KR200262122Y1 - 식각 챔버의 데포짓 실드 - Google Patents
식각 챔버의 데포짓 실드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200262122Y1 KR200262122Y1 KR2020010034238U KR20010034238U KR200262122Y1 KR 200262122 Y1 KR200262122 Y1 KR 200262122Y1 KR 2020010034238 U KR2020010034238 U KR 2020010034238U KR 20010034238 U KR20010034238 U KR 20010034238U KR 200262122 Y1 KR200262122 Y1 KR 200262122Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- etching
- present
- plasma
- etching chamber
- shield
- Prior art date
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
본 고안은 식각 챔버의 데포짓 실드에 관한 것이다.
본 고안은 데포짓 실드의 내측에 포면처리된 막을 세라믹 코팅으로 형성시킴을 특징으로 한다. 따라서 플라즈마로 인한 식각이 줄게 되어 제품의 수명을 연장시키는 효과가 있다. 또한, 플라즈마 식각으로 인한 금속성 이물질이 떨어지는 것을 방지하여 웨이퍼 수급이 향상되며, 플라즈마 챔버의 세정 주기 연장으로 장비 가동률이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 고안은 반도체 장착 장치에 관한 것으로써, 플라즈마로부터 노출되는 부위에 애노우드(Anode)가 코팅처리 된 식각 챔버의 데포짓 실드(Deposit Shield)에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 장치의 제조에서는 반도체 기판 상에 소정의 막을 형성시킨 후, 상기 소정의 막을 소자의 특성에 따른 패턴으로 형성시키기 위하여 식각 공정을 수행한다.
그리고 상기 패턴이 미세화 되어 가는 최근의 반도체 장치의 제조에서는 플라즈마(Plasma)를 이용한 건식 식각을 주로 이용한다.
여기에서 플라즈마를 이용한 건식식각은 고진공 상태의 식각챔버(Etching Chamber)내에 가스를 주입시키면서 애노우드 및 캐소드(Cathode)를 이용하여 고주파를 인가시켜 형성된 플라즈마로 반도체기판 상에 형성된 소정의 막을 식각시킨다.
그리고 식각챔버에 구비되는 종래의 데포짓 실드는 애노드 코팅(Anodic Coating)으로 표면 처리를 한 애노우드를 실딩시켰다.
그러나 데포짓 실드가 구비되는 식각챔버를 이용한 식각공정의 수행시, 플라즈마에 노출된 애노드 코팅은 이온에 식각되어 제품의 수명이 단축되는 문제점이 있었다.
본 고안은 상기한 바와 같은 결점을 해소시키기 위하여 안출된 것으로서, 플라즈마에 노출되는 데포짓 실드의 내측에 세라믹 코팅(Ceramic Coating)을 함으로써, 플라즈마에 내식성을 증대시켜 이물질 발생을 감소시키고 데포짓 실드의 제품 수명 연장을 가져오는 식각 챔버의 데포짓 실드를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 데포짓 실드의 내측에 포면처리된 막을 세라믹 코팅으로 형성시킴을 특징으로 하는 식각 챔버의 데포짓 실드를 제공한다.
본 고안의 상기 목적과 여러 가지 장점은 이 기술 분야에 숙련된 사람들에의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 고안의 바람직한 실시 예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
도 1은 본 고안에 따른 식각 챔버의 데포짓 실드를 나타낸 분리 사시도.
도 2는 본 고안에 따른 데포짓 실드의 세라믹 코팅 처리된 부분을 도시한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 데포짓 실드 12 : 세라믹 코팅
20 : 가이드 링 30 : 챔버바디
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 고안에 따른 식각 챔버의 데포짓 실드를 나타낸 분리 사시도이고, 도 2는 본 고안에 따른 데포짓 실드의 세라믹 코팅 처리된 부분을 도시한 단면도이다.
본 고안에 따른 도 1에 도시된 식각 챔버의 데포짓 실드는, 데포짓 실드(10)와, 상기 데포짓 실드(10)의 하부가 장착되는 가이드 링(20)과, 상기 데포짓 실드(10)와 가이드 링(20)이 장착되는 챔버바디(30)로 구성된다.
여기에서 도 2에 도시된 바와 같이, 데포짓 실드(10)의 내측에 표면 처리된 막으로 세라믹 코팅(12)이 형성된다.
상기 식각챔버는 산화막을 식각하는 산화막 식각용 챔버인 것이 바람직하다.
이와 같이 구성된 본 고안에 따른 식각 챔버의 데포짓 실드 작용을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 공정 수행시 플라즈마가 인가되도록 고주파를 발생시키는 데포짓 실드(10)가 구비되어 있으며, 상기 데포짓 실드(10)의 내측 부분에 세라믹 코팅(12)이 되어 있는 상태를 나타낸다.
따라서, 세라믹 코팅(12)된 데포짓 실드(10)는 공정 수행시 플라즈마의 노출부분의 식각을 최소화 할 수 있다.
즉, 본 고안은 식각 공정의 수행시 빈번하게 플라즈마로 인한 식각을 억제시킴으로써, 공정 불량을 감소와 식각 챔버의 세정 주기 연장으로 장비 가동률이 향상된다.
이상, 상기 내용은 본 고안의 바람직한 일실시 예를 단지 예시한 것으로 본 고안의 당업자는 본 고안의 요지를 변경시킴이 없이 본 고안에 대한 수정 및 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 식각 챔버의 데포짓 실드는, 데포짓 실드 내측에 세라믹 코팅(Ceramic Coating)을 함으로써, 플라즈마로 인한 식각이 줄게 되어 제품의 수명을 연장시키는 효과가 있다.
또한, 플라즈마 식각으로 인한 금속성 이물질이 떨어지는 것을 방지하여 웨이퍼 수급이 향상되며, 플라즈마 챔버의 세정 주기 연장으로 장비 가동률이 향상되는 효과가 있다.
Claims (1)
- 데포짓 실드의 내측에 포면처리된 막을 세라믹 코팅으로 형성시킴을 특징으로 하는 식각 챔버의 데포짓 실드.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2020010034238U KR200262122Y1 (ko) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 식각 챔버의 데포짓 실드 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2020010034238U KR200262122Y1 (ko) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 식각 챔버의 데포짓 실드 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR200262122Y1 true KR200262122Y1 (ko) | 2002-02-06 |
Family
ID=73070486
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2020010034238U KR200262122Y1 (ko) | 2001-11-08 | 2001-11-08 | 식각 챔버의 데포짓 실드 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR200262122Y1 (ko) |
-
2001
- 2001-11-08 KR KR2020010034238U patent/KR200262122Y1/ko not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101149332B1 (ko) | 플라즈마 식각 장치 | |
KR20030021012A (ko) | 아크 방지용 정전척 | |
KR100733844B1 (ko) | 중성빔을 이용한 플라즈마 발생장치 및 플라즈마 발생방법 | |
KR20170000791A (ko) | 에칭 방법 | |
KR20030025007A (ko) | 쉴드링을 가지는 식각장비 | |
CN109841475A (zh) | 预处理方法及晶片处理方法 | |
US20050161435A1 (en) | Method of plasma etching | |
KR200262122Y1 (ko) | 식각 챔버의 데포짓 실드 | |
KR100585437B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR20050091854A (ko) | 반도체 웨이퍼 제조 장치의 포커스 링 | |
KR200265545Y1 (ko) | 식각 챔버의 데포짓 실드 | |
CN103000482B (zh) | 蚀刻方法和装置 | |
US20010049196A1 (en) | Apparatus for improving etch uniformity and methods therefor | |
JPH09289198A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用保護部材 | |
KR20050001831A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR20080020722A (ko) | 플라즈마 처리 장치 및 이를 이용한 기판의 처리 방법 | |
KR100519675B1 (ko) | 유도 결합 플라즈마 장치를 사용하여 높은 포토레지스트선택비를 구현할 수 있는 식각 방법 | |
JP2007184611A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
KR100476588B1 (ko) | 반도체 식각장치의 프로세스 챔버 | |
KR100851454B1 (ko) | 챔버 조건에 대한 공정 민감도를 감소시키는 방법 | |
KR20030017753A (ko) | 이중층 내벽 구조의 챔버 | |
JP2011211135A (ja) | プラズマ処理方法 | |
KR20090086773A (ko) | 웨이퍼 백사이드 식각을 위한 플라즈마 처리장치 | |
KR200181398Y1 (ko) | 반도체 소자 제조용 식각 장치 | |
KR200205805Y1 (ko) | 플라즈마 공정 챔버의 상부 챔버 구조 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
REGI | Registration of establishment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080103 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |