KR20110120817A - 유기금속 화학 기상 증착 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 유기금속 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로, 반응 챔버, 회전 받침대, 웨이퍼 적재판, 히터와 기체 분사 헤드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치에서, 반응 챔버는 하나의 개구부를 구비하며 회전 받침대는 반응 챔버 속에 설치된다. 이외 웨이퍼 적재판은 회전 받침대 위에 설치되고 회전 받침대는 웨이퍼 적재판을 회전시킨다. 그 중, 웨이퍼 적재판은 복수의 다변형 함몰 구역을 구비하여 웨이퍼 적재판의 어느 한 표면 위에 설치한다. 상기 다변형 함몰 구역은 복수의 웨이퍼를 대응적으로 적재한다. 또한 히터는 웨이퍼 적재판의 아래 측에 설치되어 회전 받침대 내에 구비된다. 이와 더불어 기체 분사 헤드는 웨이퍼 적재판의 표면 위로 반응 기체를 분사할 수 있도록 반응 챔버의 개구부 위에 커버된다.
Description
본 발명은 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition；CVD) 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는, 유기금속 화학 기상 증착(Metal-Organic CVD；MOCVD) 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)를 제조하는 과정에서 각 반도체층의 에피택시 공법은 상당히 중요한 단계다. 발광 다이오드의 에피택시 공법은 통상적으로 모두 유기금속 화학 기상 증착(Metal-Organic CVD；MOCVD) 장치에 의하여 진행되며 웨이퍼 적재판(Wafer Susceptor)을 사용하여 웨이퍼를 탑재하여 에피택시 공법을 실시하여야 한다.
도 1은 종래기술에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치의 설치 예시도다. 종래기술에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치(200)는 주로 반응 챔버(202), 회전 받침대(204), 웨이퍼 적재판(206), 히터(208)와 기체 분사 헤드(216)를 포함한다.
반도체 재료층의 에피택시 공법은 반응 챔버(202) 안에서 실시된다. 반응 챔버(202)는 통상적으로 복수의 웨이퍼가 개구부(220)를 경유하여 웨이퍼 적재판(206) 위에 설치되도록 개구부(220)를 구비한다. 또한, 제조 공법의 수요에 근거하여, 반응 챔버(202)는 적어도 1개의 배기구(222)를 선택적으로 포함할 수 있다. 그 중, 배기구(222)는 통상적으로 불필요한 반응 기체와 제조 과정에서 발생되는 폐기 가스가 방출될 수 있도록 반응 챔버(202)의 하부에 설치된다. 회전 받침대(204)는 반응 챔버(202) 안에 설치된다. 회전 받침대(204)는 속이 빈 원기둥 또는 지지대 구조를 구성할 수 있다. 회전 받침대(204)는 제조 공법의 수요에 근거하여 반응 챔버(202) 안의 원래 자리에서 자전할 수 있다.
웨이퍼 적재판(206)은 웨이퍼(212)가 반응 챔버(202) 안에서 에피택시 공법을 실시할 수 있도록 복수의 웨이퍼(212)를 지지, 적재한다. 웨이퍼 적재판(206)은 회전 받침대(204) 위에 설치되고 회전 받침대(204)에 의하여 지지된다. 웨이퍼 적재판(206)은 걸쇠 고정 방식을 적용하여 회전 받침대(204) 위에 고정시킬 수 있다. 따라서, 회전 받침대(204)가 회전될 때, 그 위에 고정된 웨이퍼 적재판(206)이 회전되어 웨이퍼 적재판(206) 위의 웨이퍼(212)를 진일보 회전시킨다.
도 1에 도시된 바와 같이, 히터(208)는 웨이퍼 적재판(206)의 아래측에 설치되고, 회전 받침대(204) 안에 구비되어 웨이퍼 적재판(206) 위의 웨이퍼(212)에 대하여 가열 처리를 실시한다. 그 중, 바람직하게, 히터(208)는 회전 받침대(204)와 별도로 독자적으로 작동한다. 즉, 히터(208)가 회전 받침대(204)의 회전에 의하여 회전하지 않도록 하여 웨이퍼가 히터의 균일한 가열을 받은 상태에서 제조 공법을 실시한다.
기체 분사 헤드(216)는 반응 챔버(202) 위에 구비되어 반응 챔버(202)의 개구부(220) 위를 커버한다. 기체 분사 헤드(216)의 아래 표면은 복수의 기체 분사 구멍(217)을 구비하고, 웨이퍼 적재판(206) 위의 웨이퍼(212)와 대향된다. 따라서, 기체 분사 헤드(216)로 진입하는 반응 기체(218)는 기체 분사 구멍(217)을 통과하고 반응 챔버(202)를 향해 분사하여, 반응 기체(218)가 반응 챔버에서 제조 공법에 의하여 화학반응을 실시하도록 한 후, 웨이퍼 적재판(206)의 표면(210)과 웨이퍼(212)의 표면 위에서 에피택시 공법 등과 같은 증착 단계를 실시한다. 종래기술에 따른 웨이퍼 적재판(206)은 모두 2인치 웨이퍼 적재 구역에 의하여 모든 웨이퍼 적재판을 커버한다. 그 중, 상술한 웨이퍼 적재 구역은 사이즈가 작으므로 치밀한 배열 방식으로 설치함으로써 비교적 높은 웨이퍼 적재판 이용 효율을 도모할 수 있다.
제조기술이 진보됨에 따라 사용하는 웨이퍼의 사이즈도 점차적으로 커지고 있다. 예를 들면, 발광 다이오드를 제조하는 과정에서 블루레이 에피택시 기판 사이즈는 원래의 2인치로부터 현재의 4인치로 확대되었다. 통상적인 상황에서 후속 결정 입자의 제조 원가를 낮추기 위하여 기판 사이즈를 확대한다. 하지만 원래 반응 챔버 사이즈로에 제한받기 때문에, 웨이퍼 적재판의 사이즈를 확대할 수 없다. 이 경우, 웨이퍼 적재판의 적재 구역을 다시 지정, 조정하여 4인치 웨이퍼를 적재한 후 설치할 수 있는 4인치 웨이퍼 적재 구역의 수량이 7개로 대폭 줄어들게 된다. 도 2는 4인치 웨이퍼 적재판의 평면도다. 웨이퍼 적재판(206)은 통상적으로 원형의 평판 구조로 구성된다. 웨이퍼 적재판(206)의 표면(210) 위에 복수의 웨이퍼 적재 구역(214)을 구비한다. 상기 웨이퍼 적재 구역(214)은 통상적으로 웨이퍼를 견고하게 적재할 수 있도록 웨이퍼 적재판(206)의 표면(210) 위의 함몰 구역(Pocket)에 설치한다.
종래기술에 따른 웨이퍼 적재판(206)에서, 웨이퍼 적재 구역(214)은 전부 원형으로 함몰되었다. 하지만 웨이퍼 적재 구역(214)의 형태의 제약을 받아 원형 함몰과 원형 함몰 간에는 필연코 간격이 발생하여 상기 웨이퍼 적재 구역(214)이 웨이퍼 적재판(206)의 표면(210) 위에 치밀하게 배열될 수 없게 한다. 따라서, 웨이퍼 적재판(206)의 표면(210) 면적이 낭비되어 웨이퍼 적재판(206)이 효과적으로 활용될 수 없을 뿐만 아니라 웨이퍼 적재판(206)이 적재할 수 있는 웨이퍼의 수량도 제약받게 되므로, 발광 다이오드의 생산 수량도 감소되고 양산화에 불리하다.
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼 적재판에 복수의 다변형 함몰 구역을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속 화학 기상 증착 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명에 따른 다변형 함몰 구역은 가변형으로 변에 대응적으로 배열되어, 다변형 함몰 구역이 웨이퍼 적재판의 표면 위에 치밀하게 배열되도록 할 수 있으므로, 웨이퍼 적재판의 표면 면적이 효과적으로 이용될 수 있다.
본 발명의 다른 목적은 웨이퍼 적재판의 적재면의 이용율이 높아, 적재할 수 있는 웨이퍼의 수량을 효과적으로 증가시킴으로써, 발광 다이오드의 생산 수량을 증가하고 고양산화 능력을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기금속 화학 기상 증착 장치를 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 반응 챔버, 회전 받침대, 웨이퍼 적재판, 히터와 기체 분사 헤드(Shower Head)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기금속 화학 기상 증착 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치에서, 반응 챔버는 하나의 개구부를 구비하며 회전 받침대는 반응 챔버 속에 설치된다. 웨이퍼 적재판은 회전 받침대 위에 설치되고 회전 받침대는 웨이퍼 적재판을 회전시킨다. 그 중, 웨이퍼 적재판은 복수의 다변형 함몰 구역을 구비하여 웨이퍼 적재판의 어느 한 표면 위에 설치한다. 상기 다변형 함몰 구역은 복수의 웨이퍼를 대응적으로 적재한다. 또한 히터는 웨이퍼 적재판의 아래 측에 설치되어 회전 받침대 내에 구비된다. 이와 더불어 기체 분사 헤드는 웨이퍼 적재판의 표면 위로 반응 기체를 분사할 수 있도록 반응 챔버의 개구부 위에 커버된다.
본 발명에 따른 일 실시예에서, 상기 다변형 함몰 구역은 형태가 동일하다.
본 발명에 따른 다른 일 실시예에서, 상기 다변형 함몰 구역은 형태가 다르다.
본 발명에 따른 또 다른 일 실시예에서, 상기 다변형 함몰 구역의 형태는 대응적으로 적재되는 웨이퍼의 형태와 동일하다.
본 발명에 따른 또 다른 일 실시예에서, 상기 매개 다변형 함몰 구역의 적어도 1개의 변은 인접한 다변형 함몰 구역의 적어도 1개의 변과 접합된다.
본 발명은 웨이퍼 적재판 위에 다변형 함몰 구역을 치밀하게 배열하여 웨이퍼를 적재하여 웨이퍼 적재판의 표면 면적의 이용율을 대폭 향상시키고 웨이퍼 적재판이 적재하는 웨이퍼의 수량을 진일보 증가하므로 발광 다이오드의 생산 수량을 효과적으로 증가하고 상당히 우수한 양산화 능력을 구비할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치의 설치 예시도다.
도 2는 종래기술에 따른 웨이퍼 전재판의 평면도다.
도 3은 본 발명의 일 실시방식에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치의 설치 예시도다.
도 4는 본 발명의 일 실시방식에 따른 웨이퍼 적재판의 평면도다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시방식에 따른 웨이퍼 적재판의 평면도다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시방식에 따른 웨이퍼 적재판의 평면도다.
도 2는 종래기술에 따른 웨이퍼 전재판의 평면도다.
도 3은 본 발명의 일 실시방식에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치의 설치 예시도다.
도 4는 본 발명의 일 실시방식에 따른 웨이퍼 적재판의 평면도다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시방식에 따른 웨이퍼 적재판의 평면도다.
도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시방식에 따른 웨이퍼 적재판의 평면도다.
본 발명의 상기 및 기타 목적, 특징, 장점에 도달하고 실시예를 보다 명확, 용이하게 설명하기 위하여 아래와 같이 도면을 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시방식에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치의 설치 예시도다. 유기금속 화학 기상 증착 장치(200a)는 주로 반응 챔버(202), 회전 받침대(204), 웨이퍼 적재판(206a), 히터(208)와 기체 분사 헤드(216)를 포함한다. 유기금속 화학 기상 증착 장치(200a)는 도 1에 도시된 유기금속 화학 기상 증착 장치(200)와 대체적으로 동일하다. 도 2와 도 4에서, 양자의 차이점은 유기금속 화학 기상 증착 장치(200a)의 웨이퍼 적재판(206a)에 유기금속 화학 기상 증착 장치(200)의 웨이퍼 적재판(206)이 포함하는 원형 웨이퍼 적재 구역(214)이 아닌 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)이 포함되는 것이다.
발광 다이오드의 반도체 재료층의 에피택시 공법에서, 일정한 반응 챔버(202) 안에서 화학반응으로 생성되는 에피택시 공법 산물은 웨이퍼 적재판(206a)의 전체 표면에 증착된다. 따라서, 웨이퍼 간의 간격 위치에 증착되는 에피택시층은 후속 제조 공법을 실시할 수 없으므로 이유없이 낭비가 초래된다. 때문에 동일한 반응 챔버 공간 안에서 처리할 수 있는 소자의 수량이 많을수록 소자의 제조 원가를 낮출 수 있다. 이로부터 알 수 있는 바와 같이, 웨이퍼 적재판(206a)의 설계는 소자 생산 수량에 영향을 미친다.
본 실시방식에서, 웨이퍼 적재판(206a)의 표면(210) 위에 복수의 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)이 포함된다. 그 중, 상기 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)은 웨이퍼 적재판(206a)의 표면(210) 중에 함몰 상태로 구성되어, 웨이퍼(212a)가 반응 챔버(202) 내에서 제조 공법을 실시할 수 있도록 견고하게 지지한다.
도 4에 도시된 실시예에서, 상기 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)은 모두 동일한 형태로 구성되는 바, 예를 들면, 모두 6변형으로 구성된다. 하지만 다른 일부 실시예에서, 상기 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)은 형태가 다를 수도 있으며, 예를 들면, 6변형과 3각형의 조합으로 구성될 수도 있다. 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)의 형태는 그가 대응적으로 적재한 웨이퍼(212a)의 형태와 같을 수 있으며, 또한 다를 수도 있다. 예를 들면, 다변형 함몰 구역(214a)이 6변형 함몰 구역일 경우, 그는 6변형 웨이퍼(212a)를 적재할 수 있지만, 또한 네모꼴 또는 원형 등 기타 형태의 웨이퍼(212a)도 적재할 수 있다.
또한, 일 실시예에서, 매개 다변형 함몰 구역은 사이즈가 동일하며, 매개 함몰 구역은 크기가 일치하고 형태도 동일하다. 다른 일부 실시예에서, 매개 다변형 함몰 구역은 형태가 동일할 수 있지만 적어도 2가지의 다른 사이즈를 구비한다. 예를 들면, 도 4에 도시된 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)은 형태가 동일하지만, 다변형 함몰 구역(214a)의 사이즈가 다변형 함몰 구역(224)의 사이즈보다 크다.
일 실시예에서, 웨이퍼 적재판(206a)의 다변형 함몰 구역은 3각형, 4변형, 5변형, 6변형 또는 8변형 등과 같이 치밀하게 배열할 수 있는 다변형으로 구성될 수 있다. 본 실시방식에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 적재판(206a)의 표면(210)의 면적을 보다 효과적으로 이용하기 위하여 상기 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)을 치밀하게 배열함으로써, 매개 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)의 적어도 1개의 변이 인접된 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)의 적어도 1개의 변과 접합되도록 한다.
도 1과 도 3을 동시에 참조하면, 본 실시방식의 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224) 중 인접한 양자 간의 간격은 도 1에 도시된 웨이퍼 적재 구역(214) 중 인접된 양자 간의 간격보다 뚜렷하게 작다. 따라서, 본 실시방식은 종래기술에 따른 적재판(206)보다 적재판(206a)의 적재 면적을 보다 효과적으로 이용하여 소자의 생산 효율을 향상시킬 수 있다.
바람직하게, 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)의 깊이는 그가 대응적으로 적재한 웨이퍼(212a)의 두께보다 작거나 또는 동일하다. 따라서, 웨이퍼(212a)를 웨이퍼 적재판(206a) 위에 적재할 경우, 웨이퍼(212a)가 웨이퍼 적재판(206a)의 표면(210)과 가지런히 높거나 또는 웨이퍼 적재판(206a)의 표면(210)보다 조금 더 높다. 이 경우, 웨이퍼 적재판(206a) 위의 웨이퍼(212a) 위에서 에피택시 등 증착 단계를 계속 실시할 때, 증착한 재료가 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)의 측벽 위에 커버되어, 다변형 함몰 구역(214a)과 다변형 함몰 구역(224)의 측벽 위의 증착물이 제조 공법의 실시에 영향을 미치는 것을 면할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 일 실시방식에 따른 웨이퍼 적재판의 평면도다. 본 실시방식에서, 웨이퍼 적재판(300)이 포함하는, 그의 표면(302) 위에 함몰 설치된 다변형 함몰 구역(304)의 형태는 6변형이다. 또한 상기 다변형 함몰 구역(304)의 형태는 도 5에 점선으로 도시된 대응 원(306)의 외접 다변형일 수 있으며, 예를 들면, 외접 6변형일 수 있다. 도 5에서, 다변형 함몰 구역(304)은 대응 원(306)보다 적재판(300)의 적재 면적이 보다 효과적으로 이용되도록 할 수 있다. 또한, 도 4의 발명의 실시예에 대비해 본 발명의 실시방식이 설계한 6변형은 사실 면적이 동일하며, 예를 들면, 다변형 함몰 구역(214a)의 면적보다 작다. 이 경우, 본 발명의 실시방식은 보다 바람직한 적재판(300) 면적 이용율을 구비할 수 있다.
본 발명에서, 웨이퍼 적재판의 다변형 함몰 구역의 형태는 3각 다변형보다 크거나 또는 그와 동일할 수 있다. 도 6은 본 발명의 또 다른 일 실시방식에 따른 웨이퍼 적재판의 평면도다. 본 실시방식에서, 웨이퍼 적재판(400)이 포함하는, 그 표면(402) 위에 함몰 설치된 다변형 함몰 구역(404)의 형태는 삼각형이다.
직경이 31개의 2인치 웨이퍼를 적재할 수 있는 380mm인 적재판을 실례로 들 경우, 이 380mm 적재판으로 31개의 2인치 웨이퍼를 적재하면, 커버할 수 있는 면적은 97.3896 평방인치이다. 도 2에서, 이 적재판으로 4인치 웨이퍼를 적재할 경우, 커버할 수 있는 면적은 87.9648 평방인치이며, 31개의 2인치 웨이퍼보다 커버할 수 있는 면적이 9.7% 감소된다. 도 4에서, 이 적재판으로 직경이 4인치인 원의 외접 6변형과 6개의 사이즈가 비교적 작지만 여전히 6변형인 웨이퍼를 적재할 경우, 커버할 수 있는 면적은 20.785 평방인치 증가되고, 커버율은 33% 증가된다.
상술한 본 발명의 실시방식에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명은 유기금속 화학 기상 증착 장치의 웨이퍼 적재판이 복수의 다변형 함몰 구역을 포함하며 웨이퍼 적재판의 표면 위에 치밀하게 배열될 수 있으므로, 에피택시 증착 단계가 거의 모두 웨이퍼 표면에서 실시되고, 웨이퍼 적재판의 간격 구역에서 낭비되지 않으며, 웨이퍼 적재판의 표면 면적이 효과적으로 이용될 수 있다.
상술한 본 발명의 실시방식에서 알 수 있는 바와 같이, 본 발명에 따른 유기금속 화학 기상 증착 장치는 웨이퍼 적재판 적재면의 이용율이 높아 적재할 수 있는 웨이퍼의 면적을 효과적으로 증가할 수 있으므로, 발광 다이오드의 용량을 확장하고, 생산 효율을 향상시켜 높은 양산화 능력을 구비할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 비록 상술한 실시예에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 사상과 범위를 벗어나지 않은 상태하에서 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명이 보호받으려는 범위는 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 확정되어야 한다.
200: 유기금속 화학 기상 증착 장치 202: 반응 챔버
206: 웨이퍼 적재판 208: 히터
212: 웨이퍼 214: 다변형 함몰 구역
216: 기체 분사 헤드 218: 반응 기체
222: 배기구 300: 웨이퍼 적재판
304: 다변형 함몰 구역 400: 웨이퍼 적재판
404: 다변형 함몰 구역
200a: 유기금속 화학 기상 증착 장치 204: 회전 받침대
206a: 웨이퍼 적재판 210: 표면
212a: 웨이퍼 214a: 다변형 함몰 구역
217: 기체 분사 구멍 220: 개구부
224: 다변형 함몰 구역 302: 표면
306: 대응 원 402: 표면
206: 웨이퍼 적재판 208: 히터
212: 웨이퍼 214: 다변형 함몰 구역
216: 기체 분사 헤드 218: 반응 기체
222: 배기구 300: 웨이퍼 적재판
304: 다변형 함몰 구역 400: 웨이퍼 적재판
404: 다변형 함몰 구역
200a: 유기금속 화학 기상 증착 장치 204: 회전 받침대
206a: 웨이퍼 적재판 210: 표면
212a: 웨이퍼 214a: 다변형 함몰 구역
217: 기체 분사 구멍 220: 개구부
224: 다변형 함몰 구역 302: 표면
306: 대응 원 402: 표면
Claims (10)
- 유기금속 화학 기상 증착(MOCVD) 장치로서,
하나의 개구부를 구비한 반응 챔버와;
상기 반응 챔버 안에 설치된 회전 받침대와;
상기 회전 받침대 위에 설치되고 상기 회전 받침대에 의하여 상기 웨이퍼 적재판을 회전시키며 그 중 상기 웨이퍼 적재판은 복수의 다변형 함몰 구역을 구비하여 상기 웨이퍼 적재판의 어느 한 표면 위에 설치되며 상기 다변형 함몰 구역은 복수의 웨이퍼를 대응적으로 적재하는 웨이퍼 적재판과;
상기 웨이퍼 적재판의 아래측에 구비되고 상기 회전 받침대 안에 설치되는 히터와;
상기 반응 챔버의 상기 개구부 위에 커버되어 상기 웨이퍼 적재판의 상기 표면 위로 반응 기체를 분사하는 기체 분사 헤드를 포함하는 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다변형 함몰 구역은 동일한 형태로 구성되는 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다변형 함몰 구역은 다른 형태로 구성되는 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다변형 함몰 구역의 형태는 대응적으로 적재된 상기 웨이퍼의 형태와 동일한 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다변형 함몰 구역의 깊이는 대응적으로 적재된 상기 웨이퍼의 두께보다 작게 또는 동일하게 패이는 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다변형 함몰 구역의 적어도 1개의 변은 인접한 상기 다변형 함몰 구역의 적어도 1개의 변과 접합되는 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다변형 함몰 구역은 동일한 사이즈로 구성되는 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다변형 함몰 구역은 적어도 2개의 다른 사이즈로 구성되는 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다변형 함몰 구역의 형태는 3각형, 4변형, 5변형, 6변형 또는 8변형인 유기금속 화학 기상 증착 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 히터는 상기 회전 받침대에 의하여 회전되지 않는 유기금속 화학 기상 증착 장치.
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