KR100659127B1 - 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극과, 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기 반도체층과, 상기 게이트 전극을 소스 및 드레인 전극 또는 유기 반도체층과 절연시키는 유기 절연층을 포함하고, 상기 유기 절연층이 절연성 유기 고분자 및 분극성 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치에 관한 것이다. 상기 박막 트랜지스터 낮은 구동 전압 및 우수한 커패시턴스 특성을 가질 수 있다.
Description
도 1, 3 및 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 박막 트랜지스터의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 2는 본 발명을 따르는 박막 트랜지스터의 일 구현예 중 전압이 인가된 유기 절연층의 구조를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 5는 본 발명을 따르는 박막 트랜지스터의 일 구현예를 구비한 유기 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
11, 21: 기판 12, 22: 게이트 전극
13, 23: 유기 절연층 14a, 14b, 24a, 24b: 소스 및 드레인 전극
15, 25: 유기 반도체층
본 발명은 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 절연성 유기 고분자 외에 분극성 화합물을 포함하는 유기 절연층을 구비한 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명을 따르는 박막 트랜지스터는 낮은 구동 전압 및 우수한 커패시턴스 특성을 가질 수 있다.
액정 표시 장치나 유기 발광 표시 장치 또는 무기 발광 표시 장치 등 평판 표시 장치에 사용되는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하, TFT라 함)는 각 픽셀의 동작을 제어하는 스위칭 소자 및 픽셀을 구동시키는 구동 소자로 사용된다.
이러한 TFT는 소스/드레인 영역과, 이 소스/드레인 영역의 사이에 형성된 채널 영역을 갖는 반도체층을 가지며, 이 반도체층과 절연되어 상기 채널 영역에 대 응되는 영역에 위치하는 게이트 전극과, 상기 소스/드레인 영역에 각각 접촉되는 소스/드레인 전극을 갖는다.
유기 박막 트랜지스터는 유기 반도체 물질로 이루어진 유기 반도체층을 구비하는데, 이는 저온 공정으로 형성가능하여 플라스틱재 기판의 사용이 가능하다는 장점 때문에 현재 활발한 연구가 진행 중이다. 예를 들어, 상기 유기 박막 트랜지스터는 대한민국 특허공개 번호 제2004-0012212호에 개시되어 있다.
상기 유기 박막 트랜지스터의 플렉서블 특성(flexibility)를 위하여, 기존의 무기물 대신 유기물로 이루어진 절연층을 사용할 수 있다. 그러나, 유기 절연층은 기존의 무기 절연층에 비하여 밀도가 낮고, 유전 상수가 낮아 트랜지스터의 구동 전압 조절이 용이하지 못할 수 있는 바, 이의 개선이 필요하다.
본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 절연성 유기 고분자뿐만 아니라 분극성 화합물도 포함한 유기 절연층을 구비한 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치를 제공하는 데, 그 목적이 있다.
상기 본 발명의 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제1태양은, 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극, 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기 반도체층, 상기 게이트 전극을 소스 및 드레인 전극 또는 유기 반도체층과 절연시키는 유기 절연층을 포함하 고, 상기 유기 절연층이 절연성 유기 고분자 및 분극성 화합물을 포함하는 박막 트랜지스터를 제공한다.
상기 본 발명의 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제2태양은, 전술한 바와 같은 박막 트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치를 제공한다.
상기 박막 트랜지스터는 낮은 구동 전압 및 우수한 커패시턴스 특성을 가질 수 있다.
이하, 도면을 참조하며 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터(10)로서, 기판(11), 게이트 전극(12), 유기 절연층(13), 소스 및 드레인 전극(14a, 14b) 및 유기 반도체층(15)이 순서대로 적층된 박막 트랜지스터(10)을 도시한 단면도이다.
도 1 중, 기판(11)으로서 유리 기판, 플라스틱 기판 또는 메탈 기판이 사용될 수 있다.
상기 유리 기판은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등으로 이루어질 수 있다. 상기 플라스틱 기판은 절연성 유기물로 이루어질 수 있는데, 예를 들면, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propinonate: CAP)로 이루 어진 그룹으로부터 선택되는 유기물로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 기판은 탄소, 철, 크롬, 망간, 니켈, 티타늄, 몰리브덴, 스테인레스 스틸(SUS), Invar 합금, ZInconel 합금 및 Kovar 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 금속 기판은 금속 포일일 수 있다. 이 중, 플렉시블 특성을 얻기 위하여, 플라스틱 기판 또는 금속 기판을 사용할 수 있다.
기판(11)의 일면 또는 양면에는 버퍼층이나, 베리어층, 또는 불순 원소의 확산방지층 등이 형성될 수 있다. 특히, 상기 기판(11)이 금속 기판을 포함하는 경우, 상기 기판 상부에 절연층(편의상 미도시함)이 더 구비될 수 있다.
상기 기판(11) 상에는 소정 패턴의 게이트 전극(12)이 형성되어 있다. 상기 게이트 전극(12)은 예를 들면, Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, 또는 Al:Nd, Mo:W 합금 등과 같은 금속 또는 금속의 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 게이트 전극(12)의 상부로는 게이트 전극(12)을 덮도록 유기 절연층(13)이 구비되어 있다. 상기 유기 절연층(13)은 절연성 유기 고분자 및 분극성 화합물을 포함한다.
상기 유기 절연층(13)에 포함된 절연성 유기 고분자는 유기 절연층 형성에 사용되는 통상의 고분자일 수 있다. 이 중, 유기 절연체의 정전 용량을 증가시킬 수 있고, 누설 전류를 최소화할 수 있도록, 상기 절연성 유기 고분자 내부에는 전하를 수용할 수 있는 이중 결합, 삼중 결합, 방향족 고리 등이 포함되는 것이 바람 직하다.
상기 절연성 유기 고분자의 비제한적인 예에는, 폴리스티렌, 폴리(알파-메틸 스티렌), 폴리(아세나프틸렌), 폴리(비닐 페놀) 또는 폴리(비닐 피리딘) 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 중, 2 이상의 조합을 사용하는 것도 가능하다.
한편, 상기 유기 절연층(13)에 포함된 분극성 화합물은, 분자 내에서 δ+ 및 δ-로 분극될 수 있는 화합물을 가리키는 것으로 이해될 수 있다. 상기 분극성 화합물은 전술한 바와 같은 절연성 유기 고분자와 함께 유기 절연층(13)에 포함되어, 유기 절연층 내부에 전하를 보다 효과적으로 수용할 수 있도록 한다. 이와 같이 분극성 화합물을 포함한 유기 절연층을 포함한 박막 트랜지스터는 낮은 구동 전압 및 우수한 커패시턴스 특성을 가질 수 있다.
상기 분극성 화합물로는 분자 내에서 δ+ 및 δ-로 분극될 수 있는 화합물이라면, 특별히 제안되지 않으나, 예를 들면, 전자 주게기(electron donor group) 및 전자 끌게기(electron acceptor group)를 갖는 방향족 고리-함유 화합물, 이중 결합-함유 화합물 또는 삼중 결합-함유 화합물일 수 있다.
상기 방향족 고리-함유 화합물 중 방향족 고리는 6 내지 30의 탄소수를 가지며, 하나 또는 2 이상의 카보사이클릭 고리를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 2 이상의 카보사이클릭 고리는 서로 융합 또는 연결된 것일 수 있다. 상기 방향족 고리를 이루는 복수의 탄소 중 하나 이상이 N, O, S 및 P로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상으로 치환될 수 있다.
상기 방향족 고리-함유 화합물 중 방향족 고리의 비제한적인 예에는, 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 인덴 고리, 헵탈렌 고리, 아줄렌 고리, 아세나프틸렌 고리, 플루오렌 고리, 페날렌 고리, 페난트렌 고리, 파이렌 고리, 나프타센 고리, 페릴렌 고리, 펜타펜 고리 등이 포함될 수 있다.
상기 이중 결합-함유 화합물은 1 이상의 탄소-탄소 간 이중 결합을 함유한 화합물을 가리키는 것이다. 상기 이중 결합-함유 화합물의 비제한적인 예에는 에틸렌, 프로필렌, 부타디엔 등과 같은 올레핀이 포함될 수 있다.
상기 삼중 결합-함유 화합물은 1 이상의 탄소-탄소 간 삼중 결합을 함유한 화합물을 가리키는 것이다. 상기 삼중 결합-함유 화합물의 비제한적인 예에는, 아세틸렌 등이 포함될 수 있다.
본 발명을 따르는 분극성 화합물의 일 예는, 전술한 바와 같은 방향족 고리-함유 화합물, 이중 결합-함유 화합물 또는 삼중 결합-함유 화합물로서, 후술하는 바와 같은 전자 주게기(electron donor group) 및 전자 끌게기(electron acceptor grouop)을 갖는, 즉, 전자 주게기 및 전자 끌게기가 치환된 화합물일 수 있다.
상기 전자 주게기는 예를 들면, 수소, C1-C10알킬기, -NR1R2, -OR3 또는 -SiR4R5R6일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이 중, 상기 R1, R2, R3, R4, R5 및 R6는 서로 독립적으로, H, C1-C10알킬기 또는 C5-C10아릴기일 수 있다.
상기 전자 끌게기는 예를 들면, -NO2, -CN, -F, -Cl-, -I, C1-C10할로알킬기, C5-C10할로아릴기 또는 -COOR7일 수 있다. 이 중, 상기 R7은 H 또는 C1-C10알킬기일 수 있다.
전술한 바와 같은 분극성 화합물은, 예를 들면, 4-니트로아닐린 또는 2,4-디니트로아닐린일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 유기 절연층(13)의 상부에는 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)이 각각 형성된다. 이 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)은 도 1에서 볼 수 있듯이, 일정부분 게이트 전극(12)과 중첩되도록 할 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)을 이루는 물질의 비제한적인 예로서, Au, Pd, Pt, Ni, Rh, Ru, Ir, Os 외에도, Al, Mo, Al:Nd 합금, MoW 합금 등과 같은 2 종 이상의 금속으로 이루어진 합금을 사용할 수 있으며, 금속의 산화물로서는 ITO, IZO, NiO, Ag2O, In2O3-Ag2O, CuAlO2, SrCu2O2 및 Zr으로 도핑된 ZnO 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전술한 바와 같은 금속 또는 금속 산화물 중 2 이상을 조합하여 사용할 수 있음은 물론이다.
상기 소스 및 드레인 전극(14a, 14b) 상부로는 유기 반도체층(15)이 구비된다. 상기 유기 반도체층(15)을 이루는 유기 반도체 형성 재료로는, 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카 르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체 등이 사용될 수 있다. 이들 중 2 이상을 사용하는 것도 물론 가능하다.
도 2는 본 발명을 따르는 박막 트랜지스터에 구비된 유기 절연층(13)의 단면도를 도식적으로 나타낸 것으로서, 유기 절연층의 양 표면에 + 전압 및 - 전압이 인가된 상태를 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 유기 절연층(13)은 절연성 유기 고분자(13a) 및 분극성 화합물(13b)을 포함한다. 절연성 유기 고분자(13a)는 사슬(chain) 형태로서 단순화되어 도시되어 있다. 상기 유기 절연층 중 분극성 화합물(13b)은 도 2에 도시된 바와 같이, δ+ 및 δ-로 분극되어, 상기 유기 절연층(13)의 정전용량이 보다 더 증가될 수 있고, 누설 전류가 크게 감소할 수 있다. 따라서, 이러한 유기 절연층을 구비한 박막 트랜지스터는 낮은 구동 전압 및 우수한 커패시턴스 특성을 가질 수 있다.
한편, 도 3은 본 발명을 따르는 박막 트랜지스터의 다른 구현예로서, 기판(11), 게이트 전극(12), 유기 절연층(13), 유기 반도체층(15) 및 소스 및 드레인 전극(14a, 14b)이 순서대로 구비된 박막 트랜지스터의 단면도이다.
또한, 도 4는 본 발명을 따르는 박막 트랜지스터의 또 다른 구현예로서, 기판(11), 소스 및 드레인 전극(14a, 14b), 유기 반도체층(15), 유기 절연층(13) 및 게이트 전극(12)이 순서대로 구비된 박막 트랜지스터의 단면도이다.
상기 도 3 및 도 4에 도시된 박막 트랜지스터를 이루는 각 층에 대한 상세한 설명은 도 1에 도시된 박막 트래지스터 및 도 2에 도시된 유기 절연층의 단면도에 대한 설명을 참조한다.
본 발명을 따르는 박막 트랜지스터는 다양한 방법으로 제조될 있다. 특히, 유기 절연층을 형성하는 방법은, 전술한 바와 같은 절연성 유기 고분자, 분극성 화합물 및 용매를 포함하는 유기 절연층 형성용 조성물을 유기 절연층 형성 영역에 도포한 다음, 소성시켜 얻을 수 있다. 즉, 도 1 및 도 2를 참조하면, 게이트 전극을 덮도록 상기 유기 절연층 형성용 조성물을 도포하고, 도 3을 참조하면, 유기 반도체층을 덮도록 상기 유기 절연층 형성용 조성물을 도포한 다음, 이를 소성시켜, 유기 절연층을 얻을 수 있다.
상기 유기 절연층 형성용 조성물 및 절연성 유기 고분자 및 분극성 화합물에 대한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다. 한편, 상기 용매는 상기 절연성 유기 고분자 및 분극성 화합물과 혼화성이 있는 통상의 유기 용매 중에서 선택될 수 있다. 상기 용매의 비제한적인 예에는, 톨루엔, 자일렌 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 바와 같은 박막 트랜지스터는 LCD 또는 유기 발광 표시 장치와 같은 평판 표시 장치에 구비될 수 있다.
도 5는 평판 표시 장치의 한 구현예인 유기 발광 표시 장치에 본 발명을 따르는 박막 트랜지스터를 적용한 것을 나타낸 것이다.
도 5는 유기 발광 표시 장치의 하나의 부화소를 도시한 것으로, 이러한 각 부화소에는 자발광 소자로서 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Device)가 구비되어 있고, 박막 트랜지스터가 적어도 하나 이상 구비되어 있다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자의 발광 색상에 따라 다양한 화소패턴을 갖는 데, 바람직하게는 적, 녹, 청색의 화소를 구비한다.
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(21) 상에는 소정 패턴의 게이트 전극(22)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 전극(22)을 덮도록 유기 절연층(23)이 형성되어 있다. 그리고, 게이트 절연막(23)의 상부에는 소스 및 드레인 전극(24a, 24b)이 각각 형성된다. 소스 및 드레인 전극(24a, 24b) 상부로는 유기 반도체층(25)이 구비된다. 상기 박막 트랜지스터(20)을 이루는 각 층에 대한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다.
유기 반도체층(25)이 형성된 후에는 상기 박막 트랜지스터(20)를 덮도록 패시베이션층(27)을 형성한다. 상기 패시베이션층(27)은 단층 또는 복수층의 구조로 형성되어 있고, 유기물, 무기물, 또는 유/무기 복합물로 형성될 수 있다.
상기 패시베이션층(27)의 상부에는 화소정의막(28)에 따라, 유기 발광 소자(30)의 유기 발광막(32)을 형성한다.
상기 유기 발광 소자(30)는 전류의 흐름에 따라 적, 녹, 청색의 빛을 발광하여 소정의 화상 정보를 표시하는 것으로, 박막 트랜지스터(20)의 소스 및 드레인 전극(24a, 24b) 중 어느 한 전극에 연결된 화소 전극(31)과, 전체 화소를 덮도록 구비된 대향 전극(33), 및 이들 화소 전극(31)과 대향 전극(33)의 사이에 배치되어 발광하는 유기 발광막(32)으로 구성된다. 본 발명은 반드시 상기와 같은 구조로 한정되는 것은 아니며, 다양한 유기 발광 표시 장치의 구조가 그대로 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 유기 발광막(32)은 저분자 또는 고분자 유기막이 사용될 수 있는 데, 저분자 유기막을 사용할 경우 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer), 발광층(EML: Emission Layer), 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer), 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 등이 단일 혹은 복합의 구조로 적층되어 형성될 수 있으며, 사용 가능한 유기 재료도 구리 프탈로시아닌(CuPc: copper phthalocyanine), N,N-디(나프탈렌-1-일)-N,N'-디페닐-벤지딘 (N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine: NPB) , 트리스-8-하이드록시퀴놀린 알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)(Alq3) 등을 비롯해 다양하게 적용 가능하다. 이들 저분자 유기막은 진공증착의 방법으로 형성된다.
고분자 유기막의 경우에는 대개 홀 수송층(HTL) 및 발광층(EML)으로 구비된 구조를 가질 수 있으며, 이 때, 상기 홀 수송층으로 PEDOT를 사용하고, 발광층으로 PPV(Poly-Phenylenevinylene)계 및 폴리플루오렌(Polyfluorene)계 등 고분자 유기물질을 사용하며, 이를 스크린 인쇄나 잉크젯 인쇄방법 등으로 형성할 수 있다.
상기와 같은 유기막은 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 다양한 실시예들이 적용될 수 있음은 물론이다.
상기 화소 전극(31)은 애노드 전극의 기능을 하고, 상기 대향 전극(33)은 캐소드 전극의 기능을 하는 데, 물론, 이들 화소 전극(31)과 대향 전극(33)의 극성은 반대로 되어도 무방하다.
액정 표시 장치의 경우, 이와는 달리, 상기 화소전극(31)을 덮는 하부배향막(미도시)을 형성함으로써, 액정 표시 장치의 하부기판의 제조를 완성한다.
이렇게 본 발명에 따른 박막 트랜지스터는 도 5에서와 같이 각 부화소에 탑재될 수도 있고, 화상이 구현되지 않는 드라이버 회로(미도시)에도 탑재 가능하다.
이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
[실시예]
MoW(100nm의 두께)로 이루어진 게이트 전극이 구비된 유리 기판을 준비하였다. 이 후, 톨루엔 10g에 절연성 유기 고분자로서 폴리(스티렌) 0.5g 및 분극성 화합물로서 4-니트로아닐린 0.03g을 첨가한 후 교반하여 유기 절연층 형성용 조성물을 제조하였다. 이를 상기 게이트 전극을 덮도록 코팅한 다음, 100℃에서 소성시켜, 0.5㎛ 두께의 유기 절연층을 형성하였다. 이 후, ITO(100nm의 두께)로 이루어진 소스 및 드레인 전극을 형성한 다음, 펜타센(70nm)을 증착하여 유기 반도체층을 형성함으로써, 본 발명을 따르는 유기 박막 트랜지스터를 제조하였다.
전술한 바와 같은 본 발명의 박막 트랜지스터는 절연성 유기 고분자뿐만 아니라 분극성 화합물을 포함하는 유기 절연층을 구비하는 바, 낮은 구동 전압 및 우수한 커패시턴스 특성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 박막 트랜지스터를 이용하면 신뢰성이 확보된 평판 표시장치를 제조할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (8)
- 게이트 전극;상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극;상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 및 드레인 전극과 전기적으로 연결된 유기 반도체층; 및상기 게이트 전극을 소스 및 드레인 전극 또는 유기 반도체층과 절연시키는 유기 절연층;을 포함하고, 상기 유기 절연층이 절연성 유기 고분자 및 분극성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 절연성 유기 고분자가 폴리스티렌, 폴리(알파-메틸 스티렌), 폴리(아세나프틸렌), 폴리(비닐 페놀) 및 폴리(비닐 피리딘)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 분극성 화합물이 전자 주게기(electron donor group) 및 전자 끌게기(electron acceptor group)를 갖는 방향족 고리-함유 화합물, 이중 결합-함유 화합물 또는 삼중 결합-함유 화합물인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제3항에 있어서,상기 방향족 고리-함유 화합물 중 방향족 고리는 6 내지 30의 탄소수를 가지며, 하나 또는 2 이상의 카보사이클릭 고리를 포함하고, 상기 2 이상의 카보사이클릭 고리는 서로 융합 또는 연결된 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제3항에 있어서,상기 전자 주게기가 수소, C1-C10알킬기, -NR1R2, -OR3 또는 -SiR4R5R6이고, 상기 R1, R2, R3, R4, R5 및 R6는 서로 독립적으로, H, C1-C10알킬기 또는 C5-C10아릴기인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제3항에 있어서,상기 전자 끌게기가 -NO2, -CN, -F, -Cl-, -I, C1-C10할로알킬기, C5-C10할로아릴기 또는 -COOR7이고, R7은 H 또는 C1-C10알킬기인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제3항에 있어서,상기 분극성 화합물이 4-니트로아닐린 또는 2,4-디니트로아닐린인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 박막 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050122583A KR100659127B1 (ko) | 2005-12-13 | 2005-12-13 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020050122583A KR100659127B1 (ko) | 2005-12-13 | 2005-12-13 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR100659127B1 true KR100659127B1 (ko) | 2006-12-19 |
Family
ID=37814807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1020050122583A KR100659127B1 (ko) | 2005-12-13 | 2005-12-13 | 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시 장치 |
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| KR (1) | KR100659127B1 (ko) |
-
2005
- 2005-12-13 KR KR1020050122583A patent/KR100659127B1/ko not_active IP Right Cessation
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