CN107815640B - 掩模和制造包括掩模的掩模组件的方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及掩模和制造掩模组件的方法，掩模包括：具有在长度方向上彼此面对的一个端部和另一端部并且具有在厚度方向上彼此面对的第一表面和第二表面的主体，以及处于所述一个端部和所述另一端部之间的图案区域，图案区域包括多个图案孔和处于多个图案孔之间的多个肋状部，其中掩模的、定义为从与主体的中心相切的平面到主体的一个端部或主体的另一端部的最短距离的卷曲值是1000μm到4000μm。

Description

掩模和制造包括掩模的掩模组件的方法

相关申请的交叉引用

于2016年9月12日提交至韩国知识产权局且标题为“Mask and Method ofManufacturing Mask Assembly Including the Same(掩模和制造包括掩模的掩模组件的方法)”的第10-2016-0117572号韩国专利申请通过引用以其整体并入本文。

技术领域

实施方式涉及掩模和制造包括所述掩模的掩模组件的方法。

背景技术

作为平板显示器的一种的有机发光显示设备是有源发光显示设备，具有广视角和良好的对比度，以及能够以低电压被驱动。此外，有机发光显示设备由于它具有快速的响应速度而作为下一代显示设备引起相当大的关注。

发明内容

实施方式指向掩模以及制造包括掩模的掩模组件的方法。

实施方式可通过提供这样的掩模来实现，所述掩模包括主体和图案区域，其中，主体包括在长度方向上彼此面对的一个端部和另一端部并且具有在厚度方向上彼此面对的第一表面和第二表面；图案区域处于一个端部和另一端部之间，图案区域包括多个图案孔和处于多个图案孔之间的多个肋状部，其中掩模的、定义为从与主体的中心相切的平面到主体的一个端部或主体的另一端部的最短距离的卷曲值是1000μm到4000μm。

主体可包含镍和铁，并且基于镍和铁的总重量，镍的含量可以是35wt％到40wt％。

多个肋状部中的至少一个的厚度可以是6μm到10μm。

主体可包括在一个端部处的第一焊接区域以及在另一端部处的第二焊接区域。

第一焊接区域和第二焊接区域中的至少一个的厚度可大于多个肋状部中的至少一个的厚度。

第一焊接区域和第二焊接区域中的至少一个的厚度可以是6μm到40μm。

多个肋状部中的每个肋状部可包括具有第一长度的上表面和具有第二长度的下表面，第二长度长于第一长度。

实施方式可通过提供这样的掩模来实现，所述掩模包括：在掩模的一个端部处的第一焊接区域；在掩模的另一端部处的第二焊接区域，掩模的所述另一端部在长度方向上面对掩模的所述一个端部；以及处于第一焊接区域和第二焊接区域之间的图案区域，其中图案区域包括多个肋状部，所述多个肋状部中的每个肋状部包括具有第一长度的上表面和具有长于第一长度的第二长度的下表面，以及其中掩模的、定义为从与掩模的中心相切的平面至第一焊接区域和第二焊接区域之一的最短距离的卷曲值是1000μm到4000μm。

第一焊接区域、第二焊接区域和图案区域中的每一个可包含镍和铁，而且基于镍和铁的总重量，第一焊接区域、第二焊接区域和图案区域中的镍的含量可以是35wt％至40wt％。

第一焊接区域和第二焊接区域中的至少一个的厚度可等于或大于图案区域的厚度。

图案区域的厚度可以是6μm至10μm。

实施方式可通过提供制造掩模组件的方法实现，所述方法包括：形成掩模使得掩模具有在厚度方向上彼此面对的一个表面和另一个表面；以及将掩模附接至掩模框架，使得掩模的所述一个表面与掩模框架接触，其中掩模的、定义为从与掩模的中心相切的平面至掩模的一个端部或掩模的另一端部的最短距离的卷曲值是1000μm到4000μm。

所述方法还可包括：在形成掩模之后使掩模在长度方向上伸展，其中附接至掩模框架的掩模具有0μm至400μm的卷曲值。

在使掩模伸展的过程中，通过0.4Kgf至6.0Kgf的拉伸合力使掩模伸展。

掩模可包含镍和铁，而且基于镍和铁的总重量，掩模中的镍的含量可以是35wt％到40wt％。

掩模可包括：在长度方向上处于掩模的一个端部处的第一焊接区域，设置在掩模的、在长度方向上面对所述一个端部的另一端部处的第二焊接区域，以及处于第一焊接区域和第二焊接区域之间的图案区域，而且在形成掩模的过程中，第一焊接区域和第二焊接区域中的至少一个的厚度可等于或大于图案区域的厚度。

图案区域的厚度可以是6μm至10μm。

形成掩模可包括：在衬底上形成光刻胶层；在光刻胶层上形成光掩模并且利用光掩模对光刻胶层的至少一部分执行光刻过程，以形成彼此间隔开的多个光刻胶图案；在多个光刻胶图案之间形成金属层；以及移除多个光刻胶图案和衬底。

形成金属层可包括：对金属层施加恒定电流。

可利用金属镀液来形成金属层，以及基于金属镀液的总重量以1wt％至10wt％的量来形成金属层。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，对于本领域技术人员而言特征将变得显而易见，在附图中：

图1示出根据实施方式的掩模的立体图；

图2示出沿着图1的线I-I′截取的剖视图；

图3示出更详细地显示图2的区域A的视图；

图4示出沿着图1的线II-II′截取的剖视图；

图5示出根据实施方式的掩模组件的立体图；

图6A示出示意性地显示具有(+)卷曲值的掩模的侧视图；

图6B示出示意性地显示具有(-)卷曲值的掩模的侧视图；

图7示出显示根据实施方式的沉积装置的示意图；

图8示出将在附接前和附接后根据实施方式的掩模的卷曲值进行比较的图形；

图9A和图9B示出显示由根据对比实施方式的掩模组件造成的阴影现象的视图；

图10A和图10B示出显示由根据实施方式的掩模组件减小的阴影现象的情况的视图；

图11示出显示根据在掩模附接至掩模框架之前掩模的镍含量比，在掩模附接至掩模框架之后掩模组件的阴影现象的视图；

图12示出显示根据在掩模附接至掩模框架之前掩模的厚度，在掩模附接至掩模框架之后掩模组件的阴影现象的视图；以及

图13至图18示出制造掩模的方法中的阶段的剖视图。

具体实施方式

现在将参照附图在下文中更充分地描述示例性实施方式；然而，它们能够以不同的形式来实现并且不应解释为限于本文所阐述的实施方式。更准确地说，这些实施方式被提供以使得本公开将是透彻和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达示例性实施例。

在以下描述中，出于说明的目的，阐述诸多具体细节以提供对各示例性实施方式的彻底理解。然而，显而易见，可以在没有这些具体细节的情况下或者在具有一个或多个等同布置的情况下实施各示例性实施方式。在其他情况下，为了避免不必要地混淆各种示例性实施方式，以框图形式示出公知的结构和设备。

在附图中，出于清楚和描述性的目的，可能夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，相同的参考标记表示相同的元件。

当元件或层被称为在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层时，它可直接在另一元件或层上、连接至或联接至另一元件或层，或者还可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为直接在另一元件或层上、直接连接至或直接联接至另一元件或层时，不存在中间元件或层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“X、Y或Z”可解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多的任意组合，诸如，例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。相同的标号始终表示相同的元件。如本文所使用的那样，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任意和全部组合。

尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各元件、组件、区域、层和/或剖面，但是这些元件、组件、区域、层和/或剖面不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或剖面与另一元件、组件、区域、层和/或剖面区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或剖面可称为第二元件、组件、区域、层和/或剖面。

空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等，可出于描述性的目的在本文中使用，并且因此，描述如图所示的一个元件或特征对另一元件或特征的关系。除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件于是将定向为在其他元件或特征的“上方”。因此，示例性术语“下方”可涵盖上方和下方两种定向。此外，装置可另行定向(例如，旋转90度或处于其他定向处)，并且如此一来，在本文中使用的空间相对描述语应相应地进行解释。

本文所使用的术语是出于描述具体实施方式的目的，而并非旨在进行限制。除非上下文明确地另行指出，否则单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在也包括复数形式。另外，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时指出存在所阐述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合，而不排除存在或添加一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合。

本文中参照作为理想化示例性实施方式和/或中间结构的示意图的剖视图描述了各示例性实施方式。如些一来，要预想到例如由于制造技术和/或公差而引起的、从附图的形状的变动。因此，本文公开的示例性实施方式不应解释为局限于具体示出的区域形状，而是包括例如因制造而造成的形状偏差。例如，示为长方形的植入区域通常将具有圆滚的或弯曲的特征和/或在其边缘处具有植入浓度梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样地，通过植入形成的埋入区域可在埋入区域和通过其发生植入的表面之间的区域中导致一些植入。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状并且并非旨在进行限制。

除非另行定义，否则本文使用的全部术语(包括技术术语和科技术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。除非本文明确定义成这样，否则术语，诸如在通常使用的词典中定义的那些术语，应解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不在理想化或过于正式的意义上进行解释。

在下文中，将参照附图详细描述实施方式。

图1示出根据实施方式的掩模的立体图。

掩模100在长度方向上可包括端部部分或端部，在厚度方向上可包括表面，以及在宽度方向上可包括端部部分或端部。这里，长度方向可以是第一方向X，厚度方向可以是第二方向Y，以及宽度方向可以是第三方向Z。在本说明书中，长度方向定义为稍后将描述的掩模100的伸展方向。因此，当掩模100的宽度小于掩模100的长度时，掩模100的尺寸、形状和结构不限于图1中所示的那些。

在实施方式中，掩模100可以是磁性薄膜。掩模100可包含镍(Ni)和铁(Fe)。在实施例中，基于镍(Ni)和铁(Fe)的总重量，掩模100中的镍(Ni)的含量可以是例如35wt％到40wt％。

掩模100可包括主体110。掩模100可包括例如处于主体110中的多个图案120。

主体110可包括第一表面110a和第二表面110b，其中，第一表面110a是在第二方向Y(厚度方向)上的一个表面，第二表面110b面对第一表面110a。第一表面110a可以是在其上设置有沉积材料的表面，其中所述沉积材料来自下面要描述的沉积源(400，参照图7)。第二表面110b可以是直接与衬底(300，参照图7)接触的表面。

掩模100可划分为或者可包括例如定位在长度方向上的两个端部处的第一焊接区域G1和第二焊接区域G2，以及在第一焊接区域G1和第二焊接区域G2之间的图案区域G3。

第一焊接区域G1和第二焊接区域G2可以是附接至下面要描述的掩模框架200的区域。在实施例中，第一焊接区域G1和第二焊接区域G2可通过例如激光焊接、电阻加热焊接等附接至掩模框架200。例如，当在第一方向X上施加预定拉伸力的状态中，因为第一焊接区域G1和第二焊接区域G2分别地焊接在掩模框架200上，所以掩模100可固定在掩模框架200上。第一焊接区域G1可与第二焊接区域G2对称。在实施例中，根据掩模框架200的形状等，第一焊接区域G1和第二焊接区域G2可在形状、尺寸等方面彼此不同。在下文中，在本说明书中，表述“附接”将定义为两个组件通过焊接组合的含义。

第一焊接区域G1可包括第一夹持部分130a和第二夹持部分130b。第二焊接区域G2可包括第三夹持部分130c和第四夹持部分130d。如上所述，掩模100可通过沿着第一方向X施加预定力而伸展。在实施例中，施加到掩模100的拉伸合力可以是例如大约0.4Kgf到6.0Kgf。这里，拉伸合力是指施加到第一夹持部分130a至第四夹持部分130d的拉伸力的合力。例如，第一夹持部分130a至第四夹持部分130d可设置为用于夹住掩模100。第一夹持部分130a至第四夹持部分130d可在焊接完成之后进行切割。

图案区域G3中可设置有多个图案120。多个图案120可沿着第一方向X以预定距离彼此隔开。在实施例中，如图1所示，多个图案120的数量可以是五个。

多个图案120中的每一个可包括多个图案孔121和多个肋状部122。多个图案孔121可传输沉积材料。多个肋状部122可设置在多个图案孔121之间。可包括合适的数量和尺寸的图案孔121。

在实施方式中，与图案区域G3相比，可在第一焊接区域G1和第二焊接区域G2中另行执行镀覆工艺。因此，第一焊接区域G1和第二焊接区域G2的厚度可与图案区域G3不同。在实施例中，图案区域G3的厚度可以是例如大约6μm至10μm。在实施例中，第一焊接区域G1和第二焊接区域G2中的每一个的厚度可以是例如大约10μm至40μm。这将参照图3在下面进行描述。

掩模100可具有例如大约1000μm到4000μm的卷曲值(curl value)。这里，卷曲值是指在掩模100附接至掩模框架200之前的卷曲值。例如，卷曲值是指衬底300和掩模100的一个端部之间的最短间隔距离。这将参照图5在下面进行描述。

掩模100可通过电镀来形成。稍后将参照图13至图18描述制造掩模100的方法。

图2示出沿着图1的线I-I′截取的剖视图。图3更具体示出显示图2的区域A的视图。

参照图2和图3，图案120可包括多个图案孔121和多个肋状部122。在实施例中，多个图案孔121可与多个肋状部122交替排列。沿着图1的第三方向Z截取的肋状部122可具有平行四边形或梯形剖面。肋状部122的上表面122a可在与主体110的第一表面110a相同的一侧。肋状部122的下表面122b可在与主体110的第二表面110b相同的一侧。肋状部122的上表面122a的长度d1可短于肋状部122的下表面122b的长度d2(d1<d2)。肋状部122的厚度h1可等于图案区域G3的厚度。

图案孔121可包括虚拟上表面(例如，上部开口)121a和虚拟下表面(例如，下部开口)121b。图案孔121可设置在至少两个肋状部122之间。例如，肋状部122的上表面122a的长度d1可短于肋状部122的下表面122b的长度d2，以及图案孔121的虚拟上表面121a的长度d3可长于图案孔121的虚拟下表面121b的长度d4(d3>d4)。图案孔121的上部开口121a可在与主体110的第一表面110a相同的一侧，沉积材料被施加到第一表面110a。定义为从图案孔121的上部开口121a至图案孔121的下部开口121b的最短距离的深度h2可等于肋状部122的厚度h1和图案区域G3的厚度。在下文中，图案区域G3的厚度还由h1表述。

如上所述，图案区域G3的厚度可以是大约6μm至10μm，并且肋状部122的厚度h1和图案孔121的深度h2中的每一个可以是大约6μm至10μm。

图4示出沿着图1的线II-II′截取的剖视图。然而，为了便于解释，将在图4上示出仅仅两个图案120。此外，可能省略重复的描述。

参照图4，沿着图1的第一方向X截取的肋状部122可具有平行四边形或梯形剖面。例如，肋状部122可具有四棱台的形状。因此，肋状部122的上表面122a和下表面122b中的每一个都可具有方形。

第一焊接区域G1和第二焊接区域G2中的每一个的厚度h3可大于图案区域G3的厚度h1。例如，第一焊接区域G1和第二焊接区域G2中的每一个可通过执行另外的镀覆工艺来形成，并且第一焊接区域G1和第二焊接区域G2中的每一个的厚度h3可不同于图案区域G3的厚度h1。在实施方式中，图案区域G3的厚度h1可以是大约6μm至10μm。在实施例中，第一焊接区域G1和第二焊接区域G2中的每一个的厚度h3可以是大约6μm至40μm。例如，第一焊接区域G1和第二焊接区域G2中的每一个的厚度h3可等于图案区域G3的厚度h1，或者可大于图案区域G3的厚度h1。

图5示出根据实施方式的掩模组件的立体图。可省略与图1至图4重叠的重复描述。

参照图5，掩模组件10可包括多个掩模100和掩模框架200。

掩模框架200可包括第一支撑部分201至第四支撑部分204或者第一支撑区域201至第四支撑区域204。第一支撑部分201和第二支撑部分202可设置为沿着第一方向X彼此隔开。在实施方式中，第一支撑部分201和第二支撑部分202可设置为彼此平行。第三支撑部分203和第四支撑部分204可设置为沿着第三方向Z彼此隔开。在实施方式中，第三支撑部分203和第四支撑部分204可设置为彼此平行。第一支撑部分201至第四支撑部分204的端部可彼此连接以形成掩模组件10的外部框架(例如，连续的外框架)。掩模框架200还可包括通过将第一支撑部分201至第四支撑部分204彼此连接而形成的开口205。在实施例中，如图5所示，掩模框架200可具有大致的矩形形状。

掩模框架200可由刚性金属制成以减小当焊接多个掩模100时发生的变形。

多个掩模100中的每一个的第一焊接区域G1和第二焊接区域G2可由第一支撑部分201和第二支撑部分202支撑。多个掩模100的图案区域G3可与开口205重叠。多个掩模100可覆盖整个开口205。

在实施例中，当将多个掩模100附接至掩模框架200时，第一表面110a可与第一支撑部分201和第二支撑部分202接触。例如，多个掩模100可形成为使得施加有沉积材料的第一表面110a在第二方向Y上定向成与第一支撑部分201和第二支撑部分202接触。多个掩模100可设置为沿着第三方向Z彼此相邻。在实施方式中，多个掩模100可设置为使得侧面直接彼此接触，或者可以预定间隔彼此间隔开。

在附接至掩模框架200之前，多个掩模100中的每一个可具有大约1000μm到4000μm的卷曲值。当将多个掩模100附接至掩模框架200时，相应的掩模100可通过沿着第一方向X施加力而伸展，并且之后可附接至掩模框架200。例如，附接至掩模框架200的掩模100可具有(+)卷曲值。在实施例中，在进行附接之后掩模100的卷曲值可以是例如大约0μm至400μm。

在下文中，将参照图6A和图6B描述卷曲或卷曲值的定义。

图6A示出示意性地显示具有(+)卷曲值的掩模的侧视图。图6B示出示意性地显示具有(-)卷曲值的掩模的侧视图。这里，第一参考表面C1和第二参考表面C2可表示虚拟表面或参考表面。

参照图6A，掩模100可相对于第一参考表面C1具有预定曲率半径。例如，掩模100的两个端部可与第一参考表面C1隔开预定距离。这里，第一参考表面C1可以是与掩模100的第二表面110b接触的表面。例如，第一参考表面C1可以是下面要描述的衬底(300，参照图7)的一个表面或者在掩模100下面的合适的平坦表面(例如，在掩模100的中心处与掩模100的曲线相切的平面)。掩模100的两个端部翘曲成与衬底300的一个表面隔开预定距离的情况可定义为(+)卷曲。此外，所隔开的距离I1与(+)卷曲值对应。

参照图6B，掩模100的两个端部可在朝向第一参考表面C1的方向上翘曲。例如，掩模100可相对于第二参考表面C2具有预定曲率半径。这里，第二参考表面C2可以是与掩模100的第一表面110a接触的表面(例如，在掩模100的中心处与掩模100的曲线相切的平面)。例如，第二参考表面C2可形成在沉积源400(下面要描述)所处的方向上。掩模100的两个端部翘曲成与第二参考表面C2隔开预定距离的情况可定义为(-)卷曲，其中第二参考表面C2形成在沉积源400所处的方向上。例如，所隔开的距离I2与(-)卷曲值对应。

在本说明书中，当卷曲值为(-)时，“-”添加至数值。例如，当卷曲为(+)和1000μm时，卷曲值可通过1000μm来表达。例如，当卷曲为(-)和1000μm时，卷曲值可通过-1000μm来表达。当卷曲值是0时，它意味着掩模100的曲率是0。

掩模100的卷曲可由掩模100的种类或者在形成掩模100、使掩模100伸展或将掩模100附接至掩模框架200的过程中的内部镀覆应力或拉伸来产生。

这将参照图8更详细地描述。

首先，将参照图7描述沉积装置和利用沉积装置的沉积过程。

图7示出显示根据实施方式的沉积装置的示意图。可省略与参照图1至图6描述的内容重叠的内容。此外，在图7中，为了便于解释，掩模100可具有三个图案120。

参照图7，沉积装置可包括腔室20、沉积源400、磁性板600和挤压板500。

腔室20中可设置有沉积源400、掩模组件10、磁性板600和挤压板500。

沉积源400可在朝向衬底300的一侧的方向上施加沉积材料。掩模组件10可设置在衬底300的一侧上。掩模组件10可包括掩模100和附接至掩模100的掩模框架200。这里，掩模100可设置为使得掩模100的第一表面110a定位成面向沉积源400，并且掩模100的第二表面110b与衬底300接触。

因此，掩模100可设置成使得图案孔(121，参照图3)的上部开口121a定位成朝向沉积源400或者朝向沉积源400打开，并且因此可有效地从沉积源400接收沉积材料。

磁性板600可设置在衬底300的另一侧上。磁性板600可利用磁力使设置在衬底300的一侧上的掩模组件10与衬底300紧密接触。挤压板500可插置在磁性板600和衬底300之间。在磁性板600将磁力施加至掩模组件10之前，挤压板500可有助于提高衬底300和掩模组件10之间的粘附力。

图8示出将在附接之前和在附接之后根据实施方式的掩模的卷曲值进行比较的图形。图8中所示的方块表示一个掩模，并且作为结果，图8示出多个掩模的卷曲值的分布。

在将掩模100附接至掩模框架200之前，根据实施方式的掩模100的卷曲值可以是大约1000μm到4000μm。接着，掩模100可伸展，并且之后通过焊接附接至掩模框架200。附接的掩模100的卷曲值可以为(+)或0。在将掩模100附接至掩模框架200之后，掩模100的卷曲值可以是大约0μm至400μm。因此，可有利地减少不合期望的阴影现象。在实施例中，拉伸合力可以是例如每个掩模100大约0.4Kgf至6.0Kgf。

参照图8，可以看出，在当掩模100附接至掩模框架200之前掩模100的卷曲值处于1000μm和4000μm之间的情况中，当掩模100附接至掩模框架200时，掩模100的卷曲值可以是0μm至400μm。

相反，当在掩模100附接至掩模框架200之前掩模100的卷曲值是1000μm或更小时，在掩模100附接至掩模框架200时掩模100可具有(-)卷曲值。

如果在掩模100附接至掩模框架200之后掩模100具有(-)卷曲值，则可能因衬底300和掩模100之间的相互干扰而引起有缺陷的提升，并且该有缺陷的提升可能造成不合期望的阴影现象。

图9A和图9B示出显示由根据对比实施方式的掩模组件造成的阴影现象的视图。图10A和图10B示出显示由根据实施方式的掩模组件减小阴影现象的情况的视图。

这里，根据对比实施方式的掩模组件例示了在掩模附接至掩模框架之后掩模的卷曲值为(-)的情况。

参照图9A和图9B，当在掩模附接至掩模框架之后掩模的卷曲值为(-)时，由于在掩模和衬底(300，参照图7)之间出现间隔，所以在掩模组件的区域B1中可能发生阴影现象。这种阴影现象可能造成利用根据对比实施方式的掩模组件通过沉积装置制造的显示面板的侧部提升现象(区域B2)，并且因此可能不会形成精确的图案。

相反，根据实施方式，在掩模100附接至掩模框架200之前掩模100的卷曲值可以是大约1000μm到4000μm，并且附接至掩模框架200的掩模100可具有(+)或0卷曲值。参照图10A，可以看出在掩模组件10中的阴影现象可减少。此外，还能够有可能防止利用根据实施方式的掩模组件10通过沉积装置制造的显示面板的侧部提升现象。

在下文中，将参照图11和图12以及表1和表2描述针对在掩模100附接至掩模框架200之前掩模100的情况，掩模100的卷曲值以及在掩模100附接至掩模框架200之后的阴影现象。

图11示出显示根据在掩模附接至掩模框架之前掩模的镍含量比，在掩模附接至掩模框架之后掩模组件的阴影现象的视图。这里，图11的A至E表示根据实施方式具有彼此不同的镍含量比的掩模100。相反，图11的F至J表示根据对比实施方式具有彼此不同的镍含量比的掩模。另一方面，为清楚地比较，根据实施方式的掩模100中的每一个的厚度等于根据对比实施方式的掩模中的每一个的厚度。

表1

(L：左，R：右)

表1示出在掩模附接至掩模框架之前掩模的卷曲值。这里，左(L)是指掩模中的每一个的一个端部的卷曲值，以及右(R)是指掩模中的每一个的另一端部的卷曲值，掩模的所述另一端部与掩模的所述一个端部相面对(例如，相反)。

基于镍(Ni)和铁(Fe)的总重量，根据实施方式的掩模100中的镍(Ni)含量可以是35wt％至40wt％。

例如，在A至E的所有情况中，基于镍(Ni)和铁(Fe)的总重量，镍(Ni)的含量是35wt％至40wt％。参照表1，在A至E的所有情况中，镍(Ni)的含量满足上述范围，并且因此掩模100中的每一个在附接至掩模框架200之前的卷曲值可以是大约1000μm到4000μm。

因此，参照图11，可以看出，在包括根据实施方式的掩模100的掩模组件10中不会出现阴影现象。

相反，就根据对比实施方式的掩模而言，基于镍(Ni)和铁(Fe)的总重量，镍(Ni)的含量大于40wt％。参照表1，在F至J的所有情况中，基于镍(Ni)和铁(Fe)的总重量，镍(Ni)的含量大于40wt％，因此掩模中的每一个在附接至掩模框架之前的卷曲值被设定为大约1000μm或更小或(-)卷曲值。

因此，参照图11，可以看出，就包括根据对比实施方式的掩模的掩模组件而言，在第一区域C1至第五区域C5中出现阴影现象。

图12示出显示根据在掩模附接至掩模框架之前掩模的厚度，在掩模附接至掩模框架之后掩模组件的阴影现象的视图。这里，图12的A、B和J表示根据实施方式各自具有大约6μm至10μm的厚度的掩模100(B具有10.1μm的厚度，但是这被认为是与10大致相同)。相反，图12的C、D、E和F表示根据对比实施方式各自具有大约小于6μm的厚度的掩模。另一方面，为清楚地比较，在根据实施方式的掩模100中的每一个中镍(Ni)的含量以及在根据对比实施方式的掩模中的每一个中镍(Ni)的含量设定为基于镍(Ni)和铁(Fe)的总重量的大约36wt％。此外，这里，掩模100的厚度是指图案区域G3的厚度。

表2

(L：左，R：右)

表2示出在掩模附接至掩模框架之前掩模的卷曲值。

根据实施方式的掩模100中的每一个的厚度可以是大约6μm至10μm。例如，在A、B和J的所有情况中，掩模100中的每一个的厚度大约是6μm至10μm。参照表2，在A、B和J的所有情况中，掩模100中的每一个形成为具有大约6μm至10μm的厚度，并且因此掩模100中的每一个在附接至掩模框架200之前的卷曲值可以是大约1000μm到4000μm。

因此，参照图12，可以看出，在包括根据实施方式的掩模100的掩模组件10中不会发生阴影现象。

相反，就根据对比实施方式的掩模中的每一个而言，掩模中的每一个的厚度小于6μm。例如，在C至F的所有情况中，掩模中的每一个的厚度小于6μm。参照表2，掩模中的每一个的厚度小于6μm，并且因此掩模中的每一个在附接至掩模框架之前的卷曲值可以是大约1000um或更小或(-)卷曲值。

因此，参照图12，可以看出，就包括根据对比实施方式的掩模的掩模组件而言，在第一区域D1至第十区域D10中发生阴影现象。

例如，在掩模100附接至掩模框架200之前，掩模100可具有大约1000μm到4000μm的卷曲值，并且在掩模100伸展并且之后附接至掩模框架200之后，掩模100可形成为具有大约0μm至400μm的卷曲值。通过这个，可有利地减小阴影现象，从而防止显示面板的侧部提升现象。在实施例中，掩模100在附接至掩模框架200之前的卷曲值可以是大约1000μm到4000μm，并且基于镍(Ni)和铁(Fe)的总重量，掩模100中的镍(Ni)的含量可以是大约35wt％至40wt％。此外，掩模100的厚度可以是大约6μm至10μm。

随后，将参照图13至图18描述制造掩模100的方法。

图13至图18示出在制造掩模的方法中阶段的剖视图。

参照图13和图14，可在衬底1上形成第一光刻胶层2。可通过将正性光刻胶或负性光刻胶施加至衬底1上，在衬底1上形成第一光刻胶层2。

在于衬底1上形成第一光刻胶层2之前，可将衬底1的一侧抛光。因此，第一光刻胶层2可均匀地形成在衬底1的一侧上。

接着，参照图15，可通过执行光刻工艺选择性地改造第一光刻胶层2。因此，可形成多个第一光刻胶图案2′。例如，可形成与多个第一光刻胶图案2′对应的第一光掩模，以及可执行将第一光刻胶层2的、被第一光掩模阻挡的部分暴露于光的曝光过程。因此，可选择性地改造第一光刻胶层2，以在衬底1的一侧上形成多个第一光刻胶图案2′。

这里，在第一光刻胶图案2′中，它的上表面2a′的长度d5可长于它的下表面2b′的长度d6。例如，第一光刻胶图案2′的两侧可具有相反的锥形形状。

接着，参照图16，可在多个第一光刻胶图案2′之间形成金属层3。在实施例中，金属层3可通过电镀来形成。因此，衬底1可包括传导材料。

这里，金属层3可包括镍(Ni)镀液。在实施例中，镍(Ni)镀液的构成比可以是总的镀液的大约30wt％至70wt％。应力减轻剂可包括表面活化剂。应力减轻剂可包括能够减轻金属层3中的应力的合适材料。在总的镀液中应力减轻剂的含量可以是大约1wt％至10wt％。可对金属层3施加预定的恒定电流。这里，可通过调节恒定电流的量来控制掩模100的卷曲值。这里，可各自独立地执行镍(Ni)镀液的重量比的调整、应力减轻剂的重量比的调整和恒定电流的控制。此外，可执行镍(Ni)镀液的重量比的调整、应力减轻剂的重量比的调整和恒定电流的控制中的全部或一些。

在实施例中，制造掩模100的方法还可包括通过对金属层3进行蚀刻而形成多个图案孔(121，参照图18)的步骤。

接着，参照图17，可移除多个第一光刻胶图案2′。因此，仅仅金属层3可存在于衬底1的一侧上。接着，参照图18，可移除衬底1。因此，可形成包括多个图案孔121和多个肋状部122的掩模100。

通过这些过程形成的掩模100可具有大约1000μm到4000μm的卷曲值。此外，基于镍(Ni)和铁(Fe)的总重量，掩模100中的镍(Ni)的含量可以是35wt％至40wt％，并且掩模100的图案区域G3的厚度可以是大约6μm至10μm。

通过总结和回顾的方式，可通过沉积方法形成有机发光显示设备中所包括的电极和发光层。随着有机发光显示设备具有更高的分辨率，在沉积过程中使用的掩模的打开缝隙的宽度可逐渐减小。

就高分辨率有机发光显示设备而言，当衬底和掩模彼此紧密接触时可执行沉积过程。

如上所述，根据本发明的实施方式，可提供能够消除或减少阴影现象的掩模以及制造包括所述掩模的掩模组件的方法。

本文已经公开了示例性实施方式，而且虽然使用了特定的术语，但是它们仅仅在一般性的和描述性的意义上被使用和解释，并且不是出于限制的目的。在一些情况下，如直到提交本申请为止对于本领域普通技术人员将是显而易见，除非明确地另行指出，否则结合具体实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离本发明如所附权利要求中阐述的精神和范围的情况下，可在形式和细节方面进行各种改变。

Claims (20)

1.一种掩模，包括：

主体，所述主体包括在长度方向上彼此面对的一个端部和另一端部；以及

图案区域，处于所述一个端部和所述另一端部之间，所述图案区域包括多个图案孔以及处于所述多个图案孔之间的多个肋状部，

其中所述掩模的卷曲值为1000μm到4000μm，其中所述卷曲值定义为从与所述主体的中心相切的平面至所述主体的所述一个端部或所述主体的所述另一端部的最短距离。

2.如权利要求1所述的掩模，其中：

所述主体包括镍和铁，以及

基于所述镍和所述铁的总重量，所述镍的含量是35wt％至40wt％。

3.如权利要求1所述的掩模，其中所述多个肋状部中的至少一个的厚度是6μm至10μm。

4.如权利要求1所述的掩模，其中所述主体包括在所述一个端部处的第一焊接区域以及在所述另一端部处的第二焊接区域。

5.如权利要求4所述的掩模，其中所述第一焊接区域和所述第二焊接区域中的至少一个的厚度大于所述多个肋状部中的至少一个的厚度。

6.如权利要求4所述的掩模，其中所述第一焊接区域和所述第二焊接区域中的至少一个的厚度是6μm至40μm。

7.如权利要求1所述的掩模，其中所述多个肋状部中的每个肋状部包括具有第一长度的上表面和具有第二长度的下表面，所述第二长度长于所述第一长度。

8.一种掩模，包括：

第一焊接区域，处于所述掩模的一个端部处；

第二焊接区域，处于所述掩模的另一端部处，所述掩模的所述另一端部在长度方向上面对所述掩模的所述一个端部；以及

图案区域，处于所述第一焊接区域和所述第二焊接区域之间，

其中所述图案区域包括多个肋状部，所述多个肋状部中的每个肋状部包括具有第一长度的上表面和具有长于所述第一长度的第二长度的下表面，以及

其中所述掩模的卷曲值为1000μm到4000μm，其中所述卷曲值定义为从与所述掩模的中心相切的平面至所述第一焊接区域和所述第二焊接区域之一的最短距离。

9.如权利要求8所述的掩模，其中：

所述第一焊接区域、所述第二焊接区域和所述图案区域中的每一个包括镍和铁，以及

基于所述镍和所述铁的总重量，所述第一焊接区域、所述第二焊接区域和所述图案区域中的所述镍的含量是35wt％至40wt％。

10.如权利要求8所述的掩模，其中所述第一焊接区域和所述第二焊接区域中的至少一个的厚度等于或大于所述图案区域的厚度。

11.如权利要求8所述的掩模，其中所述图案区域的厚度是6μm至10μm。

12.制造掩模组件的方法，所述方法包括：

形成掩模使得所述掩模具有在厚度方向上彼此面对的一个表面和另一个表面；以及

将所述掩模附接至掩模框架，使得所述掩模的所述一个表面与所述掩模框架接触，

其中在将所述掩模附接至所述掩模框架之前，所述掩模的卷曲值为1000μm到4000μm，其中所述卷曲值定义为从与所述掩模的中心相切的平面至所述掩模的一个端部或所述掩模的另一端部的最短距离。

13.如权利要求12所述的方法，还包括：在形成所述掩模之后，使所述掩模在长度方向上伸展，其中附接至所述掩模框架的所述掩模具有0μm至400μm的卷曲值。

14.如权利要求13所述的方法，其中，在使所述掩模伸展的过程中，通过0.4Kgf至6.0Kgf的拉伸合力使所述掩模伸展。

15.如权利要求12所述的方法，其中：

所述掩模包含镍和铁，以及

基于所述镍和所述铁的总重量，所述掩模中的所述镍的含量是35wt％至40wt％。

16.如权利要求12所述的方法，其中：

所述掩模包括：在长度方向上处于所述掩模的所述一个端部处的第一焊接区域，设置在所述掩模的、在所述长度方向上面对所述一个端部的所述另一端部处的第二焊接区域，以及处于所述第一焊接区域和所述第二焊接区域之间的图案区域；以及

在形成所述掩模的过程中，所述第一焊接区域和所述第二焊接区域中的至少一个的厚度等于或大于所述图案区域的厚度。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述图案区域的所述厚度是6μm至10μm。

18.如权利要求12所述的方法，其中形成所述掩模包括：

在衬底上形成光刻胶层；

在所述光刻胶层上形成光掩模以及利用所述光掩模对所述光刻胶层的至少一部分执行光刻过程，以形成彼此间隔开的多个光刻胶图案；

在所述多个光刻胶图案之间形成金属层；以及

移除所述多个光刻胶图案和所述衬底。

19.如权利要求18所述的方法，其中形成所述金属层包括：对所述金属层施加恒定电流。

20.如权利要求18所述的方法，其中利用金属镀液形成所述金属层，以及基于所述金属镀液的总重量以1wt％至10wt％的量形成所述金属层。

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