JPS61214436A - 半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置 - Google Patents

半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置

Info

Publication number
JPS61214436A
JPS61214436A JP5436485A JP5436485A JPS61214436A JP S61214436 A JPS61214436 A JP S61214436A JP 5436485 A JP5436485 A JP 5436485A JP 5436485 A JP5436485 A JP 5436485A JP S61214436 A JPS61214436 A JP S61214436A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor wafer
etching
carrier
cylindrical
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5436485A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobukimi Nunotani
伸仁 布谷
Toyohiko Takeda
武田　豊彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Microelectronics Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5436485A priority Critical patent/JPS61214436A/ja
Publication of JPS61214436A publication Critical patent/JPS61214436A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体ウェハの食刻方法及び食刻装置に係り、
特に食刻液中に浸漬する半導体ウェハの運動及び食刻液
の対流を均一にしてこの半導体ウェハの食刻速度を一定
とする方法及びこの方法を達成する食刻装置を提供する
。
〔発明の技術的背景〕
半導体素子はその種類を問わず周知の工程を経て完成さ
れるが、その一部に被処理物である半導体ウェハの表面
部分を化学的に除去する食刻工程が知られている。この
食刻工程には乾式手法に加え以前より賞用されてきた湿
式方式があり、この湿式手法の食刻液としては無機化合
物及び有機化合物である酸又はアルカリ溶液が使用され
る。
この食刻工程では当然であるが半導体ウェハを食刻液中
に浸漬しなければならず、この為半導体ウェハを保持す
る治具が必要となる。通常この治具はキャリアと言われ
ているので以後このように記載する。このキャリアは耐
食性材料からなり第３図に示すように筒状に形成され、
その側壁に複数の溝を設けて、ニーに半導体ウェハを係
止して食刻液に浸漬していた。
一方、被処理物である半導体ウェハはその表面形状が平
坦面のみとは限らないことも考慮して。
何等かの手段によって食刻液に対流を起している。
その具体的手段としては超音波による振動、攪拌翼の適
用、更には前記キャリア自体に上下方向への移動を行っ
ていた。
〔背景技術の問題点〕
食刻液に浸漬した半導体ウェハは前述のようにその一部
分は溝内に係止されている。従って、この部分における
食刻液の対流と他部分のそれとが同一でなければ食刻速
度に差が生じることは否めない。
しかし、超音波による振動等の前述の手段では前記溝内
での食刻液の対流が不充分な為にこの部分の温度が上昇
し、この溝内に位置した半導偽ウェハの食刻速度が速く
なって筋が着くことが判明した。この結果半導体素子の
パターンに必要な精度が得られず致命的な事故と言わざ
るを得ない。
〔発明の目的〕
本発明は上記の欠点を除去した新規な半導体ウェハの食
刻方法及び食刻装置を提供するもので、特にキャリアの
溝内に位置する半導体ウェハ部分と他の部分における食
刻液の対流をはゾ均一にすると共に、それを達成するの
に好適な食刻装置を提供する。
〔発明の概要〕
前記キャリアの溝内に係止する半導体ウェハは周知のよ
うに上面からみるとはゾ円形であるが。
その一部には円弧部分に代えて直線部即ちオリフラ部を
持っている。この半導体ウェハを廻転させることによっ
て前記溝内での対流が他部分のそれとほり等しくなるこ
とを見出した事実に本発明は立脚している。
更に、この半導体ウェハは筒状のキャリアよりその一部
を突出させた上で廻転軸が非円形の廻転体と接触、廻転
して前記キヤ“リア溝内での温度上昇を防止する。この
廻転軸が非円形な廻転体への動力伝達機構としては１対
のプーリを結ぶ平ベルトを耐食性材料で構成し、その小
さい摩擦係数′に基因する難点を克服するため、前記プ
ーリと平ベルトに凸凹部を形成した。又１対のプーリの
中その１方は食刻液を注入する有底筒状の容器外に配置
して動力源に接続する手法を採用した。
〔発明の実施例〕
第１図乃至第３図により本発明を詳述する。
前述のように被処理物である半導体ウェハは上面からみ
るとはゾ円形であり、その円弧の一部を直線としたオリ
フラ部を持っている。第３図に示すようにこの半導体ウ
ェハ（１）を係止するキャリア（２）は耐食性材料から
なり筒状に形成し、その側壁（３）に複数の溝（４）を
設けこの溝内に前記半導体ウェハ（１）を係止するが、
その−郡部半導体つエバ部分（５）は前記筒状キャリア
（２）の溝（４）より突出させる。
第２図に示すように食刻液（６）を注入する有底筒状の
容器（７）に前記筒状キャリア（２）をａｌするが、こ
の筒状キャリアの溝より突出した前記半導体ウェハ（５
）に廻転軸が非円形の第１廻転体（８）を接触可能に配
置す・るので当然前記食刻液に浸漬される。本実施例で
は、前記第１廻転体として断面楕円のものを示したが、
オリフラ部が存在する半導体ウェハの廻転には廻転軸が
非円形の廻転体が不可欠なためである。
この第１廻転体（８）への動力伝達は１対のプーリ（！
］）　、　（９）　（以後第２廻転体と記述する）とこ
れを結ぶ平ベルト（ｌＯ）によって行うが、この第２廻
転体の一方は前記有底筒状の容器（７）の外に配置する
ので、他方の第２廻転体（９）と平ベルト（１０）とは
当然前記食刻液（６）に浸漬される。従って前記平ベル
ト（１０）はテフロン樹脂又はポリプロピレン樹脂によ
って構成して食刻液による溶解や膨潤を防止する。これ
らの材料は小さい摩擦係数を持っているため、前記第２
廻転体（９）と平ベルト（１０）に凹部（１１）及び凸
部（１２）を形成して噛み合せ図示しない動力源によっ
て得られる動力を確実に第１廻転体（８）に伝達する。
この凸部（１２）及び凹部（１１）は第１図及び第３図
に示すように両部品の何れか一方に形成しても差支えな
く、両者の稼動を確実に実施可能とするものである。
〈発明の効果〉 本発明は被処理物である半導体ウェハを廻転して上下動
を行って食刻液を攪拌して均一な対流を起しているため
前記筒状キャリアの溝に係止する半導体ウェハと食刻液
に直接接触する部分との食刻速度に差がなく均一な食刻
が可能となった。
前記平ベルトは耐食性材料で構成しているためスリップ
又は溶断が防止でき１食刻液の組成ならびに濃度に経時
変化を起さずに均一な食刻工程が持続できる。
一方、この食刻装置は簡単な機構であるにも拘らず、且
、耐食性に優れ、更に摩擦係数の小さい材料を確実に駆
動することが可能であるために結果的には極めて効率の
良い結果が得られる。
以上要するに９本発明に係る食刻方法及び装置は極めて
景産性に顕著な効果を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る食刻装置の一部切載斜視図、第２
図はその装置の一部切欠側面図、第３図はキャリア斜視
図、第４図は平ベルトとプーリの嵌合状態を示す斜視図
である。 ２：筒状キャリア

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）筒状キャリアの側壁に形成する複数溝にオリフラ
    を持つ半導体ウェハを係止し、この半導体ウェハ部分を
    前記筒状キャリアの溝より突出し、この筒状キャリアを
    食刻液が注入された有底筒状の容器に載置し、廻転軸が
    非円形の廻転体を前記半導体ウェハ部分に接触して食刻
    することを特徴とする半導体ウェハの食刻方法。
  2. （２）食刻液を注入する有底筒状の容器と、この容器内
    に載置する筒状のキャリアと、こキャリア側壁に形成す
    る複数溝と、この溝部に係止するオリフラを持つほゞ円
    形の半導体ウェハと、前記筒状容器より突出する前記半
    導体ウェハ部分と、この半導体ウェハ部分に接触可能に
    配置する廻転軸が非円形の第１回転体と、この第１廻転
    体に連結され一部を前記有底筒状の容器外に設ける１対
    の第２廻転体と、この第２廻転体間を結ぶ耐食性平ベル
    トと、この第２廻転体及び平ベルトに形成する凹凸部と
    を具備することを特徴とする半導体ウェハの食刻装置。
JP5436485A 1985-03-20 1985-03-20 半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置 Pending JPS61214436A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5436485A JPS61214436A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5436485A JPS61214436A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61214436A true JPS61214436A (ja) 1986-09-24

Family

ID=12968592

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5436485A Pending JPS61214436A (ja) 1985-03-20 1985-03-20 半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61214436A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766417B1 (ko) 2006-07-11 2007-10-12 이기정 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치
CN107968060A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 长江存储科技有限责任公司 用于晶圆刻蚀的反应槽

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100766417B1 (ko) 2006-07-11 2007-10-12 이기정 수납 부재 및 이를 포함하는 박판화 장치
CN107968060A (zh) * 2017-11-21 2018-04-27 长江存储科技有限责任公司 用于晶圆刻蚀的反应槽
CN107968060B (zh) * 2017-11-21 2020-05-12 长江存储科技有限责任公司 用于晶圆刻蚀的反应槽

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1255193A (en) Vlsi chemical reactor
JPS60189936A (ja) 半導体製造装置
JPH01304733A (ja) 半導体ウエハの洗浄装置
JPS61214436A (ja) 半導体ウエハの食刻方法及び食刻装置
JPS61228629A (ja) ウエハ等薄板体の表面処理装置
US3831905A (en) Agitated reactor for processing semiconductor substrates
KR20010041073A (ko) 도금 장치, 도금 시스템 및 이것을 이용한 도금 처리 방법
JPS6197836A (ja) ウエ−ハのエツチング装置
JPH0721220Y2 (ja) 撹拌装置
JP3609230B2 (ja) 半導体装置の製造装置
CN217467466U (zh) 一种单片晶圆显影装置
JPS62101033A (ja) 回転揺動エツチング装置
JP3302484B2 (ja) めっき方法
JPS5550626A (en) Surface treatment of thin plate
KR200212846Y1 (ko) 웨이퍼의 정렬장치
JPH1060674A (ja) 真空処理装置
JPH042117A (ja) 薬液処理装置
KR930006786Y1 (ko) 화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치
JPS59231818A (ja) エツチング処理装置
JPS6233016Y2 (ja)
JP3153701B2 (ja) ウェット処理方法とウェット処理装置
JPH0322417A (ja) 半導体装置の製造装置
JPS5550625A (en) Surface treatment of thin plate
KR970018329A (ko) 반도체 기판 고정용 스핀 척(chuck)
JPS61230332A (ja) ウエハ等薄板体の搬送装置