CN114649178A - 一种下电极组件及等离子体处理装置 - Google Patents
一种下电极组件及等离子体处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114649178A CN114649178A CN202011500437.3A CN202011500437A CN114649178A CN 114649178 A CN114649178 A CN 114649178A CN 202011500437 A CN202011500437 A CN 202011500437A CN 114649178 A CN114649178 A CN 114649178A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode assembly
- gap
- lower electrode
- ring
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 13
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
本发明提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，本发明通过在基座和边缘环组件之间设置保护环来覆盖焊接线和基座上的螺孔，同时将边缘环组件与基座之间的间隙减小，以及在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座及其附属配件，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性，并且阻挡保护层覆盖不足的焊接线和基座上螺孔处产生电弧的概率，有效的保证了下电极组件的使用安全。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，尤其涉及一种在高射频功率下防止下电极组件产生电弧的等离子体处理技术领域。
背景技术
对半导体基片或衬底的微加工是一种众所周知的技术，可以用来制造例如，半导体、平板显示器、发光二极管(LED)、太阳能电池等。微加工制造的一个重要步骤为等离子体处理工艺步骤，该工艺步骤在一反应室内部进行，工艺气体被输入至该反应室内。射频源被电感和/或电容耦合至反应室内部来激励工艺气体，以形成和保持等离子体。在反应室内部，暴露的基片被下电极组件支撑，并通过某种夹持力被固定在一固定的位置，以保证工艺制程中基片的安全性及加工的高合格率。
下电极组件不仅包括固定基片的静电夹盘和支撑静电夹盘的基座，还包括环绕设置在基座周围的边缘环组件，在对基片进行制程工艺过程中，下电极组件除了用于支撑固定基片，还用于对基片的温度、电场分布等进行控制。
现有技术中，基座常用的材料为铝，而环绕基座外围的介电环材料通常为陶瓷材料，由于二者的热膨胀系数相差较大，为了保证基座在较大温度范围内工作，介电环与基座之间要设置一定空间以容纳基座的热胀冷缩。
随着基片的加工精度越来越高，施加到反应腔内的射频功率越来越大。高射频功率很容易在反应腔内的狭小空间内产生电弧放电，损害基座及其外围组件，严重威胁下电极组件工作的稳定性和安全性，因此，亟需一种解决方案以适应不断提高的射频施加功率和基片的处理均匀性要求。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种下电极组件，用于承载待处理基片，包括：
基座,所述基座包括基座本体及自基座本体向外延伸的台阶部，所述基座本体上具有焊接线；
静电夹盘，其位于所述基座上方；
边缘环组件，其环绕所述基座和/或静电夹盘设置，且与所述基座和/或静电夹盘之间设有间隙；
所述间隙设有第一保护环，所述第一保护环覆盖所述焊接线。
可选的，所述基座的外侧设有保护层。
可选的，所述保护层为氧化铝和/或氧化钇材料层，或者硬质阳极氧化层。
可选的，所述台阶部上具有螺孔，所述第一保护环覆盖至少部分螺孔的边沿。
可选的，所述第一保护环覆盖所述螺孔位于所述间隙内的边沿。
可选的，所述间隙包括第一空隙和第二空隙，所述第一空隙位于所述第一保护环上方，所述第二空隙位于第一空隙下方，所述第二空隙的间隔大于第一空隙的间隔。
可选的，所述第一空隙与第二空隙的之间的拐角和所述第一保护环接触。
可选的，还包括第二保护环，所述第二保护环设置在所述基座及静电夹盘交界处。
可选的，所述第二保护环至少一部分与所述基座本体和所述边缘环组件相互抵靠。
可选的，所述第一保护环和/或所述第二保护环与所述基座本体和/或所述边缘环组件接触处设置有凹槽，所述凹槽截面为弧形或框形。
可选的，所述第一保护环和第二保护环为耐等离子体腐蚀材料。
可选的，所述第一保护环和第二保护环为高分子材料。
可选的，所述第一保护环和第二保护环为氟橡胶或全氟橡胶系列。
进一步的，本发明还提供了一种等离子体处理装置，其包括真空处理腔室，所述真空处理腔室包括上述任意一项所述的下电极组件。
本发明的优点在于：本发明提供了一种耐等离子体腐蚀的下电极组件及等离子体处理装置，通过在基座的焊接线上覆盖保护环，提高边缘环组件与基座间隙的介电能力，同时避免泄等离子体与保护层不平整处的接触，防止等离子体腐蚀基座及其附属配件，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性，并且阻挡间隙下方发生电弧放电后向上的延伸，有效的保证了下电极组件的使用安全。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出一种电容耦合等离子体处理装置的结构示意图；
图2示出一种局部下电极组件结构示意图；
图3示出另一种实施例的局部下电极组件结构示意图；
图4示出另一种实施例的局部下电极组件结构示意图；
图5示出另一种实施例的局部下电极组件结构示意图；
图6示出另一种实施例的局部下电极组件结构示意图；
图7示出另一种实施例的局部下电极组件结构示意图；
图8示出一种电感耦合等离子体处理装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1示出一种电容耦合等离子体处理装置示意图，包括一由外壁10围成的可抽真空的反应腔100。反应腔100用于对基片103进行处理。反应腔内部包括一个下电极组件，用于对基片进行支撑的同时实现对基片温度及电场等影响基片处理因素的控制。下电极组件包括基座101，用于承载静电夹盘102，基座101内设温度控制装置，用于实现对上方基片的温度控制，静电夹盘102，用于承载基片103，静电夹盘内部设置直流电极，通过该直流电极在基片背面和静电夹盘承载面之间产生直流吸附以实现对基片的固定。环绕基座和静电夹盘外围设置边缘环组件20，用于对基片边缘区域的温度和电场分布等进行调节。环绕所述边缘环组件20设置等离子体约束环108，位于边缘环组件20与反应腔侧壁之间，用于将等离子体限制在反应区域同时允许气体通过；接地环109，位于等离子体约束环下方，作用是提供电场屏蔽，避免等离子体泄露。偏置射频电源，通常施加偏置射频信号至下电极组件，用于控制等离子体的轰击方向。本发明公开的下电极组件可以用于如图1所示的电容耦合等离子体处理装置。
在图1所示的电容耦合等离子体处理装置中，除下电极组件外还包括上电极组件，上电极组件包括气体喷淋头30，用于将气体供应装置中的工艺气体引入所述反应腔。一高频射频功率源施加高频射频信号至所述上电极组件或下电极组件的至少之一，以在所述上电极组件和所述下电极组件之间形成射频电场，将反应腔内的工艺气体激发为等离子体，实现等离子体对待处理基片的处理。
图2示出一种局部下电极组件结构示意图，在该图所示的结构中，下电极组件包括：聚焦环201，环绕基座101和/或静电夹盘102和基片103设置，用于对基片103边缘区域的温度和电场分布等进行调节；聚焦环201下方设置一介电环202，介电环202用于维持聚焦环201与基座101的电位差，同时调节聚焦环201的温度。
基座101的材质通常为导电的金属材质，如铝，而环绕基座的介电环202通常为陶瓷材料，优选的为高导热陶瓷材料，其也可以为Al2O3材料，由于基座101和介电环202的热膨胀系数不同，为避免部件受热发生挤压，因此在安装时需要在介电环202和基座101之间设置一定的间隙105。随着基片的加工精度越来越高，施加到反应腔内的射频功率越来越大。高射频功率很容易在反应腔内的狭小空间内产生电弧放电，损害基座及其外围组件，严重威胁下电极组件工作的稳定性和安全性。在基座的制作过程中，为了在基座101内部加工出管道，用于控温或者容纳升降销，需要将基座分为几部分进行机加工，加工后再焊接到一起，焊接线1013会暴露在间隙105中，由于微观形貌或者材料等与非焊接处的差异，会导致焊接线处成为薄弱点，从而，焊接线1013处更容易成为电弧的一个端点，此外，如图2基座101的台阶部1012上虚线所示，为了固定基座101所用的螺孔，其螺孔边沿因存在尖端也容易发生电弧，即使在基座101外表面覆盖一层保护层用来阻断金属基座的裸露，在以上两处，即焊接线1013和螺孔处也会存在暴露的情形，尤其对于螺孔处，因工艺限制，很难覆盖有效的保护层，因此当偏置电压升高时会最先产生电弧放电。一种改善的方法是利用帕邢定律：
根据帕邢定律，气体中两个电极之间的击穿电压是压力和间隙长度的函数，其中Vb是击穿电压，A和B是与气体有关的常数，p是气体压力，d是间隙距离，γse是二次电子发射系数。可以通过降低p或d的大小来提高击穿电压，进而降低等离子体发生电弧的几率，本发明所利用的原理之一即是通过缩小d来达到的。
图2为本发明的一个实施例示意图，本实施例中，所述基座101包括基座本体1011和自基座本体1011向外延伸的台阶部1012，通过介电环202自身的重力，或者外部施加的压力可以实现将介电环202安置在基座101的台阶部1012上，进而与基座本体1011之间形成间隙105，用来容纳部件的热胀冷缩。其中，在间隙105中设有第一保护环104，用于覆盖焊接线1013。击穿产生的电弧的两端分别来自于基片103与基座101暴露的金属处，例如未被保护的焊接线处，或者其他未被保护层覆盖的金属棱角处，所以该电弧不光损坏基座101还会破坏基片103。第一保护环104缩小了间隙距离d，而且第一保护环104与焊接线1013的接触，也会提高基片103与焊接线1013之间的介电系数，若想在基片103与焊接线1013之间产生电弧，除了要击穿间隙内的气体，还要击穿第一保护环104，在一些实施例中，第一保护环104选择的是氟橡胶或全氟橡胶，既能起到耐等离子体腐蚀的技术效果，又能提供足够高的介电功能，当进行等离子刻蚀过程时，第一保护环104会受热膨胀与介电环202接触，阻断了等离子体进入间隙105底部与螺孔接触的通道，也即降低了基片103与螺孔边沿发生电弧的可能性。可选的，所述基座101的外侧设有保护层106，其为耐等离子体腐蚀材料，通常为氧化铝材料，也可以为氧化钇材料，其可以提高击穿电压，防止在等离子体的低压和基座的高压之间的电弧放电，进一步提高了下电极组件的使用安全，因工艺限制，螺孔边缘不易覆盖保护层，或者保护层质量低于其他区域，而焊接线处因为本身为薄弱点，即使覆盖了保护层，在同样条件下，也会更易于击穿。
图3为本发明的另一个实施例示意图，本实施例中，与上述实施例的区别在于，间隙105分为两部分即第一空隙1501和第二空隙1502，第一空隙1501位于第一保护环104上方，第二空隙1502位于第一空隙1501下方，其中第二空隙1502的间距大于第一空隙1501。如图3所示的实施例，第二空隙1502由介电环202位于间隙105一侧底部凹进去形成，第二空隙1502能为第一保护环104提供更多的空间，一方面，该空间可以让第一保护环104覆盖更多的螺孔边沿，进一步降低在螺孔边沿处发生电弧的概率，另一方面，第二空隙1502为第一保护环104提供膨胀空间，当进行刻蚀过程时，第一保护环104既能充满第二空隙1502，又不至于膨胀过度损坏介电环104。同时，当第一保护环104受热向上膨胀时，与介电环202凹陷处的顶端接触，相当于将间隙105进行了分割，减小了气体扩散的空间，从而可以有效降低电弧放电产生的概率，提高了下电极组件的安全电压工作范围。
图4为本发明的另一个实施例示意图，本实施例中，与上述实施例的区别在于，第二空隙1502由基座本体1011位于间隙105一侧底部凹进去形成，第二空隙1502能为第一保护环104提供更多的空间，当进行刻蚀过程时，第一保护环104既能充满第二空隙1502，又不至于膨胀过度损坏介电环104。同时，通过凹陷，第一保护环104能与焊接线1013更好的接触，起到更严密的覆盖效果。
图5为本发明的另一个实施例示意图，本实施例中，与上述实施例的区别在于，第二空隙1502由基座本体1011和介电环202位于间隙105一侧底部同时凹进去形成，此种设计可以兼顾图3和图4实施例的技术效果，即避免膨胀时损坏下电极组件，与焊接线1013和基座的台阶部上螺孔边沿都能更好的覆盖，实现更好的避免电弧效果。
图6为本发明的另一个实施例示意图，本实施例中，与上述实施例的区别在于，第二空隙1502由介电环202位于间隙105一侧底部凹进去形成，第二空隙1502与第一空隙1501之间的拐角与第一保护环104顶部接触，这样在第一保护环104充分膨胀填满凹陷部之前，可以隔绝等离子体进入介电环202与第一保护环104的空间，若等离子体进入该区域，结合台阶部上的螺孔边沿，会更容易发生点火放电。
图7为本发明的另一个实施例示意图，本实施例中，与上述实施例的区别在于，还包括第二保护环1041，所述第二保护环1041环绕所述基座101与所述静电夹盘102外围，至少部分的与所述介电环202相互抵靠。其可以防止等离子体轰击静电夹盘与基座101之间的连接层处，连接层多为硅胶材质，易被等离子体腐蚀，如果被腐蚀则会导致内部气体泄漏或者基片表面温度不均匀等问题，也可以进一步防止等离子体进入间隙105中，从而降低电弧放电产生的可能性。同时，所述第二保护环1041位于基座101与聚焦环201之间，使得基座101与聚焦环201之间电隔离，此外，第二保护环1041用于阻止等离子经聚焦环与基座或静电夹盘之间的缝隙进入间隙105，增强了在间隙105中避免电弧的能力，同时降低了基座上保护层106被等离子体腐蚀的可能。
可选的，聚焦环201与介电环202之间设置热传导层，和/或介电环202与基座101之间设置热传导层,以提高对聚焦环201温度的传导能力。在其他实施例中，介电环202也可以设置在其他能够独立控温的支撑部件上方，以实现对聚焦环201区别于基片103的温度独立控制。
上文所述的下电极组件还可用于如图8所示的电感耦合等离子体等离子体处理装置内，在该实施例中，下电极组件具有如上文所述的结构，此处不再赘述，除此之外，反应腔上方设置一绝缘窗口130，绝缘窗口上方设置电感线圈140，一高频射频电源145施加射频信号至电感线圈140，电感线圈140产生交变的磁场，在反应腔内感应出交变电场，实现对进入反应腔内的工艺气体的等离子体解离。在本实施例中，工艺气体可以从反应腔侧壁注入反应腔，也可以在绝缘窗口上设置气体注入口以容纳工艺气体进入。偏置射频电源通过一偏置射频匹配施加到下电极组件，用于控制等离子体的能量分布。
本发明提供了一种耐等离子体腐蚀的下电极组件及等离子体处理装置，通过在基座的焊接线上覆盖保护环，提高边缘环组件与基座间隙的介电能力，同时避免泄等离子体与保护层不平整处的接触，防止等离子体腐蚀基座及其附属配件，降低了下电极组件可能出现的电弧放电的可能性，并且阻挡间隙下方发生电弧放电后向上的延伸，有效的保证了下电极组件的使用安全。
本发明公开的下电极组件不限于应用于上述两种实施例的等离子体处理装置，在其他等离子体处理装置中也可以适用，此处不再赘述。
尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
Claims (14)
1.一种下电极组件，用于承载待处理基片，其特征在于，包括：
基座,所述基座包括基座本体及自基座本体向外延伸的台阶部，所述基座本体上具有焊接线；
静电夹盘，其位于所述基座上方；
边缘环组件，其环绕所述基座和/或静电夹盘设置，且与所述基座和/或静电夹盘之间设有间隙；
所述间隙设有第一保护环，所述第一保护环覆盖所述焊接线。
2.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述基座的外侧设有保护层。
3.如权利要求2所述的下电级组件，其特征在于，所述保护层为氧化铝和/或氧化钇材料层，或者硬质阳极氧化层。
4.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述台阶部上具有螺孔，所述第一保护环覆盖至少部分螺孔的边沿。
5.如权利要求4所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环覆盖所述螺孔位于所述间隙内的边沿。
6.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，所述间隙包括第一空隙和第二空隙，所述第一空隙位于所述第一保护环上方，所述第二空隙位于第一空隙下方，所述第二空隙的间隔大于第一空隙的间隔。
7.如权利要求6所述的下电极组件，其特征在于，所述第一空隙与第二空隙的之间的拐角和所述第一保护环接触。
8.如权利要求1所述的下电极组件，其特征在于，还包括第二保护环，所述第二保护环设置在所述基座及静电夹盘交界处。
9.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第二保护环至少一部分与所述基座本体和所述边缘环组件相互抵靠。
10.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环和/或所述第二保护环与所述基座本体和/或所述边缘环组件接触处设置有凹槽，所述凹槽截面为弧形或框形。
11.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环和第二保护环为耐等离子体腐蚀材料。
12.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环和第二保护环为高分子材料。
13.如权利要求8所述的下电极组件，其特征在于，所述第一保护环和第二保护环为氟橡胶或全氟橡胶系列。
14.一种等离子体处理装置，其包括真空处理腔室，其特征在于，所述真空处理腔室包括如权利要求1至13任意一项所述的下电极组件。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011500437.3A CN114649178A (zh) | 2020-12-18 | 2020-12-18 | 一种下电极组件及等离子体处理装置 |
| TW110140192A TWI827990B (zh) | 2020-12-18 | 2021-10-29 | 下電極元件及等離子體處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011500437.3A CN114649178A (zh) | 2020-12-18 | 2020-12-18 | 一种下电极组件及等离子体处理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114649178A true CN114649178A (zh) | 2022-06-21 |
Family
ID=81991280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011500437.3A Pending CN114649178A (zh) | 2020-12-18 | 2020-12-18 | 一种下电极组件及等离子体处理装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114649178A (zh) |
| TW (1) | TWI827990B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100108261A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Lam Research Corporation | Lower electrode assembly of plasma processing chamber |
| US20140069585A1 (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
| TW201626482A (zh) * | 2014-08-29 | 2016-07-16 | 蘭姆研究公司 | 用於離子束蝕刻的離子注射器電極組件 |
| CN211788913U (zh) * | 2020-05-26 | 2020-10-27 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种下电极组件及等离子体处理装置 |
| CN213583694U (zh) * | 2020-12-18 | 2021-06-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种下电极组件及等离子体处理装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4264479B2 (ja) * | 2003-03-14 | 2009-05-20 | キヤノンアネルバ株式会社 | Ｃｖｄ装置のクリーニング方法 |
| US7713379B2 (en) * | 2005-06-20 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition |
| JP5029257B2 (ja) * | 2007-01-17 | 2012-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
| JP4450106B1 (ja) * | 2008-03-11 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
| US8895452B2 (en) * | 2012-05-31 | 2014-11-25 | Lam Research Corporation | Substrate support providing gap height and planarization adjustment in plasma processing chamber |
| WO2015071439A1 (en) * | 2013-11-14 | 2015-05-21 | Mapper Lithography Ip B.V. | Multi-electrode stack arrangement |
| US9673025B2 (en) * | 2015-07-27 | 2017-06-06 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck including embedded faraday cage for RF delivery and associated methods for operation, monitoring, and control |
-
2020
- 2020-12-18 CN CN202011500437.3A patent/CN114649178A/zh active Pending
-
2021
- 2021-10-29 TW TW110140192A patent/TWI827990B/zh active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100108261A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Lam Research Corporation | Lower electrode assembly of plasma processing chamber |
| CN102187741A (zh) * | 2008-10-31 | 2011-09-14 | 朗姆研究公司 | 等离子体处理腔室的下电极组件 |
| US20140069585A1 (en) * | 2012-09-07 | 2014-03-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching apparatus |
| TW201626482A (zh) * | 2014-08-29 | 2016-07-16 | 蘭姆研究公司 | 用於離子束蝕刻的離子注射器電極組件 |
| CN211788913U (zh) * | 2020-05-26 | 2020-10-27 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种下电极组件及等离子体处理装置 |
| CN213583694U (zh) * | 2020-12-18 | 2021-06-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种下电极组件及等离子体处理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI827990B (zh) | 2024-01-01 |
| TW202244977A (zh) | 2022-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI656556B (zh) | 電漿處理室中具有能延伸彈性密封件的使用壽命之適當尺寸的邊緣環、下電極組件、以及蝕刻半導體基板的方法 | |
| JP7098273B2 (ja) | ユニバーサルプロセスキット | |
| KR100600898B1 (ko) | 플라즈마 공정 챔버 내의 초점 링 조립체 | |
| US6308654B1 (en) | Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome | |
| CN211788913U (zh) | 一种下电极组件及等离子体处理装置 | |
| US11837496B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of processing a substrate | |
| KR20210047257A (ko) | 정전 척 및 그 제조 방법, 플라즈마 처리 장치 | |
| KR20170028849A (ko) | 포커스 링 및 기판 처리 장치 | |
| CN213583694U (zh) | 一种下电极组件及等离子体处理装置 | |
| JP2021141277A (ja) | 載置台及びプラズマ処理装置 | |
| KR20030025007A (ko) | 쉴드링을 가지는 식각장비 | |
| CN113903647A (zh) | 边缘环和蚀刻装置 | |
| CN113725059A (zh) | 一种下电极组件，其安装方法及等离子体处理装置 | |
| JP5893260B2 (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
| TWI797498B (zh) | 下電極元件，其安裝方法及等離子體處理裝置 | |
| CN114649178A (zh) | 一种下电极组件及等离子体处理装置 | |
| KR20050091854A (ko) | 반도체 웨이퍼 제조 장치의 포커스 링 | |
| CN112687510B (zh) | 一种防止约束环发生电弧损伤的等离子体处理器和方法 | |
| TWI839675B (zh) | 下電極組件及等離子體處理裝置 | |
| KR20200115228A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101165725B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
| TWM622433U (zh) | 下電極組件及等離子體處理裝置 | |
| KR102126979B1 (ko) | 샤워 헤드 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| TWI834307B (zh) | 下電極組件、等離子體處理裝置及其組裝方法 | |
| US8186300B2 (en) | Plasma processing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |