CN111613510A - 载置台及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种用于对接合层进行保护的载置台及基板处理装置。该载置台包括：基台；基板载置部，设置在所述基台的上表面上；环形部件载置部，设置在所述基台的上表面上且设置在所述基板载置部的外侧；第一接合层，将所述基台与所述基板载置部接合；第二接合层，将所述基台与所述环形部件载置部接合；环形部件，被放置在所述环形部件载置部上；以及密封部件，对所述第一接合层和所述第二接合层进行保护。

Description

载置台及基板处理装置
技术领域
本公开涉及一种载置台及基板处理装置。
背景技术
已知一种等离子体处理装置，其在基台与静电卡盘之间具有用于将基台与静电卡盘接合的接合层。
专利文献1公开了一种等离子体蚀刻装置，其具有基台、布置在基台的载置面上而对处理对象进行载置的静电卡盘、以及将基台与静电卡盘接合的接合层。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1：日本特开2014-53481号公报
发明内容
<本发明要解决的问题>
在一个方面，本公开提供一种用于对接合层进行保护的载置台及基板处理装置。
<用于解决问题的方案>
为了解决上述问题，根据一个实施方式，提供一种载置台，包括：基台；基板载置部，设置在所述基台的上表面上；环形部件载置部，设置在所述基台的上表面上且设置在所述基板载置部的外侧；第一接合层，将所述基台与所述基板载置部接合；第二接合层，将所述基台与所述环形部件载置部接合；环形部件，被放置在所述环形部件载置部上；以及密封部件，对所述第一接合层和所述第二接合层进行保护。
<发明效果>
根据一个方面，能够提供一种用于对接合层进行保护的载置台及基板处理装置。
附图说明
图1是示出根据第1实施方式的基板处理装置的示例的剖视示意图。
图2是示出根据第1实施方式的基板处理装置的支承台的示例的局部放大剖视图。
图3是示出根据第2实施方式的基板处理装置的支承台的示例的局部放大剖视图。
图4是示出根据第3实施方式的基板处理装置的支承台的示例的局部放大剖视图。
图5是示出根据第4实施方式的基板处理装置的支承台的示例的局部放大剖视图。
图6是示出根据第5实施方式的基板处理装置的支承台的示例的局部放大剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式中进行说明。在各附图中，针对相同的构成部分赋予相同的符号，并且有时会省略重复的说明。
<第1实施方式>
使用图1对根据第1实施方式的基板处理装置1进行说明。图1是示出根据第1实施方式的基板处理装置1的示例的剖视示意图。
基板处理装置1包括腔室10。腔室10在其中提供内部空间10s。腔室10包括腔室主体12。腔室主体12具有大致圆筒形的形状。腔室主体12例如由铝形成。在腔室主体12的内壁面上，设置有具有耐腐蚀性的膜。该膜可以是氧化铝、氧化钇等陶瓷。
在腔室主体12的侧壁上形成有通路12p。基板W通过通路12p在内部空间10s与腔室10的外部之间被搬送。利用沿着腔室主体12的侧壁设置的闸阀12g将通路12p打开或关闭。
在腔室主体12的底部上设置有支承部13。支承部13由绝缘材料形成。支承部13具有大致圆筒形的形状。支承部13在内部空间10s中从腔室主体12的底部向上方延伸。支承部13在上部具有支承台(载置台)14。支承台14被构成为在内部空间10s之中对基板W进行支承(载置)。
支承台14具有下部电极(基台)18、第一静电卡盘(基板载置部)21、以及第二静电卡盘(环形部件载置部)22。支承台14可以进一步具有电极板16。电极板16由铝等导体形成，并且具有大致圆盘形的形状。下部电极18设置在电极板16上。下部电极18由铝等导体形成，并且具有大致圆盘形的形状。下部电极18与电极板16电连接。
第一静电卡盘21设置在下部电极18上。在第一静电卡盘21的上表面上放置有基板W。第一静电卡盘21具有主体以及电极。第一静电卡盘21的主体具有大致圆盘形的形状，并且由电介质形成。第一静电卡盘21的电极为膜状的电极，并且设置在第一静电卡盘21的主体内。第一静电卡盘21的电极经由开关20s连接至直流电源20p。当对第一静电卡盘21的电极施加来自直流电源20p的电压时，在第一静电卡盘21与基板W之间产生静电引力。利用该静电引力，将基板W保持在第一静电卡盘21上。
在下部电极18的周缘部上，以包围基板W的边缘的方式布置有边缘环(环形部件)25。边缘环25使针对基板W的等离子体处理的面内均匀性提高。边缘环25可以由硅、碳化硅、或石英等形成。
第二静电卡盘22设置在下部电极18的周缘部上。第一静电卡盘21和第二静电卡盘22被同心地布置，将第二静电卡盘22布置在第一静电卡盘21的外侧。边缘环25被放置在第二静电卡盘22的上表面上。第二静电卡盘22具有主体以及电极。第二静电卡盘22的主体具有大致圆环形的形状，并且由电介质形成。第二静电卡盘22的电极为膜状的电极，并且设置在第二静电卡盘22的主体内。第二静电卡盘22的电极经由开关20s连接至直流电源20p。当对第二静电卡盘22的电极施加来自直流电源20p的电压时，在第二静电卡盘22与边缘环25之间产生静电引力。利用该静电引力，将边缘环25保持在第二静电卡盘22上。需要说明的是，可以针对第一静电卡盘21和第二静电卡盘22分别设置开关20s和直流电源20p。
在下部电极18的内部设有流路18f。经由管道28a从设置在腔室10外部的冷却器单元(未图示)向流路18f供应热交换介质(例如制冷剂)。供应至流路18f的热交换介质经由管道28b回到冷却器单元。在基板处理装置1中，通过热交换介质与下部电极18之间的热交换，对被放置在第一静电卡盘21上的基板W的温度进行调整。
在基板处理装置1中设置有气体供应管道(传热气体供应通道)29。气体供应管道29向第一静电卡盘21的上表面与基板W的背面之间供应来自传热气体供应机构的传热气体(例如He气体)。另外，气体供应管道29向第二静电卡盘22的上表面与边缘环25的背面之间供应来自传热气体供应机构的传热气体(例如He气体)。
基板处理装置1进一步包括上部电极30。上部电极30设置在支承台14的上方。上部电极30经由部件32被支承在腔室主体12的上部。部件32由具有绝缘性的材料形成。上部电极30和部件32将腔室主体12的上部开口封闭。
上部电极30可以包括顶板34以及支承体36。顶板34的下表面为内部空间10s侧的下表面，并且划分出内部空间10s。顶板34可以由产生的焦耳热较少的低电阻的导体或半导体形成。顶板34具有在顶板34的厚度方向上贯穿顶板34的多个气体排出孔34a。
支承体36以拆装自如的方式对顶板34进行支承。支承体36由铝等导电材料形成。在支承体36的内部设置有气体扩散室36a。支承体36具有从气体扩散室36a向下方延伸的多个气体孔36b。多个气体孔36b分别与多个气体排出孔34a连通。在支承体36上形成有气体导入口36c。气体导入口36c与气体扩散室36a连接。在气体导入口36c上连接有气体供应管38。
在气体供应管38上，连接有阀组42、流量控制器组44、以及气体源组40。气体源组40、阀组42以及流量控制器组44构成气体供应部。气体源组40包括多个气体源。阀组42包括多个开闭阀。流量控制器组44包括多个流量控制器。流量控制器组44的多个流量控制器中的每个流量控制器为质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。气体源组40的多个气体源中的每个气体源经由阀组42的相应的开闭阀和流量控制器组44的相应的流量控制器被连接至气体供应管38。
在基板处理装置1中，沿着腔室主体12的内壁面和支承部13的外周以拆装自如的方式设置有屏蔽部件46。屏蔽部件46用于防止反应副产物附着到腔室主体12上。屏蔽部件46例如通过在由铝所形成的基材的表面上形成具有耐腐蚀性的膜而构成。具有耐腐蚀性的膜可以由氧化钇等陶瓷形成。
在支承体13与腔室主体12的侧壁之间设置有挡板48。挡板48例如通过在由铝所形成的基材的表面上形成具有耐腐蚀性的膜(氧化钇等的膜)而构成。在挡板48上形成有多个通孔。在挡板48的下方且在腔室主体12的底部设置有排气口12e。在排气口12e上，经由排气管52连接有排气装置50。排气装置50包括压力调节阀以及涡轮分子泵等真空泵。
基板处理装置1具有第一高频电源62和第二高频电源64。第一高频电源62是用于产生第一高频功率的电源。第一高频功率具有适于产生等离子体的频率。第一高频功率的频率例如为27MHz～100MHz范围内的频率。第一高频电源62经由匹配器66和电极板16连接至下部电极18。匹配器66具有用于使第一高频电源62的输出阻抗与负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配的电路。需要说明的是，第一高频电源62可以经由匹配器66连接至上部电极30。第一高频电源62构成等离子体生成部的一个示例。
第二高频电源64是用于产生第二高频功率的电源。第二高频功率具有比第一高频功率的频率低的频率。在将第二高频功率与第一高频功率一起使用的情况下，第二高频功率被用作用于将离子吸入基板W的偏压用的高频功率。第二高频功率的频率例如为400kHz～13.56MHz范围内的频率。第二高频电源64经由匹配器68和电极板16连接至下部电极18。匹配器66具有用于使第二高频电源64的输出阻抗与负载侧(下部电极18侧)的阻抗匹配的电路。
需要说明的是，可以使用第二高频功率而不使用第一高频功率来生成等离子体，即，仅使用单一的高频功率来生成等离子体。在此情况下，第二高频功率的频率可以为高于13.56MHz的频率，例如40MHz。基板处理装置1可以不具有第一高频电源62和匹配器66。第二高频电源64构成等离子体生成部的一个示例。
在基板处理装置1中，气体从气体供应部被供应至内部空间10s，从而生成等离子体。另外，通过提供第一高频功率和/或第二高频功率，从而在上部电极30与下部电极18之间产生高频电场。所产生的高频电场生成等离子体。
基板处理装置1具有电源70。电源70连接至上部电极30。电源70向上部电极30施加用于将存在于内部空间10s内的正离子吸入顶板34的电压。
基板处理装置1还可以具有控制部80。控制部80可以是具有处理器、存储器的存储部、输入装置、显示装置、信号的输入/输出接口等的计算机。控制部80对基板处理装置1的各个单元进行控制。在控制部80中，操作者能够使用输入装置进行命令的输入操作等操作以对基板处理装置1进行管理。另外，在控制部80中，能够利用显示装置以可视化的方式对基板处理装置1的工作状态进行显示。此外，在存储部中存储有控制程序和制程数据。控制程序由处理器执行以在基板处理装置1中执行各种处理。处理器执行控制程序，并根据制程数据对基板处理装置1的各个单元进行控制。
接着，使用图2对根据第1实施方式的基板处理装置1的支承台14进一步进行说明。图2是示出根据第1实施方式的基板处理装置1的支承台14的示例的局部放大剖视图。
如图2所示，第一静电卡盘21的厚度与第二静电卡盘22的厚度大致相等。第一静电卡盘21通过第一接合层23接合在下部电极18上。第二静电卡盘22通过第二接合层24接合在下部电极18的周缘部上。第一接合层23和第二接合层24例如可以使用硅酮、环氧树脂等粘合剂。
另外，在下部电极18的上表面上，在第一静电卡盘21与第二静电卡盘22之间的区域中形成有绝缘膜181。作为示例，绝缘膜181为由Al2O3、Y2O3等形成的喷镀膜，并且使下部电极18的表面未暴露于腔室10的内部空间10s。需要说明的是，也可以不形成绝缘膜181。
边缘环25具有与基板W的外缘侧的背面相对的底面250。边缘环25的底面250被布置在与第一静电卡盘21的上表面相比的略微下方。因此，当将基板W放置在第一静电卡盘21上时，在基板W的背面与边缘环25的底面250之间存在微小的间隙。
另外，当将边缘环25放置在第二静电卡盘22上时，边缘环25被形成为从内侧覆盖第二静电卡盘22。即，边缘环25被形成为覆盖第二静电卡盘22的上表面221和内侧面222。由此，能够增加布置在基板W的外周部的下方的边缘环25的厚度，例如能够使其厚度大于从第一静电卡盘21的上表面到第二静电卡盘22的上表面的高度。
在此，设置有密封部件26，该密封部件26对从内部空间10s中的支承台14上侧的空间通过第一静电卡盘21与边缘环25之间的间隙而连接到第一接合层23和第二接合层24的路径进行密封。密封部件26对路径进行密封，以使在支承台14上侧的空间中所生成的自由基不会到达第一接合层23和第二接合层24。密封部件26可以使用具有抗自由基性的弹性体，例如可以使用全氟弹性体等。
在第一静电卡盘21上形成有在背面和侧面之间进行倒角的锥形面211。在锥形面211中，法线向量的上下方向分量为向下，并且法线的径向分量为向外(在图2的纸面中为向右方向)。在边缘环25上形成有锥形面251，在该锥形面251中，法线向量的上下方向分量为向上，并且法线的径向分量为向内侧(在图2的纸面中为向左方向)。另外，在边缘环25上形成有内侧面252。
密封部件26与第一静电卡盘21的锥形面211抵接，从而对通向第一接合层23的路径进行密封。另外，密封部件26与边缘环25的锥形面251和内侧面252抵接，从而对通向第二接合层24的路径进行密封。需要说明的是，密封部件26可以与下部电极18(绝缘膜181)抵接。
另外，在边缘环25上，在密封部件26的上方，形成有突出部253。突出部253使第一静电卡盘21与边缘环25之间的间隙变窄。
如上所述，通过根据第1实施方式的基板处理装置1，如图2所示，能够利用密封部件26来抑制在下部电极18与上部电极30之间的空间中所生成的自由基到达第一接合层23和第二接合层24。由此，能够抑制第一接合层23和第二接合层24因自由基而劣化。因此，能够抑制第一静电卡盘21和第二静电卡盘22从下部电极18剥离。
另外，如图1所示，向第二静电卡盘22的上表面221与边缘环25的背面之间供应传热气体。通过将传热气体吹到边缘环25的背面上从而产生颗粒。在此，如图2所示，边缘环25被形成为从内侧覆盖第二静电卡盘22。因此，密封部件26与第一静电卡盘21和边缘环25抵接而进行密封。由此，能够抑制被供应至边缘环25的背面的传热气体向基板W侧泄漏，并且能够使其向着径向外侧流动。因此，能够抑制在边缘环25的背面等处所产生的颗粒与传热气体一起流入至基板W侧。需要说明的是，被排放至径向外侧的传热气体和颗粒通过支承部13与腔室主体12的侧壁之间、挡板48以及排气管52而被排放至腔室10的外部。
另外，由于边缘环25被形成为从内侧覆盖第二静电卡盘22，因此能够增加布置在基板W的外周部的下方的边缘环25的厚度。在此，在等离子体处理期间，边缘环25的底面250被消耗。通过增加边缘环25的底面250的厚度，从而能够延长边缘环25的寿命，并且能够降低维护成本。
密封部件26与第一静电卡盘21的锥形面211和边缘环25的锥形面251抵接。因此，通过作为弹性体的密封部件26的恢复力，对边缘环25作用径向分量为向外、上下方向分量为向下(朝向下部电极18的方向)的力。由此，能够抑制边缘环25从第二静电卡盘22浮起的情况。另外，能够提高边缘环25与第二静电卡盘22之间的密合性，并且能够提高下部电极18与边缘环25之间的传热性。
另外，密封部件26与边缘环25的内侧面252抵接。因此，通过密封部件26的弹力来调节第一静电卡盘21的中心轴与边缘环25的中心轴之间的对准。由此，能够容易地进行边缘环25的定心对准。
另外，边缘环25具有突出部253。由此，能够使第一静电卡盘21与边缘环25之间的间隙变窄，并且能够抑制自由基进入路径。另外，能够抑制密封部件26从第一静电卡盘21与边缘环25之间脱落。
另外，关于第一接合层23的厚度，其在外周部的厚度可以小于在内周部的厚度。由此，与内周部相比，能够提高在第一静电卡盘21的外周部处的与下部电极18之间的热传导。如图2所示，放置在第一静电卡盘21上的基板W的外周部未与第一静电卡盘21接触。通过提高第一静电卡盘21的外周部处的热传导，从而能够提高基板W的温度的均匀性。
<第2实施方式>
接着，使用图3对根据第2实施方式的基板处理装置进行说明。图3是示出根据第2实施方式的基板处理装置的支承台14A的示例的局部放大剖视图。根据第2实施方式的基板处理装置与根据第1实施方式的基板处理装置1(参见图1)的不同之处在于支承台14A的构造。其他结构相同，省略重复的说明。
如图3所示，第一静电卡盘21的厚度与第二静电卡盘22的厚度大致相等。第一静电卡盘21通过第一接合层23接合在下部电极18上。第二静电卡盘22通过第二接合层24接合在下部电极18的周缘部上。另外，在下部电极18的上表面上，在第一静电卡盘21与第二静电卡盘22之间的区域中形成有绝缘膜181。需要说明的是，也可以不形成绝缘膜181。
边缘环25具有与基板W的外缘侧的背面相对的底面250。边缘环25的底面250被布置在与第一静电卡盘21的上表面相比的略微下方。因此，当将基板W放置在第一静电卡盘21上时，在基板W的背面与边缘环25的底面250之间存在微小的间隙。
另外，当将边缘环25放置在第二静电卡盘22上时，边缘环25被形成为从内侧覆盖第二静电卡盘22。即，边缘环25被形成为覆盖第二静电卡盘22的上表面221和内侧面222。由此，能够增加布置在基板W的外周部的下方的边缘环25的厚度，例如能够使其厚度大于从第一静电卡盘21的上表面到第二静电卡盘22的上表面的高度。
在此，设置有密封部件26，该密封部件26对从内部空间10s中的支承台14A上侧的空间通过第一静电卡盘21与边缘环25之间的间隙而连接到第一接合层23和第二接合层24的路径进行密封。密封部件26对路径进行密封，以使在支承台14A上侧的空间中所生成的自由基不会到达第一接合层23和第二接合层24。
在第一静电卡盘21的背面的外缘部上，形成有与密封部件26抵接的抵接部212。另外，在边缘环25上形成有内侧面254。
密封部件26与第一静电卡盘21的抵接部212抵接，从而对通向第一接合层23的路径进行密封。另外，密封部件26与边缘环25的内侧面254抵接，从而对通向第二接合层24的路径进行密封。需要说明的是，密封部件26可以与下部电极18(绝缘膜181)抵接。
如上所述，通过根据第2实施方式的基板处理装置，如图3所示，能够利用密封部件26来抑制在下部电极18与上部电极30之间的空间中所生成的自由基到达第一接合层23和第二接合层24。由此，能够抑制第一接合层23和第二接合层24因自由基而劣化。因此，能够抑制第一静电卡盘21和第二静电卡盘22从下部电极18剥离。
另外，如图3所示，边缘环25被形成为从内侧覆盖第二静电卡盘22。因此，密封部件26与第一静电卡盘21和边缘环25抵接而进行密封。由此，能够抑制被供应至边缘环25的背面的传热气体向基板W侧泄漏，并且能够使其向着径向外侧流动。因此，能够抑制在边缘环25的背面等处所产生的颗粒与传热气体一起流入至基板W侧。
另外，由于边缘环25被形成为从内侧覆盖第二静电卡盘22，因此能够增加布置在基板W的外周部的下方的边缘环25的厚度。在此，在等离子体处理期间，边缘环25的底面250被消耗。通过增加边缘环25的底面250的厚度，从而能够延长边缘环25的寿命，并且能够降低维护成本。
密封部件26与第一静电卡盘21的抵接部212和边缘环25的内侧面254抵接。因此，通过作为弹性体的密封部件26的恢复力，对边缘环25作用径向外侧的力。由此，通过密封部件26的恢复力，能够抑制在边缘环25从第二静电卡盘22浮起的方向上作用力的情况。
另外，密封部件26与边缘环25的内侧面254抵接。因此，通过密封部件26的弹力来调节第一静电卡盘21的中心轴与边缘环25的中心轴之间的对准。由此，能够容易地进行边缘环25的定心对准。
另外，关于第一接合层23的厚度，其在外周部的厚度可以小于在内周部的厚度。由此，与内周部相比，能够提高在第一静电卡盘21的外周部处的与下部电极18之间的热传导。如图3所示，放置在第一静电卡盘21上的基板W的外周部未与第一静电卡盘21接触。通过提高第一静电卡盘21的外周部处的热传导，从而能够提高基板W的温度的均匀性。
<第3实施方式>
接着，使用图4对根据第3实施方式的基板处理装置进行说明。图4是示出根据第3实施方式的基板处理装置的支承台14B的示例的局部放大剖视图。根据第3实施方式的基板处理装置与根据第1实施方式的基板处理装置1(参见图1)的不同之处在于支承台14B的构造。其他结构相同，省略重复的说明。
如图4所示，第一静电卡盘21的厚度与第二静电卡盘22的厚度大致相等。第一静电卡盘21通过第一接合层23接合在下部电极18上。第二静电卡盘22通过第二接合层24接合在下部电极18的周缘部上。需要说明的是，在下部电极18的上表面上，在第一静电卡盘21与第二静电卡盘22之间的区域中可以形成绝缘膜。
边缘环25具有与基板W的外缘侧的背面相对的底面250。边缘环25的底面250被布置在与第一静电卡盘21的上表面相比的略微下方。因此，当将基板W放置在第一静电卡盘21上时，在基板W的背面与边缘环25的底面250之间存在微小的间隙。
另外，当将边缘环25放置在第二静电卡盘22上时，边缘环25被形成为覆盖第二静电卡盘22的上表面221。
在此，设置有密封部件26，该密封部件26对从内部空间10s中的支承台14B上侧的空间通过第一静电卡盘21与边缘环25之间的间隙而连接到第一接合层23和第二接合层24的路径进行密封。密封部件26对路径进行密封，以使在支承台14B上侧的空间中所生成的自由基不会到达第一接合层23和第二接合层24。
在第一静电卡盘21的侧面上，形成有与密封部件26抵接的抵接部213。另外，第二静电卡盘22上形成有内侧面222。
在第一静电卡盘21侧(径向内侧)，密封部件26的上表面261被形成为比第一静电卡盘21的背面高。由此，密封部件26与第一静电卡盘21的抵接部213抵接，从而对通向第一接合层23的路径进行密封。另外，在第二静电卡盘22侧(径向外侧)，密封部件26与第二静电卡盘22的内侧面222抵接，从而对通向第二接合层24的路径进行密封。需要说明的是，密封部件26可以与下部电极18抵接。
当将边缘环25放置在第二静电卡盘22上时，在边缘环25的背面侧与密封部件26的上表面侧之间存在微小的间隙。另外，密封部件26在径向内侧的下侧具有切割部262。
如上所述，通过根据第3实施方式的基板处理装置，如图4所示，能够利用密封部件26来抑制在下部电极18与上部电极30之间的空间中所生成的自由基到达第一接合层23和第二接合层24。由此，能够抑制第一接合层23和第二接合层24因自由基而劣化。因此，能够抑制第一静电卡盘21和第二静电卡盘22从下部电极18剥离。
由于在边缘环25的背面侧与密封部件26的上表面侧之间存在间隙，因此，通过密封部件26的恢复力，能够抑制在边缘环25从第二静电卡盘22浮起的方向上作用力的情况。
另外，由于密封部件26具有切割部262，因此当密封部件26热膨胀时，能够将膨胀的体积释放至切割部262。由此，能够通过密封部件26的热膨胀，来抑制在边缘环25从第二静电卡盘22浮起的方向上作用力的情况。
<第4实施方式>
接着，使用图5对根据第4实施方式的基板处理装置进行说明。图5是示出根据第4实施方式的基板处理装置的支承台14C的示例的局部放大剖视图。根据第4实施方式的基板处理装置与根据第1实施方式的基板处理装置1(参见图1)的不同之处在于支承台14C的构造。其他结构相同，省略重复的说明。
如图5所示，第一静电卡盘21的中央附近的厚度与第二静电卡盘22的厚度大致相等。另外，在第一静电卡盘21的外周部处，厚度变厚。第一静电卡盘21通过第一接合层23接合在下部电极18上。第二静电卡盘22通过第二接合层24接合在下部电极18的周缘部上。需要说明的是，在下部电极18的上表面上，在第一静电卡盘21与第二静电卡盘22之间的区域中可以形成绝缘膜。
边缘环25具有与基板W的外缘侧的背面相对的底面250。边缘环25的底面250被布置在与第一静电卡盘21的上表面相比的略微下方。因此，当将基板W放置在第一静电卡盘21上时，在基板W的背面与边缘环25的底面250之间存在微小的间隙。
另外，当将边缘环25放置在第二静电卡盘22上时，边缘环25被形成为覆盖第二静电卡盘22的上表面221。
在此，设置有密封部件26，该密封部件26对从内部空间10s中的支承台14C上侧的空间通过第一静电卡盘21与边缘环25之间的间隙而连接到第一接合层23和第二接合层24的路径进行密封。密封部件26对路径进行密封，以使在支承台14C上侧的空间中所生成的自由基不会到达第一接合层23和第二接合层24。
在第一静电卡盘21的侧面上，形成有与密封部件26抵接的抵接部213。另外，第二静电卡盘22上形成有内侧面222。
第一静电卡盘21的形成得较厚的外周部的背面214被形成为比第二静电卡盘22的上表面221低。由此，密封部件26与第一静电卡盘21的抵接部213抵接，从而对通向第一接合层23的路径进行密封。另外，密封部件26与第二静电卡盘22的内侧面222抵接，从而对通向第二接合层24的路径进行密封。需要说明的是，密封部件26可以与下部电极18抵接。
当将边缘环25放置在第二静电卡盘22上时，在边缘环25的背面侧与密封部件26的上表面侧之间存在微小的间隙。另外，密封部件26在径向外侧的上侧具有切割部263。
如上所述，通过根据第4实施方式的基板处理装置，如图5所示，能够利用密封部件26来抑制在下部电极18与上部电极30之间的空间中所生成的自由基到达第一接合层23和第二接合层24。由此，能够抑制第一接合层23和第二接合层24因自由基而劣化。因此，能够抑制第一静电卡盘21和第二静电卡盘22从下部电极18剥离。
由于在边缘环25的背面侧与密封部件26的上表面侧之间存在间隙，因此，通过密封部件26的恢复力，能够抑制在边缘环25从第二静电卡盘22浮起的方向上作用力的情况。
另外，由于密封部件26具有切割部263，因此当密封部件26热膨胀时，能够将膨胀的体积释放至切割部263。由此，能够通过密封部件26的热膨胀，来抑制在边缘环25从第二静电卡盘22浮起的方向上作用力的情况。
需要说明的是，通过根据第4实施方式的基板处理装置，与根据第3实施方式的基板处理装置相比，能够简化密封部件26的形状。
<第5实施方式>
接着，使用图6对根据第5实施方式的基板处理装置进行说明。图6是示出根据第5实施方式的基板处理装置的支承台14D的示例的局部放大剖视图。根据第5实施方式的基板处理装置与根据第1实施方式的基板处理装置1(参见图1)的不同之处在于支承台14D的构造。其他结构相同，省略重复的说明。
如图6所示，第一静电卡盘21的厚度与第二静电卡盘22的厚度大致相等。另外，以第二静电卡盘22的上表面221高于第一静电卡盘21的背面的方式各自形成得较厚。第一静电卡盘21通过第一接合层23接合在下部电极18上。第二静电卡盘22通过第二接合层24接合在下部电极18的周缘部上。需要说明的是，在下部电极18的上表面上，在第一静电卡盘21与第二静电卡盘22之间的区域中可以形成绝缘膜。
边缘环25具有与基板W的外缘侧的背面相对的底面250。边缘环25的底面250被布置在与第一静电卡盘21的上表面相比的略微下方。因此，当将基板W放置在第一静电卡盘21上时，在基板W的背面与边缘环25的底面250之间存在微小的间隙。
另外，当将边缘环25放置在第二静电卡盘22上时，边缘环25被形成为覆盖第二静电卡盘22的上表面221。
在此，设置有密封部件26，该密封部件26对从内部空间10s中的支承台14D上侧的空间通过第一静电卡盘21与边缘环25之间的间隙而连接到第一接合层23和第二接合层24的路径进行密封。密封部件26对路径进行密封，以使在支承台14D上侧的空间中所生成的自由基不会到达第一接合层23和第二接合层24。
在第一静电卡盘21的侧面上，形成有与密封部件26抵接的抵接部213。另外，第二静电卡盘22上形成有内侧面222。
密封部件26与第一静电卡盘21的抵接部213抵接，从而对通向第一接合层23的路径进行密封。另外，密封部件26与第二静电卡盘22的内侧面222抵接，从而对通向第二接合层24的路径进行密封。需要说明的是，密封部件26可以与下部电极18(形成在下部电极18上的第一接合层23、第二接合层24)抵接。另外，密封部件26可以与第二静电卡盘22的底面223抵接。
当将边缘环25放置在第二静电卡盘22上时，在边缘环25的背面侧与密封部件26的上表面侧之间存在微小的间隙。
如上所述，通过根据第5实施方式的基板处理装置，如图6所示，能够利用密封部件26来抑制在下部电极18与上部电极30之间的空间中所生成的自由基到达第一接合层23和第二接合层24。由此，能够抑制第一接合层23和第二接合层24因自由基而劣化。因此，能够抑制第一静电卡盘21和第二静电卡盘22从下部电极18剥离。
由于在边缘环25的背面侧与密封部件26的上表面侧之间存在间隙，因此，通过密封部件26的恢复力，能够抑制在边缘环25从第二静电卡盘22浮起的方向上作用力的情况。
另外，密封部件26是剖面形状为大致圆形的部件，并且被布置在剖视观察时的矩形空间中。因此，当密封部件26热膨胀时，能够将膨胀的体积释放至矩形空间的四个角落的方向。由此，能够通过密封部件26的热膨胀，来抑制在边缘环25从第二静电卡盘22浮起的方向上作用力的情况。
以上，对基板处理装置1的实施方式等进行了详细说明，但是本公开不限于上述实施方式等，在权利要求书所记载的本公开的宗旨的范围内可以进行各种变形、改进。
虽然以在第1实施方式的基板处理装置1的支承台14中在边缘环25上设置用于使第一静电卡盘21与边缘环25之间的间隙变窄的突出部253的情况为例进行了说明，但是在其他实施方式的基板处理装置1的支承台14A～14D中也可以在边缘环25上设置突出部。
虽然以基板处理装置1为用于在内部空间10s中产生等离子体的等离子体处理设备为例进行了说明，但是不限于此。基板处理装置1也可以是ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)设备或热CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)设备。在此情况下，能够利用密封部件26来抑制被供应至内部空间10s的处理气体流入至第一接合层23和第二接合层24。由此，能够抑制例如因处理气体与第一接合层23和第二接合层24反应而使第一接合层23和第二接合层24劣化。
本公开的基板处理装置1也可以应用于电容耦合等离子体(CCP：CapacitivelyCoupled Plasma)、电感耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)、径向线缝隙天线(RLSA：Radial Line Slot Antenna)、电子回旋共振等离子体(ECR：Electron CyclotronResonance Plasma)、以及螺旋波等离子体(HWP：Helicon Wave Plasma)等类型的基板处理装置。

Claims (10)

1.一种载置台，包括：
基台；
基板载置部，设置在所述基台的上表面上；
环形部件载置部，设置在所述基台的上表面上且设置在所述基板载置部的外侧；
第一接合层，将所述基台与所述基板载置部接合；
第二接合层，将所述基台与所述环形部件载置部接合；
环形部件，被放置在所述环形部件载置部上；以及
密封部件，对所述第一接合层和所述第二接合层进行保护。
2.根据权利要求1所述的载置台，其中，
所述密封部件对从所述基板载置部与所述环形部件之间的间隙连接到所述第一接合层和所述第二接合层的路径进行密封。
3.根据权利要求1或2所述的载置台，其中，
所述环形部件被形成为从内侧覆盖所述环形部件载置部。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的载置台，其中，
所述密封部件是弹性体，
通过所述密封部件的恢复力，对所述环形部件作用径向分量为向外、上下方向分量为向下的力。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的载置台，其中，
所述环形部件载置部是用于对所述环形部件进行保持的静电卡盘。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的载置台，其中，
所述环状部件具有用于使所述基板载置部与所述环形部件之间的间隙变窄的突出部。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的载置台，其中，
所述密封部件至少与所述基板载置部和所述环形部件抵接。
8.根据权利要求1或2所述的载置台，其中，
所述密封部件至少与所述基板载置部和所述环形部件载置部抵接。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的载置台，其中，
所述载置台包括用于向所述环形部件载置部与所述环形部件之间供应传热气体的传热气体供应通道。
10.一种基板处理装置，包括根据权利要求1至9中任一项所述的载置台。
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