TWI691017B - 改善了副產物蒸鍍問題的唇封及包括其的半導體工程裝置 - Google Patents

Abstract

本發明涉及一種包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，其中，包括：支撐部，其形成為環形而在內側包括空腔；彈性部，其從所述支撐部的上面延伸；接觸部，其從所述彈性部的一端延伸，且在上面包括平坦區域；滑動部，其從所述接觸部的一端延伸，且所述滑動部的上面形成為弧形狀。

Description

改善了副產物蒸鍍問題的唇封及包括其的半導體工程裝置

本發明涉及一種改善了副產物蒸鍍問題的唇封及包括其的半導體工程裝置。

通常半導體工程裝置是一種將基板安放於卡盤，通過半導體工程來處理基板的裝置。

例如，通過半導體工程處理基板的裝置可以是用等離子體執行蝕刻、蒸鍍及灰化中的一個以上的裝置或用金屬氣體執行蒸鍍的裝置。

基板可以指晶圓或安裝有晶圓的托盤。

在這種半導體工程裝置中，由於在真空狀態的腔室執行半導體工程，因而從卡盤向基板供應作為熱傳遞氣體的非活性氣體，以進行基板的熱調節。

此時，唇封介於卡盤與基板之間，以減少熱傳遞氣體露出為被消耗。

在基板的半導體工程過程中產生的副產物蒸鍍於唇封。

尤其，副產物蒸鍍於唇封的一端。

由於這種蒸鍍於唇封的副產物，存在當基板與唇封接觸時不完全接觸的問題。

進而，熱傳遞氣體向基板與唇封不完全接觸的部位的洩露量增加。

這種熱傳遞氣體的洩露量的增加會引發熱傳遞氣體的洩露量增加的部位與熱傳遞氣體的洩露未增加的部位的溫度差，而這種溫度差最終會引起基板工程的均勻度下降的問題。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：KR10-0502491 B1；專利文獻2：KR1999-0076702 A；專利文獻3：KR10-1599798 B1。

本發明的目的在於，提供一種改善了副產物蒸鍍問題的唇封及包括其的半導體工程裝置。

本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封，包括：支撐部，其形成為環形而在內側包括空腔；彈性部，其從所述支撐部的上面延伸；接觸部，其從所述彈性部的一端延伸，且在上面包括平坦區域；以及滑動部，其從所述接觸部的一端延伸，且所述滑動部的上面形成為弧形狀。

所述改善了副產物蒸鍍問題的唇封，較佳地，所述接觸部的厚度朝延伸方向增加。

所述改善了副產物蒸鍍問題的唇封，較佳地，以所述滑動部朝向所述空腔的中心方向的方式，所述彈性部從所述支撐部的外側周圍延伸；或以所述滑動部朝向所述空腔的中心方向的反方向的方式，所述彈性部從所述支撐部的內側周圍延伸。

所述改善了副產物蒸鍍問題的唇封，較佳地，所述彈性部在所述支撐部的上面的中間延伸，所述接觸部包括從所述彈性部向兩側分歧而分別延伸的第一接觸部和第二接觸部，所述滑動部包括從所述第一接觸部的一端延伸的第一滑動部和從所述第二接觸部的一端延伸的第二滑動部。

所述改善了副產物蒸鍍問題的唇封，較佳地，當所述平坦區域被加壓時，所述滑動部的端部以向所述支撐部的外側凸出的方式延伸。

本發明的包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，包括：卡盤，其用於安放基板；環形的插入槽，其形成於所述卡盤的上面；氣體流道，其位於所述卡盤，且位於所述插入槽的內側，其將熱傳遞氣體供應至所述卡盤的上面；以及所述改善了副產物蒸鍍問題的唇封，其插入於所述插入槽。

所述包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置的其中，還包括：槽傾斜面，其以傾斜的形狀形成於所述卡盤槽的內周面；以及支撐部傾斜面，其以與所述槽傾斜面對應的形狀形成於所述支撐部的內側，且所述支撐部傾斜面貼緊於所述槽傾斜面而防止所述唇封從所述卡盤分離。

所述包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，較佳地，當所述平坦區域與所述基板的下面接觸時，所述滑動部的端部相比所述卡盤的上面向下配置。

所述包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，較佳地，與所述接觸部的厚度朝延伸方向增加而所增加的厚度對應地，所述滑動部的端部向下配置。

所述包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，較佳地，所述插入槽的寬度形成得大於所述支撐部的寬度，以使所述插入槽具有能夠容納向所述支撐部的外側凸出的所述滑動部的端部的空間。

首先，通過弧形狀的滑動部，副產物將堆積於滑動部的端部。因此，基板將與沒有副產物的接觸部的平坦區域接觸，防止當基板與唇封接觸時發生不完全接觸。

由於防止產生熱傳遞氣體的洩露量增加的部位，因而防止在基板發生溫度差，從結果而言，具有防止基板工程的均勻度下降的效果。

此外，由於厚度沿接觸部延伸的方向增加，若在接觸部的平坦區域安放基板，使接觸部的上面與基板水平，則所增加的接觸部的厚度對應地，向更靠下側的位置配置滑動部。因此，即使副產物蒸鍍於滑動部，也不會對與基板接觸的接觸部造成影響。由此，能夠有效地防止在基板與唇封之間發生不完全接觸。

此外，若形成第一接觸部和第二接觸部，則更穩定地支撐基板，並且，通過第一接觸部和第二接觸部，雙重地遮罩熱傳遞氣體，因而具有減少熱傳遞氣體洩露的效果。

此外，若彈性部彎曲而使基板安放於接觸部的平坦區域，則滑動部將與支撐部接近或相接。隨著支撐部及滑動部所形成的開口區域減少，能夠防止副產物堆積於支撐部與滑動部之間的區域。此時，若使滑動部的端部較長地延伸而形成，則將完全覆蓋支撐部的端部，因而能夠有效地改善副產物堆積於支撐部與滑動部之間的區域的問題。

此外，由於唇封傾斜面貼緊於槽傾斜面，因而具有防止唇封從卡盤分離的效果。

此外，當基板安放於唇封時，若滑動部相比卡盤的上面向下配置，則即使在基板執行反復性的工程，也能夠防止副產物向接觸部的平坦區域堆積。因此，能夠使基板有效地貼緊於接觸部。從而，防止當基板與唇封接觸時發生不完全接觸，且具有不會發生熱傳遞氣體的洩露的效果。

此外，就接觸部而言，由於與和所述彈性部鄰接的部位的厚度和所述滑動部的鄰接的厚度的差對應地，所述滑動部的下面向下配置，即使在基板執行反復性的工程，也能夠防止副產物向接觸部的平坦區域堆積。因此，能夠使基板有效地貼緊於接觸部。

此外，通過將插入槽設計為所述插入槽的寬度大於所述支撐部的寬度，以具有能夠將滑動部的端部向下配置於所述插入槽的空間，即使向基板執行反復性的工程，也能夠防止副產物向插入槽的空間堆積 且副產物向接觸部的平坦區域堆積。因此，能夠使基板有效地貼緊於接觸部。從而，防止當基板與唇封接觸時發生不完全接觸，具有不會發生熱傳遞氣體泄露的效果。

100:唇封

110:支撐部

111:支撐部傾斜面

120:彈性部

130:接觸部

131:平坦區域

130a:第一接觸部

130b:第二接觸部

140:滑動部

140a:第一滑動部

140b:第二滑動部

200:卡盤

210:插入槽

211:槽傾斜面

220:氣體流道

S:基板

圖1是從上部觀察本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封的圖。

圖2是本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封的截面放大圖。

圖3是說明基板與本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封接觸時的動作的圖。

圖4是說明本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封的一實施例的圖。

圖5是說明本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封的另一實施例的圖。

圖6是說明基板安放於包括本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置的卡盤的圖。

下面參考附圖對本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封及包括其的半導體工程裝置進行詳細說明。

在基板S的半導體工程過程中產生的副產物蒸鍍於唇封100。

由於這種蒸鍍於唇封100的副產物，存在當基板S與唇封100接觸時不完全接觸的問題。

進而，熱傳遞氣體向基板S與唇封100不完全接觸的部位的洩露量增加。

這種熱傳遞氣體的洩露量的增加會引發基板S的熱傳遞氣體的洩露量增加的部位與熱傳遞氣體的洩露未增加的部位的溫度差，而這種溫度差最終會引起基板S工程的均勻度下降的問題。

如圖1至圖3所圖示，本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封100包括支撐部110、彈性部120、接觸部130、以及滑動部140。

支撐部110形成為環形，且在內部包括空腔。

即，通過環形的支撐部110，唇封100將具有大致在內側形成有空腔的圓環形狀。

彈性部120從支撐部110的上面延伸。

接觸部130從彈性部120的一端延伸，且在上面包括平坦區域131。

所述改善了副產物蒸鍍問題的唇封，其中，滑動部140從接觸部130的一端延伸，且滑動部140的上面形成為弧形狀。

此時，也可以，滑動部140不僅其上面形成為弧形，其下面也形成為弧形狀，從而整體上形成為半圓形狀。

但是，若僅將滑動部140的上面形成為弧形狀，則會如圖3所圖示具有滑動部140的一端朝向更下側方向的效果。因此，較佳可僅將滑動部140的上面形成為弧形狀。

通過將滑動部140的上面形成為弧形狀，即使在基板S安放於接觸部130的情況下，基板S與滑動部140也不會接觸。

即，基板S與形成於接觸部130的上面的平坦區域131接觸，且滑動部140通過弧形狀彎曲地向下，因而滑動部140可以與基板S隔開。

聚合物粒子之類的副產物蒸鍍於作為唇封100的一端的滑動部140，通過弧形狀的滑動部140，副產物堆積在滑動部140的端部。

因此，基板S與沒有副產物的接觸部130的平坦區域131接觸，防止當基板S與唇封100接觸時發生不完全接觸。

由於防止產生熱傳遞氣體的洩露量增加的部位，因而防止在基板S發生溫度差，其結果，具有防止基板S工程的均勻度下降的效果。

如圖3所圖示，接觸部130的厚度朝延伸方向增加。即，接觸部130的厚度可以從彈性部120的一端向滑動部140的方向增加。

當基板S與平坦區域131接觸時，與接觸部130所增加的厚度對應地，滑動部140的一端將位於相對於基板S靠下部的位置。

如此，由於厚度朝接觸部130延伸的方向增加，若基板S安放於接觸部130的平坦區域131，使接觸部130的上面與基板S成水平，則與滑動部140所增加的接觸部130的厚度對應地更靠下側配置。

因此，即使副產物蒸鍍於滑動部140，也不會對與基板S接觸的接觸部130造成影響。從而，能夠有效地防止在基板S與唇封100之間發生不完全接觸。

下面對唇封100的形狀的實施例進行說明。

作為實施例1，如圖2所圖示，可以以滑動部140朝向空腔的中心方向的方式，使彈性部120從支撐部110的外側周圍延伸。換言之，可以以支撐部110和滑動部140所形成的開口朝向空腔的中心方向的方式，使彈性部120從支撐部110的外側周圍延伸。

作為實施例2，如圖4所圖示，可以以滑動部140朝向空腔的中心方向的反方向的方式，使彈性部120從支撐部110的內側周圍延伸。換言之，可以以支撐部110和滑動部140所形成的開口朝向與空腔的中心方向相反的方向的方式，使彈性部120從支撐部110的內側周圍延伸。

這樣的實施例2意味著與實施例1的滑動部140所朝方向相反地形成。

作為實施例3，如圖5所圖示，可以是，接觸部130還包括第一接觸部130a和第二接觸部130b，滑動部140還包括第一滑動部140a和第二滑動部140b。

彈性部120在支撐部110的上面的中間延伸而形成。使第一接觸部130a和第二接觸部130b分別從彈性部120向兩側分歧而延伸。第一滑動部140a從第一接觸部130a的一端延伸，第二滑動部140b從第二接觸部130b的一端延伸。

如此，若形成第一接觸部130a和第二接觸部130b，則能夠更穩定地支撐基板S。此外，通過第一接觸部130a和第二接觸部130b，雙重地遮罩熱傳遞氣體，因而具有減少熱傳遞氣體的洩露的效果。

另一方面，當平坦區域131被加壓時，本發明的唇封100可以以使滑動部140的端部向支撐部110的外側凸出的方式延伸。

若彈性部120彎曲而使基板S安放於接觸部130的平坦區域131，則滑動部140將與支撐部110接近或相接。

此時，較佳地滑動部140的端部以相比支撐部110的端部向外側凸出的方式較長地形成。

即，較佳地，當平坦區域131被加壓時，以滑動部140的端部向支撐部110的外側凸出的方式從接觸部130延伸至滑動部140的下面的長度形成得比在支撐部110中除了形成彈性部120的部分以外的剩餘部分的寬度的長度長。

因此，隨著支撐部110和滑動部140所形成的開口區域減少，能夠防止副產物堆積於支撐部110與滑動部140之間的區域。此時，若滑動部140的端部相比支撐部110的端部向外側凸出，則將完全覆蓋支撐部110的端部，因而能夠有效地改善副產物堆積於支撐部110與滑動部140之間的區域的問題。

如圖6所圖示，包括本發明的唇封100的半導體工程裝置包括卡盤200、插入槽210、以及氣體流道220，且在插入槽210插入本發明的改善了副產物蒸鍍問題的唇封100。

基板S安放於卡盤200。

插入槽210形成於卡盤200的上面，且在插入槽210內插入用於副產物蒸鍍的唇封100。

此時，唇封100的支撐面安放於插入槽210的底面。

氣體流道220位於卡盤200且位於插入槽210的內側，並向將熱傳遞氣體供應至上部。

插入槽210包括槽傾斜面211。槽傾斜面211形成為使位於卡盤200的中心方向的內周面朝卡盤200的中心方向向下傾斜。此時，唇封100的支撐部110可以包括支撐部傾斜面111，該支撐部傾斜面111以對應於槽傾斜面211的形狀傾斜地形成而貼緊於槽傾斜面211。

如此，唇封100的傾斜面貼緊於槽傾斜面211，從而能夠防止唇封100從卡盤200分離。

此時，當唇封100插入於插入槽210，且平坦區域131與基板S的下面接觸時，較佳地滑動部140的端部相比卡盤200的上面向下配置。

當基板S安放於唇封100時，若滑動部140相比卡盤200的上面向下配置，則即使副產物堆積於滑動部140，也將位於接觸部130的下側。因此，即使在基板S執行反復性的工程，即，即使副產物積累繼續堆積，也能夠防止副產物向接觸部130的平坦區域131堆積。

從而，即使執行反復性的工程，也能夠使基板S有效地貼緊於接觸部130。當基板S與唇封100接觸時，防止發生不完全接觸，具有不會發生熱傳遞氣體的洩露的效果。

另一方面，在唇封100，可以與接觸部130的厚度延伸方向增加而所增加的厚度對應地，滑動部140的端部向下配置。

即，在接觸部130，可以與和彈性部120鄰接的部位的厚度與所述滑動部140的鄰接的厚度的差對應地，滑動部140的下面向下配置。因此，即使在基板S執行反復性的工程，也能夠防止副產物向接觸部130的平坦區域131堆積。

此外，卡盤200的插入槽210的寬度可以形成得大於支撐部110的寬度。即，插入槽210可以形成為插入槽210的寬度大於支撐部110的寬度，以具有容納向支撐部110的外側凸出的滑動部140的端部的空間。

因此，即使在基板S執行反復性的工程，即，即使副產物積累而繼續堆積，副產物也將沿滑動部140向插入槽210的容納空間堆積，能夠防止副產物向接觸部130的平坦區域131堆積。

儘管上面參照附圖對本發明的實施例進行了說明，但本發明所屬技術領域中的一般的技術人員可以理解在不改變本發明的技術思想或必備特徵的前提下，可以以其他具體形態實施本發明。因此，以上所描述的實施例在所有方面均應理解為是示例性的，而不是限定性的。

100:唇封

110:支撐部

120:彈性部

130:接觸部

131:平坦區域

140:滑動部

Claims (10)

1. 一種改善了副產物蒸鍍問題的唇封，其中，包括：一支撐部，其形成為環形而在內側包括一空腔；一彈性部，其從該支撐部的上面延伸；一接觸部，其從該彈性部的一端延伸，且在上面包括一平坦區域；以及一滑動部，其從該接觸部的一端延伸，且該滑動部的上面形成為弧形狀，當該接觸部與一基板接觸時，該滑動部通過弧形狀與該基板隔開而不接觸，由此，副產物蒸鍍於該滑動部，而該接觸部的該平坦區域與該基板維持接觸狀態。
2. 根據申請專利範圍第1項所述的改善了副產物蒸鍍問題的唇封，其中，該接觸部的厚度朝延伸方向增加。
3. 根據申請專利範圍第1項所述的改善了副產物蒸鍍問題的唇封，其中，以該滑動部朝向該空腔的中心方向的方式，該彈性部從該支撐部的外側周圍延伸；或以該滑動部朝向該空腔的中心方向的反方向的方式，該彈性部從該支撐部的內側周圍延伸。
4. 根據申請專利範圍第1項所述的改善了副產物蒸鍍問題的唇封，其中， 該彈性部在該支撐部的上面的中間延伸，該接觸部包括從該彈性部向兩側分歧而分別延伸的一第一接觸部和一第二接觸部，該滑動部包括從該第一接觸部的一端延伸的一第一滑動部和從該第二接觸部的一端延伸的一第二滑動部。
5. 根據申請專利範圍第1項所述的改善了副產物蒸鍍問題的唇封，其中，當該平坦區域被加壓時，該滑動部的端部以向該支撐部的外側凸出的方式延伸。
6. 一種包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，其中，包括：一卡盤，其用於安放一基板；一環形的插入槽，其形成於該卡盤的上面；一氣體流道，其位於該卡盤，且位於該插入槽的內側，其將熱傳遞氣體供應至該卡盤的上面；以及一如申請專利範圍第1項該的改善了副產物蒸鍍問題的唇封，其插入於該插入槽。
7. 根據申請專利範圍第6項所述的包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，其中，還包括：一槽傾斜面，其以傾斜的形狀形成於該插入槽的內周面；以及一支撐部傾斜面，其以與該槽傾斜面對應的形狀形成於該支撐部的內側， 且該支撐部傾斜面貼緊於該槽傾斜面而防止該唇封從該卡盤分離。
8. 根據申請專利範圍第6項所述的包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，其中，當該平坦區域與該基板的下面接觸時，該滑動部的端部相比該卡盤的上面向下配置。
9. 根據申請專利範圍第8項所述的包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，其中，與該接觸部的厚度朝延伸方向增加而所增加的厚度對應地，該滑動部的端部向下配置。
10. 根據申請專利範圍第8項所述的包括改善了副產物蒸鍍問題的唇封的半導體工程裝置，其中，該插入槽的寬度形成得大於該支撐部的寬度，以使該插入槽具有能夠容納向該支撐部的外側凸出的該滑動部的端部的空間。

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