KR100766417B1 - 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치 - Google Patents

수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100766417B1
KR100766417B1 KR1020060064981A KR20060064981A KR100766417B1 KR 100766417 B1 KR100766417 B1 KR 100766417B1 KR 1020060064981 A KR1020060064981 A KR 1020060064981A KR 20060064981 A KR20060064981 A KR 20060064981A KR 100766417 B1 KR100766417 B1 KR 100766417B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bar
rotating
main body
substrate structures
structures
Prior art date
Application number
KR1020060064981A
Other languages
English (en)
Inventor
이기정
Original Assignee
이기정
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이기정 filed Critical 이기정
Priority to KR1020060064981A priority Critical patent/KR100766417B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100766417B1 publication Critical patent/KR100766417B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

수납 부재와 이를 포함하는 박판화 장치가 개시된다. 상기 수납 부재는 간격을 유지하면서 서로 마주보게 배치되는 본체와, 상기 본체를 연결하면서 서로 마주보게 배치되어 상기 본체를 지지하는 바로 이루어진다. 그러므로, 상기 수납 부재는 그 이면은 노출되고, 회로 패턴이 형성된 그 전면은 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 기판 구조물들을 다수매로 수납할 수 있다. 그리고, 상기 박판화 장치는 상기 수납 부재와 함께 식각액을 수용하는 식각 배스를 포함한다. 그러므로, 상기 박판화 장치를 이용한 공정 수행에서는 상기 식각 배스의 식각액에 상기 기판 구조물들을 수납한 수납 부재를 딥핑시킨다.

Description

수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치{member of carrying object and apparatus of thinning object having the same}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수납 부재를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 2는 도 1의 수납 부재에 수납되는 기판을 나타내는 개락적인 사시도이다.
도 3은 도 1의 수납 부재에 포함되는 바를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 박판화 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 수납 부재 20 : 구조물
40 : 박판화 장치 100 : 본체
102, 104, 105 : 바 106, 108, 111 : 회전부
200 : 반도체 기판 202 : 보호 테이프
204 : 링-프레임 400 : 배스
402 : 구동부
본 발명은 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 보호 테이프와 링-프레임(ring-frame)에 의해 지지되는 기판 구조물들과 같은 목적물을 안정적으로 수납하기 위한 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치에 관한 것이다.
최근, 반도체 장치는 처리 능력, 기억 용량 등의 향상을 위하여 다층으로 적층하는 구조로 발전하고 있는 추세에 있다. 그리고, 상기 반도체 장치를 다층으로 적층하기 위해서는 반도체 웨이퍼 즉, 기판을 박판으로 형성해야 한다. 여기서, 상기 기판을 박판으로 형성할 경우에는 강성(剛性)이 저하되기 때문에 그 취급이 용이하지 않다. 이에 따라, 보호 테이프와 링-프레임을 사용하여 상기 박판으로 형성하는 기판을 안정적으로 취급하고 있다.
그러나, 상기 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 기판의 경우에는 낱장 단위로 그 취급이 이루어지는 단점이 있다.
본 발명의 일 목적은 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 기판 구조물을 다수매 단위로 취급이 가능한 수납 부재를 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 기판 구조물을 다수매 단위로 수납한 상태에서 박판 가공의 공정 수행이 가능한 장치를 제공하는데 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 수납 부재는 일정 간격을 유지하면서 서로 마주보게 배치되는 본체를 포함한다. 더불어, 상기 본체를 연결하면서 서로 마주보게 배치되어 상기 본체를 지지하는 바를 포함한다. 특히, 상기 바의 경우에는 슬릿 형태의 홈들이 다수개 형성되고, 회전이 가능한 구조를 갖는다.
이에 따라, 상기 수납 부재는 그 이면은 노출되고, 회로 패턴이 형성된 그 전면은 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 기판 구조물들을 다수매로 수납할 수 있다. 특히, 상기 바가 회전 가능한 구조를 갖기 때문에 상기 기판 구조물들을 다수매로 수납한 상태에서도 용이하게 회전시킬 수 있다.
그리고, 상기 수납 부재에 수납된 다수매의 기판 구조물들의 경우에는 후속 공정으로서 박판 가공이 주로 이루어지기 때문에 상기 수납 부재는 상기 기판 구조물들에서 기판 각각의 이면을 식각시킬 수 있는 식각액에 대하여 내식각성을 갖는 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 기판 구조물들에서 상기 기판은 주로 1차 박판 가공을 수행한 상태에 있기 때문에 상기 수납 부재에 수납되는 상기 기판 구조물들에서 상기 기판 각각은 원래 두께의 1/2 미만의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 박판화 장치는 식각액을 수용하는 식각 배스와 함께 일정 간격을 유지하면서 서로 마주보게 배치되는 본체와, 상기 본체를 연결하면서 서로 마주보게 배치되어 상기 본체를 지지하는 바로 이루어진 수납 부재를 포함한다.
그리고, 상기 바는 슬릿 형태의 홈들이 다수개 형성되고, 회전이 가능한 구조를 갖는다. 이에 따라, 상기 수납 부재는 그 이면은 노출되고, 회로 패턴이 형성된 그 전면은 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 기판 구조물들을 다수매로 수납할 수 있다.
그러므로, 상기 박판화 장치를 이용한 공정 수행에서는 상기 식각 배스의 식각액에 상기 기판 구조물들을 수납한 수납 부재를 딥핑시킨다. 이때, 상기 바가 회전 가능하고, 다수매의 기판 구조물들을 용이하게 수납할 수 있는 구조를 갖기 때문에 상기 기판 구조물들을 다수매로 수납한 상태에서도 용이하게 회전시킬 수 있다.
따라서, 상기 박판화 장치를 이용할 경우에는 단일 공정을 수행함에도 불구하고 상기 다수매의 기판 구조물들에서 상기 기판 각각의 이면 전체를 실질적으로 균일하게 식각시킬 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 수납 부재 및 박판화 장치를 이용할 경우에는 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 다수매의 기판 구조물들을 용이하게 취급할 수 있을 뿐만 아니라 다수매 단위로 수납한 상태에서 박판 공정을 용이하게 수행할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 아울러, 도면들에 있어서, 각 부재들은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서는 반도체 웨이퍼를 기판으로 표현하고 있지만, 유리 기판 등을 포함하는 것도 충분히 가능하기 때문에 이에 한정되지 않는다.
수납 부재
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 수납 부재를 나타내는 개략적인 사시도이다.
도 1을 참조하면, 수납 부재(10)는 본체(100)를 포함한다. 상기 본체(100)는 일정 간격을 유지하면서 서로 마주보게 배치된다. 여기서, 상기 본체(100)가 유지하는 일정 간격은 가변적일 수 있지만, 주로 그 사이에 수납되는 목적물의 두께, 매수 등에 근거한다.
그리고, 수납 부재(10)는 바(bar)(102)를 포함한다. 여기서, 상기 바(102)는 상기 본체(100)를 연결하는 구조를 갖는다. 이에 따라, 수납 부재(10)는 상기 바(102)를 이용하여 상기 본체(100)를 연결할 뿐만 아니라 상기 바(102)에 의해 상기 본체(100)가 지지되는 구조를 갖는다.
더불어, 수납 부재(10)에는 목적물로서 반도체 기판을 포함하는 구조물(20)이 수납된다. 특히, 본 발명의 수납 부재(10)에 수납되는 구조물(20)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(200)이 보호 테이프(202)와 링-프레임(204)에 의해 지지되는 구조를 갖는다. 아울러, 상기 구조물(20)에서 반도체 기판(200)들은 1차 박판 가공 공정이 이루어진 상태를 갖는다. 이에, 상기 반도체 기판(200)들 각각은 1차 박판 가공 공정을 거침으로써 그 두께가 원래 두께의 1/2 미만을 갖는다. 예를 들면, 약 700㎛의 두께를 갖는 반도체 기판(200)의 경우 상기 1차 박판 가공 공정에 의해 그 두께가 약 350㎛ 미만을 갖고, 언급한 약 350㎛ 미만의 두께를 갖는 반도체 기판(200)들 각각을 포함하는 구조물(20)들이 본 발명의 수납 부재(10)에 수납하는 것이다. 그리고, 상기 반도체 기판(200) 각각은 1차 박판 가공 공정에 의해 그 두께가 원래 두께의 1/2 미만을 가질 경우에는 언급한 보호 테이프(202)와 링-프레임(204)을 이용하여 지지시킨 후, 상기 수납 부재(10)에 수납하는 구성을 갖는다. 이와 같이, 상기 수납 부재(10)에 수납되는 구조물(20)들에서 반도체 기판(200) 각각을 보호 테이프(202)와 링-프레임(204)을 이용하여 지지시키는 것은 상기 수납 부재(10)에 수납되는 구조물(20)들에 포함되는 반도체 기판(200)들 각각을 대상으로 2차 박판 가공 공정을 거쳐야 하기 때문이다. 즉, 상기 1차 박판 가공 공정이 이루어진 반도체 기판(200)들을 상기 보호 테이프(202)와 링-프레임을 이용하여 지지하지 않은 상태에서 상기 2차 박판 가공 공정을 수행할 경우에는 그것들의 강성이 저하되어 그 취급이 매우 곤란해지기 때문이다.
