JP5105621B2

JP5105621B2 - シリコン基板上にＩｎＧａＡｌＮ膜および発光デバイスを形成する方法

Info

Publication number: JP5105621B2
Application number: JP2008505717A
Authority: JP
Inventors: 江▲風▼益; 方文卿; 王立; 莫春▲蘭▼; ▲劉▼和初; 周毛▲興▼
Original assignee: ラティスパワー（チアンシ）コーポレイション
Priority date: 2005-04-15
Filing date: 2006-04-14
Publication date: 2012-12-26
Anticipated expiration: 2026-04-14
Also published as: EP1870945A1; US7888779B2; JP2008536319A; US20090050927A1; WO2006108359A1; CN1697205A; EP1870945A4; KR20080005495A

Description

（技術分野）
本発明は、半導体材料に関し、より詳細には、シリコン基板上にＩｎＧａＡｌＮ膜および発光デバイスを形成する方法に関する。

（背景技術）
Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜＝ｘ＜＝１、０＜＝ｙ＜＝１）は、短波長の発光デバイスを形成するために選択される材料のうちの１つである。近年、世界中の研究者は、多くの新規なＩｎＧａＡｌＮベースの発光デバイス、例えば、青色、緑色、および白色の発光ダイオード（ＬＥＤ）、ならびに紫色半導体レーザを開発してきた。これまでのところ、ＩｎＧａＡｌＮはまた、高性能の電子デバイスを形成するための良好な材料でもある。

既存の技術の中で、サファイア基板およびＳｉＣの基板上にＩｎＧａＡｌＮ材料を形成する方法が周知である。例えば、特許第２７３７０５３号の日本国特許は、サファイア基板上にＧａＮ材料を形成する方法を開示しており；特許文献１の米国特許は、ＳｉＣ基板上にＧａＮ材料を形成する方法を開示している。これらの一般に利用可能な技術に基づいて、高性能のＩｎＧａＡｌＮ材料を形成することができる。しかしながら、ＳｉＣ基板は非常に高価なので、ＳｉＣ基板を用いてＩｎＧａＡｌＮを形成することは、高コストの原因になり得る。サファイアもまた、高価である。さらに、サファイアは、絶縁体であり、加工が難しい。サファイア基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＮデバイスは、垂直方向の電極構成を有し得ない。結果として、ＩｎＧａＡｌＮデバイスをサファイア基板上に形成することは、複雑かつ高コストであり得る。成熟した半導体材料であるシリコンは、安価であるばかりではなく、伝導のタイプおよび抵抗性の点で、制御するのが容易である。さらに、シリコンを加工するための技術は、かなり成熟している。シリコンを用いてＩｎＧａＡｌＮ材料を形成することは、関連するコストを顕著に低減させ得る。しかしながら、シリコンとＩｎＧａＡｌＮ材料とは、かなりの格子不整合および熱不整合を示す。結果として、シリコン上に形成されたＩｎＧａＡｌＮ材料は、クラックする傾向があり、高性能の発光デバイスまたは電子デバイスを形成することには使用され得ない。論文（Ｐｈｙｓ．ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ａ）１８８，１５５（２００１））は、ＳｉＮのパターニングおよびマスキングを基板上に用いる方法を提供しており、クラッキングの量を低減させ得る。論文（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，２８８（２００１））は、横方向に閉じ込められたエピタキシ成長方法を提供しており、溝を形成することによって、応力の解放を改善している。しかしながら、この論文は、クラックのない領域は、（１１１）シリコン基板上に成長される厚さ０．７μｍのＧａＮ材料であり、１４．３μｍを超過し得ないということを結論として述べている。典型的な発光デバイスは、オーミック電極を形成する必要性から、１００×１００μｍ^２よりも大きなデバイス面積を要求し得る。したがって、公開された出版物によって開示されている方法は、効率的な発光デバイスを形成することには使用され得ない。
米国特許第５，６８６，７３８号明細書

（本発明の内容）
本発明の１つの目的は、クラックのないＩｎＧａＡｌＮ膜をシリコン基板上に形成する方法を提供することである。

本発明のさらなる目的は、ＩｎＧａＡｌＮ発光デバイスを形成する方法を提供することである。

本発明のこれらおよびその他の目的は、以下の詳細な説明において記載される。

本発明にしたがう、ＩｎＧａＡｌＮ（Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０＜＝ｘ＜＝１、０＜＝ｙ＜＝１）膜をシリコン基板上に形成する方法は、以下のステップ：
Ａ．シリコン基板の表面上に溝およびメサ（ｍｅｓａ）を含むパターンを形成するステップ；
Ｂ．ＩｎＧａＡｌＮ膜をシリコン基板の表面上に堆積するステップ；
を包含し、上記溝の深さは、６μｍ以上であり、溝の２つの側の２つのメサに成長されたＩｎＧａＡｌＮ膜は、分離している。

さらに、本発明における、（１１１）シリコン基板上にＩｎＧａＡｌＮ膜を形成する１つの方法にしたがうと、溝の深さは、６〜３００μｍであり、好適には、１０〜３０μｍである。溝の幅は、溝の２つの側の２つのメサに上に、横方向に成長された膜の幅よりも大きい。好適には、溝の幅は、６〜５０μｍである。溝の深さは、膜の厚さの２倍よりも大きくあり得る。基板上において、溝は線として現われ得、クロスハッチパターンを示し得る。溝は、互いに交差または結合して交差パターンを示したり、あるいは互いに交差し合わなかったりし得る。

本発明における、基板のパターンでシリコン基板上にＩｎＧａＡｌＮ膜を形成する１つの方法にしたがうと、分離した独立なメサの面積に対する周長の比は、１ｍｍ／ｍｍ^２よりも大きく、４０ｍｍ／ｍｍ^２未満であり、好適には４ｍｍ／ｍｍ^２よりも大きく、２０ｍｍ／ｍｍ^２未満である。上記パターンは、円形、三角形、長方形、正方形、多角形、またはその他の不規則的なパターンを含み得る。上記メサの面積は、１００×１００μｍ^２よりも大きく、３０００×３０００μｍ^２未満であり、好適には２００×２００μｍ^２よりも大きく、１０００×１０００μｍ^２未満であり得る。

本発明にしたがう、ＩｎＧａＡｌＮ（Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０＜＝ｘ＜＝１、０＜＝ｙ＜＝１）発光デバイスを形成する１つの方法は、ＩｎＧａＡｌＮ膜を形成する上述の方法を包含する。さらに、上記発光デバイスを形成する方法は、上記ＩｎＧａＡｌＮ膜の表面上または裏側にＰ型およびＮ型の電極を形成して、その後、溝に沿ってダイシングすることをも含み、これにより、各メサがそれぞれの発光デバイスを形成することを可能にする。

本発明において、複数の発光デバイスは、同時および独立的に同じシリコン基板上に形成され得る。

本発明にしたがう、ＩｎＧａＡｌＮ（Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ、０＜＝ｘ＜＝１、０＜＝ｙ＜＝１）発光デバイスをシリコン基板上に形成する方法は、以下のステップ：
Ａ．６μｍ以上の深さの溝をシリコン基板の表面上に形成し、これにより、上記基板の表面をメサの個数に分割するステップであって、その面積は、１００×１００μｍ^２よりも大きく、３０００×３０００μｍ^２未満である、ステップ；
Ｂ．多層ＩｎＧａＡｌＮ膜をシリコン基板上の表面上に堆積するステップ；
Ｃ．上記ＩｎＧａＡｌＮ膜の表面上または基板の裏側にＰ型およびＮ型の電極を形成するステップ；
Ｄ．上記溝に沿ってダイシングし、各メサがそれぞれの発光デバイスを形成することを可能にするステップ
を包含する。

本発明の方法を用いると、単に基板を前処理することによって、高性能で、クラックのない、面積の大きなＩｎＧａＡｌＮ膜を形成することができる。これにより、高性能の発光デバイスの大量生産が容易になる。

本発明において、シリコンとＩｎＧａＡｌＮ材料との間には、かなりの格子不整合および熱不整合があるので、大きなシリコン基板上に形成されたＩｎＧａＡｌＮ材料は、ＩｎＧａＡｌＮ材料が特定の厚さに達した後に、蓄積された応力が原因で、クラックし得る。本発明は、かなりの密度、深さ、および幅で、基板上に多数の溝を形成することにより、ＩｎＧａＡｌＮ膜に加えられる応力を低減させる。基板の表面は複数のセクションに分割されるので、各セクションにおいて成長されるＩｎＧａＡｌＮ材料は、互いに空間を空けて分離される。結果として、解放される表面が増大し、応力が低減される。一方、溝は、ＩｎＧａＡｌＮエピタキシャル膜と基板との間の応力の分布を変化させるためには、かなり深くなければならない。溝が十分深いとき、シリコンのメサは、より大きな応力を受け得るが、これは、メサ上に成長されたＩｎＧａＡｌＮ膜に加えられる応力を低減させ、膜がクラックすることを防止し得る。ＬＥＤに対するＩｎＧａＡｌＮ膜の厚さは、典型的には３μｍよりも大きいので、本発明の方法は、溝の厚さが６μｍよりも大きいことを要求する。

本発明において、基板上の溝は、線として現われ、異なるパターンを形成し得る。理想的には、これらの溝は、応力を低減させ、発光材料を使いやすいものにし得る。溝は、互いに交差または結合し得る。これらは、円形、三角形、長方形、正方形、多角形、またはその他の不規則的な形状を形成し得る。溝は、放射状のパターンを形成するか、あるいは溝どうしが互いに交差しないような任意のパターンを形成し得る。一般に、交差している溝は、基板を特定の形状の多数のセクションに分割し得る。上記セクションの形状は、正方形、長方形、または一般的に規則的であると考えられている任意の形状であり得る。一実施形態は、デバイスの形成を容易にするために、正方形の形状を選択する。溝は、成熟した方法、例えば、ドライエッチング、ウェットエッチング、機械的エッチング等を用いることにより、形成され得る。膜は、メサのエッジにおいて、横方向に成長し、メサの外側へと延びる傾向があるので、横方向の成長が原因で、メサに隣接する膜が結合されることを防止するためには、溝の幅は、横方向に成長する膜の厚さよりも大きくなければならない。好適には、溝の幅は、膜の厚さの２倍よりも大きい。応力を効率的に解放するために、溝の個数または長さは、基板の面積に基づいて、変動し得る。本発明においては、任意の独立のメサの面積に対する周長の比が１ｍｍ／ｍｍ^２よりも大きくなるように、溝の深さを十分に深く選択しなければならない。しかしながら、発光デバイスに対し、オーミック電極を形成するためには、溝の深さは過度に深くてはならない。一実施形態において、メサの表面積は、１００×１００μｍ^２よりも大きい。

シリコン基板上に成長されるＩｎＧａＡｌＮ材料は、非常に薄く脆いものであり得るので、デバイスのダイシングの間、ＩｎＧａＡｌＮ材料が成長される上側から基板へと、ダイシングブレードが近づくとき、ダイシングブレードは、ＩｎＧａＡｌＮ膜と接触し、ＩｎＧａＡｌＮ膜を損傷し得る。しかしながら、シリコンは、可視波長範囲において、透過性ではない。したがって、サファイア基板とは異なり、シリコン基板の裏側から基板をダイシングし、クラッキングすることは、困難であり得る。本発明の一実施形態において、デバイスのサイズに対応する、溝を備えたセクションは、ＩｎＧａＡｌＮ材料の形成の前に、基板上に形成される。この方法で、ダイシングブレードは、前形成された溝に沿って移動し得、基板のダイシングを実行し得る。一実施形態において、溝の幅は、ブレードの厚さよりも大きくあり得、このことは、ブレードと溝の壁との間の十分なクリアランス（ｃｌｅａｒａｎｃｅ）を可能にし、膜への損傷を防止するので、完全なデバイスを得ることが可能になる。本発明にしたがうと、デバイスの電極は、基板の同じ側に配置されるか、あるいは垂直の構成で配置され得る。本発明の方法にしたがうと、形成されたＩｎＧａＡｌＮ材料はまた、発光デバイスの形成の前に、別のシリコン基板、または別の材料に基づく基板の上にトランスファ（ｔｒａｎｓｆｅｒ）され得る。

複数の図面において、同じラベルおよび関連するオブジェクトは、同じ意味を有している。特に、ラベル「１」はメサを示し、ラベル「２」および「２’」は溝を示し、ラベル「３」はＩｎＧａＡｌＮ膜を示し、ラベル「４」はＰ型電極を示し、ラベル「５」はダイシングされた溝を示し、ラベル「６」はＮ型電極を示している。

本発明に含まれる機器は、産業界において一般的に使用されているものなので、本開示では、詳細には記載されない。

本発明は、本発明の様々な特徴またはコンポーネントを実施することを容易にするために、様々な実施形態を用いて示されており、具体例によって詳細に記載されている。しかしながら、本発明の用途を、示されている詳細な記述に制限することは、発明者の意図するところではない。本発明の特徴またはコンポーネントに関する改変が、本発明の精神から逸れることなしに、請求の範囲の範囲内でなされ得る。

（実施形態の例）
実施形態１：
図１に示されているパターンは、通常のフォトリソグラフィ技術およびプラズマエッチング技術を用いることにより、（１１１）シリコン基板上にエッチングされる。図１における正方形のセクション１は、エッチングされていないメサである。溝２は、エッチングの結果である。図２は、そのようなメサおよび溝の構造を、より明確に示している。この実施形態において、２つの隣接する正方形のセクションの中心の間の距離は、１００μｍである。溝の幅は６μｍであり、溝の深さは６μｍである。その後、パターニングされた基板は、シリコン基板に対して周知なクリーニング技術を用いることにより、クリーニングされ得る。その後、パターニングされた基板は、反応チャンバ内に配置される。発光デバイスによって要求されるＩｎＧａＡｌＮ多層構造は、バッファ層、Ｎ型層、発光層、およびＰ型層を含んでおり、上記多層構造は、基板の表面上に堆積される。多層ＩｎＧａＡｌＮ膜３は、４μｍの全厚を有している。堆積の後、基板の断面は、図３に示されているような構造を有する。図２および図３を比較すると、ＩｎＧａＡｌＮ材料が溝およびメサの両方の上に堆積されたことが、見て取れる。溝の深さは膜の厚さよりも大きいので、溝の内側で成長した膜は、メサで成長した膜から分離され得る。さらに、膜はまた、メサのエッジにおいて、外側に向けて横方向に成長し得る。溝は、十分広いので、隣接するメサの上で横方向に成長された膜は、分離したままであり得る。全てのメサの上で成長された膜は、互いに独立しているので、応力が解放され、メサの上にはクラックが生じ得ない。膜の成長が完了した後、Ｐ型電極４が、それぞれのメサの上に形成され得る。Ｎ型電極６は、基板の裏側の対応するセクションに形成され得る。次に、基板は溝２に沿ってダイシングされ、図６に示されているように、個別のデバイスが得られる。図７は、ウェハのダイシング後のデバイスの構造をさらに示している。

実施形態２：
図１に示されているパターンは、通常のフォトリソグラフィ技術およびプラズマエッチング技術を用いることにより、（１１１）シリコン基板上にエッチングされる。図１における正方形のセクション１は、エッチングされていないメサである。溝２は、エッチングの結果である。溝がエッチングされた後の基板の断面構造は、図２に示されている。この実施形態において、２つの隣接する正方形のセクションの中心の間の距離は、３０００μｍである。溝の幅は５０μｍであり、溝の深さは２００μｍである。その後、パターニングされた基板は、シリコン基板に対して周知なクリーニング技術を用いることにより、クリーニングされ得る。その後、パターニングされた基板は、反応チャンバ内に配置される。発光デバイスによって要求されるＩｎＧａＡｌＮ多層構造は、バッファ層、Ｎ型層、発光層、およびＰ型層を含んでおり、上記多層構造は、基板の表面上に堆積される。多層ＩｎＧａＡｌＮ膜３は、４μｍの全厚を有している。堆積の後、基板は、図３に示されているような断面構造を有する。フォトリソグラフィ技術およびＩＣＰエッチング技術を用いることにより、エッチングメサ上の小さな領域がエッチングされ、その結果、ＩｎＧａＡｌＮ多層構造３のＮ型層は、この領域において露出される。Ｎ型電極６は、露出されたＮ型層の上に形成される。Ｐ型電極は、メサのエッチングされていない側（Ｐ型層）の上に形成される。その後、基板は溝２に沿ってダイシングされ、分離したデバイスチップが得られる。

実施形態３：
図面を参照すると、図４に示されている三角形のパターンは、通常のフォトリソグラフィ技術およびプラズマエッチング技術を用いることにより、（１１１）シリコン基板上にエッチングされる。図４におけるセクション１は、エッチングされていないメサである。溝２は、エッチングの結果である。この実施形態において、三角形の各側は、３００μｍである。溝の幅は２０μｍであり、溝の深さは２０μｍである。その後、パターニングされた基板は、シリコン基板に対して周知なクリーニング技術を用いることにより、クリーニングされる。その後、パターニングされた基板は、反応チャンバ内に配置される。発光デバイスによって要求されるＩｎＧａＡｌＮ多層構造は、バッファ層、Ｎ型層、発光層、およびＰ型層を含んでおり、上記多層構造は、基板の表面上に堆積される。多層ＩｎＧａＡｌＮ膜３は、４μｍの全厚を有している。膜が成長された後、Ｐ型電極４が、各メサの上に形成される。Ｎ型電極６は、基板の裏側の対応するセクションに形成される。基板は、溝２に沿ってダイシングされ、分離したデバイスチップが得られる。

実施形態４：
図面を参照すると、図５に示されているパターンは、通常のフォトリソグラフィ技術およびプラズマエッチング技術を用いることにより、（１１１）シリコン基板上にエッチングされる。セクション１は、エッチングされていないメサである。領域２および領域２’は、エッチングされた溝領域である。溝２は、互いに直交しており、溝２’のうちの１つと溝２のうちの１つとは、４５°の角度をなしている。溝２は、表面を正方形のセクションに分割し、正方形のセクションの各側は、４０００μｍである。溝２’は、溝を更なる部分に分割する。単一の溝２’の長さは、１５００μｍである。パターニングされた基板は、シリコン基板に対して周知なクリーニング技術を用いることにより、クリーニングされる。その後、パターニングされた基板は、反応チャンバ内に配置される。発光デバイスによって要求されるＩｎＧａＡｌＮ多層構造は、バッファ層、Ｎ型層、発光層、およびＰが多層を含んでおり、上記多層構造は、基板の表面上に堆積される。多層ＩｎＧａＡｌＮ膜３は、３μｍの全厚を有している。膜が成長された後、Ｐ型電極が、各メサの上に形成される。Ｎ型電極６は、基板の裏側の対応する各セクションに形成される。基板は、溝２に沿ってダイシングされ、分離したデバイスチップが得られる。

実施形態５：
図１に示されているパターンは、通常のフォトリソグラフィ技術およびプラズマエッチング技術を用いることにより、（１１１）シリコン基板上にエッチングされる。長方形のセクション１は、エッチングされていないメサである。領域は、エッチングされた溝領域である。溝がエッチングされた後の基板の断面構造は、図２に示されている。この実施形態において、各セクションは、５００×４００μｍの寸法を有する長方形である。溝の幅は３０μｍであり、溝の深さは３００μｍである。パターニングされた基板は、シリコン基板に対して周知なクリーニング技術を用いることにより、クリーニングされる。その後、パターニングされた基板は、反応チャンバ内に配置される。発光デバイスによって要求されるＩｎＧａＡｌＮ多層構造は、バッファ層、Ｎ型層、発光層、およびＰ型層を含んでおり、上記多層構造は、基板の表面上に堆積される。多層ＩｎＧａＡｌＮ膜３は、６μｍの全厚を有している。堆積の後、基板は、図３に示されているような断面構造を有する。フォトリソグラフィおよびＩＣＰエッチングを用いることにより、エッチングメサ上の小さな領域がエッチングされ、その結果、ＩｎＧａＡｌＮ多層構造３のＮ型層は、この領域において露出される。Ｎ型電極６は、露出されたＮ型層の上に形成される。Ｐ型電極は、メサのエッチングされていない側（Ｐ型層）の上に形成される。その後、基板は、溝２に沿ってダイシングされ、分離したデバイスチップが得られる。

図１は、溝を用いてエッチングされた基板の表面の一部分を示している。図２は、図１に示された基板のＡ−Ａ方向の断面図を示している。図３は、シリコン基板の断面図を示しており、上記シリコン基板上では、ＩｎＧａＡｌＮ膜が成長されている。図４は、本発明の一実施形態にしたがう、エッチングされた溝を有する基板の表面を示している。図５は、本発明のさらなる実施形態にしたがう、エッチングされた溝を有する基板の表面を示している。図６は、図１および図３に示された基板を用いて形成されたダイシング後のデバイスを示しており、電極が形成されている。図７は、図６に示されたデバイスのＢ−Ｂ方向の断面図を示している。

Claims

シリコン基板上にＩｎＧａＡｌＮ薄膜を製造する方法であって、
該方法は、
該シリコン基板の上に溝をエッチングすることによって、所定の形状のメサを有するパターンを生成することと、
該シリコン基板の上にＩｎＧａＡｌＮ半導体材料を堆積することと、
メサの上にクラックのないＩｎＧａＡｌＮ構造を取得することと
を包含し、
溝は、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下の深さを有し、
２つの隣接したメサの上のＩｎＧａＡｌＮ構造は、分離しており、
該溝は、第１のセットの溝と、第２のセットの溝とを含み、該第１のセットの溝は、連続的であり、かつ、正方形のグリッドパターンを形成するように互いに直交するように配置されており、該第２のセットの溝は、連続的ではなく、かつ、該第１のセットの溝と４５°の角度で配置される、方法。
前記溝の幅は、前記２つの隣接したメサの上に横方向に成長した薄膜の全厚よりも大きい、請求項１に記載の方法。
前記溝の幅は、前記２つの隣接したメサの上に横方向に成長した薄膜の全厚の少なくとも２倍である、請求項２に記載の方法。
前記溝の幅は、６μｍ以上かつ５０μｍ以下である、請求項１に記載の方法。
メサの面積に対する周長の比は、１ｍｍ^−１以上かつ４０ｍｍ^−１以下である、請求項１に記載の方法。
メサの面積に対する周長の比は、４ｍｍ^−１以上かつ２０ｍｍ^−１以下である、請求項５に記載の方法。
前記メサの面積は、１００×１００μｍ^２以上かつ３０００×３０００μｍ^２以下である、請求項１に記載の方法。
前記メサの面積は、２００×２００μｍ^２以上かつ１０００×１０００μｍ^２以下である、請求項７に記載の方法。
前記ＩｎＧａＡｌＮ構造の上に電極を製造することと、
前記基板をダイシングすることによって、該ＩｎＧａＡｌＮ構造を分離することと
をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
シリコン基板の上にＩｎＧａＡｌＮ薄膜を製造する方法によって製作されるＩｎＧａＡｌＮ発光デバイスであって、
該方法は、
該シリコン基板の上に溝をエッチングすることによって、所定の形状のメサを有するパターンを生成することと、
該シリコン基板の上にＩｎＧａＡｌＮ半導体材料を堆積することと、
メサの上にクラックのないＩｎＧａＡｌＮ構造を取得することと
を包含し、
溝は、１０μｍ以上かつ３０μｍ以下の深さを有し、
２つの隣接したメサの上のＩｎＧａＡｌＮ構造は、分離しており、
該溝は、第１のセットの溝と、第２のセットの溝とを含み、該第１のセットの溝は、連続的であり、かつ、正方形のグリッドパターンを形成するように互いに直交するように配置されており、該第２のセットの溝は、連続的ではなく、かつ、該第１のセットの溝と４５°の角度で配置される、ＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。
前記溝の幅は、前記２つの隣接したメサの上に横方向に成長した薄膜の全厚よりも大きい、請求項１０に記載のＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。
前記溝の幅は、前記２つの隣接したメサの上に横方向に成長した薄膜の全厚の少なくとも２倍である、請求項１１に記載のＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。
前記溝の幅は、６μｍ以上かつ５０μｍ以下である、請求項１０に記載のＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。
メサの面積に対する周長の比は、１ｍｍ^−１以上かつ４０ｍｍ^−１以下である、請求項１０に記載のＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。
メサの面積に対する周長の比は、４ｍｍ^−１以上かつ２０ｍｍ^−１以下である、請求項１４に記載のＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。
前記メサの面積は、１００×１００μｍ^２以上かつ３０００×３０００μｍ^２以下である、請求項１０に記載のＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。
前記メサの面積は、２００×２００μｍ^２以上かつ１０００×１０００μｍ^２以下である、請求項１６に記載のＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。
前記方法は、
前記ＩｎＧａＡｌＮ構造の上に電極を製造することと、
前記基板をダイシングすることによって、該ＩｎＧａＡｌＮ構造を分離することと
をさらに包含する、請求項１０に記載のＩｎＧａＡｌＮ発光デバイス。