CN108330436A - 掩模框架组件 - Google Patents

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CN108330436A CN201810044003.3A CN201810044003A CN108330436A CN 108330436 A CN108330436 A CN 108330436A CN 201810044003 A CN201810044003 A CN 201810044003A CN 108330436 A CN108330436 A CN 108330436A
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孔守喆
李锺大
田相轩
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Abstract

本发明涉及能够提高掩模与衬底之间的贴合度的掩模框架组件，在包括框架和结合至框架的掩模的掩模框架组件中，掩模包括图案孔和虚设孔，其中，图案孔定位在掩模的图案区域中，并且虚设孔定位在掩模的除了图案区域以外的非图案区域中，并且虚设孔的尺寸大于图案孔的尺寸。

Description

掩模框架组件
技术领域
本发明涉及用于制造有机发光显示装置的掩模框架组件，尤其涉及能够提高掩模与衬底之间的贴合度的掩模框架组件。
背景技术
近年来，平面显示器领域得到了飞跃的发展，尤其是以液晶显示器(LiquidCrystal Display，LCD)为首开始登场的平面显示器超越了阴极射线管(Cathode RayTube，CRT)，并在最近等离子体显示面板(Plasma Display Panel，PDP)、视觉荧光显示器(Visual Fluorescent Display，VFD)、场发射显示器(Field Emission Display，FED)、发光二极管(Light Emitting Diode，LED)、电致发光(Electroluminescence，EL)等显示器件正展开着激烈角逐，并且分别在可视性、色感和制造工艺等方面实现了诸多改善并仍在扩大其应用领域。
特别是，近年来，有机发光显示装置作为相对于显示装置的大型化所占空间小的平板显示面板而备受瞩目。有机发光显示装置也被称为有机EL显示装置，这种显示装置不仅具有非常薄的厚度，而且还能够通过15V以下的低电压来驱动。
如上所述的有机发光显示装置的显示面板上定位有各种金属图案和绝缘膜图案，而这些图案通过掩模框架组件沉积到该显示面板的衬底上。此时，这种掩模框架组件的掩模与衬底之间的贴合度是非常重要的。
发明内容
本发明的目的在于提供能够提高掩模与衬底之间的贴合度的掩模框架组件。
用于解决如上所述的目的的、根据本发明的掩模框架组件作为包括框架和结合至框架的掩模的掩模框架组件，其中，掩模包括图案孔和虚设孔，其中，图案孔定位在掩模的图案区域中，并且虚设孔定位在掩模的除了图案区域以外的非图案区域中，并且虚设孔的尺寸大于图案孔的尺寸。
虚设孔具有图案孔的尺寸的1.5倍至50倍的尺寸。
虚设孔包括多个虚设孔，并且多个虚设孔沿着掩模的边布置。
掩模包括彼此不同的长度的边，并且多个虚设孔沿着具有更大长度的边布置。
沿着上述边布置的虚设孔的间距沿着上述边逐渐增加。
掩模包括彼此不同的长度的边，并且虚设孔不位于具有更小长度的边与图案区域之间。
图案区域包括多个图案区域，并且虚设孔不位于相邻的图案区域之间。
图案区域与虚设孔之间的间距大于或等于0.1mm。
虚设孔定位成相比于图案区域更靠近掩模的边。
掩模包括第一边和长度大于第一边的长度的第二边，并且虚设孔在与第二边平行的方向上测量的长度大于第一边的长度且小于第二边的长度。
虚设孔在与第一边平行的方向上测量的长度小于第一边的长度。
虚设孔具有四边形、圆形和椭圆形中的任一种形状。
虚设孔包括第一虚设孔和第二虚设孔，其中，第一虚设孔沿着掩模的边布置，并且第二虚设孔定位在掩模的位于相邻的第一虚设孔之间的部分与掩模的边之间。
虚设孔包括沿着掩模的边布置的第一虚设孔和第二虚设孔，并且第二虚设孔的一部分定位在掩模的位于彼此相邻的第一虚设孔之间的部分与掩模的边之间，第二虚设孔的另一部分定位在相邻的第一虚设孔中的一个第一虚设孔与上述边之间，以及第二虚设孔的又一部分定位在相邻的第一虚设孔中的另一个第一虚设孔与上述边之间。
掩模包括p个层，并且虚设孔贯穿q个层，其中，p为大于1的自然数，并且q为小于p的自然数。
图案孔贯穿p个层。
掩模框架组件还包括阻挡膜，阻挡膜与虚设孔重叠地定位在掩模上。
阻挡膜能够拆卸地结合到掩模上。
根据本发明的掩模框架组件提供如下效果。
根据本发明，能够通过虚设孔来控制掩模的曲率半径。因此，能够提高掩模与衬底之间的贴合度。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的掩模框架组件的立体图。
图2是图1中所示的某一个掩模的平面图。
图3是沿图2的I-I′线切割的剖视图。
图4是沿图2的I-I′线切割的另一实施方式的剖视图。
图5是关于图1中所示的某一个掩模的另一实施方式的平面图。
图6是关于图1中所示的某一个掩模的又一实施方式的平面图。
图7是关于图1中所示的某一个掩模的又一实施方式的平面图。
图8是关于图1中所示的某一个掩模的又一实施方式的平面图。
图9是关于图1中所示的某一个掩模的又一实施方式的平面图。
图10是关于图1中所示的某一个掩模的又一实施方式的平面图。
图11是关于图1中所示的某一个掩模的又一实施方式的平面图。
图12是关于图1中所示的某一个掩模的又一实施方式的平面图。
图13是沿图12的I-I′线切割的剖视图。
图14是示出使用根据本发明一实施方式的掩模框架组件在衬底上形成图案的方法的视图。
图15是示出与使用根据本发明一实施方式的掩模框架组件制造的有机发光显示装置的一个像素有关的一示例的视图。
图16是沿图15的I-I′线切割的剖视图。
图17a、图17b、图18a和图18b是用于说明根据本发明的掩模框架组件的效果的视图。
具体实施方式
参照在下文中结合附图详细描述的实施方式，本发明的优点和特征以及实现它们的方法将变得明确。然而，本发明并不限于下文中所公开的实施方式，而是可实现为彼此不同的各种形态。本实施方式仅仅是为了使本发明的公开完整并且将发明的范围完整地告知给本发明所属技术领域的普通技术人员而被提供的。本发明仅由权利要求书的范围来限定。因此，在一些实施方式中，为了避免模糊地解释本发明，将不具体说明众所周知的工艺步骤、众所周知的器件结构和众所周知的技术。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的构成要素。
在附图中，为了明确地表现多个层和区域，厚度被放大示出。在整个说明书中，对相似的部分指定了相同的附图标记。当层、膜、区域、板等部分被称为位于其它部分“上”时，不仅包括“直接”位于其它部分“上”的情况，而且也包括其中间存在另外的其它部分的情况。相反，当某一部分被称为“直接”位于其它部分“上”时，则意味着中间不存在其它部分。此外，当层、膜、区域、板等部分被称为位于其它部分“下”时，不仅包括“直接”位于其它部分“下”的情况，而且也包括其中间存在另外的其它部分的情况。相反，当某一部分被称为“直接”位于其它部分“下”时，则意味着中间不存在其它部分。
“下方(below)”、“之下(beneath)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等空间相对用语如图中所示可用于容易地阐述一个器件或构成要素与其它器件或构成要素的相关关系。空间相对用语应理解为包括图中所示的方向以及器件在使用时或操作时的彼此不同的方向的用语。例如，在图中所示的器件被翻转的情况下，被记载为位于其它器件“下方(below)”或“之下(beneath)”的器件可放置在其它器件“上方(above)”。因此，作为示例性用语的“下方”可包括上方向和下方向两者。器件也可定向在其它方向上，因此空间相对用语可根据定向进行解释。
在本说明书中，当某一部分被称为与其它部分连接时，其不仅包括直接连接的情况，而且还包括两者在中间隔着其它器件电连接的情况。此外，当某一部分被称为包括某一构成要素时，除非另有与此相反的特别记载，否则不排除其它构成要素，而是还可包括其它构成要素。
虽然第一、第二、第三等用语可在本说明书中用于说明各种构成要素，但是这些构成要素并不由上述用语限定。上述用语用于将一个构成要素与其它构成要素区分开的目的。例如，在不背离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可被命名为第二构成要素或第三构成要素等，且类似地，第二构成要素或第三构成要素也可相互交换命名。
除非另有定义，否则本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以以本发明所属技术领域的普通技术人员所能够共同理解的含义来使用。此外，除非明确地特别定义，否则不应理想化地或过度地解释常用词典中所定义的术语。
在下文中，参照图1至图18b对根据本发明的掩模框架组件500进行详细说明，具体如下。
图1是根据本发明一实施方式的掩模框架组件500的立体图。
如图1中所示，根据本发明一实施方式的掩模框架组件500包括掩模框架510和至少一个掩模520。虽然在图1中示出了多个掩模520，但是本发明的掩模框架组件500也可包括一个掩模520。
掩模框架510可具有闭合曲线的形状。例如，如图1中所示，掩模框架510可具有四边形的闭合曲线的形状。此时，掩模框架510可包括四个框架511、512、513、514。该四个框架511至514限定掩模框架510的开口部515。该开口部515可具有四边形形状。
四个框架511、512、513、514中彼此相对的两个框架可具有彼此相同的长度。例如，第一框架511和第二框架512沿着Y轴方向彼此相对，并且该第一框架511的长度与第二框架512的长度相同。此外，该第一框架511和第二框架512可布置成彼此平行。例如，第一框架511和第二框架512可布置成分别与X轴平行。
此外，第三框架513和第四框架514沿着X轴方向彼此相对，并且该第三框架513的长度与第四框架514的长度相同，此外，该第三框架513和第四框架514可布置成彼此平行。例如，第三框架513和第四框架514可布置成分别与Y轴平行。
另外，彼此相邻的两个框架可具有彼此不同的长度。例如，第一框架511和第三框架513可具有彼此不同的长度。作为更具体的示例，第三框架513的长度可大于第一框架511的长度。类似地，第二框架512和第四框架514可具有彼此不同的长度。作为更具体的示例，第四框架514的长度可大于第二框架512的长度。
彼此相邻的框架之间的内角可以是直角。例如，第一框架511和第三框架513所构成的角度可以是直角。此外，第二框架512和第四框架514所构成的角度可以是直角。
掩模框架510和掩模520可通过焊接彼此结合，并且掩模框架510可由具有高刚性的金属材料构成，以使其不会因进行上述焊接时所产生的热量等发生变形。
为了精密的沉积图案，优选地使掩模520和衬底405牢固地紧贴。为此，掩模520可具有小的厚度。该掩模520可由不锈钢、因瓦(invar)、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金、镍钴合金等材料构成。
通常，掩模520的面积越大，其中心部在重力方向(例如，Z轴的相反方向)上下垂得越多。因此，在待使用的掩模520的面积(下文中称为目标面积)大的情况下，如图1中所示，使用彼此分离的多个掩模520。这些多个掩模520分别具有比前述的目标面积更小的面积。这些多个掩模520的各面积的总和可与目标面积相同。这样，在使用具有相对小的面积且彼此分离的多个掩模520的情况下，即使目标面积增加，也能够最大限度地减少掩模520的下垂。
多个掩模520沿着Y轴方向排列在掩模框架510上。掩模520的彼此相对的两侧边缘位置分别位于掩模框架510上。例如，掩模520的一侧边缘位置位于第三框架513上，并且该掩模520的另一侧边缘位置位于第四框架514上。此时，该掩模520的一侧边缘位置和第三框架513可通过焊接彼此结合，并且该掩模520的另一侧边缘位置和第四框架514可通过焊接彼此结合。
掩模520的除了两个边缘位置以外的其余部分位于掩模框架510的开口部515上。换言之，掩模520的除了两个边缘位置以外的其余部分与该开口部515重叠。
掩模520在X轴方向和该X轴的相反方向上被拉伸。例如，掩模520的与第三框架513重叠的一侧边缘位置在X轴的相反方向上被拉动，且掩模520的与第四框架514重叠的另一侧边缘位置在X轴方向上被拉动。通过这种拉伸，掩模520在X轴方向上的长度(下文中称为第一长度)大于掩模520在Y轴方向上的长度(下文中称为第二长度)。
多个掩模520中的至少两个的第一长度可彼此相同。例如，各掩模520均可具有相同的第一长度。
此外，多个掩模520中的至少两个的第二长度可彼此相同。例如，各掩模520均可具有相同的第二长度。
多个掩模520中的至少两个可具有相同的面积。例如，各掩模520均可具有相同的面积。
掩模520包括在Z轴方向上彼此相对的表面，这些表面中的一个表面与掩模框架510相对，且另一表面与衬底405相对。例如，当这两个表面中的一个被限定为第一表面，且另一个被限定为第二表面时，掩模520的第一表面与掩模框架510相对，而该掩模520的第二表面与衬底405相对。
图2是图1中所示的某一个掩模520的平面图，图3是沿图2的I-I′线切割的剖视图，并且图4是沿图2的I-I′线切割的另一实施方式的剖视图。
如图2中所示，掩模520包括图案区域A1和非图案区域A2。具体地，掩模520的区域包括图案区域A1和非图案区域A2。图案区域A1被非图案区域A2围绕。虽然图2的掩模520包括多个图案区域A1，但与此不同地，掩模520也可包括一个图案区域A1。
掩模520具有贯穿其的图案孔770和虚设孔880。例如，如图2中所示，掩模520可具有多个图案孔770和多个虚设孔880。
如图3中所示，掩模520可包括沿着Z轴方向布置的两个层601、602。图案孔770可贯穿第一层601和第二层602。类似地，虚设孔880可贯穿第一层601和第二层602。虽然未示出，但是掩模520可包括一个层或三个以上的层。在掩模520包括n个层的情况下，图案孔770可贯穿所有的这些n个层。此处，n为自然数。类似地，在掩模520包括n个层的情况下，虚设孔880可贯穿所有的这些n个层。n个层均可由相同的物质构成。
另外，如图4中所示，在掩模520包括两个以上的层的情况下，至少一个虚设孔880可贯穿比这些两个以上的层更少数量的层。换言之，在掩模520包括p个层的情况下，虚设孔880可贯穿q个层。此处，p为大于1的自然数，并且q为小于p的自然数。例如，如图4中所示，在掩模520包括第一层601和第二层602的情况下，虚设孔880可贯穿第一层601和第二层602中的任何一个层。作为更具体的示例，虚设孔880可以是贯穿第一层601的孔。换言之，虚设孔880也可不贯穿第二层602，而仅贯穿第一层601。与此相反地，虚设孔880也可不贯穿第一层601，而仅贯穿第二层602。
图案孔770位于掩模520的图案区域A1中。例如，如图2中所示，多个图案孔770位于各图案区域A1中。沉积物质通过图案孔770沉积到衬底405上。
虚设孔880位于掩模520的除了图案区域A1以外的区域中。换言之，虚设孔880位于掩模520的非图案区域A2中。例如，如图2中所示，多个虚设孔880位于非图案区域A2中。
虚设孔880的尺寸可大于图案孔770的尺寸。例如，虚设孔880的尺寸可以是图案孔770的尺寸的约1.5倍至50倍。作为更具体的示例，虚设孔880的尺寸可以是图案孔770的尺寸的约30倍。
虚设孔880可沿着掩模520的彼此相对的边中的任何一个边定位。例如，掩模520包括第一边301、第二边302、第三边303和第四边304，其中，第一边301沿着X轴方向延伸，第二边302与该第一边301相对，第三边303位于第一边301的一侧端部与第二边302的一侧端部之间并且沿着Y轴方向延伸，且第四边304位于第一边301的另一侧端部与第二边302的另一侧端部之间并且与第三边303相对，其中，前述的虚设孔880可沿着第一边301和第二边302中的任何一个边定位。此时，如图2中所示，虚设孔880可定位成更靠近第一边301和第二边302中的第一边301。
另外，虚设孔880不位于掩模520的边中具有更短长度的边与该掩模520的图案区域A1之间。例如，虚设孔880不位于第三边303与最接近于该第三边303的图案区域A1之间。此外，虚设孔880也不位于第四边304与最接近于该第四边304的图案区域A1之间。
另外，虚设孔880不位于相邻的图案区域A1之间。
多个虚设孔880均可具有相同的尺寸。作为又一实施方式，多个虚设孔880中的至少两个可具有彼此不同的尺寸。
虚设孔880的间距d1可相同。例如，在沿着X轴方向相邻排列的三个虚设孔880分别限定为第一虚设孔880、第二虚设孔880和第三虚设孔880的情况下，彼此相邻的第一虚设孔880和第二虚设孔880之间的间距可与彼此相邻的第二虚设孔880和第三虚设孔880之间的间距相同。
图案区域A1与虚设孔880之间的间距d2可大于或等于0.1mm。换言之，在Y轴方向上测量的图案区域A1与虚设孔880之间的间距d2可大于或等于0.1mm。
虚设孔880可定位成更靠近掩模520的图案区域A1和该掩模520的边中的任何一个。例如，虚设孔880可定位成相比于掩模520的图案区域A1更靠近掩模520的第一边301。作为又一示例，虚设孔880可定位成相比于掩模520的第一边301更靠近该掩模520的图案区域A1。此处，虚设孔880与图案区域A1之间的间距和虚设孔880与边的间距分别意味着在Y轴方向上测量的尺寸。
虚设孔880可具有四边形、圆形和椭圆形的形状中的任何一种形状。
掩模520的曲率半径随着虚设孔880的数量增加而增加。此外，掩模520的曲率半径随着虚设孔880的间距d1减小而增加。此处，掩模520的曲率半径相当于图3中的I-I′线的曲率半径。换言之，掩模520的曲率半径意味着图3中的第一层601与第二层602之间的界面的曲率半径。掩模520的曲率半径可根据虚设孔880的数量和虚设孔880的间距来进行控制。即，通过对虚设孔880的数量和虚设孔880的间距的调节，掩模520可具有平坦的表面，由此，能够提高掩模520与衬底405之间的贴合度。
图5是对于图1中所示的某一个掩模520的另一实施方式的平面图。
如图5中所示，虚设孔880的间距d也可不同。例如，如上所述，在沿着X轴方向相邻排列的三个虚设孔880分别限定为第一虚设孔、第二虚设孔和第三虚设孔的情况下，彼此相邻的第一虚设孔和第二虚设孔之间的间距可与彼此相邻的第二虚设孔和第三虚设孔之间的间距不同。
作为又一示例，沿着第一边301布置的虚设孔880的间距d可沿着该第一边301逐渐增加。具体地，沿着第一边301布置的虚设孔880的间距d可沿着从第一边301的一侧端部朝向该第一边301的另一侧端部的方向逐渐增加。
图5中所示的掩模520也可进一步包括前述的图2至图4中所示的掩模520的结构。
图6是对于图1中所示的某一个掩模520的又一实施方式的平面图。
如图6中所示，多个虚设孔881和882可包括多个第一虚设孔881和多个第二虚设孔882。
掩模520的某一边和第一虚设孔881的间距与该边和第二虚设孔882的间距不同。例如，掩模520的第一边301与第一虚设孔881的间距大于该第一边301与第二虚设孔882的间距。换言之，第二虚设孔882定位成相比于第一虚设孔881更靠近第一边301。
第一虚设孔881和第二虚设孔882沿着掩模520的一个边排列。例如，第一虚设孔881和第二虚设孔882沿着掩模520的第一边301排列。此时，第二虚设孔882定位在掩模520的位于彼此相邻的第一虚设孔881之间的部分与该掩模520的第一边301之间。
彼此相邻的第一虚设孔881之间的间距可与彼此相邻的第二虚设孔882之间的间距相同或者也可不同。
沿着掩模520的第一边301布置的第一虚设孔881的间距可沿着从第一边301的一侧端部朝向该第一边301的另一侧端部的方向逐渐增加。
沿着掩模520的第一边301布置的第二虚设孔882的间距可沿着从第一边301的一侧端部朝向该第一边301的另一侧端部的方向逐渐增加。
图6中所示的掩模520也可进一步包括前述的图2至图4中所示的掩模520的结构。
图7是对于图1中所示的某一个掩模520的又一实施方式的平面图。
如图7中所示，多个虚设孔881、881、883和884可包括多个第一虚设孔881、多个第二虚设孔882、多个第三虚设孔883和多个第四虚设孔884。
掩模520的某一边和第一虚设孔881的间距与该边和第二虚设孔882的间距不同。例如，掩模520的第一边301与第一虚设孔881的间距大于该第一边301与第二虚设孔882的间距。换言之，第二虚设孔882定位成相比于第一虚设孔881更靠近第一边301。
掩模520的某一边和第三虚设孔883的间距与该边和第四虚设孔884的间距不同。例如，掩模520的第二边302与第三虚设孔883的间距大于该第二边302与第四虚设孔884的间距。换言之，第四虚设孔884定位成相比于第三虚设孔883更靠近第二边302。
第一虚设孔881和第二虚设孔882沿着掩模520的一个边排列。例如，第一虚设孔881和第二虚设孔882沿着掩模520的第一边301排列。此时，第二虚设孔882定位在掩模520的位于彼此相邻的第一虚设孔881之间的部分与该掩模520的第一边301之间。
第三虚设孔883和第四虚设孔884沿着掩模520的一个边排列。例如，第三虚设孔883和第四虚设孔884沿着掩模520的第二边302排列。此时，第四虚设孔884定位在掩模520的位于彼此相邻的第三虚设孔883之间的部分与该掩模520的第二边302之间。
图7中所示的掩模520也可进一步包括前述的图2至图4中所示的掩模520的结构。
图8是对于图1中所示的某一个掩模520的又一实施方式的平面图。
图8的掩模520与前述的图7的掩模520实质上相同。然而，图8中所示的掩模520的第一虚设孔881和第二虚设孔882布置成相比于图7中所示的掩模520的第一虚设孔881和第二虚设孔882更靠近第一边301。此外，图8中所示的掩模520的第三虚设孔883和第四虚设孔884布置成相比于图7中所示的掩模520的第三虚设孔883和第四虚设孔884更靠近第二边302。
图8中所示的掩模520也可进一步包括前述的图2至图4中所示的掩模520的结构。
图9是对于图1中所示的某一个掩模520的又一实施方式的平面图。
如图9中所示，掩模520可包括虚设孔880，虚设孔880布置成靠近第二边302。虚设孔880在与第二边302平行的方向上测量的长度L1大于第三边303的长度且小于第二边302的长度。
虚设孔880在与第三边303平行的方向上测量的长度L2小于第三边303的长度。
图9中所示的掩模520也可进一步包括前述的图2至图4中所示的掩模520的结构。
图10是对于图1中所示的某一个掩模520的又一实施方式的平面图。
如图10中所示，多个虚设孔881和882可包括多个第一虚设孔881和多个第二虚设孔882。
掩模520的某一边和第一虚设孔881的间距与该边和第二虚设孔882的间距不同。例如，掩模520的第二边302与第一虚设孔881的间距大于该第二边302与第二虚设孔882的间距。换言之，第二虚设孔882定位成相比于第一虚设孔881更靠近第二边302。
第一虚设孔881和第二虚设孔882沿着掩模520的一个边排列。例如，第一虚设孔881和第二虚设孔882沿着掩模520的第二边302排列。此时，第二虚设孔882的一部分定位在掩模520的位于彼此相邻的第一虚设孔881之间的部分与该掩模520的第二边302之间，并且该第二虚设孔882的另一部分定位在上述相邻的第一虚设孔881中的任何一个第一虚设孔881与第二边302之间，此外，该第二虚设孔882的另外一部分定位在上述相邻的第一虚设孔881中的另一个第一虚设孔881与第二边302之间。
彼此相邻的第一虚设孔881之间的间距可与彼此相邻的第二虚设孔882之间的间距相同或者也可不同。
沿着掩模520的第二边302布置的第一虚设孔881的间距可沿着从第二边302的一侧端部朝向该第二边302的另一侧端部的方向逐渐增加。
沿着掩模520的第二边302布置的第二虚设孔882的间距可沿着从第二边302的一侧端部朝向该第二边302的另一侧端部的方向逐渐增加。
图10中所示的掩模520也可进一步包括前述的图2至图4中所示的掩模520的结构。
图11是对于图1中所示的某一个掩模520的又一实施方式的平面图。
如图11中所示，多个虚设孔881和882可包括多个第一虚设孔881和多个第二虚设孔882。
图11中所示的掩模520的结构与前述的图6中所示的掩模520的结构实质上相同。然而，图11中所示的掩模520的第一虚设孔881和第二虚设孔882的尺寸大于图6中所示的第一虚设孔881和第二虚设孔882的尺寸。此外，图11中所示的掩模520的第一虚设孔881的数量少于图6中所示的第一虚设孔881的数量，并且图11中所示的掩模520的第二虚设孔882的数量少于图6中所示的第二虚设孔882的数量。
图11中所示的掩模520也可进一步包括前述的图2至图4中所示的掩模520的结构。
图12是对于图1中所示的某一个掩模520的又一实施方式的平面图，并且图13是沿图12的I-I′线切割的剖视图。
如图12和图13中所示，本发明的掩模框架组件500还可包括阻挡膜900。
阻挡膜900与虚设孔880重叠地定位在掩模520上。换言之，阻挡膜900定位在掩模520的非图案区域A2中以遮挡虚设孔880。阻挡膜900在沉积工艺期间阻挡沉积物质通过虚设孔880。由此，能够防止沉积物质在沉积工艺期间通过虚设孔880沉积到衬底405上。
阻挡膜900可定位在掩模520的第一表面上。换言之，阻挡膜900可附接到第一表面以遮挡虚设孔880。此时，阻挡膜900可以可拆卸地结合到掩模520上。例如，阻挡膜900可以是可拆卸的带。
带可在沉积工艺期间附接到掩模520上，并且带可在沉积工艺之后从掩模520去除以对掩模520进行洗涤。当完成洗涤工艺时，带可再次附接到掩模520上。
阻挡膜900可附接到前述的所有实施方式中的掩模520上。然而，在本发明的掩模框架组件500包括具有图4中所示的结构的掩模520的情况下，前述的阻挡膜900可被省略。即，由于在图4的结构中虚设孔880被第二层602阻挡，沉积物质无法通过虚设孔880。
图14是示出使用根据本发明一实施方式的掩模框架组件500在衬底405上形成图案的方法的视图。
参照图14，准备真空腔401，以使用掩模框架组件500沉积有机发光显示装置的有机发光层或电极。
真空腔401的下部处可定位有沉积源402，且该沉积源402的上部处可定位有掩模框架组件500。掩模框架组件500可包括图2中所示的掩模520。掩模520可布置在掩模框架510上。掩模520的上部处可定位有衬底405。掩模框架组件500的边缘位置处还可包括有额外的支承部件406，支承部件406用于对掩模框架组件500的边缘位置进行固定。
如下为将沉积物质沉积到衬底405上的过程的简略说明。
首先，将掩模框架组件500固定到支承部件406上并且将衬底405对齐到掩模520的上部。
接着，从定位在真空腔401的下部处的沉积源402朝向掩模框架组件500喷射沉积物质。喷射的沉积物质通过掩模520的图案孔770沉积到衬底405的一表面上。另外，由于在沉积工艺期间前述的阻挡膜900被附接到掩模520上，该喷射的沉积物质无法通过掩模520的虚设孔880。即，该喷射的沉积物质被阻挡膜900阻挡，并且无法通过虚设孔880。
图15是示出与使用根据本发明一实施方式的掩模框架组件500制造的有机发光显示装置100的一个像素PX有关的一示例的视图，并且图16是沿图15的I-I′线切割的剖视图。
如图15和图16中所示，像素PX包括发光器件210和像素电路部130。
像素电路部130包括开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20和电容器件80。
像素PX可定位在由栅极线151、数据线171和公共电源线172限定的区域(像素区域)中。
像素PX包括发光器件210和用于驱动该发光器件210的像素电路部130。
发光器件210可包括像素电极211、发光层212和公共电极213。此处，发光器件210可以是有机发光器件。
像素电路部130定位在衬底405的基础层111上。换言之，开关薄膜晶体管10、驱动薄膜晶体管20和电容器件80定位在基础层111上。这种像素电路部130对发光器件210的发光层212进行驱动。
虽然在图15和图16中示出了像素电路部130和发光器件210的具体结构，但是本发明一实施方式并不限于图15和图16中所示的结构。像素电路部130和发光器件210可在本领域技术人员能够容易地实施变型的范围内形成为各种结构。
根据图15，虽然一个像素PX被示出为包括两个薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)和一个电容器件(capacitor)，但并不限于此，并且一个像素PX也可具有三个以上的薄膜晶体管和两个以上的电容器件，并且可具有还包括额外的信号线的各种结构。
像素PX是指显示图像的最小单位，其可以是发出红光的红色像素、发出绿光的绿色像素和发出蓝光的蓝色像素中的任一种。
基础层111可以是由玻璃和透明材料的塑料等制成的透明绝缘层。例如，基础层111可由选自由卡普顿(kapton)、聚醚砜(polyethersulphone，PES)、聚碳酸酯(polycarbonate：PC)、聚酰亚胺(polyimide：PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate：PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate、PEN)、聚丙烯酸酯(polyacrylate、PAR)和纤维增强塑料(fiber reinforced plastic：FRP)等组成的群组中的任一种制成。
缓冲层120可布置在基础层111上。缓冲层120起到防止杂质元素的渗透并使表面平坦化的作用，且缓冲层120可由实现这种作用的各种物质形成。例如，缓冲层120可由硅氮化物(SiNx)膜、硅氧化物(SiO2)膜、硅氮氧化物(SiOxNy)膜中的任一种制成。然而，缓冲层120并不是必要的，并且根据基础层111的种类和工艺条件也可被省略。
开关半导体层131和驱动半导体层132布置在缓冲层120上。开关半导体层131和驱动半导体层132可包括多晶硅膜、非晶硅膜和诸如铟镓锌氧化物(Indium-Galluim-ZincOxide，IGZO)、铟锌锡氧化物(Indium Zinc Tin Oxide，IZTO)的氧化物半导体中的至少一种。例如，在图16中所示的驱动半导体层132包括多晶硅膜的情况下，驱动半导体层132包括沟道区、源区和漏区，其中，沟道区不掺杂有杂质，并且源区和漏区在沟道区的两侧通过掺杂p+而形成。此时，被掺杂的离子物质可以是诸如硼的P型杂质，其主要使用的有B2H6。这种杂质根据薄膜晶体管的种类而不同。
虽然在本发明一实施方式中使用包括P型杂质的P沟道金属氧化物半导体(P-channel Metal Oxide Semiconductor，PMOS)结构的薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管20，但是驱动薄膜晶体管20并不限于此。因此，N沟道金属氧化物半导体(N-channel MetalOxide Semiconductor，NMOS)结构或互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor，CMOS)结构的薄膜晶体管也均可用作驱动薄膜晶体管20。
栅极绝缘膜140布置在开关半导体层131和驱动半导体层132上。栅极绝缘膜140可包括正硅酸四乙基酯(TetraEthylOrthoSilicate，TEOS)、硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)中的至少一种。作为一示例，栅极绝缘膜140可具有厚度为40nm的硅氮化物膜与厚度为80nm的四乙氧基硅烷膜被依次层叠的双重膜结构。
包括开关栅电极152和驱动栅电极155的栅极布线布置在栅极绝缘膜140上。栅极布线还包括栅极线151、第一电容板158以及除此以外的布线。此外，开关栅电极152和驱动栅电极155布置成与开关半导体层131和驱动半导体层132的一部分或全部重叠，尤其是与沟道区重叠。开关栅电极152和驱动栅电极155起到在形成开关半导体层131和驱动半导体层132的过程中防止在杂质被掺杂到开关半导体层131和驱动半导体层132的源区136和漏区137时阻止杂质被掺杂到沟道区中的作用。
开关栅电极152、驱动栅电极155和第一电容板158布置在相同的层上，并且开关栅电极152和驱动栅电极155和第一电容板158实质上由相同的金属制成。开关栅电极152和驱动栅电极155和第一电容板158可包括钼(Mo)、铬(Cr)和钨(W)中的至少一种。
覆盖开关栅电极152和驱动栅电极155的层间绝缘膜160布置在栅极绝缘膜140上。类似于栅极绝缘膜140，虽然层间绝缘膜160可由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或四乙氧基硅烷(TEOS)等形成，但并不限于此。
包括开关源电极173和驱动源电极176以及开关漏电极174和驱动漏电极177的数据布线布置在层间绝缘膜160上。数据布线还包括数据线171、公共电源线172、第二电容板178以及除此以外的布线。此外，开关源电极173和驱动源电极176以及开关漏电极174和驱动漏电极177分别通过形成在栅极绝缘膜140和层间绝缘膜160中的接触孔与开关半导体层131和驱动半导体层132的源区136和漏区137连接。
如上所述，开关薄膜晶体管10包括开关半导体层131、开关栅电极152、开关源电极173和开关漏电极174，且驱动薄膜晶体管20包括驱动半导体层132、驱动栅电极155、驱动源电极176和驱动漏电极177。薄膜晶体管10、20的构成并不限于前述示例，并且能够以多种方式变型为所属技术领域的技术人员能够容易实施的公知结构。
电容器件80包括第一电容板158和第二电容板178，其中，层间绝缘膜160置于第一电容板158与第二电容板178之间。
开关薄膜晶体管10被用作选择待发光的像素PX的开关器件。开关栅电极152与栅极线151连接。开关源电极173与数据线171连接。开关漏电极174布置成与开关源电极173相隔开，并且与第一电容板158连接。
驱动薄膜晶体管20将用于使设置在所选择的像素PX内的发光器件210的发光层212发光的驱动电源施加到像素电极211。驱动栅电极155与第一电容板158连接。驱动源电极176和第二电容板178分别与公共电源线172连接。驱动漏电极177通过接触孔与发光器件210的像素电极211连接。
根据如上所述的结构，开关薄膜晶体管10通过施加到栅极线151的栅极电压来运行以起到将施加到数据线171的数据电压传递到驱动薄膜晶体管20的作用。与从公共电源线172施加到驱动薄膜晶体管20的公共电压和从开关薄膜晶体管10传递的数据电压之差对应的电压被存储在电容器件80中，并且与存储在电容器件80中的电压对应的电流通过驱动薄膜晶体管20流至发光器件210，从而使发光器件210发光。
平坦化膜165覆盖诸如数据线171、公共电源线172、开关源电极173和驱动源电极176以及开关漏电极174和驱动漏电极177、第二电容板178等图案化为一个掩模520的数据布线。平坦化膜165定位在层间绝缘膜160上。
平坦化膜165提供平坦的表面以提高定位在其上的发光器件的发光效率。平坦化膜165可由聚丙烯酸系树脂(polyacrylates resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolicresin)、聚酰胺系树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺系树脂(polyimidesresin)、不饱和聚酯系树脂(unsaturated polyesters resin)、聚苯醚系树脂(polyphenylenethers resin)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylenesulfides resin)和苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)中的一种以上的物质制成。
发光器件210的像素电极211布置在平坦化膜165上。像素电极211通过平坦化膜165的接触孔与驱动漏电极177连接。
像素电极211的一部分或全部布置在像素PX的透射区域(或者发光区域)内。即，像素电极211布置成与像素PX的由像素限定膜190限定的透射区域对应。像素限定膜190可由聚丙烯酸系(polyacrylates)和聚酰亚胺系(polyimides)等树脂制成。
发光层212布置在透射区域内的像素电极211上，并且公共电极213布置在像素限定膜190和发光层212上。
发光层212由低分子有机物或高分子有机物构成。像素电极211与发光层212之间还可布置有空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)和空穴传输层(Hole TransportingLayer，HTL)中的至少一个，并且发光层212与公共电极213之间还可布置有电子传输层(Electron Transporting Layer，ETL)和电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)中的至少一个。
像素电极211和公共电极213可由透射型电极、半透射型电极和反射型电极中的任一种形成。
为了形成透射型电极，可使用透明导电性氧化物(TCO；Transparent ConductiveOxide)。透明导电性氧化物(TCO)可包括选自由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锑锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、锌氧化物(ZnO)及其混合物构成的群组中的至少一种。
为了形成半透射型电极和反射型电极，可使用诸如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)、铜(Cu)的金属或其合金。此时，半透射型电极和反射型电极取决于厚度。通常，半透射型电极具有约200nm以下的厚度，并且反射型电极具有300nm以上的厚度。虽然半透射型电极的光透射率随着厚度变薄而提高，但是其电阻变大，并且光透射率随着厚度变厚而降低。
此外，半透射型和反射型电极可形成为多层结构，多层结构包括由金属或金属合金制成的金属层和层叠在金属层上的透明导电性氧化物(TCO)层。
像素PX也可具有能够在朝向像素电极211的方向和朝向公共电极213的方向上发射光的双面发光型结构。在如上所述的情况下，像素电极211和公共电极213均可形成为透射型或半透射型电极。
密封部件250定位在公共电极213上。密封部件250可包括透明绝缘的衬底405，透明绝缘的衬底405由玻璃和透明材料的塑料等制成。此外，密封部件250可具有包括一个以上的无机膜和一个以上的有机膜的薄膜封装结构。此时，一个以上的无机膜和一个以上的有机膜被交替地层叠。
图17a、图17b、图18a和图18b是用于说明根据本发明的掩模框架组件500的效果的视图。
在图17a、图17b、图18a和图18b中，X轴表示激光在掩模表面上从掩模520的第一边301至第二边302进行移动的位置，并且Y轴意味着该掩模表面的高度。此处，掩模表面的高度为前述的图1中的Z轴方向上的尺寸。
在将掩模520的四个图案区域A1从最接近于掩模520的第三边303的开始按顺序限定为第一图案区域、第二图案区域、第三图案区域和第四图案区域的情况下，在图17a、图17b、图18a和图18b中，第一曲线C1是关于激光经过掩模520的第二图案区域并在第一边301与第二边302之间进行移动时该激光在掩模表面上的位置和掩模表面在该位置中的高度的曲线。
在图17a、图17b、图18a和图18b中，第二曲线C2是关于激光经过掩模520的第三图案区域并在第一边301与第二边302之间进行移动时该激光在掩模表面中的位置和掩模表面在该位置中的高度的曲线。
在图17a、图17b、图18a和图18b中，第三曲线C3是关于激光经过掩模520的第四图案区域并在第一边301与第二边302之间进行移动时该激光在掩模表面中的位置和掩模表面在该位置中的高度的曲线。
图17a和图18a中的第一曲线C1、第二曲线C2和第三曲线C3是示出根据不包括虚设孔880的掩模520的掩模表面位置的高度的曲线。
图17b和图18b中的第一曲线C1、第二曲线C2和第三曲线C3是示出根据包括虚设孔880的掩模520的掩模表面位置的高度的曲线。
图17a和图17b中的掩模520为具有彼此相同的规格的掩模，并且图18a和图18b中的掩模520为具有彼此相同的规格的掩模。然而，图17a(或图17b)中的掩模520和图18a(或图18b)中的掩模520具有彼此不同的规格。
如图17a和图17b中所示，在掩模520包括虚设孔880的情况下，高度偏差可显著减小。例如，如图17a中所示，在掩模520不包括虚设孔880的情况下，凸出部分的高度差(433um-99um)为334um，而如图17b中所示，在掩模520包括虚设孔880的情况下，凸出部分的高度差(238um-66um)为172um。即，在掩模520包括虚设孔880的情况下，该掩模520的平坦度上升。
此外，如图18a和图18b中所示，在掩模520包括虚设孔880的情况下，高度偏差可显著减小。例如，如图18a中所示，在掩模520不包括虚设孔880的情况下，凸出部分的高度差(415um-222um)为193um，而如图18b中所示，在掩模520包括虚设孔880的情况下，凸出部分的高度差(217um-125um)为92um。即，在掩模520包括虚设孔880的情况下，该掩模520的平坦度上升。
上文中所说明的本发明并不限于上的实施方式和附图，并且对于本发明所属技术领域的普通技术人员显而易见的是，能够在不背离本发明的技术思想的范围内对本发明进行各种置换、变型和改变。
附图标记说明
520：掩模 770：图案孔
880：虚设孔 A1：图案区域
A2：非图案区域 301：第一边
302：第二边 303：第三边
304：第四边

Claims (18)

1.掩模框架组件，包括：
框架；以及
掩模，所述掩模与所述框架结合，
其中，所述掩模包括：
图案孔，所述图案孔定位在所述掩模的图案区域中；以及
虚设孔，所述虚设孔定位在所述掩模的除了所述图案区域以外的非图案区域中，并且所述虚设孔的尺寸大于所述图案孔的尺寸。
2.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述虚设孔具有所述图案孔的尺寸的1.5倍至50倍的尺寸。
3.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述虚设孔包括多个虚设孔，其中，所述多个虚设孔沿着所述掩模的边布置。
4.如权利要求3所述的掩模框架组件，其中，所述掩模包括具有彼此不同的长度的边，其中，所述多个虚设孔沿着具有更大长度的边布置。
5.如权利要求4所述的掩模框架组件，其中，沿着所述边布置的虚设孔的间距沿着所述边逐渐增加。
6.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述掩模包括具有彼此不同的长度的边，其中，所述虚设孔不位于具有更小长度的边与所述图案区域之间。
7.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述图案区域包括多个图案区域，其中，所述虚设孔不位于相邻的图案区域之间。
8.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述图案区域与所述虚设孔之间的间距大于或等于0.1mm。
9.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述虚设孔定位成相比于所述图案区域更靠近所述掩模的边。
10.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述掩模包括：
第一边；以及
第二边，所述第二边的长度大于所述第一边的长度，
其中，所述虚设孔在与所述第二边平行的方向上测量的长度大于所述第一边的长度且小于所述第二边的长度。
11.如权利要求10所述的掩模框架组件，其中，所述虚设孔在与所述第一边平行的方向上测量的长度小于所述第一边的长度。
12.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述虚设孔具有四边形、圆形和椭圆形中的任一种形状。
13.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述虚设孔包括：
第一虚设孔，所述第一虚设孔沿着所述掩模的边布置；以及
第二虚设孔，所述第二虚设孔定位在所述掩模的位于相邻的第一虚设孔之间的部分与所述掩模的所述边之间。
14.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述虚设孔包括沿着所述掩模的边布置的第一虚设孔和第二虚设孔，其中，所述第二虚设孔的一部分定位在所述掩模的位于彼此相邻的第一虚设孔之间的部分与所述掩模的所述边之间，所述第二虚设孔的另一部分定位在相邻的所述第一虚设孔中的一个第一虚设孔与所述边之间，以及所述第二虚设孔的又一部分定位在相邻的所述第一虚设孔中的另一个第一虚设孔与所述边之间。
15.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述掩模包括p个层，并且所述虚设孔贯穿q个层，其中，所述p为大于1的自然数，并且所述q为小于所述p的自然数。
16.如权利要求15所述的掩模框架组件，其中，所述图案孔贯穿p个层。
17.如权利要求1所述的掩模框架组件，还包括：
阻挡膜，所述阻挡膜与所述虚设孔重叠地定位在所述掩模上。
18.如权利要求17所述的掩模框架组件，其中，所述阻挡膜能够拆卸地结合到所述掩模上。
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