CN110165063A - 量子棒发光二极管器件 - Google Patents
量子棒发光二极管器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110165063A CN110165063A CN201910445031.0A CN201910445031A CN110165063A CN 110165063 A CN110165063 A CN 110165063A CN 201910445031 A CN201910445031 A CN 201910445031A CN 110165063 A CN110165063 A CN 110165063A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quantum rod
- layer
- led device
- shell
- zinc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims description 14
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 9
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XPVAATVRFNOVHD-UHFFFAOYSA-N [Zn].[S].[In].[Cu] Chemical compound [Zn].[S].[In].[Cu] XPVAATVRFNOVHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IPCGGVKCDVFDQU-UHFFFAOYSA-N [Zn].[Se]=S Chemical compound [Zn].[Se]=S IPCGGVKCDVFDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004073 vulcanization Methods 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 32
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical group [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 208000004350 Strabismus Diseases 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- BAZVSMNPJJMILC-UHFFFAOYSA-N triadimenol Chemical compound C1=NC=NN1C(C(O)C(C)(C)C)OC1=CC=C(Cl)C=C1 BAZVSMNPJJMILC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/08—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of group II and group VI of the periodic system
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
Abstract
本发明公开一种量子棒发光二极管器件，包括衬底以及依序迭设在衬底上的阴极、电子功能层、发光层、空穴功能层以及阳极。其中，所述发光层内设置有多个量子棒，所述多个量子棒定向排列。本发明量子棒发光二极管器件的发光层包括了定向排列的量子棒，可使入射光被转换为偏振光，有利于提高偏振光出射效率。
Description
技术领域
本发明是有关于一种量子棒发光二极管器件，尤其关于一种量子棒发光二极管器件，其中量子棒定向排列而能提供偏振光，进而提高透过率。
背景技术
量子点(Quantum Dots,QD)是极其微小的无机纳米晶体。每当受到光或电的刺激，量子点便会发出有色光线，光线的颜色由量子点的组成材料和大小形状决定，量子点颗粒若越小，会吸收长波，颗粒越大，会吸收短波。量子点可吸收短波的蓝色，激发出呈现出长波段光色。此特性使得量子点能够改变光源发出的光线颜色。
量子点显示技术具有广色域覆盖率、高色彩控制精确性、高红绿蓝色彩纯净度等特性，被视为影响全球的显示技术革命。量子点显示技术革命性的实现全色域显示。
量子点是半径小于或接近于波尔半径(Bohr Radius)的半导体纳米晶体，大部分由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米材料。由于量子限域效应，其内部的电子和空穴的运输受到限制，使得连续的能带结构变成分离的能级结构。当量子点的尺寸不同时，电子与空穴的量子限域程度不一样，分立的能级结构不同。在受到外来能量激发后，不同尺寸的量子点即发出不同波长的光，也就是各种颜色的光。
量子点的优势在于：通过调控量子点的尺寸，可以实现发光波长范围覆盖到红外光及整个可见光波段，且发射光波段窄，色彩饱和度高；量子点材料量子转换效率高；材料性能稳定；制备方法简单多样，可以从溶液中制备，资源丰富。
然而，光线经过量子点后，出射方向是随机的，当经过量子点后的发散光线穿过液晶时，不再能很好的控制相应像素点位的所有光线，液晶显示器件(Liquid crystaldisplay,LCD)就会发生漏光现象。而LCD显示器件工作原理是利用液晶的旋光性和双折射，通过电压控制液晶的转动，使经过上偏振片后的线偏振光随之发生旋转，从下偏振片(与上偏片垂直)出来。从而偏光片加上液晶盒起到光开关的作用。显然，这种光学开关对量子点发出的光线无法完全作用。
为了避免将量子点置于液晶盒中而发生光偏振消除的现象，现有技术供一种量子点偏光片(QD Polarizer,QD POL)，即将量子点置于偏光片中。偏光片是由多层膜组合而成，其中一类具有提高背光亮度利用率的偏光片其基本结构包括：最中间的PVA(聚乙烯醇)、两层三醋酸纤维素(TAC)、压敏胶(Pressure Sensitive Adhesive film,PSA film)，离型膜(Release Film)、保护膜(Protective Film)以及其他功能膜结构等。所谓QD POL即将量子点制备成膜，插入偏光片功能层位置之间，此一层既提升了背光的光能利用率，同时也提升面板的色域，提升了偏光片的作用同时简化成型制备中的工艺。然而，其缺点为，LCD背光发出的光型依赖于光源和背光架构具有特定的形状，其不同角度的亮度存在差异，例如一种典型的Lambert型背光，L(θ)＝L(0)*cos(θ)，即斜视方向的亮度与正视方向的亮度比值为夹角的余弦。
一般情况下，量子点受激发射的光是非偏振的，这使得量子点发光经过偏光板后，至少损失一半亮度。当量子点所发出光线具有一定偏振性时，可大幅提高透过偏振片的光强。量子棒(QD Rod)定向排列时，受激辐射的光具有一定的偏振性。现有技术已经存在利用这种特性制备的量子点偏光片，所述技术采用了量子棒与盘状液晶共混，但未能确保在于盘状液晶共混时，量子棒以定向排列。无序排列的量子棒实际效果与量子点类似，不能很好达成提高透过率的效果。同时，量子点分散在盘状液晶补偿层中存在一定的分散性。
此外，业界现有量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode,QLED)替代有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)的趋势，QLED与OLED一样，是一种电致发光器件，其避免了二次转换的过程，同时具有相比液晶显示技术，具有较快的开关特性。一般的QLED器件，是由合成的量子点作为功能层，量子点作为无机材料，具有更好的发光稳定性与可靠性，同时其发光效率和色纯度都极高。在一些情况下，需要采用偏振光源时，量子点作为点光源无法满足这一需求。
故，有必要提供一种量子棒发光二极管器件，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种量子棒发光二极管器件，以解决现有技术QLED器件中量子棒无序排列而不能提供偏振光，造成透过率低落的技术问题。
本发明的次要目的在于提供一种量子棒发光二极管器件，其包括：
衬底以及依序迭设在衬底上的阴极、电子功能层、发光层、空穴功能层以及阳极；
其中，所述发光层内设置有多个量子棒，所述多个量子棒定向排列。
在本发明的一实施例中，所述多个量子棒的长轴均沿着同一方向。
在本发明的一实施例中，所述多个量子棒的长轴相互平行。
在本发明的一实施例中，所述多个量子棒的长轴与所述发光层的垂直轴平行。
在本发明的一实施例中，所述电子功能层包括电子注入层、电子传输层、以及空穴阻挡层中的至少一层。
在本发明的一实施例中，所述电子功能层包括有机材料或无机材料。
在本发明的一实施例中，所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层中的至少一层。
在本发明的一实施例中，所述量子棒包括壳体与设置在所述壳体内的核心，所述壳体为长棒状，且所述壳体的长度与所述壳体的直径比大于2。
在本发明的一实施例中，所述壳体包括硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)、或硒化锌(ZnSe)，以及所述核心为硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、硒化锌(ZnSe)、硫硒化锌(ZnSeS)、磷化铟(InP)、硫化铅(PbS)、或硫锌铟铜(CuInZnS)。
在本发明的一实施例中，所述量子棒包括过渡区，所述过渡区设置在所述核心和所述壳体之间，所述过渡区包括硒化镉(CdSe)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、或硫化锌(ZnS)。
相较于现有技术，本发明QLED器件的发光层包括了定向排列(有序排列)的量子棒，可使入射光被转换为偏振光，所以采用定向排列(有序排列)的量子棒有利于入射光变为偏振度极高的偏振光，从而偏振光在透过与其偏振透过方向一致的偏振膜时，提高出射效率。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，且配合所附图式，作详细说明如下：
附图说明
图1是本发明量子棒发光二极管器件的侧面示意图。
图2是本发明发光层的侧面示意图。
图3是本发明量子棒的立体外观示意图。
具体实施方式
请参照图1，本发明量子棒发光二极管(Quantum Dot Rod Light EmittingDiode,QLED)器件为电致发光器件，包括衬底1以及依序迭设在衬底1上的阴极2、电子功能层3、发光层4、空穴功能层5以及阳极6。
在本发明较佳实施例中，所述电子功能层3包括电子注入层、电子传输层、以及空穴阻挡层中的至少一层。此外，所述电子功能层3可以为有机材料，也可以为无机材料。
请参照图2，所述发光层4即由量子棒(Quantum Dot Rod,QD Rod)10作为发光材料。所述发光层4内设置有多个量子棒10，所述多个量子棒10定向排列，换言之，所述多个量子棒10的长轴A均沿着同一方向，且所述多个量子棒10的长轴A相互平行。此外，所述多个量子棒10的长轴A可与所述发光层4的垂直轴V平行。
在本发明较佳实施例中，所述空穴功能层5包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层中的至少一层。
就量子棒10而言，在其发生受激辐射时，沿棒的长轴方向激发出偏振度极高同时半峰宽很窄的受激辐射光。本发明透过制备量子棒有序排列的量子棒膜，利用其光致发光特性，提高液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等显示器的背光出射效率。因为LCD在入光侧一般具有偏振片，正常情况下入射光会被吸收50％以上，所以采用有序排列的量子棒10有利于入射光变为偏振度极高的偏振光，从而偏振光在透过与其偏振透过方向一致的偏振膜时，提高出射效率。
请参照图3，量子棒10是由量子点发展而来，其相对量子点，具有明显的形状差异，从球状变为长棒状，包括壳体11与设置在所述壳体11内的核心12。所述壳体11为长棒状，且所述壳体11的长度L与所述壳体11的直径R比L/R>2，壳体11的长度L一般大于5nm，核心12可以为球状，也可以为棒状。所述壳体11材料包括硫化锌(ZnS)、硫化镉(CdS)、或硒化锌(ZnSe)等。所述核心12一般为II-VI族半导体或III-VI族半导体材料的组合，例如硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、硒化锌(ZnSe)、硫硒化锌(ZnSeS)、磷化铟(InP)、硫化铅(PbS)、或多元复合材料硫锌铟铜(CuInZnS)等。所述量子棒10包括过渡区，所述过渡区设置在所述核心12和所述壳体11材料之间，以及所述过渡区可包括硒化镉(CdSe)、硒化锌(ZnSe)、硫化锌(ZnS)、硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、或是硫化锌(ZnS)等。
在本发明一实施例中，所述发光层4为量子棒薄膜。在本实施例中，通过适当的合成方法，将量子棒10提纯并分散在氯苯等溶剂中以成为量子棒溶液，并将所述量子棒溶液涂布到所述电子功能层3。在所述量子棒溶液涂布完成后，蒸干所述量子棒薄膜中的溶剂即可形成所述量子棒薄膜。
在本发明另一实施例中，所述发光层4为量子棒薄膜。在本实施例中，将量子棒10分散于具有一定固化功能的光刻胶或溶液中，接着将所述光刻胶或溶液涂布在所述电子功能层3，在紫外光或热作用下使所述光刻胶或溶液固化以形成所述发光层4。此外，在本发明一实施例中，可在上述发光层4中掺入一定量的半导体纳米粒子或导电纳米粒子，以提高所述发光层4的导通性。
相较于现有技术，本发明QLED器件的发光层4包括了定向排列(有序排列)的量子棒10，可使入射光被转换为偏振光，所以采用定向排列(有序排列)的量子棒10有利于入射光变为偏振度极高的偏振光，从而偏振光在透过与其偏振透过方向一致的偏振膜时，提高出射效率。
Claims (10)
1.一种量子棒发光二极管器件，其特征在于，包括：
衬底以及依序迭设在所述衬底上的阴极、电子功能层、发光层、空穴功能层以及阳极；
其中，所述发光层内设置有多个量子棒，所述多个量子棒定向排列。
2.如权利要求1所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述多个量子棒的长轴均沿着同一方向。
3.如权利要求1所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述多个量子棒的长轴相互平行。
4.如权利要求1所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述多个量子棒的长轴与所述发光层的垂直轴平行。
5.如权利要求1所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述电子功能层包括电子注入层、电子传输层、以及空穴阻挡层中的至少一层。
6.如权利要求1所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述电子功能层包括有机材料或无机材料。
7.如权利要求1所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层以及电子阻挡层中的至少一层。
8.如权利要求1所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述量子棒包括壳体与设置在所述壳体内的核心，所述壳体为长棒状，且所述壳体的长度与所述壳体的直径比大于2。
9.如权利要求8所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述壳体包括硫化锌、硫化镉、或硒化锌，以及所述核心包括硒化镉、硫化镉、硒化锌、硫硒化锌、磷化铟、硫化铅、或硫锌铟铜。
10.如权利要求8所述的量子棒发光二极管器件，其特征在于，所述量子棒包括过渡区，所述过渡区设置在所述核心和所述壳体之间，以及所述过渡区包括硒化镉、硒化锌、硫化锌、硒化镉、硫化镉、或硫化锌。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910445031.0A CN110165063A (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 量子棒发光二极管器件 |
| PCT/CN2019/117758 WO2020238055A1 (zh) | 2019-05-27 | 2019-11-13 | 量子棒发光二极管器件 |
| US16/617,097 US11437543B2 (en) | 2019-05-27 | 2019-11-13 | Quantum rod light emitting diode device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910445031.0A CN110165063A (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 量子棒发光二极管器件 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110165063A true CN110165063A (zh) | 2019-08-23 |
Family
ID=67629024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910445031.0A Pending CN110165063A (zh) | 2019-05-27 | 2019-05-27 | 量子棒发光二极管器件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11437543B2 (zh) |
| CN (1) | CN110165063A (zh) |
| WO (1) | WO2020238055A1 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110504389A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-26 | 昆山国显光电有限公司 | 一种发光器件的制备方法、发光器件以及显示面板 |
| CN111394091A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-07-10 | Tcl华星光电技术有限公司 | 量子棒及包含其的量子棒膜 |
| WO2020238055A1 (zh) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 量子棒发光二极管器件 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102916097A (zh) * | 2011-08-01 | 2013-02-06 | 潘才法 | 一种电致发光器件 |
| CN103543553A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 乐金显示有限公司 | 量子棒发光显示装置 |
| US20160137920A1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Lg Display Co., Ltd. | Quantum rod composition, quantum rod film and display device including the same |
| CN106356465A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-01-25 | Tcl集团股份有限公司 | 一种基于纳米棒的高效qled器件及显示器 |
| CN106356470A (zh) * | 2016-09-13 | 2017-01-25 | Tcl集团股份有限公司 | 核壳半导体纳米棒薄膜、偏振发光二极管及其制备方法 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007143197A2 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Qd Vision, Inc. | Light-emitting devices and displays with improved performance |
| US8941293B2 (en) * | 2006-05-11 | 2015-01-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Solid state lighting devices comprising quantum dots |
| WO2009014707A2 (en) * | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| JP5267009B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2013-08-21 | 大日本印刷株式会社 | 発光デバイス |
| KR101995369B1 (ko) * | 2008-04-03 | 2019-07-02 | 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 | 양자점들을 포함하는 발광 소자 |
| US9525148B2 (en) * | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
| WO2011005859A2 (en) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Stable and all solution processable quantum dot light-emitting diodes |
| KR101763984B1 (ko) * | 2010-09-10 | 2017-08-01 | 베르라세 테크놀러지스 엘엘씨 | 반도체 도너로부터 분리된 층을 사용하여 광전자 디바이스를 제조하는 방법 및 그것에 의해 제조된 디바이스 |
| WO2012138409A2 (en) * | 2011-04-02 | 2012-10-11 | Qd Vision, Inc. | Devices including quantum dots and method |
| WO2012138410A1 (en) * | 2011-04-02 | 2012-10-11 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
| WO2013019299A2 (en) * | 2011-05-11 | 2013-02-07 | Qd Vision, Inc. | Method for processing devices including quantum dots and devices |
| TW201248894A (en) * | 2011-05-16 | 2012-12-01 | Qd Vision Inc | Device including quantum dots and method for making same |
| KR20140088115A (ko) * | 2011-10-03 | 2014-07-09 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 양자 도트 발광 소자 |
| EP2774189A4 (en) * | 2011-10-31 | 2015-12-02 | Univ Nanyang Tech | LIGHT-EMITTING DEVICE |
| KR101357045B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2014-02-05 | 한국과학기술연구원 | 그라핀이 결합된 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 튜너블 발광소자 및 그 제조 방법 |
| US8920766B2 (en) * | 2012-08-21 | 2014-12-30 | University Of Rochester | Quantum nanostructures, compositions thereof, and methods of making and using same |
| WO2014088667A2 (en) * | 2012-09-14 | 2014-06-12 | Qd Vision, Inc. | Light emitting device including tandem structure |
| WO2014099080A2 (en) * | 2012-09-26 | 2014-06-26 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Transparent quantum dot light-emitting diodes with dielectric/metal/dielectric electrode |
| JP5964744B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2016-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 半導体膜の製造方法 |
| US9123638B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-09-01 | Rohm And Haas Electronic Materials, Llc | Multi-heterojunction nanoparticles, methods of manufacture thereof and articles comprising the same |
| KR102151638B1 (ko) * | 2013-06-11 | 2020-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 퀀텀 로드 시트, 백라이트 유닛, 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN103345884B (zh) * | 2013-06-26 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 双面显示装置及其制备方法 |
| EP3058598A4 (en) * | 2013-10-17 | 2017-03-29 | Nanophotonica, Inc. | Quantum dot for emitting light and method for synthesizing same |
| KR20160113112A (ko) * | 2013-12-12 | 2016-09-28 | 나노포토니카, 인크. | 퀀텀닷 발광다이오드의 긍정적 효율의 에이징과 안정화를 촉진시키는 방법 및 구조 |
| CN104157671B (zh) * | 2014-06-25 | 2018-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种电致发光显示面板、其制备方法及显示装置 |
| KR102220405B1 (ko) * | 2014-07-25 | 2021-02-25 | 삼성전자주식회사 | 광학소자 및 이를 포함한 전자 장치 |
| TWI737610B (zh) * | 2015-05-20 | 2021-09-01 | 美商納諾光子公司 | 用於改進發光二極體之效率的程序 |
| US10790411B2 (en) * | 2016-12-01 | 2020-09-29 | Nanosys, Inc. | Quantum dot LED with spacer particles |
| CN109427985B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-12-24 | 昆山国显光电有限公司 | 有机电致发光器件及显示装置 |
| WO2019064541A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | シャープ株式会社 | 発光装置および表示装置 |
| KR102582649B1 (ko) * | 2018-02-12 | 2023-09-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20190110046A (ko) * | 2018-03-19 | 2019-09-27 | 삼성전자주식회사 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| US10854836B2 (en) * | 2018-08-03 | 2020-12-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing same and display device including same |
| CN110165063A (zh) * | 2019-05-27 | 2019-08-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 量子棒发光二极管器件 |
-
2019
- 2019-05-27 CN CN201910445031.0A patent/CN110165063A/zh active Pending
- 2019-11-13 WO PCT/CN2019/117758 patent/WO2020238055A1/zh active Application Filing
- 2019-11-13 US US16/617,097 patent/US11437543B2/en active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102916097A (zh) * | 2011-08-01 | 2013-02-06 | 潘才法 | 一种电致发光器件 |
| CN103543553A (zh) * | 2012-07-16 | 2014-01-29 | 乐金显示有限公司 | 量子棒发光显示装置 |
| US20160137920A1 (en) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | Lg Display Co., Ltd. | Quantum rod composition, quantum rod film and display device including the same |
| CN106356470A (zh) * | 2016-09-13 | 2017-01-25 | Tcl集团股份有限公司 | 核壳半导体纳米棒薄膜、偏振发光二极管及其制备方法 |
| CN106356465A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-01-25 | Tcl集团股份有限公司 | 一种基于纳米棒的高效qled器件及显示器 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020238055A1 (zh) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | Tcl华星光电技术有限公司 | 量子棒发光二极管器件 |
| CN110504389A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-26 | 昆山国显光电有限公司 | 一种发光器件的制备方法、发光器件以及显示面板 |
| CN110504389B (zh) * | 2019-08-14 | 2022-07-05 | 昆山国显光电有限公司 | 一种发光器件的制备方法、发光器件以及显示面板 |
| CN111394091A (zh) * | 2020-03-19 | 2020-07-10 | Tcl华星光电技术有限公司 | 量子棒及包含其的量子棒膜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210336077A1 (en) | 2021-10-28 |
| US11437543B2 (en) | 2022-09-06 |
| WO2020238055A1 (zh) | 2020-12-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI699589B (zh) | 電光切換元件及顯示裝置 | |
| US9547195B2 (en) | Liquid crystal display and display device | |
| CN103227189B (zh) | 一种量子点发光二极管显示器件及显示装置 | |
| KR102510603B1 (ko) | 전자 엘리먼트 및 디스플레이 | |
| CN104465911B (zh) | 量子点发光装置及显示设备 | |
| CN110165063A (zh) | 量子棒发光二极管器件 | |
| TW201427893A (zh) | 圖案化色轉換膜及應用其之顯示裝置 | |
| CN108922906A (zh) | Oled显示器 | |
| CN105353556A (zh) | 显示装置 | |
| US20230146027A1 (en) | Quantum dot film, method of preparing the same, and display device | |
| WO2017041323A1 (zh) | 一种偏光片 | |
| CN109188821A (zh) | 一种显示面板、制造方法、显示装置及其控制方法 | |
| CN106896568A (zh) | 液晶显示装置 | |
| KR102654773B1 (ko) | 퀀텀 로드 패널 및 퀀텀 로드 표시장치 | |
| CN108155296A (zh) | 量子点发光器件及显示装置 | |
| CN107991806A (zh) | 背光模组及液晶显示装置 | |
| CN107863450A (zh) | 一种oled显示装置及其制备方法 | |
| KR102256333B1 (ko) | 퀀텀 로드 및 퀀텀 로드 표시장치 | |
| KR20160036732A (ko) | 퀀텀 로드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| TW202132868A (zh) | 發光模組 | |
| KR102489294B1 (ko) | 퀀텀 로드 필름 및 퀀텀 로드 표시장치 | |
| US20180321525A1 (en) | Optical film components, backlight modules, and display devices | |
| KR20170077953A (ko) | 퀀텀 로드, 퀀텀 로드 필름 및 퀀텀 로드 표시장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20190823 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |