CN108374145A - 掩模组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及掩模组件，该掩模组件能够改善阴影缺陷，上述掩模组件包括掩模框架、多个辅助部件和多个分割掩模，其中，掩模框架限定位于中央处的开口区域，多个辅助部件固定在掩模框架的两端处并且布置成以预定间距间隔开，以及多个分割掩模固定在掩模框架的两端处并具有第一侧部和第二侧部，其中，第一侧部和第二侧部具有一个以上的槽部。

Description

掩模组件
技术领域
本发明涉及掩模组件，尤其涉及能够改善因分割掩模的移动而导致的阴影缺陷的掩模组件。
背景技术
有机发光显示装置(organic light emitting diode display)是具有发射光的有机发光器件并显示图像的自发光型显示装置。不同于液晶显示装置(liquid crystaldisplay)，有机发光显示装置不需要额外的光源，因此具有相对小的厚度和重量。此外，有机发光显示装置因具有消耗电力低、亮度高以及反应速度快等高品质特性而作为便携式电子设备的下一代显示装置而备受瞩目。
有机发光显示装置通过使注入到阳极和阴极的空穴和电子在发光层中再结合来发光并呈现色彩，并且具有发光层插置于阳极与阴极之间的层叠型结构。然而，由于通过上述结构难以实现高效率发光，因此选择性地将电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层等中间层附加地插置于各个电极与发光层之间来使用。
另外，有机发光显示装置的电极以及包括发光层的中间层可通过各种方法来形成，并且其中的一种方法为沉积法。为了使用沉积法制造有机发光显示装置，使用具有与待形成在衬底上的薄膜的图案相同的图案的精细金属掩模(Fine Metal Mask；FMM)。精细金属掩模(FMM)对齐到衬底上，且构成薄膜的物质被沉积到衬底上。
此时，可能由于构成精细金属掩模(FMM)的分割掩模的移动而发生阴影(shadow)缺陷。
发明内容
本发明为解决如上所述的问题而提出，其目的在于提供一种掩模组件，该掩模组件能够改善因分割掩模的移动而导致的阴影缺陷。
用于实现如上所述的目的的、根据本发明一实施方式的掩模组件包括掩模框架、多个辅助部件和多个分割掩模，其中，掩模框架限定位于掩模框架的中央处的开口区域，多个辅助部件固定至掩模框架的两端并且布置成以预定间距间隔开，并且多个分割掩模固定至掩模框架的两端并且多个分割掩模中的每个具有第一侧部和第二侧部，其中，第一侧部和第二侧部具有一个以上的槽部。
槽部可形成为半圆形和多边形中的任一种形状。
分割掩模的第一侧部和第二侧部中的至少一个可与辅助部件接触。
分割掩模可包括沉积图案部和固定部，其中，固定部从沉积图案部延伸并固定至掩模框架的两端。
槽部可布置在第一侧部和第二侧部中与多个辅助部件重叠的区域处。
分割掩模还可包括虚设图案，虚设图案布置在分割掩模与多个辅助部件重叠的区域处。
固定部可包括分支部。
分割掩模可由金属构成。
分割掩模可由不锈钢(SUS)、因瓦(Invar)合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍钴合金中的任一种构成。
辅助部件可与掩模框架呈一体。
根据本发明的掩模组件提供如下效果。
能够改善因分割掩模的移动而导致的阴影缺陷。
附图说明
图1是根据本发明一实施方式的掩模组件的立体图。
图2是根据本发明一实施方式的分割掩模的立体图。
图3是根据本发明一实施方式的分割掩模的平面图。
图4是根据本发明另一实施方式的分割掩模的平面图。
图5是根据本发明又一实施方式的分割掩模的平面图。
图6是根据本发明又一实施方式的分割掩模的平面图。
图7是示出使用根据本发明一实施方式的掩模组件在沉积用衬底上进行沉积的视图。
图8是使用根据本发明一实施方式的掩模组件制造的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
参照在下文中结合附图详细描述的实施方式，本发明的优点和特征以及实现它们的方法将变得明确。然而，本发明并不限于下文中所公开的实施方式，而是可实现为彼此不同的各种形态。本实施方式仅仅是为了使本发明的公开完整并且将发明的范围完整地告知给本发明所属技术领域的普通技术人员而被提供的。本发明仅由权利要求书的范围来限定。因此，在一些实施方式中，为了避免模糊地解释本发明，将不具体说明众所周知的工艺步骤、众所周知的器件结构和众所周知的技术。在整个说明书中，相同的附图标记指示相同的构成要素。
在附图中，为了明确地表现多个层和区域，厚度被放大示出。在整个说明书中，对相似的部分指定了相同的附图标记。当层、膜、区域、板等部分被称为位于其它部分“上”时，不仅包括“直接”位于其它部分“上”的情况，而且也包括其中间存在另外的其它部分的情况。相反，当某一部分被称为“直接”位于其它部分“上”时，则意味着中间不存在其它部分。此外，当层、膜、区域、板等部分被称为位于其它部分“下”时，不仅包括“直接”位于其它部分“下”的情况，而且也包括其中间存在另外的其它部分的情况。相反，当某一部分被称为“直接”位于其它部分“下”时，则意味着中间不存在其它部分。
“下方(below)”、“之下(beneath)”、“下部(lower)”、“上方(above)”、“上部(upper)”等空间相对用语如图中所示可用于容易地阐述一个器件或构成要素与其它器件或构成要素的相关关系。空间相对用语应理解为包括图中所示的方向以及器件在使用时或操作时的彼此不同的方向的用语。例如，在图中所示的器件被翻转的情况下，被记载为位于其它器件“下方(below)”或“之下(beneath)”的器件可放置在其它器件“上方(above)”。因此，作为示例性用语的“下方”可包括上方向和下方向两者。器件也可定向在其它方向上，因此空间相对用语可根据定向进行解释。
虽然第一、第二、第三等用语可在本说明书中用于说明各种构成要素，但是这些构成要素并不由上述用语限定。上述用语用于将一个构成要素与其它构成要素区分开的目的。例如，在不背离本发明的权利范围的情况下，第一构成要素可被命名为第二构成要素或第三构成要素等，且类似地，第二构成要素或第三构成要素也可相互交换命名。
除非另有定义，否则本说明书中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)可以以本发明所属技术领域的普通技术人员所能够共同理解的含义来使用。此外，除非明确地特别定义，否则不应理想化地或过度地解释常用词典中所定义的术语。
下文中，参照图1和图2对本发明一实施方式进行详细描述。图1是根据本发明一实施方式的掩模组件10的立体图，并且图2是根据本发明一实施方式的分割掩模200的立体图。
掩模组件10包括掩模框架100、辅助部件110和多个分割掩模200。
掩模框架100可限定位于中央处的开口区域101，并且可以是四边形的环形状。例如，如图1中所示，掩模框架100可以是由沿着第一方向D1延伸并彼此相对的两个框架与沿着第二方向D2延伸并彼此相对的两个框架连接的四边形的环形态。即，掩模框架100可与作为沉积对象物的沉积用衬底300对应地具有四边形形态，并且可在中央处具有四边形的开口区域101，使得能够执行对于沉积用衬底300的沉积工艺。
辅助部件110固定在掩模框架100的两端处。此时，辅助部件110可布置在掩模框架100上。或者，如图1中所示，辅助部件110也可与掩模框架100形成为一体并布置在与掩模框架100相同的平面上。
多个辅助部件110布置成以预定间距间隔开。例如，如图1中所示，多个辅助部件110可布置成沿着第一方向D1延伸并沿着第二方向D2以预定间距间隔开。然而并不限于此，且多个辅助部件110也可布置成沿着第二方向D2延伸并沿着第一方向D1以预定间距间隔开。
多个分割掩模200彼此隔开地布置在掩模框架100上。此时，多个分割掩模200在第一方向D1上受到拉伸力的同时被固定在掩模框架100上。由此，掩模框架100在第一方向D1上受到作为拉伸力的反作用的压缩力。此外，当多个分割掩模200通过焊接被固定时，掩模框架100可能因受热而发生变形。因此，为了最大限度地减少因施加至掩模框架100的压缩力或因受热而导致的变形，掩模框架100由刚性大的金属构成。
根据本发明一实施方式的掩模组件10包括多个分割掩模200，而不是包括具有与开口区域101的尺寸对应的尺寸的单个掩模，因此能够防止掩模由于在沉积工艺中产生的热而发生变形，并且能够减少掩模的下垂现象。
如图1中所示，掩模框架100上可布置多个分割掩模200。分割掩模200可由不锈钢(SUS)、因瓦(Invar)合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍钴合金中的任一种构成。
参照图1和图2，分割掩模200可包括中央部210、固定部231、232以及第一侧部211和第二侧部212，其中，中央部210具有沉积图案部213，固定部231、232从定位有沉积图案部213的中央部210延伸并固定至掩模框架100的两端，并且第一侧部211和第二侧部212沿着第一方向D1与掩模框架100或辅助部件110接触。
多个分割掩模200在作为与开口区域101重叠的部分的中央部210处具有沉积图案部213。沉积图案部213可包括沉积图案213a。沉积图案213a可在各个分割掩模200的厚度方向上完全贯穿，并且也可仅蚀刻一部分使得不贯穿。沉积图案213a根据待沉积在显示装置上的有机薄膜的图案能够变形为条形状、点形状等各种形态。
分割掩模200具有第一侧部211和第二侧部212。对此，将在下文中参照图3至图5进行详细的描述。
分割掩模200布置成沿着第一方向D1横跨开口区域101，并且各个分割掩模200固定至掩模框架100的两端。具体地，布置在各个分割掩模200的两端处的固定部231、232可通过焊接固定至掩模框架100的相对的两端。例如，焊接可以是点焊接(Spot Welding)。点焊接可通过设置多个焊接点并分别对多个焊接点进行焊接来最大限度地减少分割掩模200在进行焊接时的变形。焊接点可形成为例如至少一个列(Column)或之字形(Zigzag)形态。此时，如上所述，分割掩模200可在第一方向D1上对掩模框架100施加拉伸力，且为此，布置在分割掩模200的两端处的固定部231、232可具有分支部。
多个分割掩模200可由不锈钢(SUS)、因瓦(Invar)合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍钴合金中的任一种构成。
下文中，参照图3至图5对根据本发明的分割掩模200进行详细说明。图3是根据本发明一实施方式的分割掩模200的平面图，图4是根据本发明另一实施方式的分割掩模200的平面图，并且图5是根据本发明又一实施方式的分割掩模200的平面图。
如上所述，分割掩模200具有第一侧部211和第二侧部212，并且第一侧部211和第二侧部212布置成彼此相对。
参照图3至图5，第一侧部211和第二侧部212具有一个以上的槽部211a、212a、211b、212b、211c、212c。槽部211a、212a、211b、212b、211c、212c可布置在第一侧部211和第二侧部212中与上述多个辅助部件110重叠的区域处。即，槽部211a、212a、211b、212b、211c、212c可定位在分割掩模200的第一侧部211和第二侧部212与辅助部件110接触的区域处。
参照图3，槽部211a、212a可形成为半圆形状，并且可布置成具有预定尺寸和间距。例如，槽部211a、212a可具有10μm至50μm直径，并且多个槽部211a、212a可布置成以10μm至30μm的间距间隔开。
参照图4，槽部211b、212b可形成为四边形形状，并且可布置成具有预定尺寸和间距。
参照图5，槽部211c、212c可形成为三角形形状，并且可布置成具有预定尺寸和间距。
根据本发明，第一侧部211和第二侧部212中的至少一个可与辅助部件110接触。此时，通过槽部211a、212a、211b、212b、211c、212c抑制分割掩模200的移动，因此能够改善阴影(shadow)缺陷。
下文中，参照图6对根据本发明又一实施方式的分割掩模200进行详细的描述。图6是根据本发明又一实施方式的分割掩模200的平面图。
参照图6，根据本发明又一实施方式的分割掩模200还可包括虚设图案250。虚设图案250可具有与沉积图案213a的形状和尺寸相同的形状和尺寸。然而并不限于此，且虚设图案250也可具有与沉积图案213a的形状和尺寸不同的形状和尺寸。此时，虚设图案250可布置在分割掩模200与辅助部件110和掩模框架100重叠的区域处。
下文中，参照图7对使用根据本发明一实施方式的掩模组件10在沉积用衬底300上进行沉积的过程进行详细的描述。图7是示出使用根据本发明一实施方式的掩模组件10在沉积用衬底300上进行沉积的视图。
参照图7，掩模组件10布置在真空腔室400内，以用于沉积有机发光显示装置的有机发光层或电极。
沉积源401可定位在真空腔室400的下部，并且掩模组件10可布置在沉积源401的上部。掩模组件10可包括图1中所示的分割掩模200。分割掩模200可布置在掩模框架100上。沉积用衬底300可布置在分割掩模200的上方。
沉积源401呈内部包括有机物质的加热容器(crucible)的形态，其可通过热来使有机物质蒸发以沉积到沉积用衬底300上。沉积工艺设备还可包括用于对有机物质进行加热的加热器(未示出)。加热器设置在沉积源401的两侧处，并起到如下作用，即通过对沉积源401进行加热来对容纳在沉积源401内的有机物质进行加热，从而使有机物质升华。
真空腔室400提供进行沉积工艺的空间。真空腔室400与如涡轮分子泵(TurboMolecular Pump，TMP)的真空泵(未示出)连接，以在沉积工艺期间使真空腔室400内部维持真空状态。真空腔室400还可包括防沉积板(未示出)，防沉积板(未示出)布置成围绕真空腔室400的内部的壁面。防沉积板防止从沉积源401喷出的有机物质中未沉积到沉积用衬底300上的有机物质吸附至真空腔室400的内部壁面。
额外的支承部件402可在掩模组件10的边缘位置处对掩模组件10进行固定。
以下是对将沉积物质沉积到沉积用衬底300上的过程进行的简要说明。
首先，将掩模组件10固定在支承部件402上，并且将沉积用衬底300布置在被固定的掩模组件10上。
接着，定位在真空腔室400的下部的沉积源401朝向沉积用衬底300喷射沉积物质。具体地，当向沉积源401施加电力时，容纳有沉积物质的沉积源401被加热，由此，沉积物质被加热并升华，从而朝向掩模组件10进行喷射。此时，真空腔室400的内部维持高真空度和高温。
当沉积物质被喷射时，沉积物质通过形成在分割掩模200中的沉积图案部(图2中的213)沉积到沉积用衬底300的一表面上。
下文中，参照图8对使用根据本发明一实施方式的掩模组件10制造的有机发光显示装置进行详细描述。图8是使用根据本发明一实施方式的掩模组件10制造的有机发光显示装置的剖视图。
参照图8，根据本发明一实施方式的显示面板具有多个像素，多个像素中的每个包括开关薄膜晶体管(未示出)、驱动薄膜晶体管20、电容器件80和有机发光器件(organiclight emitting diode，OLED)610。有机发光器件610能够在相对低的温度下进行沉积，并且出于低电力、高亮度等原因可主要适用于柔性显示装置。此处，像素是指显示图像的最小单位，并且显示面板通过多个像素来显示图像。
此外，虽然在附图中示出了一个像素中布置有两个薄膜晶体管(thin filmtransistor，TFT)和一个电容器件(capacitor)，但并不限于此，而是一个像素也可设置有三个以上的薄膜晶体管和两个以上的电容器件，并且还可包括额外的布线从而呈现各种结构。
显示面板可包括衬底510、栅极线(未示出)、数据线571和公共电源线572，其中，栅极线布置在衬底510上，并且数据线571和公共电源线572与栅极线绝缘地相交。通常，一个像素可由栅极线、数据线571和公共电源线572限定边界，但是像素并不限于前述的定义。像素可由黑矩阵或像素限定膜限定。
衬底510可由具有柔性的绝缘性物质构成。例如，衬底510可由聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚醚砜(Polyethersulphone，PES)、聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene naphthalate，PEN)、聚芳酯(Polyarylate，PAR)、玻璃纤维增强塑料(Fiberglass reinforced plastic，FRP)等高分子物质构成。或者，衬底510可以是玻璃衬底。衬底510可以是透明的、半透明的或不透明的。
缓冲层520布置在衬底510上。缓冲层520起到防止杂质元素的渗透并使表面平坦化的作用，其可由能够实现这种作用的各种物质形成。例如，缓冲层520可由硅氮化物(SiNx)膜、硅氧化物(SiO2)膜和硅氮氧化物(SiOxNy)膜中的任一种制成。然而，缓冲层520并不是必要的，并且也可根据衬底510的种类和工艺条件而被省略。
开关半导体层(未示出)和驱动半导体层532布置在缓冲层520上。开关半导体层(未示出)和驱动半导体层532可由多晶硅膜、非晶硅膜和诸如铟镓锌氧化物(Indium-Galluim-Zinc Oxide，IGZO)、铟锌锡氧化物(Indium Zinc Tin Oxide，IZTO)的氧化物半导体中的任一种形成。例如，在驱动半导体层532由多晶硅膜形成的情况下，驱动半导体层532包括沟道区535、源区536和漏区537，其中，沟道区535未掺杂有杂质，并且源区536和漏区537在沟道区535的两侧通过掺杂p+而形成。此时，掺杂的离子物质为如硼(B)的P型杂质，并且主要使用B2H6。这种杂质根据薄膜晶体管的种类而不同。虽然在本发明一实施方式中将使用P型杂质的PMOS结构的薄膜晶体管用作驱动薄膜晶体管20，但是驱动薄膜晶体管20并不限于此。因此，NMOS结构或CMOS结构的薄膜晶体管也均可用作驱动薄膜晶体管20。
栅绝缘膜540布置在开关半导体层(未示出)和驱动半导体层532上。栅绝缘膜540可包括四乙基原硅酸盐(TetraEthylOrthoSilicate，TEOS)、硅氮化物(SiNx)和硅氧化物(SiO2)中的至少一种。作为示例，栅绝缘膜540可具有由厚度为40nm的硅氮化物膜和厚度为80nm的四乙基原硅酸盐膜依次层叠的双膜结构。
包括驱动栅电极555的栅极布线布置在栅绝缘膜540上。栅极布线还包括栅极线、第一电容板558和除此以外的布线。此外，驱动栅电极555布置成与驱动半导体层532的至少一部分重叠，尤其是与沟道区535重叠。在驱动半导体层532的形成过程中向驱动半导体层532的源区536和漏区537掺杂杂质时，驱动栅电极555起到阻止杂质掺杂到沟道区535的作用。
驱动栅电极555和第一电容板558布置在相同的层上，并且实质上由相同的金属制成。驱动栅电极555和第一电容板558可包括钼(Mo)、铬(Cr)和钨(W)中的至少一种。
覆盖驱动栅电极555的层间绝缘膜560布置在栅绝缘膜540上。与栅绝缘膜540相同地，层间绝缘膜560可由硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或四乙基原硅酸盐(TEOS)等形成，但并不限于此。
包括驱动源电极576和驱动漏电极577的数据布线布置在层间绝缘膜560上。数据布线还包括数据线571、公共电源线572、第二电容板578和除此以外的布线。此外，驱动源电极576和驱动漏电极577分别经由形成在栅绝缘膜540和层间绝缘膜560中的接触孔与驱动半导体层532的源区536和漏区537连接。
如上所述，开关薄膜晶体管(未示出)包括开关半导体层(未示出)、开关栅电极(未示出)、开关源电极(未示出)和开关漏电极(未示出)，并且驱动薄膜晶体管20包括驱动半导体层532、驱动栅电极555、驱动源电极576和驱动漏电极577。驱动薄膜晶体管20的结构并不限于前述示例，并且能够通过本领域技术人员可容易实施的公知结构进行各种变型。
此外，电容器件80包括第一电容板558和第二电容板578，其中，层间绝缘膜560置于第一电容板558与第二电容板578之间。
虽然未示出，但是开关薄膜晶体管用作选择待发光的像素的开关器件。开关栅电极与栅极线连接。开关源电极与数据线571连接。开关漏电极布置成与开关源电极相隔开，并且与第一电容板558连接。
驱动薄膜晶体管20向像素电极611施加用于使所选择的像素内的有机发光器件610的发光层612发光的驱动电源。驱动栅电极555与第一电容板558连接。驱动源电极576和第二电容板578分别与公共电源线572连接。驱动漏电极577经由接触孔与有机发光器件610的像素电极611连接。
根据如上所述的结构，开关薄膜晶体管通过施加到栅极线的栅极电压进行操作，以起到将施加到数据线571的数据电压传输至驱动薄膜晶体管20的作用。与从公共电源线572施加到驱动薄膜晶体管20的公共电压与传输自开关薄膜晶体管的数据电压之差相等的电压被储存到电容器件80中，并且与储存在电容器件80中的电压对应的电流经由驱动薄膜晶体管20流到有机发光器件610，使得有机发光器件610发光。
平坦化膜565布置成覆盖数据布线，数据布线由诸如布置在层间绝缘膜560上的数据线571、公共电源线572、驱动源电极576和驱动漏电极577、第二电容板578等被图案化在相同层上而形成。
平坦化膜565起到消除阶梯差并实现平坦化的作用，以提高待形成在该平坦化膜565上的有机发光器件610的发光效率。平坦化膜565可由聚丙烯酸酯系树脂(polyacrylateresins)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺系树脂(polyamides resin)、聚酰亚胺系树脂(polyimides resin)、不饱和聚酯系树脂(unsaturated polyesters resin)、聚苯醚系树脂(polyphenylene ethers resins)、聚苯硫醚系树脂(polyphenylenesulfide resins)和苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)中的一种以上的物质制成。
有机发光器件610的像素电极611布置在平坦化膜565上。像素电极611经由形成在平坦化膜565中的接触孔与驱动漏电极577连接。
像素限定膜590布置在平坦化膜565上，并且通过暴露像素电极611的至少一部分来限定像素区域。像素电极611布置成与像素限定膜590的像素区域相对应。像素限定膜590可由聚丙烯酸酯系(polyacrylates)和聚酰亚胺系(polyimides)等树脂制成。
发光层612布置在像素区域内的像素电极611上，并且公共电极613布置在像素限定膜590和发光层612上。发光层612由低分子有机物或高分子有机物构成。像素电极611与发光层612之间还可布置有空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)和空穴传输层(HoleTransporting Layer，HTL)中的至少一个，并且发光层612与公共电极613之间还可布置有电子传输层(Electron Transporting Layer，ETL)和电子注入层(Electron InjectionLayer，EIL)中的至少一个。
像素电极611和公共电极613可由透射型电极、半透射型电极和反射型电极中的任一种形成。
为了形成透射型电极，可使用透明导电性氧化物(TCO；Transparent ConductiveOxide)。作为透明的导电性氧化物(TCO)，存在着铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)、铟锌氧化物(Indium zinc oxide，IZO)、锌氧化物(ZnO)或铟氧化物(Indium Oxide，In2O3)等。
为了形成半透射型电极和反射型电极，可使用诸如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)、铜(Cu)的金属或它们的合金。此时，半透射型电极和反射型电极可由厚度决定。通常，半透射型电极具有约200nm以下的厚度，并且反射型电极具有300nm以上的厚度。随着半透射型电极的厚度减小，光透射率提升但是电阻增大，并且随着厚度增加，光透射率降低。
此外，半透射型和反射型电极可形成为包括金属层和透明导电性氧化物(TCO)层的多层结构，其中，金属层由金属或金属合金制成，并且透明导电性氧化物(TCO)层层叠在金属层上。
薄膜封装层650布置在公共电极613上。薄膜封装层650包括一个以上的无机膜651、653、655和一个以上的有机膜652、654。此外，薄膜封装层650具有由无机膜651、653、655和有机膜652、654交替层叠的结构。此时，无机膜651布置在最下方。即，无机膜651布置成最接近有机发光器件610。
虽然薄膜封装层650包括三个无机膜651、653、655和两个有机膜652、654，但是本发明一实施方式并不限于此。
无机膜651、653、655形成为包括Al2O3、TiO2、ZrO、SiO2、AlON、AlN、SiON、Si3N4、ZnO和Ta2O5中的一个以上的无机物。无机膜651、653、655通过化学沉积(chemical vapordeposition，CVD)法或原子层沉积(atomic layer depostion，ALD)法形成。然而，本发明一实施方式并不限于此，并且无机膜651、653、655可通过本领域技术人员所公知的各种方法形成。
有机膜652、654由高分子(polymer)系列的材料制成。此处，高分子系列的材料包括丙烯酸系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺和聚乙烯等。此外，有机膜652、654通过热沉积工艺形成。此外，用于形成有机膜652、654的热沉积工艺在不损害有机发光器件610的温度范围内进行。然而，本发明一实施方式并不限于此，并且有机膜652、654可通过本领域技术人员所公知的各种方法形成。
形成为具有细密的薄膜密度的无机膜651、653、655主要抑制水分或氧气的渗透。大部分的水分和氧气由于无机膜651、653、655而被阻止渗透到有机发光器件610。
薄膜封装层650可形成为10μm以下的厚度。因此，显示面板的整体厚度可形成得很薄。
上文中所述的本发明并不限于所阐述的实施方式和随附的视图，并且对于本领域普通技术人员显而易见的是，在不脱离本发明技术思想的范围内，能够进行各种置换、变型和改变。
附图标记说明
100：掩模框架 200：分割掩模
210：中央部 211：第一侧部
212：第二侧部
211a、211b、211c、212a、212b、212c：槽部
213：沉积图案部 213a：沉积图案
231，232：固定部 250：虚设图案

Claims (10)

1.掩模组件，包括：
掩模框架，所述掩模框架限定位于所述掩模框架的中央处的开口区域；
多个辅助部件，所述多个辅助部件固定至所述掩模框架的两端并且布置成以预定间距间隔开；以及
多个分割掩模，所述多个分割掩模固定至所述掩模框架的两端并且所述多个分割掩模中的每个具有第一侧部和第二侧部，
其中，所述第一侧部和所述第二侧部具有一个以上的槽部。
2.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述槽部形成为半圆形和多边形中的任一种形状。
3.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述分割掩模的所述第一侧部和所述第二侧部中的至少一个与所述辅助部件接触。
4.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述分割掩模包括：
沉积图案部；以及
固定部，所述固定部从所述沉积图案部延伸并固定至所述掩模框架的两端。
5.如权利要求4所述的掩模组件，其中，所述槽部布置在所述第一侧部和所述第二侧部中与所述多个辅助部件重叠的区域处。
6.如权利要求4所述的掩模组件，其中，所述分割掩模还包括：
虚设图案，所述虚设图案布置在所述分割掩模与所述多个辅助部件重叠的区域处。
7.如权利要求4所述的掩模组件，其中，所述固定部包括分支部。
8.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述分割掩模由金属构成。
9.如权利要求8所述的掩模组件，其中，所述分割掩模由不锈钢、因瓦合金、镍、钴、镍合金和镍钴合金中的任一种构成。
10.如权利要求1所述的掩模组件，其中，所述辅助部件与所述掩模框架呈一体。
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