JP5174052B2 - 低欠陥密度を有するエピタキシャル構造の製造方法 - Google Patents
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Description
本出願は2009年1月21日に出願した台湾出願第098102240号および2009年1月21に出願した台湾出願第098102239号への優先権を主張する。
Claims (13)
- 低欠陥密度を有するエピタキシャル構造の製造方法であって、
(a)パターン形成された基層(2)上に第1のエピタキシャル層(3)を形成すること、該パターン形成された基層(2)は、複数の間隔を空けた第2のリセス(21)および該第2のリセス(21)の間の複数の平坦な表面部分(22)で形成されており、この第1のエピタキシャル層(3)はエピタキシャル表面(30)および複数の集中した欠陥群(31)を有している;
(b)この第1のエピタキシャル層(3)を、このエピタキシャル表面(30)が集中した欠陥群(31)に対応する位置に複数の第1のリセス(32)を有し、第1のリセス(32)の大きさは互いに近似しているように、ウェットエッチング剤を用いてエッチングすること;
(c)第1のエピタキシャル層(3)上に、第1のリセス(32)の深さよりも大きな厚さを有する欠陥停止層(4’)を堆積させ、これによりこの欠陥停止層(4’)は第1のリセス(32)を充填し、そしてエピタキシャル表面(30)を被覆すること、この欠陥停止層(4’)は、除去速度が第1のエピタキシャル層(3)のものと異なっている物質で作られている;
(d)欠陥停止層(4’)を化学機械研磨法に付して、研磨剤を、エピタキシャル表面(30)と機械的に接触させて、第1のリセス(32)を、それぞれ、そして完全に充填する複数の欠陥停止ブロック(4)を形成させること、該欠陥停止ブロック(4)は、該エピタキシャル表面(30)と実質的に同一平面の磨かれた表面(41)を有している、
ここで、該化学機械研磨法は、該欠陥停止層(4’)の除去速度が、該第1のエピタキシャル層(3)の除去速度よりも速いように行なわれる;ならびに
(e)第2のエピタキシャル層(5)を該第1のエピタキシャル層(3)の上に形成させ、該第2のエピタキシャル層(5)が該第1のエピタキシャル層(3)の欠陥密度よりも低い欠陥密度を有する、
を含んでなる、方法。 - 前記の第2のリセス(21)がマトリックス配列で配置され、また1μm〜5μmの範囲の平均幅および該平均幅の1/5以上の平均深さを有していることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記のパターン形成された基層(2)が複数の間隔を空けた突起部(24)で形成されていることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 工程(b)において、前記のエッチングがいずれかのマスクを用いることなく実施されることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記のウェットエッチング剤がリン酸であり、また第1のエピタキシャル層(3)が窒化ガリウムで作られることを特徴とする、請求項4記載の方法。
- 前記の第1のリセス(32)が0.2μm超の平均深さを有することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記の第1のリセス(32)の平均深さの標準偏差が0.13μm以下であることを特徴とする、請求項6記載の方法。
- 前記の第1のリセス(32)が1μm〜6μmの範囲の平均幅を有していることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記の第1のリセス(32)が2μm〜4μmの範囲の平均幅を有していることを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 前記の第1のリセス(32)が3μmの平均幅を有していることを特徴とする、請求項9記載の方法。
- 前記の欠陥停止層(4’)が、二酸化ケイ素から作られ、前記第1のエピタキシャル層(3)が、窒化ガリウムから作られ、そして前記研磨剤の前記化学成分が、コロイド状二酸化ケイ素であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記のパターン形成された基層(2)および前記の第1のエピタキシャル層(3)を、前記の化学機械研磨工程の前に該パターン形成された基層(2)を平坦な板に付着させることにより平坦化することを更に含むこと特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記の集中した欠陥群(31)が螺旋転位を含み、また前記の第1のリセス(32)が該螺旋転位の上端部の上に形成されることを特徴とする、請求項1記載の方法。
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