CN102842582B - 平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于显示平板显示设备的底板、一种包括该底板的平板显示设备及一种制造该底板的方法。该底板包括：基底；像素电极，位于基底上，并包括透明导电材料；电容器第一电极，与像素电极形成在同一层；第一保护层，覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极；薄膜晶体管(TFT)的栅电极，形成在第一保护层上；电容器第二电极，与栅电极形成在同一层；第一绝缘层，覆盖栅电极和电容器第二电极；半导体层，形成在第一绝缘层上并包括透明导电材料；第二绝缘层，覆盖半导体层；TFT的源电极和漏电极，形成在第二绝缘层上；以及第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极并暴露像素电极。

Description

平板显示设备的底板、平板显示设备及制造该底板的方法
本申请要求于2011年5月20日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0047944号韩国专利申请的权益，该申请的公开通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种用于平板显示设备的底板、一种包括该底板的平板显示设备以及一种制造该用于平板显示设备的底板的方法。
背景技术
包括有机发光显示设备和液晶显示设备的平板显示设备形成在有源型底板上，所述底板包括形成在每个像素中的薄膜晶体管(TFT)和电容器，以实现高分辨显示。
因为氧化物半导体TFT具有高性能特性且能够在低温下被加工，所以氧化物半导体TFT被认为是能够应用到用于平板显示设备的底板的最优装置。然而，包括氧化物半导体TFT的用于平板显示设备的底板的制造工艺通常包括多个掩模工艺，从而增加了制造成本。
发明内容
为了解决上面和/或其他问题，本公开提供一种可以以简单工艺制造且具有高质量显示的用于平板显示设备的底板、一种包括所述底板的平板显示设备和一种制造所述底板的方法。
根据一方面，提供一种用于平板显示设备的底板，所述底板包括：基底；像素电极，位于基底上，并包括透明导电材料；电容器第一电极，与像素电极形成在同一层；第一保护层，覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极；薄膜晶体管(TFT)的栅电极，形成在第一保护层上；电容器第二电极，与栅电极形成在同一层；第一绝缘层，覆盖栅电极和电容器第二电极；半导体层，形成在第一绝缘层上且包括透明导电材料；第二绝缘层，覆盖半导体层；TFT的源电极和漏电极，形成在第二绝缘层上，其中，源电极和漏电极穿过第二绝缘层连接到半导体层，源电极和漏电极中的至少一个连接到像素电极；以及第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极，并暴露像素电极。
电容器第一电极可由与用于形成像素电极的材料相同的材料形成。
透明导电材料可以是从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选取的至少一种。
像素电极还可包括半透明金属层。
半透明金属层可包括银(Ag)。
第一保护层可以是绝缘层。
电容器第二电极可以由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成。
半导体层可包括从由镓Ga、铟In、锌Zn、铪Hf和锡Sn组成的组中选取的至少一种金属和氧O。
源电极和漏电极中的一个可以通过同时穿过第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层的通孔连接到像素电极。
第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层可形成暴露像素电极的上表面的开口，第一保护层形成的蚀刻表面与第一绝缘层和第二绝缘层形成的蚀刻表面可形成间隙。
底板还可包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层，其中，形成开口的第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。
第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层可形成暴露像素电极的上表面的开口，形成开口的第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。