또한, 상기 수납 부재(10)는 목적물로서 반도체 기판(200)들 각각을 포함하는 구조물(20)들을 수납하기 때문에 상기 바(102)의 경우에도 서로 마주보게 배치시켜야 한다. 만약, 상기 바(102)를 크로스 구조를 갖도록 배치시킬 경우에는 원형 타입의 구조를 갖는 상기 구조물(20)들을 용이하게 수납하지 못한다. 그러므로, 본 발명에서는 상기 바(102)를 서로 마주보게 배치시켜 원형 타입의 구조를 갖는 상기 구조물(20)들 각각을 양쪽에서 지지하는 상태로 수납한다. 그리고, 상기 구조물(20)들 각각을 양쪽에서 지지하는 상태로 상기 바(102)가 배치될 경우에는 그 개수에 대해서는 제한적이지 않다.
아울러, 상기 바(102)에는, 도 3에 도시된 같이, 상기 구조물(20)들의 용이한 수납을 위하여 슬릿 형태의 홈(102a)이 형성된다. 이때, 상기 홈(102a)은 다수개가 형성된다. 이는, 상기 수납 부재(10)에 다수매의 구조물(20)들을 수납해야 하기 때문이다. 아울러, 상기 홈(102a)들이 다수개 형성될 경우에도 상기 바(102)가 마주하게 배치되기 때문에 홈(102a)들 각각도 마주보게 매치되도록 형성된다.
그리고, 상기 바(102)는 회전 가능하게 설치된다. 이와 같이, 상기 바(102)를 회전 가능하게 설치하는 것은 본 발명에 종사하는 당업자라면 용이하게 실시할 수 있는 정도이다. 그러므로, 상기 바(102)의 회전 가능한 구조에 대한 설명은 생략하기로 한다.
따라서, 상기 수납 부재(10)는 상기 바(102)의 홈(102a)들 각각에 구조물(20)들 각각을 수납하고, 상기 바(102)를 회전시킴으로써 상기 수납 부재(10)에 수납된 구조물(20)들이 회전하는 구조를 갖는다.
또한, 상기 수납 부재(10)는 상기 바(102)가 마주하게 배치될 때, 상기 바(102) 사이의 아래쪽에 위치하는 바(104)를 더 포함한다. 아울러, 이하에서는 양측에 서로 마주하게 배치되는 바(102)의 경우에는 제1 바로 표현하고, 서로 마주하게 배치되는 제1 바 사이의 아래쪽에 위치하는 바(104)의 경우에는 제2 바로 표현 한다.
그리고, 상기 제2 바(104)의 경우에도 상기 제1 바(102)와 마찬가지로 상기 구조물(20)들의 용이한 수납을 위하여 슬릿 형태의 홈이 형성된다. 또한, 상기 제2 바(104)도 회전 가능한 구조를 갖도록 설치된다. 그리고, 상기 제2 바(104)의 경우에는 상기 제1 바(102)를 기준으로 그 배치되는 위치가 결정된다. 그러므로, 본 발명에서는 상기 제1 바(102)는 상기 구조물(20)들 각각을 양측에서 지지하는 상태가 되도록 배치하고, 상기 제2 바(104)는 하부에서 상기 구조물(20)들을 지지하는 상태가 되도록 배치한다.
아울러, 상기 수납 부재(10)에 수납되는 구조물(20)들에 포함되는 반도체 기판(200)들 각각을 대상으로 이루어지는 2차 박판 가공 공정은 주로 식각액을 사용한 공정이 이루어진다. 만약, 상기 수납 부재에 수납되는 구조물(20)들이 가볍거나 또는 상기 2차 박판 가공 공정을 수행함에 따라 가벼워질 경우에는 상기 수납 부재(10)에 수납되는 구조물(20)들 각각이 상기 식각액 내에서 부유하여 상기 수납 부재(10)로부터 이탈하는 상황이 발생할 수도 있다. 이에, 본 발명의 수납 부재(10)는 상기 제1 바(102)가 서로 마주보게 배치될 때, 상기 제1 바(102) 사이의 위쪽에 위치하는 바(105)를 더 포함한다. 여기서, 상기 제1 바(102) 사이의 위쪽에 위치하는 바(105)는 제3 바로 표현한다. 그리고, 상기 제3 바(105)의 경우에도 상기 제1 바(102)와 마찬가지로 상기 구조물(20)들의 용이한 수납을 위하여 슬릿 형태의 홈이 형성된다. 또한, 상기 제3 바(105)는 회전 가능한 구조를 갖도록 설치된다. 그리고, 상기 제3 바9105)도 상기 제1 바(102)를 기준으로 그 배치되는 위치가 결정된다. 그러므로, 본 발명에서는 상기 제3 바(105)는 상부에서 상기 구조물(20)들을 지지하는 상태가 되도록 배치한다.
특히, 상기 구조물(20)들의 용이한 수납이 가능하도록 상기 제3 바(105)는 상기 본체(100)로부터 그 탈착이 용이해야 한다. 따라서, 상기 제3 바(105)가 위치하는 본체(100)에는 그 일부가 탈착이 가능한 부재(113)가 형성된다. 이때, 상기 탈착 부재(113)는 상기 본체(100) 자체에 힌지 결합하는 형태, 억지 끼움 형태 등으로 형성할 수 있다. 따라서, 상기 수납 부재(10)를 이용한 상기 제3 바(105)의 탈착은 탈착 부재(113)를 이용하여 상기 제3 바(105)가 위치할 영역을 오픈시킨 후, 상기 제3 바(105)를 위치시키고, 상기 탈착 부재(113)를 클로즈시키는 구조를 갖는다.
그리고, 언급한 본 발명의 수납 부재(10)에서 상기 제1 바(102), 제2 바(104) 및 제3 바(105) 각각이 상기 구조물(20)들을 안정적으로 지지하는 위치에 배치될 경우에는 그 개수에 제한적이지는 않다.
또한, 상기 제1 바(102)와 제2 바(104) 그리고 제3 바(105) 각각에는 회전부들(106, 108, 111)이 연결된다. 여기서, 상기 제1 바(102)와 연결되는 회전부(106)는 제1 회전부로 표현하고, 상기 제2 바(104)와 연결되는 회전부는 제2 회전부(108)로 표현하고, 상기 제3 바(105)와 연결되는 회전부는 제3 회전부(111)로 표현한다. 상기 제1 회전부(106)의 경우에는 상기 본체(100)의 외측에 위치하면서 상기 제1 바(102)와 연결된다. 더불어, 상기 제2 회전부(108)의 경우에는 상기 본체(100)의 외측에 위치하면서 상기 제2 바(104)와 연결된다. 또한, 상기 제3 회전 부(111)의 경우에는 상기 본체(100)의 외측에 위치하면서 상기 제3 바(105)와 연결된다. 그러므로, 상기 제1 회전부(106)와 상기 제2 회전부(108) 그리고 상기 제3 회전부(111) 각각을 사용하여 상기 제1 바(102)와 상기 제2 바(104) 그리고 상기 제3 바(105) 각각을 용이하게 회전시킨다. 아울러, 상기 제1 회전부(106)와 상기 제2 회전부(108) 그리고 상기 제3 회전부(111) 각각은 톱니 바퀴 형태를 갖는다. 이는, 상기 제1 회전부(106)와 상기 제2 회전부(108) 그리고 상기 제3 회전부(111) 각각을 용이하게 회전시키기 위함이다. 또한, 상기 제1 회전부(106)와 상기 제2 회전부(108) 그리고 상기 제3 회전부(111) 각각이 톱니 바퀴 형태를 가질 경우에는 상기 제1 회전부(106)와 상기 제2 회전부(108) 그리고 상기 제3 회전부(111)를 서로 맞물리게 설치한다. 그러면, 상기 제1 회전부(106)와 제2 회전부(108) 및 제3 회전부(111)를 함께 회전시키고, 이에 따라 상기 제1 바(102)와 제2 바(104) 및 제3 회전부(111) 모두가 함께 회전할 수 있다. 더불어, 상기 제1 회전부(106)와 상기 제2 회전부(108) 그리고 상기 제3 회전부(111)가 위치하는 중간에 상기 제1 회전부(106)와 상기 제2 회전부(108) 및 상기 제3 회전부(111) 모두에 맞물릴 수 있는 톱니 바퀴 형태의 보조 부재(110)를 더 설치하기도 한다. 이와 같이, 그 중심에 톱니 바퀴 형태의 보조 부재(110)를 설치할 경우에는 상기 톱니 바퀴 형태의 보조 부재(110)만을 회전시켜도 상기 제1 회전부(106)와 상기 제2 회전부(108) 및 상기 제3 회전부(111)가 동시에 회전할 수 있는 구조를 가진다.
그리고, 상기 수납 부재(10)는 그 재질이 상기 구조물(20)들에 포함되는 상기 반도체 기판(200)들의 이면을 식각시킬 수 있는 식각액에 대하여 내식각성을 갖 는 것이 바람직하다. 그 이유는, 상기 수납 부재(10)에 수납된 상기 구조물(20)들의 반도체 기판(200)들을 대상으로 적용하는 공정이 2차 박판 공정이기 때문이다. 아울러, 상기 2차 박판 공정에서는 주로 식각액을 사용하기 때문이다.
그러므로, 본 발명에서의 수납 부재(10)는 회로 패턴이 형성된 그 전면은 보호 테이프(202)와 링-프레임(204)에 의해 지지되고, 그 이면은 노출되는 반도체 기판(200)들을 포함하는 구조물(20)들을 다수매로 수납 가능하고, 용이하게 회전시킬 수 있다. 따라서, 상기 수납 부재(20)는 보다 얇은 두께를 갖는 반도체 기판(200)의 박판화 가공을 위한 장치에 적극적으로 활용할 수 있다.
박판화 장치
이하, 언급한 수납 부재를 포함하는 박판화 장치에 대하여 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 박판화 장치를 나타내는 개략적인 구성도이다.
도 4를 참조하면, 박판화 장치(40)는 박판화 대상이 되는 목적물을 수납하는 수납 부재(10)를 포함한다. 특히, 상기 수납 부재(10)는 언급한 실시예에서의 수납 부재와 동일한 구조를 갖기 때문에 그 설명을 생략하기로 하고, 동일 부재에 대해서는 동일 부호로 표현한다. 아울러, 상기 수납 부재(10)에 수납되는 목적물로서 구조물(20) 또한 반도체 기판(200)을 포함하고, 상기 반도체 기판(200)이 보호 테이프(202)와 링-프레임(204)에 의해 지지되는 구조를 갖는다. 즉, 그 이면은 노출되고, 회로 패턴이 형성된 그 저면은 보호 테이프(202)와 링-프레임(204)에 의해 지지되는 구조를 갖는다.
그리고, 박판화 장치(40)는 상기 수납 부재(10) 이외에도 식각액을 수용하는 식각 배스(400)를 포함한다. 여기서, 상기 식각 배스(400)의 경우에도 상기 수납 부재(10)와 마찬가지로 상기 식각액에 대하여 내식각성을 갖는 재질로 형성해야 한다.
또한, 상기 박판화 대상이 되는 구조물(20)들이 실리콘 기판일 경우에는 상기 식각액은 불화물염, 질산염, 황산 등을 포함한다. 특히, 상기 식각액은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 즉, 상기 식각액으로서 불화물염, 질산염, 황산 각각을 사용하거나 불화물염과 질산염을 포함하는 혼합물, 불화물염과 황산을 포함하는 혼합물, 질산염과 황산을 포함하는 혼합물, 불화물염, 질산염 및 황산을 포함하는 혼합물 등을 사용한다.
이와 같이, 상기 박판화 장치(40)는 상기 수납 부재(10)와, 상기 식각액을 수용하는 식각 배스(400)를 포함하기 때문에, 상기 박판화 장치(40)를 사용한 박판화 공정에서는 상기 반도체 기판(200)을 포함하는 구조물(20)들을 다수매로 수납한 수납 부재(10)를 상기 식각 배스(400)의 식각액에 딥핑시킨다. 그러면, 상기 수납 부재(10)에 수납된 상기 구조물(20)들의 반도체 기판(200)들 각각의 이면 전체가 실질적으로 균일하게 식각된다. 따라서, 상기 박판화 장치(40)를 이용한 박판화 공정은 용이하게 수행할 수 있다.
만약, 상기 박판화 장치(40)를 사용한 박판화 공정에서 상기 수납 부재(10)에 수납된 구조물(20)들을 회전시키지 않을 경우에는 상기 수납 부재(10)에 수납된 상기 구조물(20)들의 반도체 기판(200)들 각각의 이면 전체가 실질적으로 균일하게 식각되지 않는 상태가 빈번하게 발생한다. 이에 따라, 상기 박판화 장치(40)를 사용한 박판화 공정에서는 상기 수납 부재(10)에 수납된 구조물(20)들 각각을 회전시킨다. 이는, 상기 수납 부재(10)의 바들(102, 104, 105)이 회전부들(106, 108, 111)의 회전에 의해서 가능하다.
아울러, 상기 박판화 장치(40)는 상기 회전부들(106, 108, 111)의 용이한 회전과 회전 속도 등의 제어를 위하여 상기 회전부들(106, 108, 111) 각각과 연결되고, 상기 회전부들(106, 108, 111) 각각에 회전 가능한 구동력을 제공하는 구동부(402)를 더 포함한다. 이때, 상기 구동부(402)는 상기 수납 부재(10)가 상기 식각 배스(400)의 식각액에 딥핑된 상태에서 연결되는 것이 바람직하다. 그러므로, 상기 구동부(402)와 상기 회전부들(106, 108, 111)의 연결은 가변적인 구조를 갖는다. 즉, 상기 수납 부재(10)가 상기 식각 배스(400)에서 밖으로 나올 때에는 상기 구동부(402)와 상기 회전부들(106, 108)의 연결이 끊어지고, 상기 수납 부재(10)가 상기 식각 배스(400)에 딥핑될 경우에는 상기 구동부(402)와 상기 회전부들(106, 108, 111)의 연결이 이어지지는 것이다. 언급한, 상기 구동부(402)와 상기 회전부들(106, 108, 111)의 가변적인 구조의 연결을 당업자라면 용이하게 실시할 수 있는 정도이기에 이에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
또한, 상기 수납 부재(10)에 수납되는 구조물(20)에서 상기 반도체 기판들(200)은 1차 박판 가공 공정이 이루어진 상태를 갖는다. 이에, 상기 반도체 기판(200)들 각각은 1차 박판 가공 공정을 거침으로써 그 두께가 원래 두께의 1/2 미 만을 갖는다.
이와 같이, 상기 박판화 장치(40)를 이용할 경우 상기 반도체 기판(200)들을 포함하는 구조물(20)들을 다수매 단위로 수납한 상태에서 박판 공정을 용이하게 수행할 수 있다.
박판화 공정
이하, 언급한 수납 부재와 이를 포함하는 박판화 장치를 사용한 박판화 공정에 대하여 설명하기로 한다.
먼저, 1차 박판 가공이 이루어진 반도체 기판(200)들을 마련한다. 특히, 상기 반도체 기판(200)들 각각은 상기 1차 박판 가공에 의해 그 두께가 원래 두께의 1/2 미만을 갖는다. 그러므로, 상기 반도체 기판(200)들 각각에 대하여 보호 테이프(202)와 링-프레임(204)을 이용하여 지지시켜 구조물(20)들로 형성한다. 그 이유는, 상기 반도체 기판(200)들 각각을 구조물(20)들로 형성하지 않을 경우에는 언급한 박판화 공정을 진행함에 따라 상기 반도체 기판(200)들 각각의 강성이 약해져서 그 취급이 용이하지 않기 때문이다. 아울러, 상기 반도체 기판(200)들 각각은 회로 패턴이 형성된 그 전면은 상기 보호 테이프(202)와 링-프레임(204)에 의해 지지되고, 그 이면은 노출되는 구조를 갖는다.
이어서, 상기 반도체 기판(200)들을 포함하는 구조물(20)들 각각을 수납 부재(10)에 수납시킨다. 특히, 상기 수납 부재(10)는 상기 구조물(20)들을 다수매 수납한다. 아울러, 상기 수납 부재(10)에 수납되는 구조물(20)들의 개수에 따라 상기 수납 부재(10)를 가변적으로 변형시킬 수 있기 때문에 상기 수납 부재(10)에 수납되는 구조물(20)들에 대한 개수는 제한적이지 않다.
그리고, 식각액을 수용한 식각 배스(400)를 마련한다. 여기서, 상기 식각 배스(400)에 수용되는 식각액은 상기 구조물(20)들의 반도체 기판(200)들이 실리콘 기판일 경우에 언급한 바와 같이 불화물염, 질산염, 황산 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
계속해서, 상기 식각 배스(400)의 식각액에 상기 구조물(20)들을 다수매 수납한 수납 부재(10)를 딥핑시킨다. 그리고, 상기 구동부(402)와 상기 수납 부재(10)의 회전부들(106, 108, 111)을 연결시킨다. 이와 같이, 상기 구동부(402)와 상기 수납 부재(10)의 회전부들(106, 108, 111)을 연결시킨 후, 상기 구동부(402)로부터 상기 회전부들(106, 108, 111)에 구동력을 제공함으로써 상기 수납 부재(10)에 수납된 구조물(20)들 각각은 안정적으로 회전한다.
이에 따라, 상기 수납 부재(10)에 수납된 구조물(20)들에서 상기 반도체 기판(200)들 각각의 이면 전체가 균일하게 식각되고, 그 결과 박판화가 이루어진다. 만약, 상기 수납 부재(10)에 수납된 구조물(20)들을 회전시키지 않을 경우에는 상기 반도체 기판(200)들에 대한 박판화가 균일하게 이루어지는 않는다. 아울러, 상기 박판화는 상기 반도체 기판(200)들 각각이 매우 얇은 두께를 갖는 상태까지 이루어진다.
이어서, 상기 박판화가 목표 두께까지 이루어지면 상기 수납 부재(10)의 회전부들(106, 108, 111)과 구동부(402)의 연결을 해제시킨다. 그리고, 상기 수납 부 재(10)를 상기 식각 배스(400) 밖으로 이송시킨 후, 상기 수납 부재(10)에 수납된 구조물(20)들의 반도체 기판(200)들 각각에 대하여 후속 공정을 수행한다.
이와 같이, 상기 수납 부재(10) 및 이를 포함하는 박판화 장치(40)를 이용하여 박판화 공정을 진행할 경우에는 보호 테이프(202)와 링-프레(204)임에 의해 지지되는 반도체 기판(200)들을 포함하는 다수매의 구조물(20)들을 용이하게 취급할 수 있을 뿐만 아니라 다수매 단위로 수납한 상태에서 박판 공정을 용이하게 수행할 수 있다.
따라서, 본 발명은 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 반도체 기판들을 포함하는 다수매의 구조물들을 용이하게 취급할 수 있을 뿐만 아니라 다수매 단위로 수납한 상태에서 박판 공정을 용이하게 수행할 수 있기 때문에 생산성의 향상을 기대할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 일정 간격을 유지하면서 서로 마주보게 배치되는 본체; 및
    상기 본체를 연결하면서 서로 마주보게 배치되어 상기 본체를 하는 제1 바를 포함하되,
    상기 제1 바는 상기 제1 바의 표면 둘레를 따라 그 이면(back side)이 노출되고, 회로 패턴이 형성된 그 전면(front side)은 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 기판 구조물들을 다수매로 수납이 가능한 슬릿 형태의 홈들이 다수개 형성되고, 상기 기판 구조물들을 다수매로 수납한 상태에서 회전함으로써 상기 기판 구조물들을 회전시키는 것을 특징으로 하는 수납 부재.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 제1 바와 연결되면서 상기 본체의 외측면에 위치하고, 상기 제1 바를 회전시키기 위한 제1 회전부;
    상기 제1 바가 서로 마주보게 배치될 때, 상기 제1 바 사이의 아래쪽에 위치하며, 상기 기판 구조물들을 다수매로 수납 가능한 슬릿 형태의 홈이 형성되고, 상기 제1 바에 의해 상기 기판 구조물들을 회전시킬 때 상기 제1 바와 함께 회전하는 제2 바;
    상기 제2 바와 연결되면서 상기 본체의 외측면에 위치하고, 상기 제2 바를 회전시키기 위한 제2 회전부;
    상기 제1 바가 서로 마주보게 배치될 때, 상기 제1 바 사이의 위쪽에 위치하며, 상기 기판 구조물들을 다수매로 수납 가능한 슬릿 형태의 홈이 형성되고, 상기 제1 바에 의해 상기 기판 구조물들을 회전시킬 때 상기 제1 바와 함께 회전하는 제3 바;
    상기 제3 바와 연결되면서 상기 본체의 외측면에 위치하고, 상기 제3 바를 회전시키기 위한 제3 회전부; 및
    상기 제3 바가 위치하는 본체에 그 일부가 상기 본체로부터 탈착이 가능하게 형성되는 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수납 부재.
  3. 일정 간격을 유지하면서 서로 마주보게 배치되는 본체, 및 상기 본체를 연결하면서 서로 마주보게 배치되어 상기 본체를 지지하는 제1 바를 포함하는 수납 부재; 및
    식각액을 수용하며, 상기 제1 바에 의해 상기 다수매의 기판 구조물들을 회전시킴키는 수납부재가 딥핑되어 상기 기판 구조물들에 노출된 기판 각각의 이면 전체를 균일하게 식각하기 위한 식각 배스를 포함하되,
    상기 제 1 바는 상기 제1 바의 표면 둘레를 따라 그 이면(back side)이 노출되고, 회로 패턴이 형성된 그 전면(front side)은 보호 테이프와 링-프레임에 의해 지지되는 기판 구조물들을 다수매로 수납이 가능한 슬릿 형태의 홈들이 다수개 형성되고, 상기 기판 구조물들을 다수매로 수납한 상태에서 회전함으로써 상기 기판 구조물들을 회전시키는 것을 특징으로 하는 박판화 장치.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 제1 바와 연결되면서 상기 본체의 외측면에 위치하고, 상기 제1 바를 회전시키기 위한 제1 회전부;
    상기 제1 바가 서로 마주보게 배치될 때, 상기 제1 바 사이의 아래쪽에 위치하면서 상기 기판 구조물들을 다수매로 수납 가능한 슬릿 형태의 홈이 형성되고, 상기 제1 바에 의해 상기 기판 구조물들을 회전시킬 때 상기 제1 바와 함께 회전하는 제2 바;
    상기 제2 바와 연결되면서 상기 본체의 외측면에 위치하고, 상기 제2 바를 회전시키기 위한 제2 회전부;
    상기 제1 바가 서로 마주보게 배치될 때, 상기 제1 바 사이의 위쪽에 위치하면서 상기 기판 구조물들을 다수매로 수납 가능한 슬릿 형태의 홈이 형성되고, 상기 제1 바에 의해 상기 기판 구조물들을 회전시킬 때 상기 제1 바와 함께 회전하는 제3 바;
    상기 제3 바와 연결되면서 상기 본체의 외측면에 위치하고, 상기 제3 바를 회전시키기 위한 제3 회전부; 및
    상기 제3 바가 위치하는 본체에 그 일부가 상기 본체로부터 탈착이 가능하게 형성되는 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박판화 장치.
  5. 제3 항에 있어서, 상기 제1 회전부와 상기 제2 회전부 및 상기 제3 회전부 각각과 연결되면서 상기 제1 회전부와 상기 제2 회전부 및 상기 제3 회전부 각각을 회전시키기 위한 구동력을 제공하는 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박판화 장치.
  6. 제3 항에 있어서, 상기 수납 부재는 상기 식각액에 대하여 내식각성을 갖는 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박판화 장치.
  7. 제3 항에 있어서, 상기 기판 구조물들에서의 기판이 실리콘 기판일 때, 상기 식각액은 불화물염, 질산염, 황산 중 어느 하나 또는 이들의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박판화 장치.
  8. 제3 항에 있어서, 상기 기판 구조물들에서 상기 기판 각각은 그 두께가 원래 두께의 1/2 미만인 것을 특징으로 하는 박판화 장치.
KR1020060064981A 2006-07-11 2006-07-11 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치 KR100766417B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060064981A KR100766417B1 (ko) 2006-07-11 2006-07-11 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060064981A KR100766417B1 (ko) 2006-07-11 2006-07-11 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100766417B1 true KR100766417B1 (ko) 2007-10-12

Family

ID=39420099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060064981A KR100766417B1 (ko) 2006-07-11 2006-07-11 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100766417B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102598305B1 (ko) * 2023-03-29 2023-11-06 (주)코마테크놀로지 반도체용 대구경 부품에 대한 편심 돌기부가 형성된 표면 에칭 지그

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61214436A (ja) 1985-03-20 1986-09-24 Toshiba Corp 半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置
JPH10223585A (ja) 1997-02-04 1998-08-21 Canon Inc ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法
KR19990038801A (ko) * 1997-11-07 1999-06-05 윤종용 반도체소자 제조공정의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법
JP2000021843A (ja) 1998-07-01 2000-01-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd エッチング方法およびエッチング治具
KR20010001196A (ko) * 1999-06-02 2001-01-05 윤종용 반도체장치 제조용 습식챔버 및 이를 이용한 웨이퍼의 식각방법
KR20030025007A (ko) * 2001-09-19 2003-03-28 삼성전자주식회사 쉴드링을 가지는 식각장비
KR20050101605A (ko) * 2004-04-19 2005-10-25 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 스페이서 형성방법
JP2005327856A (ja) 2004-05-13 2005-11-24 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体ウェーハのエッチング装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61214436A (ja) 1985-03-20 1986-09-24 Toshiba Corp 半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置
JPH10223585A (ja) 1997-02-04 1998-08-21 Canon Inc ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法
KR19990038801A (ko) * 1997-11-07 1999-06-05 윤종용 반도체소자 제조공정의 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각방법
JP2000021843A (ja) 1998-07-01 2000-01-21 Shin Etsu Handotai Co Ltd エッチング方法およびエッチング治具
KR20010001196A (ko) * 1999-06-02 2001-01-05 윤종용 반도체장치 제조용 습식챔버 및 이를 이용한 웨이퍼의 식각방법
KR20030025007A (ko) * 2001-09-19 2003-03-28 삼성전자주식회사 쉴드링을 가지는 식각장비
KR20050101605A (ko) * 2004-04-19 2005-10-25 주식회사 하이닉스반도체 비트라인 스페이서 형성방법
JP2005327856A (ja) 2004-05-13 2005-11-24 Komatsu Electronic Metals Co Ltd 半導体ウェーハのエッチング装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102598305B1 (ko) * 2023-03-29 2023-11-06 (주)코마테크놀로지 반도체용 대구경 부품에 대한 편심 돌기부가 형성된 표면 에칭 지그

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1037261B1 (en) Etching and cleaning method and etching and cleaning apparatus used therefor
JP4688637B2 (ja) 基板処理装置及びバッチ編成装置並びにバッチ編成方法及びバッチ編成プログラム
JP5048632B2 (ja) 基板処理装置
TWI666473B (zh) 長條狀偏光薄膜積層體
JP5458363B2 (ja) バッファユニット、基板処理設備、及び基板処理方法
CN112341004B (zh) 超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法
KR20180023836A (ko) 주연부 처리 장치 및 주연부 처리 방법
JP6723110B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
CN112266176A (zh) 超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法
KR100766417B1 (ko) 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치
JP2007067355A (ja) 基板表面処理装置および基板表面処理方法
WO2012067332A1 (ko) 기판 이송 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP5803535B2 (ja) フィルム積層体およびガラスフィルムの製造関連処理方法
KR100751805B1 (ko) 기판의 박판화 장치 및 이를 포함하는 기판의 박판화시스템
JP2018113361A (ja) 基板ホルダ、縦型基板搬送装置及び基板処理装置
JP2010283402A (ja) 基板処理装置
KR100976550B1 (ko) 매엽식 기판 처리 장치의 버퍼 시스템
TWI719532B (zh) 基板排列裝置及基板排列方法
CN112358193A (zh) 超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法
JP2006265599A (ja) 斜方蒸着治具
JP2006196784A (ja) 基板表面処理装置
KR20060057213A (ko) 기판 처리 장치
JP2005332910A (ja) 基板チャック、及び表示用パネル基板の製造方法
KR101317160B1 (ko) 플라즈마 식각 장치, 이를 포함하는 플라즈마 식각 시스템및 이를 이용하는 기판의 식각 방법
CN112266177B (zh) 超薄玻璃基板制程方法以及显示面板制程方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee