CN110660636A - 改善了副产物蒸镀问题的唇封及包括其的半导体工程装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置，其特征在于，包括：支撑部，其形成为环形而在内侧包括空腔；弹性部，其从所述支撑部的上面延伸；接触部，其从所述弹性部的一端延伸，且在上面包括平坦区域；滑动部，其从所述接触部的一端延伸，且所述滑动部的上面形成为弧形状。

Description

改善了副产物蒸镀问题的唇封及包括其的半导体工程装置
技术领域
本发明涉及一种改善了副产物蒸镀问题的唇封及包括其的半导体工程装置。
背景技术
通半导体工程装置是一种将基板安放于卡盘，通过半导体工程来处理基板的装置。
例如，通过半导体工程处理基板的装置可以是用等离子体执行蚀刻、蒸镀及灰化中的一个以上的装置或用金属气体执行蒸镀的装置。
基板可以指晶圆或安装有晶圆的托盘。
在这种半导体工程装置中，由于在真空状态的腔室执行半导体工程，因而从卡盘向基板供应作为热传递气体的非活性气体，以进行基板的热调节。
此时，唇封介于卡盘与基板之间，以减少热传递气体露出为被消耗。
在基板的半导体工程过程中产生的副产物蒸镀于唇封。
尤其，副产物蒸镀于唇封的一端。
由于这种蒸镀于唇封的副产物，存在当基板与唇封接触时不完全接触的问题。
进而，热传递气体向基板与唇封不完全接触的部位的泄露量增加。
这种热传递气体的泄露量的增加会引发热传递气体的泄露量增加的部位与热传递气体的泄露未增加的部位的温度差，而这种温度差最终会引起基板工程的均匀度下降的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：KR10-0502491B1；
专利文献2：KR1999-0076702A；
专利文献3：KR10-1599798B1。
发明内容
技术课题
本发明的目的在于，提供一种改善了副产物蒸镀问题的唇封及包括其的半导体工程装置。
技术方案
本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封的特征在于，包括：支撑部，其形成为环形而在内侧包括空腔；弹性部，其从所述支撑部的上面延伸；接触部，其从所述弹性部的一端延伸，且在上面包括平坦区域；以及滑动部，其从所述接触部的一端延伸，且所述滑动部的上面形成为弧形状。
所述改善了副产物蒸镀问题的唇封的特征在于，所述接触部的厚度朝延伸方向增加。
所述改善了副产物蒸镀问题的唇封的特征在于，以所述滑动部朝向所述空腔的中心方向的方式，所述弹性部从所述支撑部的外侧周围延伸；或以所述滑动部朝向所述空腔的中心方向的反方向的方式，所述弹性部从所述支撑部的内侧周围延伸。
所述改善了副产物蒸镀问题的唇封的特征在于，所述弹性部在所述支撑部的上面的中间延伸，所述接触部包括从所述弹性部向两侧分歧而分别延伸的第一接触部和第二接触部，所述滑动部包括从所述第一接触部的一端延伸的第一滑动部和从所述第二接触部的一端延伸的第二滑动部。
所述改善了副产物蒸镀问题的唇封的特征在于，当所述平坦区域被加压时，所述滑动部的端部以向所述支撑部的外侧凸出的方式延伸。
本发明的包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置的特征在于，包括：卡盘，其用于安放基板；环形的插入槽，其形成于所述卡盘的上面；气体流道，其位于所述卡盘，且位于所述插入槽的内侧，其将热传递气体供应至所述卡盘的上面；以及所述改善了副产物蒸镀问题的唇封，其插入于所述插入槽。
所述包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置的其特征在于，还包括：槽倾斜面，其以倾斜的形状形成于所述卡盘槽的内周面；以及支撑部倾斜面，其以与所述槽倾斜面对应的形状形成于所述支撑部的内侧，且所述支撑部倾斜面贴紧于所述槽倾斜面而防止所述唇封从所述卡盘分离。
所述包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置的特征在于，当所述平坦区域与所述基板的下面接触时，所述滑动部的端部相比所述卡盘的上面向下配置。
所述包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置的特征在于，与所述接触部的厚度朝延伸方向增加而所增加的厚度对应地，所述滑动部的端部向下配置。
所述包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置的特征在于，所述插入槽的宽度形成得大于所述支撑部的宽度，以使所述插入槽具有能够容纳向所述支撑部的外侧凸出的所述滑动部的端部的空间。
发明的效果
首先，通过弧形状的滑动部，副产物将堆积于滑动部的端部。因此，基板将与没有副产物的接触部的平坦区域接触，防止当基板与唇封接触时发生不完全接触。
由于防止产生热传递气体的泄露量增加的部位，因而防止在基板发生温度差，从结果而言，具有防止基板工程的均匀度下降的效果。
此外，由于厚度沿接触部延伸的方向增加，若在接触部的平坦区域安放基板，使接触部的上面与基板水平，则所增加的接触部的厚度对应地，向更靠下侧的位置配置滑动部。因此，即使副产物蒸镀于滑动部，也不会对与基板接触的接触部造成影响。由此，能够有效地防止在基板与唇封之间发生不完全接触。
此外，若形成第一接触部和第二接触部，则更稳定地支撑基板，并且，通过第一接触部和第二接触部，双重地屏蔽热传递气体，因而具有减少热传递气体泄露的效果。
此外，若弹性部弯曲而使基板安放于接触部的平坦区域，则滑动部将与支撑部接近或相接。随着支撑部及滑动部所形成的开口区域减少，能够防止副产物堆积于支撑部与滑动部之间的区域。此时，若使滑动部的端部较长地延伸而形成，则将完全覆盖支撑部的端部，因而能够有效地改善副产物堆积于支撑部与滑动部之间的区域的问题。
此外，由于唇封倾斜面贴紧于槽倾斜面，因而具有防止唇封从卡盘分离的效果。
此外，当基板安放于唇封时，若滑动部相比卡盘的上面向下配置，则即使在基板执行反复性的工程，也能够防止副产物向接触部的平坦区域堆积。因此，能够使基板有效地贴紧于接触部。从而，防止当基板与唇封接触时发生不完全接触，且具有不会发生热传递气体的泄露的效果。
此外，就接触部而言，由于与和所述弹性部邻接的部位的厚度和所述滑动部的邻接的厚度的差对应地，所述滑动部的下面向下配置，即使在基板执行反复性的工程，也能够防止副产物向接触部的平坦区域堆积。因此，能够使基板有效地贴紧于接触部。
此外，通过将插入槽设计为所述插入槽的宽度大于所述支撑部的宽度，以具有能够将滑动部的端部向下配置于所述插入槽的空间，即使向基板执行反复性的工程，也能够防止副产物向插入槽的空间堆积且副产物向接触部的平坦区域堆积。因此，能够使基板有效地贴紧于接触部。从而，防止当基板与唇封接触时发生不完全接触，具有不会发生热传递气体的泄的露的效果。
附图说明
图1是从上部观察本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封的图。
图2是本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封的截面放大图。
图3是说明基板与本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封接触时的动作的图。
图4是说明本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封的一实施例的图。
图5是说明本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封的另一实施例的图。
图6是说明基板安放于包括本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置的卡盘的图。
符号说明
100：唇封，110：支撑部，111：支撑部倾斜面，120：弹性部，130：接触部，131：平坦区域，130a：第一接触部，130b：第二接触部，140：滑动部，140a：第一滑动部，140b：第二滑动部，200：卡盘，210：插入槽，211：槽倾斜面，220：气体流道，S：基板。
具体实施方式
下面参考附图对本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封及包括其的半导体工程装置进行详细说明。
在基板S的半导体工程过程中产生的副产物蒸镀于唇封100。
由于这种蒸镀于唇封100的副产物，存在当基板S与唇封100接触时不完全接触的问题。
进而，热传递气体向基板S与唇封100不完全接触的部位的泄露量增加。
这种热传递气体的泄露量的增加会引发基板S的热传递气体的泄露量增加的部位与热传递气体的泄露未增加的部位的温度差，而这种温度差最终会引起基板S工程的均匀度下降的问题。
如图1至图3所图示，本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封100包括支撑部110、弹性部120、接触部130、以及滑动部140。
支撑部110形成为环形，且在内部包括空腔。
即，通过环形的支撑部110，唇封100将具有大致在内侧形成有空腔的圆环形状。
弹性部120从支撑部110的上面延伸。
接触部130从弹性部120的一端延伸，且在上面包括平坦区域131。
所述改善了副产物蒸镀问题的唇封的特征在于，滑动部140从接触部130的一端延伸，且滑动部140的上面形成为弧形状。
此时，也可以，滑动部140不仅其上面形成为弧形，其下面也形成为弧形状，从而整体上形成为半圆形状。
但是，若仅将滑动部140的上面形成为弧形状，则会如图3所图示具有滑动部140的一端朝向更下侧方向的效果。因此，优选仅将滑动部140的上面形成为弧形状。
通过将滑动部140的上面形成为弧形状，即使在基板S安放于接触部130的情况下，基板S与滑动部140也不会接触。
即，基板S与形成于接触部130的上面的平坦区域131接触，且滑动部140通过弧形状弯曲地向下，因而滑动部140可以与基板S隔开。
聚合物粒子之类的副产物蒸镀于作为唇封100的一端的滑动部140，通过弧形状的滑动部140，副产物堆积在滑动部140的端部。
因此，基板S与没有副产物的接触部130的平坦区域131接触，防止当基板S与唇封100接触时发生不完全接触。
由于防止产生热传递气体的泄露量增加的部位，因而防止在基板S发生温度差，其结果，具有防止基板S工程的均匀度下降的效果。
如图3所图示，接触部130的厚度朝延伸方向增加。即，接触部130的厚度可以从弹性部120的一端向滑动部140的方向增加。
当基板S与平坦区域131接触时，与接触部130所增加的厚度对应地，滑动部140的一端将位于相对于基板S靠下部的位置。
如此，由于厚度朝接触部130延伸的方向增加，若基板S安放于接触部130的平坦区域131，使接触部130的上面与基板S成水平，则与滑动部140所增加的接触部130的厚度对应地更靠下侧配置。
因此，即使副产物蒸镀于滑动部140，也不会对与基板S接触的接触部130造成影响。从而，能够有效地防止在基板S与唇封100之间发生不完全接触。
下面对唇封100的形状的实施例进行说明。
作为实施例1，如图2所图示，可以以滑动部140朝向空腔的中心方向的方式，使弹性部120从支撑部110的外侧周围延伸。换言之，可以以支撑部110和滑动部140所形成的开口朝向空腔的中心方向的方式，使弹性部120从支撑部110的外侧周围延伸。
作为实施例2，如图4所图示，可以以滑动部140朝向空腔的中心方向的反方向的方式，使弹性部120从支撑部110的内侧周围延伸。换言之，可以以支撑部110和滑动部140所形成的开口朝向与空腔的中心方向相反的方向的方式，使弹性部120从支撑部110的内侧周围延伸。
这样的实施例2意味着与实施例1的滑动部140所朝方向相反地形成。
作为实施例3，如图5所图示，可以是，接触部130还包括第一接触部130a和第二接触部130b，滑动部140还包括第一滑动部140a和第二滑动部140b。
弹性部120在支撑部110的上面的中间延伸而形成。使第一接触部130a和第二接触部130b分别从弹性部120向两侧分歧而延伸。第一滑动部140a从第一接触部130a的一端延伸，第二滑动部140b从第二接触部130b的一端延伸。
如此，若形成第一接触部130a和第二接触部130b，则能够更稳定地支撑基板S。此外，通过第一接触部130a和第二接触部130b，双重地屏蔽热传递气体，因而具有减少热传递气体的泄露的效果。
另一方面，当平坦区域131被加压时，本发明的唇封100可以以使滑动部140的端部向支撑部110的外侧凸出的方式延伸。
若弹性部120弯曲而使基板S安放于接触部130的平坦区域131，则滑动部140将与支撑部110接近或相接。
此时，优选滑动部140的端部以相比支撑部110的端部向外侧凸出的方式较长地形成。
即，优选地，当平坦区域131被加压时，以滑动部140的端部向支撑部110的外侧凸出的方式从接触部130延伸至滑动部140的下面的长度形成得比在支撑部110中除了形成弹性部120的部分以外的剩余部分的宽度的长度长。
因此，随着支撑部110和滑动部140所形成的开口区域减少，能够防止副产物堆积于支撑部110与滑动部140之间的区域。此时，若滑动部140的端部相比支撑部110的端部向外侧凸出，则将完全覆盖支撑部110的端部，因而能够有效地改善副产物堆积于支撑部110与滑动部140之间的区域的问题。
如图6所图示，包括本发明的唇封100的半导体工程装置包括卡盘200、插入槽210、以及气体流道220，且在插入槽210插入本发明的改善了副产物蒸镀问题的唇封100。
基板S安放于卡盘200。
插入槽210形成于卡盘200的上面，且在插入槽210内插入用于副产物蒸镀的唇封100。
此时，唇封100的支撑面安放于插入槽210的底面。
气体流道220位于卡盘200且位于插入槽210的内侧，并向将热传递气体供应至上部。
插入槽210包括槽倾斜面211。槽倾斜面211形成为使位于卡盘200的中心方向的内周面朝卡盘200的中心方向向下倾斜。此时，唇封100的支撑部110可以包括支撑部倾斜面111，该支撑部倾斜面111以对应于槽倾斜面211的形状倾斜地形成而贴紧于槽倾斜面211。
如此，唇封100的倾斜面贴紧于槽倾斜面211，从而能够防止唇封100从卡盘200分离。
此时，当唇封100插入于插入槽210，且平坦区域131与基板S的下面接触时，优选滑动部140的端部相比卡盘200的上面向下配置。
当基板S安放于唇封100时，若滑动部140相比卡盘200的上面向下配置，则即使副产物堆积于滑动部140，也将位于接触部130的下侧。因此，即使在基板S执行反复性的工程，即，即使副产物积累继续堆积，也能够防止副产物向接触部130的平坦区域131堆积。
从而，即使执行反复性的工程，也能够使基板S有效地贴紧于接触部130。当基板S与唇封100接触时，防止发生不完全接触，具有不会发生热传递气体的泄露的效果。
另一方面，在唇封100，可以与接触部130的厚度延伸方向增加而所增加的厚度对应地，滑动部140的端部向下配置。
即，在接触部130，可以与和弹性部120邻接的部位的厚度与所述滑动部140的邻接的厚度的差对应地，滑动部140的下面向下配置。因此，即使在基板S执行反复性的工程，也能够防止副产物向接触部130的平坦区域131堆积。
此外，卡盘200的插入槽210的宽度可以形成得大于支撑部110的宽度。即，插入槽210可以形成为插入槽210的宽度大于支撑部110的宽度，以具有容纳向支撑部110的外侧凸出的滑动部140的端部的空间。
因此，即使在基板S执行反复性的工程，即，即使副产物积累而继续堆积，副产物也将沿滑动部140向插入槽210的容纳空间堆积，能够防止副产物向接触部130的平坦区域131堆积。
尽管上面参照附图对本发明的实施例进行了说明，但本发明所属技术领域中的一般的技术人员可以理解在不改变本发明的技术思想或必备特征的前提下，可以以其他具体形态实施本发明。因此，以上所描述的实施例在所有方面均应理解为是示例性的，而不是限定性的。

Claims (10)

1.一种改善了副产物蒸镀问题的唇封，其特征在于，包括：
支撑部，其形成为环形而在内侧包括空腔；
弹性部，其从所述支撑部的上面延伸；
接触部，其从所述弹性部的一端延伸，且在上面包括平坦区域；以及
滑动部，其从所述接触部的一端延伸，
且所述滑动部的上面形成为弧形状，
当所述接触部与基板接触时，所述滑动部通过弧形状与所述基板隔开而不接触，由此，副产物蒸镀于所述滑动部，而所述接触部的平坦区域与所述基板维持接触状态。
2.根据权利要求1所述的改善了副产物蒸镀问题的唇封，其特征在于，
所述接触部的厚度朝延伸方向增加。
3.根据权利要求1所述的改善了副产物蒸镀问题的唇封，其特征在于，
以所述滑动部朝向所述空腔的中心方向的方式，所述弹性部从所述支撑部的外侧周围延伸；或
以所述滑动部朝向所述空腔的中心方向的反方向的方式，所述弹性部从所述支撑部的内侧周围延伸。
4.根据权利要求1所述的改善了副产物蒸镀问题的唇封，其特征在于，
所述弹性部在所述支撑部的上面的中间延伸，
所述接触部包括从所述弹性部向两侧分歧而分别延伸的第一接触部和第二接触部，
所述滑动部包括从所述第一接触部的一端延伸的第一滑动部和从所述第二接触部的一端延伸的第二滑动部。
5.根据权利要求1所述的改善了副产物蒸镀问题的唇封，其特征在于，
当所述平坦区域被加压时，
所述滑动部的端部以向所述支撑部的外侧凸出的方式延伸。
6.一种包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置，其特征在于，包括：
卡盘，其用于安放基板；
环形的插入槽，其形成于所述卡盘的上面；
气体流道，其位于所述卡盘，且位于所述插入槽的内侧，其将热传递气体供应至所述卡盘的上面；以及
权利要求1所述的改善了副产物蒸镀问题的唇封，其插入于所述插入槽。
7.根据权利要求6所述的包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置，其特征在于，还包括：
槽倾斜面，其以倾斜的形状形成于所述插入槽的内周面；以及
支撑部倾斜面，其以与所述槽倾斜面对应的形状形成于所述支撑部的内侧，
且所述支撑部倾斜面贴紧于所述槽倾斜面而防止所述唇封从所述卡盘分离。
8.根据权利要求6所述的包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置，其特征在于，
当所述平坦区域与所述基板的下面接触时，
所述滑动部的端部相比所述卡盘的上面向下配置。
9.根据权利要求8所述的包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置，其特征在于，
与所述接触部的厚度朝延伸方向增加而所增加的厚度对应地，所述滑动部的端部向下配置。
10.根据权利要求8所述的包括改善了副产物蒸镀问题的唇封的半导体工程装置，其特征在于，
所述插入槽的宽度形成得大于所述支撑部的宽度，以使所述插入槽具有能够容纳向所述支撑部的外侧凸出的所述滑动部的端部的空间。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4856766A (en) * 1987-07-08 1989-08-15 Philips & Du Pont Optical Company Vacuum apparatus for holding workpieces
US5805408A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates
US20030021077A1 (en) * 2001-07-30 2003-01-30 Kenney Mark D. Perimeter seal for backside cooling of substrates
US20040237244A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Tdk Corporation Purge system for product container and interface seal used in the system
KR20070050553A (ko) * 2005-11-11 2007-05-16 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조장비의 웨이퍼 클램프 장치
US20170053822A1 (en) * 2015-08-23 2017-02-23 Camtek Ltd. Warped wafers vacuum chuck
CN107004574A (zh) * 2014-12-12 2017-08-01 佳能株式会社 基板保持装置、光刻设备以及物品制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0742588A3 (en) 1995-05-11 1997-08-27 Applied Materials Inc Method of protecting an electrostatic chuck
JPH09246365A (ja) * 1996-03-11 1997-09-19 Dainippon Printing Co Ltd 基板用保持治具

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4856766A (en) * 1987-07-08 1989-08-15 Philips & Du Pont Optical Company Vacuum apparatus for holding workpieces
US5805408A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Lam Research Corporation Electrostatic clamp with lip seal for clamping substrates
US20030021077A1 (en) * 2001-07-30 2003-01-30 Kenney Mark D. Perimeter seal for backside cooling of substrates
US20040237244A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Tdk Corporation Purge system for product container and interface seal used in the system
KR20070050553A (ko) * 2005-11-11 2007-05-16 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조장비의 웨이퍼 클램프 장치
CN107004574A (zh) * 2014-12-12 2017-08-01 佳能株式会社 基板保持装置、光刻设备以及物品制造方法
US20170053822A1 (en) * 2015-08-23 2017-02-23 Camtek Ltd. Warped wafers vacuum chuck

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