JP6947911B2 - 処理チャンバ用のマルチプレートフェースプレート - Google Patents
処理チャンバ用のマルチプレートフェースプレート Download PDFInfo
- Publication number
- JP6947911B2 JP6947911B2 JP2020505779A JP2020505779A JP6947911B2 JP 6947911 B2 JP6947911 B2 JP 6947911B2 JP 2020505779 A JP2020505779 A JP 2020505779A JP 2020505779 A JP2020505779 A JP 2020505779A JP 6947911 B2 JP6947911 B2 JP 6947911B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- opening
- alignment pin
- recess
- face plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/005—Nozzles or other outlets specially adapted for discharging one or more gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
- B05B1/18—Roses; Shower heads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/002—Cooling arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/335—Cleaning
Description
Claims (15)
- プラズマ処理チャンバ内で使用するためのマルチプレートフェースプレートであって、該マルチプレートフェースプレートは、
複数の第1のプレート開口部を有する第1のプレート、
第2のプレートであって、第1の表面、反対側の第2の表面、および前記第2のプレートを貫通する複数の第2のプレート開口部を有する第2のプレート、ここで前記第1の表面は、前記第1のプレートに機械的に結合されており、
前記第2のプレートの前記第1の表面の内側に形成された凹部であって、前記第2のプレート開口部に流体的に接続されている凹部、ならびに
前記第1のプレートから延びる突出部であって、前記凹部の内部に延びる突出部
を備え、
第2のプレート開口部が、第1のプレート開口部に流体的に結合されるように構成された円錐部分を有し、前記円錐部分は、前記第2の表面から深さ方向に断面が減少しており、
前記円錐部分の表面が、前記第1の表面と前記第2の表面との間で保護コーティングでコーティングされている、マルチプレートフェースプレート。 - 前記第1のプレートの内側に延びる第1の位置合わせピン穴、
前記第2のプレートの内側に延びる第2の位置合わせピン穴、ならびに
前記第1の位置合わせピン穴および前記第2の位置合わせピン穴の内部に延びるように構成された少なくとも1つの位置合わせピン、
をさらに備える、請求項1に記載のマルチプレートフェースプレート。 - 前記第1のプレートおよび前記第2のプレートに対してシールするように構成されたOリングを、さらに備える、請求項1に記載のマルチプレートフェースプレート。
- 前記第1のプレート内に配置されたチャネルを、さらに備える、請求項1に記載のマルチプレートフェースプレート。
- 前記突出部を貫通し、前記凹部と流体的に接続された通路であって、前記第1のプレート開口部よりも小さい断面積を有する通路、
をさらに備える、請求項1に記載のマルチプレートフェースプレート。 - プラズマ処理チャンバ内で使用するためのマルチプレートフェースプレートであって、該マルチプレートフェースプレートは、
複数の第1のプレート開口部を有する第1のプレート、
第2のプレートであって、第1の表面、反対側の第2の表面、および前記第2のプレートを貫通する複数の第2のプレート開口部を有する第2のプレート、ここで前記第1の表面は、前記第1のプレートに機械的に結合されており、
前記第2のプレートの前記第1の表面の内側に形成された凹部であって、前記第2のプレート開口部に流体的に接続されている凹部、ならびに
前記第1のプレートから延びる突出部であって、前記凹部の内部に延びる突出部
を備え、
第2のプレート開口部が、第1のプレート開口部に流体的に結合されるように構成された円錐部分を有し、前記円錐部分は、前記第2の表面から深さ方向に断面が減少しており、
前記円錐部分の表面が、保護コーティングでコーティングされている、マルチプレートフェースプレート。 - 前記第1のプレートの内側に延びる第1の位置合わせピン穴、
前記第2のプレートの内側に延びる第2の位置合わせピン穴、ならびに
前記第1の位置合わせピン穴および前記第2の位置合わせピン穴の内部に延びるように構成された少なくとも1つの位置合わせピン、
をさらに備える、請求項6に記載のマルチプレートフェースプレート。 - 前記第1のプレートおよび前記第2のプレートに対してシールするように構成されたOリングを、さらに備える、請求項6に記載のマルチプレートフェースプレート。
- 前記第1のプレート内に配置されたチャネルを、さらに備える、請求項6に記載のマルチプレートフェースプレート。
- 前記突出部を貫通し、前記凹部と流体的に接続された通路であって、前記第1のプレート開口部よりも小さい断面積を有する通路、
をさらに備える、請求項6に記載のマルチプレートフェースプレート。 - プラズマ処理チャンバ内で使用するためのマルチプレートフェースプレートであって、該マルチプレートフェースプレートは、
複数の第1のプレート開口部を有する第1のプレート、ならびに
第2のプレートであって、第1の表面、反対側の第2の表面、および前記第2のプレートを貫通する複数の第2のプレート開口部を有する第2のプレート
を備え、前記第1の表面が、前記第1のプレートに機械的に結合されており、
第2のプレート開口部が、第1のプレート開口部に流体的に結合されるように構成された円錐部分を有し、
前記第1のプレートが、前記第1の表面の内側に形成された凹部内に延びる突出部を有し、前記突出部が、前記突出部を貫通して前記凹部に流体的に接続された通路を有し、前記凹部が、前記第2のプレート開口部に流体的に接続されており、
前記円錐部分の表面が、保護コーティングでコーティングされている、マルチプレートフェースプレート。 - 前記第1のプレートの内側に延びる第1の位置合わせピン穴、
前記第2のプレートの内側に延びる第2の位置合わせピン穴、ならびに
前記第1の位置合わせピン穴および前記第2の位置合わせピン穴の内部に延びるように構成された少なくとも1つの位置合わせピン、
をさらに備える、請求項11に記載のマルチプレートフェースプレート。 - 前記第1のプレートおよび前記第2のプレートに対してシールするように構成されたOリングを、さらに備える、請求項11に記載のマルチプレートフェースプレート。
- 前記第1のプレート内に配置されたチャネルを、さらに備える、請求項11に記載のマルチプレートフェースプレート。
- 前記通路が、前記第1のプレート開口部よりも小さい断面積を有する、請求項11に記載のマルチプレートフェースプレート。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/671,909 | 2017-08-08 | ||
US15/671,909 US10811232B2 (en) | 2017-08-08 | 2017-08-08 | Multi-plate faceplate for a processing chamber |
PCT/US2018/045424 WO2019032468A1 (en) | 2017-08-08 | 2018-08-06 | MULTI-PLATE FRONT TRAY FOR A TREATMENT CHAMBER |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020530654A JP2020530654A (ja) | 2020-10-22 |
JP6947911B2 true JP6947911B2 (ja) | 2021-10-13 |
Family
ID=65271816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020505779A Active JP6947911B2 (ja) | 2017-08-08 | 2018-08-06 | 処理チャンバ用のマルチプレートフェースプレート |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10811232B2 (ja) |
JP (1) | JP6947911B2 (ja) |
KR (2) | KR102404123B1 (ja) |
CN (2) | CN110753994B (ja) |
WO (1) | WO2019032468A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USD868124S1 (en) | 2017-12-11 | 2019-11-26 | Applied Materials, Inc. | Target profile for a physical vapor deposition chamber target |
US11232874B2 (en) * | 2017-12-18 | 2022-01-25 | Ge-Hitachi Nuclear Energy Americas Llc | Multiple-path flow restrictor nozzle |
USD929599S1 (en) * | 2018-10-29 | 2021-08-31 | Custom Molded Products, Llc | Spa jet |
USD908645S1 (en) * | 2019-08-26 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Sputtering target for a physical vapor deposition chamber |
USD937329S1 (en) | 2020-03-23 | 2021-11-30 | Applied Materials, Inc. | Sputter target for a physical vapor deposition chamber |
USD940765S1 (en) | 2020-12-02 | 2022-01-11 | Applied Materials, Inc. | Target profile for a physical vapor deposition chamber target |
US11425287B2 (en) * | 2021-01-12 | 2022-08-23 | GM Global Technology Operations LLC | Apparatus for protecting a camera from foreign debris contamination |
USD1007449S1 (en) | 2021-05-07 | 2023-12-12 | Applied Materials, Inc. | Target profile for a physical vapor deposition chamber target |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4262631A (en) * | 1979-10-01 | 1981-04-21 | Kubacki Ronald M | Thin film deposition apparatus using an RF glow discharge |
JPS59128281A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-24 | 信越化学工業株式会社 | 炭化けい素被覆物の製造方法 |
JPH07111957B2 (ja) * | 1984-03-28 | 1995-11-29 | 圭弘 浜川 | 半導体の製法 |
US4759947A (en) * | 1984-10-08 | 1988-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound |
JP3468859B2 (ja) * | 1994-08-16 | 2003-11-17 | 富士通株式会社 | 気相処理装置及び気相処理方法 |
US6969489B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-11-29 | Cytoplex Biosciences | Micro array for high throughout screening |
US7270713B2 (en) * | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
KR100814584B1 (ko) | 2003-03-06 | 2008-03-17 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
US8216418B2 (en) * | 2007-06-13 | 2012-07-10 | Lam Research Corporation | Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings |
US7807222B2 (en) * | 2007-09-17 | 2010-10-05 | Asm International N.V. | Semiconductor processing parts having apertures with deposited coatings and methods for forming the same |
KR101083590B1 (ko) | 2008-09-11 | 2011-11-16 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마 처리장치 |
JP5328685B2 (ja) * | 2010-01-28 | 2013-10-30 | 三菱電機株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US9082593B2 (en) * | 2011-03-31 | 2015-07-14 | Tokyo Electron Limited | Electrode having gas discharge function and plasma processing apparatus |
JP6338462B2 (ja) * | 2013-09-11 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US9484190B2 (en) | 2014-01-25 | 2016-11-01 | Yuri Glukhoy | Showerhead-cooler system of a semiconductor-processing chamber for semiconductor wafers of large area |
US9911579B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-03-06 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate |
KR101588265B1 (ko) | 2014-08-05 | 2016-01-28 | (주)동원파츠 | 노즐부재 및 이에 의한 가스 디스트리뷰터의 제조방법 |
-
2017
- 2017-08-08 US US15/671,909 patent/US10811232B2/en active Active
-
2018
- 2018-08-06 CN CN201880040098.XA patent/CN110753994B/zh active Active
- 2018-08-06 KR KR1020227001345A patent/KR102404123B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-06 WO PCT/US2018/045424 patent/WO2019032468A1/en active Application Filing
- 2018-08-06 KR KR1020207006751A patent/KR102352745B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-06 CN CN202310316256.2A patent/CN116313724A/zh active Pending
- 2018-08-06 JP JP2020505779A patent/JP6947911B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102404123B1 (ko) | 2022-05-31 |
WO2019032468A1 (en) | 2019-02-14 |
CN110753994A (zh) | 2020-02-04 |
KR20220010071A (ko) | 2022-01-25 |
US20190051499A1 (en) | 2019-02-14 |
US10811232B2 (en) | 2020-10-20 |
CN116313724A (zh) | 2023-06-23 |
KR102352745B1 (ko) | 2022-01-19 |
CN110753994B (zh) | 2023-05-23 |
KR20200029056A (ko) | 2020-03-17 |
JP2020530654A (ja) | 2020-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6947911B2 (ja) | 処理チャンバ用のマルチプレートフェースプレート | |
JP6994502B2 (ja) | プラズマ処理チャンバ用プラズマスクリーン | |
KR20210013634A (ko) | 프로세싱 챔버 내에서의 퍼징 및 플라스마 억제를 위한 방법 및 장치 | |
ES2264263T3 (es) | Piezas unidas por elastomero para procesos por plasma y procedimiento de fabricacion y uso de las mismas. | |
JP2021106293A5 (ja) | ||
JP6878616B2 (ja) | ボトムおよびミドルエッジリング | |
KR102641441B1 (ko) | 링 어셈블리 및 이를 포함하는 척 어셈블리 | |
KR20060065703A (ko) | 온도 제어식 챔버 실드를 사용한 미립자 오염 저감 | |
TW202228205A (zh) | 用於電漿處理中之均勻性控制的漸縮上電極 | |
JP2016184610A (ja) | 上部電極、エッジリングおよびプラズマ処理装置 | |
KR20180076325A (ko) | 가스 공급 장치, 플라스마 처리 장치 및 가스 공급 장치의 제조 방법 | |
KR100984121B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
KR20180004474A (ko) | 샤워 헤드 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
US20150097486A1 (en) | Multizone hollow cathode discharge system with coaxial and azimuthal symmetry and with consistent central trigger | |
WO2020060724A1 (en) | Multiple channel showerheads | |
US20230243034A1 (en) | Showerhead faceplates with angled gas distribution passages for semiconductor processing tools | |
US11348763B2 (en) | Corrosion-resistant structure for a gas delivery system in a plasma processing apparatus | |
TW202220018A (zh) | 分割式噴淋頭冷卻板 | |
KR102576740B1 (ko) | 플라즈마 처리장치를 위한 c링 어셈블리 | |
KR102500678B1 (ko) | 기생 플라즈마 방지를 위한 샤워헤드 가스 공급장치 | |
TWI722257B (zh) | 底部和中間邊緣環 | |
KR20240006887A (ko) | 가스분사조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치 | |
TW202326801A (zh) | 靜電吸盤及電漿處理裝置 | |
KR20240068362A (ko) | 가스확산부재 및 그를 포함하는 기판처리장치 | |
TW202403821A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210311 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210831 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210916 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6947911 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |