KR930006786Y1 - 화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치 - Google Patents

화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치 Download PDF

Info

Publication number
KR930006786Y1
KR930006786Y1 KR2019900019577U KR900019577U KR930006786Y1 KR 930006786 Y1 KR930006786 Y1 KR 930006786Y1 KR 2019900019577 U KR2019900019577 U KR 2019900019577U KR 900019577 U KR900019577 U KR 900019577U KR 930006786 Y1 KR930006786 Y1 KR 930006786Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
chemical
etching
lower pulley
etching apparatus
Prior art date
Application number
KR2019900019577U
Other languages
English (en)
Other versions
KR920013692U (ko
Inventor
한경섭
Original Assignee
금성일렉트론 주식회사
문정환
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 금성일렉트론 주식회사, 문정환 filed Critical 금성일렉트론 주식회사
Priority to KR2019900019577U priority Critical patent/KR930006786Y1/ko
Publication of KR920013692U publication Critical patent/KR920013692U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930006786Y1 publication Critical patent/KR930006786Y1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치
제1도는 종래의 식각장치의 개략 구성도.
제2도는 본 고안에 의한 식각장치의 구성도.
제3도는 하부풀리와 웨이퍼의 접속상태를 나타낸 제2도의 A-A선 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 화학약품통 2 : 웨이퍼 캐리어
3, 3' : 지지대 5 : 웨이퍼
6 : 판 7 : 순환파이프
8 : 압축장치 9 : 히터
10 : 모터 11, 11' : 풀리
12 : 벨트
본 고안은 화학약품 용액에 의한 웨이퍼 가공장치에 관한 것으로 특히 웨이퍼 상의 박막이나 실리콘 웨이퍼의 박막식각시 부위에 따른 식각 상태의 균일도를 높이도록 한 웨이퍼 식각 장치에 관한 것이다.
종래의 웨이퍼 가공장치로는 제1도에 도시한 바와같이 화학약품 용액에 의한 식각(Etching)시 웨이퍼(5)가 든 웨이퍼 캐리어(wafer carrier)(2)를 화학약품통(1)에 놓고 일정시간 만큼 경과후 꺼내어 웨이퍼(5)를 세착함으로써 공정이 완료된다.
그러나 이와같은 종래의 화학약품용액에 의한 웨이퍼 식각가공은 웨이퍼와 웨이퍼의 간격과, 약품의 순환여부, 약품의 온도, 웨이퍼의 진동, 웨이퍼가 놓여 있는 상태에 따라 웨이퍼간의 식각균일도가 변하게 되므로써 안정적이며 고신뢰의 제품 생산에 많은 장애를 준다.
따라서 본 고안은 상기한 바와같은 문제점들을 해결하기 위하여 안출된 것으로 이하 상술한다.
화학약품과 웨이퍼의 표면과의 반응관계가 웨이퍼 자체의 간격과 놓여있는 상태, 약품의 온도, 약품의 순환상태에 의해 결정되어지므로, 종래의 식각방식은 캐리어내의 웨이퍼 안쪽과 바깥쪽, 웨이퍼 윗쪽과 아래쪽간의 차이에 의한 식각 상태의 불균일이 심한 상태인바, 본 고안에서는 화학약품을 아래에서 위로 순환시키고, 웨이퍼를 회전시킴으로써, 식각균일도를 높이며 웨이퍼의 표면에 존재하는 화학반응 물질을 웨이퍼의 진동(회전)에 의해 분리함으로써 반응을 원활하게 하여 준다.
또한 웨어퍼 회전시 웨이퍼 표면의 P.R(Photo Resist)의 긁힘을 막기 위하여 웨이퍼를 제2도의 "θ와 같이 경사지게 하였다.
상기와 같은 본 고안의 장치에 대한 구성 및 작동관계를 상술하면 먼저 화학약품통(1) 하부바닥에 순환파이프(7)를 설치하여 모터에 의한 압축장치(8)와 히터(9)를 연설한 후 순환파이프(7)의 단부를 화학약품통(1)의 상부에 연통시켰다.
그리고 약품통(1)의 상부에는 모터(10)와 그의 회전력을 받는 풀리와 벨트(11, 12)를 연결한다.
폴리는 상부풀리(11)와 하부풀리(11′)로 구성되며, 하부풀리의 길이는 웨이퍼 캐리어(2)보다 길게 형성되어 있다.
또 웨이퍼(5)는 웨이퍼 캐리어(2)내에 일정한 간격으로 지지되어 있으며, 제3도와 같이 각 웨이퍼의 저면부위는 하부풀리(11′)의 표면과 직접 접속되어 있다.
따라서 하부풀리(11′)가 회전할 때 웨이퍼(5)는 하부풀리의 회전방향과 반대방향으로 회전으로 하게 된다.
이와같은 구성에 의한 동작관계를 설명하면, 화학약품통(1)내의 화학약품 용액은 순환파이프(7)를 거쳐 히이터(9)와 압축장치(8)를 통과한 후 화학약품통(1)의 상부로 순환된다.
이때 약품용액은 히이터에 의해 계속 가열받으므로 일정한 온도를 유지할 수 있으며 또한 압축장치(8)에 의해 일정한 유속으로 순환이 된다.
그리고 화학약품통(1) 상부에 설치한 모터(10)의 회전력은 벨트를 통해 하부풀리(11')로 전달되어 그 위의 판(6)상에 고정시킨 웨이퍼 캐리어(2)내에 수용되어 있는 웨이퍼들이 하부풀리(11')와 접촉하여 회전하게 되는 것이다.
따라서 일정온도로 가열된 약품용액이 순환에 의해 연속 공급되고 웨이퍼의 회전에 의해 웨이퍼내의 박막식각이 균일하게 되고 따라서 반응면의 표면상태가 양호하게 된다.
그리고 용액의 순환속도 및 또한 웨이퍼의 회전속도 조절을 통해 반응속도(에칭율)을 용이하게 조절할 수 있으며, 지지대(3, 3')의 경사면(6)에 의해 웨이퍼 캐리어(2)를 경사지게 고정시킴으로서 웨이퍼 가공면의 PR(반광면)의 긁힘을 방지할 수 있는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 화학약품통 (1)내의 약품을 상부에서 하부로 순환시키는 순환파이프(7)와, 상기 화학약품통내에 경사지게 설치되어 모터의 구동력으로 회전하는 하부풀리(11′)와, 상기 하부풀리 위에 설치되어 다수의 웨이퍼를 수납하고 수납된 웨이퍼가 하부풀리에 접속되게 하여 주는 웨이퍼 캐리어(2)로 구성된 것을 특징으로 하는 화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치.
KR2019900019577U 1990-12-12 1990-12-12 화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치 KR930006786Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019900019577U KR930006786Y1 (ko) 1990-12-12 1990-12-12 화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019900019577U KR930006786Y1 (ko) 1990-12-12 1990-12-12 화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920013692U KR920013692U (ko) 1992-07-27
KR930006786Y1 true KR930006786Y1 (ko) 1993-10-06

Family

ID=19306817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019900019577U KR930006786Y1 (ko) 1990-12-12 1990-12-12 화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR930006786Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR920013692U (ko) 1992-07-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4282825A (en) Surface treatment device
EP0047308B1 (en) Centrifugal wafer processor
US6645874B1 (en) Delivery of dissolved ozone
US5759614A (en) Resist processing method and apparatus
US4637146A (en) Spin dryer
DE69331912T2 (de) Zentrifugal-Reinigungsvorrichtung für Waferbehälter
KR0147043B1 (ko) 세정장치 및 그 방법
JP3326656B2 (ja) 回転式半導体基板処理装置及び回転式半導体基板処理方法
KR930006786Y1 (ko) 화학약품에 의한 웨이퍼 식각(etching)장치
JP2003031538A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR20040016784A (ko) 승강식 기판 처리 장치 및 이것을 구비한 기판 처리 시스템
US5827396A (en) Device for turning a wafer during a wet etching process
JPH06314677A (ja) 洗浄装置
KR0118362Y1 (ko) 반도체 장치의 웨이퍼 처리조
JP2002261142A (ja) 基板の角度変換装置
JP2908277B2 (ja) 基板の化学処理のための方法及び装置
KR200168500Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 식각장치
JPH1129881A (ja) ウェハのエッチング処理装置
JPH11284047A (ja) ローディング装置、ロボット装置およびローディング方法
KR100440892B1 (ko) 기판 처리 방법
JP3482117B2 (ja) フィルムキャリア導体パターンのケミカル処理槽におけるインナーリード曲がり防止搬送方法
JPH0322910Y2 (ko)
JP2000077505A (ja) 円形基板オリフラ部の位置合わせ装置及び位置合わせ方法
KR19980048856A (ko) 기계적 휘젓음 장치를 구비한 세정 욕조
JPH01187931A (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20050922

Year of fee payment: 13

EXPY Expiration of term