CN112599399A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及等离子体处理装置。提供用于避免由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。聚焦环载置于载置台，具有导电性。导电性环载置于盖环。位于聚焦环的外周的第1侧面和位于导电性环的内周的第2侧面彼此相对并分离开。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本公开的例示的实施方式涉及等离子体处理装置。
背景技术
例如，如专利文献1所公开的那样，进行基板处理的等离子体处理装置可以具有具备聚焦环(focus ring)和盖环(cover ring)的结构。通过以包围半导体基板的周围的方式配置导电性的聚焦环，而缓和基板端部的偏置电位的不连续性，从而提高等离子体处理的均匀性。在该聚焦环(也被称为边缘环)的周围设有石英的盖环。聚焦环的外周侧面被盖环覆盖。
专利文献1：日本特开2018-206913号公报
发明内容
发明要解决的问题
覆盖聚焦环的外周侧面的石英等的盖环由于等离子体的离子等的溅射而随着时间损耗。盖环由于在聚焦环附近侧特别损耗，因此，随着盖环的损耗，被盖环覆盖的聚焦环的外周侧面相对于等离子体暴露。在这样的情况下，聚焦环的作为阴极的面积变化。即，在聚焦环的外周侧面被盖环覆盖的情况下，聚焦环的上表面作为阴极发挥功能。相对于此，在盖环损耗而使聚焦环的外周侧面暴露时，导致聚焦环的外周侧面也作为阴极发挥功能。因而，根据盖环的损耗前后，产生在基板端部发生倾斜等工艺变化。本公开提供用于抑制由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。
用于解决问题的方案
在一个例示的技术方案中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。载置台具有用于载置基板的基板载置部和包围基板载置部的周缘部。聚焦环载置于载置台的周缘部，具有导电性。盖环包围载置台的外周，由电介质构成。导电性环载置于盖环。高频电源与载置台结合起来。位于聚焦环的外周部的第1面和位于导电性环的内周部的第2面彼此相对并分离开。盖环具有使聚焦环和导电性环分离开的分离部。
发明的效果
根据本公开，能够提供用于抑制由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。
附图说明
图1是表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的结构的一例的图。
图2是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的一例的图。
图3是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的另一例的图。
图4是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的一例的图。
图5是表示导电性环的内周下表面的结构和分离部的结构的变化的图。
图6是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的另一例的图。
图7是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的另一例的图。
图8是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的另一例的图。
具体实施方式
以下，对各种例示的实施方式进行说明。在一个例示的实施方式中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。载置台具有用于载置基板的基板载置部和包围基板载置部的周缘部。聚焦环载置于载置台的周缘部，具有导电性。盖环包围载置台的外周，由电介质构成。导电性环载置于盖环。高频电源与载置台结合起来。位于聚焦环的外周部的第1面和位于导电性环的内周部的第2面彼此相对并分离开。盖环具有使聚焦环和导电性环分离开的分离部。位于聚焦环的外周的第1侧面和位于导电性环的内周的第2侧面彼此相对并分离开。聚焦环在等离子体处理中作为阴极发挥功能。电浮动状态的导电性环以与这样的聚焦环的外周相对的方式设置。
在一个例示的实施方式中，聚焦环的内周部由载置台的周缘部支承，聚焦环的外周部覆盖盖环的内周部上表面。
在一个例示的实施方式中，第1面是聚焦环的外周部侧面，第2面是导电性环的内周部侧面。
在一个例示的实施方式中，第1面是聚焦环的外周部下表面，第2面是导电性环的内周部上表面。
在一个例示的实施方式中，第1面是聚焦环的外周部上表面，第2面是导电性环的内周部下表面。
在一个例示的实施方式中，聚焦环的外周部侧面和导电性环的内周部侧面彼此相对并分离开。
在一个例示的实施方式中，导电性环的内周部上表面的与聚焦环的外周部下表面相对的面积比导电性环的内周部侧面的与聚焦环的外周部侧面相对的面积大。
在一个例示的实施方式中，聚焦环的外周部下表面和导电性环的内周部上表面之间的间隙比聚焦环的外周部侧面和导电性环的内周部侧面之间的间隙窄。
在一个例示的实施方式中，聚焦环和导电性环在第1面和第2面电容耦合。
在一个例示的实施方式中，第1面和第2面之间的距离大于0且比聚焦环的厚度小。
在一个例示的实施方式中，导电性环的内周部下表面位于比聚焦环的外周部下表面靠下方的位置。
在一个例示的实施方式中，分离部是在盖环的表面形成的槽部。导电性环的内周部下表面容纳在槽部内。
在一个例示的实施方式中，分离部是构成为供导电性环的内周部侧面抵接且在盖环的表面形成的台阶部。
在一个例示的实施方式中，导电性环以导电性环的外周位于盖环的外周的内侧的方式配置。盖环的外周部上表面暴露于等离子体处理空间。
在一个例示的实施方式中，盖环由多个电介质组件构成。
在一个例示的实施方式中，基板载置部和周缘部由静电卡盘构成。
在一个例示的实施方式中，基板载置部由静电卡盘构成，周缘部由载置台的基台构成。
在一个例示的实施方式中，导电性环在导电性环的上表面和导电性环的内周部侧面之间具有倾斜部。
在一个例示的实施方式中，导电性环的材料是硅或碳化硅。盖环的材料是石英。
以下，参照附图对各种例示的实施方式进行详细地说明。其中，在各附图中对相同或相当的部分标注相同的附图标记。
一个例示的实施方式的等离子体处理装置1具备腔室10。腔室10在其中提供内部空间12c。腔室10包括腔室主体12。腔室主体12呈大致圆筒形状。腔室主体12的材料例如可以是铝。在腔室主体12的内壁面上设有具有耐腐蚀性的膜。该膜的材料可以是氧化铝、氧化钇等陶瓷。
在腔室主体12的侧壁形成有通路12p。基板W经由通路12p在内部空间12c和腔室10的外部之间被输送。通路12p利用沿着腔室主体12的侧壁设置的闸阀12g开闭。
在腔室主体12的底部上设有筒状部28。筒状部28的材料可以是绝缘材料。筒状部28呈大致圆筒形状。筒状部28在内部空间12c之中自腔室主体12的底部向上方延伸。
在内部空间12c内，支承部15沿着大致圆筒形状的筒状部28的内侧的侧面自腔室主体12的底部向上方延伸。支承部15具有大致圆筒形状。支承部15的材料可以是陶瓷等绝缘材料。在支承部15上搭载有载置台16。载置台16由支承部15支承。载置台16构成为在内部空间12c之中支承基板W。
载置台16设于支承部15上。载置台16具备载置部31、基台18以及电极板21。
载置部31具有基板载置部31a和周缘部31b，该基板载置部31a是用于载置基板W的区域，该周缘部31b是包围基板载置部31a的区域。在周缘部31b载置具有导电性的聚焦环FR。导电性环DR沿着聚焦环FR的外周OPc呈同心圆状地载置在盖环CR之上。载置部31也可以由静电卡盘20构成。
盖环CR设于筒状部28上。盖环CR是绝缘体，沿着载置台16的外周延伸。盖环CR从载置部31的上方观察(从上部电极30侧观察)以包围载置部31的外周的方式设置。盖环CR的材料是具有绝缘性的材料，例如可以是石英或氧化铝等陶瓷。盖环CR可以由多个电介质组件构成。
导电性环DR配置于盖环CR的上方。导电性环DR从载置部31的上方观察以包围聚焦环FR的方式设置。导电性环DR呈大致环状板形状，由具有导电性的材料形成。导电性环DR的材料例如可以是硅(Si)、碳化硅(SiC)。
电极板21由铝这一导电性材料形成，呈大致圆盘形状。基台18设在电极板21上。基台18由铝这一导电性材料形成，呈大致圆盘形状。基台18与电极板21电连接，作为下部电极发挥功能。
静电卡盘20作为载置部31设在基台18上。静电卡盘20的上表面载置基板W。静电卡盘20具有主体和电极。静电卡盘20的主体呈大致圆盘形状。静电卡盘20的主体的材料是电介质。静电卡盘20的电极是膜状的电极，设于静电卡盘20的主体内。静电卡盘20的电极经由开关20s与直流电源20p连接。在对静电卡盘20的电极施加来自于直流电源20p的电压时，在静电卡盘20和基板W之间产生静电引力。利用该静电引力，基板W被保持于静电卡盘20。
聚焦环FR以包围载置于基板载置部31a的基板W的外周的方式配置于周缘部31b。聚焦环FR使针对基板W进行的等离子体处理的面内均匀性提高。聚焦环FR呈大致环状板形状，由具有导电性的材料形成。聚焦环FR的材料例如可以是硅(Si)或碳化硅(SiC)。
在基台18的内部设有流路18f。从设于腔室10的外部的冷却器单元(未图示)经由配管23a向流路18f供给热交换介质(例如制冷剂)。供给到流路18f的热交换介质经由配管23b返回至冷却器单元。对于等离子体处理装置1，载置在静电卡盘20上的基板W的温度可以利用热交换介质和基台18之间的热交换调整。
在等离子体处理装置1设有气体供给线路25。气体供给线路25将来自传热气体供给机构的传热气体(例如He气体)向静电卡盘20的上表面和基板W的背面之间供给。
等离子体处理装置1还具备上部电极30。上部电极30设于载置台16的上方。上部电极30借助构件32被支承于腔室主体12的上部。构件32的材料可以是具有绝缘性的材料。上部电极30和构件32使腔室主体12的上部开口封闭。
上部电极30可以包括顶板34和支承体36。顶板34的下表面是靠内部空间12c侧的下表面，划分形成内部空间12c。顶板34可以由产生的焦耳热较少的低电阻的导电体或半导体形成。顶板34具有将顶板34在其板厚方向上贯通的多个气体喷出孔34a。
支承体36将顶板34支承为装卸自如。支承体36的材料可以是铝等导电性材料。在支承体36的内部设有气体扩散室36a。支承体36具有自气体扩散室36a向下方延伸的多个气体孔36b。多个气体孔36b分别与多个气体喷出孔34a连通。在支承体36形成有气体导入口36c。气体导入口36c与气体扩散室36a连接。气体导入口36c与气体供给管38连接。
气体供给管38与阀组44、流量控制器组42以及气体源组40连接。气体源组40、阀组44以及流量控制器组42构成了气体供给部。气体源组40包括多个气体源。阀组44包括多个开闭阀。流量控制器组42包括多个流量控制器。流量控制器组42的多个流量控制器分别是质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组44的对应的开闭阀以及流量控制器组42的对应的流量控制器与气体供给管38连接。
在筒状部28和腔室主体12的侧壁之间设有挡板48。挡板48例如通过在由铝形成的母材的表面形成具有耐腐蚀性的膜(氧化钇等的膜)来构成。在挡板48形成有多个贯通孔。在比挡板48靠下方且是腔室主体12的底部设有排气口。排气口经由排气管52与排气装置50连接。排气装置50包括压力调整阀和涡轮分子泵等真空泵。
等离子体处理装置1具备第1高频电源62和第2高频电源64。第1高频电源62是产生第1高频电力的电源。第1高频电力具有适于等离子体的生成的频率。第1高频电力的频率例如是27[MHz]～100[MHz]的范围内的频率。第1高频电源62借助匹配器66以及电极板21与基台18连接。匹配器66具有用于使第1高频电源62的输出阻抗与负载侧(基台18侧)的阻抗匹配的电路。另外，第1高频电源62也可以经由匹配器66与上部电极30连接。
第2高频电源64是产生第2高频电力的电源。第2高频电力具有比第1高频电力的频率低的频率。在与第1高频电力一起使用第2高频电力的情况下，第2高频电力用作用于向基板W引入离子的偏压用的高频电力。第2高频电力的频率例如是400[kHz]～13.56[MHz]的范围内的频率。第2高频电源64借助匹配器68以及电极板21与基台18连接。匹配器68具有用于使第2高频电源64的输出阻抗与负载侧(基台18侧)的阻抗匹配的电路。
另外，也可以不使用第1高频电力而使用第2高频电力，即，仅使用单一的高频电力来生成等离子体。在该情况下，第2高频电力的频率可以是比13.56[MHz]大的频率，例如为40[MHz]。等离子体处理装置1也可以不具有第1高频电源62和匹配器66。
在等离子体处理装置1，自气体供给部向内部空间12c供给气体，来生成等离子体。通过供给第1高频电力和第2高频电力中的至少一者，而在上部电极30和基台18(下部电极)之间生成高频电场。利用生成的高频电场生成等离子体。
等离子体处理装置1还可以具备控制部MC。控制部MC可以是具备处理器、存储器等存储部、输入装置、显示装置、信号的输入输出接口等的计算机。控制部MC控制等离子体处理装置1的各部。
在控制部MC，操作员能够使用输入装置进行命令的输入操作等以管理等离子体处理装置1。此外，在控制部MC，能够利用显示装置将等离子体处理装置1的工作状况可视化地显示。而且，在存储部存储有控制程序以及制程数据。由处理器执行控制程序以在等离子体处理装置1执行各种处理。处理器执行控制程序，而按照制程数据控制等离子体处理装置1的各部。
参照图2，说明图1所示的载置台16的区域ER的结构。特别是详细地说明导电性环DR、聚焦环FR的结构。
在图2所示的例中，盖环CR由内侧盖环CRa和外侧盖环CRb这两个电介质构件构成。另外，盖环CR也可以由一个电介质构件构成，还可以由三个以上的电介质构件构成。
聚焦环FR的内周侧(内周部)载置在载置部31的周缘部31b即静电卡盘20上，外周侧(外周部)以覆盖内侧盖环CRa的方式配置。聚焦环FR的外周部也可以载置于内侧盖环CRa。为了使聚焦环FR的内周部被周缘部31b可靠地支承，也可以使内侧盖环CRa的上表面SFa形成得比周缘部31b的上表面低，而在聚焦环FR的外周部下表面和内侧盖环CRa的上表面SFa之间设有间隙。即，聚焦环FR的外周部也可以不载置于内侧盖环CRa。静电卡盘20的主体的厚度与内侧盖环CRa的厚度相比较非常小。因此，聚焦环FR隔着静电卡盘20与第1高频电源62以及第2高频电源64作为高频电路耦合。此外，如图3所示，也可以构成为，在设于内侧盖环CRa的贯通孔配置与直流电源DC连接且与聚焦环FR的下表面接触的供电棒SP，也能够对聚焦环FR施加直流电压。
导电性环DR载置在外侧盖环CRb之上。由于外侧盖环CRb的厚度较厚，因此，导电性环DR不会隔着外侧盖环CRb与第1高频电源62以及第2高频电源64作为高频电路耦合。
外侧盖环CRb具有内周侧的上表面SFc和外周侧的上表面SFd。外侧盖环CRb的内周侧由于靠近聚焦环FR而比外周侧容易损耗。因而，在图2的例中，以仅覆盖容易损耗的位置(外侧盖环CRb的内周侧的上表面SFc)的方式配置导电性环DR。即，导电性环DR的外周OPd以位于比盖环CR的外周OPe靠内侧的位置的方式配置，盖环CR的外周上表面暴露于等离子体处理空间(内部空间12c)。但是，也可以是，导电性环DR以覆盖外侧盖环CRb的整个上表面的方式配置。另外，在图2的例中，构成为外周侧的上表面SFd与被导电性环DR覆盖的内周侧的上表面SFc处于同一平面上，但也可以构成为不处于同一平面上。例如，不被导电性环DR覆盖的外侧盖环CRb的上表面SFd也可以比导电性环DR的上表面SFb高，还可以处于相同的高度。
如图2所示，在聚焦环FR和导电性环DR之间设有空隙AS。更具体地说，位于聚焦环FR的外周OPc的第1侧面SSa和位于导电性环DR的内周IPb的第2侧面SSb彼此相对并分离开。导电性环DR的内周下表面ILSb位于比聚焦环FR的外周下表面ILSa靠下方的位置。
在图2所示的例中，第2侧面SSb的面积构成为比导电性环DR的上表面SFb的面积小。导电性环DR的上表面SFb比聚焦环FR的上表面高。换言之，导电性环DR的内周IPb的厚度比聚焦环FR的外周OPc的厚度厚。
第1侧面SSa和第2侧面SSb之间的距离GA是空隙AS的宽度。如后述那样，第1侧面SSa和第2侧面SSb作为电容器发挥功能。因而，期望的是，距离GA比0大且比聚焦环FR的厚度SH小。
盖环CR还具备分离部DT。分离部DT使聚焦环FR的第1侧面SSa和导电性环DR的第2侧面SSb分离开。
在图2所示的例中，通过将外侧盖环CRb的内周侧的上表面SFc构成为比内侧盖环CRa的上表面SFa低，而在内侧盖环CRa和外侧盖环CRb之间设置台阶部从而构成分离部DT。由于台阶部和导电性环DR的第2侧面SSb抵接，因此，导电性环DR的第2侧面SSb不与聚焦环FR的第1侧面SSa接触。即，通过设置分离部DT，能够防止第1侧面SSa和第2侧面SSb接触而不作为电容器发挥功能的情况。
在上述的结构的载置台16，导电性环DR配置在盖环CR之上。由于与静电卡盘20的主体的厚度相比较盖环CR的厚度较厚，因此，导电性环DR不会隔着盖环CR与第1高频电源62以及第2高频电源作为高频电路64耦合。此外，聚焦环FR的外周OPc的第1侧面SSa和导电性环DR的内周IPb的第2侧面SSb彼此相对并分离开。因而，第1侧面SSa和第2侧面SSb作为电容器发挥功能。即，聚焦环FR和导电性环DR在第1侧面SSa和第2侧面SSb电容耦合。第1侧面SSa位于聚焦环FR的外周OPc，在对基台18施加高频电力时，利用存在于第1侧面SSa的正或负的电荷，而在导电性环DR的内部产生静电感应。因此，与聚集于导电性环DR的第2侧面SSb的电荷等量且相反的电荷被等离子体的电位吸引而聚集在导电性环DR的上表面SFb。由于上表面SFb的面积比第2侧面SSb的面积大，因此，存在于上表面SFb的每单位面积的电荷的量比存在于第2侧面SSb的每单位面积的电荷的量小。因而，导电性环DR的电位比聚焦环FR的电位低，等离子体中的朝向导电性环DR的离子的加速被降低。因此，导电性环DR(即，聚焦环FR的外侧的区域)难以被溅射。
导电性环DR以覆盖盖环CR的容易损耗的位置的方式配置，由对溅射的抗性比覆盖环CR高的材质形成。此外，由于朝向导电性环DR的离子的加速被降低，因此，导电性环DR自身也难以被溅射。因而，能够抑制由于聚焦环FR的外周周围的盖环CR的损耗而导致聚焦环FR的作为阴极的面积的变化。因此，能够抑制在基板端部发生倾斜等工艺变化。
此外，通过调整导电性环DR的上表面SFb的面积，能够调整导电性环DR的上表面SFb的电位。
而且，导电性环DR与聚焦环FR的第1侧面SSa相对地配置。由于在聚焦环FR的第1侧面SSa的侧方侧存在物体(导电性环DR)，因此，朝向第1侧面SSa的离子被导电性环DR遮挡。因此，聚焦环FR难以被从第1侧面SSa溅射，因而能够抑制聚焦环FR的损耗。
另外，在图2所示的例中，由静电卡盘20构成了基板载置部31a和载置聚焦环FR的周缘部31b，但不限于此。基板载置部31a的静电卡盘和周缘部31b的静电卡盘也可以分别独立地设置。此外，如图4所示，也可以仅将基板载置部31a设为静电卡盘20，并利用基台18构成周缘部31b。此外，不仅仅是聚焦环FR的内周侧，也可以将整个聚焦环载置于周缘部31b。周缘部31b也可以形成得比基板载置部31a低而设为台阶部。
此外，在图2所示的例中，外侧盖环CRb的内周侧的上表面SFc构成得比内侧盖环CRa的上表面SFa低，从而构成了分离部DT，但不限于此。如图5所示，也可以在供导电性环DR载置的盖环CR设置凹状的槽，并将导电性环DR的内周下表面ILSb朝向下方地呈凸状设置。在该情况下，导电性环DR的内周下表面ILSb容纳在盖环CR的凹部(槽)内。凸状的内周下表面ILSb嵌入凹状的槽，从而可以稳定地维持导电性环DR的相对于盖环CR的位置。另外，在图5中，在外侧盖环CRb设有槽而作为分离部DT，但也可以将槽设于内侧盖环CRa侧。在该情况下，导电性环DR的内周侧载置于内侧盖环CRa，导电性环DR的外周侧载置于外侧盖环CRb。此外，在图5中，供聚焦环FR载置的盖环CR的上表面SFa和供导电性环DR载置的盖环CR的上表面SFc构成为同一的高度，但也可以构成为不同的高度。例如，也可以构成为供导电性环DR载置的盖环CR的上表面SFc比供聚焦环FR载置的盖环CR的上表面SFa高。
此外，在图2所示的例中，聚焦环FR的第1侧面SSa和导电性环DR的第2侧面SSb彼此相对并分离开从而作为电容器发挥功能，但不限于此。如图6所示，也可以构成为聚焦环FR的外周部下表面和导电性环DR的内周部上表面彼此相对并分离开。图6所示的导电性环DR的内周部的下部向内周侧突出。导电性环DR的突出的下部内周部的上表面和聚焦环FR的下表面彼此相对并分离开。此外，聚焦环FR的第1侧面SSa和导电性环DR的上部内周部的侧面即第2侧面SSb彼此相对并分离开。
外侧盖环CRb的内周侧的上表面SFc比内侧盖环CRa的上表面SFa低，在内侧盖环CRa和外侧盖环CRb之间形成成为分离部DT的台阶部。导电性环DR的下部内周部的侧面即第3侧面SSc与台阶部(内侧盖环CRa的外周侧面)抵接，因此，导电性环DR的上部内周部的侧面即第2侧面SSb不与聚焦环FR的第1侧面SSa接触。此外，内侧盖环CRa的上表面SFa形成在比导电性环DR的下部内周部的上表面高的位置。因而，由于聚焦环FR的下表面与内侧盖环CRa的上表面SFa抵接，导电性环DR的下部内周部的上表面不与聚焦环下表面接触。
在图6所示的例中，不仅仅是第1侧面SSa和第2侧面SSb，聚焦环FR的外周部下表面和导电性环DR的下部内周部上表面也能够作为电容器发挥功能。由此，能够增大聚焦环FR和导电性环DR之间的电容。
聚焦环FR的外周部下表面和导电性环DR的下部内周部上表面之间的距离GB也可以构成为比第1侧面SSa和第2侧面SSb之间的距离GA小。由于距离GB比距离GA小，因此，与第1侧面SSa和第2侧面SSb之间的电容相比，聚焦环FR的外周部下表面和导电性环DR的下部内周部上表面之间的电容较大。因此，即使由于聚焦环FR和导电性环DR的损耗，第1侧面SSa和第2侧面SSb的面积变化，也能够减小聚焦环FR和导电性环DR之间的电容的变化。而且，由于能够增大第1侧面SSa和第2侧面SSb之间的距离GA，因此，能够抑制空隙AS被堆积物堵塞而不作为电容器发挥功能(或电容较大地变化)的情况。
也可以构成为，导电性环DR的下部内周部上表面的与聚焦环FR的外周部下表面相对的面积比导电性环DR的内周部侧面的与聚焦环FR的外周部侧面相对的面积大。由于聚焦环FR的外周部下表面和导电性环DR的下部内周部上表面之间的电容增大，因此，能够减小聚焦环FR和导电性环DR之间的电容的变化。
如图6所示的例所示，也可以在导电性环DR的内周部侧面和上表面之间形成倾斜部。通过设置倾斜部，能够缓和聚焦环FR的上表面和导电性环DR的上表面之间的高度的变化，而缓和形成于导电性环DR和聚焦环FR的上方的护套的不连续性。
在图2～图6所示的例中，构成为导电性环DR的上表面SFb比聚焦环FR的上表面高，但不限于此。导电性环DR的上表面SFb也可以构成为与聚焦环FR的上表面成为相同高度，还可以构成为比聚焦环FR的上表面低。
在图6所示的例中，聚焦环FR的外周部下表面和导电性环DR的内周部上表面彼此相对并分离开。另外，如图7所示，也可以构成为聚焦环FR的外周部上表面和导电性环DR的内周部下表面彼此相对并分离开。
图7所示的导电性环DR的内周部的上部向内周侧突出。导电性环DR的突出的上部内周部的下表面和聚焦环FR的上表面彼此相对并分离开。此外，聚焦环FR的第1侧面SSa和导电性环DR的下部内周部的侧面即第2侧面SSb彼此相对并分离开。
外侧盖环CRb的内周侧的上表面SFc比内侧盖环CRa的上表面SFa低，在内侧盖环CRa和外侧盖环CRb之间形成了成为分离部DT的台阶部。导电性环DR的下部内周部的侧面即第2侧面SSb与台阶部(内侧盖环CRa的外周侧面)抵接，因此，导电性环DR的上部内周部的侧面即第2侧面SSb不与聚焦环FR的第1侧面SSa接触。此外，导电性环DR的突出的上部内周部的下表面形成在比聚焦环的外周部的上表面高的位置。因而，导电性环DR的上部内周部的下表面不与聚焦环上表面接触。
与图6所示的例同样地，也可以构成为，聚焦环FR的外周部上表面和导电性环DR的上部内周部下表面之间的距离GC比第1侧面SSa和第2侧面SSb之间的距离GA小。也可以导电性环DR的上部内周部下表面的与聚焦环FR的外周部上表面相对的面积比导电性环DR的内周部侧面的与聚焦环FR的外周部侧面相对的面积大。
在图7所示的例中，空隙AS被导电性环DR的上部内周部覆盖，因此，能够抑制空隙AS被堆积物堵塞而不作为电容器发挥功能(或电容较大地变化)的情况。
在图6和图7所示的例中，聚焦环FR的外周部下表面(上表面)和导电性环DR的内周部上表面(下表面)彼此相对并分离开，并且聚焦环FR的第1侧面SSa和导电性环DR的第2侧面SSb彼此相对并分离开。然而，也可以仅聚焦环FR的外周部下表面(上表面)和导电性环DR的内周部上表面(下表面)彼此相对并分离开。
在图2～7所示的例中，以由聚焦环FR的外周侧(外周部)覆盖内侧盖环CRa的方式配置聚焦环FR。然而，也可以将整个聚焦环FR配置在静电卡盘20上或基台18。即，不仅仅是聚焦环FR的内周侧(内周部)，外周侧(外周部)也可以载置在作为载置部31的周缘部31b的静电卡盘20上或基台18。
在图8示出构成为仅聚焦环FR的外周部上表面和导电性环DR的内周部下表面彼此相对并分离开的例子。此外，整个聚焦环FR载置在静电卡盘20上。
盖环CR的内周部载置于聚焦环FR的外周部。导电性环DR载置于盖环CR。导电性环DR的内周部具有向下方突出的突出部，突出部下表面(内周部下表面)与聚焦环FR的外周部上表面彼此相对并分离开。导电性环DR载置于盖环CR，因此，盖环CR上表面与导电性环DR的外周部下表面抵接。即，盖环CR的上表面成为分离部DT，导电性环DR的突出部下表面不与聚焦环FR的外周部上表面接触。另外，在图8所示的例中，在导电性环DR的内周部形成有向下方突出的突出部，但只要在导电性环DR的内周部下表面和聚焦环外周部上表面之间可以得到充分的电容，也可以不形成突出部。
以上，对各种例示的实施方式进行了说明，但不限定于上述的例示的实施方式，也可以进行各种的省略、置换以及变更。此外，能够组合不同的例示的实施方式的要素而形成其他例示的实施方式。
根据以上的说明，以说明的目的在本说明书中说明了本公开的各种例示的实施方式，应当理解的是只要不脱离本公开的范围和主旨就可以进行各种变更。因而，本说明书中公开的各种例示的实施方式并不意图于限定，真正的范围和主旨由权利要求书来表示。

Claims (19)

1.一种等离子体处理装置，其中，
该等离子体处理装置具有：
载置台，其具有用于载置基板的基板载置部和包围所述基板载置部的周缘部；
聚焦环，其载置于所述载置台的所述周缘部，具有导电性；
盖环，其包围所述载置台的外周，由电介质构成；
导电性环，其载置于所述盖环；以及
高频电源，其与所述载置台结合起来，
位于所述聚焦环的外周部的第1面和位于所述导电性环的内周部的第2面彼此相对并分离开，
所述盖环具有使所述聚焦环和所述导电性环分离开的分离部。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，
所述聚焦环的内周部由所述载置台的所述周缘部支承，所述聚焦环的所述外周部覆盖所述盖环的内周部上表面。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1面是所述聚焦环的外周部侧面，所述第2面是所述导电性环的内周部侧面。
4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1面是所述聚焦环的外周部下表面，所述第2面是所述导电性环的内周部上表面。
5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1面是所述聚焦环的外周部上表面，所述第2面是所述导电性环的内周部下表面。
6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，
所述聚焦环的外周部侧面和所述导电性环的内周部侧面彼此相对并分离开。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电性环的内周部上表面的与所述聚焦环的外周部下表面相对的面积比所述导电性环的内周部侧面的与所述聚焦环的外周部侧面相对的面积大。
8.根据权利要求6或7所述的等离子体处理装置，其中，
所述聚焦环的外周部下表面和所述导电性环的内周部上表面之间的间隙比所述聚焦环的外周部侧面和所述导电性环的内周部侧面之间的间隙窄。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述聚焦环和所述导电性环在所述第1面和所述第2面电容耦合。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述第1面和所述第2面之间的距离大于0且比所述聚焦环的厚度小。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电性环的内周部下表面位于比所述聚焦环的外周部下表面靠下方的位置。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述分离部是在所述盖环的表面形成的槽部，所述导电性环的内周部下表面容纳在所述槽部内。
13.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述分离部是构成为供所述导电性环的内周部侧面抵接且在所述盖环的表面形成的台阶部。
14.根据权利要求1～13中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电性环以所述导电性环的外周位于所述盖环的外周的内侧的方式配置，
所述盖环的外周部上表面暴露于等离子体处理空间。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述盖环由多个电介质组件构成。
16.根据权利要求1～15中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述基板载置部和所述周缘部由静电卡盘构成。
17.根据权利要求1～15中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述基板载置部由静电卡盘构成，所述周缘部由所述载置台的基台构成。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电性环在所述导电性环的上表面和所述导电性环的内周部侧面之间具有倾斜部。
19.根据权利要求1～18中任一项所述的等离子体处理装置，其中，
所述导电性环的材料是硅或碳化硅，所述盖环的材料是石英。
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