KR20030025007A - 쉴드링을 가지는 식각장비 - Google Patents

쉴드링을 가지는 식각장비 Download PDF

Info

Publication number
KR20030025007A
KR20030025007A KR1020010057886A KR20010057886A KR20030025007A KR 20030025007 A KR20030025007 A KR 20030025007A KR 1020010057886 A KR1020010057886 A KR 1020010057886A KR 20010057886 A KR20010057886 A KR 20010057886A KR 20030025007 A KR20030025007 A KR 20030025007A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shield ring
etching
end portion
ceramic material
ring
Prior art date
Application number
KR1020010057886A
Other languages
English (en)
Inventor
이준택
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020010057886A priority Critical patent/KR20030025007A/ko
Publication of KR20030025007A publication Critical patent/KR20030025007A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32651Shields, e.g. dark space shields, Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

내식각성이 우수하고 파티클의 발생을 억제하는 개선된 쉴드 링을 가지는 식각장비가 개시된다. 반도체 웨이퍼에 형성된 막을 식각하기 위한 식각장비는, 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 막을 식각하기 위한 분위기를 제공하는 챔버와, 상기 챔버의 상부쪽에 설치되어 플라즈마를 생성하기 위한 전원을 공급하는 상부 전극과, 상기 상부전극의 외곽에 장착되어 상기 플라즈마가 상기 반도체 웨이퍼의 상부로 집중되도록 하고 주위의 부품을 식각으로부터 보호하는 세라믹 재질의 쉴드 링을 구비함을 특징으로 한다.

Description

쉴드 링을 가지는 식각장비{dry eatcher with shield ring}
본 발명은 반도체 장비에 관한 것으로, 특히 쉴드 링을 개선한 식각 장비에 관한 것이다.
최근 반도체 제품들의 경우, 경쟁력 확보를 위해 낮은 비용, 고품질을 위해 필수적으로 제품의 고집적화가 요구된다. 고집적화를 위해서는 트랜지스터 소자의 게이트 산화막 두께 및 채널 길이들을 얇고 짧게 하는 작업 등을 포함하는 스케일 다운이 수반되어지며, 그에 따라 반도체 제조 프로세스(공정) 및 프로세싱 시스템도 다양한 형태로 발전되어 지고 있는 추세이다.
일반적으로, 반도체 제조 프로세스중 제조대상물인 반도체 웨이퍼의 표면에가스 또는 일단의 재료를 직접 또는 간접적으로 입히는 작업 즉, 데포지션(deposition) 프로세스가 완료되면, 필요한 부분에만 막을 형성하기 위해 필요 없는 막을 식각하는 식각(에칭)프로세스가 진행된다. 이 경우에 식각 프로세스(공정)은 프로세스 챔버의 온도와 압력 등의 분위기, 촉매 가스, 그리고 반응 가스 등의 파라메타들에 의해 주로 결정된다.
SCCM장비 등과 같은 식각장비에서 챔버내에 설치되는 쉴드 링은 도 1 내지 도 4에서 보여지는 바와 같이 챔버 부품들 중 하나이며, 플라즈마의 차폐역할을 하기 위해 상부 전극의 외곽을 둘러싸면서 설치된다. 상기 쉴드 링의 재질을 석영으로 되어 있다.
도 1 내지 도 4는 종래의 쉴드 링의 사용시 식각 형상을 보인 도면들이고, 도 5는 쉴드 링의 장착 위치를 보인 조립도면이다. 도 1은 쉴드 링의 정면을 보인 도면이고, 도 2는 측면을 보인 도면이며, 도 3은 후면을 보인 도면이다. 도 4에서 참조부호 10은 쉴드 링을 가리키고, 20은 쉴드 링에서 식각이 상대적으로 적게 되는 외곽부위를 가리킨다. 참조부호 30은 식각이 상대적으로 많이 되는 안쪽 부위를 가리키고, 참조 부호 40은 상부 전극을 가리킨다.
상기한 도면들을 참조하면, 상부 전극을 가리키는 셀 부위에서 가스가 플로우되고, 고주파 파워가 온되면서 챔버의 내부에는 플라즈마가 형성된다. 상기 쉴드 링을 설치하는 주목적은 발생된 플라즈마가 옆으로 빠져 나가지 않도록 하는 것이고, 셀 에지 부위에서 셀을 고정하기 위한 고정 볼트를 커버하여 볼트의 식각을 방지케 하는 것이 부수적인 목적이다. 따라서, 상기 쉴드 링은 실질적으로 공정 진행에 직접적인 영향을 미치는 부품중의 하나임을 알 수 있다.
도 1은 식각공정을 진행하여 50시간 되었을 때의 석영 재질의 쉴드 링의 형상을 보인 것인데, 쉴드 링(10)의 안쪽 부위가 상대적으로 외곽부위에 비해 식각이 많이 되어 두께가 달라진다. 사용주기가 어느정도 되면 안쪽 부위의 두께가 현저히 줄어들어 사용을 할 수 없게 되고, 또한 두께가 얇아질 수록 공정에도 바람직하지 못한 변화가 생긴다. 폴리머 데포지션 또한 불안정하게 되어 파티클 발생측면에서도 좋지 않다.
결국, 부품의 재질 특성상 쉴드 링은 플라즈마에 노출이 되면서 직접적으로 식각의 영향을 받아 식각이 되어 버린다. 그러므로 사용주기가 짧아 교체를 빈번하게 하여야 하므로 기료비가 상승한다. 또한 사용시간이 지나면서 에치율과 크리티컬 디멘젼등 공정변화가 발생되어 문제시 된다.
상기한 바와 같이, 종래에는 쉴드 링이 석영재질로 되어 있어 안쪽 부위가 식각이 많이 된다. 따라서, 사용주기가 짧아서 기료비가 많이 들고 사용주기마다 공정에 변화를 야기하여 수율이 저하되는 문제점이 발생되어 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기의 문제점을 해결할 수 있는 개선된 쉴드 링 구조를 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 내식각성이 우수하고 파티클의 발생을 억제하는 개선된 쉴드 링을 가지는 식각장비를 제공함에 있다.
상기한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 양상에 따라, 반도체 웨이퍼에 형성된 막을 식각하기 위한 식각장비에 있어서,
반도체 웨이퍼에 형성된 막을 식각하기 위한 분위기를 제공하는 챔버와;
상기 챔버의 상부쪽에 설치되어 플라즈마를 생성하기 위한 전원을 공급하는 상부 전극과;
상기 상부전극의 외곽에 장착되어 상기 플라즈마가 상기 반도체 웨이퍼의 상부로 집중되도록 하고 주위의 부품을 식각으로부터 보호하는 세라믹 재질의 쉴드 링을 구비함을 특징으로 한다.
상기한 쉴드 링에 따르면, 식각공정시 파티클의 발생을 억제하여 부품의 수명을 증대시킴과 아울러 공정불량을 최소화할 수 있는 이점을 갖는다.
도 1 내지 도 4는 종래의 쉴드 링의 사용시 식각 형상을 보인 도면들
도 5는 쉴드 링의 장착 위치를 보인 도면
도 6은 본 발명의 실시 예에 따라 세라믹 재질의 쉴드 링을 보인 단면도
이하에서는 본 발명에 따른 개선된 쉴드 링의 구조에 대한 바람직한 실시 예가 첨부된 도면들을 참조하여 설명된다. 비록 다른 도면에 표시되어 있더라도 동일내지 유사한 기능을 수행하는 구성요소들은 동일한 참조부호로서 나타나 있다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따라 세라믹 재질의 쉴드 링을 보인 단면도이다. 도면을 참조하면, 쉴드 링(10)의 형상이 보여진다.
상기 쉴드 링(10)은 내경이 형성되어 링형상을 가지는 제1단부(12)와, 상기 제1단부에서 웨이퍼의 설치방향으로 굽어 상기 제1단부와는 단차를 가지며 상기 제1단부와 일체로 형성된 제2단부(12)를 가진다. 상기 쉴드 링(10)은, 반도체 웨이퍼에 형성된 막을 식각하기 위한 분위기를 제공하는 챔버와, 상기 챔버의 상부쪽에 설치되어 플라즈마를 생성하기 위한 전원을 공급하는 상부 전극을 구비하는 식각 장비에서, 상기 상부전극의 외곽에 장착되어 상기 플라즈마가 상기 반도체 웨이퍼의 상부로 집중되도록 하고 주위의 부품을 식각으로부터 보호하는 세라믹 재질의 쉴드 링이다. 여기서, 상기 쉴드 링(10)의 세라믹 재질은 산화 알루미나 또는 산화 티타늄계열의 세라믹 재질일 수 있다.
결국, 본 발명의 실시 예에서는 종래의 문제를 해결하기 위해 부품의 재질을 변경하여 내 식각성이 우수하고 폴리머 데포지션이 양호하게 한다. 세라믹으로 변경을 행할 시 식각공정에서 식각이 거의 생기지 않게 하여 재료비 절감의 효과 및 공정의 변화에 문제도 최소화된다.
그렇게 함에 의해, 파티클의 발생요소를 억제하여 웨이퍼 수율향상에 기여하고, 폴리머 데포지션이 종래보다 하드하게 되어 예방보전의 주기가 연장된다.
상기한 설명에서 본 발명의 실시 예를 위주로 도면을 따라 예를 들어 설명하였지만, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 또는 변경할 수 있음은 본 발명이 속하는 분야의 당업자에게는 명백한 것이다. 예를 들어, 사안이 다른 경우에 쉴드 링의 형태를 변경시킬 수 있음은 물론이다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따르면, 식각공정에서 쉴드 링이 쉽게 식각되는 것을 억제하여 기료비를 절감하고 식각 공정에서의 불량을 방지 또는 최소화하는효과를 갖는다.

Claims (3)

  1. 반도체 웨이퍼에 형성된 막을 식각하기 위한 식각장비에 있어서,
    반도체 웨이퍼에 형성된 막을 식각하기 위한 분위기를 제공하는 챔버와;
    상기 챔버의 상부쪽에 설치되어 플라즈마를 생성하기 위한 전원을 공급하는 상부 전극과;
    상기 상부전극의 외곽에 장착되어 상기 플라즈마가 상기 반도체 웨이퍼의 상부로 집중되도록 하고 주위의 부품을 식각으로부터 보호하는 세라믹 재질의 쉴드링을 구비함을 특징으로 하는 식각장비.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 재질은 산화 알루미나 또는 산화 티타늄계열의 세라믹 재질임을 특징으로 하는 식각장비.
  3. 제2항에 있어서, 상기 쉴드 링은,
    내경이 형성되어 링형상을 가지는 제1단부와,
    상기 제1단부에서 웨이퍼의 설치방향으로 굽어 상기 제1단부와는 단차를 가지며 상기 제1단부와 일체로 형성된 제2단부를 가짐을 특징으로 하는 식각장비.
KR1020010057886A 2001-09-19 2001-09-19 쉴드링을 가지는 식각장비 KR20030025007A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010057886A KR20030025007A (ko) 2001-09-19 2001-09-19 쉴드링을 가지는 식각장비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010057886A KR20030025007A (ko) 2001-09-19 2001-09-19 쉴드링을 가지는 식각장비

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030025007A true KR20030025007A (ko) 2003-03-28

Family

ID=27724671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010057886A KR20030025007A (ko) 2001-09-19 2001-09-19 쉴드링을 가지는 식각장비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20030025007A (ko)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766417B1 (ko) * 2006-07-11 2007-10-12 이기정 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치
WO2015009745A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings
US9034199B2 (en) 2012-02-21 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article
US9090046B2 (en) 2012-04-16 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Ceramic coated article and process for applying ceramic coating
US9212099B2 (en) 2012-02-22 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics
US9343289B2 (en) 2012-07-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance
US9583369B2 (en) 2013-07-20 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles
US9604249B2 (en) 2012-07-26 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance
US9725799B2 (en) 2013-12-06 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US9850568B2 (en) 2013-06-20 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US9865434B2 (en) 2013-06-05 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US9869013B2 (en) 2014-04-25 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US9976211B2 (en) 2014-04-25 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application
US11047035B2 (en) 2018-02-23 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Protective yttria coating for semiconductor equipment parts

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766417B1 (ko) * 2006-07-11 2007-10-12 이기정 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치
US9034199B2 (en) 2012-02-21 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Ceramic article with reduced surface defect density and process for producing a ceramic article
US10336656B2 (en) 2012-02-21 2019-07-02 Applied Materials, Inc. Ceramic article with reduced surface defect density
US11279661B2 (en) 2012-02-22 2022-03-22 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating
US9212099B2 (en) 2012-02-22 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating and heat treatment for coated ceramics
US10364197B2 (en) 2012-02-22 2019-07-30 Applied Materials, Inc. Heat treated ceramic substrate having ceramic coating
US9090046B2 (en) 2012-04-16 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Ceramic coated article and process for applying ceramic coating
US9604249B2 (en) 2012-07-26 2017-03-28 Applied Materials, Inc. Innovative top-coat approach for advanced device on-wafer particle performance
US9343289B2 (en) 2012-07-27 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Chemistry compatible coating material for advanced device on-wafer particle performance
US9865434B2 (en) 2013-06-05 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US10734202B2 (en) 2013-06-05 2020-08-04 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based erosion resistant coatings for semiconductor application
US11680308B2 (en) 2013-06-20 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US10119188B2 (en) 2013-06-20 2018-11-06 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US11053581B2 (en) 2013-06-20 2021-07-06 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US10501843B2 (en) 2013-06-20 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
US9850568B2 (en) 2013-06-20 2017-12-26 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant rare-earth oxide based thin film coatings
WO2015009745A1 (en) * 2013-07-19 2015-01-22 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings
US10796888B2 (en) 2013-07-19 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings
KR20160034298A (ko) * 2013-07-19 2016-03-29 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 공정 고리들 상에 희토류 옥사이드 기반 박막 코팅을 위한 이온 보조 증착
US9711334B2 (en) 2013-07-19 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings
US9869012B2 (en) 2013-07-20 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings
US9812341B2 (en) 2013-07-20 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based coatings based on ion assisted deposition
US11424136B2 (en) 2013-07-20 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based coatings based on ion assisted deposition
US10930526B2 (en) 2013-07-20 2021-02-23 Applied Materials, Inc. Rare-earth oxide based coatings based on ion assisted deposition
US9583369B2 (en) 2013-07-20 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based coatings on lids and nozzles
US11566317B2 (en) 2013-12-06 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US11566319B2 (en) 2013-12-06 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US11566318B2 (en) 2013-12-06 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US9797037B2 (en) 2013-12-06 2017-10-24 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US9725799B2 (en) 2013-12-06 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Ion beam sputtering with ion assisted deposition for coatings on chamber components
US9976211B2 (en) 2014-04-25 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application
US10815562B2 (en) 2014-04-25 2020-10-27 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application
US10563297B2 (en) 2014-04-25 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US10544500B2 (en) 2014-04-25 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US9970095B2 (en) 2014-04-25 2018-05-15 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US9869013B2 (en) 2014-04-25 2018-01-16 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition top coat of rare-earth oxide
US11773479B2 (en) 2014-04-25 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Plasma erosion resistant thin film coating for high temperature application
US11047035B2 (en) 2018-02-23 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Protective yttria coating for semiconductor equipment parts

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7244336B2 (en) Temperature controlled hot edge ring assembly for reducing plasma reactor etch rate drift
JP6306861B2 (ja) プラズマチャンバーにおいて半導体ワークピースを取り巻く導電性カラー
KR20030025007A (ko) 쉴드링을 가지는 식각장비
KR20020041340A (ko) 에칭율의 균일성을 개선하기 위한 기술
JPH11317397A (ja) 処理装置
US20040112294A1 (en) Magnetic mirror for protection of consumable parts during plasma processing
JP2009194125A (ja) 半導体装置の製造装置
KR20050091854A (ko) 반도체 웨이퍼 제조 장치의 포커스 링
KR20040007626A (ko) 플라즈마 처리 장치
JP5893260B2 (ja) プラズマ処理装置および処理方法
CN213583695U (zh) 一种等离子体处理装置
KR20090100543A (ko) 진공처리장치
CN114664622A (zh) 一种等离子体处理装置及调节方法
EP1016116A2 (en) Apparatus for improving etch uniformity and methods therefor
JP2010123812A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN113745083B (zh) 一种等离子体处理装置
KR100476588B1 (ko) 반도체 식각장치의 프로세스 챔버
KR100293450B1 (ko) 반도체소자제조를위한식각용챔버의쉴드링
JP2011124295A (ja) プラズマ処理装置
JP2004047500A (ja) プラズマ処理装置およびその初期化方法
KR200262122Y1 (ko) 식각 챔버의 데포짓 실드
KR20040011839A (ko) 라이너를 갖는 플라즈마 식각 챔버
CN114649178A (zh) 一种下电极组件及等离子体处理装置
TW202240649A (zh) 下電極組件及等離子體處理裝置
KR100293460B1 (ko) 반도체소자제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination