pave.
17. Оптическая подложка по п. 10 или 11,
в которой, по меньшей мере, одна область вогнуто-выпуклой структуры (S) включает в себя множество вогнутых участков, размещенных отстоящими друг от друга, и множество вогнутых участков включает в себя множество первых вогнутых участков, имеющих первую глубину, и множество вторых вогнутых участков, имеющих вторую глубину, меньшую, чем первая глубина,
средний интервал Pave между смежными первыми вогнутыми участками удовлетворяет формуле (5) ниже и
Формула (5)
50 нм ≤ Pave ≤1500 нм
второй вогнутый участок имеет глубину dn вогнутого участка, которая удовлетворяет отношению по формуле (6) ниже, со средней глубиной Dave вогнутого участка вогнуто-выпуклой структуры, и присутствует с вероятностью Z, которая удовлетворяет формуле (7) ниже, в вогнуто-выпуклой структуре:
Формула (6)
0,6 Dave ≥ dn ≥0
Формула (7)
1/10000≤Z≤1/5.
18. Оптическая подложка по п. 17,
в которой упомянутая область сформирована только с множеством вогнутых участков.
19. Оптическая подложка по п. 17,
в которой среднее расстояние Tcc-ave между первыми вогнутыми участками смежными через второй вогнутый участок и средний интервал Pave между смежными первыми вогнутыми участками удовлетворяют отношению по формуле (8) ниже:
Формула (8)
1,0 Pave ≤ Tcc-ave ≤11 Pave.
20. Оптическая подложка, которая включает в себя основную часть подложки и вогнуто-выпуклую структуру, которая сформирована по части или всей поверхности основной части подложки,
причем вогнуто-выпуклая структура включает в себя:
первую вогнуто-выпуклую структуру (S), которая обеспечена на основной поверхности основной части подложки и которая сформирована с множеством выпуклых участков и вогнутых участков, имеющих первый средний интервал (PL); и
вторую вогнуто-выпуклую структуру (L), которая включает в себя множество выпуклых участков, которые обеспечены отстоящими друг от друга на поверхности первой вогнуто-выпуклой структуры (S) таким образом, что первая вогнуто-выпуклая структура (S) частично открыта, и которая имеет второй средний интервал (PS), и
отношение (PL/PS) между первым средним интервалом (PL) и вторым средним интервалом (PS) больше, чем 1, но равно или меньше, чем 2000.
21. Оптическая подложка по п. 20,
в которой диаметр выпуклого участка вогнуто-выпуклой структуры (S) уменьшается, по мере того как выпуклый участок продолжается от нижней части к вершине.
22. Оптическая подложка по п. 20,
в которой, по меньшей мере, одна область второй вогнуто-выпуклой структуры (S) включает в себя множество выпуклых участков, размещенных отстоящими друг от друга, и множество выпуклых участков включает в себя множество первых выпуклых участков, имеющих первую высоту, и множество вторых выпуклых участков, имеющих вторую высоту, меньшую, чем первая высота,
средний интервал Pave между смежными первыми выпуклыми участками удовлетворяет формуле (1) ниже и
Формула (1)
50 нм ≤Pave ≤ 1500 нм
второй выпуклый участок имеет высоту hn выпуклого участка, которая удовлетворяет отношению по формуле (2) ниже, со средней высотой Have выпуклого участка вогнуто-выпуклой структуры, и присутствует с вероятностью Z, которая удовлетворяет формуле (3) ниже, в вогнуто-выпуклой структуре:
Формула (2)
0,6 Have ≥ hn ≥0
Формула (3)
1/10000≤Z≤1/5.
23. Оптическая подложка по п. 22,
в которой упомянутая область сформирована только с множеством выпуклых участков.
24. Оптическая подложка по п. 22,
в которой среднее расстояние Tcv-ave между первыми выпуклыми участками, смежными через второй выпуклый участок, и средний интервал Pave между смежными первыми выпуклыми участками удовлетворяют отношению по формуле (4) ниже:
Формула (4)
1,0 Pave ≤ Tcv-ave ≤11 Pave.
25. Оптическая подложка по п. 20,
в которой, по меньшей мере, одна область вогнуто-выпуклой структуры (S) включает в себя множество вогнутых участков, размещенных отстоящими друг от друга, и множество вогнутых участков включает в себя множество первых вогнутых участков, имеющих первую глубину, и множество вторых вогнутых участков, имеющих вторую глубину, меньшую, чем первая глубина,
средний интервал Pave между смежными первыми вогнутыми участками удовлетворяет формуле (5) ниже и
Формула (5)
50 нм ≤ Pave ≤1500 нм
второй вогнутый участок имеет глубину dn вогнутого участка,
которая удовлетворяет отношению по формуле (6) ниже, со средней глубиной Dave вогнутого участка вогнуто-выпуклой структуры, и присутствует с вероятностью Z, которая удовлетворяет формуле (7) ниже, в вогнуто-выпуклой структуре:
Формула (6)
0,6 Dave ≥ dn ≥0
Формула (7)
1/10000≤Z≤1/5.
26. Оптическая подложка по п. 25,
в которой упомянутая область сформирована только с множеством вогнутых участков.
27. Оптическая подложка по п. 25,
в которой среднее расстояние Tcc-ave между первыми вогнутыми участками смежными через второй вогнутый участок и средний интервал Pave между смежными первыми вогнутыми участками удовлетворяют отношению по формуле (8) ниже:
Формула (8)
1,0 Pave ≤ Tcc-ave ≤11 Pave.
28. Полупроводниковый светоизлучающий элемент, содержащий:
по меньшей мере, одну или более оптических подложек по любому из пп. 1-11 и 20.
29. Полупроводниковый светоизлучающий элемент,
в котором на вогнуто-выпуклой структурной поверхности оптической подложки по любому из пп. 1-11 и 20, по меньшей мере, первый полупроводниковый слой, светоизлучающий полупроводниковый слой и второй полупроводниковый слой осаждены в этом порядке.
30. Полупроводниковый светоизлучающий элемент по п. 29,
в котором подложка или основная часть подложки сформирована из сапфира, SiC, Si, шпинели или нитридного полупроводника.
31. Полупроводниковый светоизлучающий элемент по п. 30,
в котором первый полупроводниковый слой, светоизлучающий полупроводниковый слой и второй полупроводниковый слой сформированы из полупроводника группы III-V.
32. Полупроводниковый светоизлучающий элемент по п. 31,
в котором первый полупроводниковый слой, светоизлучающий полупроводниковый слой и второй полупроводниковый слой сформированы из GaN полупроводника.
33. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента, содержащий:
этап подготовки оптической подложки по любому из пп. 1-11 и 20,
этап оптической проверки подготовленной оптической подложки; и
этап изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента с использованием оптически проверенной оптической подложки.
34. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента по п. 33,
в котором этап подготовки оптической подложки выполняют способом переноса с использованием формы, в которой микрорельеф сформирован на поверхности.
35. Способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента по п. 33,
в котором этап подготовки оптической подложки выполняют способом травления, который включает в себя, в следующем порядке, этап обеспечения, по меньшей мере, одного или более слоев маски на оптической подложке и этап травления через маску оптической подложки жидкостным травлением.
RU2014144362/28A 2012-04-02 2013-03-29 Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента RU2604568C2 (ru)

Applications Claiming Priority (15)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-084208 2012-04-02
JP2012084208 2012-04-02
JP2012103490 2012-04-27
JP2012-103489 2012-04-27
JP2012103489 2012-04-27
JP2012-103490 2012-04-27
JP2012-227295 2012-10-12
JP2012227295 2012-10-12
JP2012267488 2012-12-06
JP2012-267377 2012-12-06
JP2012267377 2012-12-06
JP2012-267488 2012-12-06
JP2012-280241 2012-12-21
JP2012280241 2012-12-21
PCT/JP2013/059635 WO2013150984A1 (ja) 2012-04-02 2013-03-29 光学基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014144362A true RU2014144362A (ru) 2016-05-27
RU2604568C2 RU2604568C2 (ru) 2016-12-10

Family

ID=49300468

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014144362/28A RU2604568C2 (ru) 2012-04-02 2013-03-29 Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента

Country Status (10)

Country Link
US (1) US9614136B2 (ru)
EP (5) EP2942820A1 (ru)
JP (1) JP6235459B2 (ru)
KR (2) KR101763460B1 (ru)
CN (1) CN104205370B (ru)
BR (1) BR112014024516A2 (ru)
IN (1) IN2014MN01916A (ru)
RU (1) RU2604568C2 (ru)
TW (1) TWI531086B (ru)
WO (1) WO2013150984A1 (ru)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103748699B (zh) * 2011-08-31 2017-03-15 旭化成株式会社 光学用基材以及半导体发光元件
US9614136B2 (en) * 2012-04-02 2017-04-04 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element
KR101421026B1 (ko) * 2012-06-12 2014-07-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법
EP2922103B1 (en) 2012-08-21 2017-04-05 Oji Holdings Corporation Substrate for semiconductor light emitting elements and semiconductor light emitting element
DE102013108876B4 (de) * 2013-08-16 2022-08-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement
CN104459855A (zh) * 2013-09-22 2015-03-25 清华大学 金属光栅的制备方法
CN104459854B (zh) * 2013-09-22 2017-12-01 清华大学 金属光栅的制备方法
CN104459852B (zh) * 2013-09-22 2017-02-01 清华大学 金属光栅的制备方法
TWI632696B (zh) 2013-10-11 2018-08-11 王子控股股份有限公司 半導體發光元件用基板之製造方法、半導體發光元件之製 造方法、半導體發光元件用基板、以及半導體發光元件
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
JP2015120879A (ja) * 2013-11-20 2015-07-02 旭化成イーマテリアルズ株式会社 レジスト組成物
KR102099441B1 (ko) * 2013-12-19 2020-04-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101894342B1 (ko) * 2013-12-27 2018-09-03 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 발광 소자
JP6295276B2 (ja) * 2014-01-10 2018-03-14 Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 光学基板、光学基板の製造に用いられるモールド、及び光学基板を含む発光素子
US9618836B2 (en) * 2014-04-22 2017-04-11 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for EUV lithography, substrate with funtion film for the mask blank, and methods for their production
JP6438678B2 (ja) * 2014-05-14 2018-12-19 Ｊｘｔｇエネルギー株式会社 凹凸構造を有するフィルム部材
EP3168656B1 (en) * 2014-07-10 2019-04-17 Scivax Corporation Optical element and method for producing same
TWI556002B (zh) * 2014-08-05 2016-11-01 群創光電股份有限公司 抗反射結構及電子裝置
CN105449058A (zh) * 2014-09-02 2016-03-30 展晶科技(深圳)有限公司 磊晶基板、磊晶基板的制造方法及发光二极管
TWI605616B (zh) * 2015-08-12 2017-11-11 固美實國際股份有限公司 用於發光二極體的圖案化基板
KR102412409B1 (ko) * 2015-10-26 2022-06-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP6229707B2 (ja) 2015-11-26 2017-11-15 日亜化学工業株式会社 発光素子及びその製造方法
US10340415B2 (en) * 2016-09-01 2019-07-02 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor device package including the same
TWI635639B (zh) * 2017-01-05 2018-09-11 機光科技股份有限公司 高折射高導熱ｏｌｅｄ元件
US10243099B2 (en) 2017-05-16 2019-03-26 Epistar Corporation Light-emitting device
KR102343099B1 (ko) * 2017-06-07 2021-12-24 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
CN109427940B (zh) * 2017-08-22 2020-04-24 比亚迪股份有限公司 发光二极管外延片及其制造方法
DE102018116783B4 (de) 2017-09-29 2024-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Halbleitersubstrat und Verfahren zum Fertigen von diesem
KR102456458B1 (ko) 2017-12-27 2022-10-18 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
US11181668B2 (en) * 2018-07-13 2021-11-23 University Of Notre Dame Du Lac High contrast gradient index lens antennas
EP3918390A4 (en) 2019-01-28 2022-10-05 B.G. Negev Technologies and Applications Ltd., at Ben-Gurion University STRUCTURE FOR A WAVEGUIDE FACET
US11249206B2 (en) * 2020-01-06 2022-02-15 Canon Medical Systems Corporation Method and system for PET detector efficiency normalization
CN111785836B (zh) * 2020-06-27 2022-12-16 上海师范大学 一种具有蛾眼结构空穴传输层的太阳能电池及其制备方法
RU202751U1 (ru) * 2020-08-11 2021-03-04 Постовой Денис Александрович Диодная сборка
DE102020215937A1 (de) 2020-12-15 2022-06-15 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur herstellung eines substrats mit einer strukturierten oberfläche und substrat mit einer strukturierten oberfläche

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4055503B2 (ja) 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP4178836B2 (ja) * 2002-05-29 2008-11-12 ソニー株式会社 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
KR100576854B1 (ko) * 2003-12-20 2006-05-10 삼성전기주식회사 질화물 반도체 제조 방법과 이를 이용한 질화물 반도체
US7449215B2 (en) * 2004-03-05 2008-11-11 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing display device
JP2005259970A (ja) 2004-03-11 2005-09-22 Nichia Chem Ind Ltd 半導体発光素子
JP2005354020A (ja) * 2004-05-10 2005-12-22 Univ Meijo 半導体発光素子製造方法および半導体発光素子
WO2006025277A1 (ja) 2004-08-31 2006-03-09 Meijo University 半導体発光素子製造方法および半導体発光素子
KR100610639B1 (ko) 2005-07-22 2006-08-09 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP4843284B2 (ja) * 2005-09-22 2011-12-21 パナソニック電工株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
KR100659373B1 (ko) 2006-02-09 2006-12-19 서울옵토디바이스주식회사 패터닝된 발광다이오드용 기판 및 그것을 채택하는 발광다이오드
JP5232969B2 (ja) * 2006-03-23 2013-07-10 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法
KR100828873B1 (ko) 2006-04-25 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100736623B1 (ko) * 2006-05-08 2007-07-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
KR100780233B1 (ko) 2006-05-15 2007-11-27 삼성전기주식회사 다중 패턴 구조를 지닌 반도체 발광 소자
KR100769727B1 (ko) * 2006-08-17 2007-10-23 삼성전기주식회사 표면 요철 형성방법 및 그를 이용한 질화갈륨계발광다이오드 소자의 제조방법
US7977695B2 (en) * 2007-09-21 2011-07-12 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
JP4993371B2 (ja) * 2007-11-21 2012-08-08 サンケン電気株式会社 半導体発光素子用ウエーハの粗面化方法及び半導体発光素子
US7598105B2 (en) * 2007-12-21 2009-10-06 Tekcore Co., Ltd. Light emitting diode structure and method for fabricating the same
RU2436195C1 (ru) * 2007-12-28 2011-12-10 Нития Корпорейшн Полупроводниковый светоизлучающий прибор и способ его изготовления
JP5042100B2 (ja) * 2008-03-28 2012-10-03 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 エピタキシャル成長用基板およびその製造方法ならびにｉｉｉ族窒化物半導体素子
JP5282503B2 (ja) * 2008-09-19 2013-09-04 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP5343225B2 (ja) * 2008-12-16 2013-11-13 スタンレー電気株式会社 Ｉｉ−ｖｉ族またはｉｉｉ−ｖ族化合物系半導体発光素子用エピタキシャルウエハ、および、その製造方法
TW201029073A (en) 2009-01-21 2010-08-01 Univ Nat Chunghsing Epitaxial wafer with low surface defect density
KR101148380B1 (ko) 2009-01-21 2012-05-24 내셔날 충싱 유니버시티 저결함 밀도를 가지는 에피택셜 구조 및 그 제조 방법
KR101134810B1 (ko) * 2009-03-03 2012-04-13 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
WO2010101348A1 (ko) 2009-03-05 2010-09-10 우리엘에스티 주식회사 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5196403B2 (ja) * 2009-03-23 2013-05-15 国立大学法人山口大学 サファイア基板の製造方法、および半導体装置
EP2477238B1 (en) * 2009-09-07 2017-12-20 EL-Seed Corporation Semiconductor light emitting element
JP2012033521A (ja) * 2010-07-28 2012-02-16 Hitachi Cable Ltd 基板、及び発光素子
JP5319641B2 (ja) 2010-10-14 2013-10-16 株式会社東芝 診断回路および半導体集積回路
JP2012103490A (ja) 2010-11-10 2012-05-31 Seiko Epson Corp 偏光素子とその製造方法、プロジェクター、液晶装置、電子機器
JP2012103489A (ja) 2010-11-10 2012-05-31 Dainippon Printing Co Ltd 保護フィルム、偏光板、液晶表示パネルおよび表示装置
JP2012124257A (ja) 2010-12-07 2012-06-28 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JP5730653B2 (ja) 2011-04-18 2015-06-10 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント 電子機器
WO2013125823A1 (en) * 2012-02-20 2013-08-29 Seoul Opto Device Co., Ltd. High efficiency light emitting diode and method of fabricating the same
US9614136B2 (en) * 2012-04-02 2017-04-04 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Optical substrate, semiconductor light-emitting element and method of manufacturing semiconductor light-emitting element
WO2013154150A1 (ja) * 2012-04-13 2013-10-17 旭化成株式会社 半導体発光素子用光抽出体及び発光素子
EP3010048B1 (en) * 2013-06-10 2017-08-09 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Semiconductor light-emitting device
CN105453277B (zh) * 2013-07-30 2018-01-30 国立研究开发法人情报通信研究机构 半导体发光元件及其制造方法
TWI632696B (zh) * 2013-10-11 2018-08-11 王子控股股份有限公司 半導體發光元件用基板之製造方法、半導體發光元件之製 造方法、半導體發光元件用基板、以及半導體發光元件
DE102014108301A1 (de) * 2014-06-12 2015-12-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips

Also Published As

Publication number Publication date
TWI531086B (zh) 2016-04-21
EP2942821A1 (en) 2015-11-11
EP2942822A1 (en) 2015-11-11
RU2604568C2 (ru) 2016-12-10
CN104205370B (zh) 2017-03-22
BR112014024516A2 (pt) 2017-07-25
EP2942819A1 (en) 2015-11-11
JPWO2013150984A1 (ja) 2015-12-17
TW201344959A (zh) 2013-11-01
EP2942820A1 (en) 2015-11-11
US9614136B2 (en) 2017-04-04
CN104205370A (zh) 2014-12-10
KR20160148052A (ko) 2016-12-23
EP2835836A1 (en) 2015-02-11
JP6235459B2 (ja) 2017-11-22
EP2835836B1 (en) 2019-06-19
WO2013150984A1 (ja) 2013-10-10
IN2014MN01916A (ru) 2015-07-10
EP2835836A4 (en) 2015-08-05
KR20140133867A (ko) 2014-11-20
KR101763460B1 (ko) 2017-07-31
US20150048380A1 (en) 2015-02-19
KR101862500B1 (ko) 2018-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014144362A (ru) Оптическая подложка, полупроводниковый светоизлучающий элемент и способ изготовления полупроводникового светоизлучающего элемента
JP2006135309A5 (ru)
EP2472566A3 (en) Template, method for manufacturing the template and method for manufacturing vertical type nitride-based semiconductor light emitting device using the template
US20140191243A1 (en) Patterned articles and light emitting devices therefrom
TWI528584B (zh) 製造供高效率氮化物系發光二極體用之奈米圖案化基材之方法
ATE482475T1 (de) Verfahren zur bildung einer quantentopfstruktur und verfahren zur herstellung eines lichtemittierenden halbleiterelements
EP2302703A3 (en) Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light emitting device
EP2237335A3 (en) White-light light emitting chips and fabrication methods thereof
WO2012148231A3 (ko) 초소형 led 소자 번들 및 그 제조방법
FR2984599B1 (fr) Procede de fabrication d'un micro- ou nano- fil semiconducteur, structure semiconductrice comportant un tel micro- ou nano- fil et procede de fabrication d'une structure semiconductrice
RU2013144315A (ru) Полупроводниковые устройства и способы изготовления
EP2482343A3 (en) Light emitting diode
CN102254809B (zh) 一种图形化蓝宝石衬底的干法刻蚀方法
CN101325237A (zh) 一种发光二极管芯片及其制造方法
CN105226144A (zh) 具有双层微纳米阵列结构的led图形化衬底的制作方法
RU2012134784A (ru) Светоизлучающее устройство из элементов iii-v групп, включающее в себя светоизлучающую структуру
WO2014120086A8 (en) Method of fabricating semiconductor devices
EP2492953A3 (en) Nitride based light emitting device using patterned lattice buffer layer and method of manufacturing the same
US9000445B2 (en) Light emitting diode with wave-shaped Bragg reflective layer and method for manufacturing same
WO2012173416A3 (en) Semiconductor light emitting device and method of menufacturing the same
WO2012091325A3 (ko) 나노 구조체를 이용한 발광다이오드 제조 방법과 이에 의해 제조된 발광다이오드
CN101908594A (zh) 一种反极性AlGaInP红光LED芯片电流扩展的制作方法
CN114203874A (zh) 一种图形化复合衬底、制备方法及led外延片
CN104835890A (zh) 用于倒装led芯片的衬底、外延片及其制作方法
CN103187495A (zh) 发光二极管芯片及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200330