TWM448790U - 聚焦環 - Google Patents

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TWM448790U
TWM448790U TW101205284U TW101205284U TWM448790U TW M448790 U TWM448790 U TW M448790U TW 101205284 U TW101205284 U TW 101205284U TW 101205284 U TW101205284 U TW 101205284U TW M448790 U TWM448790 U TW M448790U
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TW101205284U
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Tu-Qiang Ni
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Advanced Micro Fab Equip Inc
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Description

聚焦環
本創作涉及一種用於對晶圓進行等離子處理的等離子反應腔結構，特別涉及一種反應腔內的聚焦環。
現有技術中，在等離子體蝕刻室中，直接暴露在等離子體中的聚焦環一般會優選高純度材料製成，例如矽或者矽碳化物等。以SiC為例，採用傳統化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)工藝製成聚焦環時，SiC材料製成的聚集環整個厚度都由CVD沉積生成，再經過後續加工將靠近加工基片的部分切除，形成最後所需的形狀。整個聚焦環加工的時間和材料都和聚焦環整體厚度有關，然而，SiC生長緩慢，且製作成本較高。
為了解決上述問題，本創作提供一種聚焦環，能夠減少聚焦環的沉積厚度，節省SiC的用量，提高製作聚焦環的效率；大大節約了聚焦環的製作成本。
為了實現以上目的，本創作是通過以下技術方案實現的：
一種聚焦環，位於等離子體蝕刻室中的基座上方的基片的外周側，基座外周側設有支撐環，聚焦環位於支撐環的上方，聚焦環包含：一主環，主環包括一上表面；一延伸環，延伸環至少部分地延伸至基片的下表面的邊緣以內，延伸環底部與支 撐環相接觸。其中主環厚度小於主環上表面到支撐環的垂直高度。
在本創作之一實施例中，支撐環上方還設有一覆蓋環位於聚焦環外周側，覆蓋環包括一支撐部，支撐主環遠離基片的一側。
在本創作之一實施例中，延伸環末端包括一插入環，插入環至少部分的插入至基片的下表面的邊緣以內，插入環大致與主環相互平行。
在本創作之一實施例中，主環的厚度為主環上表面到支撐環的垂直高度的50%。
在本創作之一實施例中，主環的厚度為主環上表面到支撐環的垂直高度的30%。
在本創作之一實施例中，主環的厚度為所述主環上表面到所述支撐環的垂直高度的70%。
在本創作之一實施例中，主環的厚度與主環上表面到支撐環的垂直高度的比例可以為20%-90%。
在本創作之一實施例中，延伸環上表面與插入環上表面的夾角為鈍角。
在本創作之一實施例中，聚焦環呈S型。
本創作與現有技術相比，具有以下優點：能夠減少聚焦環的沉積厚度，節省SiC的用量，提高製作聚焦環的效率；大大節約了聚焦環的製作成本。
以下結合附圖，通過詳細說明一個較佳的具體實施例，對本創作做進一步闡述。
如圖1所示，一種聚焦環，位於等離子體蝕刻室中的基座3上方的基片2的外周側，基座3外周側設有一支撐環5，聚焦環位於支撐環5的上方，包括一主環11和延伸環13，主環11包括一上表面15；延伸環13包括一插入環12，插入環12至少部分地延伸至基片2的下表面的邊緣以內，並大致與主環11相互平行。延伸環13底部與支撐環5相接觸。
支撐環5上方還設有一覆蓋環4位於聚焦環外周側，覆蓋環4包括一支撐部6，支撐主環11遠離基片2的一側。主環11的厚度小於主環上表面15到支撐環5的垂直高度，本實施例中，主環11的厚度為主環上表面15到支撐環5的垂直高度的50%，也可以為20%或30%。
本實施例中之延伸環13的上表面與插入環12的上表面的夾角為鈍角，該聚焦環呈S型，主環11的厚度小於聚焦環的總厚度。
如圖2所示，一種聚焦環，位於等離子體蝕刻室中的基座3上方的基片2的外周側，基座3外周側設有一支撐環5，聚焦環位於支撐環5的上方，包括一主環11和延伸環13，主環11包括一上表面15；延伸環13至少部分地延伸至基片2的下表面的邊緣以內，延伸環13底部與支撐環5相接觸。
支撐環5上方還設有一覆蓋環4，位於聚焦環外周側，延伸環13的下表面到覆蓋環4之間是空的，主環11的厚度小於主環上表面15到支撐環5的垂直高度，本實施例中，主環11的厚度為主環上表面15到支撐環5的垂直高度的70%，也可以為80%或90%。
當採用化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)工藝製作聚焦環時，由於主環11以及延伸環的厚度均小於聚焦環的總高度，因而在一次沉積形成過程中所需的SiC材料大大減少，製成聚焦環的速度也就大大提高，不僅提高了生產效率，而且大大節約了製作成本。在形成本創作所描述的聚焦環時在沉積腔內放置與本創作之聚焦環下方形狀相匹配的模組，沉積到達主環厚度後再經過少量加工就可形成所需的聚集環部件。本創作之聚焦環在節省大量製造時間和材料的同時，仍然能達到現有技術聚焦環的使用要求，當使用時，主環11可防止離子濺射，並不影響聚焦環的功能。
儘管本創作的內容已經通過上述優選實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本創作的限制。在本領域技術人員閱讀了上述內容後，對於本創作的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本創作的保護範圍應由所附的權利要求來限定。
2‧‧‧基片
3‧‧‧基座
4‧‧‧覆蓋環
5‧‧‧支撐環
6‧‧‧支撐部
11‧‧‧主環
12‧‧‧插入環
13‧‧‧延伸環
15‧‧‧上表面
圖1為本創作之一種聚焦環的工作狀態剖視圖；
圖2為本創作之另一實施例的工作狀態剖視圖。
2‧‧‧基片
3‧‧‧基座
4‧‧‧覆蓋環
5‧‧‧支撐環
6‧‧‧支撐部
11‧‧‧主環
12‧‧‧插入環
13‧‧‧延伸環
15‧‧‧上表面

Claims (9)

  1. 一種聚焦環，位於一等離子體蝕刻室中的一基座(3)上方的一基片(2)的外周側，該基座(3)外周側設有一支撐環(5)，該聚焦環位於該支撐環(5)的上方，其中該聚焦環包含：一主環(11)，該主環(11)包括一上表面；一延伸環(13)，該延伸環(13)自該主環(11)延伸，並且至少部分地延伸至該基片(2)的下表面的邊緣以內，該延伸環底部與該支撐環相接觸；該主環(11)厚度小於該主環上表面到該支撐環(5)的垂直高度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之聚焦環，其中該支撐環(5)上方還設有一覆蓋環(4)位於該聚焦環外周側，該覆蓋環(4)包括一支撐部(6)，支撐該主環遠離該基片(2)的一側。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之聚焦環，其中該延伸環(13)末端包括一插入環(12)，該插入環(12)至少部分的插入至該基片(2)的下表面的邊緣以內，該插入環(12)與主環(11)相互平行。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之聚焦環，其中該插入環(12)上表面與該延伸環(13)上表面的夾角為鈍角。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之聚焦環，其中該聚焦環呈S型。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之聚焦環，其中該主環(11) 的厚度為該主環上表面到該支撐環的垂直高度的50%。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之聚焦環，其中該主環(11)的厚度為該主環上表面到該支撐環的垂直高度的30%。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之聚焦環，其中該主環(11)的厚度為該主環上表面到該支撐環的垂直高度的70%。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之聚焦環，其中該主環(11)的厚度與該主環上表面到該支撐環的垂直高度的比例為20%-90%。
TW101205284U 2011-11-01 2012-03-23 聚焦環 TWM448790U (zh)

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