CN101667529A - 薄膜沉积用的掩模及用该掩模制造有机发光显示器的方法 - Google Patents

薄膜沉积用的掩模及用该掩模制造有机发光显示器的方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种用于薄膜沉积的掩模及制造OLED的方法。本发明公开了在形成有机发光装置中的有机薄膜或导电层中使用的用于薄膜沉积的掩模。在一个实施例中，掩模包括：i)底构件；ii)多个狭缝，构造为穿透底构件，其中多个狭缝具有预定长度并沿第一方向延伸，其中多个狭缝包括置于第二方向最外面的最外狭缝，第二方向相对于第一方向具有预定角度，其中最外狭缝包括两个彼此分离的子狭缝；以及iii)肋支撑部件，形成在两个子狭缝之间并与两个子狭缝接触，其中肋支撑构件从与最外狭缝相邻的肋延伸。

Description

薄膜沉积用的掩模及用该掩模制造有机发光显示器的方法
技术领域
本发明涉及一种用于薄膜沉积的具有长条形狭缝的掩模及使用该掩模制造有机发光显示器(OLED)的方法。
背景技术
通常，通过施加电流到将于约10-7torr或更高的真空下被沉积的材料，有机材料沉积装置用于在基板上形成膜状材料。有机材料沉积装置使用掩模以在基板上形成所期望形状的有机膜。当将有机材料沉积在预定尺寸的大基板上时，可以使用具有高耐久性和强度的金属掩模以便稳定地沉积期望图案的有机材料。
发明内容
本发明的一个方案是用于薄膜沉积的掩模，该掩模能够通过防止与具有长条形狭缝的精细金属掩模中最外狭缝邻近的肋的变形来防止在沉积薄膜工艺中的掩模缺陷。
本发明的另一个方案是一种制造有机发光器件的方法，该方法使用用于薄膜沉积的掩模能够防止有机材料沉积中的缺陷。
本发明的另一个方案是用于薄膜沉积的掩模，该掩模包括：底构件(basemember)；多个狭缝，安装为穿透底构件，具有预定长度并沿第一方向延伸；以及肋支撑部件(rib supporting part)，设置在多个狭缝的最外狭缝和与最外狭缝相邻的肋之间，最外狭缝置于沿第二方向的最外面，第二方向相对于第一方向具有预定角度。
肋支撑部件可以与底构件整体地形成。
肋支撑部件的宽度可以是约10μm到100μm。
狭缝的长度可以是2cm。
底构件可以包括金属材料。
用于薄膜沉积的掩模还可以包括框架，该框架在其中部具有开口部分并具有彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中第一边和第二边中的至少任意之一与底构件的边缘接合。
用于薄膜沉积的掩模还可以包括：第一掩模带，具有底构件、多个狭缝以及肋支撑部件；第二掩模带，具有第二底构件和安装在第二底构件上的多个狭缝，但在最外狭缝和与最外狭缝相邻的肋之间不具有肋支撑部件；以及框架，在其中部具有开口部分，并具有彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中第一掩模带的两个纵向端部和第二掩模带的两个纵向端部接合到第一边，第一掩模带的最外狭缝布置为最邻近第二边。
本发明的一个方案是有机发光器件的制造方法，该有机发光器件包括在基板上彼此相对的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的有机发光膜，其中有机发光膜通过根据本申请的用于薄膜沉积的掩模来沉积。
有机发光器件的制造方法还可以包括向掩模施加磁力，从而用于薄膜沉积的掩模紧密地附着到有机发光器件形成于其上的基板，该基板设置在掩模和磁体阵列(magnet array)之间，其中为施加磁力而安装的磁体阵列包括长条形的多个磁体，磁体的延伸方向相对于掩模的多个狭缝的长度方向具有预定角度。
本发明的另一方案是用于薄膜沉积的掩模，该掩模包括：底构件；以及穿透该底构件的多个狭缝，其中多个狭缝具有预定长度并沿第一方向延伸，其中多个狭缝包括置于第二方向的最外位置的最外狭缝，该第二方向相对于第一方向具有预定角度，其中每个最外狭缝包括通过肋支撑部件彼此分离的两个子狭缝。
在上述掩模中，肋支撑部件与底构件整体地形成。在上述掩模中，肋支撑部件的宽度是约10μm到约100μm。在上述掩模中，狭缝的长度是约2cm。在上述掩模中，底构件由金属材料形成。
上述掩模还可以包括：框架，该框架包括彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中开口由第一边和第二边的内部周界限定在框架中，其中第一边和第二边中的至少一个连接到底构件的边缘。
上述掩模还可以包括：第一掩模带，包括底构件、多个狭缝以及肋支撑部件；第二掩模带，包括第二底构件和限定在第二底构件中的多个狭缝，其中第二掩模带不包括肋支撑部件；以及框架，包括彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中开口由第一边和第二边的内部周界限定在框架中，其中第一掩模带的两个纵向端部和第二掩模带的两个纵向端部接合到第一边，其中第一掩模带的最外狭缝布置为最邻近第二边。在上述掩模中，肋支撑部件从与最外狭缝相邻的肋延伸。
本发明的另一方面案一种制造有机发光装置的方法，该方法包括：提供掩模，该掩模包括：i)底构件，ii)多个狭缝，限定在底构件中并穿透底构件，其中多个狭缝包括每个都被分成两个子狭缝的最外狭缝，以及iii)肋支撑构件，每个肋支撑构件形成在两个子狭缝之间，其中肋支撑构件从与最外狭缝相邻的肋延伸；以及通过掩模的狭缝在有机发光器件的第一电极与第二电极之间沉积有机发光膜，其中第一电极和第二电极形成在基板上。
上述方法还可以包括：通过使用磁体阵列将磁力施加到掩模从而掩模紧密地附着到基板，其中基板设置在掩模与磁体阵列之间，其中磁体阵列包括多个长条形状的磁体，其中磁体的延伸方向相对于掩模的多个狭缝的长度方向具有预定角度。
在上述方法中，肋支撑部件的宽度是约10μm到约100μm。在上述方法中，狭缝的长度是约2cm。
本发明的另一方案是用于薄膜沉积的掩模，该掩模包括：底构件；限定在底构件中的多个贯穿狭缝(though-slit)，其中多个贯穿狭缝具有预定长度并沿第一方向延伸，其中多个贯穿狭缝中的每一个都包括分成两个子狭缝的最外狭缝；多个肋，每个肋形成在多个穿透狭缝的相邻两个之间，其中多个狭缝包括与最外狭缝相邻的最外肋；以及肋支撑物，每个肋支撑物从最外肋延伸且在两个子狭缝之间延伸。
在上述掩模中，多个贯穿狭缝基本上彼此平行。在上述掩模中，最外狭缝的宽度是约50μm。在上述掩模中，最外肋的宽度是约10μm到约100μm。
上述掩模还可以包括：框架，包括彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中开口由第一边和第二边的内部周界限定在框架中，其中第一边和第二边中的至少一个连接到底构件的边缘。
上述掩模还可以包括：第一掩模带，包括底构件、多个贯穿狭缝、多个肋以及肋支撑物；以及第二掩模带，包括i)第二底构件、ii)限定在第二底构件中的多个贯穿狭缝和iii)多个肋。
上述掩模还可以包括：框架，该框架包括彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中开口由第一边和第二边的内部周界限定在框架中，其中第一掩模带的两个纵向端部和第二掩模带的两个纵向端部接合到第一边，其中第一掩模带的最外狭缝布置为邻近第二边。在上述掩模中，肋支撑物与底构件整体地形成。
附图说明
图1是示出根据本发明一个实施例的用于薄膜沉积的掩模的局部透视图；
图2A到图2B是示出比较例的金属掩模的透视图；
图3是根据本发明实施例的用于薄膜沉积的掩模的分解透视图；
图4是根据本发明实施例的用于薄膜沉积的掩模的分解透视图；
图5是示出根据本发明一个实施例的使用用于薄膜沉积的掩模来沉积薄膜的工艺的示意图；
图6A是磁体阵列的主要部分的透视图，该磁体阵列可以应用到图5的沉积装置；
图6B是沿图6A的磁体阵列的线I-I’得到的截面图；
图7是示出使用根据本发明一个实施例的用于薄膜沉积的掩模制造的无源有机发光显示装置的示例的截面图；
图8是示出使用根据本发明一个实施例的用于薄膜沉积的掩模制造的有源有机发光显示装置的一个子像素的示例的截面图。
具体实施方式
精细金属掩模(FMM)用于将有机材料以精细图案沉积在大基板上。具有所期望的精细图案的多种有机材料可以在使用FMM时形成在基板的预定位置上。为了将有机材料沉积为所期望的图案，FMM可以包括有机材料通过其的多个平行管狭槽(parallelpiped slot)或者包括长条形狭缝。这里，多个平行管狭槽或长条形狭缝可以形成单元掩模部件，FMM可以包括多个单元掩模部件。使用此FMM的沉积技术可以用于形成电极和用于沉积有机材料以制造大的有机发光显示装置。
磁体阵列通常用于将金属掩模固定在基板上。安装磁体阵列以吸引金属掩模而将基板置于金属掩模与磁体阵列之间，从而金属掩模紧密地固定到基板。磁体阵列可以以具有预定长度的多个长条形磁体固定在阵列框架上的结构来安装。
同时，在具有多个长条形狭缝的FFM中，狭缝之间的肋具有窄的宽度，所以肋可以被外力弯曲。具体地，在金属掩模中，由于包含于长条磁体端部中沿纵向方向的强磁力，与置于单元掩模部件最外面的狭缝在宽度方向上相邻的肋被施加比其它狭缝之间的肋更强的力，该宽度方向基本上垂直于狭缝的纵向方向。在此情况下，与最外狭缝相邻的肋可以被磁力弯曲。
如果与最外狭缝相邻的肋在有机材料沉积装置中被弯曲，则与最外狭缝相邻的狭缝区域在沉积有机材料时没有被适当地掩护(mask)，从而引起有机材料沉积中的缺陷。与最外狭缝相邻的狭缝区域中的有机材料沉积中的缺陷可以引起用作有机发光器件的有机发光层的有机材料中的缺陷。在此情况下，至少一个单元将显示不期望的特别颜色从而引起器件的缺陷，该单元设置在当有机发光器件发光时与最外狭缝相邻的狭缝区域中。
在下面的详细描述中，仅通过图解的方法，只示出和描述本发明的某些示范性实施例。本领域技术人员应当理解，所描述的实施例可以以各种不同的方式修改，而都不背离本发明的精神或范围。因此，附图和描述应被认为在本质上是说明性的而不是限制性的。此外，当称一元件在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者间接地在另一元件上而有一个或多个插入元件插设在这两个元件之间。此外，当称一元件“连接到”另一元件时，它可以直接连接到另一元件或者间接连接到另一元件而有一个或多个插入元件插设在这两个元件之间。在下文中，相同的附图标记指代相同的元件。
在下文中，将参照附图描述根据本发明的某些示范性实施例。然而，本发明可以以各种形式实施而不限于这里所述的实施例。
图1是示出根据本发明一个实施例的用于薄膜沉积的掩模的局部透视图。
参照图1，掩模10包括底构件(base member)11以及沿厚度方向穿透底构件11的狭缝(或贯穿狭缝(through-slits))13。狭缝13插设在肋15之间并形成为沿第一方向或Y方向延伸的长条形状。
掩模10包括肋支撑部件(或肋支撑物)17，肋支撑部件17与一组狭缝13中的最外狭缝14(如图1中所示被分成两个子狭缝)交叉地安装，该最外狭缝沿第二方向或X方向设置于最外面，其中该第二方向相对于第一方向具有预定角度。肋支撑部件17将与最外狭缝14相邻的肋(或最外肋)，也就是形成最外狭缝14的第一表面的肋16，连接到形成第二表面的底构件11，该第二表面面对最外狭缝14的第一表面。在另一实施例中，至少一个其它肋支撑部件(或肋支撑物)可以被形成以支撑例如第二最外肋15。在此实施例中，第二最外狭缝13’被分为两个子狭缝。
在一个实施例中，肋支撑部件17与底构件11整体地形成。同时，为了获得与上述肋支撑部件17相同的功能和作用，可以使用单独的构件以替代肋支撑构件。然而，当使用单独的构件安装肋支撑部件17时，单独的构件被安装在与最外狭缝14相邻的肋16与底构件11之间，使得肋支撑部件17与最外狭缝14的内部区域交叉地延伸，从而导致制造掩模的工艺的复杂性。
在一个实施例中，最外狭缝14用不同的附图标记指示以区别于其它的狭缝13，与最外狭缝14相邻的肋16用不同的附图标记指示以区别于其它肋15。然而，在下面的解释中，最外狭缝14和肋16可以基本上被认为分别包括于形成单元掩模图案部件(unit masking pattern part)12的狭缝13和肋15的组中。
狭缝13的组和狭缝之间的肋15的组形成矩形的单元掩模图案部件12。图1示出三个单元掩模图案部件12和部分的第四单元掩模图案部件。每个单元掩模图案部件12以预定图案安装，从而有机材料或导电材料可以以预定图案穿过单元掩模图案部件12，以便沉积一个有机发光显示装置的有机发光层或电极层。例如，图案间隔部件(pattern space part)18安装在相邻的两个单元掩模图案部件12之间，其中相邻的两个单元掩模图案部件12沿第一方向以预定距离彼此间隔开。
掩模10可以使用材料模制技术(material molding technique)例如电形成工艺制造。精细的图案和良好的表面平坦性可以使用电形成工艺获得。
掩模10还可以通过蚀刻方法制造。例如，用于薄膜沉积的掩模10的包括最外狭缝14的狭缝13可以如下形成：使用光致抗蚀剂在薄板底构件11上形成具有与狭缝13相同图案的抗蚀剂层，或将具有与狭缝13相同图案的膜附着在底构件11上，然后蚀刻底构件11。
在一个实施例中，在每个单元掩模图案部件12中，每个狭缝13的长度L1是约2cm或更大，狭缝13的宽度W1和最外狭缝14的宽度W3是约50μm，狭缝13之间的距离(也就是肋15的宽度W2)是约10μm到约100μm。与最外狭缝14相邻的肋16的宽度W2也是约10μm到约100μm。如果最外狭缝14的整个长度L1(包括肋支撑部件17的长度L2)是约2cm并且肋16的宽度W2是约10μm到约100μm，则肋16可以被磁体阵列的磁力弯曲。然而，肋支撑部件17可以防止肋16被弯曲。在另一实施例中，L1、L2和W1-W3可以具有与上述不同的数值。
在此情况下，肋支撑部件17的长度L2可以被可选地控制在一范围内，在该范围中肋支撑部件17的长度L2具有能够支撑与最外狭缝14相邻的肋16的长度，但并不对与最外狭缝14相邻的狭缝13’的掩护效果产生不利的影响。
底构件可以由镍、镍合金、镍-钴合金或类似物形成。当使用镍-钴合金时，精细图案可以容易地形成并且表面粗糙度非常好。
接着，将更详细地描述在不安装肋支撑部件17时会产生的问题。
参照图2A和2B，金属掩模110a、110b包括长条形状的狭缝113a和安装在狭缝之间的肋115a。沿宽度方向设置于最外面的最外狭缝114a安装在邻近最外狭缝114a的肋与底构件111a之间，其中该宽度方向基本垂直于狭缝113a的纵向方向(longitudinal direction)，该肋是形成最外狭缝114a的一个表面的肋116a。
本发明的某些实施例的比较例的金属掩模110a和110b可以通过安装在沉积装置中的磁体紧密地附着在基板上。这里，可以设置磁体阵列使得长条形状的磁体沿基本上垂直于狭缝113a的长度方向的宽度方向延伸(见图5、6A和6B)。在此时，肋116a和116b可以设置为与长条形状的磁体的一个端部相邻。在此情况下，磁力集中在长条状磁体的两个端部而不是其它部分，从而与其它的肋115a相比，肋116a和116b易于被施加到磁体端部的强磁力弯曲。换句话说，如图2A所示，肋116a可以被弯曲，使得最外狭缝114a的宽度变窄；或者如图2B所示，肋116b可被弯曲，使得最外狭缝114b的宽度变宽以及最邻近肋116b的狭缝113b变窄。
如上所述，肋116a可以通过磁体阵列的磁力弯曲。在此情况下，缺陷产生在通过与最外狭缝114a相邻的狭缝113a而沉积的有机发光层中，使得至少一个单元显示不期望的特别颜色而引起器件的缺陷，该单元在使有机发光器件发光时通过相应的狭缝置于与最外狭缝相邻的狭缝区域中。
图3是根据本发明实施例的用于薄膜沉积的掩模的分解透视图。
参照图3，掩模组件包括掩模10a和框架20a，掩模组件是批量生产的装置。
掩模10a包括形成在金属薄板底构件11a上的多个单元掩模图案部件12a，从而能每次沉积形成有机发光器件的数个单元基板。多个单元掩模图案部件12a可以布置成栅格形状。每个单元掩模图案部件12a包括图案化为期望形状的多个狭缝13a和置于相邻狭缝之间的肋15a，单元掩模图案部件12a能够在一个器件上沉积有机材料。
具体地，掩模10a包括单元掩模图案部件12a中的肋支撑部件17a，肋支撑部件17a置于以磁体阵列设置的长条形磁体的端部。考虑到当长条形磁体沿X轴方向延伸时，肋支撑部件17a安装在沿X轴方向设置于磁体两端的单元掩模图案部件12a的最外狭缝14a内部。换句话说，肋支撑部件17a与设置于沿掩模10a的X方向的两端最外部中的两组单元掩模图案的每个最外狭缝14a交叉地延伸，并将与最外狭缝14a相邻的肋(也就是，形成最外狭缝14a的一个表面的肋16a)连接到底构件11a，该底构件11a设置在与最外狭缝14a的一个表面面对的另一表面上。
掩模10a固定到框架20a从而施加张力，以便在批量生产时防止对某一装置的掩护缺陷。换句话说，掩模10a被固定到矩形形状的框架20a，从而在每个单元掩模图案部件12a中形成的狭缝13a的宽度保持在预定的容限范围内。
在一个实施例中，框架20a由具有刚性的构件形成以支撑掩模10a。框架20a包括基本上彼此平行的一对第一边21a和各自连接一对第一边21a的两端的一对第二边22b。框架20a的第一边21a和第二边22b彼此整体地形成，但不限于此。相反，它们可以单独地制造为第一子框架和第二子框架以彼此耦接。
图4是根据本发明实施例的用于薄膜沉积的掩模的分解透视图。
参照图4，掩模组件包括掩模10b和框架20b，掩模组件是批量生产的装置。
掩模10b包括：i)第一掩模带11b，其安装在框架20b的一侧；ii)第二掩模带11c，其安装在框架20b的另一侧；以及iii)第三掩模带11d，其安装在框架20b的中间。掩模10b包括形成在金属薄板底构件上的多个单元掩模图案部件12b，从而可以每次沉积形成有机发光器件的数个单元基板。多个单元掩模图案部件12b可以沿Y方向以预定间隔成行地布置。每个单元掩模图案部件12b包括图案化为期望形状的多个狭缝13b和置于相邻狭缝之间的肋15b，单元掩模图案部件12b能够在一个器件上沉积有机材料。
第一掩模带11b包括在每个单元掩模图案部件12b的最外狭缝14b内部的肋支撑部件17b，该单元掩模图案部件12b设置为沿X轴方向离第三掩模带11d最远。类似地，第二掩模带11c包括在每个单元掩模图案部件12b的最外狭缝14c内部的肋支撑部件17c，该单元掩模图案部件12b设置为沿X轴方向离第三掩模带11d最远。考虑到当长条形状的磁体沿X轴方向延伸时的情况，磁体以磁体阵列设置，肋支撑部件17b和17c安装在单元掩模图案部件12b的最外狭缝14b和14c内部，该单元掩模图案部件12b设置在沿X轴方向的磁体的两个端部上。换句话说，肋支撑部件17b和17c延伸为与置于掩模10b的X方向的两端最外面中的两组单元掩模图案的各个最外狭缝14b和14c交叉，并将与最外狭缝14b和14c相邻的肋(也就是形成最外狭缝14b和14c的一个表面的肋16b和16c)连接到底构件，该底构件设置在与最外狭缝14b和14c的一个表面面对的其它表面上。
各个掩模带11b、11c和11d固定到框架20b，从而张力被施加以便防止在批量生产时某装置的掩护缺陷。换句话说，各个掩模带11b、11c和11d被固定到与矩形形状的框架20b的一对第一边22a和22b，从而形成在每个单元掩模图案部件中的狭缝13b和13c的长度或宽度保留在预定容限的范围内。
框架20b可以由具有刚度的构件形成从而支撑各个掩模带11b、11c和11d。框架20b包括彼此平行的一对第一边22a和22b以及每个都与该对第一边22a和22b的两端连接的一对第二边23a和23b。框架20a的第一边22a和22b以及第二边23a和23b可以彼此整体地形成，但不限于此。相反，它们可以单独地制造为第一子框架和第二子框架以彼此耦接。
同时，框架20b的结构不限于图4和对图4的解释，但显然可以以各种修改实施。例如，可以使用允许掩模带接合到框架20b的结构或单独的构件。
掩模组件可以用于各种薄膜沉积，特别地，可用于图案化有机膜的工艺中。例如，掩模组件可以用于图案化有机发光显示装置的有机发光膜，还可以用于沉积无源有机发光显示装置中的阴极电极工艺中。掩模组件还可以用于形成有机薄膜晶体管。
图5是示出根据本发明一个实施例使用用于薄膜沉积的掩模来沉积薄膜的工艺的示意图。
参照图5，沉积装置30可以使用参照图4如上所述的用于薄膜沉积的掩模10b。
为了沉积有机发光显示装置的红R、绿R和蓝B有机发光膜，掩模10b安装在有机膜沉积坩锅60上，该有机膜沉积坩埚60安置在真空室31中，其上将形成薄膜的基板50安置在掩模10b上。然后掩模10b通过驱动磁体阵列40紧密地附着到基板50。在此状态下，如果有机膜沉积坩锅60工作，则安置在有机膜沉积坩锅60中的有机材料被蒸发通过掩模10b的狭缝，从而以预定图案沉积在基板50上。
图6A是适用于图5的沉积装置的磁体阵列的主要部分的透视图。图6B是沿图6A的磁体阵列的线I-I’得到的截面图。
如图6A和6B所示，当有机材料在有机沉积装置中被沉积时，使用磁体阵列40以将掩模紧密地固定在基板的一个表面上。在此时，形成磁体阵列40使得通常多个棒状磁体44成行地布置以用磁力适当地支撑具有相当大尺寸的掩模10b。例如，磁体阵列40可以包括多个棒状磁体44和具有沟槽43的主体42，各个磁体44被插入沟槽43中。
在上述情况下，当掩模10b的狭缝沿Y轴方向延伸时，磁体阵列40的每个棒状磁体44沿X轴方向延伸，所以与置于每个磁体44的两个端部上的最外狭缝相邻的肋受到大的磁力。在此时，在现有的金属掩模中，置于最外狭缝和邻近最外狭缝的狭缝之间的肋可以被磁体的磁力弯曲。然而，根据当前实施例中的至少一个实施例的掩模10b包括肋支撑部件，使得可以防止狭缝被弯曲，该狭缝设置于最外狭缝与邻近最外狭缝的狭缝之间。
图7是示出使用根据本发明一个实施例的用于薄膜沉积的掩模制造的无源有机发光显示装置的示例的截面图。
参照图7，第一电极层221以长条形状形成在玻璃基板220上，有机层226和第二电极层227依次形成在第一电极层221上。绝缘层222可以插设在第一电极层221的列(line)之间。第二电极层227可以以基本垂直于第一电极层221图案的图案形成。
有机层226可以使用低分子或高分子有机层。当使用低分子有机层时，有机层226可以以单一结构或合成(complex)结构形成，在该合成结构中第一有机层223和第二有机层225层叠，第一有机层223包括空穴注入层、空穴输运层及类似层，第二有机层225包括有机发光层224、电子输运层、电子注入层(EIL)及类似层。有机层226可以使用有机材料例如铜酞菁(phthalocyanine，CuPu)、N，N’-二(萘-1-基)-N-N’-二苯基联苯胺(N，N’-Di(naphthalene-1-yl)-N-N’-diphenylbenzidine，NPB)、三-8-羟基喹啉铝(tris-8-hydroxyquinoline aluminum，Alq)或类似物。这些低分子有机层可以使用真空沉积方法形成。
当使用高分子有机层时，有机层226可以形成为包括空穴输运层(HTL)的第一有机层223和有机发光层224层叠的结构。在此时，可以不使用第二有机层225。高分子有机层226可以使用聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene，PEDOT)作为空穴输运层，使用聚苯撑乙烯基的(poly-phenylenevinylene-based)和聚芴基的(polyfluorene-based)高分子有机材料作为发射层。
有机发光层224可以形成为实现具有红R、绿G和蓝B的全彩色。有机发光层224使用用于薄膜沉积的掩模形成。如果使用根据当前实施例的一个实施例的掩模，则有机发光层224防止在与最外狭缝相邻的肋弯曲时在掩模图案中产生缺陷，使得可能防止在有机发光层224的沉积图案中产生缺陷。
如上所述的第一电极层221用作阳极电极，如上所述的第二电极层用作阴极电极。显然，第一电极221和第二电极227可以被实施为具有相反的极性。
第一电极221可以包括透明电极或反射电极。当使用透明电极时，第一电极221可以由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成。当使用反射电极时，第一电极221可以使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、其化合物或类似物形成反射膜，然后由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成在反射膜上。
同时，第二电极227也可以包括透明电极或反射电极。当使用透明电极时，第二电极227用作阴极电极，从而在具有小的功函数的金属(也就是，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg)及其化合物被沉积为面向有机发光层226的方向之后，汇流电极线的辅助电极层可以由用于形成透明电极的材料(例如ITO、IZO、ZnO或In2O3)形成在所沉积的金属上。当第二电极层227用作反射电极时，第二电极227可以通过沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物形成。尽管在附图中未示出，但是该有机发光显示装置被密封从而阻挡外部氧气和湿气渗入。
图8是示出根据本发明一个实施例的使用用于薄膜沉积的掩模制造的有源有机发光显示装置的一个子像素的示例的截面图。
在图8中，子像素包括至少一个薄膜晶体管(TFT)和为自发光器件的EL器件OLED。TFT并不都在图8中示出的结构中得到，但可以在TFT的数目和结构上进行各种修改。将详细地描述有源矩阵型有机发光显示装置。
如图8所示，缓冲层230形成在基板220上，TFT设置在缓冲层230上。TFT包括形成在缓冲层230上的半导体有源层231、形成以覆盖有源层231的栅极绝缘膜232、栅极绝缘膜232上的栅极电极233。层间绝缘膜234形成为覆盖栅极电极233，源极和漏极电极235形成在层间绝缘膜234上。源极和漏极电极235通过形成在栅极绝缘膜232和层间绝缘膜234上的接触孔分别耦接到有源层231的源极区和漏极区。
在一个实施例中，有源层231包括将源极区耦接到漏极区的沟道区。此有源层231可以通过从无机半导体或有机半导体选择而形成，或通过用n型或p型杂质掺杂其源极区或漏极区而形成。
形成有源层231的无机半导体可以包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC和Si。
形成有源层231的有机半导体可以包括带隙为1eV到4eV的半导体有机材料，其中高分子有机材料可以包括聚噻吩及其衍生物、聚亚乙烯基苯(poly-phenylene vinylene)及其衍生物、聚对苯(poly-paraphenylene)及其衍生物、聚芴(polyfluorenes)及其衍生物、聚亚乙烯基噻吩(polythiophenevinylene)及其衍生物以及聚噻吩杂环芳族共聚物(polythiophen-heterocyclicaromatic copolymer)及其衍生物；低分子有机材料可以包括并五苯、并四苯、萘的低聚物(oligomer of naphthalene)及其衍生物、α-6-噻吩(alpha-6-thiophene)、α-5-噻吩的低聚噻吩(oligothiophene ofalpha-5-thiophene)及其衍生物、含有或不含有金属的酞菁(phthalocyanine)及其衍生物、均苯四甲酸二酐(pyromellitic dianhydride)或均苯四甲酸二酰亚胺(pyromellitic diimides)及其衍生物、二萘嵌苯四甲酸二酐(perylenetetracarboxylic acid dianhydride)或二萘嵌苯四羧酸二酰亚胺(perylenetetracarboxylic diimides)及其衍生物。
栅极绝缘膜232可以由SiO2或类似物形成，还可以由SiNx或者SiO2和SiNx的双层膜形成。由导电金属膜例如MoW、Al、Cr、Al/Cu或类似物形成的栅极电极233形成在栅极绝缘膜232的预定区域上。形成栅极电极233的材料并不总是限于此，各种导电材料例如导电聚合物可以用作栅极电极233。其上形成栅极电极233的区域对应于有源层231的沟道区域。
层间绝缘膜234可以由SiO2或SiNx或其混合物形成，源极/漏极电极235可以由与栅极电极233相同的材料形成。
由SiO2、SiNx或类似物形成的钝化膜236可以形成在漏极/源极电极235上，由丙烯、聚酰亚胺或类似物形成的平坦膜237可以形成在钝化膜236上。
尽管在附图中未示出，但是至少一个电容器可以耦接到TFT。
源极/漏极电极235耦接到第一电极层221，第一电极层221变成有机发光显示器件OLED的阳极电极。第一电极层221形成在平坦膜237上，像素限定层238形成为覆盖第一电极层221。在像素限定层238上形成预定开口部分后，形成有机发光器件OLED。
有机发光器件OLED，其通过根据电流的流动而发射红、绿和蓝光来显示预定的图像信息，包括：第一电极层221，耦接到TFT的源极/漏极电极235以从TFT接收正功率；第二电极227，设置为覆盖整个像素限定层从而提供负功率；有机层226，设置在第一电极层221和第二电极层227之间以便发光。
有机层226与图7的有机层相同，将省略对其的详细描述。
根据本发明的至少一个实施例的有源矩阵型有机发光显示装置，有机发光层EML通过上述当前实施例的掩模形成，使得其能防止在与最外狭缝相邻的肋弯曲时在掩模图案中产生的缺陷。
同时，与无源矩阵型有机发光显示装置相似，第一电极层221可以形成为透明电极或反射电极，并形成为对应于各个子像素的开口形状的形状。此外，第二电极层227可以通过在整个显示区域上沉积透明电极或反射电极而形成。然而，第二电极层227并不总是被整个地沉积，而可以以各种图案形成。
尽管已经结合某些示范性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施例，相反地，本发明旨在涵盖包括于附加权利要求书的精神和范围内的各种修改和等价布置及其等价物。
本申请要求于2008年9月1日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2008-0085738的权益，其全部内容在此引入以做参考。

Claims (20)

1.一种用于薄膜沉积的掩模，包括：
底构件；和
穿透所述底构件的多个狭缝，其中所述多个狭缝具有预定长度并沿第一方向延伸，其中所述多个狭缝包括置于沿第二方向的最外位置的最外狭缝，所述第二方向相对于所述第一方向具有预定角度，并且其中每个所述最外狭缝包括通过肋支撑部件彼此分离的两个子狭缝。
2.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述肋支撑部件与所述底构件整体地形成。
3.如权利要求2所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述肋支撑部件的宽度是10μm到100μm。
4.如权利要求3所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述狭缝的长度是约2cm。
5.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述底构件由金属材料形成。
6.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模，还包括：
框架，该框架包括彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中开口通过所述第一边和所述第二边的内部周界限定在所述框架中，
其中所述第一边和所述第二边中的至少一个连接到所述底构件的边缘。
7.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模，还包括：
第一掩模带，包括所述底构件、所述多个狭缝以及所述肋支撑部件；
第二掩模带，包括第二底构件和限定在所述第二底构件中的多个狭缝，其中所述第二掩模带不包括肋支撑部件；以及
框架，包括彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中开口通过所述第一边和所述第二边的内部周界限定在所述框架中，
其中所述第一掩模带的两个纵向端部和所述第二掩模带的两个纵向端部接合到所述第一边，并且其中所述第一掩模带的最外狭缝布置为最邻近所述第二边。
8.如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述肋支撑部件从与所述最外狭缝相邻的肋延伸。
9.一种制造有机发光器件的方法，包括：
提供掩模，该掩模包括：底构件；多个狭缝，限定在所述底构件中并穿透所述底构件，其中所述多个狭缝包括分成两个子狭缝的最外狭缝；和肋支撑部件，形成在所述两个子狭缝之间，以及其中所述肋支撑部件从与所述最外狭缝相邻的肋延伸；以及
通过所述掩模的狭缝将有机发光膜沉积在所述有机发光器件的第一电极和第二电极之间，其中所述第一电极和所述第二电极形成在基板上。
10.如权利要求9所述的制造有机发光装置的方法，还包括：
通过使用磁体阵列将磁力施加到所述掩模，从而所述掩模紧密地附着到所述基板，其中所述基板设置在所述掩模和所述磁体阵列之间，其中所述磁体阵列包括长条形状的多个磁体，其中该磁体的延伸方向相对于所述掩模的多个狭缝的长度方向具有预定角度。
11.如权利要求9所述的制造有机发光装置的方法，其中所述肋支撑部件的宽度是10μm到100μm。
12.如权利要求9所述的制造有机发光装置的方法，其中所述狭缝的长度是至少2cm。
13.一种用于薄膜沉积的掩模，包括：
底构件；
被限定在所述底构件中的多个贯穿狭缝，其中所述多个贯穿狭缝具有预定长度并沿第一方向延伸，以及其中所述多个贯穿狭缝中的每一个都包括被分成两个子狭缝的最外狭缝；
多个肋，每个肋都形成在所述多个贯穿狭缝中的两个相邻贯穿狭缝之间，其中所述多个肋包括与所述最外狭缝相邻的最外肋；以及
肋支撑物，每个所述肋支撑物从所述最外肋延伸并位于所述两个子狭缝之间。
14.如权利要求13所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述多个贯穿狭缝基本上彼此平行。
15.如权利要求13所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述最外狭缝的宽度是约50μm。
16.如权利要求13所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述最外狭缝的宽度是10μm到100μm。
17.如权利要求13所述的用于薄膜沉积的掩模，还包括：
框架，该框架包括彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中开口由所述第一边和所述第二边的内部周界限定在所述框架中，
其中所述第一边和所述第二边中的至少一个连接到所述底构件的边缘。
18.如权利要求13所述的用于薄膜沉积的掩模，还包括：
第一掩模带，包括所述底构件、所述多个贯穿狭缝、多个肋以及所述肋支撑物；以及
第二掩模带，包括：第二底构件；限定在所述第二底构件中的多个贯穿狭缝；以及多个肋。
19.如权利要求18所述的用于薄膜沉积的掩模，还包括：
框架，该框架包括彼此相对的一对第一边和一对第二边，其中开口由所述第一边和所述第二边的内部周界限定在所述框架中，
其中所述第一掩模带的两个纵向端部和所述第二掩模带的两个纵向端部接合到所述第一边，并且其中所述第一掩模带的最外狭缝布置为邻近所述第二边。
20.如权利要求12所述的用于薄膜沉积的掩模，其中所述肋支撑物与所述底构件整体地形成。
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