CN106158697B - 掩模框架组件、沉积装置及有机发光显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及掩模框架组件、沉积装置及有机发光显示装置的制造方法。本发明的一实施例的掩模框架组件包括：框架；和多个掩模，用框架支撑多个掩模的两端部，各掩模包括：主体部，用框架支撑主体部的外围区域；和图案部，沿各掩模的长度方向彼此相隔地配置且包括使沉积物质通过的多个图案孔和形成在各图案孔之间的肋，主体部包括阶梯部，该阶梯部沿图案部的两侧面中的至少一侧面延伸形成且彼此相隔地配置，并且凹陷形成于主体部的第一表面和第二表面中的至少一表面上，阶梯部通过以肋的重心为基准对主体部的第一表面和第二表面中的至少一表面进行蚀刻而形成，从重心至阶梯部的第三表面为止的厚度和从重心至阶梯部的第四表面为止的厚度基本上相等。

Description

掩模框架组件、沉积装置及有机发光显示装置的制造方法
技术领域
本发明的实施例涉及一种掩模框架组件、包括该组件的沉积装置及利用该装置的有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
通常在显示装置中的有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度高的优点，还具有响应速度快的优点。
有机发光显示装置可通过注入到阳极和阴极的空穴和电子在发光层中复合而发光的原理来实现颜色，具有在阳极与阴极之间插入有发光层的层叠型结构。但是，由于利用上述一个结构难以实现高效率发光，因此在各个电极与发光层之间选择性地附加插入电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层等中间层来使用。
另外，可通过各种方法形成有机发光显示装置的电极和包括发光层的中间层，其中一个方法为沉积法。为了通过使用沉积方法来制造有机发光显示装置，在基板上排列具有与所要形成的薄膜等的图案相同的图案的精密金属掩模(fine metal mask，FMM)，并且对薄膜原材料进行沉积来形成具有期望的图案的薄膜。
通常，高清晰度VGA掩模的图案大小非常小。因此，应当基本上不存在对需要沉积的薄膜厚度带来影响的阴影。如果要使阴影最小化，则掩模厚度应非常薄。
若减小掩模厚度并向一侧拉伸掩模，则在掩模中产生褶皱。若在如此产生褶皱的状态下，将掩模与基板对准而执行沉积，则在产生褶皱的掩模中会产生与基板不接触的区域。由此，在非接触区域中无法形成精密的图案。
通常，褶皱的高低程度被测定为约500μm至700μm，并且根据掩模的种类和拉伸率等有可能不同。由于产生褶皱的理由起因于掩模的结构上的不稳定，因此为了形成精密的图案必须去除褶皱或使其最小化。特别是，若对加工成较薄的掩模进行拉伸，则在某一瞬间产生褶皱并且褶皱进一步增大，但对如此产生褶皱的时刻(onset of wrinkling，褶皱产生)进行准确的预测并不容易。
前述的背景技术是发明者为了推导出本发明的实施例而持有的、或者在本发明的实施例的推导过程中掌握的技术信息，不能说是在本发明的申请之前肯定向一般公众公开的公知技术。
发明内容
本发明的实施例提供一种掩模框架组件、包括该组件的沉积装置及利用该装置的有机发光显示装置的制造方法。
本发明的一实施例公开掩模框架组件，其特征在于，包括：框架；和多个掩模，用所述框架支撑所述多个掩模的两端部，各掩模包括：主体部，用框架支撑所述各掩模的外围区域；图案部，沿各掩模的长度方向彼此相隔地配置，且包括使沉积物质通过多个图案孔和形成在各图案孔之间的肋，主体部包括阶梯部，所述阶梯部沿图案部的两侧面中的至少一侧面延伸形成且彼此相隔地配置，并且凹陷形成于在与框架相接的方向上形成的主体部的第一表面和作为第一表面的相反侧的第二表面中的至少一表面上，阶梯部通过以肋的重心(center of gravity)为基准对主体部的第一表面和第二表面中的至少一表面进行蚀刻而形成，从重心至阶梯部中形成于主体部的第一表面侧的第三表面为止的厚度和从重心至阶梯部中作为第三表面的相反侧的第四表面为止的厚度基本上相等。
本实施例可具有如下特征：肋形成有在主体部的第一表面侧的第五表面和作为第五表面的相反侧的第六表面，第五表面被形成为比第六表面的长度长。
本实施例可具有如下特征：阶梯部通过对主体部的第二表面进行蚀刻而形成。
本实施例可具有如下特征：当设肋的第五表面的长度为a，肋的第六表面的长度为b，肋的厚度为t时，由这些参数的函数表示的从重心至第五表面为止的第一厚度t1由[数学式1]
Figure GDA0002430991290000021
表示，从阶梯部的第三表面至第四表面为止的厚度被形成为第一厚度的两倍。
本实施例可具有如下特征：阶梯部通过对主体部的第一表面和第二表面进行蚀刻而形成。
本实施例可具有如下特征：当设肋的第五表面的长度为a，肋的第六表面的长度为b，肋的厚度为t时，由这些参数的函数表示的第二厚度t2由[数学式2]
Figure GDA0002430991290000022
表示，从阶梯部的第三表面至第四表面为止的厚度被形成为第二厚度。
本发明的另一实施例公开沉积装置，其特征在于，包括：沉积源；掩模框架组件，被配置于基板中面对沉积源的一表面；和磁板，被配置于基板中作为所述一表面的相反侧的另一表面，并利用磁力使掩模框架组件紧贴于基板，掩模框架组件包括：框架；和多个掩模，用所述框架支撑所述多个掩模的两端部，各掩模包括：主体部，用框架支撑所述主体部的外围区域；和图案部，沿各掩模的长度方向彼此相隔地配置，且包括使沉积物质通过的多个图案孔和形成在各图案孔之间的肋，主体部包括阶梯部，所述阶梯部沿图案部的两侧面中的至少一侧面延伸形成且彼此相隔地配置，并且凹陷形成于在与框架相接的方向上形成的主体部的第一表面和作为第一表面的相反侧的第二表面中的至少一表面上，阶梯部通过以肋的重心(center of gravity)为基准对主体部的第一表面和第二表面中的至少一表面进行蚀刻而形成，从重心至阶梯部中形成于主体部的第一表面侧的第三表面为止的厚度和从重心至阶梯部中作为第三表面的相反侧的第四表面为止的厚度基本上相等。
在本实施例中，可进一步包括位于基板与磁板之间且对基板进行加压的加压板。
本实施例可具有如下特征：肋形成有在主体部的第一表面侧的第五表面和作为第五表面的相反侧的第六表面，第五表面被形成为比第六表面的长度长。
本实施例可具有如下特征：阶梯部通过对主体部的第二表面进行蚀刻而形成。
本实施例可具有如下特征：当设肋的第五表面的长度为a，肋的第六表面的长度为b，肋的厚度为t时，由这些参数的函数表示的从重心至第五表面为止的第一厚度t1由[数学式1]
Figure GDA0002430991290000031
表示，从阶梯部的第三表面至第四表面为止的厚度被形成为第一厚度的两倍。
本实施例可具有如下特征：阶梯部通过对主体部的第一表面和第二表面进行蚀刻而形成。
本实施例可具有如下特征：当设肋的第五表面的长度为a，肋的第六表面的长度为b，肋的厚度为t时，由这些参数的函数表示的第二厚度t2由[数学式2]
Figure GDA0002430991290000032
表示，从阶梯部的第三表面至第四表面为止的厚度被形成为第二厚度。
本发明的另一实施例公开一种有机发光显示装置的制造方法，所述有机发光显示装置包括在基板上彼此相对的第一电极及第二电极和在所述第一电极及第二电极之间的有机膜，其中，所述有机膜或所述第二电极通过上述沉积装置沉积形成。
从下面的附图、权利要求书及发明的详细说明中应能明确理解除前述内容以外的其他方面、特征及优点。
根据如上构成的本发明的一实施例，可实现能够最大限度地减小在拉伸掩模时所产生的掩模变形的掩模框架组件、包括该组件的沉积装置及利用该装置的有机发光显示装置的制造方法。当然并不是通过这种效果限定本发明的范围。
附图说明
图1是表示本发明的一实施例的掩模框架组件的立体图。
图2是沿图1的Ⅰ-Ⅰ线剖开来表示的剖视图。
图3a是放大表示图2的A部分的放大剖视图。
图3b是放大表示图2的B部分的放大剖视图。
图4是表示图1所示的掩模的一变形例的立体图。
图5是沿图4的Ⅱ-Ⅱ线剖开来表示的剖视图。
图6是放大表示图5的C部分的放大剖视图。
图7a是表示在图1的主体部上形成阶梯部之前的状态的剖视图。
图7b是表示图1的阶梯部的第一表面侧被施以半蚀刻(half etching)的状态的剖视图。
图7c是表示图1的阶梯部的第二表面侧被施以半蚀刻(half etching)的状态的剖视图。
图7d是表示图1的阶梯部的剖视图。
图7e表示图4的阶梯部的剖视图。
图8是概略地表示包括本发明实施例的掩模框架组件的沉积装置的示意图。
图9是表示利用图8所示的沉积装置来制造的有机发光显示装置的图。
具体实施方式
本发明可进行多种改变，可具有多种实施例，在附图中示意地表示特定实施例，并在以下具体实施方式中进行详细的说明。参照附图的同时参照详细地后述的实施例，将会明确本发明的效果及特征，以及实现这些的方法。但是，本发明并不限定于以下所公开的实施例，而是能够以多种方式实现。
在下面的实施例中，第一、第二等用语并不是限定的含义，而是作为将一个结构部件与其他结构部件区别的目的来使用的。关于单数形式的表述，如果在文章中的含义不是明确地表示其他含义，则该单数形式的表述也包括复数形式的含义。此外，“包括”或“具有”等用语意味着说明书所记载的特征或结构要素的存在，并不是用来事先排除一个以上的其他特征或结构要素附加的可能性。
此外，在附图中为了方便说明而可夸大或缩小结构要素的尺寸。例如，为了方便说明，任意表示图中所示的各结构的尺寸及厚度，因此本发明并不一定局限于图示的内容。此外，在某种实施例可另行实现的情况下，还可以与所说明的顺序不同地实现特定的工艺顺序。例如，连续说明的两个工序基本上可同时实现，并且还可以以与所说明的顺序相反的顺序进行。
下面，参照附图，对本发明的实施例进行详细说明，当参照附图进行说明时，相同或相应的结构要素使用相同的附图标记，并省略对该结构要素的重复说明。
图1是表示本发明的一实施例的掩模框架组件10的立体图，图2是沿图1的Ⅰ-Ⅰ线剖开来表示的剖视图。
参照图1和图2，则掩模框架组件10包括框架100和掩模200。
框架100包括：第一支撑部101和第二支撑部102，沿x轴方向彼此相隔地配置且被配置成彼此平行；以及第三支撑部103和第四支撑部104，沿y轴方向彼此相隔地配置且被配置成彼此平行。所述第一支撑部101和第二支撑部102与所述第三支撑部103和第四支撑部104彼此连接而形成掩模框架组件10的外围框架，图1中示出所述框架100被形成为在中央处具有一个四边形形状的开口部105，但本发明的实施例并不限定于此，例如可以形成为圆形、椭圆形和多边形等多种形状。此外，框架100可由金属或合成树脂等来制造。
另外，第三支撑部103和第四支撑部104沿平行于各掩模200的方向设置，优选由具有弹力的材料形成，但并不限定于此。
由于多个掩模200在被拉伸的状态下被支撑于框架100上，因此框架100必须具有足够的刚性。此外，只要框架100为在后续沉积工序中需沉积沉积物质的基板(参照图8的500)与掩模200彼此紧贴时不引起干涉的结构，则并不限定于某一结构。
掩模200为被分割成多个的杆形掩模，包括：主体部210，通过框架100支撑所述主体部210的外围区域；图案部220，沿各掩模200的长度方向彼此相隔地配置，且包括使沉积物质通过的多个图案孔221和形成在各图案孔221之间的肋222，所述掩模200的两端部可被焊接到框架100上。
这种掩模200为带磁性的薄板(thin film)，可由镍或镍合金形成。优选可由容易形成微细图案且表面粗糙度优异的镍-钴合金形成。
此外，掩模200可通过蚀刻法来制造，利用光刻胶(photoresist)在薄板上形成具有与各图案孔221相同的图案的光刻胶层，或在薄板上贴附具有图案孔221的图案的薄膜之后对薄板进行蚀刻而制造。此外，掩模200也可通过电铸法(electroforming)来形成。
虽然在附图中没有表示，但这种掩模200也可以形成为一个大部件，在这种情况下可加剧由自重引起的下垂现象，因此如附图所示分割成多个杆形掩模来制造。而且，为了方便说明，在图1中分解一个掩模200来示出，但在实际制造结束之后可通过完全覆盖开口部105的方式配置多个掩模200。
如上所述，在各掩模200中形成有主体部210和图案部220，在焊接前的状态下在掩模200的两端还设置有夹紧部(未图示)。另外，焊接方法一般具有激光焊接、电阻加热焊接等多种方法，除此之外，可使用如电铸法(electroforming)和化学镀(electrolessplating)等方法。
当将掩模200焊接到框架100上时，在沿掩模200的长度方向(图1的x轴方向)拉直该掩模200而使其拉伸之后进行焊接，在如此拉拽掩模200时为了将其保持而设置在掩模200的两端部的部位可为所述夹紧部。这种夹紧部在焊接结束之后被切断。
由于主体部210中没有图案孔221，因此该主体部为不会产生沉积的区域。虽然主体部210并不是为沉积作出直接贡献的区域，但是实质上发挥维持掩模200的刚性的作用。即，由于在图案部220形成有多个图案孔221，因此刚性相对较弱。因此，为了确保掩模200不易下垂或弯曲的程度的刚性，主体部210被形成为比图案部220厚。
图案部220为形成有多个图案孔221的区域，在沉积工序中沉积物质通过该图案孔21并在紧贴于掩模200的基板(参照图8的500)上形成薄膜层。可沿掩模200的长度方向彼此相隔地配置图案部220，在形成于图案部220的多个图案孔221之间形成有肋222。
如上所述，当主体部210和图案部220的厚度被形成为不同厚度时，在主体部210与图案部220的边界面上可形成有规定高度的阶梯。对这种阶梯来说，为了将框架100和掩模200焊接而拉伸掩模200时，应力集中在具有该阶梯的部位，从而该阶梯可成为产生褶皱的脆弱部。
为了补偿及防止在拉伸这种掩模200时所产生的掩模200的变形，在主体部210设置有具有规定深度的凹陷形状的阶梯部211。这种阶梯部211沿图案部220的两侧面中的至少一侧面延伸形成且被配置成彼此相隔。图2表示在与框架100相接的方向上形成的主体部210的第一表面210a和作为第一表面210a的相反侧的第二表面210b中的第二表面210b上形成有阶梯部211的情况，但是并不限定于此，可以在第一表面210a和第二表面210b中的至少一表面上形成有阶梯部211。
下面，参照图3a和图3b，对阶梯部211进行详细说明。
图3a是放大表示图2的A部分的放大剖视图，图3b是放大表示图2的B部分的放大剖视图。
首先参照图3a，阶梯部211可具备按规定深度对主体部210的第二表面210b进行蚀刻而形成的第一凹槽211B。在此，第一凹槽211B的深度可定义如下。
参照图3b，肋222可被形成为平行四边形形状。肋222可形成有在主体部210的第一表面210a侧的第五表面222a和作为第五表面222a的相反侧的第六表面222b，此时肋222的第五表面222a可被形成为比第六表面222b长(a＞b)。
在此，符号a表示第五表面222a的长度，符号b表示第六表面222b的长度，符号t表示肋222的厚度。此外，符号ta和tb分别表示从肋222的重心G至肋222的第五表面222a为止的厚度ta和从肋222的重心G至肋222的第六表面222b为止的厚度tb。因此，肋的厚度t为将ta和tb相加后的值。
在此，设从肋222的重心G至第五表面222a为止的厚度ta为第一厚度t1，则能够以如下数学式1求出第一厚度t1。
[数学式1]
Figure GDA0002430991290000071
再次参照图3a，从主体部210的第一表面210a起具有第一厚度t1的位置为阶梯部211的中心轴OA。而且，执行蚀刻工序直至从该中心轴OA朝向主体部210的第二表面210b方向离第一厚度t1左右的位置处。那么，主体部210的第二表面210b与阶梯部211的第四表面211b之间的空间为第一凹槽211B的深度。而且，未进行蚀刻的主体部210的第一表面210a为阶梯部211的第三表面211a。
若如上所述对主体部210的第二表面210b进行蚀刻而形成第一凹槽211B，则从肋222的重心G至阶梯部211中形成于主体部210的第一表面210a侧的第三表面211a为止的厚度和从肋222的重心G至作为第三表面211a的相反侧的第四表面211b为止的厚度基本上与第一厚度t1相等。
若如此以阶梯部211的中心轴OA为基准具有对称的第一厚度t1的方式形成阶梯部211，则肋222的重心G和阶梯部211的中心轴OA可形成在基本上相同的高度上。
将阶梯部211和形成于阶梯部211的第一凹部211B的厚度及深度如上定义的理由是为了通过将主体部210和图案部220的重心配置为最大限度地相近来最大限度地减小拉伸掩模200时产生的掩模200的变形。
详细地，由于图案部220由作为空的空间的图案孔221和作为在图案孔221之间形成的掩模200的主体的肋222构成，因此图案部220的重心不会位于肋222的中心面。代替此，如上所述，一般只有形成为平行四边形形状的肋222才被利用于计算图案部220的重心，因此如图3b所示，图案部220的重心与肋222的重心G位于基本上相同的位置。
另外，对没有图案孔221的主体部来说，其重心位于主体部210的中心轴上。如上所述，一般在未形成凹部211B的情况下主体部210的重心为主体部210的中间位置，当考虑肋222的重心G形成在更加靠近作为相对较长的表面的第五表面222a侧这一点时，主体部210的重心位于比肋222的重心G高的部位。因此，为了将主体部210和肋222的重心配置成最大限度地邻接，可使用通过对主体部210的第二表面210b进行蚀刻来降低主体部210的重心的方法。
因此，若为了使阶梯部211的中心轴OA邻接于肋222的重心G所处的轴而使用对主体部210的第二表面210b进行蚀刻的方法，则能够防止拉伸掩模200时产生的掩模200的变形。这种效果已通过实验证明，在后面详述具体数值。
图4是表示图1所示掩模的一变形例的立体图，图5是沿图4的Ⅱ-Ⅱ线剖开来表示的剖视图。
参照图4和图5，在掩模300可形成有主体部310和图案部320。主体部310可包括通过对主体部的第一表面310a和第二表面310b进行蚀刻而形成的阶梯部311。而且，在阶梯部311可形成有第一凹槽311A和第二凹槽311B，详细地，槽311A可形成在阶梯部311的第三表面311a侧，第二凹槽311B可形成在阶梯部311的第四表面311b侧。
下面，图4和图5所示的掩模300呈现出与本发明一实施例的掩模框架组件10的掩模200相对应的结构和功能，因此在此省略或简述具体说明。
接下来，参照图6，对阶梯部311进行详细说明。
图6是放大表示图5的C部分的放大剖视图。
参照图6，阶梯部311可具备：第二凹槽311A，按规定深度对主体部210的第一表面310a进行蚀刻而形成；和第三凹槽311B，按规定深度对主体部210的第二表面310b进行蚀刻而形成。在此，第二凹槽311A和第三凹槽311B的深度(Ta和Tb)可定义如下。
在阶梯部311中，以中心轴OB为基准从阶梯部的第三表面311a至第四表面311b为止的厚度可被形成为第二厚度t2。在此，阶梯部311的中心轴OB位于与图3b所示的肋222的重心G相同的高度上。另外，第二厚度t2为将图案部320的总体积除以图案部320的总面积后的值，可参照图3b通过如下所示的数学式2求出第二厚度t2。
[数学式2]
Figure GDA0002430991290000081
如上所述，符号a表示图案部320的第五表面322a的长度，符号b表示图案部320的第六表面322b的长度，符号t表示肋322的厚度。
因此，第二凹槽311A的深度Ta为从阶梯部311的中心轴OB至主体部310的第一表面311a为止的厚度ta与第二厚度t2的一半长度之间的差值，第三凹槽311B的深度Tb为从阶梯部311的中心轴OB至阶梯部310的第二表面310b为止的厚度tb与第二厚度t2的一半长度之间的差值。
若如此通过对主体部310的第一表面310a和第二表面310b进行蚀刻而形成第二凹槽311A和第三凹槽311B，则阶梯部311的厚度可被形成为第二厚度t2。
接下来，通过实验对掩模200、300进行变形的结果值如下。
图7a是表示在图1的主体部210上形成阶梯部211之前的状态的剖视图，图7b是表示图1的阶梯部211的第一表面211a侧被施以半蚀刻(half etching)的状态的剖视图，图7c是表示图1的阶梯部211的第二表面211b侧被施以半蚀刻(half etching)的状态的剖视图，图7d是表示图1的阶梯部211的剖视图，图7e表示图4的阶梯部311的剖视图。
在此，图7a至图7e所示的上表面和下表面分别表示图1至图6的第一表面211a、311a和第二表面211b、311b。
而且，下面的表1是表示沿包括图7a至图7e的阶梯部11a、11b、11c、11d、11e的掩模框架组件(未图示)的长度方向施加拉伸力时，掩模(未图示)在远离基板(参照图8的500)的方向上的变化量tmax和掩模在面对基板的方向上的变化量tmin及这两个变化量之差的表。在此，表示各变化量之差越大则掩模变形越大，表1的各数值单位为mm。
<表1>
t<sub>max</sub> t<sub>min</sub> t<sub>max</sub>-t<sub>min</sub>
参考模型 0.1058 -0.1251 0.2309
上表面H/E模型 1.20E-02 -5.95E-03 0.017986
下表面H/E模型 3.43E-03 -6.76E-03 0.010189
实施例1 2.91E-03 -6.48E-03 0.009389
实施例2 2.43E-03 -5.27E-03 0.007705
参照表1和图7a，对未形成阶梯部11a、11b、11c、11d、11e的掩模框架组件来说，在远离基板的方向上的变化量tmax和在面对基板的方向上的变化量tmin之差为0.2309mm。而且，对图7b所示的上表面被施以半蚀刻(half etching)的情况来说，其变化量之差为约0.018mm。此外，对图7c所示的下表面被施以半蚀刻的情况来说，其变化量之差为约0.01mm。若对图7b和图7c进行比较，则可确认相比针对面对基板的上表面，针对位于远离基板的方向的下表面利用半蚀刻来加工阶梯部的方法进一步减少掩模变形。
接下来，图7d所示的阶梯部11d是适用通过利用上述数学式1来形成本发明的一实施例的阶梯部211的方法的一示例。此外，图7e所示的阶梯部11e是适用通过利用上述数学式2来形成本发明的另一实施例的阶梯部311的方法的另一示例。
可以确认，在掩模上形成图7d和图7e所示的阶梯部11d、11e，则与图7a至图7c所示的方法相比能够进一步减少掩模变形(分别为约0.0094mm、约0.0077mm)。进而可确认，最有效的方法是如图7e所示那样利用数学式2来对阶梯部11e的上表面和下表面均进行蚀刻，此时最能减少掩模变形。
如此，根据本发明实施例的掩模框架组件10、20，能够最大限度地减少当焊接框架100和掩模200、300时由掩模200、300的拉伸引起的掩模200的变形，进而能够提高显示面板(未图示)上沉积的沉积物质的精度，从而获得如提高显示装置(未图示)的收率及减少次品等效果。
图8是概略地表示包括本发明实施例的掩模框架组件的沉积装置的示意图。
参照图8，沉积装置20可包括：沉积源400，在腔室50内向基板500侧放射沉积物质；掩模框架组件10，被配置于基板500中面对沉积源400的一表面上；和磁板600，被配置于基板500中作为所述一表面的相反面的另一表面侧，并利用磁力使掩模框架组件10紧贴于基板500。
此外，沉积装置20可进一步包括设置于基板500与磁板600之间且利用自重来对基板500进行加压的加压板700。这种加压板700发挥如下作用：在磁板600向基板500侧移动而对掩模框架组件10施加磁力之前，提高基板500和掩模框架组件10的紧贴力。
另外，图8中示出本发明的一实施例的掩模框架组件10设置于沉积源400与基板500之间，但是并不限定于此，当然本发明的另一实施例的掩模框架组件10也可以包括在沉积装置20中。
图9是表示利用图8所示的沉积装置20来制造的有机发光显示装置的图。
参照图8和图9，探讨通过包括掩模框架组件10的沉积装置20制造的有机发光显示装置则如下所述。
参照图9，有机发光显示装置800可包括基板810和显示部(未图示)。此外，有机发光显示装置800可包括形成于所述显示部的上部的薄膜封装层E或封装基板(未图示)。此时，所述封装基板与常规显示装置中所使用的基板相同或相似，因此省略详细说明。此外，为了方便说明，下面以有机发光显示装置800包括薄膜封装层E的情况为主进行详细说明。
在基板810上可形成有所述显示部。此时，所述显示部具有薄膜晶体管(TFT)，并以覆盖这些晶体管的方式形成有钝化膜870，在该钝化膜870上可形成有有机发光元件880。
此时，基板810可使用玻璃材质，但并不一定限定于此，也可以使用塑料材料，还可以适用如SUS、Ti等金属材料。此外，基板810可使用聚酰亚胺(PI，Polyimide)。为了方便说明，下面以基板810由玻璃材质形成的情况为主进行详细说明。
在基板810的上表面进一步形成有由有机化合物和/或无机化合物组成的缓冲层820，可由SiOx(x≥1)，SiNx(x≥1)形成。
在该缓冲层820上形成以规定图案排列的有源层830之后，使用栅极绝缘层840填埋有源层830。有源层830具有源区831和漏区833，并且在其之间进一步包括沟道区832。
这种有源层830可被形成为含有多种物质。例如，有源层830可含有如非晶硅或结晶硅的无机半导体物质。作为另一例，有源层830可含有氧化物半导体。此外，作为另一例，有源层830可含有有机半导体物质。但是，为了方便说明，下面以有源层830由非晶硅形成的情况为主进行详细说明。
这种有源层830可通过如下方式形成：在缓冲层820上形成非晶硅膜之后，对其进行结晶化而将其形成为多晶硅膜，并且对该多晶硅膜进行构图。根据驱动TFT(未图示)和开关TFT(未图示)等TFT的种类，使用杂质来掺杂所述有源层830的源区831和漏区833。
在栅极绝缘层840的上表面形成有与有源层830对应的栅极电极850和填埋该栅极电极850的层间绝缘层860。
而且，在层间绝缘层860和栅极绝缘层840形成接触孔H1之后，在层间绝缘层860上形成源极电极871和漏极电极872，并使所述源极电极871和漏极电极872分别接触到源区831和漏区833。
在如此形成的所述薄膜晶体管的上部形成有钝化膜870，在该钝化膜870的上部形成有有机发光元件(OLED)的像素电极881。该像素电极881通过在钝化膜870上形成的通孔H2而接触到TFT的漏极电极872。所述钝化膜870可被形成为有机物和/或无机物的单层或双层以上的结构，可通过与下部膜的弯曲无关地使上表面平坦的方式形成为平坦化膜，与此相反，还可通过沿位于下部的膜的曲折而曲折的方式形成。并且，优选由透明绝缘体形成该钝化膜870以使之能够达到共振效果。
在钝化膜870上形成像素电极881之后，以覆盖该像素电极881和钝化膜870的方式使用有机物和/或无机物形成像素限定膜890，并且进行开口以使像素电极881露出。
并且，至少在所述像素电极881上形成有中间层882和相对电极883。
像素电极881发挥阳极功能，相对电极883发挥阴极功能，当然这些像素电极881和相对电极883的极性相反也无妨。
像素电极881和相对电极883通过所述中间层882而彼此绝缘，并且对中间层882施加彼此不同极性的电压以在有机发光层中实现发光。
中间层882可具备有机发光层。作为选择性的另一例，中间层882具备有机发光层(organic emission layer)，除此之外，可进一步具备空穴注入层(HIL：hole injectionlayer)、空穴传输层(hole transport layer)、电子传输层(electron transport layer)和电子注入层(electron injection layer)中的至少一个层。
另外，一个单位像素(P)由多个子像素(R、G、B)构成，且多个子像素(R、G、B)可发出多种颜色的光。例如，多个子像素(R、G、B)可具备分别发出红色、绿色和蓝色的光的子像素(R、G、B)，并且可具备发出红色、绿色、蓝色和白色的光的子像素(未标记)。
另外，如上所述的薄膜封装层E可包括多个无机层或可包括无机层和有机层。
薄膜封装层E的所述有机层由高分子形成，优选地，可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧、聚乙烯和聚丙烯酸酯中的任一种形成的单膜或层压膜。更优选地，所述有机层可由聚丙烯酸酯形成，具体来讲，可包括单体组合物经高分子化的物质，该单体组合物包括二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体。所述单体组合物中可进一步包括单丙烯酸酯类单体。此外，所述单体组合物中可进一步包括如TPO(2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦)的公知的光敏引发剂，但并不限定于此。
薄膜封装层E的所述无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单膜或层压膜。具体来讲，所述无机层可包括SiNX、Al2O3、SiO2和TiO2中的任一种。
薄膜封装层E中向外部露出的最上层可由无机层形成，以防止有机发光元件被湿透。
薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，该夹层结构在至少两个无机层之间插入有至少一个有机层。作为另一例，薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，该夹层结构在至少两个有机层之间插入有至少一个无机层。作为又一例，薄膜封装层E还可包括在至少两个无机层之间插入有至少一个有机层的夹层结构和在至少两个有机层之间插入有至少一个无机层的夹层结构。
薄膜封装层E从有机发光元件(OLED)的上部起依次可包括第一无机层、第一有机层和第二无机层。
作为另一例，薄膜封装层E从有机发光元件(OLED)的上部起依次可包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
作为又一例，薄膜封装层E从有机发光元件(OLED)的上部起依次可包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
在有机发光元件(OLED)与第一无机层之间可进一步包括包含LiF的卤化金属层。所述卤化金属层能够防止当以溅射法形成第一无机层时损害所述有机发光元件(OLED)的现象。
可以使第一有机层的面积比第二无机层窄，并且还可以使所述第二有机层的面积比第三无机层窄。
如上所述，本发明参照附图中图示的一实施例进行了说明，但这只不过是示例，本发明所属技术领域的技术人员应能理解，基于上述实施例可进行各种变形并实施其他等同的实施例。因此，本发明真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术思想来确定。
附图标记说明
10：掩模框架组件 210、310：主体部
20：沉积装置 211、311：阶梯部
50：腔室 220、320：图案部
100：框架 221、321：图案孔
101：第一支撑部 222、322：肋
102：第二支撑部 400：沉积源
103：第三支撑部 500：基板
104：第四支撑部 600：磁板
105：开口部 700：加压板
200、300：掩模

Claims (14)

1.一种掩模框架组件，其特征在于，包括：
框架；和
多个掩模，用所述框架支撑所述多个掩模的两端部，
各掩模包括：
主体部，用所述框架支撑所述主体部的外围区域；和
图案部，沿所述各掩模的长度方向彼此相隔地配置，且包括使沉积物质通过的多个图案孔和形成在各图案孔之间的肋，
所述主体部包括阶梯部，所述阶梯部沿所述图案部的两侧面中的至少一侧面延伸形成且彼此相隔地配置，并且凹陷形成于在与所述框架相接的方向上形成的所述主体部的第一表面和作为所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一表面上，
所述阶梯部通过以所述肋的重心为基准对所述主体部的所述第一表面和所述第二表面中的至少一表面进行蚀刻而形成，
从所述重心至所述阶梯部中形成于所述主体部的第一表面侧的第三表面为止的厚度和从所述重心至所述阶梯部中作为所述第三表面的相反侧的第四表面为止的厚度基本上相等。
2.根据权利要求1所述的掩模框架组件，其特征在于，
所述肋形成有在所述主体部的所述第一表面侧的第五表面和作为第五表面的相反侧的第六表面，
所述第五表面被形成为比所述第六表面的长度长。
3.根据权利要求2所述的掩模框架组件，其特征在于，
所述阶梯部通过对所述主体部的所述第二表面进行蚀刻而形成。
4.根据权利要求3所述的掩模框架组件，其特征在于，
当设所述肋的所述第五表面的长度为a，所述肋的所述第六表面的长度为b，所述肋的厚度为t时，由这些参数的函数表示的从所述重心至所述第五表面为止的第一厚度t1如数学式1所示，
[数学式1]
Figure FDA0002430991280000011
从所述阶梯部的所述第三表面至所述第四表面为止的厚度被形成为第一厚度的两倍。
5.根据权利要求2所述的掩模框架组件，其特征在于，
所述阶梯部通过对所述主体部的所述第一表面和所述第二表面进行蚀刻而形成。
6.根据权利要求5所述的掩模框架组件，其特征在于，
当设所述肋的所述第五表面的长度为a，所述肋的所述第六表面的长度为b，所述肋的厚度为t时，由这些参数的函数表示的第二厚度t2如数学式2所示，
[数学式2]
Figure FDA0002430991280000021
从所述阶梯部的所述第三表面至所述第四表面为止的厚度被形成为所述第二厚度。
7.一种沉积装置，其特征在于，包括：沉积源；掩模框架组件，被配置于基板中面对所述沉积源的一表面；和磁板，被配置于所述基板中作为所述一表面的相反侧的另一表面，并利用磁力使所述掩模框架组件紧贴于所述基板，
所述掩模框架组件包括：
框架；和
多个掩模，用所述框架支撑所述多个掩模的两端部，
各掩模包括：
主体部，用所述框架支撑所述主体部的外围区域；和
图案部，沿所述各掩模的长度方向彼此相隔地配置，且包括使沉积物质通过的多个图案孔和形成在各图案孔之间的肋，
主体部包括阶梯部，所述阶梯部沿所述图案部的两侧面中的至少一侧面延伸形成且彼此相隔地配置，并且凹陷形成于在与所述框架相接的方向上形成的所述主体部的第一表面和作为所述第一表面的相反侧的第二表面中的至少一表面上，
所述阶梯部通过以所述肋的重心为基准对所述主体部的所述第一表面和所述第二表面中的至少一表面进行蚀刻而形成，
从所述重心至所述阶梯部中形成于所述主体部的所述第一表面侧的第三表面为止的厚度和从所述重心至所述阶梯部中作为所述第三表面的相反侧的第四表面为止的厚度基本上相等。
8.根据权利要求7所述的沉积装置，其特征在于，
进一步包括位于所述基板与所述磁板之间且对所述基板进行加压的加压板。
9.根据权利要求7所述的沉积装置，其特征在于，
所述肋形成有在所述主体部的所述第一表面侧的第五表面和作为所述第五表面的相反侧的第六表面，
所述第五表面被形成为比所述第六表面的长度长。
10.根据权利要求9所述的沉积装置，其特征在于，
所述阶梯部通过对所述主体部的所述第二表面进行蚀刻而形成。
11.根据权利要求10所述的沉积装置，其特征在于，
当设所述肋的所述第五表面的长度为a，所述肋的所述第六表面的长度为b，所述肋的厚度为t时，由这些参数的函数表示的从所述重心至所述第五表面为止的第一厚度t1如数学式1所示，
[数学式1]
Figure FDA0002430991280000031
所述阶梯部按t-t1对所述主体部的所述第二表面侧进行蚀刻而形成。
12.根据权利要求9所述的沉积装置，其特征在于，
所述阶梯部通过对所述主体部的所述第一表面和所述第二表面进行蚀刻而形成。
13.根据权利要求12所述的沉积装置，其特征在于，
当设所述肋的所述第五表面的长度为a，所述肋的所述第六表面的长度为b，所述肋的厚度为t时，由这些参数的函数表示的第二厚度t2如数学式2所示，
[数学式2]
Figure FDA0002430991280000032
从所述阶梯部的所述第三表面至所述第四表面为止的厚度被形成为所述第二厚度。
14.一种有机发光显示装置的制造方法，所述有机发光显示装置包括在基板上彼此相对的第一电极及第二电极和在所述第一电极及第二电极之间的有机膜，其中，
所述有机膜或所述第二电极通过根据权利要求7至12中任一项所述的沉积装置沉积形成。
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