JP2011233866A - 有機金属化学気相堆積装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機金属化学気相堆積装置のウエハサセプタの表面の面積を有効に利用する。
【解決手段】当該有機金属化学気相堆積装置は、反応室、回転スタンド、ウエハサセプタ206a、ヒーター、シャワーヘッドを含む。反応室は、開口部を有する。回転スタンドは、反応室に設けられる。ウエハサセプタ206aは、回転スタンドに設けられ、回転スタンドにより連動して回転する。その内、ウエハサセプタ206aは、その一表面に設けられて複数のウエハを積込むことに適用され、前記ウエハに対応する複数の多辺形窪み領域214a,224を含む。ヒーターは、回転スタンド内で、ウエハサセプタ206aの下に設けられる。シャワーヘッドは、ウエハサセプタ206aの表面210に向かって反応気体を放出するように、反応室の開口部を覆う。
【選択図】図4

Description

本発明は、化学気相堆積(Chemical Vapor Deposition;CVD)装置に関し、特に、有機金属化学気相堆積(Metal−Organic CVD;MOCVD)装置に関する。
発光ダイオード(LED)の製造プロセスにおいて、各半導体層のエピタクシー工程は、非常に重要なステップである。発光ダイオードのエピタクシー工程において、一般的には有機金属化学気相堆積(Metal−Organic CVD;MOCVD)装置を用いて行い、かつエピタクシープロセスを行うように、ウエハサセプタ(Wafer Susceptor)を利用してウエハを積込む必要がある。
図1は、従来の有機金属化学気相堆積装置を示す略図である。従来の有機金属化学気相堆積装置200は、主に反応室202、回転スタンド204、ウエハサセプタ206、ヒーター208、シャワーヘッド216を含む。
半導体材料層のエピタクシー作業は反応室202内で行われる。反応室202は一般に開口部220を有し、複数のウエハを開口部220を介してウエハサセプタ206に載せる。また、製造プロセスの需要によって、反応室202は選択的に少なくとも一つの排気口222を設けてよい。その内、排気口222は常に反応室202の下部に設けられ、余計な反応気体と製造プロセスで発生した廃ガスを排出する。回転スタンド204は反応室202内に設けられる。回転スタンド204の構造は例えば中空柱体又は支持構造であってよい。製造プロセスの需要によって、回転スタンド204は反応室202内でその場で自転してよい。
ウエハサセプタ206は、複数のウエハ212をサポートして積込むためのものであって、ウエハ212に反応室202内でエピタクシープロセスを行わせる。ウエハサセプタ206は、回転スタンド204に支持されるように回転スタンド204に設けられる。ウエハサセプタ206は、例えば挟み固定のような方式で、回転スタンド204に固定される。そこで、回転スタンド204が回転すると、その上に固定されたウエハサセプタ206は連動して回転し、更にウエハサセプタ206に載せられたウエハ212が連動して回転する。
図1に示すように、ヒーター208は、回転スタンド204内で、ウエハサセプタ206の下に設けられて、ウエハサセプタ206に載せられたウエハ212に対して加熱処理を行う。その内、ヒーター208の動作は回転スタンド204とは独立的に行われることが好ましい。即ち、ヒーター208は、回転スタンド204の回転により連動して回転せず、ウエハをヒーターに均一に加熱されいるままで、製造プロセスを行う。
シャワーヘッド216は、反応室202に設けられ、反応室202の開口部220を覆う。シャワーヘッド216の下表面には、ウエハサセプタ206に載せられたウエハ212と対向する複数の噴気孔217を有する。そのため、シャワーヘッド216に入った反応気体218は、噴気孔217を通して反応室202に向かって放出され、反応室において製造プロセス条件で化学反応を行った後で、ウエハサセプタ206の表面210及びウエハ212の表面で、例えばエピタクシー等のような堆積ステップを行う。従来のウエハサセプタ206のすべては、2インチウエハサポートゾーンをウエハサセプタ全体に分布するように設計される。その内、これらのウエハサポートゾーンはサイズが小さいので、緊密に並べるように設けてよく、更に高いウエハサセプタ利用効率が得られる。
製造プロセス技術の進歩に伴い、採用するウエハのサイズも徐々に増加してきた。例として、発光ダイオードの製造において、青光エピタクシー基板は、従来の2インチから現在の4インチまで発展した。基板サイズの増加は、一般的に後の結晶粒子製造プロセスのコストを下げることを目的とする。しかし、元の反応室のサイズに制限されるために、ウエハサセプタのサイズを拡大することができない。この場合に、4インチウエハを積込むように、ウエハサセプタのサポートゾーンを新しく計画し調整すると、設置できる4インチウエハサポートゾーン数は大幅に7つまで縮減する。図2は、4インチウエハサセプタを示す上面図である。ウエハサセプタ206は、一般に円板状構造である。ウエハサセプタ206の表面210に、複数のウエハサポートゾーン214が設けられた。これらのウエハサポートゾーン214は、一般的にウエハサセプタ206の表面210における窪み領域(Pocket)に設けられて、ウエハを確実に積込む。
従来のウエハサセプタ206において、ウエハサポートゾーン214のすべては円形窪みである。しかし、ウエハサポートゾーン214の形状に制限されるために、円形窪みの間に避けられない隙間が発生するので、これらのウエハサポートゾーン214はウエハサセプタ206の表面210で緊密に並べられなくなる。このように、ウエハサセプタ206の表面210の面積を浪費して、ウエハサセプタ206を有効に利用できなくなる。そして、ウエハサセプタ206に積込まれるウエハ数もそれで制限される。このため、発光ダイオードの産出数量も減少して、量産に不利である。
そこで、本発明の一態様は、そのウエハサセプタに複数の多辺形窪み領域を含む有機金属化学気相堆積装置を提供する。多辺形窪み領域の辺の間が密接的に並べられる特性により、多辺形窪み領域をウエハサセプタの表面で緊密に並べることができる。そのため、ウエハサセプタの表面の面積を有効に利用できる。
本発明のまた他の態様は、そのウエハサセプタのサポート面の利用率が高いので、積み込めるウエハ数を有効に増加した有機金属化学気相堆積装置を提供する。そのため、発光ダイオードの産出数量を増加でき、高い量産能力を有する。
本発明の前記目的によれば、有機金属化学気相堆積装置を提供する。当該有機金属化学気相堆積装置は、反応室、回転スタンド、ウエハサセプタ、ヒーター、シャワーヘッド(Shower Head)を含む。反応室は、開口部を有する。回転スタンドは、反応室に設けられる。ウエハサセプタは、回転スタンドに設けられ、回転スタンドにより連動して回転する。その内、ウエハサセプタは、その一表面に設けられて、複数のウエハを積込むことに適用されて、前記ウエハに対応する複数の多辺形窪み領域を含む。ヒーターは、回転スタンド内で、ウエハサセプタの下に設けられる。シャワーヘッドは、ウエハサセプタの表面に向かって反応気体を放出するように、反応室の開口部を覆う。
本発明の一実施例によれば、前記多辺形窪み領域は、同じ形状を有する。
本発明のまた他の実施例によれば、前記多辺形窪み領域は、異なる形状を有する。
本発明の又一つの実施例によれば、前記多辺形窪み領域の形状は、積込むウエハの形状と同じである。
本発明の更に一つの実施例によれば、前記各多辺形窪み領域の少なくとも一辺は、隣接する多辺形窪み領域の少なくとも一辺と接合する。
ウエハサセプタに緊密に並べられる多辺形窪み領域を設けてウエハを積込むことにより、ウエハサセプタの表面積の利用率を大幅に向上し、更にウエハサセプタに積み込めるウエハ数を増加することができる。そこで、発光ダイオードの産出数量を有効に向上し、相当に優れた量産能力を有する。
下記図面の説明は、本発明の前記又は他の目的、特徴、メリット、実施例をより分りやくするためのものである。
従来の有機金属化学気相堆積装置を示す略図である。 従来のウエハサセプタを示す上面図である。 本発明の一実施形態による有機金属化学気相堆積装置を示す略図である。 本発明の一実施形態によるウエハサセプタを示す上面図である。 本発明のまた他の実施形態によるウエハサセプタを示す上面図である。 本発明の又一つの実施形態によるウエハサセプタを示す上面図である。
図3は、本発明の一実施形態による有機金属化学気相堆積装置を示す略図である。有機金属化学気相堆積装置200aは、主に反応室202、回転スタンド204、ウエハサセプタ206a、ヒーター208、シャワーヘッド216を含む。有機金属化学気相堆積装置200aは図1に示す有機金属化学気相堆積装置200装置とほぼ同じである。図2及び図4を同時に参照すれば、両者の相違点は、有機金属化学気相堆積装置200aのウエハサセプタ206aが多辺形窪み領域214aと224を含み、(従来の)有機金属化学気相堆積装置200のウエハサセプタ206が円形ウエハサポートゾーン214を含むことである。
発光ダイオードの半導体材料層のエピタクシープロセスにおいて、一定の反応室202内で化学反応により発生したエピタクシー生成物は、全面的にウエハサセプタ206aの表面に堆積する。それで、ウエハ間の隙間に堆積したエピタクシー層は後の製造プロセスを行うことができないので、無駄な浪費を引き起こしてしまう。そこで、同様な反応室の空間で処理できるユニット数が多ければ、ユニットの製造コストを下げることができる。これによって、ウエハサセプタ206aの設計はユニットの産出数量の多寡に影響を与えることが了解できる。
本実施形態において、ウエハサセプタ206aの表面210に複数の多辺形窪み領域214aと224を含む。その内、これらの多辺形窪み領域214aと224は、ウエハサセプタ206aの表面210に凹んで設けられて、ウエハ212aを反応室202内で確実サポートして製造プロセスを行う。
図4に示す実施例において、これらの多辺形窪み領域214aと224のそれぞれは例えば六辺形のような同じ形状を有する。しかし、また他の実施例において、これらの多辺形窪み領域214aと224は例えば六辺形と三角形が組み合わせるような異なる形状を有してよい。多辺形窪み領域214aと224の形状は、積込むウエハ212aの形状と同じであってよいが、異なってもよい。例として、多辺形窪み領域214aが六辺形窪みである場合に、六辺形のウエハ212aを積込んでよいが、四辺形又は円形等の他の形状のウエハ212aを積込んでもよい。
また、一実施例において、各多辺形窪み領域は同じサイズを有し、即ち各窪み領域の大きさが一致であり、形状が同じである。また他の実施例において、各多辺形窪み領域は同じ形状を有してよいが、少なくとも二つの異なるサイズを有し、例えば、図4に示す多辺形窪み領域214aと224が同じ形状を有するが、多辺形窪み領域214aのサイズが多辺形窪み領域224より大きい。
一実施例において、ウエハサセプタ206aの多辺形窪み領域の形状は、三角形、四辺形、五辺形、六辺形又は八辺形等のような緊密に並べられる多辺形である。図4に示すように、本実施形態において、ウエハサセプタ206aの表面210の面積をより有効に利用するために、各多辺形窪み領域214aと224の少なくとも一辺を隣接する多辺形窪み領域214aと224の少なくとも一辺と接合させるように、これらの多辺形窪み領域214aと224を緊密に並べる。
図1と図3を同時に参照すると、本実施形態の多辺形窪み領域214aと224において隣接する両者間の間隔は、図1のウエハサポートゾーン214において隣接する両者間の間隔より小さいことがはっきり見える。そのため、従来のサセプタ206に比べて、本実施形態のサセプタ206aの積込面積がより有効に利用でき、更にユニットの生産効率を向上できる。
多辺形窪み領域214aと224の深さは、積込むウエハ212aの厚みより小さい又は等しいことが好ましい。そのため、ウエハ212aがウエハサセプタ206aに積込まれると、ウエハ212aはウエハサセプタ206aの表面210と同じような高さ、又はウエハサセプタ206aの表面210より少し高い。このように、続いて、ウエハサセプタ206aに載せられたウエハ212aで、例えばエピタクシー等のような堆積ステップを行う場合に、堆積する材料が多辺形窪み領域214aと224の側壁を覆うことを避けて、更に多辺形窪み領域214aと224の側壁における堆積物が製造プロセスに影響を与えることをなくす。
図5は、本発明のまた他の実施形態によるウエハサセプタを示す上面図である。この実施形態において、ウエハサセプタ300に含まれる、その表面302に凹んで設けられる多辺形窪み領域304の形状は六辺形である。そして、これらの多辺形窪み領域304の形状は、図5で点線で表す対応の円306の外接多辺形であってよく、例えば外接六辺形である。図5から分かるように、対応の円306に比べて、多辺形窪み領域304の設置方式によって、サセプタ300の積込面積をより有効に利用できる。また、図4の発明実施例に比べて、本発明の実施形態に設計された六辺形は、実際に大きさが同じである面積を有し、かつ例えば多辺形窪み領域214aの面積より小さい。このように、本発明の実施形態によって、より好ましいサセプタ300の面積利用率を有させる。
本発明において、ウエハサセプタの多辺形窪み領域の形状は、三辺より多い又は等しい多辺形であってよい。図6は、本発明の又一つの実施形態によるウエハサセプタを示す上面図である。この実施形態において、ウエハサセプタ400に含まれる、その表面402に凹んで設けられる多辺形窪み領域404の形状は三角形である。
直径が31枚の2インチウエハを積込める380mmサセプタを例とする。当該380mmサセプタで31枚の2インチウエハを積込む場合に、被覆面積が97.3896平方インチである。図2に示すように、当該サセプタで4インチウエハを積込む場合に、被覆面積が87.9648平方インチとなり、31枚の2インチウエハを積込む場合に比べて、被覆面積が9.7%減少した。図4に示すように、当該サセプタで直径4インチの円の外接六辺形、及び6枚のサイズが小さく同様に六辺形であるウエハを積込む場合に、被覆面積が20.785平方インチ増加し、被覆率が33%と増加した。
前記本発明の実施形態から分かるように、本発明の長所の一つは、本発明の有機金属化学気相堆積装置のウエハサセプタが複数の多辺形窪み領域を含むので、ウエハサセプタの表面に緊密に並べられることにある。そのため、エピタクシー堆積ステップは、ほぼすべてがウエハの表面で行われ、ウエハサセプタの隙間領域に浪費しなく、ウエハサセプタの表面の面積を有効に利用できる。
前記本発明の実施形態から分かるように、本発明のまた他の長所は、本発明の有機金属化学気相堆積装置において、ウエハサセプタのサポート面の利用率が高いので、積込まれるウエハの面積を有効に増加できることにある。そのため、発光ダイオードの生産能力を増加でき、生産率を高めることができ、高い量産能力を有する。
本発明では好適な実施例を前述の通り開示したが、これは本発明を限定するものではなく、当業者であれば、本発明の精神と範囲から逸脱しない限り、多様の変動や修正を加えることができ、従って、本発明の保護範囲は、後の特許請求の範囲の記載によって限定される。
200 有機金属化学気相堆積装置202 反応室206 ウエハサセプタ208 ヒーター212 ウエハ214 多辺形窪み領域216 シャワーヘッド218 反応気体222 排気口300 ウエハサセプタ304 多辺形窪み領域400 ウエハサセプタ404 多辺形窪み領域200a 有機金属化学気相堆積装置204 回転スタンド206a ウエハサセプタ210 表面212a ウエハ214a 多辺形窪み領域217 噴気孔220 開口部224 多辺形窪み領域302 表面306 対応の円402 表面

Claims (10)

  1. 開口部を有する反応室と、
    前記反応室に設けられる回転スタンドと、
    前記回転スタンドに設けられ、前記回転スタンドにより連動して回転し、その一表面に設けられて、複数のウエハを積込むことに適用されて、前記ウエハに対応する複数の多辺形窪み領域を含むウエハサセプタと、
    前記回転スタンド内で、前記ウエハサセプタの下に設けられるヒーターと、
    前記ウエハサセプタの前記表面に向かって反応気体を放出するように、前記反応室の前記開口部を覆うシャワーヘッドと、
    を含む有機金属化学気相堆積(MOCVD)装置。
  2. 前記多辺形窪み領域は、同じ形状を有する請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
  3. 前記多辺形窪み領域は、異なる形状を有する請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
  4. 前記多辺形窪み領域の形状は、積込む前記ウエハの形状と同じである請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
  5. 前記多辺形窪み領域の深さは、積込む前記ウエハの厚みより小さい又は等しい請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
  6. 各前記多辺形窪み領域の少なくとも一辺は、隣接する前記多辺形窪み領域の少なくとも一辺と接合する請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
  7. 前記多辺形窪み領域は、同じサイズを有する請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
  8. 前記多辺形窪み領域は、少なくとも二つの異なるサイズを有する請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
  9. 前記多辺形窪み領域の形状は、三角形、四辺形、五辺形、六辺形又は八辺形である請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
  10. 前記ヒーターは、前記回転スタンドにより連動して回転しない請求項1に記載の有機金属化学気相堆積装置。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5999807B2 (ja) * 2012-03-07 2016-09-28 東洋炭素株式会社 サセプタ
CN102766854B (zh) * 2012-08-16 2013-06-05 江苏汉莱科技有限公司 一种mocvd新系统
CN104342751B (zh) * 2013-08-02 2017-07-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 反应腔和mocvd设备
DE102014114947A1 (de) * 2014-05-16 2015-11-19 Aixtron Se Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten sowie einen Suszeptor zur Verwendung in einer derartigen Vorrichtung
USD793971S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 14-pocket configuration
USD793972S1 (en) 2015-03-27 2017-08-08 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a 31-pocket configuration
USD778247S1 (en) 2015-04-16 2017-02-07 Veeco Instruments Inc. Wafer carrier with a multi-pocket configuration
CN110809335A (zh) * 2019-11-14 2020-02-18 江苏实为半导体科技有限公司 一种具有保护功能的mocvd加热器源
CN113201728B (zh) * 2021-04-28 2023-10-31 錼创显示科技股份有限公司 半导体晶圆承载结构及金属有机化学气相沉积装置
USD1026297S1 (en) * 2022-07-15 2024-05-07 Dandan Tan Set of lenses

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09298232A (ja) * 1996-04-30 1997-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板保持具、半導体製造装置、結晶成長方法及び半導体製造方法
JP2002217121A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Fujitsu Ltd 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法
JP2003073189A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Sumitomo Chem Co Ltd 半導体製造方法及び装置
JP2007320849A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Samsung Corning Co Ltd GaNバルク単結晶の成長方法および成長装置
JP2009212531A (ja) * 2003-07-15 2009-09-17 Bridgelux Inc 化学気相成長反応装置
JP2010040696A (ja) * 2008-08-04 2010-02-18 Hitachi Cable Ltd エピタキシャル成長用基板
JP2010062383A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法
WO2010039352A2 (en) * 2008-09-30 2010-04-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for optimizing spectrum utilization by a cognitive radio network

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US9487858B2 (en) * 2008-03-13 2016-11-08 Board Of Trustees Of Michigan State University Process and apparatus for diamond synthesis

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09298232A (ja) * 1996-04-30 1997-11-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板保持具、半導体製造装置、結晶成長方法及び半導体製造方法
JP2002217121A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Fujitsu Ltd 有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法
JP2003073189A (ja) * 2001-08-31 2003-03-12 Sumitomo Chem Co Ltd 半導体製造方法及び装置
JP2009212531A (ja) * 2003-07-15 2009-09-17 Bridgelux Inc 化学気相成長反応装置
JP2007320849A (ja) * 2006-06-01 2007-12-13 Samsung Corning Co Ltd GaNバルク単結晶の成長方法および成長装置
JP2010040696A (ja) * 2008-08-04 2010-02-18 Hitachi Cable Ltd エピタキシャル成長用基板
JP2010062383A (ja) * 2008-09-04 2010-03-18 Sharp Corp 気相成長装置及び気相成長方法
WO2010039352A2 (en) * 2008-09-30 2010-04-08 Motorola, Inc. Method and apparatus for optimizing spectrum utilization by a cognitive radio network

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