底板还可包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层，其中，形成开口的第一保护层、第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层中的每个层的蚀刻表面处于同一平面。
底板还可包括位于第二绝缘层上的电容器第三电极。
根据另一方面，提供一种平板显示设备，该平板显示设备包括：上述的底板；对电极，面对像素电极；以及发光单元，形成在像素电极和对电极之间。
对电极可以是反射从发光单元发射的光的反射电极。
发光单元可包括有机发光层。
根据另一方面，提供一种制造用于平板显示设备的底板的方法，所述方法包括：通过第一掩模工艺在基底上形成像素电极和电容器第一电极；形成覆盖像素电极和电容器第一电极的第一保护层，并通过第二掩模工艺在第一保护层上形成电容器第二电极和TFT的栅电极；形成覆盖栅电极和电容器第二电极的第一绝缘层，并通过第三掩模工艺在与栅电极对应的位置上形成包括透明导电材料的半导体层；形成覆盖半导体层的第二绝缘层，并通过第四掩模工艺形成穿过第二绝缘层并暴露半导体层的一部分的接触孔并形成穿过第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层并暴露像素电极的一部分的通孔；通过第五掩模工艺形成覆盖接触孔和通孔的源电极和漏电极；以及形成覆盖源电极和漏电极的第三绝缘层，并通过第六掩模工艺在第三绝缘层中形成暴露像素电极的上表面的开口。
可由相同的材料在同一层形成像素电极和电容器第一电极。
可由相同的材料在同一层形成电容器第二电极和TFT的栅电极。
第二掩模工艺还可包括在第一保护层上形成面积比像素电极的面积小的第二保护层。
可由与用于形成栅电极和电容器第二电极的材料相同的材料形成第二保护层。
第四掩模工艺可包括通过去除第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露第二保护层的开口，其中，第五掩模工艺可包括去除第二保护层，第六掩模工艺可包括去除第一保护层。
第四掩模工艺可包括通过去除第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露第二保护层的开口，其中，第五掩模工艺可包括同时去除第一保护层和第二保护层。
第五掩模工艺可包括在与源电极和漏电极相同的层形成电容器第三电极。
在根据本发明实施例的底板、具有所述底板的平板显示设备、制造所述底板的方法中，使用的掩模的数量减少，因此，制造工艺可被简化。
因为第一保护层形成在像素电极上，所以可以防止在制造工艺过程中像素电极的损坏。
可以通过平行地形成电容器来增大电容，而不增大电容器的面积。
附图说明
通过参照附图对特定实施例的描述，上面和其他特征和优点将会变得更加明显，在附图中：
图1是有机发光显示设备的实施例的示意性剖视图；
图2A到图2F是示出制造图1的有机发光显示设备的方法的实施例的示意性剖视图；
图3是有机发光显示设备的另一实施例的示意性剖视图；
图4A和图4B是示出制造图3的有机发光显示设备的方法的另一实施例的示意性剖视图；
图5是根据对比示例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图6A到图6G是示出制造根据对比示例的图5的有机发光显示设备的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
现在，将参照附图更充分地描述本发明的特定实施例。在附图中，为了清楚起见，可放大层和区域的厚度，相同的标号通常指示相同的元件。
图1是有机发光显示设备1的示意性剖视图。图2A到图2F是示出制造图1的有机发光显示设备1的方法的实施例的示意性剖视图。
参照图1，在有机发光显示设备1中，具有发光层119的像素区域PXL1、具有薄膜晶体管(TFT)的薄膜晶体管(TFT)区域TFT1和具有电容器的电容器区域CAP1形成在基底10上。
在TFT区域TFT1中，形成有基底10和第一保护层12。在一些实施例中，基底10可以由透明材料形成，第一保护层12可由绝缘膜形成。
TFT的栅电极213形成在第一保护层12上。用作栅极绝缘膜的第一绝缘层14形成在栅电极213上，半导体层215形成在第一绝缘层14上。
在一些实施例中，半导体层215包括透明导电氧化物。所述透明导电氧化物可包括镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)中的至少一种。换句话说，半导体层215可包括从由镓(Ga)、铟(In)、锌(Zn)、铪(Hf)和锡(Sn)组成的组中选取的至少一种金属和氧(O)。在各种实施例中，透明导电氧化物可以是InGaZnO、ZnSnO、InZnO、InGaO、ZnO、TiO和铪-铟-锌氧化物(HIZO)中的一种。包括作为有源层的透明导电氧化物的氧化物半导体TFT具有高性能特性并能够利用低温工艺来制造，因此，被认为是用于平板显示设备的底板的最优装置。氧化物半导体TFT在可见光区域具有透明特性，且是柔性的。因此，氧化物半导体TFT可以被应用到透明显示设备或柔性显示设备。
覆盖半导体层215的第二绝缘层16被形成。通过穿过第二绝缘层16的接触孔C1连接到半导体层215的源电极和漏电极217形成在第二绝缘层16上。源电极和漏电极217中的一个通过同时穿过第一保护层12、第一绝缘层14和第二绝缘层16的通孔C2连接到像素区域PXL1的像素电极111的上边缘。
包括透明导电材料的像素电极111在像素区域PXL1中形成在基底10上。像素电极111可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。
像素电极111可形成为包括半透明金属层111a的多层，所述半透明金属层111a包括银(Ag)。如图1中所示，进一步地，像素电极111可包括：半透明金属层111a，包括银(Ag)；以及位于半透明金属层111a上的层111b，包括诸如ITO的透明导电材料。半透明金属层111a用作半透明镜，且可与用作反射镜的对电极120一起形成共振结构，因此，可以提高显示设备的光提取效率。
第一保护层12形成在像素电极111的上边缘上。第一保护层12可用作保护膜，用于防止在像素电极111的制造过程中像素电极111的劣化，且可用作电容器的介电膜。第一保护层12可以是由从SiNx、SiOx和SiON中选取的材料形成的各种绝缘膜中的一种。
第二保护层113通过利用与用于形成栅电极213的材料相同的材料形成在像素电极111的上边缘上。第一绝缘层14和第二绝缘层16顺序地堆叠在第二保护层113上。第二保护层113、第一绝缘层14和第二绝缘层16形成开口，用于暴露像素电极111。第二保护层113、第一绝缘层14和第二绝缘层16中的开口的蚀刻表面S1形成同一平面。第二保护层113可作为保护膜，用于防止在像素电极111的制造过程中像素电极111的劣化。
第三绝缘层18形成在第二绝缘层16上，暴露像素电极111的开口C4形成在第三绝缘层18中。第三绝缘层18和第一保护层12的蚀刻表面S2形成同一平面。因此，暴露像素电极111的第一保护层12和第二保护层113的蚀刻表面S2和S1可形成间隙G。
发光层119形成在像素电极111上，从发光层119产生的光穿过由透明导电材料形成的像素电极111朝向基底10发射。
发光层119可由低分子有机材料或聚合物有机材料形成。如果发光层119由低分子有机材料形成，则空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)可以在发光层119左右堆叠。另外，如果需要，可以堆叠各种层。低分子有机材料可以包括铜酞菁(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。在由聚合物有机材料形成发光层119的实施例中，还可以将空穴传输层HTL包括到发光层119。所述HTL可以由聚-(3，4)-乙撑-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)形成。有机材料可以是诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)和聚芴的聚合有机材料。
作为共电极的对电极120形成在发光层119上。在一些实施例中，像素电极111被用作阳极，对电极120被用作阴极。在其他实施例中，像素电极111和对电极120的极性可以颠倒。
对电极120可被形成为包括反射性材料的反射电极。对电极120可包括Al、Mg、Li、Ca、LiF/Ca和LiF/Al中的至少一种。因为对电极120是反射电极，所以从发光层119产生的光被对电极120反射，且穿过由透明导电材料形成的像素电极111朝向基底10发射。如果像素电极111还包括包括银Ag的半透明金属层111a，则半透明金属层111a可作为半透明镜，且可与作为反射镜的对电极120一起形成共振结构，从而提高有机发光显示设备1的光提取效率。
在电容器区域CAP1中，电容器第一电极311和电容器第二电极313被设置在基底10上，第一保护层12置于电容器第一电极311和电容器第二电极313之间。
使用与用于形成像素电极111的材料相同的材料将电容器第一电极311形成在与像素电极111相同的层。使用与用于形成栅电极213的材料相同的材料将电容器第二电极313形成在与栅电极213相同的层。第一保护层12用作介电膜。在一些实施例中，因为在用于形成像素电极111的同一掩模工艺中形成电容器第一电极311，并在用于形成栅电极213的同一掩模工艺中形成电容器第二电极313，所以可以简化制造工艺。
第一绝缘层14和第二绝缘层16顺序地堆叠在电容器第二电极313上，电容器第三电极317与源电极和漏电极217形成在同一层。电容器第三电极317可由与用于形成源电极和漏电极217的材料相同的材料形成，且可形成在第二绝缘层16上。因为电容器第一电极311和电容器第二电极313形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所以当电容器的面积增大以增大电容时，显示设备的开口率会减少。然而，当电容器第三电极317被额外地形成时，由于电容器第三电极317与电容器第一电极311和电容器第二电极313平行地连接，所以电容增大。因此，即使电容器的面积减少，减少的电容也可被补偿。
覆盖源电极和漏电极217以及电容器第三电极317的第三绝缘层18被形成，暴露像素电极111的开口C4在第三绝缘层18中形成。
下面，将参照图2A到图2F描述制造有机发光显示设备1的方法的实施例。
图2A和图2F是示出制造图1的有机发光显示设备1的方法的实施例的示意性剖视图。
参照图2A，在第一掩模工艺中，在基底10上同时形成像素电极111和电容器第一电极311。在基底10上还可形成包括SiO2和/或SiNx的缓冲层(未示出)，以向基底10提供平面度，并阻碍外来元素渗透到基底10中。
虽然制造工艺没有在图2A中详细地示出，但是图2A示出了以下过程的结果：在基底上沉积透明导电材料并在透明导电材料上涂覆光致抗蚀剂(未示出)之后，通过使用第一掩模(未示出)的光刻工艺同时图案化出像素电极111和电容器第一电极311。使用光刻的第一掩模工艺包括在使用曝光设备(未示出)对第一掩模(未示出)曝光之后的一系列工艺，诸如显影、蚀刻、剥离或灰化。下面，使用光刻的相同的掩模工艺将不再重复描述。
图2B是有机发光显示设备1的实施例的第二掩模工艺的结果的剖视图。
在第一掩模工艺的所得的产物上形成第一保护层12，在第一保护层12上同时形成第二保护层113、栅电极213和电容器第二电极313。第二保护层113不形成在通孔C2接触像素电极111的区域中。因此，第二保护层113具有比像素电极111的面积小的面积。
图2C是有机发光显示设备1的实施例的第三掩模工艺的所得的产物的剖视图。
在第二掩模工艺的所得的产物上形成第一绝缘层14，在第一绝缘层14上形成半导体层215。半导体层215可包括透明导电氧化物。
图2D是有机发光显示设备1的实施例的第四掩模工艺的所得的产物的剖视图。
在第三掩模工艺的所得的产物上形成第二绝缘层16，并形成接触孔C1和通孔C2。在与像素电极111的上侧对应的区域中，通过去除第一绝缘层14和第二绝缘层16来形成暴露第二保护层113的上表面的开口C3。因为第二保护层113没有被去除而是留在像素电极111上方，所以当形成接触孔C1、通孔C2和开口C3时，第二保护层113保护第一保护层12和像素电极111。
图2E是有机发光显示设备1的实施例的第五掩模工艺的所得的产物的剖视图。
在沉积用于形成覆盖接触孔C1、通孔C2和开口C3的源电极和漏电极217的金属材料之后，通过图案化所述金属材料形成源电极和漏电极217以及电容器第三电极317。
用于形成源电极和漏电极217的金属材料还沉积在第四掩模工艺中形成的开口C3上。所述金属材料与第二保护层113一起被去除。在这点上，如果用于形成第二保护层113的材料是与用于形成源电极和漏电极217的材料相同的材料，则第二保护层113和所述金属材料通过单个的蚀刻工艺被去除。如果第二保护层113由与用于形成源电极和漏电极217的材料不同的材料形成，则可以执行多个蚀刻工艺。
在一些实施例中，在从形成在像素电极111上的开口C3去除用于形成源电极和漏电极217的材料的同时，第一保护层12保护像素电极111。
图2F是有机发光显示设备1的实施例的第六掩模工艺的所得的产物的剖视图。
在第五掩模工艺的所得的产物上形成第三绝缘层18，通过去除第三绝缘层18的一部分来形成暴露像素电极111的上表面的开口C4。形成在像素电极111上的第一保护层12也被去除。因此，第三绝缘层18和第一保护层12可以形成同一蚀刻表面S2。
现在，将参照图3描述另一实施例，即有机发光显示设备2。
图3是另一实施例-有机发光显示设备2的示意性剖视图。图4A和图4B是示出制造图3的有机发光显示设备2的方法的实施例的示意性剖视图。下面，将主要描述与有机发光显示设备1的区别。
图4A和图4B是分别示出有机发光显示设备2的第五掩模工艺和第六掩模工艺的示意性剖视图。与参照图1的有机发光显示设备1描述的一样，执行有机发光显示设备2的第一掩模工艺到第四掩模工艺。
参照图4A，在沉积用于形成覆盖接触孔C1、通孔C2和开口C3(在第四掩模工艺中形成)的源电极和漏电极217的金属材料之后，通过图案化所述金属材料形成源电极和漏电极217以及电容器第三电极317。
用于形成源电极和漏电极217的金属材料还沉积在第四掩模工艺中的开口C3中。将开口C3中的所述金属材料与第二保护层113和第一保护层12一起去除。因此，因为在同一掩模工艺中蚀刻第二保护层113和第一保护层12，所以第二保护层113和第一保护层12具有同一蚀刻表面S3。
参照图4B，在第五掩模工艺的所得的产物上形成第三绝缘层18，通过去除第三绝缘层18的一部分来形成暴露像素电极111的上表面的开口C4。
因此，在有机发光显示设备2中，因为在第五掩模工艺中将第一保护层12与第二保护层113一起去除，所以第一保护层12和第二保护层113具有同一蚀刻表面S3。
下面，将参照图5和图6A到图6G来描述对比示例。图5是根据对比示例的有机发光显示设备3的示意性剖视图。图6A到图6G是示出制造图5的有机发光显示设备3的对比示例的方法的示意性剖视图。
图6A是有机发光显示设备3的第一掩模工艺的结果的示意性剖视图。参照图6A，在第一掩模工艺中，在基底40上同时形成TFT的栅电极41和电容器第一电极51。
图6B是有机发光显示设备3的第二掩模工艺的结果的示意性剖视图。参照图6B，在第一掩模工艺的所得的产物上形成第一绝缘层42，在第一绝缘层42上形成包括透明导电氧化物的半导体层43。
图6C是有机发光显示设备3的第三掩模工艺的结果的示意性剖视图。参照图6C，在第二掩模工艺的所得的产物上形成第二绝缘层44，形成暴露部分半导体层43的接触孔C5。
图6D是有机发光显示设备3的第四掩模工艺的结果的示意性剖视图。参照图6D，在沉积用于形成覆盖接触孔C5的源电极和漏电极45的材料之后，通过图案化所述材料形成源电极和漏电极45。还同时形成电容器第三电极55。
图6E是有机发光显示设备3的第五掩模工艺的结果的示意性剖视图。参照图6E，在第四掩模工艺的所得的产物上形成第三绝缘层46，形成暴露源电极和漏电极45中的一个的通孔C6。
图6F是有机发光显示设备3的第六掩模工艺的结果的示意性剖视图。参照图6F，在沉积用于形成覆盖通孔C6(在第五掩模工艺中形成)的像素电极47的材料之后，通过图案化所述材料形成像素电极47。
图6G是有机发光显示设备3的第七掩模工艺的结果的示意性剖视图。参照图6G，在第六掩模工艺的所得的产物上形成第四绝缘层48，通过去除第四绝缘层48的一部分来形成暴露像素电极47的上表面的开口C7。
参照图5，在于第七掩模工艺中形成的开口C7中形成发光层49和对电极50。
在有机发光显示设备3的对比示例中，为了制造包括底栅型氧化物半导体的底板，掩模工艺被执行总共七次。然而，在有机发光显示设备1和有机发光显示设备2的实施例中，为了制造包括底栅型氧化物半导体的底板，掩模工艺被执行包括用于暴露像素电极111的第五掩模工艺的总共六次，或者包括通过图案化第三绝缘层18和第一保护层12而形成暴露像素电极111的开口C4的第六掩模工艺的总共六次。因此，由于掩模工艺的减少，所以制造成本可以极大地降低。
参照有机发光显示设备描述了本发明的实施例，但是本发明不限于此。本发明还可以应用于发光层包括液晶的液晶显示设备。本发明还可以应用于各种类型的显示设备。
虽然已经参照本发明的特定实施例具体地示出并描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在此进行形式和细节上的各种改变。

Claims (25)

1.一种用于平板显示设备的底板，所述底板包括：
基底；
像素电极，位于基底上，并包括透明导电材料；
电容器第一电极，与像素电极形成在同一层；
第一保护层，覆盖像素电极的上边缘和电容器第一电极；
薄膜晶体管的栅电极，形成在第一保护层上；
电容器第二电极，与栅电极形成在同一层；
第一绝缘层，覆盖栅电极和电容器第二电极；
半导体层，形成在第一绝缘层上并包括透明导电氧化物；
第二绝缘层，覆盖半导体层；
薄膜晶体管的源电极和漏电极，形成在第二绝缘层上，其中，源电极和漏电极穿过第二绝缘层连接到半导体层，源电极和漏电极中的至少一个连接到像素电极；以及
第三绝缘层，覆盖源电极和漏电极，并暴露像素电极。
2.如权利要求1所述的底板，其中，电容器第一电极由与用于形成像素电极的材料相同的材料形成。
3.如权利要求1所述的底板，其中，透明导电材料是从由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌组成的组中选取的至少一种。
4.如权利要求1所述的底板，其中，像素电极还包括半透明金属层。
5.如权利要求4所述的底板，其中，半透明金属层包括银。
6.如权利要求1所述的底板，其中，第一保护层是绝缘层。
7.如权利要求1所述的底板，其中，电容器第二电极由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成。
8.如权利要求1所述的底板，其中，透明导电氧化物是InGaZnO、ZnSnO、InZnO、InGaO、ZnO、TiO和铪-铟-锌氧化物中的一种。
9.如权利要求1所述的底板，其中，源电极和漏电极中的一个通过同时穿过第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层的通孔连接到像素电极。
10.如权利要求1所述的底板，其中，第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露像素电极的上表面的开口，第一保护层形成的蚀刻表面与第一绝缘层和第二绝缘层形成的蚀刻表面形成间隙。
11.如权利要求10所述的底板，所述底板还包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层，其中，被蚀刻以形成开口的第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层的侧壁处于同一平面。
12.如权利要求1所述的底板，其中，第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露像素电极的上表面的开口，被蚀刻以形成开口的第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层的侧壁处于同一平面。
13.如权利要求12所述的底板，所述底板还包括在第一保护层和第一绝缘层之间由与用于形成栅电极的材料相同的材料形成的第二保护层，其中，被蚀刻以形成开口的第一保护层、第二保护层、第一绝缘层和第二绝缘层的侧壁处于同一平面。
14.如权利要求12所述的底板，所述底板还包括位于第二绝缘层上的电容器第三电极。
15.一种平板显示设备，所述平板显示设备包括：
如权利要求1所述的底板；
对电极，面对像素电极；以及
发光单元，形成在像素电极和对电极之间。
16.如权利要求15所述的平板显示设备，其中，对电极是反射从发光单元发射的光的反射电极。
17.如权利要求15所述的平板显示设备，其中，发光单元包括有机发光层。
18.一种制造用于平板显示设备的底板的方法，所述方法包括：
通过第一掩模工艺在基底上形成像素电极和电容器第一电极；
形成覆盖像素电极和电容器第一电极的第一保护层，并通过第二掩模工艺在第一保护层上形成电容器第二电极和薄膜晶体管的栅电极；
形成覆盖栅电极和电容器第二电极的第一绝缘层，并通过第三掩模工艺在与栅电极对应的位置上形成包括透明导电氧化物的半导体层；
形成覆盖半导体层的第二绝缘层，并通过第四掩模工艺形成穿过第二绝缘层并暴露半导体层的一部分的接触孔并形成穿过第一保护层、第一绝缘层和第二绝缘层并暴露像素电极的一部分的通孔；
通过第五掩模工艺形成覆盖接触孔和通孔的源电极和漏电极；以及
形成覆盖源电极和漏电极的第三绝缘层，并通过第六掩模工艺在第三绝缘层中形成暴露像素电极的上表面的开口。
19.如权利要求18所述的方法，其中，由相同的材料在同一层形成像素电极和电容器第一电极。
20.如权利要求18所述的方法，其中，由相同的材料在同一层形成电容器第二电极和薄膜晶体管的栅电极。
21.如权利要求18所述的方法，其中，第二掩模工艺包括在第一保护层上形成面积比像素电极的面积小的第二保护层。
22.如权利要求21所述的方法，其中，由与用于形成栅电极和电容器第二电极的材料相同的材料形成第二保护层。
23.如权利要求21所述的方法，其中，第四掩模工艺包括通过去除第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露第二保护层的开口，其中，第五掩模工艺包括去除第二保护层，第六掩模工艺包括去除第一保护层。
24.如权利要求21所述的方法，其中，第四掩模工艺包括通过去除第一绝缘层和第二绝缘层形成暴露第二保护层的开口，其中，第五掩模工艺包括同时去除第一保护层和第二保护层。
25.如权利要求18所述的方法，其中，第五掩模工艺包括在与源电极和漏电极相同的层形成电容器第三电极。
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